KR20110083675A - 저온 기판상에서의 박막 환원 방법 - Google Patents

저온 기판상에서의 박막 환원 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20110083675A
KR20110083675A KR1020117011229A KR20117011229A KR20110083675A KR 20110083675 A KR20110083675 A KR 20110083675A KR 1020117011229 A KR1020117011229 A KR 1020117011229A KR 20117011229 A KR20117011229 A KR 20117011229A KR 20110083675 A KR20110083675 A KR 20110083675A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
oxide
substrate
thin film
reducing agent
copper
Prior art date
Application number
KR1020117011229A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101600559B1 (ko
Inventor
데이브 에스. 포페
쿠르트 에이. 슈로더
이안 엠. 로슨
Original Assignee
엔씨씨 나노, 엘엘씨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엔씨씨 나노, 엘엘씨 filed Critical 엔씨씨 나노, 엘엘씨
Publication of KR20110083675A publication Critical patent/KR20110083675A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101600559B1 publication Critical patent/KR101600559B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/105—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by conversion of non-conductive material on or in the support into conductive material, e.g. by using an energy beam
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1655—Process features
    • C23C18/1658—Process features with two steps starting with metal deposition followed by addition of reducing agent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1655—Process features
    • C23C18/1664—Process features with additional means during the plating process
    • C23C18/1667—Radiant energy, e.g. laser
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0393—Flexible materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/08—Treatments involving gases
    • H05K2203/087—Using a reactive gas
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
    • H05K2203/1157—Using means for chemical reduction
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/12—Using specific substances
    • H05K2203/125—Inorganic compounds, e.g. silver salt
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/15—Position of the PCB during processing
    • H05K2203/1545—Continuous processing, i.e. involving rolls moving a band-like or solid carrier along a continuous production path

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Pest Control & Pesticides (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)

Abstract

본 발명은 기판상에 전기 전도성 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 처음에, 환원가능한 금속 화합물 및 환원제가 액체, 예컨대 물로 분산된다. 이어서 분산액은 박막으로서 기판에 증착된다. 이후 기판과 함께 박막이 펄스 전자기 방사에 노출되고 환원가능한 금속 화합물과 환원제가 화학적으로 반응하여 박막이 전기 전도성이 되도록 한다.

