KR20120022671A - 점탄성체 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR20120022671A
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다카시 하부
후미테루 아사이
도모카즈 다카하시
에이이치 이모토
유타 시마자키
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼를 아주 얇게 연삭하는 경우나, 대구경 웨이퍼를 연삭하는 경우라도, 반도체 웨이퍼에 만곡(휨)을 발생시키지 않고, 또한 패턴의 추종성이 우수하여, 시간 경과에 의한 패턴으로부터의 들뜸이 없고, 연삭시의 응력 분산성이 좋아, 웨이퍼 균열, 웨이퍼 에지 결락을 억제하고, 박리시에는 층간 박리의 발생이 없어, 웨이퍼 표면에 점착제 잔사가 남지 않는 반도체 웨이퍼 보호용 점착 시트 등에 사용할 수 있는 수지 재료를 제공하는 것을 목적으로 한다.
우레탄 폴리머와 우레탄 결합할 수 있는 관능기 및 (메트)아크릴로일기와 공중합할 수 있는 활성 탄소 이중 결합을 1분자 중에 갖는 모노머를 개재시켜 이루어지는 우레탄 폴리머와 아크릴 폴리머 공중합체를 포함하는 점탄성체로 하였다.

Description

점탄성체 및 그 제조 방법{VISCOELASTIC BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은, 우레탄 폴리머와 아크릴 폴리머 공중합체를 포함하는 점탄성체 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 각종 전자기기의 소형화나 IC 카드의 보급에 의해, 반도체 웨이퍼 등의 전자부품의 박형화가 한층 더 요구되고 있다. 이 때문에, 종래는 두께가 350 ㎛ 정도였던 반도체 웨이퍼를, 두께 30 ㎛ 이하 정도까지 얇게 할 필요가 있다. 또한, 생산성을 향상시키기 위해, 웨이퍼를 한층 더 대구경화하는 것이 검토되고 있다.
통상, 반도체 웨이퍼의 제조에서는, 웨이퍼의 표면에 회로 패턴을 형성한 후, 소정의 두께가 될 때까지 웨이퍼의 이면을 그라인더 등으로 연삭하는 것이 행해지고 있다. 그 때, 웨이퍼의 표면을 보호할 목적으로, 웨이퍼 표면에 점착 시트를 접합시킨 후에 이면 연삭하는 것이 일반적으로 행해지고 있다. 또한, 웨이퍼를 박형으로 가공한 후에는, 웨이퍼 표면에 점착 시트를 접합시킨 상태로, 다음 공정에 반송하는 경우가 있다.
그러나, 웨이퍼의 표면을 점착 시트로 보호한 상태로 극도로 얇게 이면 연삭한 경우, 연삭 후의 웨이퍼에 휨이 생기기 쉽다. 휨이 생긴 웨이퍼는 반송중이나 점착 시트의 박리중에 깨지는 문제가 있다. 이것은, 점착 시트를 접합시킨 웨이퍼의 이면을 연삭하는 것에 의해, 웨이퍼의 강도보다 점착 시트의 잔류 응력이 우수하면, 잔류 응력을 해소하고자 하는 힘에 의해 웨이퍼에 휨이 발생한다고 생각된다.
이 연삭 후의 웨이퍼의 휨은, 점착 시트에 남는 잔류 응력에 의한 영향이 크다고 생각된다. 이 잔류 응력은 기재 및 점착제로 구성되는 점착 시트에서는 기재에의 점착제의 도공 또는 기재와 점착제층의 접합의 제조 공정과 점착 시트를 웨이퍼에 접착할 때의 공정에서 주로 발생하고, 잔류 응력이 존재한 점착 시트를 접합시킨 웨이퍼를 극도로 얇게 연삭하면, 웨이퍼의 강도보다 점착 시트의 잔류 응력이 우수하여, 이 잔류 응력을 해소하고자 하는 힘에 의해 웨이퍼에 휨이 발생한다고 생각된다. 또한, 그렇기 때문에 이 잔류 응력을 저감시키기 위해, 점착 시트의 구성에도 여러 가지 개량이 가해져 잔류 응력이 발생하지 않는 구성이 제안되어 있다. 예컨대 특허문헌 1에서는, 기재 필름과 점착제층으로 구성된 반도체 웨이퍼 보호용 점착 시트로서, 기재 필름의 인장 탄성률이 0.6 GPa인 것이 제안되어 있다.
또한, 특허문헌 2에서는, 기재와, 그 위에 형성된 점착제층으로 이루어지는 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트로서, 점착 시트의 인장 시험에서 신도 10%에서의 1분 후의 응력 완화율이 40% 이상인 것이 제안되어 있다.
일반적으로, 반도체 웨이퍼 표면에 접합되는 점착 시트는 기재층과 점착제층의 구성으로 형성되어 있다. 이러한 점착 시트는 제조 공정에서, 기재에 점착제를 직접 도공하여 세퍼레이터와 접합시키거나, 세퍼레이터에 점착제를 도공하여 기재와 접합시켜 제조하지만, 그 때에 기재 및 세퍼레이터가 느슨해지지 않도록 어느 정도의 장력으로 펴야 하기 때문에, 접합시킬 때에는 반드시 응력이 발생한다.
또한, 웨이퍼의 표면에 접합시킬 때에는 접합기를 이용하여, 접합 테이블 위에 웨이퍼의 표면이 위가 되도록 웨이퍼를 배치하고, 그 위에 점착 시트를 점착제층이 밑이 된 상태에서, 접합 방향을 따라 느슨해지지 않도록 당기면서 공급한다. 이렇게 하여 점착 시트의 점착제층을 웨이퍼의 표면과 대향시켜, 압착 롤러 등의 압압 수단에 의해 점착 시트의 기재측으로부터, 접합 방향을 따라 순차 압착하여 접합을 행한다.
이 때도, 점착 시트에는 점착 시트를 접합 방향을 따라 당기는 힘과, 점착 시트를 웨이퍼에 압착하는 힘이 걸리기 때문에, 점착 시트를 웨이퍼에 접합시키면 이들 힘이 잔류 응력이 되어 점착 시트에 남는다.
사실, 상기 특허문헌에 기재된 바와 같은, 이들 점착 시트의 여러 특성은, 반도체 웨이퍼를 극도로 얇게 연삭할 때, 또는 대구경 웨이퍼를 연삭할 때에, 연삭 후의 웨이퍼의 휨을 억제하는 것으로서 반드시 최적의 것이 아니기 때문에, 연삭 후의 웨이퍼의 휨을 한층 더 억제할 수 있는 반도체 웨이퍼 보호용 점착 시트의 제공이 요구되고 있었다.
