KR20110118523A - 발광소자 패키지용 리드 프레임, 발광소자 패키지, 및 발광소자 패키지를 채용한 조명장치 - Google Patents

발광소자 패키지용 리드 프레임, 발광소자 패키지, 및 발광소자 패키지를 채용한 조명장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20110118523A
KR20110118523A KR1020100038180A KR20100038180A KR20110118523A KR 20110118523 A KR20110118523 A KR 20110118523A KR 1020100038180 A KR1020100038180 A KR 1020100038180A KR 20100038180 A KR20100038180 A KR 20100038180A KR 20110118523 A KR20110118523 A KR 20110118523A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting device
device chips
device package
chips
Prior art date
Application number
KR1020100038180A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101543333B1 (ko
Inventor
문경미
송영희
최일흥
이정욱
이영진
Original Assignee
삼성엘이디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성엘이디 주식회사 filed Critical 삼성엘이디 주식회사
Priority to KR1020100038180A priority Critical patent/KR101543333B1/ko
Priority to EP11163499.4A priority patent/EP2381474B1/en
Priority to JP2011096296A priority patent/JP2011233892A/ja
Priority to US13/092,468 priority patent/US8638037B2/en
Priority to CN201110103594.5A priority patent/CN102237484B/zh
Publication of KR20110118523A publication Critical patent/KR20110118523A/ko
Priority to US14/137,885 priority patent/US9099332B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101543333B1 publication Critical patent/KR101543333B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

발광소자 패키지용 리드 프레임, 발광소자 패키지, 및 발광소자 패키지를 채용한 조명장치가 개시된다. 개시된 리드 프레임은 복수의 발광소자칩들을 탑재하는 탑재부와, 탑재되는 발광소자칩들을 회로 연결하는 연결부와, 연결부에서 연장된 단자부를 포함하며, 발광소자 패키지는 이러한 리드 프레임상에 복수의 발광소자칩들이 직접 실장되어 패키징된 것으로서, 리드 프레임은 복수의 발광소자칩들을 회로 연결하는 연결부와, 회로의 일부가 외부로 노출되는 단자부를 포함한다.

