KR20120099338A - 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화되고, 193 ㎚ 이하의 파장 영역의 광을 노광 광원으로 하는 리소그래피에 사용되는 기재 성분 (A), 노광에 의해 산을 발생시키는 산발생제 성분 (B), 및 하기 일반식 (c0) 으로 나타내는 구성 단위 (c0) 을 갖는 고분자 화합물 (C) 를 함유하는 레지스트 조성물로서, 이 기재 성분 (A) 100 질량부에 대하여, 상기 고분자 화합물 (C) 의 함유 비율이 25 질량부 미만인 레지스트 조성물.
[화학식 1]
[식 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 5 의 할로겐화 알킬기를 나타내고, R1 은 1 개 이상의 1 급 또는 2 급의 알코올성 수산기, 또는 사슬형의 3 급 알코올성 수산기를 갖는 유기기이다]
[화학식 1]
[식 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 5 의 할로겐화 알킬기를 나타내고, R1 은 1 개 이상의 1 급 또는 2 급의 알코올성 수산기, 또는 사슬형의 3 급 알코올성 수산기를 갖는 유기기이다]
Description
본 발명은 레지스트 조성물, 당해 레지스트 조성물을 사용한 레지스트 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
본원은 2011년 1월 26일에 일본에 출원된 일본 특허출원 2011-014447호 및 2011년 11월 1일에 일본에 출원된 일본 특허출원 2011-240487호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
리소그래피 기술에 있어서는, 예를 들어 기판 상에 레지스트 재료로 이루어지는 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막에 대하여 소정의 패턴이 형성된 마스크를 개재하여 광, 전자선 등의 방사선으로 선택적 노광을 실시하고, 현상 처리를 실시함으로써, 상기 레지스트막에 소정 형상의 레지스트 패턴을 형성하는 공정이 실시된다.
노광된 부분이 현상액에 용해되는 특성으로 변화하는 레지스트 재료를 포지티브형, 노광된 부분이 현상액에 용해되지 않는 특성으로 변화하는 레지스트 재료를 네거티브형이라고 한다.
최근, 반도체 소자나 액정 표시 소자의 제조에 있어서는, 리소그래피 기술의 진보에 따라 급속히 패턴의 미세화가 진행되고 있다.
미세화 수법으로는, 일반적으로 노광 광원의 단파장화 (고에너지화) 가 실시되고 있다. 구체적으로는, 종래에는 g 선, i 선으로 대표되는 자외선이 사용되고 있었는데, 현재는 KrF 엑시머 레이저 (파장 : 248 ㎚) 나, ArF 엑시머 레이저 (파장 : 193 ㎚) 를 사용한 반도체 소자의 양산이 개시되고 있다. 또, 이들 엑시머 레이저보다 단파장 (고에너지) 의 전자선, EUV (극자외선) 나 X 선 등에 대해서도 검토가 이루어지고 있다.
레지스트 재료에는, 이들 노광 광원에 대한 감도, 미세한 치수의 패턴을 재현할 수 있는 해상성 등의 리소그래피 특성이 요구된다.
이러한 요구를 만족시키는 레지스트 재료로서, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화되는 기재 성분과, 노광에 의해 산을 발생시키는 산발생제를 함유하는 화학 증폭형 레지스트 조성물이 사용되고 있다.
예를 들어 상기 현상액이 알칼리 현상액 (알칼리 현상 프로세스) 인 경우, 포지티브형의 화학 증폭형 레지스트 조성물로는, 산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대되는 수지 성분 (베이스 수지) 과 산발생제 성분을 함유하는 것이 일반적으로 사용되고 있다. 이러한 레지스트 조성물을 사용하여 형성되는 레지스트막은, 레지스트 패턴 형성시에 선택적 노광을 실시하면, 노광부에 있어서 산발생제로부터 산이 발생하고, 그 산의 작용에 의해 수지 성분의 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대되어, 노광부가 알칼리 현상액에 대하여 가용으로 된다. 그리고, 미노광부가 패턴으로서 남는 포지티브형 패턴이 형성된다. 여기서, 상기 베이스 수지는, 산의 작용에 의해 수지의 극성이 높아지는 것이 사용되어, 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대되는 한편, 유기 용제에 대한 용해성은 저하된다. 그 때문에, 알칼리 현상 프로세스가 아니라, 유기 용제를 함유하는 현상액 (유기계 현상액) 을 사용한 프로세스 (이하, 용제 현상 프로세스, 또는 네거티브형 현상 프로세스라고 하는 경우가 있다) 를 적용하면, 노광부에서는 상대적으로 유기계 현상액에 대한 용해성이 저하되기 때문에, 그 용제 현상 프로세스에 있어서는 레지스트막의 미노광부가 유기계 현상액에 의해 용해, 제거되고, 노광부가 패턴으로서 남는 네거티브형의 레지스트 패턴이 형성된다. 예를 들어 특허문헌 1 에는, 네거티브형 현상 프로세스가 제안되어 있다.
현재, ArF 엑시머 레이저 리소그래피 등에 있어서 사용되는 레지스트 조성물의 베이스 수지로는, 193 ㎚ 부근에서의 투명성이 우수하다는 점에서, (메트)아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위를 주사슬에 갖는 수지 (아크릴계 수지) 등이 일반적으로 사용되고 있다 (예를 들어, 특허문헌 2 참조).
최근, 0.15 마이크론 이하의 고해상성의 레지스트 패턴이 요구되게 됨에 따라서, 상기 리소그래피 특성 등의 개선에 추가하여, 현상 후에 발생하는 디펙트 (표면 결함) 의 개선도 훨씬 더 필요하게 되었다. 이 디펙트란, 예를 들어 KLA 텐코르사의 표면 결함 관찰 장치 (상품명 「KLA」) 에 의해, 현상 후의 레지스트 패턴을 바로 위에서 관찰했을 때에 검지되는 문제 전반을 말한다. 이 문제란, 예를 들어 현상 후의 스컴, 기포, 먼지, 레지스트 패턴 사이의 브릿지 등이다.
최근, 반도체 소자나 액정 표시 소자, MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) 등의 제조에 있어서는, 지지체 표면에 불순물 확산층을 형성하는 것이 실시되고 있다. 불순물 확산층의 형성은 통상적으로 불순물의 도입과 확산의 2 단계로 실시되고 있으며, 도입 방법의 하나로서, 인이나 붕소 등의 불순물을 진공 중에서 이온화하고, 고전계에서 가속하여 지지체 표면에 집어넣는 이온 임플랜테이션 프로세스가 있다.
화학 증폭형 레지스트 조성물을 사용하여 지지체 상에 형성된 레지스트 패턴은 지지체 (기판) 의 에칭을 실시할 때의 마스크로서 널리 이용되고 있다. 최근에는, 레지스트 패턴은 상기 이온 임플랜테이션 프로세스에 있어서, 임플랜테이션 지지체 표면에 선택적으로 불순물 이온을 집어넣을 때의 마스크로서도 이용되고 있다.
이온 임플랜테이션 프로세스에 사용하는 조성물로는, 산해리성기의 해리에 의해 알칼리 가용성이 되는 산해리성기를 함유하는 (메트)아크릴산에스테르 수지와, 산발생제와, 방사선의 조사에 의해 새로운 산을 발생하지 않는 페닐기를 갖는 저분자 화합물을 함유하는 이온 임플랜테이션용 감방사선성 수지 조성물이 개시되어 있다 (특허문헌 3).
향후, 리소그래피 기술의 더 나은 진보, 레지스트 패턴의 미세화가 점점 더 진행되는 가운데, 레지스트 재료에는 각종 리소그래피 특성의 향상이나, 스컴의 저감이 요망된다.
또한, 상기한 바와 같은 이온 임플랜테이션 용도에서는, 반사 방지막에 의해서 이온이 마스크되는 것을 막기 때문에, 레지스트 패턴을 형성하는 지지체 상에 반사 방지막을 형성할 수가 없다. 반사 방지막이 없기 때문에, 종래의 화학 증폭형 레지스트 조성물을 이온 임플랜테이션 프로세스에 사용한 경우, 기판 등의 지지체에 대한 레지스트 조성물의 밀착성이 불충분하여, 레지스트 조성물이 벗겨지기 쉽다는 문제가 있었다. 특히, (메트)아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위를 갖는 베이스 수지를 사용한 경우, 그 베이스 수지는 기판과의 밀착성이 낮기 때문에, 그 베이스 수지를 주로 사용하는 ArF 엑시머 레이저 등을 노광 광원으로 한 리소그래피에 있어서, (노광 파장에 대한 투명성은 확보할 수 있지만) 이 문제가 특히 현저하게 되어 있었다. 한편, 특허문헌 3 에 기재된 이온 임플랜테이션용 조성물에서는 페닐기를 갖는 저분자 화합물이 첨가되어 있기 때문에, ArF 엑시머 레이저 등의 광에 대하여 레지스트 조성물의 투명성이 저하되어, 리소그래피 특성의 면에서는 아직 개량의 여지가 있는 것으로 생각된다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 리소그래피 특성 및 밀착성이 우수하고, 스컴이 저감된 레지스트 조성물, 및 그 레지스트 조성물을 사용하는 레지스트 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
상기한 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 이하의 구성을 채용하였다.
즉, 본 발명의 제 1 양태는 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화되고, 193 ㎚ 이하의 파장 영역의 광을 노광 광원으로 하는 리소그래피에 사용되는 기재 성분 (A), 노광에 의해 산을 발생시키는 산발생제 성분 (B), 및 하기 일반식 (c0) 으로 나타내는 구성 단위 (c0) 을 갖는 고분자 화합물 (C) 를 함유하는 레지스트 조성물로서, 상기 기재 성분 (A) 100 질량부에 대하여, 상기 고분자 화합물 (C) 의 함유 비율이 25 질량부 미만인 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물이다.
[화학식 1]
[식 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 5 의 할로겐화 알킬기를 나타내고 ; R1 은 1 개 이상의 1 급 또는 2 급의 알코올성 수산기, 또는 사슬형의 3 급 알코올성 수산기를 갖는 유기기이다]
본 발명의 제 2 양태는 상기 제 1 양태의 레지스트 조성물을 사용하여 지지체 상에 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 및 상기 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법이다.
본 명세서 및 본 청구범위에 있어서, 「지방족」이란, 방향족에 대한 상대적인 개념으로서, 방향족성을 갖지 않는 기, 화합물 등을 의미하는 것으로 정의한다.
「알킬기」는 특별히 언급이 없는 한, 직사슬형, 분기사슬형 및 고리형의 1 가의 포화 탄화수소기를 포함하는 것으로 한다. 알콕시기 중의 알킬기도 동일하다.
「알킬렌기」는 특별히 언급이 없는 한, 직사슬형, 분기사슬형 및 고리형의 2 가의 포화 탄화수소기를 포함하는 것으로 한다.
「할로겐화 알킬기」는 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이고, 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.
「불소화 알킬기」 또는 「불소화 알킬렌기」는 알킬기 또는 알킬렌기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 기를 말한다.
「구성 단위」란, 고분자 화합물 (수지, 중합체, 공중합체) 을 구성하는 모노머 단위 (단량체 단위) 를 의미한다.
「아크릴산에스테르」는 아크릴산 (CH2=CH-COOH) 의 카르복시기 말단의 수소 원자가 유기기로 치환된 화합물이다.
「아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위」란, 아크릴산에스테르의 에틸렌성 이중 결합이 개열 (開裂) 되어 구성되는 구성 단위를 의미한다.
「α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르」에 있어서의 치환기로는, 할로겐 원자, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기, 탄소수 1 ~ 5 의 할로겐화 알킬기, 하이드록시알킬기 등을 들 수 있다. 또, 「아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위의 α 위치 (α 위치의 탄소 원자)」란 특별히 언급이 없는 한, 카르보닐기가 결합되어 있는 탄소 원자를 의미한다.
α 위치의 탄소 원자에 결합되어 있어도 되는 치환기에 있어서의 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다.
α 위치의 탄소 원자에 결합되어 있어도 되는 치환기에 있어서의 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기로서 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등의 직사슬형 또는 분기사슬형 알킬기를 들 수 있다.
또한, 그 치환기에 있어서의 탄소수 1 ~ 5 의 할로겐화 알킬기로서 구체적으로는, 상기한 「치환기에 있어서의 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기」의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다.
또한, 그 치환기에 있어서의 하이드록시알킬기로서 구체적으로는, 상기한 「치환기에 있어서의 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기」의 수소 원자의 일부 또는 전부가 하이드록시기로 치환된 기를 들 수 있다.
본 발명에 있어서, 이러한 α 위치의 탄소 원자에 결합되어 있는 것은, 수소 원자, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 5 의 할로겐화 알킬기인 것이 바람직하고 ; 수소 원자, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 5 의 불소화 알킬기인 것이 보다 바람직하며 ; 공업상 입수가 용이한 점에서, 수소 원자 또는 메틸기인 것이 가장 바람직하다.
「노광」이란, 방사선의 조사 전반을 포함하는 개념으로 한다.
본 발명에 의하면, 패턴 쓰러짐을 억제할 수 있고, 또한, 패턴 형상이나 LWR, EL 마진 등의 리소그래피 특성도 우수한 레지스트 조성물, 및 그 레지스트 조성물을 사용하는 레지스트 패턴 형성 방법을 제공할 수 있다.
≪레지스트 조성물≫
본 발명의 제 1 양태의 레지스트 조성물은 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화되고, 193 ㎚ 이하의 파장 영역의 광을 노광 광원으로 하는 리소그래피에 사용되는 기재 성분 (A) (이하 「(A) 성분」이라고 한다), 노광에 의해 산을 발생시키는 산발생제 성분 (B) (이하 「(B) 성분」이라고 한다), 및 하기 일반식 (c0) 으로 나타내는 구성 단위 (c0) 을 갖는 고분자 화합물 (C) (이하, 「(C) 성분」이라고 한다) 를 함유하는 레지스트 조성물을 함유한다.
이러한 레지스트 조성물을 사용하여 형성되는 레지스트막은, 레지스트 패턴 형성시에 선택적 노광을 실시하면, (B) 성분으로부터 산이 발생하고, 그 산이 (A) 성분의 현상액에 대한 용해성을 변화시킨다. 그 결과, 당해 레지스트막의 노광부의 현상액에 대한 용해성이 변화되는 한편, 미노광부는 현상액에 대한 용해성이 변화되지 않기 때문에, 현상함으로써, 포지티브형 패턴의 경우에는 노광부가, 네거티브형 패턴의 경우에는 미노광부가 각각 용해 제거되어 레지스트 패턴이 형성된다.
본 발명의 레지스트 조성물은 네거티브형 레지스트 조성물이어도 되고, 포지티브형 레지스트 조성물이어도 된다.
본 명세서에서는, 노광부가 용해 제거되는 포지티브형 패턴을 형성하는 레지스트 조성물을 포지티브형 레지스트 조성물이라고 하고, 미노광부가 용해 제거되는 네거티브형 패턴을 형성하는 레지스트 조성물을 네거티브형 레지스트 조성물이라고 한다.
<(A) 성분>
(A) 성분으로는, 통상 193 ㎚ 이하의 파장 영역의 광을 노광 광원으로 하는 리소그래피 용도의, 화학 증폭형 레지스트용 기재 성분으로서 사용되고 있는 유기 화합물을 1 종 단독으로, 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
여기서, 「기재 성분」이란, 막 형성능을 갖는 유기 화합물로, 바람직하게는 분자량이 500 이상인 유기 화합물이 사용된다. 그 유기 화합물의 분자량이 500 이상임으로써, 막 형성능이 향상되고, 또한, 나노 레벨의 레지스트 패턴을 형성하기 쉽다.
상기 기재 성분으로서 사용되는 「분자량이 500 이상인 유기 화합물」은 비중합체와 중합체로 크게 나뉜다.
비중합체로는, 통상 분자량이 500 이상 4000 미만인 것이 사용된다. 이하, 분자량이 500 이상 4000 미만인 비중합체를 저분자 화합물이라고 한다.
중합체로는, 통상 분자량이 1000 이상인 것이 사용된다. 이하, 분자량이 1000 이상인 중합체를 고분자 화합물이라고 한다. 고분자 화합물의 경우, 「분자량」으로는 GPC (겔 퍼미에이션 크로마토그래피) 에 의한 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량을 사용하는 것으로 한다. 이하, 고분자 화합물을 간단히 「수지」라고 하는 경우가 있다.
(A) 성분으로는, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화되는 수지 성분을 사용할 수 있고, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화되는 저분자 화합물 성분을 사용할 수도 있다.
여기서, 「193 ㎚ 이하의 파장 영역의 광을 노광 광원으로 하는 리소그래피」로는, 193 ㎚ 의 파장을 갖는 ArF 엑시머 레이저와 동등하거나 또는 그것보다 단파장의 광을 노광 광원으로 하는 리소그래피이면 특별히 한정되지는 않고, 노광 광원으로서 구체적으로는, ArF 엑시머 레이저 (파장 : 193 ㎚), F2 엑시머 레이저 (파장 : 157 ㎚), EUV (극자외선 ; 파장 13.6 ㎚), VUV (진공 자외선), EB (전자선) 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 본 발명의 기재 성분은 ArF 엑시머 레이저, EB 또는 EUV 를 노광 광원으로 하는 것이 바람직하고, ArF 엑시머 레이저를 노광 광원으로 하는 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 레지스트 조성물이 알칼리 현상 프로세스에 있어서 네거티브형 패턴을 형성하는 「알칼리 현상 프로세스용 네거티브형 레지스트 조성물」인 경우, (A) 성분으로는 알칼리 현상액에 가용성인 기재 성분이 사용되고, 또한, 가교제 성분이 배합된다.
이러한 알칼리 현상 프로세스용 네거티브형 레지스트 조성물은, 노광에 의해 (B) 성분으로부터 산이 발생하면, 당해 산이 작용하여 기재 성분과 가교제 성분 사이에서 가교가 일어나, 알칼리 현상액에 대하여 난용성으로 변화된다. 그 때문에, 레지스트 패턴의 형성에 있어서, 당해 네거티브형 레지스트 조성물을 지지체 상에 도포하여 얻어지는 레지스트막을 선택적으로 노광하면, 노광부는 알칼리 현상액에 대하여 난용성으로 변화되는 한편, 미노광부는 알칼리 현상액에 대하여 가용성인 채로 변화되지 않기 때문에, 알칼리 현상함으로써 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
알칼리 현상 프로세스용 네거티브형 레지스트 조성물의 (A) 성분으로는, 통상적으로 알칼리 현상액에 대하여 가용성인 수지 (이하 「알칼리 가용성 수지」라고 한다) 가 사용된다.
알칼리 가용성 수지로는, 예를 들어 일본 공개특허공보 2000-206694호에 개시되어 있는, α-(하이드록시알킬)아크릴산, 또는 α-(하이드록시알킬)아크릴산의 알킬에스테르 (바람직하게는 탄소수 1 ~ 5 의 알킬에스테르) 에서 선택되는 적어도 하나로부터 유도되는 단위를 갖는 수지 ; 미국 특허 공보 제6949325호에 개시되어 있는, 술폰아미드기를 갖는 α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴 수지 또는 폴리시클로올레핀 수지 ; 미국 특허 공보 제6949325호, 일본 공개특허공보 2005-336452호, 일본 공개특허공보 2006-317803호에 개시되어 있는, 불소화 알코올을 함유하고, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴 수지 ; 일본 공개특허공보 2006-259582호에 개시되어 있는, 불소화 알코올을 갖는 폴리시클로올레핀 수지 등이, 팽윤이 적은 양호한 레지스트 패턴을 형성할 수 있어 바람직하다.
또한, 상기 α-(하이드록시알킬)아크릴산은, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산 중, 카르복시기가 결합하는 α 위치의 탄소 원자에 수소 원자가 결합되어 있는 아크릴산과, 이 α 위치의 탄소 원자에 하이드록시알킬기 (바람직하게는 탄소수 1 ~ 5 의 하이드록시알킬기) 가 결합되어 있는 α-하이드록시알킬아크릴산의 일방 또는 양방을 나타낸다.
가교제 성분으로는, 예를 들어 통상은, 메틸올기 또는 알콕시메틸기를 갖는 글리콜우릴 등의 아미노계 가교제, 멜라민계 가교제 등을 사용하면, 팽윤이 적은 양호한 레지스트 패턴을 형성할 수 있어 바람직하다. 가교제 성분의 배합량은 알칼리 가용성 수지 100 질량부에 대하여 1 ~ 50 질량부인 것이 바람직하다.
본 발명의 레지스트 조성물이 알칼리 현상 프로세스에 있어서 포지티브형 패턴을 형성하고, 용제 현상 프로세스에 있어서 네거티브형 패턴을 형성하는 레지스트 조성물인 경우, (A) 성분으로는, 산의 작용에 의해 극성이 증대되는 기재 성분 (A0) (이하 「(A0) 성분」이라고 한다) 을 사용하는 것이 바람직하다. (A0) 성분을 사용함으로써, 노광 전후에서 기재 성분의 극성이 변화되기 때문에, 알칼리 현상 프로세스뿐만 아니라, 용제 현상 프로세스에 있어서도 양호한 현상 콘트라스트를 얻을 수 있다.