또한, 최근 웨이퍼 연삭 두께의 극박화에 따라, 연삭시의 응력에 의한 웨이퍼 균열이나 웨이퍼 에지부의 결락이 없는 것도 요구되고 있고, 연삭 후에는 웨이퍼로부터 점착 시트를 박리해야 하여, 그 때에는 웨이퍼 표면의 회로 패턴에 점착제가 남는 오염이 없는 것도 요구된다.
추가로, 다이싱시에 있어서, 웨이퍼의 고정을 위해 2층 이상의 점착 시트를 사용했을 때에는, 이들 층의 계면에서 절단날에 걸리는 힘 등이 변화하는 것에 의해, 점착제층의 미소한 덩어리가 절단날이나 점착 시트에 부착되는 소위 볼이 발생한다. 그리고, 이들 볼이 점착 시트 표면에 부착되어, 웨이퍼 균열의 원인이 되는 경우도 있었다.
[선행기술문헌]
[특허문헌]
특허문헌 1 일본 특허 공개 제2000-212524호 공보
특허문헌 2 일본 특허 공개 제2000-150432호 공보
본 발명은, 반도체 웨이퍼를 극도로 얇게 연삭하는 경우나, 대구경 웨이퍼를 연삭하는 경우라도, 반도체 웨이퍼에 휨을 발생시키지 않고, 또한 패턴의 추종성이 우수하여, 시간 경과에 따른 패턴으로부터의 들뜸이 없으며, 연삭시의 응력 분산성이 좋아, 웨이퍼 균열, 웨이퍼 에지 결락을 억제하고, 박리시에는 층간 박리의 발생이 없어, 웨이퍼 표면에 점탄성체의 잔사가 남지 않으며, 또한 절단시에 점탄성체로 이루어지는 소위 볼을 발생시키지 않는 반도체 웨이퍼용 등에 사용이 가능한 우레탄 폴리머와 아크릴 폴리머 공중합체를 포함하는 점탄성체 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해 본 발명자는 점탄성체의 수지에 대해서 검토를 거듭한 결과, 이하의 구성을 채용하는 것이 필요한 것에 이르렀다.
1. 우레탄 폴리머와 우레탄 결합할 수 있는 관능기 및 (메트)아크릴로일기와 공중합할 수 있는 활성 탄소 이중 결합을 1분자 중에 갖는 모노머를 개재시켜 이루어지는 우레탄 폴리머와 아크릴 폴리머 공중합체를 포함하는 점탄성체.
2. 반도체 웨이퍼의 가공에 이용되는 1에 기재된 점탄성체.
3. 말단에 비닐기를 갖는 우레탄 폴리머에 아크릴계 모노머를 중합시켜 이루어지는 우레탄 폴리머와 아크릴 폴리머 공중합체를 포함하는 점탄성체의 제조 방법.
(본 발명의 점탄성체 및 그 제조 방법의 전체 구성)
본 발명은 상기한 구성을 채용하여 이루어지는, 우레탄 폴리머와 아크릴 폴리머 공중합체를 포함하는 점탄성체 및 그 제조 방법이다.
여기서, 본 발명의 점탄성체는, 점탄성체만의 층을 갖는 1층으로 이루어지는 점탄성체 시트로 할 수 있고, 그 경우에는, 그 점탄성체 시트 전체가 잔류 응력을 갖지 않는다고 하는 성질을 갖춘 것이다.
이 점탄성체 시트는 응력 완화하는 점탄성체 시트이기 때문에, 점탄성체 시트의 제조 공정, 시트 접합 공정시에 발생하는 잔류 응력도 매우 작아진다. 이 때문에, 2층 이상의 점착 시트를 사용했을 때와는 달리, 이와 같은 점탄성체 시트를 이용하여, 예컨대 반도체 웨이퍼를 고정하고, 그 이면 연삭을 행하면, 연삭 후의 웨이퍼의 휨을 저감할 수 있다.
또한, 1층으로 이루어지는 점탄성체 시트를 제작하여, 이 시트를 반도체 웨이퍼의 고정, 또는 표면 보호용 시트로서 사용할 때에, 그 시트를 절단할 때에는, 경도나 신장률 등이 상이한 2층 이상으로 이루어지는 시트를 절단하지 않아도 좋다. 이 때문에 절단날은 동일한 힘, 및 동일한 응력으로 점탄성체 시트의 층 방향으로 이동하여 점탄성체 시트를 절단하는 것이 가능해진다.
이 때문에 2층 이상의 시트를 절단하는 경우과 같이, 층의 계면에서 날에 걸리는 힘 등이 변화하는 것에 의해, 점탄성체의 미소한 덩어리가 날이나 점탄성체 시트에 부착되는, 소위 볼의 발생을 방지하는 것이 가능해진다. 따라서, 볼이 부착된 날이나 점탄성체 시트가, 다음 이후의 공정에서 웨이퍼나 점탄성체 시트의 절단을 어렵게 하지 않는다.
본 발명의 점탄성체를 이용한, 기재층이 존재하지 않는 1층의 점탄성체 시트는 우레탄 폴리머와 아크릴계 폴리머를 주제(主劑)로 하는 점탄성체 시트이다. 점탄성체 시트가 우레탄 폴리머와 우레탄 결합할 수 있는 관능기 및 (메트)아크릴로일기와 공중합할 수 있는 활성 탄소 이중 결합을 1분자 중에 갖는 모노머를 개재시켜 이루어지는, 우레탄 폴리머와 아크릴 폴리머 공중합체를 포함하는 점탄성체의 1층으로 이루어지는 타입이면, 통상의 점착 시트 제조 공정에서 볼 수 있는 기재 제막시의 연신 공정이나 기재에의 점착제 직사 또는 전사 후의 접합시의 제조 공정의 잔류 응력이 발생하지 않고, 웨이퍼를 극도로 얇게 연삭했을 때에 상기와 같이 웨이퍼의 휨을 저하시킬 수 있다.
또한 반도체 웨이퍼 이면 연삭 후에 1층으로 이루어지는 점탄성체 시트를 반도체 웨이퍼로부터 박리할 때, 기재 등의 층과 점탄성체층 사이의 계면이 존재하지 않기 때문에, 박리시에 기재 및 점탄성체의 층간에서 박리되어 패턴면에 풀 잔존물이 발생하는 리스크가 없어지는 효과가 있다.
본 발명의 아크릴 우레탄 수지를 함유하여 이루어지는 점탄성체를 얻는 방법으로서는, 아크릴계 모노머에 우레탄 폴리머를 용해시키고, 이것을 중합하는 것에 의해 아크릴 수지와 우레탄 수지의 블렌드로서도 좋고, 우레탄 폴리머에 불포화 결합을 도입해 두고, 이 불포화 결합이 아크릴 모노머와 반응하는 것에 의해 얻은 아크릴과 우레탄 폴리머와의 공중합체로서도 좋다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 점탄성체를 사용한 점탄성체 시트는, 제조 공정에서의 점탄성체 시트에서는 잔류하는 응력은 거의 없어지지만, 점탄성체 시트가 갖는 점착성을 이용하여 웨이퍼에 접착할 때에 응력이 잔류하게 된다.