Description

발광소자 패키지용 리드 프레임, 발광소자 패키지, 및 발광소자 패키지를 채용한 조명장치{Lead frame for light emitting device package, light emitting device package, and illumination apparatus employing the light emitting device package}
본 개시는 복수의 발광소자칩을 패키징하는데 사용되는 발광소자 패키지용 리드 프레임, 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지를 채용한 조명장치에 관한 것이다.
발광다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 화합물 반도체(compound semiconductor)의 PN접합을 통해 발광원을 구성함으로서, 다양한 색의 빛을 구현할 수 있는 반도체 소자를 말한다. 이러한 LED는 수명이 길고, 소형화 및 경량화가 가능하며, 빛의 지향성이 강하여 저전압 구동이 가능하다는 장점이 있다. 또한, 이러한 LED는 충격 및 진동에 강하고, 예열시간과 복잡한 구동이 불필요하며, 다양한 형태로 패키징할 수 있어, 여러가지 용도로 적용이 가능하다.
통상적으로 LED와 같은 발광소자칩은 형광체와 렌즈 등을 리드 프레임 등에 실장하는 1차 패키징과 이렇게 만들어진 다수의 발광소자칩을 다른 소자들과 함께 회로를 만들기 위해 회로기판에 실장하는 2차 패키징 과정을 거친다.
한편, 이러한 LED와 같은 발광소자칩의 조명화를 위하여 그 제조비용을 저감시킬 수 있는 방법이 요청되고 있다. 이에 재료비를 줄이고 제조공정을 단순화하고자 하는 많은 연구들이 진행되고 있다.
발광소자칩의 패키지 구조를 개선하여 패키지 공정을 단순화할 수 있는 발광소자 패키지용 리드 프레임, 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지를 채용한 조명장치를 제공한다.
일 유형에 따르는 발광소자 패키지용 리드 프레임은, 복수의 발광소자칩들이 각각 탑재되는 복수의 탑재부; 탑재되는 복수의 발광소자칩들을 회로 연결하는 복수의 연결부; 복수의 연결부 중 적어도 어느 하나에서 연장된 단자부; 및 복수의 탑재부, 복수의 연결부, 및 단자부를 연결하면서, 복수의 발광소자칩들이 탑재된 후 절단되는 복수의 절단부;를 포함한다.
복수의 연결부는, 탑재되는 복수의 발광소자칩들 사이를 직렬로 연결시키는 중간 연결부와, 탑재되는 복수의 발광소자칩들 중 직렬회로의 전단에 위치한 발광소자칩의 제1 전극에 전기적으로 연결되는 제1 연결부와, 탑재되는 복수의 발광소자칩들 중 직렬회로의 후단에 위치한 발광소자칩의 제2 전극에 전기적으로 연결되는 제2 연결부를 포함하며, 단자부는 제1 연결부에서 연장되어 형성된 제1 단자와 제2 연결부에서 연장되어 형성된 제2 단자를 포함할 수 있다.
제1 연결부, 중간 연결부, 및 제2 연결부는 일렬 배열되며, 제1 단자는 일렬 배열의 전단 쪽의 제1 전단자와, 일렬 배열의 후단 쪽의 제1 후단자를 포함하고, 제2 단자는 일렬 배열의 전단 쪽의 제2 전단자와 일렬 배열의 후단 쪽의 제2 후단자를 포함하며, 복수의 연결부는 일렬 배열의 일측을 따라 제1 연결부에서 제1 후단자로 연장되어 형성된 제1 연장부와, 일렬 배열의 타측을 따라 제2 연결부에서 제2 전단자로 연장되어 형성된 제2 연장부를 포함할 수 있다.
복수의 연결부는 탑재되는 복수의 발광소자칩들 각각의 제1 전극를 공통적으로 연결하는 제1 연결부와 탑재되는 복수의 발광소자칩들 각각의 제2 전극를 공통적으로 연결하는 제2 연결부를 포함하여 탑재되는 복수의 발광소자칩들을 병렬연결시킬 수 있다.
일 유형에 따르는 발광소자 패키지는, 복수의 발광소자칩들; 및 복수의 발광소자칩들을 외부에 전기적으로 연결하는 것으로, 복수의 발광소자칩들이 각각 탑재되는 복수의 탑재부와, 복수의 발광소자칩들을 회로 연결하는 복수의 연결부와, 복수의 연결부 중 적어도 어느 하나에서 연장된 단자부를 포함하는 리드 프레임;을 포함한다.
이러한 발광소자 패키지는, 복수의 발광소자칩들은 제1 및 제2 발광소자칩을 포함하며, 복수의 연결부는 제1 발광소자칩의 제1 전극에 전기적으로 연결되는 제1 연결부와, 제1 발광소자칩의 제2 전극과 제2 발광소자칩의 제1 전극을 전기적으로 연결하는 중간 연결부와, 제2 발광소자칩의 제2 전극에 전기적으로 연결되는 제2 연결부를 포함하며, 단자부는 제1 연결부에서 연장된 제1 단자와 제2 연결부에서 연장된 제2 단자를 포함할 수 있다.
복수의 연결부는, 복수의 발광소자칩들의 사이를 전기적으로 직렬연결하는 중간 연결부와 복수의 발광소자칩들 중에서 직렬회로의 전단에 위치한 발광소자칩의 제1 전극과 전기적으로 연결되는 제1 연결부와, 복수의 발광소자칩들 중에서 직렬회로의 후단에 위치한 발광소자칩의 제2 전극과 전기적으로 연결되는 제2 연결부를 포함하며, 단자부는 제1 연결부에서 연장되어 형성된 제1 단자와 제2 연결부에서 연장되어 형성된 제2 단자를 포함할 수 있다.
복수의 발광소자칩들은 일렬로 배열될 수 있다.
제1 단자는 복수의 발광소자칩들의 일렬 배열의 전단 쪽의 제1 전단자와, 복수의 발광소자칩들의 일렬 배열의 후단 쪽의 제1 후단자를 포함하고, 제2 단자는 복수의 발광소자칩들의 일렬 배열의 전단 쪽의 제2 전단자와 복수의 발광소자칩들의 일렬 배열의 후단 쪽의 제2 후단자를 포함하며, 연결부는 복수의 발광소자칩들의 일렬 배열의 일측을 따라 제1 연결부에서 제1 후단자로 연장되어 형성된 제1 연장부와, 복수의 발광소자칩들의 일렬 배열의 타측을 따라 제2 연결부에서 제2 전단자로 연장되어 형성된 제2 연장부를 포함할 수 있다.
리드 프레임은 제1 및 제2 연장부의 연장방향으로 긴 바 형상일 수 있다.
제1 연장부 및 제2 연장부 각각은 중간 연결부와 절연성 재질로 형성된 결합부재로 결합될 수 있다.
결합부재는 제1 연장부 및 제2 연장부의 적어도 일부분의 외측까지 연장되어 형성될 수 있다. 나아가, 결합부재는 발광소자칩에서 방출된 광을 반사시키는 반사 캐비티와 일체로 형성될 수 있다.
발광소자칩에서 방출된 광을 반사시키는 반사 캐비티를 더 포함하며, 반사 캐비티는 제1 연결부, 중간 연결부, 및 2 연결부들을 상호 결합시킬 수 있다.
복수의 연결부는 복수의 발광소자칩들 각각의 제1 전극을 공통적으로 연결하는 제1 연결부와 복수의 발광소자칩들 각각의 제2 전극을 공통적으로 연결하는 제2 연결부를 포함하여 복수의 발광소자칩들을 병렬연결시키며, 단자부는 제1 연결부에서 연장된 제1 단자와 제2 연결부에서 연장된 제2 단자를 포함할 수 있다.
리드 프레임의 적어도 일부분은 절연코팅될 수 있다.
복수의 탑재부는 복수의 연결부의 일부에 마련될 수 있다. 나아가, 복수의 탑재부, 복수의 연결부 및 단자부는 동일 재질로 형성될 수 있다.
복수의 탑재부는 복수의 연결부들 사이에 마련되며, 복수의 탑재부와 복수의 연결부는 절연성 재질로 형성된 결합부재로 결합될 수 있다. 이러한 복수의 탑재부는 열전도성 재질로 형성될 수 있다.
복수의 발광소자칩 각각은 복수의 연결부에 와이어 본딩될 수 있다. 또는 복수의 발광소자칩 각각은 복수의 연결부에 플립칩 본딩될 수 있다.
복수의 발광소자칩에서 방출된 광을 반사시키는 반사 캐비티가 더 마련될 수 있다.
복수의 발광소자칩에서 방출된 광을 굴절시키는 렌즈가 더 마련될 수 있다.
복수의 발광소자칩들은 투과성 수지로 도포될 수 있다. 나아가, 투과성 수지는 형광체를 포함할 수 있다.
전술한 복수의 발광소자칩들 각각은 발광다이오드칩일 수 있다. 이러한 발광다이오드칩은 가령 GaN계 화합물 반도체일 수 있다.
다른 유형에 따르는 조명장치는, 전술한 유형에 따르는 발광소자 패키지; 및 발광소자 패키지에 전원을 공급하는 전원공급부;를 포함한다.
전원공급부는, 전원을 입력받는 인터페이스; 및 조명모듈에 공급되는 전원을 제어하는 전원 제어부;를 포함할 수 있다.
개시된 실시예들에 따르면, 리드 프레임 단위에서 발광소자칩들의 회로를 구현함으로써, 한 번의 패키징으로서 조명장치의 조명모듈로 직접 쓰일 수 있는 발광소자 패키지와, 이러한 발광소자 패키지에 쓰이는 리드 프레임, 이러한 발광소자 패키지를 채용한 조명장치를 제시한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 개략적인 평면도다.
도 2는 도 1의 발광소자 패키지에 사용된 리드 프레임과 발광소자칩부의 위치 관계를 개략적으로 도시한다.
도 3은 도 1의 발광소자 패키지의 A-A'선을 따라 본 개략적인 측단면도이다.
도 4는 도 3의 B 부분을 확대한 학대 단면도이다.
도 5는 도 1의 발광소자 패키지의 회로도이다.
도 6 내지 도 9는 도 1의 발광소자 패키지에 발광소자칩이 실장되는 다양한 변형예들을 도시한다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 개략적인 평면도다.