Description

저온 기판상에서의 박막 환원 방법{METHOD FOR REDUCING THIN FILMS ON LOW TEMPERATURE SUBSTRATES}
본 출원은 "Electrical, Plating and Catalytic Uses of Metal Nanomaterial Composition"란 제목으로 2007년 5월 24일에 출원된 U.S. 시리얼 No. 11/720,171의 일부계속출원이며, 이는 여기에 참조로서 포함된다.
본 출원은 "Method and Apparatus for Reacting Thin Films on Low Temperature Substrates at High Speeds"란 제목으로 2008년 10월 17일에 출원된 U.S. 시리얼 No. 61/196,531와 관련되며, 이는 여기에 참조로서 포함된다.
본 발명은 경화 방법에 관한 것이며, 일반적으로, 특히, 저온(low-temperature) 기판상에서 박막을 환원하는 방법에 관한 것이다.
전자회로를 제조하는 한 방법은 기판상에 금속 잉크로 전기 전도체를 프린트하는 것이며, 전기 전도성 트레이스(traces)를 형성시키기 위해 후에 기판을 가열시켜 금속 잉크의 입자를 소결시킨다. 일반적으로, 전기적 전도에 유용한 대부분의 프린트된 금속은 소결되고 전도성이 되기 위해 매우 고온, 종종 금속의 녹는점의 몇 백도 이내에서 가열될 필요가 있다.
프린트된 전자 장치에서 전도성 트레이스를 제조하기 위해 가장 추구되는 두 성분은 은과 구리이다. 은은 구리보다 두 가지 장점을 갖는데 이는 은이 공기 중에서 최소한으로 산화되면서 가열될 수 있으며 전도성이 상대적으로 낮은 은의 산화물은 상대적으로 저온에서 분해되기 때문이다. 이들 두 가지 장점이 조합되어, 은은 종종 고가임에도 불구하고 전도성 트레이스 제조시 가장 전기적 전도성인 금속이다. 따라서, 구리가 은의 약 90%의 전도성을 갖고 질량 기준으로 일반적으로 50-100배로 저렴함에도 불구하고, 은 잉크가 여전히 프린트된 전자 장치 시장을 지배하고 있으며, 이는 산화를 피하기 위한 구리 잉크의 제조 및 프로세싱의 추가적인 비용이 물질 비용에서의 차이보다 일반적으로 크기 때문이다.
몇몇 금속 산화물은 만약 포지티브 환원 전위를 갖는 경우에 상승된 온도에서 수소 또는 탄화수소에 의해 환원될 수 있다는 것이 당업계에 잘 알려져 있다. 예를 들어, 구리는 열의 적용과 함께 구리 산화물을 함유한 광석과 숯(charcoal)을 혼합함에 의해 일차로 추출될 수 있다. 산화된 구리 입자 또는 심지어 순수한 산화구리라도 환원제의 존재하에 가열되는 경우, 산화된 구리 입자들은 전도체를 형성하도록 소결될 수 있다.
프린팅 구리 입자들에 의해 박막 전도체를 제조하는 경우, 불활성 또는 환원성 분위기하에 입자가 이들의 소결 온도로 가열되면 매우 전도성인 트레이스가 형성될 수 있다. 구리의 녹는점이 1,085℃ 근처이기 때문에, 소결에 필요한 온도는 단지 고온 기판 예컨대 유리 또는 세라믹만이 사용될 수 있다는 것을 지시해 준다. 이러한 고온 조건은 값싼 기판 예컨대 종이 또는 플라스틱의 사용을 제한한다.
택일적으로, 구리 입자 막이 저온 기판에 증착된다면, 이는 기판의 분해 온도 근처로 가열될 수 있으며 환원성 분위기하에 위치될 수 있으나, 저온은, 막의 두께 및 온도에 의존하여, 초부터 분 또는 심지어 시간 동안 경화에 필요한 시간의 양을 극적으로 증가시킨다. 저온에서, 소결은 매우 제한되며, 따라서 막 저항력이 높아진다. 더욱이, 불활성 또는 환원성 분위기의 필요성은 공정 단가를 극적으로 증가시킨다. 따라서, 주변 분위기에서 저온 기판상에 금속 산화물을 신속히 환원하기 위한 개선된 방법이 요구된다.
발명의 요약
본 발명의 바람직한 구체예에 따르면, 환원가능한 금속 화합물 및 환원제가 처음에 액체, 예컨대 물로 분산된다. 이어서 분산액은 박막으로서 기판에 증착된다. 이후 기판과 함께 박막이 펄스 전자기 방사에 노출되고 환원가능한 금속 화합물과 환원제가 화학적으로 반응하여 박막이 전기 전도성이 되도록 한다.
본 발명의 모든 특징 및 장점들은 아래의 상세한 기재에서 명확하여질 것이다.
발명의 상세한 설명
본 발명에 있어서, 경화는 열적 공정으로 정의되며, 이는 저온 기판상의 박막 내에 함유된 금속 화합물을 환원하는 것을 포함한다. 박막은 100 마이크론 미만 두께의 코팅으로서 정의된다. 저온 기판의 예들은 종이, 플라스틱 또는 중합체를 포함한다.
본 발명은 강한 펄스 광을 사용하여 박막에서 산화-환원 반응을 수행하도록 활성 에너지를 공급하는 방법이다. 산화-환원 반응은 유기 화합물에 의한 금속 산화물의 환원일 수 있으며 저온 기판상에서 수행될 수 있다.
이제 도면을 참조하면 구체적으로 도 1에서는, 본 발명의 바람직한 구체예에 따른 저온 기판상의 박막을 경화시키는 방법의 흐름도가 도시되었다. 블록(100)에서 시작하여, 블록(110)에 보여지는 바와 같이 비전도성(non-conducting) 금속 산화물이, 어떤 일반적인 분산제 예컨대 폴리비닐피롤리돈 또는 폴리스티렌-아크릴레이트 공중합체를 사용하여 액체, 예컨대 물로 분산된다. 분산액은 또한 하나 이상의 환원제를 포함한다. 환원제는 알코올, 알데히드, 카복실산 및 카본 블랙을 포함하는 화합물 중 어떠한 화합물이 될 수 있다. 환원제는 바람직하게 글리세롤, 아스코르브산, 1,2-헥산디올 및 글루타르산을 포함한다. 다른 첨가제는 표면 습윤을 위한 다양한 계면활성제, 습윤제, 공용매(co-solvents), 및 바인더 수지를 포함할 수 있다. 분산액은 전도성 입자 예컨대 은, 구리, 또는 금을 포함할 수 있다. 분산액은 또한 부분적으로 산화된 금속 입자들을 포함할 수 있다. 비전도성 금속 산화물은 표 1에 기재된 임의의 금속 산화물이 될 수 있다.
MoO2, MoO3 몰리브덴 산화물
WO2, WO3 텅스텐 산화물
ReO2, Re2O5, ReO3 레늄 산화물
FeO, Fe2O3 철 산화물
RuO2 루테늄 산화물
OsO2 오스뮴 산화물
CoO, Co3O4 코발트 산화물
Rh2O3, RhO2 로듐 산화물
IrO2 이리듐 산화물
NiO 니켈 산화물
PdO 팔라듐 산화물
PtO2 플래티늄 산화물
Cu2O, CuO 구리 산화물
Ag2O 은 산화물
Ag2O3 금 산화물
ZnO 아연 산화물
CdO 카드뮴 산화물
In2O3 인듐 산화물
GeO, GeO2 게르마늄 산화물
SnO, SnO2 주석 산화물
PbO, PbO2 납 산화물
Sb2O3, Sb2O4, Sb2O5 안티몬 산화물
Bi2O3 비스무스 산화물
블록(120)에 도시된 바와 같이 분산액은 후에 박막으로서 저온 기판상에 증착된다. 저온 기판은 중합체(폴리이미드, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리카보네이트, 폴리스티렌, 폴리비닐 클로라이드, 등), 종이 등이 될 수 있다. 분산액은 잉크젯, 그라비어, 플랙소그래픽, 롤코팅, 스크린-프린팅 등을 포함하는 임의의 일반적인 프린팅 기술에 의해 저온 기판상에 증착될 수 있다. 반대로, 비전도성 금속 산화물 및 환원제(즉, reducing agent)는 건조 증착 공정 예컨대 제로그래피를 사용하여 박막으로서 저온 기판상에 증착될 수 있다.
블록(130)에 도시된 바와 같이 저온 기판상에서 비전도성 금속 산화물 및 환원제 사이에 산화-환원 반응이 시작되도록, 기판과 함께 박막이 이후 펄스 전자기 방사에 노출된다. 펄스 전자기 광원은 20 ms 미만의 펄스 길이를 전달할 수 있는 레이저, 플래쉬 램프, 유도(directed) 플라즈마 아크 램프, 마이크로웨이브, 또는 라디오프리퀀시 인덕션 히터가 될 수 있다. 택일적인 구체예는 방사원을 지나가도록 운반하는 방식으로 산화-환원 반응을 시작하도록 막을 열 아래에 두는 전자빔 또는 강한 아크 램프의 사용이다. 전자빔 및 아크 램프 광원에 대해, 이동하는 기판 및 고정된 광원의 조합은 막의 펄스 가열을 제공하는 효과를 갖는다. 전자기 광원은 500 W/cm2을 초과하는 방사를 가져야 한다. 노출의 결과로서, 박막은 산화-환원 반응 후에 전기적으로 전도성이 되게 된다.
바람직하게, 박막은, 아래에 기재된 바와 같은 자동화된 경화 장치를 사용하여 저온 기판이 광원을 지나가도록 운반되는 동안 경화된다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 바람직한 구체예에 따른 저온 기판상에서 박막을 경화시키기 위한 경화 장치의 도해를 설명하고 있다. 도시된 바와 같이, 경화 장치(200)는 컨베이어 시스템(210), 스트로브 헤드(220), 릴레이 랙(230) 및 릴-투-릴(reel-to-reel) 피딩 시스템(240)을 포함한다. 경화 장치(200)는, 웹상에 위치된 저온 기판(203)을 상대적 고속으로 스트로브 헤드(220)를 지나가도록 운반하여 이 위에 부착된 박막(202)을 경화시킬 수 있다. 컨베이어 시스템(210)은 바람직하게 2 내지 1000 feet/min의 속도에서 기판(203)을 움직이도록 작동될 수 있다. 경화 장치(200)는 바람직하게 6-인치 증가분(increments)에서 임의의 넓이의 웹 넓이를 수용할 수 있다. 박막(202)은, 현존 기술 예컨대 스크린-프린팅, 잉크젯 프린팅, 그라비어, 레이저 프린팅, 제로그래피, 패드 프린팅, 페인팅, 딥-펜, 실린지, 에어브러쉬, 플랙소그래픽, CVD, PECVD, 증발, 스퍼터링, 등의 하나 이상의 조합에 의해 기판(203)상에 부가될 수 있다. 기판(203)상으로의 박막(202)의 증착은 경화 공정과 연계되어 수행될 수 있다.