그리고, 1층으로 이루어지고, 기재층을 갖지 않기 때문에, 패턴에의 추종성을 고려하면 10% 신장시에 응력 완화율이 40% 이상 되는 것이 바람직하다. 응력 완화율이 40% 이상 됨으로써, 접착시의 응력의 영향에 의한 웨이퍼의 휨도 억제할 수 있다.
또한 통상의 점착제는 인장 탄성률이 1 MPa 이하가 대부분이지만, 응력 완화율은 40% 이하 정도로 작고, 웨이퍼 패턴에 접착 후에 시간이 경과함에 따라 추종하고 있던 패턴으로부터 들뜨는 경향이 있다. 그러나, 1층으로 이루어지고 10% 신장시의 응력 완화율이 40% 이상 되는 점탄성체 시트는 시간 경과에 따른 들뜸이 작아진다.
본 발명의 점탄성체를 사용한 1층으로 이루어지는 점탄성체 시트의 두께는, 5 ㎛?1000 ㎛인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 ㎛?500 ㎛, 더 바람직하게는 30 ㎛?250 ㎛이다.
1층의 점탄성체 시트의 두께가 이러한 범위에 있는 경우, 반도체 웨이퍼 이면 연삭시에 표면을 충분히 보호할 수 있다. 1층의 점탄성체 시트가 5 ㎛ 미만인 경우, 웨이퍼 표면이 작은 요철이어도 추종하여, 보호할 수 없이 연삭시에 균열되어 버리는 경우가 있다. 또한, 1층의 점탄성체 시트가 1000 ㎛를 초과하는 경우는, 접착 후의 테이프 커트성 및 장치에서의 작업성 면에서 바람직하지 않다.
본 발명의 점탄성체를 사용한 점탄성체 시트는, 양면의 점착력이 동일하여도 좋지만, 상이하여도 좋다. 동일한 점착력으로 하는 경우에는, 다이싱용의 보호 시트나, 점탄성체 시트의 양면의 점착력에 차이가 나타나는 대상물인 경우 등에 사용할 수 있다.
상기 점탄성체 시트의 양면의 점착력을 상이한 것으로 하기 위해, 한 면의 끈기(tackiness)를 소실시켜 그 면만을 비점착화 처리할 수 있다. 그 처리 방법으로서 특히 바람직한 것은, 한 면만의 표면에 요철을 형성하거나, 실리카 입자 등을 부착시키는 것에 의한 표면 처리를 실시함으로서 점착력을 저하시키는 방법이다.
1층으로 이루어지는 상기 점탄성체 시트의 경우, 한 면을 비점착화 처리하지 않으면 반도체 웨이퍼의 반송시에 반송 아암이나 테이블에 밀착되어 붙어 버리는 것이 염려되기 때문에, 이러한 반도체 웨이퍼 보호용 점탄성체 시트가 붙지 않고, 반도체 웨이퍼 이면 연삭 공정 및 연삭 후에도 반송할 수 있도록 상기 점탄성체 시트의 한 면을 비점착화 처리하는 것이 바람직하다.
본 발명의 점탄성체를 사용한 반도체 웨이퍼 보호용 점탄성체 시트는, 두께 정밀도가 좋은 세퍼레이터(특히 PET 세퍼레이터 등)에 자외선 경화형 프리폴리머를 통상 도공하고, 예컨대 도공면을 요철 세퍼레이터로 커버한 상태로 자외선을 조사하는 것에 의해, 요철 세퍼레이터의 요철을 점탄성체 시트 한 면에 전사하는 형태로, 한 면만을 비점착화 또는 약점착화할 수 있다.
또한, 점탄성체 시트의 한 면을 불소화 처리하는 등에 의해, 그 면을 약점착화 또는 비점착화할 수 있다.
(점착성)
점착성은, 점탄성체인 베이스 폴리머의 조성, 가교제의 종류, 배합비 등을 적절히 조합하여 조정한다. 예컨대 베이스 폴리머의 Tg, 가교 밀도를 컨트롤함으로써 얻어지는 점탄성체 시트의 초기 탄성률이나 점착력을 제어하는 것이 가능하다.
본 발명의 점탄성체를 사용한 점탄성체 시트로서는, 예컨대 자외선 경화형의 것을 사용할 수 있다. 그중에서도, 반도체 웨이퍼에의 접착성, 박리 후의 반도체 웨이퍼의 초순수나 알코올 등의 유기 용제에 의한 청정 세정성 등의 점에서, 우레탄 폴리머와 비닐계 폴리머를 유효 성분으로 하는 것이 바람직하다.
우레탄 폴리머의 조성, 비닐계 폴리머의 종류나 조성, 우레탄 폴리머와 비닐계 폴리머와의 배합비 등을 적절하게 선택하는 것에 의해, 또한 가교제 등을 더 적절하게 조합하는 것에 의해, 여러 가지 특성을 갖는 점탄성체 시트를 얻을 수 있다.
그 중에서도 재박리성에 필요한 적절한 점착력을 발휘시키고, 잔류 응력을 저감하기 위해서는, 아크릴 우레탄 수지중의 우레탄 폴리머를 10 중량%?90 중량%, 바람직하게는 30 중량%?60 중량%, 보다 바람직하게는 40 중량%, 아크릴계 모노머를 10 중량%?90 중량%, 바람직하게는 40 중량%?70 중량%, 보다 바람직하게는 60 중량%로 한다.
본 발명에서 점탄성체 시트는, 예컨대 우레탄 폴리머의 존재하에서, 비닐계 모노머를 용액 중합이나 에멀전 중합하는 것에 의해 얻을 수 있다. 점탄성체 시트를 구성하는 비닐계 폴리머는, 아크릴계 폴리머인 것이 바람직하고, 이 경우에는, 아크릴계 모노머를 용액 중합 등을 하는 것에 의해 아크릴 우레탄 수지로 이루어지는 재료를 얻을 수 있다.
본 발명의 점탄성체를 사용한 점탄성체 시트는, 라디칼 중합성 모노머로서의 비닐계 모노머를 희석제로서, 이 라디칼 중합성 모노머중에서 우레탄 폴리머를 형성하고, 라디칼 중합성 모노머와 우레탄 폴리머를 주성분으로서 포함하는 혼합물을 세퍼레이터에 도포하고, 방사선을 조사하여 경화시키는 것에 의해, 형성하여도 좋다. 여기서, 라디칼 중합성 모노머로서는, 라디칼 중합 가능한 불포화 이중 결합을 갖는 것이 사용되고, 비닐계 모노머 등이 사용되지만, 반응성의 점에서는, 아크릴계 모노머가 바람직하다.