도 11은 도 10의 발광소자 패키지에 사용된 리드 프레임과 발광소자칩부의 위치 관계를 개략적으로 도시한다.
도 12는 도 10의 발광소자 패키지의 C-C'선을 따라 본 개략적인 측단면도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 개략적인 평면도다.
도 14는 도 13의 발광소자 패키지에 사용된 리드 프레임과 발광소자칩부의 위치 관계를 개략적으로 도시한다.
도 15는 도 13의 발광소자 패키지의 회로도이다.
도 16a 내지 도 16g는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조방법을 도시한다.
도 17a 내지 도 17c는 발광소자 패키지의 제조 공정 중의 리드 프리임 시트 단위에서의 개략적인 도면을 도시한다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 채용한 조명장치의 구성도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호설명>
100, 101, 200...발광소자 패키지 110, 110', 210...리드 프레임
111, 211...제1 프레임부 111a...제1 연결부
111b, 211a...제1 전단자 111c...제1 연장부
111d, 211b...제1 후단자 112...제2 프레임부
112a...제2 연결부 112b, 212b...제2 후단자
112c...제2 연장부 112d, 212a...제2 전단자
113...중간 연결부
115, 115', 215...반사 캐비티 형성부 116, 116', 216...탑재부
117...절단부 118...히트슬러그
119...고정부재 120...결합부재
130, 131...발광소자칩 141, 142...와이어
145,146...범프 150, 150', 151...반사 캐비티
150a...반사면
160, 161, 162, 163...투과성 수지
170, 171, 172, 173...렌즈 300...리드 프레임 시트
400...조명장치 410...전원 공급부
420...인터페이스 430...전원 제어부
490...조명모듈
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 각 구성요소의 크기나 두께는 설명의 명료성을 위하여 과장되어 있을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 개략적인 평면도며, 도 2는 도 1의 발광소자 패키지에 사용된 리드 프레임과 발광소자칩부의 위치 관계를 개략적으로 도시한다. 한편, 도 3은 도 1의 발광소자 패키지의 A-A'선을 따라 본 개략적인 측단면도이며, 도 4는 도 3의 B 부분을 확대한 확대 단면도이다. 도 5는 도 1의 발광소자 패키지의 회로도이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 실시예의 발광소자 패키지는 복수의 발광소자칩들(130), 복수의 발광소자칩들(130)을 외부에 전기적으로 연결하는 리드 프레임(110), 리드 프레임(110)의 분리된 부분들을 고정시키는 결합부재(120), 복수의 발광소자칩들(130) 각각에서 방출되는 광을 반사시켜 외부로 가이드하는 반사 캐비티(150)를 포함한다.
리드 프레임(110)은 알루미늄, 구리와 같은 금속 판제가 프레스 가공, 식각 가공 등을 통해 도 2에 도시된 형상으로 형성될 수 있다. 이러한 리드 프레임(110)은 서로 분리된 제1 프레임부(111)와, 제2 프레임부(112)와, 중간 연결부들(113)을 포함하며, 이들 분리된 제1 프레임부(111)와, 제2 프레임부(112)와, 중간 연결부들(113)은 절연성 수지로 된 결합부재(120)와 반사 캐비티(150)에 의해 결합 고정된다.
제1 프레임부(111)는 제1 연결부(111a)와, 제1 전단자(front terminal)(111b)와, 제1 연장부(111c)와, 제1 후단자(rear terminal)(111d)를 포함한다. 제1 연결부(111a)는 일렬 배열된 복수의 발광소자칩들(130) 중에서 가장 앞단에 위치한 제1 발광소자칩(130a)의 -극에 연결된다. 한편, 제1 전단자(111b)는 제1 연결부(111a)에서 전단 방향으로 연장되어 형성되며, 제1 후단자(111d)는 제1 연결부(111a)에서 후단 방향으로 연장되어 형성된다. 제1 연결부(111a)와 제1 후단자(111d)를 연결하는 제1 연장부(111c)는 복수의 발광소자칩들(130)의 일렬 배열의 일측을 따라 중간 연결부(113)와 소정 거리로 이격되어 있다.
제2 프레임부(112)는 제2 연결부(112a)와, 제2 후단자(112b)와, 제2 연장부(112c)와, 제2 전단자(111d)를 포함한다. 제2 연결부(112a)는 일렬 배열된 복수의 발광소자칩들(130) 중에서 가장 후단에 위치한 제6 발광소자칩(130f)의 +극에 연결된다. 한편, 제2 후단자(112b)는 제2 연결부(112a)에서 후단 방향으로 연장되어 형성되며, 제2 전단자(112d)는 제2 연결부(112a)에서 전단 방향으로 연장되어 형성된다. 제2 연결부(112a)와 제2 전단자(112d)를 연결하는 제2 연장부(112c)는 복수의 발광소자칩들(130)의 일렬 배열의 다른 측을 따라 중간 연결부(113)와 소정 거리로 이격되어 있다.
제1 전단자(111b)와 제2 전단자(112d)는 발광소자 패키지(100)의 앞단에 위치하여 -극 단자와 +극 단자가 되며, 제1 후단자(111d)와 제2 후단자(112b)는 발광소자 패키지(100)의 후단에 위치하여 -극 단자와 +극 단자가 되어, 발광소자 패키지(100)의 단자부를 이룬다. 본 실시예의 발광소자 패키지(100)는 노출된 단자부를 통해, 소켓이나 그밖의 다양한 형식의 코넥터에 끼워져, 조명장치의 조명 모듈로 사용될 수 있으며, 별도의 PCB기판등에 납땜하거나 하는 과정이 불필요하다. 본 실시예의 단자부는 전단자(111b, 112d)와 후단자(111d, 112b)가 모두 마련된 경우를 예로 들어 설명하고 있으나, 어느 한쪽이 생략될 수도 있을 것이다.
중간 연결부(113)는 제1 연결부(111a)와 제2 연결부(112a)의 사이에 위치한다. 중간 연결부(113)는 복수의 발광소자칩들(130)의 사이에서 +극과 -극을 연결하는 것으로, 복수의 발광소자칩들(130)의 개수보다 하나가 적게 마련될 수 있다. 가령, 도면에 도시된 바와 같이 복수의 발광소자칩들(130)이 6개가 있는 경우, 중간 연결부(113)는 5개가 마련된다.
이러한 중간 연결부(113)는 제1 연결부(111a) 및 제2 연결부(112a)와 함께 복수의 발광소자칩들(130)을 직렬 회로 연결한다. 이러한 복수의 발광소자칩들(130)의 회로는 도 5에서와 같은 회로도로 표시될 수 있다.
복수의 중간 연결부(113) 및 제2 연결부(112a)에는 복수의 발광소자칩들(130)이 각각 탑재되는 복수의 탑재부(115)가 마련된다. 즉, 복수의 탑재부(115)는 복수의 중간 연결부(113) 및 제2 연결부(112a) 각각의 일부 영역에 마련되며, 복수의 발광소자칩들(130)의 접합을 용이하게 하는 본딩 패드(미도시)가 부착되어 있을 수 있다. 한편, 도 2에서 참조번호 116은 반사 캐비티(150)가 마련되는 영역, 즉 반사 캐비티 형성부를 표시한다. 이러한 반사 캐비티 형성부(116)는 제1 연결부(111a), 중간 연결부(113), 제2 연결부(112a)의 인접한 영역들에 걸쳐져 마련되므로, 반사 캐비티(150)에 의해 제1 연결부(111a), 중간 연결부들(113), 및 제2 연결부(112a)들이 고정 결합된다.
나아가, 리드 프레임(110)에서 복수의 발광소자칩들(130)의 전기적 연결을 위한 부분이나 단자부를 제외한 나머지 부분에는 절연성 재질로 코팅하여 절연막(미도시)을 형성할 수도 있다. 이러한 절연막은 반사 캐비티(150)와 동일 재질로 형성될 수 있으며, 반사 캐비티(150) 형성시 함께 형성될 수 있다.
복수의 발광소자칩들(130)은 두 개 전극을 소자로서, +극과 -극을 구비한 발광다이오드칩(Light emiiting diode chip)일 수 있다. 발광다이오드칩은 발광다이오드칩을 이루는 화합물반도체의 재질에 따라 청색, 녹색, 적색 등을 발광할 수 있다. 나악, 발광다이오드칩 표면에 형광코팅을 하여 백색광을 발광토록 할 수도 있다. 예를 들어, 청색 발광다이오드칩은 GaN과 InGaN이 교번되어 형성된 복수의 양자 우물층 구조의 활성층을 가질 수 있으며, 이러한 활성층의 상하부에 AlXGaYNZ의 화합물반도체로 형성된 P형 클래드 층과 N형 클래드 층이 형성될 수 있다. 그밖에, 한국출원 출원번호 제2010-015422호나 제2010-018259호에 개시된 광다이오드칩이 본 실시예의 발광소자칩으로 사용될 수 있다. 본 실시예는 발광소자칩이 발광다이오드칩인 경우를 설명하고 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 복수의 발광소자칩들(130)은 UV 광다이오드칩, 레이저 다이오드칩, 유기발광 다이오드칩 등일 수 있다.