알칼리 현상 프로세스를 적용하는 경우, 그 (A0) 성분은 노광 전에는 알칼리 현상액에 대하여 난용성이고, 노광에 의해 상기 (B) 성분으로부터 산이 발생하면, 그 산의 작용에 의해 극성이 증대되어 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대된다. 그 때문에, 레지스트 패턴의 형성에 있어서, 당해 레지스트 조성물을 지지체 상에 도포하여 얻어지는 레지스트막에 대하여 선택적으로 노광하면, 노광부는 알칼리 현상액에 대하여 난용성에서 가용성으로 변화하는 한편, 미노광부는 알칼리 난용성인 채로 변화하지 않기 때문에, 알칼리 현상함으로써 포지티브형 패턴을 형성할 수 있다.
또한, 용제 현상 프로세스를 적용하는 경우에는, 그 (A0) 성분은 노광 전에는 유기계 현상액에 대하여 용해성이 높지만, 노광에 의해 상기 (B) 성분으로부터 산이 발생하면, 그 산의 작용에 의해 극성이 높아져 유기계 현상액에 대한 용해성이 감소된다. 그 때문에, 레지스트 패턴의 형성에 있어서, 당해 레지스트 조성물을 지지체 상에 도포하여 얻어지는 레지스트막에 대하여 선택적으로 노광하면, 노광부는 유기계 현상액에 대하여 가용성에서 난용성으로 변화하는 한편, 미노광부는 가용성인 채로 변화하지 않기 때문에, 유기계 현상액으로 현상함으로써, 노광부와 미노광부 사이에서 콘트라스트를 갖게 할 수 있어, 네거티브형 패턴을 형성할 수 있다.
본 발명의 레지스트 조성물에 있어서, (A) 성분은 산의 작용에 의해 극성이 증대되는 기재 성분 ((A0) 성분) 인 것이 바람직하다. 즉, 본 발명의 레지스트 조성물은, 알칼리 현상 프로세스에 있어서 포지티브형이 되고, 용제 현상 프로세스에 있어서 네거티브형이 되는 화학 증폭형 레지스트 조성물인 것이 바람직하다.
그 (A0) 성분은 산의 작용에 의해 극성이 증대되는 수지 성분 (A1) (이하 「(A1) 성분」이라고 하는 경우가 있다) 이어도 되고, 산의 작용에 의해 극성이 증대되는 저분자 화합물 성분 (A2) (이하 「(A2) 성분」이라고 하는 경우가 있다) 이어도 되며, 또는 이들의 혼합물이어도 된다.
[(A1) 성분]
(A1) 성분으로는, 통상, 화학 증폭형 레지스트용의 기재 성분으로서 사용되고 있는 수지 성분 (베이스 수지) 을 1 종 단독으로, 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명에 있어서, (A1) 성분으로는, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위를 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 레지스트 조성물에 있어서는, 특히, (A1) 성분이 α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위로서, 산의 작용에 의해 극성이 증대되는 산분해성기를 함유하는 구성 단위 (a1) 을 갖는 것이 바람직하다.
또한, (A1) 성분은 구성 단위 (a1) 에 더하여, 추가로 -SO2- 함유 고리형기를 함유하고, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위, 및 락톤 함유 고리형기를 함유하고, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 구성 단위 (a2) 를 갖는 것이 바람직하다.
또한, (A1) 성분은 구성 단위 (a1) 에 더하여, 또는 구성 단위 (a1) 및 (a2) 에 더하여, 추가로 극성기 함유 지방족 탄화수소기를 함유하고, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위 (a3) 을 갖는 것이 바람직하다.
(구성 단위 (a1))
구성 단위 (a1) 은 α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위로서, 산의 작용에 의해 극성이 증대되는 산분해성기를 함유하는 구성 단위이다.
「산분해성기」란, 노광에 의해 (B) 성분으로부터 발생되는 산의 작용에 의해, 당해 산분해성기의 구조 중 적어도 일부의 결합이 개열될 수 있는 산분해성을 갖는 기이다.
산의 작용에 의해 극성이 증대되는 산분해성기로는, 예를 들어, 산의 작용에 의해 분해되어 극성기를 생성하는 기를 들 수 있다.
극성기로는, 예를 들어, 카르복실기, 수산기, 아미노기, 술포기 (-SO3H) 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 구조 중에 -OH 를 함유하는 극성기 (이하, OH 함유 극성기라고 하는 경우가 있다) 가 바람직하고, 카르복실기 또는 수산기가 바람직하며, 카르복실기가 특히 바람직하다.
산분해성기로서 보다 구체적으로는, 상기 극성기를 산해리성기로 보호한 기 (예를 들어 OH 함유 극성기의 수소 원자를 산해리성기로 보호한 기) 를 들 수 있다.
「산해리성기」는 산 (노광에 의해 (B) 성분으로부터 발생되는 산 등) 의 작용에 의해, 적어도 당해 산해리성기와 그 산해리성기에 인접하는 원자 사이의 결합이 개열될 수 있는 산해리성을 갖는 기이다. 산분해성기를 구성하는 산해리성기는, 당해 산해리성기의 해리에 의해 생성되는 극성기보다 극성이 낮은 기일 필요가 있으며, 이로써, 산의 작용에 의해 그 산해리성기가 해리되었을 때에, 그 산해리성기보다 극성이 높은 극성기가 생성되어 극성이 증대된다. 결과적으로, (A1) 성분 전체의 극성이 증대된다. 극성이 증대됨으로써, 알칼리 현상 프로세스를 적용하는 경우이면, 상대적으로 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대된다. 한편, 용제 현상 프로세스를 적용하는 경우이면, 유기 용제를 함유하는 유기계 현상액에 대한 용해성이 감소한다.
구성 단위 (a1) 에 있어서의 산해리성기로는, 지금까지 화학 증폭형 레지스트용 베이스 수지의 산해리성기로서 제안되어 있는 것을 사용할 수 있다. 일반적으로는, (메트)아크릴산 등에 있어서의 카르복실기와 고리형 또는 사슬형의 제 3 급 알킬에스테르를 형성하는 기 ; 알콕시알킬기 등의 아세탈형 산해리성기 등이 널리 알려져 있다.
여기서, 「제 3 급 알킬에스테르」란, 카르복실기의 수소 원자가 사슬형 또는 고리형의 알킬기로 치환됨으로써 에스테르를 형성하고 있고, 그 카르보닐옥시기 (-C(O)-O-) 의 말단의 산소 원자에, 상기 사슬형 또는 고리형 알킬기의 제 3 급 탄소 원자가 결합되어 있는 구조를 나타낸다. 이 제 3 급 알킬에스테르에 있어서는, 산이 작용하면, 산소 원자와 제 3 급 탄소 원자 사이에서 결합이 절단되어, 카르복실기가 형성됨으로써, (A1) 성분의 극성이 증대된다.
또, 상기 사슬형 또는 고리형 알킬기는 치환기를 가지고 있어도 된다.
이하, 카르복실기와 제 3 급 알킬에스테르를 구성함으로써 산해리성으로 되어 있는 기를, 편의상 「제 3 급 알킬에스테르형 산해리성기」라고 한다.
제 3 급 알킬에스테르형 산해리성기로는, 지방족 분기사슬형 산해리성기, 지방족 고리형기를 함유하는 산해리성기를 들 수 있다.
여기서, 본 청구범위 및 명세서에 있어서의 「지방족 분기사슬형」이란, 방향족성을 갖지 않는 분기사슬형의 구조를 갖는 것을 나타낸다.
「지방족 분기사슬형 산해리성기」의 구조는 탄소 및 수소로 이루어지는 기 (탄화수소기) 인 것에 한정되지는 않지만, 탄화수소기인 것이 바람직하다.
또한, 「탄화수소기」는 포화 또는 불포화 중 어느 것이어도 되지만, 통상은 포화인 것이 바람직하다.
지방족 분기사슬형 산해리성기로는, 탄소수 4 ~ 8 의 제 3 급 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는 tert-부틸기, tert-펜틸기, tert-헵틸기 등을 들 수 있다.
「지방족 고리형기」는 방향족성을 갖지 않는 단고리형기 또는 다고리형기인 것을 나타낸다.
구성 단위 (a1) 에 있어서의 「지방족 고리형기」는 치환기를 가지고 있어도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 치환기로는, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기, 탄소수 1 ~ 5 의 알콕시기, 불소 원자, 불소 원자로 치환된 탄소수 1 ~ 5 의 불소화 알킬기, 산소 원자 (=O) 등을 들 수 있다.
「지방족 고리형기」의 치환기를 제외한 기본 고리의 구조는 탄소 및 수소로 이루어지는 기 (탄화수소기) 인 것에 한정되지는 않지만, 탄화수소기인 것이 바람직하다. 또한, 「탄화수소기」는 포화 또는 불포화 중 어느 것이어도 되지만, 통상적으로는 포화인 것이 바람직하다. 「지방족 고리형기」는 다고리형기인 것이 바람직하다.
지방족 고리형기로는, 예를 들어, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기, 불소 원자 또는 불소화 알킬기로 치환되어 있어도 되고, 되어 있지 않아도 되는 모노시클로알칸 ; 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 시클로펜탄, 시클로헥산 등의 모노시클로알칸이나 ; 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 들 수 있다.
지방족 고리형기를 함유하는 산해리성기로는, 예를 들어, 고리형 알킬기의 고리 골격 상에 제 3 급 탄소 원자를 갖는 기를 들 수 있고, 구체적으로는, 하기 일반식 (1-1) ~ (1-9) 로 나타내는 기와 같은, 2-메틸-2-아다만틸기나, 2-에틸-2-아다만틸기 등을 들 수 있다.
또한, 지방족 분기사슬형 산해리성기로는, 하기 일반식 (2-1) ~ (2-6) 으로 나타내는 기와 같이, 아다만틸기, 시클로헥실기, 시클로펜틸기, 노르보르닐기, 트리시클로데실기, 테트라시클로도데실기 등의 지방족 고리형기와, 이것에 결합하는, 제 3 급 탄소 원자를 갖는 분기사슬형 알킬렌기를 갖는 기를 들 수 있다.
[화학식 2]
[식 중, R14 는 알킬기이고, g 는 0 ~ 8 의 정수이다]
[화학식 3]
[식 중, R15, R16 은 각각 독립적으로 알킬기 (직사슬형, 분기사슬형 중 어느 것이어도 되며, 바람직하게는 탄소수 1 ~ 5 이다) 를 나타낸다]
상기 R14 의 알킬기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기가 바람직하다.
그 직사슬형의 알킬기는 탄소수가 1 ~ 5 인 것이 바람직하고, 1 ~ 4 가 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 더욱 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 메틸기, 에틸기 또는 n-부틸기가 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하다.
그 분기사슬형의 알킬기는 탄소수가 3 ~ 10 인 것이 바람직하고, 3 ~ 5 가 보다 바람직하다. 구체적으로는, 이소프로필기, 이소부틸기, tert-부틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있고, 이소프로필기인 것이 가장 바람직하다.
g 는 0 ~ 3 의 정수가 바람직하고, 1 ~ 3 의 정수가 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 더욱 바람직하다.
R15 ~ R16 의 알킬기로는, R14 의 알킬기와 동일한 것을 들 수 있다.
상기 식 (1-1) ~ (1-9), (2-1) ~ (2-6) 중, 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 에테르성 산소 원자 (-O-) 로 치환되어 있어도 된다.
또한, 식 (1-1) ~ (1-9), (2-1) ~ (2-6) 중, 고리를 구성하는 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 그 치환기로는, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기, 불소 원자, 불소화 알킬기를 들 수 있다.
「아세탈형 산해리성기」는 일반적으로, 카르복실기, 수산기 등의 OH 함유 극성기 말단의 수소 원자와 치환되어 산소 원자와 결합하고 있다. 그리고, 노광에 의해 산이 발생하면, 이 산이 작용하여, 아세탈형 산해리성기와, 당해 아세탈형 산해리성기가 결합한 산소 원자 사이에서 결합이 절단되어, 카르복실기, 수산기 등의 OH 함유 극성기가 형성됨으로써 (A1) 성분의 극성이 증대된다.
아세탈형 산해리성기로는, 예를 들어, 하기 일반식 (p1) 로 나타내는 기를 들 수 있다.
[화학식 4]
[식 중, R1', R2' 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기를 나타내고 ; n 은 0 ~ 3 의 정수를 나타내고 ; Y1 은 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기 또는 지방족 고리형기를 나타낸다]
상기 식 중, n 은 0 ~ 2 의 정수인 것이 바람직하고, 0 또는 1 이 보다 바람직하며, 0 이 가장 바람직하다.
R1', R2' 의 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기로는, 상기 R 의 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기와 동일한 것을 들 수 있으며, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하고, 메틸기가 가장 바람직하다.
본 발명에 있어서는, R1', R2' 중 적어도 1 개가 수소 원자인 것이 바람직하다. 즉, 산해리성기 (p1) 이 하기 일반식 (p1-1) 로 나타내는 기인 것이 바람직하다.
[화학식 5]
[식 중, R1', n, Y1 은 상기와 동일하다]
Y1 의 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기로는, 상기 R 의 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기와 동일한 것을 들 수 있다.
Y1 의 지방족 고리형기로는, 종래 ArF 레지스트 등에 있어서 다수 제안되어 있는 단고리 또는 다고리형의 지방족 고리형기 중에서 적절히 선택하여 사용할 수 있고, 예를 들어 상기 「지방족 고리형기」와 동일한 것을 예시할 수 있다.
또한, 아세탈형 산해리성기로는, 하기 일반식 (p2) 로 나타내는 기도 들 수 있다.
[화학식 6]
[식 중, R17, R18 은 각각 독립적으로 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기 또는 수소 원자이고 ; R19 는 직사슬형, 분기사슬형 또는 고리형의 알킬기이고 ; 또는, R17 및 R19 가 각각 독립적으로 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬렌기로서, R17 과 R19 가 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다]
R17, R18 에 있어서, 알킬기의 탄소수는 바람직하게는 1 ~ 15 이고, 직사슬형, 분기사슬형 중 어느 것이어도 되며, 에틸기, 메틸기가 바람직하고, 메틸기가 가장 바람직하다. 특히, R17, R18 의 일방이 수소 원자이고, 타방이 메틸기인 것이 바람직하다.
R19 는 직사슬형, 분기사슬형 또는 고리형의 알킬기이고, 탄소수는 바람직하게는 1 ~ 15 이며, 직사슬형, 분기사슬형 또는 고리형 중 어느 것이어도 된다.
R19 가 직사슬형, 분기사슬형인 경우에는 탄소수 1 ~ 5 인 것이 바람직하고, 에틸기, 메틸기가 더욱 바람직하며, 특히 에틸기가 가장 바람직하다.
R19 가 고리형인 경우에는 탄소수 4 ~ 15 인 것이 바람직하고, 탄소수 4 ~ 12 인 것이 더욱 바람직하며, 탄소수 5 ~ 10 이 가장 바람직하다. 구체적으로는 불소 원자 또는 불소화 알킬기로 치환되어 있어도 되고, 되어 있지 않아도 되는 모노시클로알칸 ; 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 예시할 수 있다. 구체적으로는, 시클로펜탄, 시클로헥산 등의 모노시클로알칸이나, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 들 수 있다. 그 중에서도 아다만탄으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다.
또한, 상기 식에 있어서는, R17 및 R19 가 각각 독립적으로 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬렌기 (바람직하게는 탄소수 1 ~ 5 의 알킬렌기) 로서 R19 와 R17 이 결합되어 있어도 된다.
이 경우, R17 과 R19 와, R19 가 결합한 산소 원자와, 그 산소 원자 및 R17 이 결합한 탄소 원자에 의해 고리형기가 형성되어 있다. 그 고리형기로는, 4 ~ 7 원자 고리가 바람직하고, 4 ~ 6 원자 고리가 보다 바람직하다. 그 고리형기의 구체예로는, 테트라하이드로피라닐기, 테트라하이드로푸라닐기 등을 들 수 있다.
구성 단위 (a1) 로는, 하기 일반식 (a1-0-1) 로 나타내는 구성 단위 및 하기 일반식 (a1-0-2) 로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.
[화학식 7]
[식 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 5 의 할로겐화 알킬기를 나타내고 ; X1 은 산해리성기를 나타낸다]
[화학식 8]
[식 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 5 의 할로겐화 알킬기를 나타내고 ; X2 는 산해리성기를 나타내고 ; Y2 는 2 가의 연결기를 나타낸다]
일반식 (a1-0-1) 에 있어서, R 의 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 5 의 할로겐화 알킬기는, 상기 α 위치의 탄소 원자에 결합되어 있어도 되는 치환기의 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 5 의 할로겐화 알킬기와 동일하다.
X1 은 산해리성기이면 특별히 한정되지는 않고, 예를 들어 상기 서술한 제 3 급 알킬에스테르형 산해리성기, 아세탈형 산해리성기 등을 들 수 있으며, 제 3 급 알킬에스테르형 산해리성기가 바람직하다.
일반식 (a1-0-2) 에 있어서, R 은 상기와 동일하다.
X2 는 식 (a1-0-1) 중의 X1 과 동일하다.
Y2 의 2 가의 연결기로는, 알킬렌기, 2 가의 지방족 고리형기 또는 헤테로 원자를 함유하는 2 가의 연결기를 들 수 있다.
그 지방족 고리형기로는, 수소 원자가 2 개 이상 제거된 기가 사용되는 것 이외에는 상기 「지방족 고리형기」의 설명과 동일한 것을 사용할 수 있다.
Y2 가 알킬렌기인 경우, 탄소수 1 ~ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ~ 6 인 것이 더욱 바람직하고, 탄소수 1 ~ 4 인 것이 특히 바람직하며, 탄소수 1 ~ 3 인 것이 가장 바람직하다.
Y2 가 2 가의 지방족 고리형기인 경우, 시클로펜탄, 시클로헥산, 노르보르난, 이소보르난, 아다만탄, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸으로부터 수소 원자가 2 개 이상 제거된 기인 것이 특히 바람직하다.
Y2 가 헤테로 원자를 함유하는 2 가의 연결기인 경우, 헤테로 원자를 함유하는 2 가의 연결기로는, -O-, -C(=O)-O-, -C(=O)-, -O-C(=O)-O-, -C(=O)-NH-, -NH- (H 는 알킬기, 아실기 등의 치환기로 치환되어 있어도 된다), -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O-, 「-A-O (산소 원자)-B- (단, A 및 B 는 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이다)」, 또는 알킬렌기와 헤테로 원자를 함유하는 2 가의 연결기와의 조합 등을 들 수 있다.
Y2 가 -NH- 인 경우에 있어서의 치환기 (알킬기, 아실기 등) 의 탄소수로는 1 ~ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ~ 8 인 것이 더욱 바람직하며, 탄소수 1 ~ 5 인 것이 특히 바람직하다.
Y2 가 「A-O-B」인 경우, A 및 B 는 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이다.
탄화수소기가 「치환기를 갖는다」란, 그 탄화수소기에 있어서의 수소 원자의 일부 또는 전부가 수소 원자 이외의 기 또는 원자로 치환되어 있는 것을 의미한다.
A 에 있어서의 탄화수소기는 지방족 탄화수소기이어도 되고, 방향족 탄화수소기이어도 된다. 「지방족 탄화수소기」란, 방향족성을 갖지 않는 탄화수소기를 의미한다.
A 에 있어서의 지방족 탄화수소기는 포화이어도 되고, 불포화이어도 되며, 통상적으로는 포화인 것이 바람직하다.
A 에 있어서의 지방족 탄화수소기로서 보다 구체적으로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기, 구조 중에 고리를 함유하는 지방족 탄화수소기 등을 들 수 있다.
직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기는 탄소수가 1 ~ 10 인 것이 바람직하고, 1 ~ 8 이 보다 바람직하고, 2 ~ 5 가 더욱 바람직하며, 2 가 가장 바람직하다.
직사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸렌기, 에틸렌기 [-(CH2)2-], 트리메틸렌기 [-(CH2)3-], 테트라메틸렌기 [-(CH2)4-], 펜타메틸렌기 [-(CH2)5-] 등을 들 수 있다.
분기사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 분기사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기 ； -CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2- 등의 알킬에틸렌기 ； -CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기 ； -CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기 등의 알킬알킬렌기 등을 들 수 있다. 알킬알킬렌기에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ~ 5 의 직사슬형 알킬기가 바람직하다.
사슬형의 지방족 탄화수소기는 치환기를 가지고 있어도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, 불소 원자, 불소 원자로 치환된 탄소수 1 ~ 5 의 불소화 알킬기, 산소 원자 (=O) 등을 들 수 있다.
고리를 함유하는 지방족 탄화수소기로는, 고리형의 지방족 탄화수소기 (지방족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기), 그 고리형의 지방족 탄화수소기가 전술한 사슬형의 지방족 탄화수소기의 말단에 결합되거나 또는 사슬형의 지방족 탄화수소기의 도중에 개재하는 기 등을 들 수 있다.