구체적으로는, (a) 폴리올과 디이소시아네이트를 반응시켜 우레탄 폴리머를 합성한 후, 이 반응 생성물을 아크릴계 모노머에 용해시켜 점도 조정을 행하고, 이것을 제1 필름에 도공한 후, 저압 수은 램프 등을 이용하여 경화시키는 것에 의해, 우레탄-아크릴 복합재료를 얻을 수 있다. 그리고, 그 우레탄 폴리머를 말단에 비닐기를 갖는 폴리머로 하는 것에 의해, 아크릴계 모노머와 공중합시키는 것도 가능하다.
또한, (b) 폴리올을 아크릴계 모노머에 용해시킨 후, 디이소시아네이트를 반응시켜 우레탄 폴리머를 합성하고 점도 조정을 행하며, 이것을 제1 필름에 도공한 후, 저압 수은 램프 등을 이용하여 경화시키는 것에 의해, 우레탄-아크릴 복합 재료를 얻을 수도 있다. 이 때에, 예컨대 수산기 함유 비닐계 모노머를 첨가하는 것에 의해 말단에 비닐기를 갖는 우레탄 폴리머를 합성하는 등을 해 두면, 그 비닐기가 아크릴계 모노머를 공중합하는 것이 가능해진다.
이들 방법에서는, 아크릴계 모노머를 우레탄 합성중에 한번에 첨가하여도 좋고, 몇 회로 분할하여 첨가하여도 좋다. 또한, 디이소시아네이트를 아크릴계 모노머에 용해시킨 후, 폴리올을 반응시켜도 좋다.
여기서, (a)의 방법에 의하면, 폴리올과 디이소시아네이트와의 반응에 의해 생성되는 폴리우레탄의 분자량이 높아지면, 아크릴계 모노머에 용해시키기 어려워지기 때문에, 폴리우레탄의 분자량이 필연적으로 한정되어 버린다고 하는 결점이 있다.
한편, (b)의 방법에 의하면, 분자량이 한정되지 않고, 고분자량의 폴리우레탄을 생성할 수도 있기 때문에, 최종적으로 얻어지는 우레탄의 분자량을 임의의 크기로 설계할 수 있다.
또한, (c) 미리, 별도 조정한 우레탄 폴리머를 아크릴계 모노머 중에 용해하고, 이것을 제1 필름에 도공한 후, 저압 수은 램프 등을 이용하여 경화시키는 것에 의해, 우레탄-아크릴 수지 재료를 얻을 수도 있다.
(아크릴계 모노머)
본 발명에 바람직하게 이용되는 아크릴계 모노머로서는, 예컨대 (메트)아크릴산, (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산프로필, (메트)아크릴산부틸, (메트)아크릴산펜틸, (메트)아크릴산헥실, (메트)아크릴산2-에틸헥실, (메트)아크릴산옥틸, (메트)아크릴산이소옥틸, (메트)아크릴산노닐, (메트)아크릴산이소노닐, (메트)아크릴산이소보르닐 등을 들 수 있다.
이들의 에스테르와 함께, 말레산, 이타콘산 등의 카르복실기를 갖는 모노머나, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 6-히드록시헥실(메트)아크릴레이트 등의 히드록실기를 갖는 모노머를 이용할 수 있다.
또한, 아세트산비닐, 프로피온산비닐, 스티렌, 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 말레산의 모노 또는 디에스테르, 및 그 유도체, N-메틸올아크릴아미드, 글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, N,N-디메틸아미노에틸아크릴레이트, N,N-디메틸아미노프로필메타크릴아미드, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 아크릴로일모르폴린, N,N-디메틸아크릴아미드, N,N-디에틸아크릴아미드, 이미드아크릴레이트, N-비닐피롤리든, 올리고에스테르아크릴레이트, ε-카프로락톤아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 메톡시화시클로도데카트리엔아크릴레이트, 메톡시에틸아크릴레이트 등의 모노머를 공중합하여도 좋다. 또한, 이들 공중합되는 모노머의 종류나 사용량은, 점탄성체의 특성 등을 고려하여 적절하게 결정된다.
본 발명에서는, 필요에 따라, 특성을 손상하지 않는 범위 내에서 다른 다관능 모노머를 첨가할 수도 있다. 다관능 모노머로서는, 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 헥산디올디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메트)아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 폴리에스테르아크릴레이트 등을 들 수 있고, 특히 바람직하게는, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트이다. 이들의 모노머도, 본 발명에 따른 라디칼 중합성 모노머에 포함된다.
이들의 라디칼 중합성 모노머는, 우레탄과의 상용성, 방사선 등의 광경화시의 중합성이나, 얻어지는 고분자량체의 특성을 고려하여, 종류, 조합, 사용량 등이 적절하게 결정된다.
(우레탄 폴리머)
우레탄 폴리머는, 폴리올과 폴리이소시아네이트를 반응시켜 얻어진다. 이소시아네이트와 폴리올의 수산기와의 반응에는, 촉매를 이용하여도 좋다. 예컨대 디부틸주석 디라우레이트, 옥토산주석, 1,4-디아자비시클로(2,2,2)옥탄 등의, 우레탄 반응에서 일반적으로 사용되는 촉매를 이용할 수 있다.
폴리올로서는, 1분자 중에 2개 또는 그 이상의 수산기를 갖는 것이 바람직하다. 저분자량의 폴리올로서는, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 부틸렌글리콜, 헥사메틸렌글리콜 등의 2가의 알코올, 트리메틸올프로판, 글리세린 등의 3가의 알코올, 또는 펜타에리스리톨 등의 4가의 알코올 등을 들 수 있다.
또한, 고분자량의 폴리올로서는, 에틸렌 옥시드, 프로필렌 옥시드, 테트라히드로푸란 등을 부가 중합하여 얻어지는 폴리에테르 폴리올, 또는 전술한 2가의 알코올, 디프로필렌글리콜, 1,4-부탄디올, 1,6-헥산디올, 네오펜틸글리콜 등의 알코올과 아디프산, 아젤라산, 세바신산 등의 2가의 염기산과의 중축합물로 이루어지는 폴리에스테르 폴리올이나, 아크릴 폴리올, 카보네이트 폴리올, 에폭시 폴리올, 카프로락톤 폴리올 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, 폴리에테르 폴리올, 폴리에스테르 폴리올이 바람직하다.