복수의 발광소자칩들(130)은 일렬 배열되며, 리드 프레임(110)에 의해 직렬로 회로 연결된다. 이러한 복수의 발광소자칩들(130) 각각은 도 4에 도시되듯이, 복수의 발광소자칩들(130)의 기판면이 리드 프레임(110)의 중간 연결부(113)나 제2 연결부(112a)에 접합되며, 와이어(141, 142)에 의해 서로 이격되어 있는 제1 연결부(111a), 중간 연결부(113), 및 제2 연결부(112a)에 전기적으로 배선되어 있다. 제1 연결부(111a), 중간 연결부(113), 및 제2 연결부(112a)들이 이격되어 있는 갭(G)은 반사 캐비티(150)와 같은 재질로 채워지거나 비워져 있을 수 있다.
본 실시예는 발광소자칩들(130)이 6개 마련된 경우를 예로 들어 설명하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 발광소자칩들(130)의 개수는, 발광소자 패키지(100)가 이용되는 조명장치의 전원에 따라 적절하게 선택될 수 있다. 한편, 본 실시예에 있어서, 리드 프레임(110)은 발광소자칩들(130)의 일렬 배열 방향을 따라 반복적인 패턴을 가지고 있으므로, 요구되는 발광소자칩들(130)의 개수에 따라 중간 연결부(113)의 개수를 용이하게 변경할 수 있다.
반사 캐비티(150)는 복수의 발광소자칩들(130) 각각에 마련될 수 있다. 이러한 반사 캐비티(150)는 복수의 발광소자칩들(130)에서 방출되는 광을 반사면(150a)으로 반사시켜 소정의 각도 범위에서 출사될 수 있도록 하며, 복수의 발광소자칩들(130)에서 방출되는 광의 외부로의 추출효율을 향상시킨다. 반사 캐비티(150)는 결합부재(120)와 함께 사출공정을 통해 동시에 형성될 수 있다. 이 경우, 반사 캐비티(150)는 결합부재(120)와 동일한 절연성 부재로 형성될 것이다. 이러한 절연성 부재로서, 예를 들어 에폭시 수지, 실리콘 수지, 플라스틱 등일 수 있다.
반사 캐비티(150)의 내부 공간에는 발광소자칩들(130)이 실장된 후, 발광소자칩들(130)를 보호하도록 투과성 수지(160)로 채워질 수 있다. 나아가, 투과성 수지(160)에는 형광체를 포함하여, 소정의 형광빛을 방출하도록 할 수 있다. 예를 들어, 발광소자칩들(130)이 청색 발광다이오드칩이나 자외선(UV) 광다이오드칩인 경우, 투과성 수지(160)에 황색, 적색 및 녹색 형광체 분말을 포함되도록 하여, 백색광이 방출되도록 할 수 있다. 이러한 형광체는 예를 들어, 질화물계 형광체, 황화물계 형광체, 규산염계 형광체나 양자점을 이용한 형광체 중 선택된 적어도 하나 일 수 있다.
본 실시예에서 발광소자칩들(130)의 실장은 반사 캐비티(150) 내에서 와이어 본딩된 경우를 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 6 내지 도 9는 전술한 실시예의 발광소자칩 실장의 다양한 변형예들을 도시한다.
도 6을 참조하면, 발광소자칩들(130)의 수용되는 반사 캐비티(150) 상에는 렌즈(170)가 더 마련될 수 있다. 렌즈(170)는 발광소자칩들(130)에서 방출되는 광을 집속시키거나 발산시켜 배광분표를 적절히 설계할 수 있도록 한다. 이러한 렌즈(170)는 투명 수지나 유리등으로 형성할 수 있으며, 반사 캐비티(150) 상에 직접 형성하거나, 별도로 형성한 뒤 부착시킬 수 있다. 투과성 수지(160)와 렌즈(170)는 일체로 형성될 수도 있다. 렌즈(170)가 더 마련된다는 점을 제외하고는 전술한 실시예와 실질적으로 동일하므로, 중복되는 설명은 생략한다.
전술한 실시예에서는 반사 캐비티(150)가 마련된 경우를 예로 들어 설명하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 도 7이나 도 8에 도시되듯이, 반사 캐비티가 생략될 수도 있다.
도 7은 투과성 수지(161)가 와이어 본딩된 발광소자칩들(130)에 반사 캐비티없이 곧바로 도포될 경우를 도시한다. 이러한 투과성 수지(161)에는 다양한 형광체가 첨가되어 백색이나 기타 형광색이 방출되도록 할 수도 있다. 나아가, 도시된 바와 같이, 투과성 수지(161) 위에는 렌즈(171)가 더 마련되어 발광소자칩들(130)에서 방출된 광의 집속 또는 발산을 조절할 수도 있을 것이다. 투과성 수지(161)와 렌즈(171)는 일체로 형성될 수도 있다.
도 8은 발광소자칩들(131)이 기판에 플립칩 본딩된 경우를 도시한다. 이 경우, 발광소자칩들(131)은 리드 프레임(110)에 금과 같은 도전성 재질의 범프(bump)(45, 46)로 접합과 함께 전기적으로 연결된다. 한편, 이와 같은 플립칩 본딩의 경우, 발광소자칩들(131)은 접합된 면의 반대쪽 면을 통해 광이 방출된다. 플립칩 본딩된 발광소자칩들(131)의 상부에는 투과성 수지(162)로 코팅될 수 있다. 이러한 투과성 수지(162)에는 형광체가 분산될 수도 있다. 투과성 수지(162)는 필름 형태로 발광소자칩들(131)의 상부를 덮을 수도 있다. 나아가, 투과성 수지(162) 위에는 렌즈(172)가 더 마련될 수 있다.
도 7이나 도 8에 도시된 경우와 같이 반사 캐비티가 없는 경우, 리드 프레임(110)의 제1 연결부(111a), 중간 연결부들(113), 및 제2 연결부(112a)들은 투과성 수지(161, 162)나 렌즈(171, 172)로 결합될 수 있으며, 또는 별도의 결합부재(미도시)를 통해 고정 결합될 수 있다.
도 1 내지 도 8을 참조한 실시예들에서는 복수의 발광소자칩들(130, 131)이 각각 탑재되는 복수의 탑재부가 전기적 연결을 위한 연결부(111a, 112a, 113)에 마련된 경우를 예로 들어 설명하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 탑재부가 연결부들 사이에 마련될 수도 있다. 도 9를 참조하면, 리드 프레임(110')은 절곡부(110'a)를 가지며, 절곡부(110'a)에 의해 마련된 공간에 절곡부(110'a)에 이격된 상태로 히트 슬러그(heat slug)(118)가 배치되며, 이러한 히트 슬러그(118)는 리드 프레임(110')에 고정부재(119)를 통해 고정 결합된다. 히트 슬러그(118)가 복수의 발광소자칩들(130)이 탑재되는 탑재부가 된다. 즉, 복수의 발광소자칩들(130)은 히트 슬러그(118)에 부착되며, 와이어(141, 142)를 통해 리드 프레임(110')의 절곡부(110'a)에 전기적으로 연결된다. 히트 슬러그(118)는 열전도성이 좋은 금속 등으로 형성되어, 발광소자칩들(130)에서 발생되는 열을 방출하는 통로가 된다. 한편, 탑재된 발광소자칩들(130)은 투과성 수지(163)로 코팅될 수 있으며, 이러한 투과성 수지(162)에는 형광체가 포함될 수 있다. 나아가, 반사 캐비티(150')에 의해 둘러싸여 있을 수 있으며, 상부에는 렌즈(174)가 마련될 수 있다. 본 변형예는, 히트 슬러그(118)를 이용하여 방열성을 향상시키고 있으나, 그밖의 다양한 공지의 방열 구조가 채용될 수 있을 것이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 개략적인 평면도고, 도 11은 도 10의 발광소자 패키지에 사용된 리드 프레임과 발광소자칩부의 위치 관계를 개략적으로 도시하며, 도 12는 도 10의 발광소자 패키지의 C-C'선을 따라 본 개략적인 측단면도이다. 도 12에서 와이어의 도시는 생략되었다.
본 실시예의 발광소자 패키지에서 반사 캐비티(151)를 제외한 나머지 구성요소들은 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 실시예들의 구성요소들이나 이들의 변형예과 실질적으로 동일하므로, 반사 캐비티(151)를 중심으로 설명하기로 한다.
도 10 내지 도 12를 참조하면, 반사 캐비티(151)는 발광소자칩들(130)의 배열 방향의 수직한 방향으로 연장되어 제1 연장부(111c) 및 제2 연장부(112c)를 덮는다. 즉, 반사 캐비티 형성부(116')는 제1 연장부(111c) 및 제2 연장부(112c)의 외측을 포괄한다. 반사 캐비티(151)는 절연성 수지로 형성될 수 있다. 반사 캐비티(151)가 제1 연장부(111c) 및 제2 연장부(112c)까지 연장되어 마련됨에 따라, 제1 연결부(111a), 중간 연결부(113), 제2 연결부(112a) 뿐만 아니라 제1 연장부(111c) 및 제2 연장부(112c)까지 포괄적으로 고정 결합시킬 수 있다. 따라서, 본 실시예의 경우, 별도의 결합부재(도 1의 120) 없이 반사 캐비티(151)에 의해 리드 프레임(110)이 일체로 고정 결합된다. 나아가, 반사 캐비티(151)가 제1 연장부(111c) 및 제2 연장부(112c)의 외측을 덮음에 따라, 발광소자 패키지(101)의 절연성을 향상시킬 수 있다.