바람직하게 물로 냉각되는 스트로브 헤드(220)는 기판(203)상에 위치된 박막(202)을 경화시키기 위해 높은 강도의 펄스 제논 플래쉬 램프(221)를 포함한다. 펄스 제논 플래쉬 램프(221)는 다른 세기의 펄스, 펄스 길이, 및 펄스 반복 주파수를 제공할 수 있다. 예를 들어, 펄스 제논 램프(221)는 1 kHz에 달하는 펄스 반복 속도에서 3"에 6" 넓이의 풋프린트로 10 μs 내지 10 ms 펄스를 제공할 수 있다. 펄스 제논 플래쉬 램프(221)로부터의 방사의 스펙트럼 콘텐츠는 200 nm 내지 2,500 nm의 범위이다. 스펙트럼은, 350 nm 미만의 대부분의 방사를 제거하도록 쿼츠 램프를 세륨 도프된 쿼츠 램프로 교체함에 의해 조절될 수 있다. 쿼츠 램프는 또한 약 140 nm 내지 약 4,500 nm로 방사를 확장하도록 사피로 램프로 교체될 수도 있다. 또한 스펙트럼의 다른 부분을 제거하도록 필터가 첨가될 수 있다. 플래쉬 램프(221)는 또한 종종 유도 플라즈마 아크(DPA) 램프라고 칭해지는 워터 월 플래쉬 램프(water wall flash lamp)가 될 수 있다.
릴레이 랙(230)은 조절 가능한 파워 서플라이, 컨베이언스 컨트롤 모듈, 및 스트로브 컨트롤 모듈을 포함한다. 조절 가능한 파워 서플라이는 펄스당 4 킬로주울에 달하는 에너지를 갖는 펄스를 생성할 수 있다. 조절 가능한 파워 서플라이는 펄스 제논 플래쉬 램프(221)에 연결되고, 펄스 제논 플래쉬 램프(221)로부터의 방사의 세기는 펄스 제논 플래쉬 램프(221)를 통과하는 전류의 양을 조절함에 의해 변화될 수 있다.
조절 가능한 파워 서플라이는 펄스 제논 플래쉬 램프(221)의 방사 세기를 조절한다. 펄스 제논 플래쉬 램프(221)로부터의 방사의 파워, 펄스 지속시간 및 펄스 반복 주파수는, 박막(202) 및 기판(203)의 광학적, 열적 및 기하학적 특성에 의존하여, 전기적으로 조절되며 기판(203)에 손상을 주지않고 박막(202)의 경화가 최적으로 되도록 웹 속도에 일치된다.
경화 공정 동안, 기판(203)뿐 아니라 박막(202)이 컨베이어 시스템(210)에 의해 이동된다. 컨베이어 시스템(210)은 스트로브 헤드(220) 하로 박막(202)을 이동시켜 박막(202)이 펄스 제논 플래쉬 램프(221)로부터 빠른 펄스에 의해 경화되게 한다. 펄스 제논 플래쉬 램프(221)로부터의 방사의 파워, 펄스 지속시간 및 반복 속도는 스트로브 컨트롤 모듈에 의해 조절되며, 기판(203)이 스트로브 헤드(220)를 지나가도록 이동되는 속도는 컨베이어 컨트롤 모듈에 의해 결정된다.
기계적, 전기적, 또는 광학적 센서(250)가 컨베이어 시스템(210)의 속도에 감응하도록 이용된다. 예를 들어, 컨베이어 벨트 시스템(210)의 컨베이어 벨트 속도는 이동하는 컨베이어 벨트와 접촉하게 하는 휠에 연결된 샤프트 엔코더로부터의 신호를 검출함에 의해 감응될 수 있다. 차례로, 펄스 반복 속도는 컨베이어 벨트 시스템(210)의 컨베이어 벨트 속도에 일치될 수 있다. 스트로브 펄스 속도 f는 아래 식에 의해 주어진다:
f = 0.2 * s * o/w
여기서 s = 웹 속도 [ft/min]
o = 오버랩 인자
w = 경화 헤드 넓이 [in]
오버랩 인자는 임의의 위치에서 기판에 의해 받은 스트로브 펄스의 평균값이다. 예를 들어, 200 ft/min의 웹 속도, 5의 오버랩 인자, 및 2.75 인치의 경화 헤드 넓이에서 스트로브의 펄스 속도는 72.7 Hz이다.
플래쉬 램프(221)가 펄스될 때, 박막(202)은 산화-환원 반응을 위한 활성화 에너지를 제공하도록 순간적으로 가열된다. 빠른 펄스 트레인이 이동하는 기판(203)과 조합되면, 박막(202)의 각 섹션이 다중 펄스에 노출될 수 있어, 일정한 경화가 임의의 광범위한 영역에 걸쳐 달성될 수 있고, 이는 연속적 경화 시스템 예컨대 오븐과 거의 유사하다.
경화 이전에 금속 입자로부터 산화물을 제거하도록 환원제 또는 플럭스가 도입되는 종래 기술과 달리, 본 발명의 방법은 박막과 함께 산화물이 강한 펄스 광에 의해 환원되도록 환원제를 직접 배치한다. 공정은 공기 중에서 수행될 수 있는데 이는 불활성 또는 환원성 분위기의 필요성이 짧은 반응 시간으로 인해 없어지기 때문이다. 기본적으로, 박막은 환원제와 산화물이 반응하도록 충분히 고온으로 짧게 가열되지만, 반응 시간은 공기와의 심각한 화학 반응을 방지하도록 충분히 짧다.
강한 펄스 광의 결과로 인해, 금속 산화물은 막에서 환원제에 의해 환원되며 결과적으로 금속의 박막이 된다. 펄스 광원으로부터의 단위 면적당 방사 파워가 매우 높다고 하더라도(~2 KW/cm2), 펄스 지속시간이 짧아 적은 에너지(~2 J/cm2)가 기판(103)상에 주어진다. 따라서, 기판(103)은 손상되지 않는다. 따라서, 본 발명의 방법은 열적으로 약한 기판 예컨대 플라스틱 또는 종이에서 고온 산화-환원 반응이 일어나는 것을 가능하게 한다. 공정은 공기 중에서 금속의 산화가 최소로 되도록 충분히 빠르며, 따라서 불활성 및 환원성 분위기는 필요치 않다. 금속 산화물의 환원에 더하여, 강한 펄스 광은 기판의 손상 없이 고 전도성 트레이스를 형성하도록 금속 입자를 소결시키는 장점을 갖는다. 환원 및 소결은 각각의 광의 펄스로부터 일어나는 것으로 나타났다.
택일적인 구체예에서, 환원제는 네거티브 환원 포텐셜을 갖는 금속, 예컨대 알루미늄, 마그네슘, 또는 리튬이다. 이는 포지티브 환원 포텐셜을 갖지 않는 물질의 환원을 가능하게 한다. 환원된 금속은 입자 또는 막의 형태가 될 수 있다.
다른 택일적인 구체예에서, 크리닝 또는 표면과의 반응 방법은 표면에 반응 막을 증착하고 막을 강한 펄스 광에 노출시켜 표면과 막을 반응시킴에 의해 수행된다. 요컨대, 매우 고온으로 가열되는 상대적으로 무해한 화학물질은 실온에서 상대적으로 위험한 물질과 유사한 화학적 활성을 가질 수 있다. 어플리케이션은 세척제, 표면 제조제 등을 포함한다. 상대적으로 무해한 시약은 고온에서만 매우 활성인데, 이는 보다 안전하고 잠재적으로 보다 환경적인 세척제가 보다 위험한 물질 대신에 사용될 수 있음을 의미한다. 이러한 시약의 보관은 보다 안전하며, 사용 후 시약의 처리도 보다 값싸고 환경적이다.
아래의 문단은 본 발명의 공정 동안 박막에 무슨 일이 일어나는지를 설명한다. 전형적인 두께의 박막은 1 마이크론이며, 전형적인 두께의 기판은 150 마이크론(6 mils)이다. 막 기재 구리 산화물/유기 환원제에 대한 바람직한 펄스는 1,000 마이크로세컨드 펄스 길이를 갖는 330 V이다. 이 세팅은 1.7 J/cm2의 방사선 노출 또는 1.7 KW/cm2의 평균 방사 파워에 상응한다. 방사선 손실은 무시되며, 용매의 증발에 의한 흡수, 박막의 인터페이스에서 PET의 용해에 의해 흡수되는 에너지, 및 자연 대류를 추정한 시스템의 열적 시뮬레이션이 수행되는 산화-환원 반응으로부터 유리되는 에너지는 인터페이스에서 소실된다. 도 1로부터 추정된 경화 장치는 펄스 이전에 실온(25℃)이며, 1 ms 펄스의 말단에서 계산된 박막의 피크 온도는 약 1,040℃이다. 전체 막/기판은 25 ms 이내에 PET의 발표된 150℃ 분해 온도 미만으로 되돌아간다. 이 가열은 기판에 명백한 손상없이 수행된다. 그러나, PET의 발표된 분해 온도로 정해진 일반적인 대류 오븐과 달리, 상당히 높은 피크 온도는 산화-환원 반응을 일으키기에 충분한 활성화 에너지를 공급한다. 산화-환원 반응이 25 ms 보다 짧은 시간 프레임에서 확실히 완결되기 때문에, 구리가 공기에 의해 산화되기에 적당한 시간이 없다. 따라서, 산화-환원 반응이 일어나며 구리의 산화는 일어나지 않는다. 따라서, 고 전도성 구리막이 생성된다. 또한, 박막이 도달하는 소정의 온도에서, 얻은 구리 입자 역시 광의 펄스에 의해 소결된다. 소결은 전기 전도성 및 막의 안정성 모두가 증가하는 효과를 갖는다.
본 발명의 방법의 한 장점은 환원이 매우 빠르게 완결될 수 있고, 이는 고속 프린팅 및 웹 핸들링 기술과 양립하게 한다. 결과적으로, 고온 프로세싱은 값싼 저온 기판 예컨대 종이, 플라스틱, 또는 중합체에 수행될 수 있다. 본 발명의 방법의 다른 장점은 환원 반응이 대기 환경 예컨대 공기에서 수행될 수 있다는 점이다. 본 발명의 방법의 다른 장점은 구리, 산화된 구리, 또는 심지어 구리 산화물이 기판에 증착될 수 있고 은보다 극적으로 낮은 단가에서 경쟁적인 프린트된 은의 저항으로 경화될 수 있다. 보다 구체적으로, 공기 중에서 가열되는 경우 구리는 산화된다. 본 발명은 이들 산화 수준에도 불구하고 고 전도성 막이 되도록 공기 중에서 구리 입자의 경화를 허용한다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 저온 기판상에서 박막을 빠르게 환원하는 방법을 제공한다.