아크릴 폴리올로서는 히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 히드록시프로필(메트)아크릴레이트 등의 수산기를 갖는 모노머의 공중합체 외에, 수산기 함유물과 아크릴계 모노머와의 공중합체 등을 들 수 있다. 에폭시 폴리올로서는 아민 변성 에폭시 수지 등이 있다. 이들의 폴리올류는 단독 또는 병용하여 사용할 수 있다. 강도를 필요로 하는 경우에는, 트리올에 의한 가교 구조를 도입하거나, 저분자량 디올에 의한 우레탄 하드 세그멘트량을 증가시키면 효과적이다. 신장을 중시하는 경우에는, 분자량이 큰 디올을 단독으로 사용하는 것이 바람직하다. 또한 폴리에테르 폴리올은, 일반적으로, 저렴하고 내수성이 양호하고, 폴리에스테르 폴리올은, 강도가 높다. 본 발명에서는, 용도나 목적에 따라, 폴리올의 종류나 양을 자유롭게 선택할 수 있고, 또한 도포하는 필름의 특성, 이소시아네이트와의 반응성, 아크릴과의 상용성 등의 관점에서도 폴리올의 종류, 분자량이나 사용량을 적절하게 선택할 수 있다.
폴리이소시아네이트로서는 방향족, 지방족, 지환족의 디이소시아네이트, 이들의 디이소시아네이트의 2량체, 3량체 등을 들 수 있다. 방향족, 지방족, 지환족의 디이소시아네이트로서는, 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트, 수소 첨가 크실릴렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 수소 첨가 디페닐메탄디이소시아네이트, 1,5-나프틸렌디이소시아네이트, 1,3-페닐렌디이소시아네이트, 1,4-페닐렌디이소시아네이트, 부탄-1,4-디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,4,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 시클로헥산-1,4-디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-4,4-디이소시아네이트, 1,3-비스(이소시아네이트메틸)시클로헥산, 메틸시클로헥산디이소시아네이트, m-테트라메틸크실릴렌디이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또한, 이들의 2량체, 3량체나, 폴리페닐메탄폴리이소시아네이트가 이용된다. 3량체로서는, 이소시아누레이트형, 뷰렛형, 알로파네이트형 등을 들 수 있고, 적절하게, 사용할 수 있다.
이들의 폴리이소시아네이트류는 단독 또는 병용으로 사용할 수 있다. 우레탄 반응성, 아크릴과의 상용성 등의 관점에서, 폴리이소시아네이트의 종류, 조합 등을 적절하게 선택하면 좋다.
본 발명에서는, 우레탄 폴리머가 헥사메틸렌디이소시아네이트(HDI), 수소 첨가 톨릴렌디이소시아네이트(HTDI), 수소 첨가 4,4-디페닐메탄디이소시아네이트(HMDI), 이소포론디이소시아네이트(IPDI), 및 수소 첨가 크실렌디이소시아네이트(HXDI)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류의 디이소시아네이트를 이용하여 형성되는 것이 바람직하다.
상기 우레탄 폴리머에 대하여, 수산기 함유 아크릴 모노머를 첨가하여도 좋다. 수산기 함유 아크릴 모노머를 첨가하는 것에 의해, 우레탄 프리폴리머의 분자 말단에 (메트)아크릴로일기를 도입할 수 있고, 아크릴계 모노머와의 공중합성이 부여되어, 우레탄 성분과 아크릴 성분과의 상용성이 높아지며, 파단 강도 등의 S-S 특성의 향상을 도모할 수도 있다. 수산기 함유 아크릴 모노머로서는, 히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 히드록시헥실(메트)아크릴레이트 등이 이용된다. 수산기 함유 아크릴 모노머의 사용량은, 우레탄 폴리머 100 중량부에 대하여, 0.1?10 중량부인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 1?5 중량부이다.
이와 같이 하여 얻어진 우레탄 아크릴 수지는 우레탄 수지와 아크릴 수지의 블렌드가 아니라, 아크릴 수지의 주쇄에 우레탄 폴리머 말단의 (메트)아크릴로일기가 공중합하는 것에 의해 일체의 중합체가 된다.
본 발명에서, 우레탄 폴리머를 형성하기 위한 폴리올 성분과 폴리이소시아네이트 성분의 사용량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예컨대 폴리올 성분의 사용량은, 폴리이소시아네이트 성분에 대하여, NCO/OH(당량비)가 0.8 이상인 것이 바람직하고, 0.8 이상, 3.0 이하인 것이 더 바람직하다. NCO/OH가 O.8 미만에서는, 우레탄 폴리머의 분자쇄 길이를 충분히 늘릴 수 없어, 점탄성체 시트의 강도나, 신장이 저하되기 쉽다. 또한 NCO/0H가 3.0 이하이면, 유연성을 충분히 확보할 수 있다.
(점탄성체에 첨가 가능한 첨가제)
점탄성체 시트를 구성하는 점탄성체층에는, 필요에 따라, 통상 사용되는 수지용 첨가제, 예컨대 자외선흡수제, 노화방지제, 충전제, 안료, 착색제, 난연제, 대전방지제 등을 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에서 첨가할 수 있다. 이들 첨가제는, 그 종류에 따라 통상의 양으로 이용된다.
이들 첨가제는, 폴리이소시아네이트와 폴리올과의 중합 반응 전에, 미리 부가해 두어도 좋고, 우레탄 폴리머와 반응성 모노머를 중합시키기 전에, 첨가하여도 좋다. 또한 도공시의 점도 조정을 위해, 소량의 용제를 가하여도 좋다. 용제로서는, 통상 사용되는 용제 중에서 적절하게 선택할 수 있지만, 예컨대 아세트산에틸, 톨루엔, 클로로포름, 디메틸포름아미드 등을 들 수 있다.
(점탄성체 시트의 제조)
본 발명에서는, 전술한 바와 같이, 예컨대 라디칼 중합성 모노머 중에서 폴리올과 이소시아네이트의 반응을 행하여, 우레탄 폴리머와 라디칼 중합성 모노머와의 혼합물을 세퍼레이터에 도포하고, 광중합 개시제의 종류 등에 따라, α선, β선, γ선, 중성자선, 전자선 등의 전리성 방사선이나 자외선 등의 방사선, 가시광 등을 조사하는 것에 의해, 광경화하여 이루어지는 점탄성체에 의해 점탄성체 시트를 형성할 수 있다.
이 때, 산소에 의한 중합 저해를 피하기 위해, 세퍼레이터 위에 도포한 우레탄 폴리머와 라디칼 중합성 모노머와의 혼합물 위에, 박리 처리한 시트를 얹어 산소를 차단하여도 좋고, 비활성 가스를 충전한 용기 안에 기재를 넣고, 산소 농도를 내려도 좋다. 본 발명에서, 방사선 등의 종류나 조사에 사용되는 램프의 종류 등은 적절하게 선택할 수 있고, 형광 케미컬 램프, 블랙 라이트, 살균 램프 등의 저압 램프나, 메탈 할라이드 램프, 고압 수은 램프 등의 고압 램프 등을 이용할 수 있다. 자외선 등의 조사량은, 요구되는 필름의 특성에 따라, 임의로 설정할 수 있다.