이러한 반사 캐비티(151)는 도 12에 도시되듯이 발광소자칩들(130)이 탑재되는 리드 프레임(110)의 상부에만 마련될 수 있다. 이 경우, 리드 프레임(110)의 하부는 노출되어 발광소자칩들(130)에서 방출되는 열이 효과적으로 방출되도록 할 수 있다. 경우에 따라서는 반사 캐비티(151)가 리드 프레임(110)의 하부까지 둘러싸도록 형성될 수도 있다.
한편, 도면에 도시된 반사 캐비티(151)는 발광소자칩들(130)별로 각각 마련되어 서로 이격되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 반사 캐비티(151)는 프레임(110)에서 발광소자칩들(130)의 탑재부와 단자부를 제외한 나머지 전체를 덮도록 형성할 수 있다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 개략적인 평면도며, 도 14는 도 13의 발광소자 패키지에 사용된 리드 프레임과 발광소자칩부의 위치 관계를 개략적으로 도시한다. 한편, 도 15는 도 13의 발광소자 패키지의 회로도이다.
본 실시예의 발광소자 패키지(200)는 발광소자칩들(230)이 병렬 배열된 경우이다. 도 13 내지 도 15를 참조하면, 발광소자 패키지(200)는 리드 프레임(210)과, 복수의 발광소자칩(230)와, 반사 캐비티(250)를 포함한다.
리드 프레임(210)은 도 14에 도시되듯이, 제1 프레임부(211)과 제2 프레임부(212)를 포함하며, 긴 바 형상을 갖는다. 한편, 제1 프레임부(211)의 양단은 길게 연장되어 제1 전단자(211a) 및 제1 후단자(211b)를 형성하며, 제2 프레임부(212)의 양단 역시 길게 연장되어 각각 제2 전단자(212a) 및 제2 후단자(212b)를 형성한다. 제1 프레임부(211)과 제2 프레임부(212)은 소정 거리로 이격된 채 배치되며, 어느 한 쪽에 복수의 탑재부(215)가 마련된다. 발광소자칩들(230)은 탑재부(215)에 탑재되고, 와이어 본딩이나 플립칩 본딩 등 다양한 공지의 접합 방법으로 전기적 배선이 이루어진다. 한편, 반사 캐비티 형성부(250)는 제1 프레임부(211)과 제2 프레임부(212) 양쪽에 걸쳐져 있다. 따라서, 반사 캐비티(250)는 발광소자칩들(230)에서 방출된 광을 소정 방향으로 반사시킬 뿐만 아니라, 제1 프레임부(211)과 제2 프레임부(212)를 결합시키는 기능을 수행할 수 있다.
발광소자칩들(230)은 +극과 -극을 구비한 발광다이오드칩일 수 있으며, 예를 들어, 발광소자칩들(230)의 +극은 제1 프레임부(211)에 공통적으로 전기적으로 연결되고, -극은 제2 프레임부(212)에 공통적으로 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라 발광소자칩들(230)은 도 15에 도시되듯이, 제1 프레임부(211)과 제2 프레임부(212)에 의해 병렬 연결된다.
도 16a 내지 도 16g는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조방법을 도시하며, 도 17a 내지 도 17c는 발광소자 패키지의 제조 공정 중의 리드 프리임을 시트 단위에서의 도시한 도면이다.
먼저 도 16a 및 도 16b에 도시된 바와 같은 리드 프레임(110)을 마련한다. 도 16a는 리드 프레임(110)의 평면도며, 도 16b는 리드 프레임(110)의 측단면도이다. 리드 프레임(110)의 재질이나 두께 등은 공지의 것일 수 있다. 예를 들어, 리드 프레임(110)은 서브 밀리미터의 두께를 갖는 알루미늄, 구리 등의 금속 판재가 프레스나 식각공정등을 통해 도 16a에 도시된 패턴을 형성한 것일 수 있다. 현 단계에서의 리드 프레임(110)은 제1 프레임부(111), 제2 프레임부(112), 및 중간 연결부(113)는 절단부(117)에 의해 연결되어 지지된다.
도 16a 및 도 16b에 도시된 리드 프레임(110)은 하나의 발광소자 패키지 단위의 것이다. 이러한 리드 프레임(110)은 도 17a에 도시되듯이 하나의 리드 프레임 시트(300)에서 복수개가 형성될 수 있다.
다음으로, 도 16c 및 도 16d에 도시된 바와 같이, 리드 프레임(110) 상에 반사 캐비티(150)를 형성한다. 이러한 반사 캐비티는 실리콘 수지나 에폭시 수지와 같은 플라스틱으로 사출성형하여 형성할 수 있다. 반사 캐비티(150)의 형성시 제1 프레임부(111)과 중간 연결부(113), 제2 프레임부(112)와 중간 연결부(113)를 고정 결합시키는 결합부재(120)도 함께 형성할 수 있다. 경우에 따라서는, 도 10에 도시된 경우와 같이 반사 캐비티(150)를 연장 형성하여 결합부재(120)를 삭제할 수도 있을 것이다. 이러한 반사 캐비티(150) 및 결합부재(120)는 도 17b에 도시되듯이 리드 프레임 시트(300) 단위에서 형성될 수 있다.
다음으로, 도 16e 및 도 16f에 도시된 바와 같이, 리드 프레임(110)에 발광소자칩들(130)을 탑재한다. 발광소자칩들(130)은 리드 프레임(110)의 탑재부(도 2의 114 참조)에 다이 어태칭(die attaching)할 수 있다. 다음으로, 발광소자칩들(130)에 와이어로 전기적 배선을 하고, 반사 캐비티(150)의 내부를 투명성 수지로 충전한다. 경우에 따라서는 렌즈를 더 부착할 수도 있다.
다음으로, 도 16g와 같이 리드 프레임(110)의 절단부들(117)을 제거함으로써, 개별적인 리드 프레임(110)들을 분리시켜 발광소자 패키지(100)를 완성한다. 도 17c는 리드 프레임 시트(300) 단위에서 절단부들(117)이 제거된 형상을 도시한다.
경우에 따라서, 발광소자칩들(130)들을 탑재하고 전기적 배선한 뒤 투명성 수지를 충전하기 전에 곧바로 발광소자 패키지(100)의 절단부들(117)이 제거될 수도 있다. 절단부들(117)이 제거되면, 발광소자칩들(130)은 회로 연결되므로, 현 상태에서 전원을 입력하여 발광소자칩들(130)의 전기 배선상태나 발광상태를 테스트할 수 있다. 이 경우, 개별 발광소자 패키지(100)들은 리드 프레임 시트(300) 내에 공지의 수단(예를 들어, 타이바(tie bar))을 통해 부착되어 있을 수 있다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 채용한 조명장치의 구성도이다.
도 18을 참조하면, 본 실시예의 조명장치(400)는 조명모듈(490)과 조명모듈(490)에 전원을 공급하는 전원공급부(410)를 포함한다.
조명모듈(490)로는 도 1 내지 도 15를 참조하여 전술한 실시예들의 발광소자 패키지가 채용될 수 있다.
전원공급부(410)는 전원을 입력받는 인터페이스(420)와 조명모듈(490)에 공급되는 전원을 제어하는 전원 제어부(430)를 포함할 수 있다. 인터페이스(420)는 과전류를 차단하는 퓨즈와 전자파장애신호를 차폐하는 전자파 차폐필터를 포함할 수 있다. 전원은 외부에서 공급되거나 내장된 전지에서 공급될 수 있다. 전원으로 교류전원이 입력되는 경우, 전원 제어부(420)는 교류를 직류로 변환하는 정류부와, 조명모듈(490)에 적합한 전압으로 변환시켜주는 정전압 제어부를 더 구비할 수 있다. 만일 전원 자체가 조명모듈(490)에 적합한 전압을 갖는 직류원(예를 들어, 전지)이라면, 정류부나 정전압 제어부를 생략될 수도 있을 것이다. 또한, 조명모듈(490)의 발광소자칩으로 AC-LED와 같은 소자를 채용하는 경우, 교류 전원이 직접 조명모듈(490)에 공급될 수 있으며, 이경우도 정류부나 정전압 제어부를 생략될 수도 있을 것이다. 나아가, 전원 제어부(490)는 색온도등을 제어하여 인간 감성에 따른 조명 연출을 가능케할 수도 있다.
조명모듈(490)로 쓰이는 발광소자 패키지는 충분한 광량을 확보하기 위하여 복수의 발광소자칩을 하나의 모듈로 패킹징한다. 종래의 조명모듈로는 발광소자칩(예를 들어 발광다이오드칩)을 형광체 및 렌즈와 함께 리드 프레임상에 1차 패키징하고 이러한 1차 패키징된 발광소자칩들을 직렬 및/또는 병렬로 연결하여 하나의 인쇄회로보드에 실장하여 2차 패키징한 것이 사용되었다. 그러나, 본 실시예의 조명장치(400)는, 전술한 바와 같이, 복수의 발광소자칩들(도 1의 130, 도 13의 230)이 한번에 리드 프레임(도 1의 110, 도 13의 210)상에 직렬 및/또는 병렬로 연결되어 패지징된 발광소자 패키지(도 1의 100, 도 10의 101, 도 13의 200)를 조명모듈로 사용한다. 형광등과 같은 저가의 광원을 대신하여 발광다이오드를 새로운 조명장치의 광원으로 사용하는 실용화에 있어서 제조비용을 줄이는 것은 매우 중요한 문제인 바, 본 실시예의 조명장치(400)는 패키징단계에서 곧바로 발광소자칩들의 회로를 구성함으로써, 패키징 공정을 간소화하여 제조비용을 줄일 수 있다.
전술한 본 발명인 발광소자 패키지용 리드 프레임, 발광소자 패키지, 및 발광소자 패키지를 채용한 조명장치는 이해를 돕기 위하여 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.