고리형의 지방족 탄화수소기는 탄소수가 3 ~ 20 인 것이 바람직하고, 3 ~ 12 인 것이 보다 바람직하다.
고리형의 지방족 탄화수소기는 다고리형기이어도 되고, 단고리형기이어도 된다. 단고리형기로는, 탄소수 3 ~ 6 의 모노시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 모노시클로알칸으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 예시할 수 있다.
다고리형기로는, 탄소수 7 ~ 12 의 폴리시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로서 구체적으로는, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.
고리형의 지방족 탄화수소기는 치환기를 가지고 있어도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 치환기로는, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기, 불소 원자, 불소 원자로 치환된 탄소수 1 ~ 5 의 불소화 알킬기, 산소 원자 (=O) 등을 들 수 있다.
A 로는, 직사슬형의 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 직사슬형의 알킬렌기가 보다 바람직하며, 탄소수 2 ~ 5 의 직사슬형의 알킬렌기가 더욱 바람직하고, 에틸렌기가 가장 바람직하다.
B 에 있어서의 탄화수소기로는, 상기 A 에서 예시한 것과 동일한 2 가의 탄화수소기를 들 수 있다.
B 로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 메틸렌기 또는 알킬메틸렌기가 특히 바람직하다.
알킬메틸렌기에 있어서의 알킬기는, 탄소수 1 ~ 5 의 직사슬형의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ~ 3 의 직사슬형의 알킬기가 바람직하며, 메틸기가 가장 바람직하다.
구성 단위 (a1) 로서 보다 구체적으로는, 하기 일반식 (a1-1) ~ (a1-4) 로 나타내는 구성 단위를 들 수 있다.
[화학식 9]
[식 중, X' 는 제 3 급 알킬에스테르형 산해리성기를 나타내고 ; Y1 은 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기, 또는 지방족 고리형기를 나타내고 ; n 은 0 ~ 3 의 정수를 나타내고 ; Y2 는 2 가의 연결기를 나타내고 ; R 은 상기와 동일하고 ; R1', R2' 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기를 나타낸다]
상기 식 중, X' 는 상기 X1 에 있어서 예시한 제 3 급 알킬에스테르형 산해리성기와 동일한 것을 들 수 있다.
R1', R2', n, Y1 로는 각각, 상기 서술한 「아세탈형 산해리성기」의 설명에서 예시한 일반식 (p1) 에 있어서의 R1', R2', n, Y1 과 동일한 것을 들 수 있다.
Y2 로는, 상기 서술한 일반식 (a1-0-2) 에 있어서의 Y2 와 동일한 것을 들 수 있다.
이하에, 상기 일반식 (a1-1) ~ (a1-4) 로 나타내는 구성 단위의 구체예를 나타낸다.
이하의 각 식 중, Rα 는 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다.
[화학식 10]
[화학식 11]
[화학식 12]
[화학식 13]
[화학식 14]
[화학식 15]
[화학식 16]
[화학식 17]
구성 단위 (a1) 은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
그 중에서도, 일반식 (a1-1), (a1-2) 또는 (a1-3) 으로 나타내는 구성 단위가 바람직하고, 구체적으로는 (a1-1-1) ~ (a1-1-4), (a1-1-20) ~ (a1-1-23), (a1-2-1) ~ (a1-2-24) 및 (a1-3-25) ~ (a1-3-28) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 사용하는 것이 보다 바람직하다.
그리고 구성 단위 (a1) 로는, 특히 식 (a1-1-1) ~ 식 (a1-1-3) 및 (a1-1-26) 의 구성 단위를 포괄하는 하기 일반식 (a1-1-01) 로 나타내는 것 ; 식 (a1-1-16) ~ (a1-1-17), 식 (a1-1-20) ~ (a1-1-23) 및 (a1-1-32) 의 구성 단위를 포괄하는 하기 일반식 (a1-1-02) 로 나타내는 것 ; 식 (a1-3-25) ~ (a1-3-26) 의 구성 단위를 포괄하는 하기 일반식 (a1-3-01) 로 나타내는 것 ; 식 (a1-3-27) ~ (a1-3-28) 의 구성 단위를 포괄하는 하기 일반식 (a1-3-02), 또는 식 (a1-3-29) ~ (a1-3-30) 의 구성 단위를 포괄하는 하기 일반식 (a1-3-03) 으로 나타내는 것도 바람직하다.
[화학식 18]
[식 중, R 은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 5 의 할로겐화 알킬기를 나타내고 ; R11 은 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기를 나타내고 ; R12 는 탄소수 1 ~ 7 의 알킬기를 나타내고 ; h 는 1 ~ 6 의 정수를 나타낸다]
일반식 (a1-1-01) 에 있어서, R 에 관해서는 상기와 동일하다. R11 의 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기는 R 에 있어서의 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기와 동일하며, 메틸기, 에틸기, 또는 이소프로필기가 바람직하다.
일반식 (a1-1-02) 에 있어서, R 에 관해서는 상기와 동일하다. R12 의 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기는 R 에 있어서의 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기와 동일하며, 메틸기, 에틸기, 또는 이소프로필기가 바람직하다. h 는 1 또는 2 가 바람직하고, 2 가 가장 바람직하다.
[화학식 19]
[식 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 5 의 할로겐화 알킬기를 나타내고 ; R14 는 상기와 동일하고 ; R13 은 수소 원자 또는 메틸기이고 ; a 는 1 ~ 10 의 정수이다]
[화학식 20]
[식 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 5 의 할로겐화 알킬기를 나타내고 ; R14 는 상기와 동일하고 ; R13 은 수소 원자 또는 메틸기이고 ; a 는 1 ~ 10 의 정수이고 ; n' 는 1 ~ 6 의 정수이다]
[화학식 21]
[식 중, R 은 상기와 동일하고 ; Y2' 및 Y2" 는 각각 독립적으로 2 가의 연결기이고 ; X' 는 산해리성기이고 ; n 은 0 ~ 3 의 정수이다]
상기 일반식 (a1-3-01) ~ (a1-3-03) 에 있어서, R 에 관해서는 상기와 동일하다.
R13 은 수소 원자가 바람직하다.
n' 는 1 또는 2 가 바람직하고, 2 가 가장 바람직하다.
a 는 1 ~ 8 의 정수가 바람직하고, 2 ~ 5 의 정수가 특히 바람직하며, 2 가 가장 바람직하다.
Y2', Y2" 에 있어서의 2 가의 연결기로는, 상기 일반식 (a1-3) 에 있어서의 Y2 와 동일한 것을 들 수 있다.
Y2' 로는, 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기가 바람직하고, 직사슬형의 지방족 탄화수소기가 보다 바람직하며, 직사슬형의 알킬렌기가 더욱 바람직하다. 그 중에서도, 탄소수 1 ~ 5 의 직사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 메틸렌기, 에틸렌기가 가장 바람직하다.
Y2" 로는, 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기가 바람직하고, 직사슬형의 지방족 탄화수소기가 보다 바람직하며, 직사슬형의 알킬렌기가 더욱 바람직하다. 그 중에서도, 탄소수 1 ~ 5 의 직사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 메틸렌기, 에틸렌기가 가장 바람직하다.
X' 에 있어서의 산해리성기는 상기와 동일한 것을 들 수 있고, 제 3 급 알킬에스테르형 산해리성기인 것이 바람직하며, 상기 서술한 1 가의 지방족 고리형기의 고리 골격 상에 제 3 급 탄소 원자를 갖는 기가 보다 바람직하고, 그 중에서도 상기 일반식 (1-1) 로 나타내는 기가 바람직하다.
n 은 0 ~ 3 의 정수이고, n 은 0 ~ 2 의 정수인 것이 바람직하며, 0 또는 1 이 보다 바람직하고, 1 이 가장 바람직하다.
(A1) 성분 중 구성 단위 (a1) 의 비율은 (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위에 대하여 5 ~ 90 몰％ 가 바람직하고, 10 ~ 85 몰％ 가 보다 바람직하며, 15 ~ 80 몰％ 가 더욱 바람직하다. 하한치 이상으로 함으로써, 레지스트 조성물로 했을 때에 용이하게 패턴을 얻을 수 있고, 상한치 이하로 함으로써 다른 구성 단위와의 균형을 맞출 수 있다.
(구성 단위 (a2))
구성 단위 (a2) 는 -SO2- 함유 고리형기를 함유하고, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위 (이하, 구성 단위 (a2S) 라고 한다), 및 락톤 함유 고리형기를 함유하고, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위 (이하, 구성 단위 (a2L) 이라고 한다) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 구성 단위이다.
구성 단위 (a2) 는 -SO2- 함유 고리형기 또는 락톤 고리형기를 함유함으로써, 당해 (A1) 성분을 함유하는 레지스트 조성물을 사용하여 형성되는 레지스트막의 기판에 대한 밀착성을 높이거나, 물을 함유하는 현상액 (특히 알칼리 현상 프로세스의 경우) 과의 친화성을 높이거나 함으로써, 리소그래피 특성의 향상에 기여한다.
·구성 단위 (a2S) :
구성 단위 (a2S) 는 -SO2- 함유 고리형기를 함유하고, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위이다.
여기서, 「-SO2- 함유 고리형기」란, 그 고리 골격 중에 -SO2- 를 함유하는 고리를 함유하는 고리형기를 나타내고, 구체적으로는, -SO2- 에 있어서의 황 원자 (S) 가 고리형기의 고리 골격의 일부를 형성하는 고리형기이다. 그 고리 골격 중에 -SO2- 를 함유하는 고리를 첫 번째 고리로서 세어, 그 고리만인 경우에는 단고리형기, 추가로 다른 고리 구조를 갖는 경우에는, 그 구조에 상관없이 다고리형기라고 칭한다. -SO2- 함유 고리형기는 단고리형이어도 되고, 다고리형이어도 된다.
-SO2- 함유 고리형기는 특히, 그 고리 골격 중에 -O-SO2- 를 함유하는 고리형기, 즉 -O-SO2- 중의 -O-S- 가 고리 골격의 일부를 형성하는 술톤 (sultone) 고리를 함유하는 고리형기인 것이 바람직하다.
-SO2- 함유 고리형기는 탄소수가 3 ~ 30 인 것이 바람직하고, 4 ~ 20 인 것이 바람직하고, 4 ~ 15 인 것이 보다 바람직하며, 4 ~ 12 인 것이 특히 바람직하다. 단, 그 탄소수는 고리 골격을 구성하는 탄소 원자의 수이고, 치환기에 있어서의 탄소수를 포함하지 않는 것으로 한다.
-SO2- 함유 고리형기는 -SO2- 함유 지방족 고리형기이어도 되고, -SO2- 함유 방향족 고리형기이어도 된다. 바람직하게는 -SO2- 함유 지방족 고리형기이다.
-SO2- 함유 지방족 고리형기로는, 그 고리 골격을 구성하는 탄소 원자의 일부가 -SO2- 또는 -O-SO2- 로 치환된 지방족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 적어도 1 개 제거한 기를 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 그 고리 골격을 구성하는 -CH2- 가 -SO2- 로 치환된 지방족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 적어도 1 개 제거한 기, 그 고리를 구성하는 -CH2-CH2- 가 -O-SO2- 로 치환된 지방족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 적어도 1 개 제거한 기 등을 들 수 있다.
그 지환식 탄화수소기는 탄소수가 3 ~ 20 인 것이 바람직하고, 3 ~ 12 인 것이 보다 바람직하다.
그 지환식 탄화수소기는 다고리형이어도 되고, 단고리형이어도 된다. 단고리형의 지환식 탄화수소기로는, 탄소수 3 ~ 6 의 모노시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 모노시클로알칸으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 예시할 수 있다. 다고리형의 지환식 탄화수소기로는, 탄소수 7 ~ 12 의 폴리시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로서 구체적으로는, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.
-SO2- 함유 고리형기는 치환기를 가지고 있어도 된다. 그 치환기로는, 예를 들어 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, 산소 원자 (=O), -COOR", -OC(=O)R", 하이드록시알킬기, 시아노기 등을 들 수 있다.
그 치환기로서의 알킬기로는, 탄소수 1 ~ 6 의 알킬기가 바람직하다. 그 알킬기는 직사슬형 또는 분기사슬형인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다.
그 치환기로서의 알콕시기로는, 탄소수 1 ~ 6 의 알콕시기가 바람직하다. 그 알콕시기는 직사슬형 또는 분기사슬형인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 상기 치환기로서의 알킬기로서 예시한 알킬기에 산소 원자 (-O-) 가 결합한 기를 들 수 있다.
그 치환기로서의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.
그 치환기로서의 할로겐화 알킬기로는, 상기 치환기로서의 알킬기로서 예시한 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 그 할로겐화 알킬기로는 불소화 알킬기가 바람직하고, 특히 퍼플루오로알킬기가 바람직하다.
상기 -COOR", -OC(=O)R" 에 있어서의 R" 는 모두, 수소 원자 또는 탄소수 1 ~ 15 의 직사슬형, 분기사슬형 또는 고리형의 알킬기이다.
R" 가 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기인 경우에는, 탄소수 1 ~ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ~ 5 인 것이 더욱 바람직하며, 메틸기 또는 에틸기인 것이 특히 바람직하다.
R" 가 고리형의 알킬기인 경우에는, 탄소수 3 ~ 15 인 것이 바람직하고, 탄소수 4 ~ 12 인 것이 더욱 바람직하며, 탄소수 5 ~ 10 이 가장 바람직하다. 구체적으로는, 불소 원자 또는 불소화 알킬기로 치환되어 있어도 되고, 되어 있지 않아도 되는 모노시클로알칸이나, 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 예시할 수 있다. 보다 구체적으로는, 시클로펜탄, 시클로헥산 등의 모노시클로알칸이나, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 들 수 있다.
그 치환기로서의 하이드록시알킬기로는, 탄소수가 1 ~ 6 인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 상기 치환기로서의 알킬기로서 예시한 알킬기의 수소 원자의 적어도 1 개가 수산기로 치환된 기를 들 수 있다.
-SO2- 함유 고리형기로서 보다 구체적으로는, 하기 일반식 (3-1) ~ (3-4) 로 나타내는 기를 들 수 있다.
[화학식 22]
[식 중, A' 는 산소 원자 또는 황 원자를 함유하고 있어도 되는 탄소수 1 ~ 5 의 알킬렌기, 산소 원자 또는 황 원자이고 ; z 는 0 ~ 2 의 정수이고 ; R27 은 알킬기, 알콕시기, 할로겐화 알킬기, 수산기, -COOR", -OC(=O)R", 하이드록시알킬기 또는 시아노기이고 ; R" 는 수소 원자 또는 알킬기이다]
상기 일반식 (3-1) ~ (3-4) 중, A' 는 산소 원자 (-O-) 또는 황 원자 (-S-) 를 함유하고 있어도 되는 탄소수 1 ~ 5 의 알킬렌기, 산소 원자 또는 황 원자이다.
A' 에 있어서의 탄소수 1 ~ 5 의 알킬렌기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 메틸렌기, 에틸렌기, n-프로필렌기, 이소프로필렌기 등을 들 수 있다.
그 알킬렌기가 산소 원자 또는 황 원자를 함유하는 경우, 그 구체예로는, 상기 알킬렌기의 말단 또는 탄소 원자 사이에 -O- 또는 -S- 가 개재하는 기를 들 수 있고, 예를 들어, -O-CH2-, -CH2-O-CH2-, -S-CH2-, -CH2-S-CH2- 등을 들 수 있다.
A' 로는, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬렌기 또는 -O- 가 바람직하고, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬렌기가 보다 바람직하며, 메틸렌기가 가장 바람직하다.
z 는 0 ~ 2 중 어느 것이어도 되고, 0 이 가장 바람직하다.
z 가 2 인 경우, 복수의 R27 은 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
R27 에 있어서의 알킬기, 알콕시기, 할로겐화 알킬기, -COOR", -OC(=O)R", 하이드록시알킬기로는 각각, 상기에서 -SO2- 함유 고리형기가 가지고 있어도 되는 치환기로서 예시한 알킬기, 알콕시기, 할로겐화 알킬기, -COOR", -OC(=O)R", 하이드록시알킬기와 동일한 것을 들 수 있다.
이하에, 상기 일반식 (3-1) ~ (3-4) 로 나타내는 구체적인 고리형기를 예시한다. 또, 식 중의 「Ac」는 아세틸기를 나타낸다.
[화학식 23]
[화학식 24]
[화학식 25]
[화학식 26]
[화학식 27]
-SO2- 함유 고리형기로는, 상기한 것 중에서도, 상기 일반식 (3-1) 로 나타내는 기가 바람직하고, 상기 화학식 (3-1-1), (3-1-18), (3-3-1) 및 (3-4-1) 중 어느 것으로 나타내는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 사용하는 것이 보다 바람직하며, 상기 화학식 (3-1-1) 로 나타내는 기가 가장 바람직하다.
구성 단위 (a2S) 의 예로서 보다 구체적으로는, 하기 일반식 (a2-0) 으로 나타내는 구성 단위를 들 수 있다.
[화학식 28]
[식 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 5 의 할로겐화 알킬기이고 ; R28 은 -SO2- 함유 고리형기이고 ; R29 는 단결합 또는 2 가의 연결기이다]
식 (a2-0) 중, R 은 상기와 동일하다.
R28 은 상기에서 예시한 -SO2- 함유 고리형기와 동일하다.
R29 는 단결합, 2 가의 연결기 중 어느 것이어도 된다. 본 발명의 효과가 우수하다는 점에서, 2 가의 연결기인 것이 바람직하다.
R29 에 있어서의 2 가의 연결기로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 상기 Y2 의 2 가의 연결기와 동일한 것을 들 수 있다. 그들 중에서도, 알킬렌기, 또는 에스테르 결합 (-C(=O)-O-) 을 포함하는 것이 바람직하다.
그 알킬렌기는 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬렌기가 바람직하다. 구체적으로는, 상기 Y2 에 있어서의 지방족 탄화수소기로서 예시한 직사슬형의 알킬렌기, 분기사슬형의 알킬렌기와 동일한 것을 들 수 있다.
에스테르 결합을 포함하는 2 가의 연결기로는, 특히, 일반식 : -R30-C(=O)-O- [식 중, R30 은 2 가의 연결기이다] 로 나타내는 기가 바람직하다. 즉, 구성 단위 (a2S) 는 하기 일반식 (a2-0-1) 로 나타내는 구성 단위인 것이 바람직하다.
[화학식 29]
[식 중, R 및 R28 은 각각 상기와 동일하고 ; R30 은 2 가의 연결기이다]
R30 으로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 상기 Y2 의 2 가의 연결기와 동일한 것을 들 수 있다.
R30 의 2 가의 연결기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬렌기, 2 가의 지환식 탄화수소기, 또는 헤테로 원자를 함유하는 2 가의 연결기가 바람직하다.
그 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬렌기, 2 가의 지환식 탄화수소기, 헤테로 원자를 함유하는 2 가의 연결기로는, 상기 Y2 에서 바람직한 것으로서 예시하는 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬렌기, 2 가의 지환식 탄화수소기, 헤테로 원자를 함유하는 2 가의 연결기와 동일한 것을 들 수 있다. 상기한 것 중에서도, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬렌기, 또는 헤테로 원자로서 산소 원자를 함유하는 2 가의 연결기가 바람직하다.
직사슬형의 알킬렌기로는, 메틸렌기 또는 에틸렌기가 바람직하고, 메틸렌기가 특히 바람직하다.
분기사슬형의 알킬렌기로는, 알킬메틸렌기 또는 알킬에틸렌기가 바람직하고, -CH(CH3)-, -C(CH3)2- 또는 -C(CH3)2CH2- 가 특히 바람직하다.
산소 원자를 함유하는 2 가의 연결기로는, 에테르 결합 또는 에스테르 결합을 포함하는 2 가의 연결기가 바람직하고, 상기 식 -A-O-B-, -[A-C(=O)-O]m-B- 또는 -A-O-C(=O)-B- 로 나타내는 기가 보다 바람직하다.
그 중에서도, 식 -A-O-C(=O)-B- 로 나타내는 기가 바람직하고, -(CH2)c-C(=O)-O-(CH2)d- 로 나타내는 기가 특히 바람직하다. c 는 1 ~ 5 의 정수이고, 1 또는 2 가 바람직하다. d 는 1 ~ 5 의 정수이고, 1 또는 2 가 바람직하다.
구성 단위 (a2S) 로는 특히, 하기 일반식 (a2-1-11) 또는 (a2-1-12) 로 나타내는 구성 단위가 바람직하고, 식 (a2-1-12) 로 나타내는 구성 단위가 보다 바람직하다.
[화학식 30]
[식 중, R, A', R27, z 및 R30 은 각각 상기와 동일하다]
식 (a2-1-11) 중, A' 는 메틸렌기, 산소 원자 (-O-) 또는 황 원자 (-S-) 인 것이 바람직하다.
R30 으로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬렌기, 또는 산소 원자를 함유하는 2 가의 연결기가 바람직하다. R30 에 있어서의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬렌기, 산소 원자를 함유하는 2 가의 연결기로는 각각, 상기에서 예시한 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬렌기, 산소 원자를 함유하는 2 가의 연결기와 동일한 것을 들 수 있다.