본 발명 자체뿐 아니라, 이의 바람직한 사용 모드, 추가 개체, 및 장점은 여기 수반되는 도면과 관련하여 읽을 때 아래의 예시적인 구체예의 상세한 기재로부터 참조하여 이해되는 것이 가장 최선일 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 구체예에 따른 저온 기판상의 박막을 경화시키는 방법의 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 구체예에 따른 경화 장치의 도해이다.
실시예
실시예 1 - 아스코르브산 환원제
2OmL 바이알에 3.0g <50nm 구리 (II) 산화물, 3.6g 탈이온화 물, 0.15g PVP K-30, 0.3g 에틸렌 글리콜, 0.04g Tergitol® TMN-6, 0.02g Dynol® 604, 0.02g BYK®-020, 및 0.66g 아스코르브산을 혼합하여 구리 산화물 분산액을 제조하였다. 5g의 지르코늄 산화물 밀링 미디어를 첨가하고 이 바이알을 60분간 교반하였다.
분산액을 #5 Meyer 바를 사용한 드로우다운(drawdown)에 의해 Melinex® ST505 PET의 시트에 적용시켰다.
샘플을 공기 환경하에 1,000 마이크로세컨드의 펄스 길이 및 분당 24 피트에서 2의 오버랩 인자로 경화시켰다. 막은 전기적으로 전도성이 아니지만, 막의 색은 어두운 갈색에서 구리 색으로 변화되어 구리 산화물이 구리로 상당히 변환되었음을 나타낸다.
실시예 2 - 에틸렌 글리콜/글리세롤 환원제
2OmL 바이알에 2.Og NanoArc® 구리 산화물, 5.7g 탈이온화 물, O.lOg PVP K-30, 0.6g 에틸렌 글리콜, 0.03g Tergitol® TMN-6, 0.01g Dynol® 604, 및 0.32g 글리세롤을 혼합하여 구리 산화물 분산액을 제조하였다. 5g의 지르코늄 산화물 밀링 미디어를 첨가하고 이 바이알을 60분간 교반하였다.
분산액을 #5 Meyer 바를 사용한 드로우다운에 의해 Melinex® ST505 PET의 시트에 적용시켰다.
샘플을 공기 환경하에 850 마이크로세컨드의 펄스 길이 및 분당 24 피트에서 2의 오버랩 인자로 경화시켰다. 막은 전기적으로 전도성이 아니지만, 막의 색은 어두운 갈색에서 구리 색으로 변화되어 구리 산화물이 구리로 상당히 변환되었음을 나타낸다.
실시예 3 - 에틸렌 글리콜/글리세롤 환원제
2OmL 바이알에 2.Og NanoArc® 구리 산화물, 5.4g 탈이온화 물, O.lOg PVP K-30, 0.6g 에틸렌 글리콜, 0.03g Tergitol® TMN-6, 0.01g Dynol® 604, 및 0.67g 글리세롤을 혼합하여 구리 산화물 분산액을 제조하였다. 5g의 지르코늄 산화물 밀링 미디어를 첨가하고 이 바이알을 60분간 교반하였다.
분산액을 #5 Meyer 바를 사용한 드로우다운에 의해 Melinex® ST505 PET의 시트에 적용시켰다.
샘플을 공기 환경하에 1,000 마이크로세컨드의 펄스 길이 및 분당 24 피트에서 3의 오버랩 인자로 경화시켰다. 막은 전기적으로 전도성이 아니지만, 막의 색은 어두운 갈색에서 구리 색으로 변화되어 구리 산화물이 구리로 상당히 변환되었음을 나타낸다.
실시예 4 - 에틸렌 글리콜/글리세롤 환원제
2OmL 바이알에 2.Og NanoArc® 구리 산화물, 4.9g 탈이온화 물, O.lOg PVP K-30, 0.5g 에틸렌 글리콜, 0.03g Tergitol® TMN-6, 0.01g Dynol® 604, 및 1.32g 글리세롤을 혼합하여 구리 산화물 분산액을 제조하였다. 5g의 지르코늄 산화물 밀링 미디어를 첨가하고 이 바이알을 60분간 교반하였다.
분산액을 #5 Meyer 바를 사용한 드로우다운에 의해 Melinex® ST505 PET의 시트에 적용시켰다.
샘플을 공기 환경하에 2,300의 펄스 길이로 750V에서 단일 펄스로 경화시켰다. 막의 색은 어두운 갈색에서 구리 색으로 변화되어 구리 산화물이 구리로 상당히 변환되었음을 나타낸다. 막의 시트 저항성은 4.1 Ω/sq 였다.
실시예 5 - 글루코스 환원제
2OmL 바이알에 1.75g NanoArc® 구리 산화물, 5.3g 탈이온화 물, 0.09g PVP K-30, 0.6g 에틸렌 글리콜, 0.02g Tergitol® TMN-6, 0.01g Dynol® 604, 및 0.79g 글루코스를 혼합하여 구리 산화물 분산액을 제조하였다. 5g의 지르코늄 산화물 밀링 미디어를 첨가하고 이 바이알을 60분간 교반하였다.
분산액을 #5 Meyer 바를 사용한 드로우다운에 의해 Melinex® ST505 PET의 시트에 적용시켰다. 따로, 분산액을 #5 Meyer 바를 사용한 드로우다운에 의해 엡손 포토 페이퍼의 시트에 적용시켰다.
샘플을 공기 환경하에 세 가지 패스(three passes)에 대해 400 마이크로세컨드의 펄스 길이 및 분당 24 피트에서 2의 오버랩 인자로 경화시켰다. 막은 전기적으로 전도성이 아니지만, 막의 색은 어두운 갈색에서 구리 색으로 변화되어 구리 산화물이 구리로 상당히 변환되었음을 나타낸다.
실시예 6 - 글루코스 환원제
2OmL 바이알에 1.75g NanoArc® 구리 산화물, 5.3g 탈이온화 물, 0.09g PVP K-30, 0.6g 에틸렌 글리콜, 0.02g Tergitol® TMN-6, 0.01g Dynol® 604, 및 1.59g 글루코스를 혼합하여 구리 산화물 분산액을 제조하였다. 5g의 지르코늄 산화물 밀링 미디어를 첨가하고 이 바이알을 60분간 교반하였다.
분산액을 #5 Meyer 바를 사용한 드로우다운에 의해 Melinex® ST505 PET의 시트에 적용시켰다.
샘플을 공기 환경하에 500 마이크로세컨드의 펄스 길이 및 분당 24 피트에서 2의 오버랩 인자로 경화시켰다. 막의 색은 어두운 갈색에서 구리 색으로 변화되어 구리 산화물이 구리로 상당히 변환되었음을 나타낸다. 막의 시트 저항성은 2.2 Ω/sq 였다.
실시예 7 - 헥산디올 환원제
2OmL 바이알에 1.5g NanoArc® 구리 산화물, 7.5g 탈이온화 물, 0.08g PVP K-30, 0.6g 에틸렌 글리콜, 0.02g Tergitol® TMN-6, 0.02g Dynol® 604, 및 0.47g 1,2-헥산디올을 혼합하여 구리 산화물 분산액을 제조하였다. 5g의 지르코늄 산화물 밀링 미디어를 첨가하고 이 바이알을 60분간 교반하였다.
분산액을 #5 Meyer 바를 사용한 드로우다운에 의해 Melinex® ST505 PET의 시트에 적용시켰다.
샘플을 공기 환경하에 600 마이크로세컨드의 펄스 길이 및 분당 24 피트에서 2의 오버랩 인자로 경화시켰다. 막은 전기적으로 전도성이 아니지만, 막의 색은 어두운 갈색에서 구리 색으로 변화되어 구리 산화물이 구리로 상당히 변환되었음을 나타낸다.
실시예 8 - 글루타르산 환원제
2OmL 바이알에 1.5g <50nm 구리 (II) 산화물, 6.8g 탈이온화 물, 0.08g PVP K-30, 0.8g 에틸렌 글리콜, 0.03g Tergitol® TMN-6, 0.02g Dynol® 604, 및 0.47g 글루타르산을 혼합하여 구리 산화물 분산액을 제조하였다. 5g의 지르코늄 산화물 밀링 미디어를 첨가하고 이 바이알을 60분간 교반하였다.
분산액을 #5 Meyer 바를 사용한 드로우다운에 의해 Melinex® ST505 PET의 시트에 적용시켰다.
샘플을 공기 환경하에 1,200 마이크로세컨드의 펄스 길이 및 분당 25 피트에서 3의 오버랩 인자로 경화시켰다. 막의 색은 어두운 갈색에서 구리 색으로 변화되어 구리 산화물이 구리로 상당히 변환되었음을 나타낸다. 막의 시트 저항성은 2.7 Ω/sq 였다.
실시예 9 - 폴리아크릴아미드 환원제
2OmL 바이알에 1.75g NanoArc® 구리 산화물, 5.3g 탈이온화 물, 0.09g PVP K-30, 0.6g 에틸렌 글리콜, 0.02g Tergitol® TMN-6, 0.01g Dynol® 604, 및 1.25g 폴리아크릴아미드를 혼합하여 구리 산화물 분산액을 제조하였다. 5g의 지르코늄 산화물 밀링 미디어를 첨가하고 이 바이알을 60분간 교반하였다.
분산액을 #5 Meyer 바를 사용한 드로우다운에 의해 Melinex® ST505 PET의 시트에 적용시켰다.
샘플을 공기 환경하에 800 마이크로세컨드의 펄스 길이 및 분당 24 피트에서 2의 오버랩 인자로 경화시켰다. 막은 전기적으로 전도성이 아니지만, 막의 색은 어두운 갈색에서 구리 색으로 변화되어 구리 산화물이 구리로 상당히 변환되었음을 나타낸다.
실시예 10 - 펜타에리쓰리톨 환원제
2OmL 바이알에 1.75g NanoArc® 구리 산화물, 5.3g 탈이온화 물, 0.09g PVP K-30, 0.6g 에틸렌 글리콜, 0.02g Tergitol® TMN-6, 0.01g Dynol® 604, 및 0.9Og 펜타에리쓰리톨을 혼합하여 구리 산화물 분산액을 제조하였다. 5g의 지르코늄 산화물 밀링 미디어를 첨가하고 이 바이알을 60분간 교반하였다.