Claims (30)

  1. 복수의 발광소자칩들이 각각 탑재되는 복수의 탑재부;
    탑재되는 복수의 발광소자칩들을 회로 연결하는 복수의 연결부;
    상기 복수의 연결부 중 적어도 어느 하나에서 연장된 단자부; 및
    상기 복수의 탑재부, 상기 복수의 연결부, 및 상기 단자부를 연결하면서, 복수의 발광소자칩들이 탑재된 후 절단되는 복수의 절단부;를 포함하는 발광소자 패키지용 리드 프레임.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 연결부는, 탑재되는 복수의 발광소자칩들 사이를 직렬로 연결시키는 중간 연결부와, 탑재되는 복수의 발광소자칩들 중 직렬회로의 전단에 위치한 발광소자칩의 제1 전극에 전기적으로 연결되는 제1 연결부와, 탑재되는 복수의 발광소자칩들 중 직렬회로의 후단에 위치한 발광소자칩의 제2 전극에 전기적으로 연결되는 제2 연결부를 포함하며,
    상기 단자부는 상기 제1 연결부에서 연장되어 형성된 제1 단자와 상기 제2 연결부에서 연장되어 형성된 제2 단자를 포함하는 발광소자 패키지용 리드 프레임.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 연결부, 상기 중간 연결부, 및 상기 제2 연결부는 일렬 배열되며,
    상기 제1 단자는 상기 일렬 배열의 전단 쪽의 제1 전단자와, 상기 일렬 배열의 후단 쪽의 제1 후단자를 포함하고,
    상기 제2 단자는 상기 일렬 배열의 전단 쪽의 제2 전단자와 상기 일렬 배열의 후단 쪽의 제2 후단자를 포함하며,
    상기 복수의 연결부는 상기 일렬 배열의 일측을 따라 상기 제1 연결부에서 상기 제1 후단자로 연장되어 형성된 제1 연장부와, 상기 일렬 배열의 타측을 따라 상기 제2 연결부에서 상기 제2 전단자로 연장되어 형성된 제2 연장부를 포함하는 발광소자 패키지용 리드 프레임.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 연결부는 탑재되는 복수의 발광소자칩들 각각의 제1 전극를 공통적으로 연결하는 제1 연결부와 탑재되는 복수의 발광소자칩들 각각의 제2 전극를 공통적으로 연결하는 제2 연결부를 포함하여 탑재되는 복수의 발광소자칩들을 병렬연결시키는 발광소자 패키지용 리드 프레임.
  5. 복수의 발광소자칩들; 및
    복수의 발광소자칩들을 외부에 전기적으로 연결하는 것으로, 상기 복수의 발광소자칩들이 각각 탑재되는 복수의 탑재부와, 상기 복수의 발광소자칩들을 회로 연결하는 복수의 연결부와, 상기 복수의 연결부 중 적어도 어느 하나에서 연장된 단자부를 포함하는 리드 프레임;을 포함하는 발광소자 패키지.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 복수의 발광소자칩들은 제1 및 제2 발광소자칩을 포함하며,
    상기 복수의 연결부는 상기 제1 발광소자칩의 제1 전극에 전기적으로 연결되는 제1 연결부와, 상기 제1 발광소자칩의 제2 전극과 상기 제2 발광소자칩의 제1 전극을 전기적으로 연결하는 중간 연결부와, 상기 제2 발광소자칩의 제2 전극에 전기적으로 연결되는 제2 연결부를 포함하며,
    상기 단자부는 상기 제1 연결부에서 연장된 제1 단자와 상기 제2 연결부에서 연장된 제2 단자를 포함하는 발광소자 패키지.
  7. 제5 항에 있어서,
    상기 복수의 연결부는, 상기 복수의 발광소자칩들의 사이를 전기적으로 직렬연결하는 중간 연결부와 상기 복수의 발광소자칩들 중에서 직렬회로의 전단에 위치한 발광소자칩의 제1 전극과 전기적으로 연결되는 제1 연결부와, 상기 복수의 발광소자칩들 중에서 직렬회로의 후단에 위치한 발광소자칩의 제2 전극과 전기적으로 연결되는 제2 연결부를 포함하며,
    상기 단자부는 상기 제1 연결부에서 연장되어 형성된 제1 단자와 상기 제2 연결부에서 연장되어 형성된 제2 단자를 포함하는 발광소자 패키지.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 복수의 발광소자칩들은 일렬로 배열된 발광소자 패키지.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 단자는 상기 복수의 발광소자칩들의 일렬 배열의 전단 쪽의 제1 전단자와, 상기 복수의 발광소자칩들의 일렬 배열의 후단 쪽의 제1 후단자를 포함하고,
    상기 제2 단자는 상기 복수의 발광소자칩들의 일렬 배열의 전단 쪽의 제2 전단자와 상기 복수의 발광소자칩들의 일렬 배열의 후단 쪽의 제2 후단자를 포함하며,
    상기 복수의 연결부는 상기 복수의 발광소자칩들의 일렬 배열의 일측을 따라 상기 제1 연결부에서 상기 제1 후단자로 연장되어 형성된 제1 연장부와, 상기 복수의 발광소자칩들의 일렬 배열의 타측을 따라 상기 제2 연결부에서 상기 제2 전단자로 연장되어 형성된 제2 연장부를 포함하는 발광소자 패키지.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 리드 프레임은 상기 제1 및 제2 연장부의 연장방향으로 긴 바 형상인 발광소자 패키지.
  11. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 연장부 및 제2 연장부 각각은 상기 중간 연결부와 절연성 재질로 형성된 결합부재로 결합된 발광소자 패키지.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 결합부재는 상기 제1 연장부 및 제2 연장부의 적어도 일부분의 외측까지 연장되어 형성된 발광소자 패키지.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 결합부재는 상기 발광소자칩에서 방출된 광을 반사시키는 반사 캐비티와 일체로 형성된 발광소자 패키지.
  14. 제8 항에 있어서,
    상기 발광소자칩에서 방출된 광을 반사시키는 반사 캐비티를 더 포함하며, 상기 반사 캐비티는 상기 제1 연결부, 상기 중간 연결부, 및 상기 2 연결부들을 상호 결합시키는 발광소자 패키지.
  15. 제5 항에 있어서,
    상기 복수의 연결부는 상기 복수의 발광소자칩들 각각의 제1 전극을 공통적으로 연결하는 제1 연결부와 상기 복수의 발광소자칩들 각각의 제2 전극을 공통적으로 연결하는 제2 연결부를 포함하여 상기 복수의 발광소자칩들을 병렬연결시키며,
    상기 단자부는 상기 제1 연결부에서 연장된 제1 단자와 상기 제2 연결부에서 연장된 제2 단자를 포함하는 발광소자 패키지.
  16. 제5 항에 있어서,
    상기 리드 프레임의 적어도 일부분은 절연코팅된 발광소자 패키지.
  17. 제5 항에 있어서,
    상기 복수의 탑재부는 상기 복수의 연결부의 일부에 마련된 발광소자 패키지.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 복수의 탑재부, 상기 복수의 연결부 및 상기 단자부는 동일 재질로 형성된 발광소자 패키지.
  19. 제5 항에 있어서,
    상기 복수의 탑재부는 상기 복수의 연결부들 사이에 마련되며, 상기 복수의 탑재부와 상기 복수의 연결부는 절연성 재질로 형성된 결합부재로 결합된 발광소자 패키지.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 복수의 탑재부는 열전도성 재질로 형성된 발광소자 패키지.
  21. 제5 항에 있어서,
    상기 복수의 발광소자칩 각각은 상기 복수의 연결부에 와이어 본딩된 발광소자 패키지.
  22. 제5 항에 있어서,
    상기 복수의 발광소자칩 각각은 상기 복수의 연결부에 플립칩 본딩된 발광소자 패키지.
  23. 제5 항에 있어서,
    상기 복수의 발광소자칩에서 방출된 광을 반사시키는 반사 캐비티를 더 포함하는 발광소자 패키지.
  24. 제5 항에 있어서,
    상기 복수의 발광소자칩에서 방출된 광을 굴절시키는 렌즈를 더 포함하는 발광소자 패키지.
  25. 제5 항에 있어서,
    상기 복수의 발광소자칩들은 투과성 수지로 도포된 발광소자 패키지.
  26. 제23 항에 있어서,
    상기 투과성 수지는 형광체를 포함하는 발광소자 패키지.
  27. 제5 항에 있어서,
    상기 복수의 발광소자칩들 각각은 발광다이오드칩인 발광소자 패키지.
  28. 제27 항에 있어서,
    상기 발광다이오드칩은 GaN계 화합물 반도체인 발광소자 패키지.
  29. 청구항 제5 항 내지 제28 항 중 어느 한 항의 발광소자 패키지; 및
    상기 발광소자 패키지에 전원을 공급하는 전원공급부;를 포함하는 조명장치.
  30. 제29 항에 있어서,
    상기 전원공급부는,
    전원을 입력받는 인터페이스; 및
    상기 조명모듈에 공급되는 전원을 제어하는 전원 제어부;를 포함하는 조명장치.
KR1020100038180A 2010-04-23 2010-04-23 발광소자 패키지용 리드 프레임, 발광소자 패키지, 및 발광소자 패키지를 채용한 조명장치 KR101543333B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100038180A KR101543333B1 (ko) 2010-04-23 2010-04-23 발광소자 패키지용 리드 프레임, 발광소자 패키지, 및 발광소자 패키지를 채용한 조명장치
EP11163499.4A EP2381474B1 (en) 2010-04-23 2011-04-21 Light emitting device package, and illumination apparatus employing the light emitting device package
JP2011096296A JP2011233892A (ja) 2010-04-23 2011-04-22 発光素子パッケージ用リードフレーム、発光素子パッケージ、及び発光素子パッケージを採用した照明装置
US13/092,468 US8638037B2 (en) 2010-04-23 2011-04-22 Lead frame for light emitting device package, light emitting device package, and illumination apparatus employing the light emitting device package
CN201110103594.5A CN102237484B (zh) 2010-04-23 2011-04-25 用于发光器件封装的引线框架、发光器件封装和照明装置
US14/137,885 US9099332B2 (en) 2010-04-23 2013-12-20 Lead frame for light emitting device package, light emitting device package, and illumination apparatus employing the light emitting device package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100038180A KR101543333B1 (ko) 2010-04-23 2010-04-23 발광소자 패키지용 리드 프레임, 발광소자 패키지, 및 발광소자 패키지를 채용한 조명장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110118523A true KR20110118523A (ko) 2011-10-31
KR101543333B1 KR101543333B1 (ko) 2015-08-11