식 (a2-1-12) 로 나타내는 구성 단위로는, 특히 하기 일반식 (a2-1-12a) 또는 (a2-1-12b) 로 나타내는 구성 단위가 바람직하다.
[화학식 31]
[식 중, R 및 A' 는 각각 상기와 동일하고, c ~ e 는 각각 독립적으로 1 ~ 3 의 정수이다]
·구성 단위 (a2L) :
구성 단위 (a2L) 은 락톤 함유 고리형기를 함유하고, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위이다.
여기서, 「락톤 함유 고리형기」란, 그 고리 골격 중에 -O-C(O)- 를 함유하는 고리 (락톤 고리) 를 함유하는 고리형기를 나타낸다. 락톤 고리를 첫 번째 고리로서 세어, 락톤 고리만인 경우에는 단고리형기, 추가로 다른 고리 구조를 갖는 경우에는, 그 구조에 상관없이 다고리형기라고 칭한다. 락톤 함유 고리형기는 단고리형기이어도 되고, 다고리형기이어도 된다.
구성 단위 (a2L) 에 있어서의 락톤 고리형기로는 특별히 한정되지 않고 임의의 것을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 락톤 함유 단고리형기로는, 4 ~ 6 원자 고리 락톤에서 수소 원자를 1 개 제거한 기, 예를 들어 β-프로피오노락톤에서 수소 원자를 1 개 제거한 기, γ-부티로락톤에서 수소 원자 1 개를 제거한 기, δ-발레로락톤에서 수소 원자를 1 개 제거한 기 등을 들 수 있다. 또한, 락톤 함유 다고리형기로는, 락톤 고리를 갖는 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸으로부터 수소 원자 1 개를 제거한 기를 들 수 있다.
구성 단위 (a2L) 의 예로는, 예를 들어 상기 일반식 (a2-0) 중의 R28 을 락톤 함유 고리형기로 치환한 것을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 하기 일반식 (a2-1) ~ (a2-5) 로 나타내는 구성 단위를 들 수 있다.
[화학식 32]
[식 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 5 의 할로겐화 알킬기이고 ; R' 는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기, 탄소수 1 ~ 5 의 알콕시기 또는 -COOR" 이고 ; R" 는 수소 원자 또는 알킬기이고 ; R29 는 단결합 또는 2 가의 연결기이고 ; s" 는 0 ~ 2 의 정수이고 ; A" 는 산소 원자 또는 황 원자를 함유하고 있어도 되는 탄소수 1 ~ 5 의 알킬렌기, 산소 원자 또는 황 원자이고 ; m 은 0 또는 1 이다]
일반식 (a2-1) ~ (a2-5) 에 있어서의 R 은 상기 구성 단위 (a1) 에 있어서의 R 과 동일하다.
R' 의 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기를 들 수 있다.
R' 의 탄소수 1 ~ 5 의 알콕시기로는, 예를 들어, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기를 들 수 있다.
R' 는 공업상 입수가 용이한 점 등을 고려하면, 수소 원자가 바람직하다.
R" 에 있어서의 알킬기는 직사슬형, 분기사슬형, 고리형 중 어느 것이어도 된다.
R" 가 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기인 경우에는, 탄소수 1 ~ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ~ 5 인 것이 더욱 바람직하다.
R" 가 고리형의 알킬기인 경우에는, 탄소수 3 ~ 15 인 것이 바람직하고, 탄소수 4 ~ 12 인 것이 더욱 바람직하며, 탄소수 5 ~ 10 이 가장 바람직하다. 구체적으로는, 불소 원자 또는 불소화 알킬기로 치환되어 있어도 되고, 되어 있지 않아도 되는 모노시클로알칸 ; 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 예시할 수 있다. 구체적으로는, 시클로펜탄, 시클로헥산 등의 모노시클로알칸이나, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 들 수 있다.
A" 로는, 상기 일반식 (3-1) 중의 A' 와 동일한 것을 들 수 있다. A" 는 탄소수 1 ~ 5 의 알킬렌기, 산소 원자 (-O-) 또는 황 원자 (-S-) 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬렌기 또는 -O- 가 보다 바람직하다. 탄소수 1 ~ 5 의 알킬렌기로는, 메틸렌기 또는 디메틸메틸렌기가 보다 바람직하고, 메틸렌기가 가장 바람직하다.
R29 는 상기 일반식 (a2-0) 중의 R29 와 동일하다.
식 (a2-1) 중, s" 는 1 ~ 2 인 것이 바람직하다.
이하에, 상기 일반식 (a2-1) ~ (a2-5) 로 나타내는 구성 단위의 구체예를 예시한다. 이하의 각 식 중, Rα 는 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다.
[화학식 33]
[화학식 34]
[화학식 35]
[화학식 36]
[화학식 37]
구성 단위 (a2L) 로는, 상기 일반식 (a2-1) ~ (a2-5) 로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하고, 일반식 (a2-1) ~ (a2-3) 으로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 보다 바람직하며, 상기 일반식 (a2-1) 또는 (a2-3) 으로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 특히 바람직하다.
그 중에서도, 상기 식 (a2-1-1), (a2-1-2), (a2-2-1), (a2-2-7), (a2-2-12), (a2-2-14), (a2-3-1), (a2-3-5) 로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하다.
(A1) 성분에 있어서, 구성 단위 (a2) 로는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 예를 들어 구성 단위 (a2) 로서, 구성 단위 (a2S) 만을 사용해도 되고, 구성 단위 (a2L) 만을 사용해도 되며, 그것들을 병용해도 된다. 또, 구성 단위 (a2S) 또는 구성 단위 (a2L) 로서, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
본 발명에 있어서는, 특히 구성 단위 (a2) 로서 적어도 구성 단위 (a2L) 을 갖는 것이, 본 발명의 효과가 우수하기 때문에 바람직하다.
(A1) 성분 중 구성 단위 (a2) 의 비율은, 당해 (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대하여, 1 ~ 80 몰％ 인 것이 바람직하고, 10 ~ 70 몰％ 인 것이 보다 바람직하고, 10 ~ 65 몰％ 인 것이 더욱 바람직하며, 10 ~ 60 몰％ 가 특히 바람직하다. 하한치 이상으로 함으로써 구성 단위 (a2) 를 함유시키는 것에 의한 효과가 충분히 얻어지고, 상한치 이하로 함으로써 다른 구성 단위와의 균형을 맞출 수 있어, DOF, CDU 등의 여러 가지 리소그래피 특성 및 패턴 형상이 양호해진다.
(구성 단위 (a3))
구성 단위 (a3) 은 극성기 함유 지방족 탄화수소기를 함유하고, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위이다.
(A1) 성분이 구성 단위 (a3) 을 가짐으로써, (A) 성분의 친수성이 높아져, 해상성의 향상에 기여한다.
극성기로는, 수산기, 시아노기, 카르복실기, 알킬기의 수소 원자의 일부가 불소 원자로 치환된 하이드록시알킬기 등을 들 수 있고, 특히 수산기가 바람직하다.
지방족 탄화수소기로는, 탄소수 1 ~ 10 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 탄화수소기 (바람직하게는 알킬렌기) 나, 다고리형의 지방족 탄화수소기 (다고리형기) 를 들 수 있다.
그 다고리형기로는, 예를 들어, ArF 엑시머 레이저용 레지스트 조성물용의 수지에 있어서, 다수 제안되어 있는 것 중에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 그 다고리형기의 탄소수는 7 ~ 30 인 것이 바람직하다.
그 중에서도, 수산기, 시아노기, 카르복실기, 또는 알킬기의 수소 원자의 일부가 불소 원자로 치환된 하이드록시알킬기를 함유하는 지방족 다고리형기를 함유하는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위가 보다 바람직하다. 그 다고리형기로는, 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 예시할 수 있다. 구체적으로는, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 들 수 있다. 이들 다고리형기 중에서도, 아다만탄으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기, 노르보르난으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기, 테트라시클로도데칸으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 공업상 바람직하다.
구성 단위 (a3) 으로는, 극성기 함유 지방족 탄화수소기에 있어서의 탄화수소기가 탄소수 1 ~ 10 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 탄화수소기일 때에는, 아크릴산의 하이드록시에틸에스테르로부터 유도되는 구성 단위가 바람직하고 ; 그 탄화수소기가 다고리형기일 때에는, 하기 식 (a3-1) 로 나타내는 구성 단위, 하기 식 (a3-2) 로 나타내는 구성 단위, 하기 식 (a3-3) 으로 나타내는 구성 단위를 바람직한 것으로서 들 수 있다.
[화학식 38]
[식 중, R 은 상기와 동일하고 ; j 는 1 ~ 3 의 정수이고 ; k 는 1 ~ 3 의 정수이고 ; t' 는 1 ~ 3 의 정수이고 ; l 은 1 ~ 5 의 정수이고 ; s 는 1 ~ 3 의 정수이다]
식 (a3-1) 중, j 는 1 또는 2 인 것이 바람직하고, 1 인 것이 더욱 바람직하다. j 가 2 인 경우에는, 수산기가 아다만틸기의 3 위치와 5 위치에 결합되어 있는 것이 바람직하다. j 가 1 인 경우에는, 수산기가 아다만틸기의 3 위치에 결합되어 있는 것이 바람직하다.
j 는 1 인 것이 바람직하고, 수산기가 아다만틸기의 3 위치에 결합되어 있는 것이 특히 바람직하다.
식 (a3-2) 중, k 는 1 인 것이 바람직하다. 시아노기는 노르보르닐기의 5 위치 또는 6 위치에 결합되어 있는 것이 바람직하다.
식 (a3-3) 중, t' 는 1 인 것이 바람직하다. l 은 1 인 것이 바람직하다. s 는 1 인 것이 바람직하다. 이들은, 아크릴산의 카르복실기의 말단에, 2-노르보르닐기 또는 3-노르보르닐기가 결합되어 있는 것이 바람직하다. 불소화 알킬알코올은 노르보르닐기의 5 또는 6 위치에 결합되어 있는 것이 바람직하다.
구성 단위 (a3) 은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
(A1) 성분 중 구성 단위 (a3) 의 비율은, 당해 (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위에 대하여, 1 ~ 50 몰％ 인 것이 바람직하고, 3 ~ 45 몰％ 가 보다 바람직하며, 5 ~ 40 몰％ 가 더욱 바람직하다. 하한치 이상으로 함으로써 구성 단위 (a3) 을 함유시키는 것에 의한 효과가 충분히 얻어지고, 상한치 이하로 함으로써 다른 구성 단위와의 균형을 맞출 수 있다.
(그 밖의 구성 단위)
(A1) 성분은 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 상기 구성 단위 (a1) ~ (a3) 이외의 다른 구성 단위 (이하, 구성 단위 (a4) 라고 한다) 를 포함하고 있어도 된다.
구성 단위 (a4) 는 상기 서술한 구성 단위 (a1) ~ (a3) 으로 분류되지 않는 다른 구성 단위이면 특별히 한정되는 것이 아니라, ArF 엑시머 레이저용, KrF 엑시머 레이저용 (바람직하게는 ArF 엑시머 레이저용) 등의 레지스트용 수지에 사용되는 것으로서 종래부터 알려져 있는 다수의 것을 사용할 수 있다.
구성 단위 (a4) 로는, 예를 들어, 산비해리성의 지방족 다고리형기를 함유하고, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위, 스티렌 단량체, 비닐나프탈렌 단량체로부터 유도되는 구성 단위 등이 바람직하다. 그 다고리형기는 예를 들어, 상기한 구성 단위 (a1) 의 경우에 예시한 것과 동일한 것을 예시할 수 있고, ArF 엑시머 레이저용의 레지스트 조성물의 수지 성분에 사용되는 것으로서 종래부터 알려져 있는 다수의 것을 사용할 수 있다.
특히 트리시클로데카닐기, 아다만틸기, 테트라시클로도데카닐기, 이소보르닐기, 노르보르닐기에서 선택되는 적어도 1 종이면, 공업상 입수하기 쉽다는 등의 점에서 바람직하다. 이러한 다고리형기는 탄소수 1 ~ 5 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기를 치환기로서 가지고 있어도 된다.
구성 단위 (a4) 로서 구체적으로는, 하기 일반식 (a4-1) ~ (a4-5) 의 구조인 것을 예시할 수 있다.
[화학식 39]
[식 중, R 은 상기와 동일하다]
구성 단위 (a4) 로는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
구성 단위 (a4) 를 (A1) 성분에 함유시키는 경우, 구성 단위 (a4) 의 비율은, (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대하여, 1 ~ 20 몰％ 가 바람직하고, 1 ~ 15 몰％ 가 보다 바람직하며, 1 ~ 10 몰％ 가 더욱 바람직하다.
(A1) 성분은 구성 단위 (a1) 을 갖는 공중합체인 것이 바람직하다.
이러한 공중합체로는, 예를 들어, 구성 단위 (a1) 및 구성 단위 (a3) 으로 이루어지는 공중합체 ; 구성 단위 (a1) 및 (a2) 로 이루어지는 공중합체 ; 구성 단위 (a1), (a2) 및 (a3) 으로 이루어지는 공중합체 등을 예시할 수 있다.
본 발명에 있어서, (A1) 성분으로는, 특히 하기 일반식 (A1-11) 에 나타내는 구성 단위의 조합을 함유하는 것이 바람직하다. 하기 일반식 중, R, R29, A", R', s", R11, j 는 각각 상기와 동일하고, 식 중에 복수가 있는 R, R29, R' 는 각각 동일하거나 상이해도 된다.
[화학식 40]
(A1) 성분의 질량 평균 분자량 (Mw) (겔 퍼미에이션 크로마토그래피에 의한 폴리스티렌 환산 기준) 은 특별히 한정되는 것이 아니라, 1000 ~ 50000 이 바람직하고, 1500 ~ 30000 이 보다 바람직하며, 2500 ~ 20000 이 가장 바람직하다. 이 범위의 상한치 이하이면, 레지스트로서 사용하기에 충분한 레지스트 용제에 대한 용해성이 있고, 이 범위의 하한치 이상이면, 내드라이 에칭성이나 레지스트 패턴 단면 형상이 양호하다.
또한, (A1) 성분의 분산도 (Mw / Mn) 는 특별히 한정되는 것이 아니라, 1.0 ~ 5.0 이 바람직하고, 1.0 ~ 3.0 이 보다 바람직하며, 1.2 ~ 2.5 가 가장 바람직하다.
또, Mn 은 수평균 분자량을 나타낸다.
(A) 성분에 있어서, (A1) 성분으로는 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
(A) 성분 중의 (A1) 성분의 비율은, (A) 성분의 총질량에 대하여, 25 질량％ 이상이 바람직하고, 50 질량％ 가 보다 바람직하고, 75 질량％ 가 더욱 바람직하며, 100 질량％ 이어도 된다. 그 비율이 25 질량％ 이상이면, 리소그래피 특성 등의 효과가 향상된다.
[(A2) 성분]
(A2) 성분으로는, 분자량이 500 이상 4000 미만으로서, 상기 서술한 (A1) 성분의 설명에서 예시한 산해리성기와 친수성기를 갖는 저분자 화합물이 바람직하다. 구체적으로는, 복수의 페놀 골격을 갖는 화합물의 수산기의 수소 원자의 일부가 상기 산해리성기로 치환된 것을 들 수 있다.
(A2) 성분은, 예를 들어 비화학 증폭형의 g 선이나 i 선 레지스트에 있어서의 증감제나, 내열성 향상제로서 알려져 있는 저분자량 페놀 화합물의 수산기의 수소 원자의 일부를 상기 산해리성기로 치환한 것이 바람직하고, 그러한 것으로부터 임의로 사용할 수 있다.
이러한 저분자량 페놀 화합물로는, 예를 들어 비스(4-하이드록시페닐)메탄, 비스(2,3,4-트리하이드록시페닐)메탄, 2-(4-하이드록시페닐)-2-(4'-하이드록시페닐)프로판, 2-(2,3,4-트리하이드록시페닐)-2-(2',3',4'-트리하이드록시페닐)프로판, 트리스(4-하이드록시페닐)메탄, 비스(4-하이드록시-3,5-디메틸페닐)-2-하이드록시페닐메탄, 비스(4-하이드록시-2,5-디메틸페닐)-2-하이드록시페닐메탄, 비스(4-하이드록시-3,5-디메틸페닐)-3,4-디하이드록시페닐메탄, 비스(4-하이드록시-2,5-디메틸페닐)-3,4-디하이드록시페닐메탄, 비스(4-하이드록시-3-메틸페닐)-3,4-디하이드록시페닐메탄, 비스(3-시클로헥실-4-하이드록시-6-메틸페닐)-4-하이드록시페닐메탄, 비스(3-시클로헥실-4-하이드록시-6-메틸페닐)-3,4-디하이드록시페닐메탄, 1-[1-(4-하이드록시페닐)이소프로필]-4-[1,1-비스(4-하이드록시페닐)에틸]벤젠, 페놀, m-크레졸, p-크레졸 또는 자일레놀 등의 페놀류의 포르말린 축합물의 2 ~ 6 핵체 등을 들 수 있다. 물론 이들에 한정되는 것은 아니다. 특별하게는, 트리페닐메탄 골격을 2 ~ 6 개 갖는 페놀 화합물이, 해상성, LWR 이 우수하다는 점에서 바람직하다.
산해리성기도 특별히 한정되지 않고, 상기한 것을 들 수 있다.
(A2) 성분은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
본 발명의 레지스트 조성물에 있어서, (A) 성분은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
상기 중에서도, (A) 성분으로는, (A1) 성분을 함유하는 것이 바람직하다.
본 발명의 레지스트 조성물 중, (A) 성분의 함유량은 형성하고자 하는 레지스트 막두께 등에 따라서 조정하면 된다.
<(B) 성분>
(B) 성분으로는 특별히 한정되지 않고, 지금까지 화학 증폭형 레지스트용의 산발생제로서 제안되어 있는 것을 사용할 수 있다. 이러한 산발생제로는, 지금까지 요오드늄염이나 술포늄염 등의 오늄염계 산발생제 ; 옥심술포네이트계 산발생제 ; 비스알킬 또는 비스아릴술포닐디아조메탄류 ; 폴리(비스술포닐)디아조메탄류 등의 디아조메탄계 산발생제 ; 니트로벤질술포네이트계 산발생제 ; 이미노술포네이트계 산발생제 ; 디술폰계 산발생제 등 다종한 것이 알려져 있다.
오늄염계 산발생제로서, 예를 들어 하기 일반식 (b-1) 또는 (b-2) 로 나타내는 화합물을 사용할 수 있다.
[화학식 41]
[식 중, R1" ~ R3", R5" ~ R6" 는 각각 독립적으로 아릴기 또는 알킬기를 나타내고 ; 식 (b-1) 에 있어서의 R1" ~ R3" 중, 어느 2 개가 서로 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성해도 되고 ; R4" 는 치환기를 가지고 있어도 되는 알킬기, 할로겐화 알킬기, 아릴기 또는 알케닐기를 나타낸다]
일반식 (b-1) 중, R1" ~ R3" 는 각각 독립적으로 아릴기 또는 알킬기를 나타낸다. 또한, 일반식 (b-1) 에 있어서의 R1" ~ R3" 중, 어느 2 개가 서로 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성해도 된다.
또한, R1" ~ R3" 중, 적어도 1 개는 아릴기인 것이 바람직하다. R1" ~ R3" 중, 2 이상이 아릴기인 것이 바람직하고, R1" ~ R3" 의 전부가 아릴기인 것이 가장 바람직하다.
R1" ~ R3" 의 아릴기로는 특별히 제한은 없고, 예를 들어, 탄소수 6 ~ 20 의 아릴기로서, 그 아릴기는 그 수소 원자의 일부 또는 전부가 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 수산기 등으로 치환되어 있어도 되고, 되어 있지 않아도 된다.
아릴기로는, 저렴하게 합성할 수 있는 점에서 탄소수 6 ~ 10 의 아릴기가 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어 페닐기, 나프틸기를 들 수 있다.
상기 아릴기의 수소 원자가 치환되어 있어도 되는 알킬기로는, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 가장 바람직하다.
상기 아릴기의 수소 원자가 치환되어 있어도 되는 알콕시기로는, 탄소수 1 ~ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기가 가장 바람직하다.
상기 아릴기의 수소 원자가 치환되어 있어도 되는 할로겐 원자로는, 불소 원자가 바람직하다.
R1" ~ R3" 의 알킬기로는 특별히 제한은 없고, 예를 들어 탄소수 1 ~ 10 의 직사슬형, 분기사슬형 또는 고리형의 알킬기 등을 들 수 있다. 해상성이 우수하다는 점에서 탄소수 1 ~ 5 인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, n-펜틸기, 시클로펜틸기, 헥실기, 시클로헥실기, 노닐기, 데실기 등을 들 수 있으며, 해상성이 우수하고 또한 저렴하게 합성할 수 있는 점에서 바람직한 것으로서 메틸기를 들 수 있다.