분산액을 #5 Meyer 바를 사용한 드로우다운에 의해 Melinex® ST505 PET의 시트에 적용시켰다.
샘플을 공기 환경하에 600 마이크로세컨드의 펄스 길이 및 분당 24 피트에서 2의 오버랩 인자로 경화시켰다. 막은 전기적으로 전도성이 아니지만, 막의 색은 어두운 갈색에서 구리 색으로 변화되어 구리 산화물이 구리로 상당히 변환되었음을 나타낸다.
실시예 11 - 석신산 환원제
2OmL 바이알에 1.75g NanoArc® 구리 산화물, 5.3g 탈이온화 물, 0.09g PVP K-30, 0.6g 에틸렌 글리콜, 0.02g Tergitol® TMN-6, 0.01g Dynol® 604, 및 0.71g 석신산(소듐염)을 혼합하여 구리 산화물 분산액을 제조하였다. 5g의 지르코늄 산화물 밀링 미디어를 첨가하고 이 바이알을 60분간 교반하였다.
분산액을 #5 Meyer 바를 사용한 드로우다운에 의해 Melinex® ST505 PET의 시트에 적용시켰다.
샘플을 공기 환경하에 700 마이크로세컨드의 펄스 길이 및 분당 24 피트에서 4의 오버랩 인자로 경화시켰다. 막은 전기적으로 전도성이 아니지만, 막의 색은 어두운 갈색에서 구리 색으로 변화되어 구리 산화물이 구리로 상당히 변환되었음을 나타낸다.
실시예 12 - 카본 환원제
2OmL 바이알에 1.75g NanoArc® 구리 산화물, 5.3g 탈이온화 물, 0.09g PVP K-30, 0.6g 에틸렌 글리콜, 0.02g Tergitol® TMN-6, 0.01g Dynol® 604, 및 0.32g 카본 블랙을 혼합하여 구리 산화물 분산액을 제조하였다. 5g의 지르코늄 산화물 밀링 미디어를 첨가하고 이 바이알을 60분간 교반하였다.
분산액을 #5 Meyer 바를 사용한 드로우다운에 의해 Melinex® ST505 PET의 시트에 적용시켰다.
샘플을 공기 환경하에 500 마이크로세컨드의 펄스 길이 및 분당 24 피트에서 2의 오버랩 인자로 경화시켰다. 막은 전기적으로 전도성이 아니지만, 막의 색은 어두운 갈색에서 구리 색으로 변화되어 구리 산화물이 구리로 상당히 변환되었음을 나타낸다.
실시예 13 - 요산 환원제
2OmL 바이알에 1.75g NanoArc® 구리 산화물, 5.3g 탈이온화 물, 0.09g PVP K-30, 0.6g 에틸렌 글리콜, 0.02g Tergitol® TMN-6, 0.01g Dynol® 604, 및 0.89g 요산을 혼합하여 구리 산화물 분산액을 제조하였다. 5g의 지르코늄 산화물 밀링 미디어를 첨가하고 이 바이알을 60분간 교반하였다.
분산액을 #5 Meyer 바를 사용한 드로우다운에 의해 Melinex® ST505 PET의 시트에 적용시켰다.
샘플을 공기 환경하에 600 마이크로세컨드의 펄스 길이 및 분당 24 피트에서 2의 오버랩 인자로 경화시켰다. 막은 전기적으로 전도성이 아니지만, 막의 색은 어두운 갈색에서 구리 색으로 변화되어 구리 산화물이 구리로 상당히 변환되었음을 나타낸다.
실시예 14 - 글리세롤 환원제를 갖는 잉크젯
구리 산화물 분산액을 52.5g NanoArc® 구리 산화물, 2.6g PVP K-30, 및 294.9g 탈이온화 물의 혼합물을 일차로 밀링하여 제조하였다. 얻은 평균 입자 크기는 115nm 였다. 잉크젯 잉크를 8.4g의 가공된(milled) 구리 산화물 분산액, 1.Og 글리세롤, 0.5g 에틸렌 글리콜, 0.04g Triton® X-100, 및 0.03g BYK®-020의 혼합에 의해 제조하였다.
잉크젯 잉크를 픽토리코 브랜드 PET상에 데스크탑 잉크젯 프린터를 사용하여 프린트하였다.
샘플을 공기 환경하에 300 마이크로세컨드의 펄스 길이 및 분당 24 피트에서 2의 오버랩 인자로 경화시켰다. 막의 색은 어두운 갈색에서 구리 색으로 변화되어 구리 산화물이 구리로 상당히 변환되었음을 나타낸다. 막의 시트 저항성은 1 Ω/sq 였다.
실시예 15 - 아스코르브산 및 글리세롤 환원제를 갖는 구리 파우더
구리 분산액을 7.57g의 탈이온화 물 중 2.5g의 미쓰이 구리 파우더, 0.04g의 BYK®-020, 0.04g의 Tergitol® TMN-6, 0.25g의 PVP K-30, 0.89g의 글리세롤, 0.45g의 에틸렌 글리콜, 0.76g의 아스코르브산을 혼합함에 의해 제조하였다.
분산액을 #10 Meyer 바를 사용한 드로우다운에 의해 픽토리코 브랜드 PET의 시트에 적용시켰다.
샘플을 공기 환경하에 1,000 마이크로세컨드의 펄스 길이 및 분당 24 피트에서 4의 오버랩 인자로 경화시켰다. 막의 색은 어두운 갈색에서 구리 색으로 변화되어 구리 산화물이 구리로 상당히 변환되었음을 나타낸다. 막의 시트 저항성은 40 mΩ/sq 였다. 막이 완전히 밀집된(fully dense) 것으로 가정하면, 1.3 마이크론 두께이고 따라서 5.2 마이크로 Ω-cm의 벌크 전도성 또는 순수한 구리의 3배의 벌크 전도성을 갖는다.
실시예 16 - 아스코르브산 환원제를 갖는 잉크젯
구리 산화물 분산액을 52.5g NanoArc® 구리 산화물, 2.6g PVP K-30, 및 294.9g 탈이온화 물의 혼합물을 일차로 밀링하여 제조하였다. 얻은 평균 입자 크기는 115nm 였다. 제1 잉크젯 잉크를 8.4g의 가공된 구리 산화물 분산액, 1.Og 글리세롤, 0.5g 에틸렌 글리콜, 0.04g Triton® X-100, 및 0.03g BYK®-020의 혼합에 의해 제조하였다. 제2 잉크젯 잉크를 42.5g의 탈이온화 물 중 O.lg의 BYK®-020, 0.2g의 Triton® X-100, 10.0g의 아스코르브산, 3.0g의 에틸렌 글리콜, 4.5g의 글리세롤을 혼합하여 제조하였다.
두 잉크젯 잉크를 픽토리코 브랜드 PET상에 잉크젯 프린터를 사용하여 순차적으로 프린트하였다.
샘플을 공기 환경하에 1,000 마이크로세컨드의 펄스 길이 및 분당 24 피트에서 1의 오버랩 인자로 경화시켰다. 막의 색은 어두운 갈색에서 구리 색으로 변화되어 구리 산화물이 구리로 상당히 변환되었음을 나타낸다. 막은 0.3 마이크론 두께인 것으로 예측되었으며, 4.1 마이크로 Ω-cm의 벌크 전도성 또는 순수한 구리의 2.4배의 벌크 전도성을 가짐을 나타내는 140mΩ/sq의 시트 저항성을 갖는다.
모든 상술한 실시예들을 동일하게 제조하고 150℃에서 30분간 공기 환경을 포함하는 오븐에 두었다. 모든 경우에서, 막의 변환 또는 전도성의 시각적 증거는 없었다. 더욱 높은 오븐 온도는 가능하지 않은데 PET의 최대 작업 온도가 150℃이기 때문이다. 보다 높은 온도 기판, 예컨대 캡탄(Kaptan) 또는 유리가 사용되는 경우, 심지어 800℃에 달하는 온도에서도 변환은 관찰되지 않았다.
실시예 17 - 아스코르브산 환원제를 갖는 구리 설페이트
제1 용액을 탈이온화 물 중 20wt% CuSO4·5H2O로 제조하였다. 제2 용액을 42.5g의 탈이온화 물 중 0.1g의 BYK®-020, 0.2g의 Triton® X-100, 10.0g의 아스코르브산, 3.0g의 에틸렌 글리콜, 4.5g의 글리세롤을 혼합하여 제조하였다.
제1 용액을 #10 Meyer 바를 사용한 드로우다운에 의해 통상의 포토카피 종이에 증착하였다. 후에 #5 바를 사용한 드로우다운에 의해 제2 용액을 증착하였다.
샘플을 공기 환경하에 세 가지 패스에 대해 1,000 마이크로세컨드의 펄스 길이 및 분당 24 피트에서 4의 오버랩 인자로 경화시켰다. 막은 전기적으로 전도성이 아니지만, 막의 색은 어두운 갈색에서 구리 색으로 변화되어 구리 산화물이 구리로 상당히 변환되었음을 나타낸다. 막은 0.3 마이크론 두께인 것으로 예측되었으며, 4.1 마이크로 Ω-cm의 벌크 전도성 또는 순수한 구리의 2.4배의 벌크 전도성을 가짐을 나타내는 140mΩ/sq의 시트 저항성을 갖는다. 저배율 현미경하에서 구리가 종이의 파이버에 코팅되었음을 관찰하였다.
실시예 18 - 알루미늄 환원제
분산액을 6.Og의 탈이온화 물 중 0.29g의 Valimet-H2 알루미늄 파우더, 시그마-알드리치로부터의 0.77g의 <5마이크론 구리 (II) 산화물, 0.11g의 PVP K-30으로 제조하였다.
분산액을 #10 Meyer 바를 사용한 드로우다운에 의해 픽토리코 브랜드 PET의 시트에 적용시켰다.
샘플을 공기 환경하에 1,000 마이크로세컨드의 펄스 길이 및 분당 28 피트에서 2의 오버랩 인자로 경화시켰다. 막은 전기적으로 전도성이 아니지만, 막의 색은 어두운 갈색에서 구리 색으로 변화되어 구리 산화물이 구리로 상당히 변환되었음을 나타낸다.
대조적으로, 동일한 막들을 모든 상술한 실시예들에서 제조하고 150℃에서 30분간 공기 환경을 포함하는 오븐에 두었다. PET의 최대 작업 온도 때문에 150℃가 선정되었다. 변환은 관찰되지 않았으며, 어느 막도 임의의 측정가능한 전기 저항성(400 MΩ/square 초과)을 나타내지 않았다.
비록 본 발명이 바람직한 구체예를 참조로 하여 구체적으로 도시되고 설명되었으나, 당업자는 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않은 채, 다양한 형태 및 세부사항의 변형이 가능함을 이해할 것이다.