일반적으로는, 자외선의 조사량은 100 mJ/㎠?5,000 mJ/㎠, 바람직하게는 1,000 mJ/㎠?4,000 mJ/㎠, 더 바람직하게는 2,000 mJ/㎠?3,OOO mJ/㎠이다. 자외선의 조사량이 100 mJ/㎠보다 적으면, 충분한 중합률이 얻어지지 않는 경우가 있고, 5,000 mJ/㎠보다 많으면, 열화의 원인이 되는 경우가 있다.
또한 자외선 조사할 때의 온도에 대해서는 특별히 한정이 없어 임의로 설정할 수 있지만, 온도가 너무 높으면 중합열에 의한 정지 반응이 일어나기 쉬워져, 특성 저하의 원인이 되기 쉽기 때문에, 통상은 70℃ 이하이며, 바람직하게는 50℃ 이하이며, 더 바람직하게는 30℃ 이하이다.
우레탄 폴리머와 라디칼 중합성 모노머를 주성분으로 하는 혼합물에는, 광중합 개시제가 포함된다. 광중합 개시제로서는 벤조인메틸에테르, 벤조인이소프로필에테르 등의 벤조인에테르, 아니솔메틸에테르 등의 치환 벤조인에테르, 2,2-디에톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논 등의 치환 아세토페논, 1-히드록시-시클로헥실-페닐-케톤, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논 등의 치환 알파-케톨, 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드, 1-페닐-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)-옥심 등의 광활성 옥심이 바람직하게 이용된다.
본 발명에서는, 분자 내에 수산기를 갖는 광중합 개시제를 이용하는 것이 특히 바람직하다. 폴리올과 폴리이소시아네이트를 반응시켜 우레탄 폴리머를 형성할 때에, 분자 내에 수산기를 갖는 광중합 개시제를 공존시킴으로써, 우레탄 폴리머 중에 광중합 개시제를 포함시킬 수 있다. 이것에 의해, 방사선을 조사하여 경화시킬 때에 우레탄-아크릴의 블록 폴리머를 생성할 수 있다. 이 효과에 의해 신장과 강도를 향상시킬 수 있는 것으로 추정된다.
또한 점탄성체 시트에는 열팽창성 미립자가 배합되어 있어도 좋다. 열발포성 미립자는, 열에 의한 열팽창성 미립자의 발포에 의해, 접착 면적이 감소하여 박리가 용이해지는 것이며, 열팽창성 미립자의 평균 입자 직경은 1 ㎛?25 ㎛ 정도의 것이 바람직하다. 더 바람직하게는 5 ㎛?15 ㎛이며, 특히 10 ㎛ 정도의 것이 바람직하다. 열팽창성 미립자로서는, 가열 하에 팽창하는 소재를 특별히 제한없이 사용할 수 있지만, 예컨대 부탄, 프로판, 펜탄 등과 같은 저비점의 적절한 가스 발포성 성분을 인 사이트(in-site) 중합법 등에 의해, 염화비닐리덴, 아크릴로니트릴 등의 공중합물의 각벽(殼壁)에서 캡슐화한 열팽창성 마이크로 캡슐을 이용할 수 있다. 열팽창성 마이크로 캡슐은, 상기 점탄성체와의 분산 혼합성이 우수한 이점 등도 갖는다. 열팽창성 마이크로 캡슐의 시판품으로서는, 예컨대 마이크로 스페어(상품명: 마쓰모토유지사제) 등을 들 수 있다.
상기 점탄성체 시트에 대한 열팽창성 미립자(열팽창성 마이크로 캡슐)의 배합량은, 상기 점탄성체 시트의 종류에 따라, 점탄성체의 점착력을 저하시킬 수 있는 양을, 적절하게 결정할 수 있지만, 일반적으로는 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여, 1 중량부?100 중량부 정도, 바람직하게는 5 중량부?50 중량부, 더 바람직하게는 10 중량부?40 중량부이다.
본 발명의 점탄성체 시트의 두께는, 목적 등에 따라, 적절하게 선택할 수 있다. 특히 정밀 부품의 가공용에 이용하는 경우, 점탄성체 시트는 10 ㎛?300 ㎛인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 50 ㎛?250 ㎛ 정도이며, 그 외 필름의 경우에는 10 ㎛?300 ㎛인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 30 ㎛?200 ㎛ 정도이다.
(본 발명의 점탄성체에 의한 점탄성체 시트의 사용방법)
본 발명의 점탄성체에 의한 점탄성체 시트는, 예컨대 반도체 웨이퍼 등의 제품을 가공할 때에, 통상법에 따라 이용된다. 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭 가공할 때에 상기 반도체 웨이퍼 표면을 보호하고, 지그에 고정하기 위한 보호 시트로 할 수 있고, 또는 다이싱시에 있어서 반도체 웨이퍼 등 이면을 기판에 고정하기 위해 반도체 웨이퍼 이면에 붙이는 용도 등에 이용할 수도 있다.
여기서는, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭 가공할 때에 사용하는 예를 나타낸다. 우선, 테이블 위에 IC 회로 등의 패턴면이 위가 되도록 반도체 웨이퍼를 배치하고, 그 패턴면 위에, 본 발명의 점탄성체 시트를 중첩하여, 압착롤 등의 압압 수단에 의해 압압하면서 접착한다.
또는, 가압 가능한 용기(예컨대 오토크레이브) 안에, 상기와 같이 반도체 웨이퍼와 점탄성체 시트를 중첩한 것을 둔 후, 용기 안을 가압하여 반도체 웨이퍼와 점탄성체 시트를 접착하여도 좋고, 이것에 압압 수단을 병용하여도 좋다. 또한 진공 챔버 안에서 반도체 웨이퍼와 점탄성체 시트를 접착하여도 좋고, 점탄성체 시트의 융점 이하의 온도에서 가열하는 것에 의해 접착하여도 좋다.
반도체 웨이퍼의 이면 연마 가공 방법으로서는, 통상의 연삭 방법을 채용할 수 있다. 예컨대 상기와 같이 하여 점탄성체 시트를 접착한 반도체 웨이퍼의 이면을, 연마하기 위한 가공기로서 연삭기(백그라인드), CMP(Chemical Mechanical Polishing)용 패드 등을 이용하여 원하는 두께가 될 때까지 연삭한다.