식 (b-1) 에 있어서의 R1" ~ R3" 중, 어느 2 개가 서로 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하는 경우, 황 원자를 포함하여 3 ~ 10 원자 고리를 형성하고 있는 것이 바람직하고, 5 ~ 7 원자 고리를 형성하고 있는 것이 특히 바람직하다.
일반식 (b-1) 에 있어서의 R1" ~ R3" 중, 어느 2 개가 서로 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하는 경우, 나머지 1 개는 아릴기인 것이 바람직하다. 상기 아릴기는 상기 R1" ~ R3" 의 아릴기와 동일한 것을 들 수 있다.
일반식 (b-1) 로 나타내는 화합물의 카티온부로서 바람직한 것으로는, 하기 일반식 (Ⅰ-1-1) ~ (Ⅰ-1-10) 으로 나타내는 카티온부를 들 수 있다. 이들 중에서도, 식 (Ⅰ-1-1) ~ (Ⅰ-1-8) 로 나타내는 카티온부 등의 트리페닐메탄 골격을 갖는 것이 바람직하다.
하기 일반식 (Ⅰ-1-9) ~ (Ⅰ-1-10) 중, R9, R10 은 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 페닐기, 나프틸기 또는 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기, 탄소수 1 ~ 5 의 알콕시기, 수산기이다.
그 치환기로는, 상기 아릴기의 수소 원자가 치환되어 있어도 되는 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 수소 원자와 동일한 것을 들 수 있다.
u 는 1 ~ 3 의 정수이고, 1 또는 2 가 가장 바람직하다.
[화학식 42]
R4" 는 치환기를 가지고 있어도 되는 알킬기, 할로겐화 알킬기, 아릴기 또는 알케닐기를 나타낸다.
R4" 에 있어서의 알킬기는 직사슬형, 분기사슬형, 고리형 중 어느 것이어도 된다.
상기 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기로는, 탄소수 1 ~ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ~ 8 인 것이 더욱 바람직하고, 탄소수 1 ~ 4 인 것이 가장 바람직하다.
상기 고리형의 알킬기로는, 탄소수 4 ~ 15 인 것이 바람직하고, 탄소수 4 ~ 10 인 것이 더욱 바람직하며, 탄소수 6 ~ 10 인 것이 가장 바람직하다.
R4" 에 있어서의 할로겐화 알킬기로는, 상기 직사슬형, 분기사슬형 또는 고리형 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.
할로겐화 알킬기에 있어서는, 당해 할로겐화 알킬기에 함유되는 할로겐 원자 및 수소 원자의 합계수에 대한 할로겐 원자수의 비율 (할로겐화율 (％)) 이 10 ~ 100 ％ 인 것이 바람직하고, 50 ~ 100 ％ 인 것이 바람직하며, 100 ％ 가 가장 바람직하다. 이 할로겐화율이 높을수록, 산의 강도가 강해지므로 바람직하다.
상기 R4" 에 있어서의 아릴기는 탄소수 6 ~ 20 의 아릴기인 것이 바람직하다.
상기 R4" 에 있어서의 알케닐기는 탄소수 2 ~ 10 의 알케닐기인 것이 바람직하다.
상기 R4" 에 있어서, 「치환기를 가지고 있어도 된다」란, 상기 직사슬형, 분기사슬형 또는 고리형의 알킬기, 할로겐화 알킬기, 아릴기 또는 알케닐기에 있어서의 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환기 (수소 원자 이외의 기타 원자 또는 기) 로 치환되어 있어도 되는 것을 의미한다.
R4" 에 있어서의 치환기의 수는 1 개이어도 되고, 2 개 이상이어도 된다.
상기 치환기로는, 예를 들어, 할로겐 원자, 헤테로 원자, 알킬기, 식 : X-Q1- [식 중, Q1 은 산소 원자를 함유하는 2 가의 연결기이고, X 는 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소수 3 ~ 30 의 탄화수소기이다] 로 나타내는 기 등을 들 수 있다.
상기 할로겐 원자, 알킬기로는, R4" 에 있어서, 할로겐화 알킬기에 있어서의 할로겐 원자, 알킬기로서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.
상기 헤테로 원자로는, 산소 원자, 질소 원자, 황 원자 등을 들 수 있다.
X-Q1- 로 나타내는 기에 있어서, Q1 은 산소 원자를 함유하는 2 가의 연결기이다.
Q1 은 산소 원자 이외의 원자를 함유해도 된다. 산소 원자 이외의 원자로는, 예를 들어 탄소 원자, 수소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다.
산소 원자를 함유하는 2 가의 연결기로는, 예를 들어, 산소 원자 (에테르 결합 ; -O-), 에스테르 결합 (-C(=O)-O-), 아미드 결합 (-C(=O)-NH-), 카르보닐기 (-C(=O)-), 카보네이트 결합 (-O-C(=O)-O-) 등의 비탄화수소계의 산소 원자 함유 연결기 ; 그 비탄화수소계의 산소 원자 함유 연결기와 알킬렌기의 조합 등을 들 수 있다.
그 조합으로는, 예를 들어, -R91-O-, -R92-O-C(=O)-, -C(=O)-O-R93-O-C(=O)- (식 중, R91 ~ R93 은 각각 독립적으로 알킬렌기이다) 등을 들 수 있다.
R91 ~ R93 에 있어서의 알킬렌기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 그 알킬렌기의 탄소수는 1 ~ 12 가 바람직하고, 1 ~ 5 가 보다 바람직하며, 1 ~ 3 이 특히 바람직하다.
그 알킬렌기로서 구체적으로는, 예를 들어 메틸렌기 [-CH2-] ; -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기 ; 에틸렌기 [-CH2CH2-] ; -CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2- 등의 알킬에틸렌기 ; 트리메틸렌기 (n-프로필렌기) [-CH2CH2CH2-] ; -CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기 ; 테트라메틸렌기 [-CH2CH2CH2CH2-] ; -CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기 ; 펜타메틸렌기 [-CH2CH2CH2CH2CH2-] 등을 들 수 있다.
Q1 로는, 에스테르 결합 또는 에테르 결합을 포함하는 2 가의 연결기가 바람직하고, 그 중에서도 -R91-O-, -R92-O-C(=O)- 또는 -C(=O)-O-R93-O-C(=O)- 가 바람직하다.
X-Q1- 로 나타내는 기에 있어서, X 의 탄화수소기는 방향족 탄화수소기이어도 되고, 지방족 탄화수소기이어도 된다.
방향족 탄화수소기는 방향 고리를 갖는 탄화수소기이다. 그 방향족 탄화수소기의 탄소수는 3 ~ 30 인 것이 바람직하고, 5 ~ 30 인 것이 보다 바람직하고, 5 ~ 20 이 더욱 바람직하며, 6 ~ 15 가 특히 바람직하고, 6 ~ 12 가 가장 바람직하다. 단, 이 탄소수에는, 치환기에 있어서의 탄소수를 포함하지 않는 것으로 한다.
방향족 탄화수소기로서 구체적으로는, 페닐기, 비페닐 (biphenyl) 기, 플루오레닐 (fluorenyl) 기, 나프틸기, 안트릴 (anthryl) 기, 페난트릴기 등의, 방향족 탄화수소 고리에서 수소 원자를 1 개 제거한 아릴기 ; 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기 등을 들 수 있다. 상기 아릴알킬기 중의 알킬 사슬의 탄소수는 1 ~ 4 인 것이 바람직하고, 1 ~ 2 인 것이 보다 바람직하며, 1 인 것이 특히 바람직하다.
그 방향족 탄화수소기는 치환기를 가지고 있어도 된다. 예를 들어 당해 방향족 탄화수소기가 갖는 방향 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환되어 있어도 되고, 당해 방향족 탄화수소기가 갖는 방향 고리에 결합된 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다.
전자의 예로는, 상기 아릴기의 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등의 헤테로 원자로 치환된 헤테로아릴기 ; 상기 아릴알킬기 중의 방향족 탄화수소 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 상기 헤테로 원자로 치환된 헤테로아릴알킬기 등을 들 수 있다.
후자의 예에 있어서의 방향족 탄화수소기의 치환기로는, 예를 들어, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, 산소 원자 (=O) 등을 들 수 있다.
상기 방향족 탄화수소기의 치환기로서의 알킬기로는, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 가장 바람직하다.
상기 방향족 탄화수소기의 치환기로서의 알콕시기로는, 탄소수 1 ~ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기가 가장 바람직하다.
상기 방향족 탄화수소기의 치환기로서의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.
상기 방향족 탄화수소기의 치환기로서의 할로겐화 알킬기로는, 상기 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다.
X 에 있어서의 지방족 탄화수소기는 포화 지방족 탄화수소기이어도 되고, 불포화 지방족 탄화수소기이어도 된다. 또한, 지방족 탄화수소기는 직사슬형, 분기사슬형, 고리형 중 어느 것이어도 된다.
X 에 있어서, 지방족 탄화수소기는, 당해 지방족 탄화수소기를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자를 함유하는 치환기로 치환되어 있어도 되고, 당해 지방족 탄화수소기를 구성하는 수소 원자의 일부 또는 전부가 헤테로 원자를 함유하는 치환기로 치환되어 있어도 된다.
X 에 있어서의 「헤테로 원자」로는, 탄소 원자 및 수소 원자 이외의 원자이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 할로겐 원자, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다. 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 요오드 원자, 브롬 원자 등을 들 수 있다.
헤테로 원자를 함유하는 치환기는 상기 헤테로 원자만으로 이루어지는 것이어도 되고, 상기 헤테로 원자 이외의 기 또는 원자를 함유하는 기이어도 된다.
탄소 원자의 일부를 치환하는 치환기로서, 구체적으로는, 예를 들어 -O-, -C(=O)-O-, -C(=O)-, -O-C(=O)-O-, -C(=O)-NH-, -NH- (H 가 알킬기, 아실기 등의 치환기로 치환되어 있어도 된다), -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O- 등을 들 수 있다. 지방족 탄화수소기가 고리형인 경우, 이들 치환기를 고리 구조 중에 포함하고 있어도 된다.
수소 원자의 일부 또는 전부를 치환하는 치환기로서, 구체적으로는, 예를 들어 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, 산소 원자 (=O), 시아노기 등을 들 수 있다.
상기 알콕시기로는, 탄소수 1 ~ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기가 가장 바람직하다.
상기 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.
상기 할로겐화 알킬기로는, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기 등의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다.
지방족 탄화수소기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 포화 탄화수소기, 직사슬형 또는 분기사슬형의 1 가의 불포화 탄화수소기, 또는 고리형의 지방족 탄화수소기 (지방족 고리형기) 가 바람직하다.
직사슬형의 포화 탄화수소기 (알킬기) 로는, 탄소수가 1 ~ 20 인 것이 바람직하고, 1 ~ 15 인 것이 보다 바람직하고, 1 ~ 10 이 가장 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 이소트리데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 이소헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기, 노나데실기, 이코실기, 헨이코실기, 도코실기 등을 들 수 있다.
분기사슬형의 포화 탄화수소기 (알킬기) 로는, 탄소수가 3 ~ 20 인 것이 바람직하고, 3 ~ 15 인 것이 보다 바람직하며, 3 ~ 10 이 가장 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어 1-메틸에틸기, 1-메틸프로필기, 2-메틸프로필기, 1-메틸부틸기, 2-메틸부틸기, 3-메틸부틸기, 1-에틸부틸기, 2-에틸부틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 4-메틸펜틸기 등을 들 수 있다.
불포화 탄화수소기로는, 탄소수가 2 ~ 10 인 것이 바람직하고, 2 ~ 5 가 바람직하고, 2 ~ 4 가 바람직하며, 3 이 특히 바람직하다. 직사슬형의 1 가의 불포화 탄화수소기로는, 예를 들어 비닐기, 프로페닐기 (알릴기), 부티닐기 등을 들 수 있다. 분기사슬형의 1 가의 불포화 탄화수소기로는, 예를 들어 1-메틸프로페닐기, 2-메틸프로페닐기 등을 들 수 있다.
불포화 탄화수소기로는, 상기 중에서도 특히 프로페닐기가 바람직하다.
지방족 고리형기로는 단고리형기이어도 되고, 다고리형기이어도 된다. 그 탄소수는 3 ~ 30 인 것이 바람직하고, 5 ~ 30 인 것이 보다 바람직하고, 5 ~ 20 이 더욱 바람직하고, 6 ~ 15 가 특히 바람직하고, 6 ~ 12 가 가장 바람직하다.
구체적으로는, 예를 들어 모노시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 ; 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 시클로펜탄, 시클로헥산 등의 모노시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 ; 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 들 수 있다.
지방족 고리형기가 그 고리 구조 중에 헤테로 원자를 함유하는 치환기를 함유하지 않는 경우에는, 지방족 고리형기로는 다고리형기가 바람직하며, 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 아다만탄으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 가장 바람직하다.
지방족 고리형기가 그 고리 구조 중에 헤테로 원자를 함유하는 치환기를 함유하는 것인 경우, 그 헤테로 원자를 함유하는 치환기로는, -O-, -C(=O)-O-, -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O- 가 바람직하다. 이러한 지방족 고리형기의 구체예로는, 예를 들어 하기 식 (L1) ~ (L6), (S1) ~ (S4) 등을 들 수 있다.
[화학식 43]
[식 중, Q" 는 탄소수 1 ~ 5 의 알킬렌기, -O-, -S-, -O-R94- 또는 -S-R95- 이고 ; R94 및 R95 는 각각 독립적으로 탄소수 1 ~ 5 의 알킬렌기이고 ; m 은 0 또는 1 의 정수이다]
식 중, Q", R94 및 R95 에 있어서의 알킬렌기로는, 각각 상기 R91 ~ R93 에 있어서의 알킬렌기와 동일한 것을 들 수 있다.
이들 지방족 고리형기는 그 고리 구조를 구성하는 탄소 원자에 결합한 수소 원자의 일부가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 그 치환기로는, 예를 들어 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, 산소 원자 (=O) 등을 들 수 있다.
상기 알킬기로는, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 특히 바람직하다.
상기 알콕시기, 할로겐 원자는 각각 상기 X 에 있어서의 지방족 탄화수소기의 수소 원자의 일부 또는 전부를 치환하는 치환기로서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.
본 발명에 있어서, X 는 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기인 것이 바람직하다. 그 고리형기는 치환기를 가지고 있어도 되는 방향족 탄화수소기이어도 되고, 치환기를 가지고 있어도 되는 지방족 고리형기이어도 되며, 치환기를 가지고 있어도 되는 지방족 고리형기인 것이 바람직하다.
상기 방향족 탄화수소기로는, 치환기를 가지고 있어도 되는 나프틸기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 페닐기가 바람직하다.
치환기를 가지고 있어도 되는 지방족 고리형기로는, 치환기를 가지고 있어도 되는 다고리형의 지방족 고리형기가 바람직하다. 그 다고리형의 지방족 고리형기로는, 상기 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기, 상기 (L2) ~ (L6), (S3) ~ (S4) 등이 바람직하다.
본 발명에 있어서, R4" 는 치환기로서 X-Q1- 을 갖는 것이 바람직하다. 이 경우, R4" 로는 X-Q1-Y1- [식 중, Q1 및 X 는 상기와 동일하고, Y1 은 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소수 1 ~ 4 의 알킬렌기 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소수 1 ~ 4 의 불소화 알킬렌기이다] 로 나타내는 기가 바람직하다.
X-Q1-Y1- 로 나타내는 기에 있어서, Y1 의 알킬렌기로는, 상기 Q1 에서 예시한 알킬렌기 중 탄소수 1 ~ 4 인 것과 동일한 것을 들 수 있다.
불소화 알킬렌기로는, 그 알킬렌기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 기를 들 수 있다.
Y1 로서 구체적으로는, -CF2-, -CF2CF2-, -CF2CF2CF2-, -CF(CF3)CF2-, -CF(CF2CF3)-, -C(CF3)2-, -CF2CF2CF2CF2-, -CF(CF3)CF2CF2-, -CF2CF(CF3)CF2-, -CF(CF3)CF(CF3)-, -C(CF3)2CF2-, -CF(CF2CF3)CF2-, -CF(CF2CF2CF3)-, -C(CF3)(CF2CF3)- ; -CHF-, -CH2CF2-, -CH2CH2CF2-, -CH2CF2CF2-, -CH(CF3)CH2-, -CH(CF2CF3)-, -C(CH3)(CF3)-, -CH2CH2CH2CF2-, -CH2CH2CF2CF2-, -CH(CF3)CH2CH2-, -CH2CH(CF3)CH2-, -CH(CF3)CH(CF3)-, -C(CF3)2CH2- ; -CH2-, -CH2CH2-, -CH2CH2CH2-, -CH(CH3)CH2-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -CH2CH2CH2CH2-, -CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2-, -CH(CH2CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH3)- 등을 들 수 있다.
Y1 로는 불소화 알킬렌기가 바람직하고, 특히 인접하는 황 원자에 결합하는 탄소 원자가 불소화되어 있는 불소화 알킬렌기가 바람직하다. 이와 같은 불소화 알킬렌기로는, -CF2-, -CF2CF2-, -CF2CF2CF2-, -CF(CF3)CF2-, -CF2CF2CF2CF2-, -CF(CF3)CF2CF2-, -CF2CF(CF3)CF2-, -CF(CF3)CF(CF3)-, -C(CF3)2CF2-, -CF(CF2CF3)CF2- ; -CH2CF2-, -CH2CH2CF2-, -CH2CF2CF2- ; -CH2CH2CH2CF2-, -CH2CH2CF2CF2-, -CH2CF2CF2CF2- 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, -CF2-, -CF2CF2-, -CF2CF2CF2-, 또는 CH2CF2CF2- 가 바람직하고, -CF2-, -CF2CF2- 또는 -CF2CF2CF2- 가 보다 바람직하며, -CF2- 가 특히 바람직하다.
상기 알킬렌기 또는 불소화 알킬렌기는 치환기를 가지고 있어도 된다. 알킬렌기 또는 불소화 알킬렌기가 「치환기를 갖는다」란, 당해 알킬렌기 또는 불소화 알킬렌기에 있어서의 수소 원자 또는 불소 원자의 일부 또는 전부가 수소 원자 및 불소 원자 이외의 원자 또는 기로 치환되어 있는 것을 의미한다.
알킬렌기 또는 불소화 알킬렌기가 가지고 있어도 되는 치환기로는, 탄소수 1 ~ 4 의 알킬기, 탄소수 1 ~ 4 의 알콕시기, 수산기 등을 들 수 있다.
식 (b-2) 중, R5" ~ R6" 는 각각 독립적으로 아릴기 또는 알킬기를 나타낸다. R5" ~ R6" 중 적어도 1 개는 아릴기인 것이 바람직하고, R5" ~ R6" 가 전부 아릴기인 것이 보다 바람직하다.
R5" ~ R6" 의 아릴기로는, R1" ~ R3" 의 아릴기와 동일한 것을 들 수 있다.
R5" ~ R6" 의 알킬기로는, R1" ~ R3" 의 알킬기와 동일한 것을 들 수 있다.
이들 중에서, R5" ~ R6" 는 전부 페닐기인 것이 가장 바람직하다.
식 (b-2) 중의 R4" 로는 상기 식 (b-1) 의 R4" 와 동일한 것을 들 수 있다.
식 (b-1), (b-2) 로 나타내는 오늄염계 산발생제의 구체예로는, 디페닐요오드늄의 트리플루오로메탄술포네이트 또는 노나플루오로부탄술포네이트, 비스(4-tert-부틸페닐)요오드늄의 트리플루오로메탄술포네이트 또는 노나플루오로부탄술포네이트, 트리페닐술포늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트, 트리(4-메틸페닐)술포늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트, 디메틸(4-하이드록시나프틸)술포늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트, 모노페닐디메틸술포늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트 ; 디페닐모노메틸술포늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트, (4-메틸페닐)디페닐술포늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트, (4-메톡시페닐)디페닐술포늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트, 트리(4-tert-부틸)페닐술포늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트, 디페닐(1-(4-메톡시)나프틸)술포늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트, 디(1-나프틸)페닐술포늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트 ; 1-페닐테트라하이드로티오페늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트 ; 1-(4-메틸페닐)테트라하이드로티오페늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트 ; 1-(3,5-디메틸-4-하이드록시페닐)테트라하이드로티오페늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트 ; 1-(4-메톡시나프탈렌-1-일)테트라하이드로티오페늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트 ; 1-(4-에톡시나프탈렌-1-일)테트라하이드로티오페늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트 ; 1-(4-n-부톡시나프탈렌-1-일)테트라하이드로티오페늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트 ; 1-페닐테트라하이드로티오피라늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트 ; 1-(4-하이드록시페닐)테트라하이드로티오피라늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트 ; 1-(3,5-디메틸-4-하이드록시페닐)테트라하이드로티오피라늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트 ; 1-(4-메틸페닐)테트라하이드로티오피라늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트 등을 들 수 있다.