Family

ID=44487108

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100038180A KR101543333B1 (ko) 2010-04-23 2010-04-23 발광소자 패키지용 리드 프레임, 발광소자 패키지, 및 발광소자 패키지를 채용한 조명장치

Country Status (5)

Country Link
US (2) US8638037B2 (ko)
EP (1) EP2381474B1 (ko)
JP (1) JP2011233892A (ko)
KR (1) KR101543333B1 (ko)
CN (1) CN102237484B (ko)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101480106B1 (ko) * 2013-07-10 2015-01-07 주식회사 레다즈 측면 발광형 발광다이오드 패키지 및 그의 제조 방법
US9345095B2 (en) 2010-04-08 2016-05-17 Ledengin, Inc. Tunable multi-LED emitter module
WO2016086180A1 (en) * 2014-11-26 2016-06-02 Ledengin, Inc. Compact emitter for warm dimming and color tunable lamp
US9406654B2 (en) 2014-01-27 2016-08-02 Ledengin, Inc. Package for high-power LED devices
US9554457B2 (en) 2009-04-08 2017-01-24 Ledengin, Inc. Package for multiple light emitting diodes
US10575374B2 (en) 2018-03-09 2020-02-25 Ledengin, Inc. Package for flip-chip LEDs with close spacing of LED chips
US11032884B2 (en) 2012-03-02 2021-06-08 Ledengin, Inc. Method for making tunable multi-led emitter module

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101543333B1 (ko) * 2010-04-23 2015-08-11 삼성전자주식회사 발광소자 패키지용 리드 프레임, 발광소자 패키지, 및 발광소자 패키지를 채용한 조명장치
KR20110121927A (ko) * 2010-05-03 2011-11-09 삼성엘이디 주식회사 발광소자 패키지를 이용한 조명 장치
KR101872925B1 (ko) * 2010-12-24 2018-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 조명 장치
US8772795B2 (en) 2011-02-14 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and lighting device
KR101853067B1 (ko) * 2011-08-26 2018-04-27 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
JP5940799B2 (ja) * 2011-11-22 2016-06-29 新光電気工業株式会社 電子部品搭載用パッケージ及び電子部品パッケージ並びにそれらの製造方法
JP2014212139A (ja) * 2011-12-06 2014-11-13 加藤　宣和 Ｌｅｄパッケージ及びｌｅｄパッケージの製造方法
JP6101425B2 (ja) * 2012-01-10 2017-03-22 ローム株式会社 Ｌｅｄフラッシュモジュール、ｌｅｄモジュール、及び撮像装置
US8876334B2 (en) * 2012-01-16 2014-11-04 Paragon Semiconductor Lighting Technology Co., Ltd. Light-mixing multichip package structure
CN103430339B (zh) * 2012-03-13 2014-09-10 松下电器产业株式会社 基板、发光装置以及照明装置
JP5216948B1 (ja) * 2012-03-13 2013-06-19 パナソニック株式会社 基板、発光装置及び照明装置
JP5940878B2 (ja) * 2012-04-27 2016-06-29 ローム株式会社 Ｌｅｄフラッシュモジュール
JP5935078B2 (ja) * 2012-05-22 2016-06-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｌｅｄモジュールおよびその製造方法、照明器具、直管形ｌｅｄランプ
WO2013179626A1 (ja) * 2012-05-31 2013-12-05 パナソニック株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP6209874B2 (ja) * 2012-08-31 2017-10-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US9627351B2 (en) * 2012-10-22 2017-04-18 Sensor Electronic Technology, Inc. Device electrode formation using metal sheet
DE112013006419B4 (de) 2012-10-22 2023-07-27 Sensor Electronic Technology Inc. Verfahren zum Unterbringen von Zweidrahtbauelementen in einem Gehäuse, Verfahren zum Unterbringen von Zweidrahtleuchtdioden(LED)-Bauelementen in einem Gehäuse und Zweidraht(LED)-Gehäuseanordnung
KR101301719B1 (ko) * 2013-01-24 2013-09-10 주식회사 트루스타 Ｌｅｄ 램프용 전극모듈
CN103208717B (zh) * 2013-04-10 2015-08-05 大族激光科技产业集团股份有限公司 半导体单芯管的转接装置
CN104103748B (zh) * 2013-04-10 2016-12-07 重庆市路迪机械厂 发光二极管封装结构及其制造方法
TWI585333B (zh) * 2013-05-27 2017-06-01 郭錦標 發光二極體光條及其應用之平面光源裝置
JP6110217B2 (ja) * 2013-06-10 2017-04-05 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子の製造方法
JP2015056649A (ja) * 2013-09-13 2015-03-23 株式会社東芝 発光装置
JP6301097B2 (ja) * 2013-10-01 2018-03-28 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
DE102014110781A1 (de) * 2014-07-30 2016-02-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung einer Vorrichtung und Vorrichtung
TWI651491B (zh) * 2015-07-23 2019-02-21 晶元光電股份有限公司 發光裝置
DE102015216217A1 (de) * 2015-08-25 2017-03-02 Continental Teves Ag & Co. Ohg Verfahren zum Ummanteln einer elektrischen Einheit und elektrisches Bauelement
DE102016103136A1 (de) 2016-02-23 2017-08-24 Vishay Semiconductor Gmbh Optoelektronische Vorrichtung
TW201621210A (zh) * 2016-02-26 2016-06-16 Liquidleds Lighting Corp 發光二極體光源及燈具
US10665766B2 (en) * 2016-03-15 2020-05-26 Signify Holding B.V. Elongated lead frame and a method of manufacturing an elongated lead frame
DE102016107736A1 (de) * 2016-04-26 2017-10-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
EP3555520B1 (en) * 2016-12-13 2023-04-12 Lumileds LLC Arrangement of leds on a leadframe
DE102016125022A1 (de) * 2016-12-20 2018-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung von leuchtvorrichtungen
CN106898685A (zh) * 2017-01-04 2017-06-27 深圳市华天迈克光电子科技有限公司 Uv芯片封装结构及其封装方法
WO2019028704A1 (zh) 2017-08-09 2019-02-14 Oppo广东移动通信有限公司 下行信号传输的方法、终端设备和网络设备
DE102018125645B3 (de) * 2018-10-16 2020-01-23 Ledvance Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Röhrenlampe und entsprechende Röhrenlampe