본 발명에 따른 점탄성체에 의한 점탄성체 시트에 사용되는 세퍼레이터에는, 피착체에의 접착면을 보호하는 세퍼레이터와 경우에 따라서는 배면에 요철 전사함으로써 비점착화하기 위한 요철이 있는 세퍼레이터가 필요하게 된다. 이들 세퍼레이터의 구성 재료로서는, 종이, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 합성수지 필름 등을 들 수 있다. 세퍼레이터의 표면에는, 점탄성체층으로부터의 박리성을 높이기 위해, 필요에 따라 실리콘 처리, 장쇄 알킬 처리, 불소 처리 등의 이형 처리가 실시되어 있어도 좋다. 세퍼레이터의 두께는 10 ㎛?200 ㎛가 바람직하고, 더 바람직하게는 25 ㎛?100 ㎛이다. 또한 세퍼레이터의 두께 정밀도는 ±2 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.
본 발명의 점탄성체에 의한 점탄성체 시트와 웨이퍼와의 접합은, 가압 가능한 용기(예컨대 오토크레이브 등) 안에서, 웨이퍼의 표면과 점탄성체 시트를 중첩하여, 용기 안을 가압하는 것에 의해 웨이퍼에 접합시킬 수도 있다. 이 때, 압압 수단에 의해 압압하면서 접합시켜도 좋다. 또한, 진공 챔버 안에서, 상기와 같이 접합시킬 수도 있다. 접합시의 조건은 이들에 한정되는 것이 아니라, 접합시킬 때에, 가열할 수도 있다.
[실시예]
이하에 실시예를 이용하여, 본 발명을 상세히 설명하지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것이 아니다.
실시예 1
냉각관, 온도계, 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에, 아크릴계 모노머로서, 아크릴산 t-부틸 30부, 아크릴산 20부, 이소보르닐아크릴레이트 80부, 광중합 개시제로서, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온[상품명「이르가큐어 651」, 치바 스페셜티 케미컬즈(주)제] 0.1부와, 폴리올로서, 폴리옥시테트라메틸렌글리콜[분자량 650, 미쓰비시화학(주)제] 70부와, 우레탄 반응 촉매로서, 디부틸주석 디라우레이트 0.05부를 투입하고, 교반하면서, 수소화 크실릴렌디이소시아네이트 25부를 적하하며, 65℃에서 2시간 반응시켜, 우레탄 폴리머-아크릴계 모노머 혼합물을 얻었다. 또한 폴리이소시아네이트 성분과 폴리올 성분의 사용량은, NCO/0H(당량비)=1.25였다. 그 후, 2-히드록시에틸아크릴레이트 5부를 첨가하였다.
우레탄 폴리머-아크릴계 모노머 혼합물을, 두께 50 ㎛의 박리 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 위에, 경화 후의 두께가 100 ㎛가 되도록 도포하고, 요철면에 박리 처리한 폴리에틸렌 필름(두께 70 ㎛)을 거듭하여 피복한 후, 고압 수은램프를 이용하여 자외선(조도 163 mW/㎠, 광량 2100 mJ/㎠)을 조사하고 경화시켜 점탄성체 시트를 형성하였다. 이 후, 피복한 요철 박리 처리가 완료된 폴리에틸렌 필름을 박리하여, 배면에 엠보스가 전사된 세퍼레이터가 달린 점탄성체 시트를 얻었다.
이것을 테이프 접착 장치 DR-3000II(닛토정기제)를 이용하여 Si 웨이퍼 표면에 접합하고, 그라인더 DFG8560(Disco제)을 이용하여 점탄성체 시트로 고정된 Si 웨이퍼의 이면을 Si 웨이퍼의 두께가 50 ㎛가 되도록 연삭한 후, 웨이퍼의 장치 반송성, 연삭 후 웨이퍼 휨, 물 침입에 대해서 평가하였다. 또한 제작한 점탄성체 시트의 응력 완화율, 단차 추종성의 시간 경과에 따른 변화, 투묘력의 측정을 행하였다.
비교예 1
실시예 1에서 요철 세퍼레이터로 피복한 것을 요철이 없는 통상의 PET 세퍼레이터(38 ㎛)를 이용한 것 이외는 실시예 1과 같은 방법으로 제작하였다. 이 점탄성체 시트를 이용하여 실시예 1과 같은 방법으로 웨이퍼에 접합하고, 평가를 행하였다.
비교예 2
아크릴산 n-부틸 100부, 아크릴산 3부, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 0.1부를 25℃의 상태로, 내용량 500 ml의 플라스크에, 전체가 200 g이 되도록 배합하여 투입하였다. 질소 가스를 약 1시간 플라스크에 도입하면서 교반하여, 내부의 공기를 질소로 치환하였다. 그 후, 용기를 가온하여, 내부 온도를 60℃가 될 때까지 상승시키고, 이 상태로 약 6시간 유지하고 중합하여, 폴리머 용액을 얻었다.
얻어진 폴리머 용액 100 g에, 폴리이소시아네이트 화합물(닛폰 폴리우레탄 공업사제: 콜로네이트 L) 2 g, 다관능 에폭시 화합물(미쓰비시가스화학제: 테트라드 C) 0.5 g을 첨가하여, 아세트산에틸로 희석하고, 균일하게 될 때까지 교반하여 점탄성체 용액을 얻었다.
얻어진 점탄성체 용액을, PET 세퍼레이터 위에 도포하고, 건조 오븐에서 70℃ 및 130℃에서, 각각 3분간 건조하여, 두께가 15 ㎛인 점탄성체층을 형성하고, 기재인 EVA(에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름, 115 ㎛ 두께)에 접합시켜 점탄성체 시트를 제작하였다. 이 점탄성체 시트를 이용하여 실시예 1과 같은 방법으로 웨이퍼에 접합시켜, 평가를 행하였다.
〔웨이퍼의 장치 반송성〕
Disco제 백그라인더 DFG-8560에서 Si 웨이퍼에 접합시킨 점탄성체 시트의 배면이 로봇 아암에 붙지 않고 반송될 수 있는지를 관찰하였다.
〔연삭 후 웨이퍼 휨〕
Disco제 백그라인더 DFG-8560에서 Si 웨이퍼의 두께가 50 ㎛가 될 때까지 연삭하고 연삭 후의 Si 웨이퍼의 휨량은, 연삭 1분 후의 Si 웨이퍼에 점탄성체 시트를 접합시킨 상태로 평탄한 장소에 두어, 단부가 들떠 있는 거리(㎜)를 측정함으로써 구하였다.
점탄성체 시트의 여러 가지 성질에 대한 측정 방법은 이하와 같이 하였다.