Claims (20)

  1. 기판상에 전기 전도성 박막을 제조하는 방법으로서,
    액체 중에 환원가능한 금속 화합물 및 환원제를 분산시키는 단계;
    박막으로서 기판상에 상기 분산액을 증착시키는 단계;
    상기 환원가능한 금속 화합물과 상기 환원제가 화학적으로 반응하여 상기 박막이 전기 전도성이 되도록 주변 분위기하에서 상기 기판과 함께 상기 박막을 펄스 전자기 방사(pulsed electromagnetic emission)에 노출시키는 단계를 포함하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판이 종이인 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 종이가 잉크 수용층(receiving layer)으로 코팅되는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판이 중합체인 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 중합체가 잉크 수용층으로 코팅되는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 펄스 전자기 방사가 레이저, 플래쉬 램프, 유도(directed) 플라즈마 아크 램프, 마이크로웨이브, 또는 라디오프리퀀시 인덕션 히터, 전자 빔, 및 아크 램프 중 어느 하나에 의해 생성되는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 액체가 물인 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 노출 단계가, 상기 기판이 경화되는 동안 상기 기판이 상기 펄스 전자기 광원을 지나가도록 운반하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 환원가능한 금속 화합물이 금속 산화물인 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 환원가능한 금속 화합물이 몰리브덴 산화물, 텅스텐 산화물, 레늄 산화물, 철 산화물, 루테늄 산화물, 오스뮴 산화물, 코발트 산화물, 로듐 산화물, 이리듐 산화물, 니켈 산화물, 팔라듐 산화물, 플래티늄 산화물, 구리 산화물, 은 산화물, 아연 산화물, 카드뮴 산화물, 인듐 산화물, 게르마늄 산화물, 주석 산화물, 납 산화물, 안티몬 산화물 및 비스무스 산화물로 구성된 군으로부터 선택된 화합물인 방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 환원가능한 금속 화합물이 금속염인 방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 환원제가 알코올, 알데히드, 카복실산 및 카본 블랙으로 구성된 군으로부터 선택된 화합물인 방법.
  13. 제1항에 있어서, 상기 환원제가 알루미늄, 마그네슘 및 리튬으로 구성된 군으로부터 선택되는 방법.
  14. 제1항에 있어서, 상기 환원제가 글리세롤, 아스코르브산, 1,2-헥산디올 및 글루타르산을 추가로 포함하는 방법.
  15. 제1항에 있어서, 상기 분산 단계가 폴리비닐피롤리돈 또는 폴리스티렌-아크릴레이트 공중합체를 포함하는 분산제 중 어떤 분산제를 사용하여 상기 환원가능한 금속 화합물 및 상기 환원제를 분산시키는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  16. 제1항에 있어서, 상기 분산이 프린팅에 의해 수행되는 방법.
  17. 제1항에 있어서, 상기 펄스 전자기 방사가 20 ms 미만의 펄스 길이를 갖는 방법.
  18. 제1항에 있어서, 상기 펄스 전자기 방사가 500 W/cm2 초과인 방법.
  19. 기판상에 전기 전도성 박막을 제조하는 방법으로서,
    액체 중에 금속 및 환원제를 분산시키는 단계;
    박막으로서 기판상에 상기 분산액을 증착시키는 단계;
    형성될 수 있는 금속 산화물과 함께 상기 환원가능한 금속 화합물과 상기 환원제가 화학적으로 반응하여 상기 박막이 전기 전도성이 되도록 주변 분위기하에서 상기 기판과 함께 상기 박막을 펄스 전자기 방사에 노출시키는 단계를 포함하는 방법.
  20. 저온 기판상에서 박막을 환원시키는 방법으로서,
    제1 액체 중에 환원가능한 금속 화합물을 분산시키는 단계;
    제2 액체 중에 환원제를 분산시키는 단계;
    박막으로서 기판상에 상기 제1 및 제2 분산액을 증착시키는 단계;
    상기 기판상에서 상기 환원가능한 금속 화합물과 상기 환원제 사이에 산화-환원 반응이 시작되도록 주변 분위기하에서 상기 기판과 함께 상기 박막을 펄스 전자기 방사에 노출시키는 단계를 포함하는 방법.