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3820237A (en) * 1971-05-17 1974-06-28 Northern Electric Co Process for packaging light emitting devices
JP2002094125A (ja) * 2000-09-18 2002-03-29 Rohm Co Ltd リードフレーム及びそれを用いたｌｅｄ装置
US7380961B2 (en) * 2002-04-24 2008-06-03 Moriyama Sangyo Kabushiki Kaisha Light source coupler, illuminant device, patterned conductor, and method for manufacturing light source coupler
WO2004038289A1 (ja) * 2002-10-25 2004-05-06 Moriyama Sangyo Kabushiki Kaisha 発光モジュール
CN2746539Y (zh) * 2004-11-17 2005-12-14 大铎精密工业股份有限公司 组装光学透镜的发光二极管
JP2006186197A (ja) 2004-12-28 2006-07-13 Stanley Electric Co Ltd 発光装置
KR100708004B1 (ko) * 2004-12-30 2007-04-16 럭스피아(주) 리드프레임, 이를 이용한 반도체 패키지 및 반도체 패키지제조방법
KR100828891B1 (ko) 2006-02-23 2008-05-09 엘지이노텍 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
US8052303B2 (en) * 2006-09-12 2011-11-08 Huizhou Light Engine Ltd. Integrally formed single piece light emitting diode light wire and uses thereof
GB2452236A (en) 2007-03-09 2009-03-04 Mellowgraphic Ltd Party balloon with illumination device
KR101337580B1 (ko) 2007-08-21 2013-12-06 삼성전자주식회사 복구가 용이한 ｃｏｂ형 ｌｅｄ 패키지 및 복구방법
DE102007041136A1 (de) * 2007-08-30 2009-03-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Gehäuse
TW200939869A (en) * 2008-03-05 2009-09-16 Harvatek Corp An LED chip package structure with a high-efficiency heat-dissipating substrate and packaging method thereof
JP5113594B2 (ja) 2008-04-03 2013-01-09 ミネベア株式会社 線状光源装置、および面状照明装置
US20090321758A1 (en) * 2008-06-25 2009-12-31 Wen-Huang Liu Led with improved external light extraction efficiency
KR20100012170A (ko) 2008-07-28 2010-02-08 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 조명장치
KR101010375B1 (ko) 2008-08-06 2011-01-21 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
CN101364585B (zh) 2008-09-25 2010-10-13 旭丽电子(广州)有限公司 一种芯片封装结构及其制造方法
US8089140B2 (en) 2008-09-25 2012-01-03 Silitek Electronic (Guangzhou) Co., Ltd. Lead frame assembly, lead frame and insulating housing combination, and led module having the same
TWI485878B (zh) * 2009-04-01 2015-05-21 Lite On Technology Corp 形成發光二極體之透鏡結構之方法及其相關架構
KR101543333B1 (ko) * 2010-04-23 2015-08-11 삼성전자주식회사 발광소자 패키지용 리드 프레임, 발광소자 패키지, 및 발광소자 패키지를 채용한 조명장치

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9554457B2 (en) 2009-04-08 2017-01-24 Ledengin, Inc. Package for multiple light emitting diodes
US9345095B2 (en) 2010-04-08 2016-05-17 Ledengin, Inc. Tunable multi-LED emitter module
US10149363B2 (en) 2010-04-08 2018-12-04 Ledengin, Inc. Method for making tunable multi-LED emitter module
US11032884B2 (en) 2012-03-02 2021-06-08 Ledengin, Inc. Method for making tunable multi-led emitter module
KR101480106B1 (ko) * 2013-07-10 2015-01-07 주식회사 레다즈 측면 발광형 발광다이오드 패키지 및 그의 제조 방법
US9406654B2 (en) 2014-01-27 2016-08-02 Ledengin, Inc. Package for high-power LED devices
WO2016086180A1 (en) * 2014-11-26 2016-06-02 Ledengin, Inc. Compact emitter for warm dimming and color tunable lamp
US9642206B2 (en) 2014-11-26 2017-05-02 Ledengin, Inc. Compact emitter for warm dimming and color tunable lamp
JP2018502447A (ja) * 2014-11-26 2018-01-25 エルイーディエンジン・インコーポレーテッド 穏やかな調光及び色調整可能なランプ用のコンパクトエミッタ
US10172206B2 (en) 2014-11-26 2019-01-01 Ledengin, Inc. Compact emitter for warm dimming and color tunable lamp
US10575374B2 (en) 2018-03-09 2020-02-25 Ledengin, Inc. Package for flip-chip LEDs with close spacing of LED chips

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011233892A (ja) 2011-11-17
KR101543333B1 (ko) 2015-08-11
US20140103371A1 (en) 2014-04-17
EP2381474A3 (en) 2013-10-02
US20110260646A1 (en) 2011-10-27
US8638037B2 (en) 2014-01-28
EP2381474B1 (en) 2020-04-22
US9099332B2 (en) 2015-08-04
CN102237484A (zh) 2011-11-09
CN102237484B (zh) 2016-06-01
EP2381474A2 (en) 2011-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101543333B1 (ko) 발광소자 패키지용 리드 프레임, 발광소자 패키지, 및 발광소자 패키지를 채용한 조명장치
KR101662038B1 (ko) 칩 패키지
US8840265B2 (en) Illumination apparatus employing light-emitting device package
US6841931B2 (en) LED lamp
US8492777B2 (en) Light emitting diode package, lighting device and light emitting diode package substrate
CN101794852B (zh) 发光器件封装
WO2013136389A1 (ja) 基板、発光装置及び照明装置
WO2012050110A1 (ja) Ｌｅｄモジュール
KR102168935B1 (ko) Led 다이와 리드 프레임 스트립의 본딩
JP2011192703A (ja) 発光装置及び照明装置
JP2016531450A (ja) 集積バックライトユニット
US20120211785A1 (en) High power plastic leaded chip carrier with integrated metal reflector cup and direct heat sink
EP2478750B1 (en) Light-source module and light-emitting device
KR20160028014A (ko) 반도체 소자 패키지 제조방법
JP6192377B2 (ja) Ｌｅｄ光源モジュール
JP2012253111A (ja) 発光装置及び照明装置
US8888324B2 (en) Light-emitting device, method for assembling same and luminaire
KR20180045402A (ko) 발광 장치
KR20190020544A (ko) 발광소자 패키지 및 광원 장치

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180731

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190731

Year of fee payment: 5