또한, 이들 오늄염의 아니온부를 메탄술포네이트, n-프로판술포네이트, n-부탄술포네이트, n-옥탄술포네이트, 1-아다만탄술포네이트, 2-노르보르난술포네이트, d-캠퍼-10-술포네이트 등의 알킬술포네이트 ; 벤젠술포네이트, 퍼플루오로벤젠술포네이트, p-톨루엔술포네이트 등의 방향족 술포네이트로 치환한 오늄염도 사용할 수 있다.
또한, 이들 오늄염의 아니온부를 하기 식 (b1) ~ (b8) 중 어느 것으로 나타내는 아니온부로 치환시킨 오늄염도 사용할 수 있다.
[화학식 44]
[식 중, p 는 1 ~ 3 의 정수이고 ; q1 ~ q2 는 각각 독립적으로 1 ~ 5 의 정수이고 ; q3 은 1 ~ 12 의 정수이고 ; t3 은 1 ~ 3 의 정수이고 ; r1 ~ r2 는 각각 독립적으로 0 ~ 3 의 정수이고 ; g 는 1 ~ 20 의 정수이고 ; R7 은 치환기이고 ; n1 ~ n5 는 각각 독립적으로 0 또는 1 이고 ; v0 ~ v5 는 각각 독립적으로 0 ~ 3 의 정수이고 ; w1 ~ w5 는 각각 독립적으로 0 ~ 3 의 정수이고 ; Q" 는 상기와 동일하다]
R7 의 치환기로는, 상기 X 에 있어서, 지방족 탄화수소기가 가지고 있어도 되는 치환기, 방향족 탄화수소기가 가지고 있어도 되는 치환기로서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.
R7 에 부여된 부호 (r1 ~ r2, w1 ~ w5) 가 2 이상의 정수인 경우, 당해 화합물 중의 복수의 R7 은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.
또한, 오늄염계 산발생제로는, 상기 일반식 (b-1) 또는 (b-2) 에 있어서, 아니온부를 하기 일반식 (b-3) 또는 (b-4) 로 나타내는 아니온부로 치환한 오늄염계 산발생제도 사용할 수 있다 (카티온부는 (b-1) 또는 (b-2) 와 동일).
[화학식 45]
[식 중, X" 는 적어도 1 개의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 탄소수 2 ~ 6 의 알킬렌기를 나타내고 ; Y", Z" 는 각각 독립적으로 적어도 1 개의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 탄소수 1 ~ 10 의 알킬기를 나타낸다]
X" 는 적어도 1 개의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬렌기이며, 그 알킬렌기의 탄소수는 2 ~ 6 이고, 바람직하게는 탄소수 3 ~ 5, 가장 바람직하게는 탄소수 3 이다.
Y", Z" 는 각각 독립적으로 적어도 1 개의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기이며, 그 알킬기의 탄소수는 1 ~ 10 이고, 바람직하게는 탄소수 1 ~ 7, 보다 바람직하게는 탄소수 1 ~ 3 이다.
X" 의 알킬렌기의 탄소수 또는 Y", Z" 의 알킬기의 탄소수는, 상기 탄소수의 범위 내에 있어서, 레지스트 용매에 대한 용해성도 양호하다는 등의 이유에서 작을수록 바람직하다.
또한, X" 의 알킬렌기 또는 Y", Z" 의 알킬기에 있어서, 불소 원자로 치환되어 있는 수소 원자의 수가 많을수록 산의 강도가 강해지고, 또한 200 ㎚ 이하의 고에너지 광이나 전자선에 대한 투명성이 향상되므로 바람직하다.
그 알킬렌기 또는 알킬기 중의 불소 원자의 비율, 즉 불소화율은 바람직하게는 70 ~ 100 ％, 더욱 바람직하게는 90 ~ 100 ％ 이고, 가장 바람직하게는 모든 수소 원자가 불소 원자로 치환된 퍼플루오로알킬렌기 또는 퍼플루오로알킬기이다.
또한, 하기 일반식 (b-5) 또는 (b-6) 으로 나타내는 카티온부를 갖는 술포늄염을 오늄염계 산발생제로서 사용할 수도 있다.
[화학식 46]
[식 중, R41 ~ R46 은 각각 독립적으로 알킬기, 아세틸기, 알콕시기, 카르복시기, 수산기 또는 하이드록시알킬기이고 ; n1 ~ n5 는 각각 독립적으로 0 ~ 3 의 정수이고 ; n6 은 0 ~ 2 의 정수이다]
R41 ~ R46 에 있어서, 알킬기는 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기가 바람직하고, 그 중에서도 직사슬 또는 분기사슬형의 알킬기가 보다 바람직하며, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기 또는 tert-부틸기인 것이 특히 바람직하다.
알콕시기는 탄소수 1 ~ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 그 중에서도 직사슬 또는 분기사슬형의 알콕시기가 보다 바람직하며, 메톡시기, 에톡시기가 특히 바람직하다.
하이드록시알킬기는 상기 알킬기 중 1 개 또는 복수 개의 수소 원자가 하이드록시기로 치환된 기가 바람직하고, 하이드록시메틸기, 하이드록시에틸기, 하이드록시프로필기 등을 들 수 있다.
R41 ~ R46 에 부여된 부호 n1 ~ n6 이 2 이상의 정수인 경우, 복수의 R41 ~ R46 은 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
n1 은 바람직하게는 0 ~ 2 이고, 보다 바람직하게는 0 또는 1 이고, 더욱 바람직하게는 0 이다.
n2 및 n3 은 바람직하게는 각각 독립적으로 0 또는 1 이고, 보다 바람직하게는 0 이다.
n4 는 바람직하게는 0 ~ 2 이고, 보다 바람직하게는 0 또는 1 이다.
n5 는 바람직하게는 0 또는 1 이고, 보다 바람직하게는 0 이다.
n6 은 바람직하게는 0 또는 1 이고, 보다 바람직하게는 1 이다.
식 (b-5) 또는 (b-6) 으로 나타내는 카티온부를 갖는 술포늄염의 아니온부는 특별히 한정되지 않고, 지금까지 제안되어 있는 오늄염계 산발생제의 아니온부와 동일한 것이어도 된다. 이러한 아니온부로는, 예를 들어 상기 일반식 (b-1) 또는 (b-2) 로 나타내는 오늄염계 산발생제의 아니온부 (R4"SO3 -) 등의 불소화 알킬술폰산 이온 ; 상기 일반식 (b-3) 또는 (b-4) 로 나타내는 아니온부 등을 들 수 있다.
본 명세서에 있어서, 「옥심술포네이트계 산발생제」란, 하기 일반식 (B-1) 로 나타내는 기를 적어도 1 개 갖는 화합물로서, 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 특성을 갖는 것이다. 이와 같은 옥심술포네이트계 산발생제는 화학 증폭형 레지스트 조성물용으로서 다용되고 있으므로, 임의로 선택하여 사용할 수 있다.
[화학식 47]
[식 (B-1) 중, R31, R32 는 각각 독립적으로 유기기를 나타낸다]
R31, R32 의 유기기는 탄소 원자를 함유하는 기이고, 탄소 원자 이외의 원자 (예를 들어 수소 원자, 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 할로겐 원자 (불소 원자, 염소 원자 등) 등) 를 가지고 있어도 된다.
R31 의 유기기로는, 직사슬형, 분기사슬형 또는 고리형의 알킬기 또는 아릴기가 바람직하다. 이들 알킬기, 아릴기는 치환기를 가지고 있어도 된다. 그 치환기로는 특별히 제한은 없고, 예를 들어 불소 원자, 탄소수 1 ~ 6 의 직사슬형, 분기사슬형 또는 고리형의 알킬기 등을 들 수 있다. 여기서, 「치환기를 갖는다」란, 알킬기 또는 아릴기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환기로 치환되어 있는 것을 의미한다.
알킬기로는, 탄소수 1 ~ 20 이 바람직하고, 탄소수 1 ~ 10 이 보다 바람직하고, 탄소수 1 ~ 8 이 더욱 바람직하고, 탄소수 1 ~ 6 이 특히 바람직하며, 탄소수 1 ~ 4 가 가장 바람직하다. 알킬기로는, 특히 부분적으로 또는 완전히 할로겐화된 알킬기 (이하, 할로겐화 알킬기라고 하는 경우가 있다) 가 바람직하다. 또한, 「부분적으로 할로겐화된 알킬기」란, 수소 원자의 일부가 할로겐 원자로 치환된 알킬기를 의미하고, 「완전히 할로겐화된 알킬기」란, 수소 원자의 전부가 할로겐 원자로 치환된 알킬기를 의미한다. 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다. 즉, 할로겐화 알킬기는 불소화 알킬기인 것이 바람직하다.
아릴기는 탄소수 4 ~ 20 이 바람직하고, 탄소수 4 ~ 10 이 보다 바람직하며, 탄소수 6 ~ 10 이 가장 바람직하다. 아릴기로는, 특히 부분적으로 또는 완전히 할로겐화된 아릴기가 바람직하다. 또한, 「부분적으로 할로겐화된 아릴기」란, 수소 원자의 일부가 할로겐 원자로 치환된 아릴기를 의미하고, 「완전히 할로겐화된 아릴기」란, 수소 원자의 전부가 할로겐 원자로 치환된 아릴기를 의미한다.
R31 로는 특히, 치환기를 갖지 않는 탄소수 1 ~ 4 의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 4 의 불소화 알킬기가 바람직하다.
R32 의 유기기로는, 직사슬형, 분기사슬형 또는 고리형의 알킬기, 아릴기 또는 시아노기가 바람직하다. R32 의 알킬기, 아릴기로는, 상기 R31 에서 예시한 알킬기, 아릴기와 동일한 것을 들 수 있다.
R32 로는 특히, 시아노기, 치환기를 갖지 않는 탄소수 1 ~ 8 의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 8 의 불소화 알킬기가 바람직하다.
옥심술포네이트계 산발생제로서 더욱 바람직한 것으로는, 하기 일반식 (B-2) 또는 (B-3) 으로 나타내는 화합물을 들 수 있다.
[화학식 48]
[식 (B-2) 중, R33 은 시아노기, 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화 알킬기이고 ; R34 는 아릴기이고 ; R35 는 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화 알킬기이다]
[화학식 49]
[식 (B-3) 중, R36 은 시아노기, 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화 알킬기이고 ; R37 은 2 또는 3 가의 방향족 탄화수소기이고 ; R38 은 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화 알킬기이고 ; p" 는 2 또는 3 이다]
상기 일반식 (B-2) 에 있어서, R33 의 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화 알킬기는 탄소수가 1 ~ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ~ 8 이 보다 바람직하며, 탄소수 1 ~ 6 이 가장 바람직하다.
R33 으로는, 할로겐화 알킬기가 바람직하고, 불소화 알킬기가 보다 바람직하다.
R33 에 있어서의 불소화 알킬기는 알킬기의 수소 원자가 50 ％ 이상 불소화되어 있는 것이 바람직하고, 70 ％ 이상 불소화되어 있는 것이 보다 바람직하며, 90 ％ 이상 불소화되어 있는 것이 특히 바람직하다.
R34 의 아릴기로는, 페닐기, 비페닐 (biphenyl) 기, 플루오레닐 (fluorenyl) 기, 나프틸기, 안트릴 (anthryl) 기, 페난트릴기 등의, 방향족 탄화수소의 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 ; 및 이들 기의 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등의 헤테로 원자로 치환된 헤테로아릴기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 플루오레닐기가 바람직하다.
R34 의 아릴기는 탄소수 1 ~ 10 의 알킬기, 할로겐화 알킬기, 알콕시기 등의 치환기를 가지고 있어도 된다. 그 치환기에 있어서의 알킬기 또는 할로겐화 알킬기는 탄소수가 1 ~ 8 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ~ 4 가 더욱 바람직하다. 또한, 그 할로겐화 알킬기는 불소화 알킬기인 것이 바람직하다.
R35 의 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화 알킬기는 탄소수가 1 ~ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ~ 8 이 보다 바람직하며, 탄소수 1 ~ 6 이 가장 바람직하다.
R35 로는, 할로겐화 알킬기가 바람직하고, 불소화 알킬기가 보다 바람직하다.
R35 에 있어서의 불소화 알킬기는 알킬기의 수소 원자가 50 ％ 이상 불소화되어 있는 것이 바람직하고, 70 ％ 이상 불소화되어 있는 것이 보다 바람직하고, 90 ％ 이상 불소화되어 있는 것이 발생되는 산의 강도가 높아지기 때문에 특히 바람직하다. 가장 바람직하게는 수소 원자가 100 ％ 불소 치환된 완전 불소화 알킬기이다.
상기 일반식 (B-3) 에 있어서, R36 의 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화 알킬기로는, 상기 R33 의 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화 알킬기와 동일한 것을 들 수 있다.
R37 의 2 또는 3 가의 방향족 탄화수소기로는, 상기 R34 의 아릴기로부터 추가로 1 또는 2 개의 수소 원자를 제거한 기를 들 수 있다.
R38 의 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화 알킬기로는, 상기 R35 의 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화 알킬기와 동일한 것을 들 수 있다.
p" 는 바람직하게는 2 이다.
옥심술포네이트계 산발생제의 구체예로는, α-(p-톨루엔술포닐옥시이미노)-벤질시아나이드, α-(p-클로로벤젠술포닐옥시이미노)-벤질시아나이드, α-(4-니트로벤젠술포닐옥시이미노)-벤질시아나이드, α-(4-니트로-2-트리플루오로메틸벤젠술포닐옥시이미노)-벤질시아나이드, α-(벤젠술포닐옥시이미노)-4-클로로벤질시아나이드, α-(벤젠술포닐옥시이미노)-2,4-디클로로벤질시아나이드, α-(벤젠술포닐옥시이미노)-2,6-디클로로벤질시아나이드, α-(벤젠술포닐옥시이미노)-4-메톡시벤질시아나이드, α-(2-클로로벤젠술포닐옥시이미노)-4-메톡시벤질시아나이드, α-(벤젠술포닐옥시이미노)-티엔-2-일아세토니트릴, α-(4-도데실벤젠술포닐옥시이미노)-벤질시아나이드, α-[(p-톨루엔술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴, α-[(도데실벤젠술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴, α-(토실옥시이미노)-4-티에닐시아나이드, α-(메틸술포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴, α-(메틸술포닐옥시이미노)-1-시클로헥세닐아세토니트릴, α-(메틸술포닐옥시이미노)-1-시클로헵테닐아세토니트릴, α-(메틸술포닐옥시이미노)-1-시클로옥테닐아세토니트릴, α-(트리플루오로메틸술포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴, α-(트리플루오로메틸술포닐옥시이미노)-시클로헥실아세토니트릴, α-(에틸술포닐옥시이미노)-에틸아세토니트릴, α-(프로필술포닐옥시이미노)-프로필아세토니트릴, α-(시클로헥실술포닐옥시이미노)-시클로펜틸아세토니트릴, α-(시클로헥실술포닐옥시이미노)-시클로헥실아세토니트릴, α-(시클로헥실술포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴, α-(에틸술포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴, α-(이소프로필술포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴, α-(n-부틸술포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴, α-(에틸술포닐옥시이미노)-1-시클로헥세닐아세토니트릴, α-(이소프로필술포닐옥시이미노)-1-시클로헥세닐아세토니트릴, α-(n-부틸술포닐옥시이미노)-1-시클로헥세닐아세토니트릴, α-(메틸술포닐옥시이미노)-페닐아세토니트릴, α-(메틸술포닐옥시이미노)-p-메톡시페닐아세토니트릴, α-(트리플루오로메틸술포닐옥시이미노)-페닐아세토니트릴, α-(트리플루오로메틸술포닐옥시이미노)-p-메톡시페닐아세토니트릴, α-(에틸술포닐옥시이미노)-p-메톡시페닐아세토니트릴, α-(프로필술포닐옥시이미노)-p-메틸페닐아세토니트릴, α-(메틸술포닐옥시이미노)-p-브로모페닐아세토니트릴 등을 들 수 있다.
또한, 일본 공개특허공보 평9-208554호 (단락 [0012] ~ [0014] 의 [화학식 18] ~ [화학식 19]) 에 개시되어 있는 옥심술포네이트계 산발생제, 국제 공개 제04/074242호 팜플렛 (65 ~ 85 페이지의 Example 1 ~ 40) 에 개시되어 있는 옥심술포네이트계 산발생제도 바람직하게 사용할 수 있다.
또한, 바람직한 것으로서 이하의 것을 예시할 수 있다.
[화학식 50]
디아조메탄계 산발생제 중, 비스알킬 또는 비스아릴술포닐디아조메탄류의 구체예로는, 비스(이소프로필술포닐)디아조메탄, 비스(p-톨루엔술포닐)디아조메탄, 비스(1,1-디메틸에틸술포닐)디아조메탄, 비스(시클로헥실술포닐)디아조메탄, 비스(2,4-디메틸페닐술포닐)디아조메탄 등을 들 수 있다.
또한, 일본 공개특허공보 평11-035551호, 일본 공개특허공보 평11-035552호, 일본 공개특허공보 평11-035573호에 개시되어 있는 디아조메탄계 산발생제도 바람직하게 사용할 수 있다.
또한, 폴리(비스술포닐)디아조메탄류로는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 평11-322707호에 개시되어 있는, 1,3-비스(페닐술포닐디아조메틸술포닐)프로판, 1,4-비스(페닐술포닐디아조메틸술포닐)부탄, 1,6-비스(페닐술포닐디아조메틸술포닐)헥산, 1,10-비스(페닐술포닐디아조메틸술포닐)데칸, 1,2-비스(시클로헥실술포닐디아조메틸술포닐)에탄, 1,3-비스(시클로헥실술포닐디아조메틸술포닐)프로판, 1,6-비스(시클로헥실술포닐디아조메틸술포닐)헥산, 1,10-비스(시클로헥실술포닐디아조메틸술포닐)데칸 등을 들 수 있다.
(B) 성분으로는, 이들 산발생제를 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
본 발명에 있어서는, (B) 성분으로서 불소화 알킬술폰산 이온을 아니온으로 하는 오늄염계 산발생제를 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물에 있어서의 (B) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대하여, 0.5 ~ 50 질량부가 바람직하고, 1 ~ 40 질량부가 보다 바람직하다. 상기 범위로 함으로써 패턴 형성이 충분히 실시된다. 또한, 균일한 용액이 얻어지고, 보존 안정성이 양호해지기 때문에 바람직하다.
<(C) 성분>
본 발명의 레지스트 조성물은 하기 일반식 (c0) 으로 나타내는 구성 단위 (c0) 을 갖는 고분자 화합물 (C) ((C) 성분) 를 함유한다.
[화학식 51]
[식 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 5 의 할로겐화 알킬기를 나타내고 ; R1 은 1 개 이상의 1 급 또는 2 급의 알코올성 수산기, 또는 사슬형의 3 급 알코올성 수산기를 갖는 유기기이다]
(구성 단위 (c0))
식 (c0) 중, R 은 상기와 동일하다.
식 (c0) 중, R1 은 1 개 이상의 1 급 또는 2 급의 알코올성 수산기, 또는 사슬형의 3 급 알코올성 수산기를 갖는 유기기이다.
본 발명에 있어서, 알코올성 수산기란, 사슬형 또는 고리형의 탄화수소기의 탄소 원자에 결합한 수산기를 말한다.
「사슬형의 3 급 알코올성 수산기」란, 사슬형의 탄화수소기를 구성하는 제 3 급 탄소 원자에 결합한 수산기를 말한다. 그 사슬형의 탄화수소기로는, 예를 들어, 구성 단위 (a1) 의 R14 에서 예시한 직사슬형, 분기사슬형의 알킬기를 들 수 있다.
또한, 구성 단위 (c0) 이 1 급 또는 2 급의 알코올성 수산기를 갖는 경우, 그 1 급 또는 2 급의 알코올성 수산기가 결합한 탄화수소기는 사슬형이어도 되고 고리형이어도 된다. 사슬형, 고리형의 탄화수소기로는, 예를 들어, 구성 단위 (a1) 의 R14 에서 예시한 직사슬형, 분기사슬형의 알킬기, 구성 단위 (a1) 에서 예시한 「지방족 고리형기」를 들 수 있다.
R1 의 유기기는 상기한 바와 같은 알코올성 수산기를 갖는 기, 즉, 알코올성 수산기와, 그 알코올성 수산기가 결합한 탄화수소기를 갖는 기이면 특별히 한정되는 것은 아니다.
R1 의 유기기로서 구체적으로는, 알킬렌기, 2 가의 지방족 고리형기 또는 헤테로 원자를 함유하는 2 가의 연결기의 말단에, 알코올성 수산기가 결합한 기를 들 수 있다. 알킬렌기, 2 가의 지방족 고리형기, 헤테로 원자를 함유하는 2 가의 연결기는 상기 Y2 의 2 가의 연결기에 대한 설명 중의 알킬렌기, 2 가의 지방족 고리형기, 헤테로 원자를 함유하는 2 가의 연결기와 동일하다.
구성 단위 (c0) 으로는, 하기 일반식 (c0-11) 또는 (c0-12) 로 나타내는 구성 단위, 하기 일반식 (c0-21) 또는 (c0-22) 로 나타내는 구성 단위, 및 하기 일반식 (c0-3) 으로 나타내는 구성 단위가 바람직하다.