〔투묘력의 측정방법〕
20 ㎜ 폭의 점탄성체 시트를 23℃에서 백그라인드 테이프용 박리 테이프 BT-315[닛토전공(주)제]와 점탄성체면끼리를 접합시켜, T자가 되도록 속도 300 ㎜/분으로 점탄성체면끼리를 박리했을 때에 투묘 파괴하는지를 확인하였다.
〔응력 완화율〕
점탄성체 시트를 속도 200 ㎜/분으로 10% 신장시켜 유지했을 때의 초기의 강도가 1분 후에 어느 정도 감소하는지를 확인하였다.
[테이프 접착 1일 후 단차 들뜸과 수침지 평가]
Si 미러 웨이퍼에 미리, 10 ㎜ 폭, 높이 30 ㎛의 테이프를 접착하여 단차를 제작해 두고, 테이프 접착 장치로 단차와 교차하도록 테이프를 접착했을 때의 단차 들뜸 폭을 1일 후의 증가량으로 비교 평가하였다. 또한, 그 웨이퍼를 물에 전면 침지하여, 물이 조금이라도 침입한 경우를「수침입」, 전혀 들어가지 않은 것을 「문제 없음」으로 하였다.
실시예 1 및 비교예 1?2의 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.
테이프 첩부 1일 후 단차 들뜸(%) 1일 후 단체 웨이퍼 수침지 결과
실시예 1 4 문제 없음
비교예 1 4 문제 없음
비교예 2 60 물 침입
테이프층 구성 투묘력 측정 시험 응력 완화율 (%) 계면 처리 (엠보스 가공) 장치 반송성 연삭 후 휨 (mm)
실시예 1 단층 투묘 파괴하지 않음 90 유 가능 1.9
비교예 1 단층 투묘 파괴하지 않음 90 무 불가능 실행 불가능
비교예 2 기재/접착제 투묘 파괴 11 유 가능 15
표 1 및 표 2에 나타내는 바와 같이, 기재 및 점탄성체의 계면이 존재하지 않고 1층의 점탄성체 시트를 이용한 실시예 1에서는 테이프 접착 1일 후의 단차 들뜸이 매우 작고, 수침지한 경우도 테이프와 단차의 간극으로부터 물이 침입하는 경우가 없기 때문에, 테이프 접착 후 수일 지난 후부터 백그라인드를 행하는 경우도 수침입이 일어나지 않는다. 또한, 투묘력 시험에서도 기재/점탄성체의 계면이 존재하지 않는 1층의 점탄성체 시트이기 때문에, 투묘 파괴하지 않고, 웨이퍼로부터 테이프를 박리할 때 점탄성체 잔존물 등의 문제가 발생하지 않는다. 배면을 엠보스 가공함으로써 웨이퍼 연삭할 때의 로봇 반송이어도 아암에 달라붙지 않아, 안정적으로 반송 가능하고, 극도로 얇게 연삭한 경우에 웨이퍼에 생기는 휨을 극한까지 줄일 수 있다.

Claims (3)

  1. 우레탄 폴리머와 우레탄 결합할 수 있는 관능기 및 (메트)아크릴로일기와 공중합할 수 있는 활성 탄소 이중 결합을 1분자 중에 갖는 모노머를 개재시켜 이루어지는 우레탄 폴리머와 아크릴 폴리머 공중합체를 포함하는 점탄성체.
  2. 제1항에 있어서, 반도체 웨이퍼의 가공에 이용되는 점탄성체.
  3. 말단에 비닐기를 갖는 우레탄 폴리머에 아크릴계 모노머를 중합시켜 이루어지는 우레탄 폴리머와 아크릴 폴리머 공중합체를 포함하는 점탄성체의 제조 방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190004655A (ko) * 2017-07-04 2019-01-14 닛토덴코 가부시키가이샤 다이싱 테이프, 다이싱 다이 본드 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20220011155A (ko) * 2019-09-05 2022-01-27 쇼와 덴코 가부시키가이샤 백그라인드 테이프

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8967263B2 (en) 2012-09-18 2015-03-03 Halliburton Energy Services, Inc. Methods of treating a subterranean formation with stress-activated resins
KR20160133476A (ko) * 2014-03-11 2016-11-22 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 신장 가능한 접착제 용품, 그의 사용 및 제조
TW201823343A (zh) * 2016-12-23 2018-07-01 奇美實業股份有限公司 熱可塑性樹脂組成物及其所形成的成型品
CN117012541B (zh) * 2023-09-28 2023-12-15 中北大学 一种高密度柔性微纳线圈的可控剥离制备方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE68917352D1 (de) * 1988-04-20 1994-09-15 Kuraray Co Trimethylolheptane und ihre Anwendung.
JPH02193945A (ja) * 1989-01-20 1990-07-31 Kuraray Co Ltd トリ（メタ）アクリレート、その製法およびそれを用いた組成物
US6475585B1 (en) * 1997-10-21 2002-11-05 Teikoku Printing Inks Mfg. Co., Ltd Releasable adhesive element having image reception layer and method of producing the same
JP3383227B2 (ja) * 1998-11-06 2003-03-04 リンテック株式会社 半導体ウエハの裏面研削方法
JP4417460B2 (ja) * 1999-01-20 2010-02-17 日東電工株式会社 半導体ウエハ保護用粘着シート及び半導体ウエハの研削方法
JP2002270560A (ja) * 2001-03-07 2002-09-20 Lintec Corp ウエハの加工方法
JP3945565B2 (ja) * 2001-10-26 2007-07-18 リンテック株式会社 半導体ウエハの加工方法
JP4095794B2 (ja) * 2001-12-03 2008-06-04 日東電工株式会社 複合フィルム及び半導体製品保持シート
JP3814194B2 (ja) * 2001-12-03 2006-08-23 日東電工株式会社 複合フィルムおよびその製造方法
JP2006241332A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Nitta Ind Corp 粘着剤および粘着テープ
JP2007039526A (ja) * 2005-08-02 2007-02-15 Sekisui Chem Co Ltd 粘着テープの剥離方法
JP4493643B2 (ja) * 2006-12-06 2010-06-30 日東電工株式会社 再剥離型粘着剤組成物、及び粘着テープ又はシート
JP2009209330A (ja) * 2008-03-06 2009-09-17 Nitto Denko Corp 粘着剤層、その製造方法、粘着シート、クリーニングシート、クリーニング機能付き搬送部材およびクリーニング方法
JP2010177542A (ja) * 2009-01-30 2010-08-12 Lintec Corp 帯電防止性粘着シート

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190004655A (ko) * 2017-07-04 2019-01-14 닛토덴코 가부시키가이샤 다이싱 테이프, 다이싱 다이 본드 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20220011155A (ko) * 2019-09-05 2022-01-27 쇼와 덴코 가부시키가이샤 백그라인드 테이프

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