KR1020117011229A 2008-10-17 2009-03-25 저온 기판상에서의 박막 환원 방법 KR101600559B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US19653108P 2008-10-17 2008-10-17
US61/196,531 2008-10-17

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157030385A Division KR20150125016A (ko) 2008-10-17 2009-03-25 저온 기판상에서의 박막 환원 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110083675A true KR20110083675A (ko) 2011-07-20
KR101600559B1 KR101600559B1 (ko) 2016-03-08

Family

ID=42106805

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117011229A KR101600559B1 (ko) 2008-10-17 2009-03-25 저온 기판상에서의 박막 환원 방법
KR1020157030385A KR20150125016A (ko) 2008-10-17 2009-03-25 저온 기판상에서의 박막 환원 방법
KR1020117011230A KR101604437B1 (ko) 2008-10-17 2009-10-19 고속에서 저온 기판상에 박막을 반응시키기 위한 방법 및 장치

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157030385A KR20150125016A (ko) 2008-10-17 2009-03-25 저온 기판상에서의 박막 환원 방법
KR1020117011230A KR101604437B1 (ko) 2008-10-17 2009-10-19 고속에서 저온 기판상에 박막을 반응시키기 위한 방법 및 장치

Country Status (8)

Country Link
US (2) US20110262657A1 (ko)
EP (2) EP2347032B1 (ko)
JP (7) JP5922929B2 (ko)
KR (3) KR101600559B1 (ko)
CN (4) CN102245804A (ko)
CA (3) CA2740618C (ko)
HK (1) HK1162093A1 (ko)
WO (2) WO2010044904A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101506504B1 (ko) * 2013-08-22 2015-03-30 (주)유니버셜스탠다드테크놀러지 대면적 광소결 장치
KR20190017988A (ko) * 2016-06-14 2019-02-20 그로스, 린더 킬리안 기판을 열처리하기 위한 방법 및 장치