1 급의 알코올성 수산기를 갖는 구성 단위 (c0) 으로는, 하기 일반식 (c0-11) 또는 (c0-12) 로 나타내는 구성 단위가 바람직하고, 2 급의 알코올성 수산기를 갖는 구성 단위 (c0) 으로는, 하기 일반식 (c0-21) 또는 (c0-22) 로 나타내는 구성 단위, 또는 1 급의 알코올성 수산기를 갖지 않은 경우의 하기 일반식 (c0-12) 로 나타내는 구성 단위가 바람직하고, 사슬형의 3 급 알코올성 수산기를 갖는 구성 단위 (c0) 으로는, 하기 일반식 (c0-3) 으로 나타내는 구성 단위가 바람직하다.
[화학식 52]
[식 중, R 은 상기와 동일하고 ; Q 는 각각 독립적으로 단결합, 또는, 알킬렌기, 2 가의 지방족 고리형기 또는 헤테로 원자를 함유하는 2 가의 연결기이고 ; A01 은 치환기를 함유하고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이고 ; R0 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기이고, 식 중의 복수의 R0 은 각각 동일해도 되고 상이해도 되며 ; p0 은 0 ~ 3 의 정수이고 ; p1 은 1 ~ 3 의 정수이고 ; p2 는 0 ~ 3 의 정수이다]
상기 식 중 Q 는 단결합, 또는, 알킬렌기, 2 가의 지방족 고리형기 또는 헤테로 원자를 함유하는 2 가의 연결기이다. 알킬렌기, 2 가의 지방족 고리형기, 헤테로 원자를 함유하는 2 가의 연결기는 상기 「유기기」의 설명 중의 것과 동일하다.
상기 식 중, A01 은 치환기를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기이다.
A01 에 있어서의 탄화수소기는 지방족 탄화수소기인 것이 바람직하고, (A) 성분의 설명 중 식 (a1-0-2) 의 Y2 에서 설명한 A 의 2 가의 탄화수소기에 있어서의 2 가의 지방족 탄화수소기와 동일한 것을 들 수 있다.
그 중에서도, A01 에 있어서의 탄화수소기로는, 탄소수 1 ~ 10 의 알킬렌기가 보다 바람직하다. 또한, A01 에 결합한 알코올성 수산기는 1 급 또는 2 급의 알코올성 수산기, 또는 사슬형의 3 급 알코올성 수산기인 것이 바람직하다는 점에서, A01 의 알킬렌기는 직사슬형 또는 분기사슬형인 것이 바람직하다.
A01 에 있어서의 지방족 탄화수소기는 그 지방족 탄화수소기를 구성하는 수소 원자의 일부가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 수소 원자의 일부를 치환하는 치환기로는, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기, 알콕시기, 불소 원자, 불소화 알킬기, 수산기, 산소 원자 (=O), 시아노기 등을 들 수 있고, 수산기 또는 알킬기가 바람직하다. 치환기로서 수산기를 갖는 경우, 그 수산기는 1 급 또는 2 급의 알코올성 수산기인 것이 바람직하다.
상기 식 중, R0 은 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기이고, 직사슬형이어도 되고, 분기사슬형이어도 되며, 메틸기 또는 에틸기인 것이 바람직하다.
상기 식 중, p0 은 0 ~ 3 의 정수이고, 0 ~ 2 가 바람직하고, 1 ~ 2 가 보다 바람직하다. p1 은 1 ~ 3 의 정수이고, 1 또는 2 인 것이 바람직하고, 1 인 것이 보다 바람직하다. p2 는 0 ~ 3 의 정수이고, 0 ~ 1 의 정수인 것이 바람직하다.
이하에, 구성 단위 (c0) 의 구체예를 나타낸다. 이하의 각 식 중, R 은 상기와 동일하다.
[화학식 53]
[화학식 54]
[화학식 55]
(C) 성분에 있어서, 구성 단위 (c0) 으로는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
(C) 성분 중 구성 단위 (c0) 의 비율은 당해 (C) 성분을 구성하는 전체 구성 단위에 대하여 1 몰％ 이상이면 특별히 한정되는 것은 아니고, 100 몰％ 이어도 된다. 구성 단위 (c0) 이외의 구성 단위와 조합하는 경우에는, 당해 (C) 성분을 구성하는 전체 구성 단위에 대하여, 3 ~ 95 몰％ 인 것이 바람직하고, 5 ~ 90 몰％ 인 것이 보다 바람직하고, 20 ~ 85 몰％ 인 것이 더욱 바람직하며, 45 ~ 75 몰％ 인 것이 더욱 바람직하다. 하한치 이상으로 함으로써 레지스트 조성물의 기판 등의 지지체에 대한 밀착성이 향상되고, 상한치 이하로 함으로써 다른 구성 단위와의 균형을 맞출 수 있다.
본 발명에 있어서 (C) 성분은, 상기 구성 단위 (c0) 에 추가하여, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위로서, 산의 작용에 의해 극성이 증대되는 산분해성기를 함유하는 구성 단위 (c1) 을 포함하는 것이 바람직하다. (C) 성분이 구성 단위 (c1) 을 포함함으로써, 스컴의 발생을 보다 저감할 수 있다.
구성 단위 (c1) 로는, 상기 구성 단위 (a1) 과 동일한 것을 들 수 있다. 그 중에서도, 구성 단위 (c1) 로는, 상기 식 (a1-1) 로 나타내는 구성 단위가 바람직하고, 상기 식 (a1-1-01) 또는 (a1-1-02) 로 나타내는 구성 단위가 보다 바람직하다.
(C) 성분에 있어서, 구성 단위 (c1) 로는 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
(C) 성분 중 구성 단위 (c1) 의 비율은 1 ~ 70 몰％ 인 것이 바람직하고, 3 ~ 60 몰％ 인 것이 보다 바람직하며, 5 ~ 55 몰％ 인 것이 더욱 바람직하다. 하한치 이상으로 함으로써 스컴의 발생을 보다 저감하고, 상한치 이하로 함으로써 다른 구성 단위와의 균형을 맞춤으로써, 레지스트 조성물의 기판 등의 지지체에 대한 밀착성이 향상된다.
(C) 성분은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 상기 구성 단위 (c0), (c1) 이외의 구성 단위 (이하, 「구성 단위 (c2)」라고 한다) 를 포함하고 있어도 된다.
구성 단위 (c2) 는 상기 서술한 구성 단위 (c0), (c1) 로 분류되지 않는 다른 구성 단위이면 특별히 한정되는 것이 아니라, ArF 엑시머 레이저용, KrF 엑시머 레이저용, EUV 용, EB 용 등의 레지스트용 수지에 사용되는 것으로서 종래부터 알려져 있는 다수의 것을 사용할 수 있다.
구성 단위 (c2) 로는, 예를 들어, (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산n-프로필, (메트)아크릴산n-부틸, (메트)아크릴산2-메틸프로필, (메트)아크릴산1-메틸프로필, (메트)아크릴산t-부틸, (메트)아크릴산시클로프로필, (메트)아크릴산시클로펜틸, (메트)아크릴산시클로헥실, (메트)아크릴산4-메톡시시클로헥실, (메트)아크릴산2-시클로펜틸옥시카르보닐에틸, (메트)아크릴산2-시클로헥실옥시카르보닐에틸, (메트)아크릴산2-(4-메톡시시클로헥실)옥시카르보닐에틸 등의, 사슬형의 알킬기, 알콕시기, 또는 단고리의 시클로알킬기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르류 등을 들 수 있고, 바람직하게는 하기 식 (c2-1) 로 나타내는 구성 단위를 들 수 있다. 식 (c2-1) 중, R98 은 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기 또는 알콕시기이고, 메틸기, 에틸기, 메톡시기, 에톡시기 등을 들 수 있다.
[화학식 56]
[식 중, R 은 상기와 동일하고, R98 은 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기 또는 알콕시기이다]
(C) 성분에 있어서, 구성 단위 (c2) 로는 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
(C) 성분 중의 구성 단위 (c2) 의 비율은 0 ~ 95 몰％ 인 것이 바람직하고, 5 ~ 90 몰％ 인 것이 보다 바람직하며, 10 ~ 50 몰％ 인 것이 더욱 바람직하다. 하한치 이상으로 함으로써 리소그래피 특성이 향상되고, 상한치 이하로 함으로써 레지스트 조성물의 기판 등의 지지체에 대한 밀착성이 향상된다.
본 발명에 있어서, (C) 성분은 특히, 하기 일반식 (C-1) ~ (C-3) 에 나타내는 구성 단위의 조합을 포함하는 고분자 화합물인 것이 바람직하다. 하기 일반식 중, R, Q, R12, h, A01, p0 은 각각 상기와 동일하고, 식 중에 복수가 있는 R 은 각각 동일하거나 상이해도 된다.
[화학식 57]
(C) 성분의 질량 평균 분자량 (Mw) (겔 퍼미에이션 크로마토그래피에 의한 폴리스티렌 환산 기준) 은 특별히 한정되는 것이 아니라, 10000 ~ 500000 이 바람직하고, 25000 ~ 450000 이 보다 바람직하고, 50000 ~ 350000 이 더욱 바람직하다. 이 범위의 상한치 이하임으로써 스컴의 발생을 특히 저감할 수 있고, 이 범위의 하한치 이상임으로써 레지스트 조성물의 기판 등의 지지체에 대한 밀착성이 특히 향상된다.
또한, (C) 성분의 분산도 (Mw / Mn) 는 특별히 한정되는 것이 아니라, 1.0 ~ 5.0 이 바람직하고, 1.0 ~ 3.0 이 보다 바람직하고, 1.2 ~ 2.5 가 가장 바람직하다. 또, Mn 은 수평균 분자량을 나타낸다.
(C) 성분은 각 구성 단위를 유도하는 모노머를 예를 들어 아조비스이소부티로니트릴 (AIBN) 과 같은 라디칼 중합 개시제를 사용한 공지된 라디칼 중합 등에 의해서 중합시킴으로써 얻을 수 있다.
공지된 방법을 이용하여 합성되는 화합물의 구조는 1H-핵자기 공명 (NMR) 스펙트럼법, 13C-NMR 스펙트럼법, 19F-NMR 스펙트럼법, 적외선 흡수 (IR) 스펙트럼법, 질량 분석 (MS) 법, 원소 분석법, X 선 결정 회절법 등의 일반적인 유기 분석법에 의해 확인할 수 있다.
본 발명의 레지스트 조성물 중 (C) 성분의 함유량은 (A) 성분 100 질량부에 대하여 25 질량부 미만으로서, 0.05 ~ 20 질량부인 것이 바람직하고, 0.1 ~ 5 질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.2 ~ 1 질량부인 것이 더욱 바람직하다. 상기 범위의 상한치 이하로 함으로써 스컴의 발생을 저감하고, 또한 리소그래피 특성을 향상시킬 수 있으며, 상기 범위의 하한치 이상으로 함으로써 기판 등의 지지체에 대한 밀착성을 향상시킬 수 있다.
<임의 성분>
본 발명의 레지스트 조성물에 있어서는, 임의의 성분으로서 추가로 함질소 유기 화합물 성분 (D) (이하 「(D) 성분」이라고 한다) 를 함유하는 것이 바람직하다.
이 (D) 성분으로는 산확산 제어제, 즉 노광에 의해 상기 (B) 성분으로부터 발생하는 산을 트랩하는 켄처로서 작용하는 것이면 특별히 한정되지 않고, 이미 다종 다양한 것이 제안되어 있기 때문에, 공지된 것에서 임의로 사용하면 된다. 예를 들어 지방족 아민, 방향족 아민 등의 아민을 들 수 있고, 그 중에서도 지방족 아민, 특히 제 2 급 지방족 아민이나 제 3 급 지방족 아민이 바람직하다.
지방족 아민이란, 1 개 이상의 지방족기를 갖는 아민으로, 그 지방족기는 탄소수가 1 ~ 12 인 것이 바람직하다.
지방족 아민으로는, 암모니아 NH3 의 수소 원자의 적어도 1 개를, 탄소수 12 이하의 알킬기 또는 하이드록시알킬기로 치환한 아민 (알킬아민 또는 알킬알코올아민) 또는 고리형 아민을 들 수 있다.
알킬아민 및 알킬알코올아민의 구체예로는, n-헥실아민, n-헵틸아민, n-옥틸아민, n-노닐아민, n-데실아민 등의 모노알킬아민 ; 디에틸아민, 디-n-프로필아민, 디-n-헵틸아민, 디-n-옥틸아민, 디시클로헥실아민 등의 디알킬아민 ; 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리-n-프로필아민, 트리-n-부틸아민, 트리-n-펜틸아민, 트리-n-헥실아민, 트리-n-헵틸아민, 트리-n-옥틸아민, 트리-n-노닐아민, 트리-n-데실아민, 트리-n-도데실아민 등의 트리알킬아민 ; 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디이소프로판올아민, 트리이소프로판올아민, 디-n-옥탄올아민, 트리-n-옥탄올아민 등의 알킬알코올아민을 들 수 있다. 이들 중에서도, 탄소수 5 ~ 10 의 트리알킬아민이 더욱 바람직하고, 트리-n-펜틸아민 또는 트리-n-옥틸아민이 특히 바람직하다.
고리형 아민으로는, 예를 들어 헤테로 원자로서 질소 원자를 함유하는 복소고리 화합물을 들 수 있다. 그 복소고리 화합물로는, 단고리형인 것 (지방족 단고리형 아민) 이어도 되고 다고리형인 것 (지방족 다고리형 아민) 이어도 된다.
지방족 단고리형 아민으로서 구체적으로는, 피페리딘, 피페라진 등을 들 수 있다.
지방족 다고리형 아민으로는, 탄소수가 6 ~ 10 인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]-7-운데센, 헥사메틸렌테트라민, 1,4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄 등을 들 수 있다.
그 밖의 지방족 아민으로는, 트리스(2-메톡시메톡시에틸)아민, 트리스{2-(2-메톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(2-메톡시에톡시메톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-메톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-에톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-에톡시프로폭시)에틸}아민, 트리스[2-{2-(2-하이드록시에톡시)에톡시}에틸]아민, 트리에탄올아민트리아세테이트 등을 들 수 있고, 트리에탄올아민트리아세테이트가 바람직하다.
방향족 아민으로는, 아닐린, 피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, 피롤, 인돌, 피라졸, 이미다졸 또는 이들의 유도체, 디페닐아민, 트리페닐아민, 트리벤질아민, 2,6-디이소프로필아닐린, N-tert-부톡시카르보닐피롤리딘 등을 들 수 있다.
(D) 성분은 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
(D) 성분은, (A) 성분 100 질량부에 대하여, 통상 0.01 ~ 5.0 질량부의 범위에서 사용된다. 상기 범위로 함으로써, 레지스트 패턴 형상, 노광 후 시간 경과적 안정성 등이 향상된다.
본 발명의 레지스트 조성물에는, 감도 열화의 방지나, 레지스트 패턴 형상, 노광 후 시간 경과적 안정성 등의 향상을 목적으로, 임의의 성분으로서 유기 카르복실산, 그리고 인의 옥소산 및 그 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물 (E) (이하 「(E) 성분」이라고 한다) 를 함유시킬 수 있다.
유기 카르복실산으로는, 예를 들어 아세트산, 말론산, 시트르산, 말산, 숙신산, 벤조산, 살리실산 등이 바람직하다.
인의 옥소산으로는, 인산, 포스폰산, 포스핀산 등을 들 수 있고, 이들 중에서도 특히 포스폰산이 바람직하다.
인의 옥소산의 유도체로는, 예를 들어 상기 옥소산의 수소 원자를 탄화수소기로 치환한 에스테르 등을 들 수 있고, 상기 탄화수소기로는, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기, 탄소수 6 ~ 15 의 아릴기 등을 들 수 있다.
인산의 유도체로는, 인산디-n-부틸에스테르, 인산디페닐에스테르 등의 인산에스테르 등을 들 수 있다.
포스폰산의 유도체로는, 포스폰산디메틸에스테르, 포스폰산-디-n-부틸에스테르, 페닐포스폰산, 포스폰산디페닐에스테르, 포스폰산디벤질에스테르 등의 포스폰산에스테르 등을 들 수 있다.
포스핀산의 유도체로는, 페닐포스핀산, 포스핀산에스테르 등을 들 수 있다.
(E) 성분으로는 살리실산이 특히 바람직하다.
(E) 성분은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
(E) 성분은, (A) 성분 100 질량부에 대하여, 통상 0.01 ~ 5.0 질량부의 범위에서 사용된다.
본 발명의 레지스트 조성물에는, 혼화성이 있는 첨가제, 예를 들어 레지스트막의 성능을 개량하기 위한 부가적 수지, 도포성을 향상시키기 위한 계면 활성제, 용해 억제제, 가소제, 안정제, 착색제, 헐레이션 방지제, 염료 등을 원하는 바에 따라 추가로 적절히 첨가 함유시킬 수 있다.
본 발명의 레지스트 조성물은 재료를 유기 용제 (이하, (S) 성분이라고 하는 경우가 있다) 에 용해시켜 제조할 수 있다.
(S) 성분으로는, 사용하는 각 성분을 용해시켜 균일한 용액으로 할 수 있는 것이면 되고, 종래 화학 증폭형 레지스트의 용제로서 공지된 것 중에서 임의의 것을 1 종 또는 2 종 이상 적절히 선택하여 사용할 수 있다.
예를 들어, γ-부티로락톤 등의 락톤류 ; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 메틸-n-펜틸케톤, 메틸이소펜틸케톤, 2-헵타논 등의 케톤류 ; 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜 등의 다가 알코올류 ; 에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 또는 디프로필렌글리콜모노아세테이트 등의 에스테르 결합을 갖는 화합물, 상기 다가 알코올류 또는 상기 에스테르 결합을 갖는 화합물의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 등의 모노알킬에테르 또는 모노페닐에테르 등의 에테르 결합을 갖는 화합물 등의 다가 알코올류의 유도체 [이들 중에서는, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (PGME) 가 바람직하다] ; 디옥산과 같은 고리형 에테르류 ; 락트산메틸, 락트산에틸 (EL), 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸 등의 에스테르류 ; 아니솔, 에틸벤질에테르, 크레실메틸에테르, 디페닐에테르, 디벤질에테르, 페네톨, 부틸페닐에테르, 에틸벤젠, 디에틸벤젠, 펜틸벤젠, 이소프로필벤젠, 톨루엔, 자일렌, 시멘, 메시틸렌 등의 방향족계 유기 용제, 디메틸술폭사이드 (DMSO) 등을 들 수 있다.
이들 유기용제는 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상의 혼합 용제로서 사용해도 된다.
그 중에서도, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (PGME), EL 이 바람직하다.
또한, PGMEA 와 극성 용제를 혼합한 혼합 용매도 바람직하다. 그 배합비 (질량비) 는 PGMEA 와 극성 용제와의 상용성 등을 고려하여 적절히 결정하면 되는데, 바람직하게는 1 : 9 ~ 9 : 1, 보다 바람직하게는 2 : 8 ~ 8 : 2 의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.
보다 구체적으로는, 극성 용제로서 EL 을 배합하는 경우에는, PGMEA : EL 의 질량비는 바람직하게는 1 : 9 ~ 9 : 1, 보다 바람직하게는 2 : 8 ~ 8 : 2 이다. 또한, 극성 용제로서 PGME 를 배합하는 경우에는, PGMEA : PGME 의 질량비는 바람직하게는 1 : 9 ~ 9 : 1, 보다 바람직하게는 2 : 8 ~ 8 : 2, 더욱 바람직하게는 3 : 7 ~ 7 : 3 이다.
또한, (S) 성분으로서, 그 밖에는 PGMEA 및 EL 중에서 선택되는 적어도 1 종과 γ-부티로락톤과의 혼합 용제도 바람직하다. 이 경우, 혼합 비율로는, 전자와 후자의 질량비가 바람직하게는 70 : 30 ~ 95 : 5 가 된다.
(S) 성분의 사용량은 특별히 한정되지 않고, 기판 등에 도포 가능한 농도로, 도포 막두께에 따라 적절히 설정된다. 일반적으로는 레지스트 조성물의 고형분 농도가 1 ~ 20 질량％, 바람직하게는 2 ~ 15 질량％ 의 범위 내가 되도록 사용된다.
본 발명에 의하면, 기판 등의 지지체에 대한 밀착성 및 리소그래피 특성을 향상시킬 수 있고, 또한, 스컴의 발생을 저감할 수 있는 레지스트 조성물을 얻을 수 있다.
상기 효과가 얻어지는 이유는 분명하지는 않지만, 1 급 또는 2 급의 알코올성 수산기 또는 사슬형의 3 급 알코올성 수산기를 갖는 구성 단위 (c0) 을 가져, 극성기인 그 알코올성 수산기가 기판 등의 지지체와 강고하게 결합함으로써, 레지스트 조성물이 현상액 등에 의해 잘 박리되지 않게 되는 (밀착성이 향상되는) 것으로 생각된다. 또한, 밀착성이 향상됨으로써, 박리된 레지스트 조성물에서 유래하는 스컴의 발생이 저감되고, 리소그래피 특성도 향상되는 것으로 생각된다.
≪레지스트 패턴 형성 방법≫
본 발명의 제 2 양태의 레지스트 패턴 형성 방법은, 지지체 상에, 상기 본 발명의 제 1 양태의 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 및 상기 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함한다.
본 발명의 레지스트 패턴 형성 방법은 예를 들어 다음과 같이 하여 실시할 수 있다.
즉, 먼저 지지체 상에, 상기 레지스트 조성물을 스피너 등으로 도포하고, 80 ~ 150 ℃ 의 온도 조건하에서 프리베이크 (포스트 어플라이 베이크 (PAB)) 를 40 ~ 120 초간, 바람직하게는 60 ~ 90 초간 실시하여, 이것에 예를 들어 전자선 묘화기 등에 의해 전자선 (EB) 을 원하는 마스크 패턴을 사이에 두고 선택적으로 노광한 후, 80 ~ 150 ℃ 의 온도 조건하에서 PEB (노광후 가열) 를 40 ~ 120 초간, 바람직하게는 60 ~ 90 초간 실시한다. 이어서, 이것을 현상 처리한다.
알칼리 현상 프로세스의 경우에는, 알칼리 현상액, 예를 들어, 0.1 ~ 10 질량％ 테트라메틸암모늄하이드록사이드 (TMAH) 수용액을 사용하여 알칼리 현상 처리를 실시한다.
또한, 용제 현상 프로세스의 경우에는, 유기 용제를 사용하여 현상 처리를 실시한다. 이 유기 용제로는, (A) 성분 (노광 전의 (A) 성분) 을 용해시킬 수 있는 것이면 되고, 공지된 유기 용제 중에서 적절히 선택할 수 있다. 구체적으로는, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 알코올계 용제, 아미드계 용제, 에테르계 용제 등의 극성 용제, 탄화수소계 용제 등을 들 수 있고, 그 중에서도 에스테르계 용제가 바람직하다. 에스테르계 용제로는 아세트산부틸이 바람직하다.
현상 처리 후, 바람직하게는 린스 처리를 실시한다. 알칼리 현상 프로세스 후의 경우에는 순수를 사용한 물 린스가 바람직하다. 용제 현상 프로세스 후의 경우에는, 상기에서 예시한 유기 용제를 함유하는 린스액을 사용하는 것이 바람직하다.
그 후에는 건조시킨다. 또한, 경우에 따라서는, 상기 현상 처리 후에 베이크 처리 (포스트베이크) 를 실시해도 된다. 이렇게 해서, 마스크 패턴에 충실한 레지스트 패턴을 얻을 수 있다.
지지체로는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 것을 사용할 수 있으며, 예를 들어, 전자 부품용 기판이나, 이것에 소정의 배선 패턴이 형성된 것 등을 예시할 수 있다. 보다 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼, 구리, 크롬, 철, 알루미늄 등의 금속제 기판이나, 유리 기판 등을 들 수 있다. 배선 패턴의 재료로는, 예를 들어 구리, 알루미늄, 니켈, 금 등을 사용할 수 있다.
또한, 지지체로는, 상기 서술한 바와 같은 기판 상에 무기계의 막 및 유기 계의 막으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 막이 형성된 것이어도 된다. 무기계의 막으로는, 무기 반사 방지막 (무기 BARC) 을 들 수 있다. 유기계의 막으로는, 유기 반사 방지막 (유기 BARC) 을 들 수 있다.
노광에 사용하는 파장은 193 ㎚ 이하이면 특별히 한정되지 않고, ArF 엑시머 레이저, F2 엑시머 레이저, EUV (극자외선), VUV (진공 자외선), EB (전자선), X 선, 연(軟) X 선 등의 방사선을 사용하여 실시할 수 있다.
본 발명의 레지스트 조성물은 ArF 엑시머 레이저, EB 또는 EUV 에 대하여 보다 유효하며, ArF 엑시머 레이저에 대해 특히 유효하다.
레지스트막의 노광은 공기나 질소 등의 불활성 가스 중에서 실시하는 통상적인 노광 (드라이 노광) 이어도 되고, 액침 노광이어도 된다.
액침 노광에서는, 노광시에 종래에는 공기나 질소 등의 불활성 가스로 채워져 있는 렌즈와 웨이퍼 상의 레지스트막 사이의 부분을, 공기의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 용매 (액침 매체) 로 채운 상태에서 노광을 실시한다.
보다 구체적으로는, 액침 노광은 상기한 바와 같이 하여 얻어진 레지스트막과 노광 장치의 가장 아래 위치의 렌즈 사이를 공기의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 용매 (액침 매체) 로 채우고, 그 상태에서 원하는 마스크 패턴을 개재하여 노광 (침지 노광) 함으로써 실시할 수 있다.
액침 매체로는, 공기의 굴절률보다 크고, 또한 당해 침지 노광에 의해서 노광되는 레지스트막이 갖는 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 용매가 바람직하다. 이러한 용매의 굴절률로는, 상기 범위 내이면 특별히 제한되지 않는다.
공기의 굴절률보다 크고, 또한, 레지스트막의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 용매로는, 예를 들어 물, 불소계 불활성 액체, 실리콘계 용제, 탄화수소계 용제 등을 들 수 있다.
불소계 불활성 액체의 구체예로는, C3HCl2F5, C4F9OCH3, C4F9OC2H5, C5H3F7 등의 불소계 화합물을 주성분으로 하는 액체 등을 들 수 있고, 비점이 70 ~ 180 ℃ 인 것이 바람직하며, 80 ~ 160 ℃ 인 것이 보다 바람직하다. 불소계 불활성 액체가 상기 범위의 비점을 갖는 것이면, 노광 종료 후에, 액침에 사용한 매체의 제거를 간편한 방법으로 실시할 수 있기 때문에 바람직하다.
불소계 불활성 액체로는, 특히 알킬기의 수소 원자가 모두 불소 원자로 치환된 퍼플루오로알킬 화합물이 바람직하다. 퍼플루오로알킬 화합물로는, 구체적으로는, 퍼플루오로알킬에테르 화합물이나 퍼플루오로알킬아민 화합물을 들 수 있다.
또한 구체적으로는, 상기 퍼플루오로알킬에테르 화합물로는, 퍼플루오로(2-부틸-테트라하이드로푸란) (비점 102 ℃) 을 들 수 있고, 상기 퍼플루오로알킬아민 화합물로는, 퍼플루오로트리부틸아민 (비점 174 ℃) 을 들 수 있다.
액침 매체로는, 비용, 안전성, 환경 문제, 범용성 등의 관점에서 물이 바람직하게 사용된다.
실시예
다음으로, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세히 설명하는데, 본 발명은 이들 예에 의해 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1 ~ 4, 비교예 1 ~ 3]
표 1 에 나타내는 각 성분을 혼합하고 용해하여, 포지티브형의 레지스트 조성물을 조제하였다.
표 1 중의 각 약호는 이하의 의미를 갖는다. 또한, [ ] 안의 수치는 배합량 (질량부) 이다.
(A)-1 : 하기 고분자 화합물 (A)-1.
(B)-1 : 하기 화합물 (B)-1.
(B)-2 : 하기 화합물 (B)-2.
(C)-1 : l / m = 60 / 40 (몰비), Mw = 100,000, Mw / Mn = 2.42 의 하기 화합물 (C)-0.
(C)-2 : 하기 화합물 (C)-2.
(C)-3 : 하기 화합물 (C)-3.
(C)-4 : 하기 화합물 (C)-4.
(C)-A : 하기 화합물 (C)-A.
(C)-B : 하기 화합물 (C)-B.
(C)-C : 하기 화합물 (C)-C.
(D)-1 :트리-n-펜틸아민.
(E)-1 :살리실산.
(S)-1 : PGMEA / PGME = 60 / 40 (질량비) 의 혼합 용제.
[화학식 58]
[l / m / n / o = 5 / 40 / 40 / 15 (몰비), Mw = 14,000, Mw / Mn = 1.70]
[화학식 59]
[화학식 60]
[화학식 61]
[Mw = 100,000, Mw / Mn = 2.16, ( ) 의 오른쪽 아래의 수치는 공중합 조성비 (몰비) 를 나타낸다]
[화학식 62]
[Mw = 100,000, Mw / Mn = 2.3, ( ) 의 오른쪽 아래의 수치는 공중합 조성비 (몰비) 를 나타낸다]
[화학식 63]
[Mw = 140,000, Mw / Mn = 2.05, ( ) 의 오른쪽 아래의 수치는 공중합 조성비 (몰비) 를 나타낸다]
[화학식 64]
[Mw = 100,000, Mw / Mn = 2.45, ( ) 의 오른쪽 아래의 수치는 공중합 조성비 (몰비) 를 나타낸다]
[화학식 65]
[Mw = 100,000, Mw / Mn = 1.98, ( ) 의 오른쪽 아래의 수치는 공중합 조성비 (몰비) 를 나타낸다]
[화학식 66]
[Mw = 140,000, Mw / Mn = 1.89, ( ) 의 오른쪽 아래의 수치는 공중합 조성비 (몰비) 를 나타낸다]
[레지스트 패턴의 형성 1]
8 인치의 실리콘 웨이퍼 상에 상기 레지스트 조성물을 각각 스피너를 사용하여 도포하고, 핫 플레이트 상에서 110 ℃, 60 초간의 조건으로 프리베이크 (PAB) 처리를 실시하여, 건조시킴으로써, 막두께 350 ㎚ 의 레지스트막을 형성하였다.
다음으로, 상기 레지스트막에 대하여, ArF 노광 장치 NSR-S302A (니콘사 제조 ; NA (개구수) = 0.60, σ = 0.75) 에 의해 ArF 엑시머 레이저 (193 ㎚) 를 마스크 패턴을 개재하여 선택적으로 조사하였다. 또, 노광량에 관해서는, 후술하는 현상 결함 평가를 실시하기 때문에, overdose 가 되는 과도한 노광량으로 조사하였다. 그리고, 120 ℃, 60 초간의 조건으로 노광후 가열 (PEB) 처리를 실시하고, 또한 23 ℃ 에서 2.38 질량％ 테트라메틸암모늄하이드록사이드 (TMAH) 수용액 NMD-3 (도쿄 오카 공업 주식회사 제조) 에 의해 30 초간의 조건으로 현상하고, 그 후 30 초간, 순수를 사용하여 물 린스한 후, 물기를 털어서 건조시킨 다음, 100 ℃, 60 초간의 포스트베이크를 실시하였다.
그 결과, 실시예 1 ~ 4 에서는, 상기 레지스트막에 라인 폭 350 ㎚, 피치 700 ㎚ 의 라인 앤드 스페이스 (1 : 1) 의 레지스트 패턴 (LS 패턴) 이 형성되었다 (밀착성이 양호하였다). 한편, 비교예 1 ~ 3 에서는, 현상시에 레지스트막이 기판으로부터 벗겨져, 패턴을 형성할 수 없었다 (밀착성이 나빴다). 밀착성이 양호했던 경우를 A, 밀착성이 나빴던 경우를 B 로 하여, 밀착성의 결과를 표 2 에 나타낸다.
[현상 결함 평가]
상기한 바와 같이 하여 얻어진 350 ㎚ 의 1 : 1 L/S 레지스트 패턴에 관해서, 측장 SEM (히타치 제작소사 제조, 제품명 : S-9220) 의 사진으로부터 표면 현상 결함을 육안으로 관찰하였다. 이하의 기준으로 평가한 결과를 표 2 에 나타낸다.
A : 육안으로 현상 결함이 0 개.
A' :육안으로 현상 결함이 1 ~ 2 개.
B : 육안으로 현상 결함이 3 ~ 5 개.
D : 육안으로 현상 결함이 6 개 이상.
[리소그래피 특성 평가]
상기 [현상 결함 평가] 에 있어서의 측장 SEM (히타치 제작소사 제조, 제품명 : S-9220) 의 사진으로부터 관찰하여, 패턴의 부분적인 벗겨짐이나 라인 형상 등에 관해서 확인하였다. 이하의 기준으로 평가한 결과를 표 2 에 나타낸다.
A : 패턴의 벗겨짐이 없었다.
B : 패턴이 일부 벗겨져 있었다.
C : 패턴이 벗겨지고, 라인 형상이 끝나 있지 않은 부분이 있었다.
표 2 의 결과로부터, 실시예 1 ~ 4 의 레지스트 조성물은 비교예 1 ~ 3 의 레지스트 조성물과 비교하여 밀착성이 양호하기 때문에, 레지스트 패턴을 형성할 수 있었다. 또한, 실시예 1 ~ 4 의 레지스트 조성물을 사용한 경우, 현상 결함이 적고, 리소그래피 특성이 우수한 것을 확인할 수 있었다.
[실시예 5 ~ 10, 비교예 4 ~ 6]
표 3 에 나타내는 각 성분을 혼합하고 용해하여, 포지티브형의 레지스트 조성물을 조제하였다.
표 3 중의 각 약호 중, (A)-1, (B)-1 ~ 2, (D)-1, (E)-1, (S)-1 은 각각 상기와 동일하고, (C)-5 는 이하의 화합물을 나타낸다. 또한, [ ] 안의 수치는 배합량 (질량부) 이다.
(C)-5 : l / m = 60 / 40 (몰비), Mw = 60,000, Mw / Mn = 1.77 의 상기 화합물 (C)-0.
[레지스트 패턴의 형성 2]
상기 레지스트 패턴의 형성 1 과 동일하게 하여, 상기 레지스트 조성물을 각각 사용해서 레지스트 패턴을 형성하였다.
그 결과, 비교예 4 를 제외한 모든 예에 있어서, 레지스트막에 라인 폭 350 ㎚, 피치 700 ㎚ 의 라인 앤드 스페이스 (1 : 1) 의 레지스트 패턴 (LS 패턴) 이 형성되었다 (밀착성이 양호하였다). 밀착성이 양호했던 경우를 A, 밀착성이 나빴던 경우를 B 로 하여, 그 결과를 표 4 에 나타낸다.
또한, 현상 결함 평가 및 리소그래피 특성 평가를 상기와 동일하게 실시하였다. 결과를 표 4 에 나타낸다.
표 4 의 결과로부터, 실시예 5 ~ 10 의 레지스트 조성물은 비교예 4 의 레지스트 조성물과 비교하여 밀착성이 양호하고, 비교예 4 ~ 6 의 레지스트 조성물과 비교하여 현상 결함이 적으며, 리소그래피 특성이 우수한 것을 확인할 수 있었다.
[실시예 11 ~ 15]
표 5 에 나타내는 각 성분을 혼합하고 용해하여, 포지티브형의 레지스트 조성물을 조제하였다.
표 5 중의 각 약호 중, (A)-1, (B)-1 ~ 2, (D)-1, (E)-1, (S)-1 은 각각 상기와 동일하고, (C)-6 ~ 10 은 이하의 화합물을 나타낸다. 또한, [ ] 안의 수치는 배합량 (질량부) 이다.
(C)-6 : Mw = l / m = 60 / 40 (몰비), Mw = 10,000, Mw / Mn = 1.58 의 상기 화합물 (C)-0.
(C)-7 : Mw = l / m = 60 / 40 (몰비), Mw = 25,000, Mw / Mn = 1.66 의 상기 화합물 (C)-0.
(C)-8 : Mw = l / m = 60 / 40 (몰비), Mw = 60,000, Mw / Mn = 1.77 의 상기 화합물 (C)-0.
(C)-9 : Mw = l / m = 60 / 40 (몰비), Mw = 110,000, Mw / Mn = 2.42 의 상기 화합물 (C)-0.
(C)-10 : Mw = l / m = 60 / 40 (몰비), Mw = 300,000, Mw / Mn = 2.51 의 상기 화합물 (C)-0.
[레지스트 패턴의 형성 3]
상기 레지스트 패턴의 형성 1 과 동일하게 하여, 상기 레지스트 조성물을 각각 사용해서 레지스트 패턴을 형성하였다.
그 결과, 레지스트막에 라인 폭 350 ㎚, 피치 700 ㎚ 의 라인 앤드 스페이스 (1 : 1) 의 레지스트 패턴 (LS 패턴) 이 형성되었다 (밀착성이 양호하였다).
또한, 현상 결함 평가 및 리소그래피 특성 평가 (표 중 "특성" 으로 기재) 를 상기와 동일하게 실시하였다. 결과를 표 5 에 병기한다.
표 5 의 결과로부터, 실시예 11 ~ 15 의 레지스트 조성물은 밀착성이 양호하고, 실시예 11 ~ 14 의 레지스트 조성물은 현상 결함이 적고, 실시예 12 ~ 15 의 레지스트 조성물은 특히 리소그래피 특성이 우수한 것을 확인할 수 있었다. 이 점에서, (C) 성분의 분자량이 큰 경우 밀착성이 특히 양호하고, 분자량이 작은 경우, 현상 결함의 저감능이 특히 높은 것을 확인할 수 있었다.
[실시예 16 ~ 18]
표 6 에 나타내는 각 성분을 혼합하고 용해하여, 포지티브형의 레지스트 조성물을 조제하였다.
표 6 중의 각 약호 중, (A)-1, (B)-1 ~ 2, (D)-1, (E)-1, (S)-1 은 각각 상기와 동일하고, (C)-11 ~ 13 은 이하의 화합물을 나타낸다. 또한, [ ] 안의 수치는 배합량 (질량부) 이다.
(C)-11 : Mw = l / m = 70 / 30 (몰비), Mw = 50,000, Mw / Mn = 2.05 의 상기 화합물 (C)-0.
(C)-12 : Mw = l / m = 60 / 40 (몰비), Mw = 50,000, Mw / Mn = 1.77 의 상기 화합물 (C)-0.
(C)-13 : Mw = l / m = 50 / 50 (몰비), Mw = 50,000, Mw / Mn = 1.67 의 상기 화합물 (C)-0.
[레지스트 패턴의 형성 4]
상기 레지스트 패턴의 형성 1 과 동일하게 하여, 상기 레지스트 조성물을 각각 사용해서 레지스트 패턴을 형성하였다.
그 결과, 레지스트막에 라인 폭 350 ㎚, 피치 700 ㎚ 의 라인 앤드 스페이스 (1 : 1) 의 레지스트 패턴 (LS 패턴) 이 형성되었다 (밀착성이 양호하였다).
또한, 현상 결함 평가 및 리소그래피 특성 평가 (표 중 "특성" 으로 기재) 를 상기와 동일하게 실시하였다. 결과를 표 6 에 병기한다.
표 6 의 결과로부터, 실시예 16 ~ 18 의 레지스트 조성물은 밀착성이 양호하고, 현상 결함이 적으며, 리소그래피 특성이 우수한 것을 확인할 수 있었다. 또한, 구성 단위 (c0) 비율이 높은 경우, 밀착성이 특히 양호한 것을 확인할 수 있었다. 또 구성 단위 (c0) 의 비율에 관해서는 낮은 경우일수록, 현상 결함의 저감능이 특히 높은 것이 추측된다.
Claims (8)
- 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화되고, 193 ㎚ 이하의 파장 영역의 광을 노광 광원으로 하는 리소그래피에 사용되는 기재 성분 (A),
노광에 의해 산을 발생시키는 산발생제 성분 (B), 및
하기 일반식 (c0) 으로 나타내는 구성 단위 (c0) 을 갖는 고분자 화합물 (C) 를 함유하는 레지스트 조성물로서,
상기 기재 성분 (A) 100 질량부에 대하여, 상기 고분자 화합물 (C) 의 함유 비율이 25 질량부 미만인 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물.
[화학식 1]
[식 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 5 의 할로겐화 알킬기를 나타내고 ; R1 은 1 개 이상의 1 급 또는 2 급의 알코올성 수산기, 또는 사슬형의 3 급 알코올성 수산기를 갖는 유기기이다] - 제 1 항에 있어서,
상기 고분자 화합물 (C) 가 추가로 α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위로서, 산의 작용에 의해 극성이 증대되는 산분해성기를 함유하는 구성 단위 (c1) 을 갖는 레지스트 조성물. - 제 2 항에 있어서,
상기 고분자 화합물 (C) 를 구성하는 전체 구성 단위에 대하여 상기 구성 단위 (c0) 의 비율이 45 ~ 95 몰％ 인 레지스트 조성물. - 제 1 항에 있어서,
상기 고분자 화합물 (C) 의 질량 평균 분자량이 10000 ~ 500000 인 레지스트 조성물. - 제 1 항에 있어서,
상기 기재 성분 (A) 가 산의 작용에 의해 극성이 증대되는 수지 성분 (A1) 인 레지스트 조성물. - 제 5 항에 있어서,
상기 수지 성분 (A1) 이 α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위로서, 산의 작용에 의해 극성이 증대되는 산분해성기를 함유하는 구성 단위 (a1) 을 갖는 레지스트 조성물. - 제 1 항에 있어서,
추가로 함질소 유기 화합물 성분 (D) 를 함유하는 레지스트 조성물. - 지지체 상에, 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 및 상기 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법.
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