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8410712B2 (en) * 2008-07-09 2013-04-02 Ncc Nano, Llc Method and apparatus for curing thin films on low-temperature substrates at high speeds
US8834957B2 (en) * 2008-11-05 2014-09-16 Lg Chem, Ltd. Preparation method for an electroconductive patterned copper layer
US10060180B2 (en) 2010-01-16 2018-08-28 Cardinal Cg Company Flash-treated indium tin oxide coatings, production methods, and insulating glass unit transparent conductive coating technology
US10000411B2 (en) 2010-01-16 2018-06-19 Cardinal Cg Company Insulating glass unit transparent conductivity and low emissivity coating technology
US10000965B2 (en) 2010-01-16 2018-06-19 Cardinal Cg Company Insulating glass unit transparent conductive coating technology
US8907258B2 (en) * 2010-04-08 2014-12-09 Ncc Nano, Llc Apparatus for providing transient thermal profile processing on a moving substrate
US20120017829A1 (en) * 2010-07-21 2012-01-26 Xenon Corporation Reduction of stray light during sinterinig
DE102011089884B4 (de) * 2011-08-19 2016-03-10 Von Ardenne Gmbh Niedrigemittierende Beschichtung und Verfahren zur Herstellung eines niedrigemittierenden Schichtsystems
TW201339279A (zh) * 2011-11-24 2013-10-01 Showa Denko Kk 導電圖型形成方法及藉由光照射或微波加熱的導電圖型形成用組成物
TWI481326B (zh) * 2011-11-24 2015-04-11 Showa Denko Kk A conductive pattern forming method, and a conductive pattern forming composition by light irradiation or microwave heating
TWI569700B (zh) * 2011-11-25 2017-02-01 昭和電工股份有限公司 導電性圖案生成方法
JP5991830B2 (ja) * 2012-03-19 2016-09-14 国立大学法人大阪大学 導電パターン形成方法及び光照射またはマイクロ波加熱による導電パターン形成用組成物
KR20150016552A (ko) * 2012-06-05 2015-02-12 쇼와 덴코 가부시키가이샤 기재막 및 소결 방법
JP2014011256A (ja) * 2012-06-28 2014-01-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理方法および熱処理装置
JP5275498B1 (ja) 2012-07-03 2013-08-28 石原薬品株式会社 導電膜形成方法及び焼結進行剤
JP5283291B1 (ja) * 2012-07-03 2013-09-04 石原薬品株式会社 導電膜形成方法及び焼結進行剤
WO2014026187A2 (en) * 2012-08-10 2014-02-13 Karim Rezaoul Flash lamps in a continuous motion process
JP6093136B2 (ja) * 2012-09-26 2017-03-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
US10470301B2 (en) * 2013-04-26 2019-11-05 Showa Denko K.K. Method for manufacturing conductive pattern and conductive pattern formed substrate
CN104185378A (zh) * 2013-05-21 2014-12-03 群创光电股份有限公司 导电线路的制备方法、以及具有导电线路的装置
FR3008228B1 (fr) 2013-07-02 2015-07-17 Commissariat Energie Atomique Procede d'assemblage de deux composants electroniques, de type flip-chip par recuit uv, assemblage obtenu
DE102013113485A1 (de) * 2013-12-04 2015-06-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Ausbilden einer elektrisch leitfähigen Struktur auf einem Kunststoffsubstrat
JP2017510087A (ja) * 2013-12-20 2017-04-06 ゼノン・コーポレイションＸｅｎｏｎ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 連続フラッシュランプシンタリング
WO2016111133A1 (ja) * 2015-01-06 2016-07-14 株式会社フジクラ 導体層の製造方法及び配線基板
CN107210083A (zh) * 2015-03-24 2017-09-26 昭和电工株式会社 导电图案形成用组合物和导电图案形成方法
EP3684592A4 (en) * 2017-10-30 2021-04-21 Hewlett-Packard Development Company, L.P. THREE-DIMENSIONAL PRINTING
KR102068285B1 (ko) * 2018-02-12 2020-01-20 한양대학교 산학협력단 환원된 금속 산화물의 제조 방법 및 이를 포함하는 리튬이온 이차 전지
US10959441B2 (en) 2018-04-18 2021-03-30 Xenon Corporation Ultraviolet treatment of food products to kill microorganisms while retaining fruit bloom
JP7263124B2 (ja) * 2018-05-30 2023-04-24 旭化成株式会社 インクジェット用酸化銅インク及びこれを用いて導電性パターンを付与した導電性基板の製造方法
CN110774766A (zh) * 2018-07-31 2020-02-11 北京梦之墨科技有限公司 一种液态金属供墨系统的还原墨路
US11028012B2 (en) 2018-10-31 2021-06-08 Cardinal Cg Company Low solar heat gain coatings, laminated glass assemblies, and methods of producing same
US11174107B2 (en) 2019-03-22 2021-11-16 Xenon Corporation Flash lamp system for disinfecting conveyors
US20240191353A1 (en) * 2022-12-07 2024-06-13 Applied Materials, Inc. Electrochemical reduction of surface metal oxides

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4526807A (en) * 1984-04-27 1985-07-02 General Electric Company Method for deposition of elemental metals and metalloids on substrates
US20060159838A1 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Controlling ink migration during the formation of printable electronic features
KR20070091158A (ko) * 2004-11-24 2007-09-07 나노테크놀로지스, 인코포레이티드 나노 물질 합성물의 전기적, 도금적, 및 촉매적 이용

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3239373A (en) * 1962-04-24 1966-03-08 Louis S Hoodwin Printed circuit process
FR1427315A (fr) * 1964-02-24 1966-02-04 Yawata Iron & Steel Co Procédé pour la formation de revêtements isolants électriques sur les tôles électriques
US4159414A (en) * 1978-04-25 1979-06-26 Massachusetts Institute Of Technology Method for forming electrically conductive paths
FR2537898A1 (fr) * 1982-12-21 1984-06-22 Univ Paris Procede de reduction de composes metalliques par les polyols, et poudres metalliques obtenues par ce procede
US4592929A (en) * 1984-02-01 1986-06-03 Shipley Company Inc. Process for metallizing plastics
US4668533A (en) * 1985-05-10 1987-05-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Ink jet printing of printed circuit boards
JPH0537126A (ja) * 1991-07-30 1993-02-12 Toshiba Corp 金属酸化物を用いた配線基板および情報記録媒体
US6326130B1 (en) * 1993-10-07 2001-12-04 Mallinckrodt Baker, Inc. Photoresist strippers containing reducing agents to reduce metal corrosion
EP0696515B1 (en) * 1994-07-11 1998-12-02 Agfa-Gevaert N.V. Ink jet printing process
US5938848A (en) * 1996-06-27 1999-08-17 Nordson Corporation Method and control system for applying solder flux to a printed circuit
JP4463473B2 (ja) * 2000-12-15 2010-05-19 ジ・アリゾナ・ボード・オブ・リージェンツ 前駆体を含有するナノ粒子を用いた金属のパターニング方法
US20040231141A1 (en) * 2001-07-06 2004-11-25 Masaru Nishinaka Laminate and its producing method
JP4416080B2 (ja) * 2003-01-29 2010-02-17 富士フイルム株式会社 プリント配線基板形成用インク、プリント配線基板の形成方法及びプリント配線基板
US20040185388A1 (en) * 2003-01-29 2004-09-23 Hiroyuki Hirai Printed circuit board, method for producing same, and ink therefor
JP2004277627A (ja) * 2003-03-18 2004-10-07 Asahi Kasei Corp インクジェット用インクおよびこれを用いた金属含有薄膜の形成方法
JP2004277868A (ja) * 2003-03-19 2004-10-07 Mitsubishi Paper Mills Ltd 導電性組成物の作製方法
WO2004104490A1 (en) * 2003-05-21 2004-12-02 Alexza Pharmaceuticals, Inc. Self-contained heating unit and drug-supply unit employing same
JP2005071805A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Fuji Photo Film Co Ltd 金属酸化物及び／又は金属水酸化物の粒子と金属の粒子を含む組成物、組成物を用いたプリント配線基板、その製造方法及びそれに用いるインク
US7547647B2 (en) * 2004-07-06 2009-06-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of making a structure
DE602006013100D1 (de) * 2005-01-10 2010-05-06 Yissum Res Dev Co Wasserbasierte dispersionen von metall-nanopartikeln
US20060258136A1 (en) * 2005-05-11 2006-11-16 Guangjin Li Method of forming a metal trace
US20070193026A1 (en) * 2006-02-23 2007-08-23 Chun Christine Dong Electron attachment assisted formation of electrical conductors
US8764960B2 (en) * 2006-08-07 2014-07-01 Inktec Co., Ltd. Manufacturing methods for metal clad laminates
US10231344B2 (en) * 2007-05-18 2019-03-12 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic ink

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4526807A (en) * 1984-04-27 1985-07-02 General Electric Company Method for deposition of elemental metals and metalloids on substrates
KR20070091158A (ko) * 2004-11-24 2007-09-07 나노테크놀로지스, 인코포레이티드 나노 물질 합성물의 전기적, 도금적, 및 촉매적 이용
JP2008522369A (ja) * 2004-11-24 2008-06-26 ノバセントリックス コーポレイション ナノ材料組成物の電気的使用、めっき的使用および触媒的使用
US20060159838A1 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Controlling ink migration during the formation of printable electronic features

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101506504B1 (ko) * 2013-08-22 2015-03-30 (주)유니버셜스탠다드테크놀러지 대면적 광소결 장치
KR20190017988A (ko) * 2016-06-14 2019-02-20 그로스, 린더 킬리안 기판을 열처리하기 위한 방법 및 장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP2347032B1 (en) 2017-07-05
WO2010045639A1 (en) 2010-04-22
CA2740786C (en) 2016-05-24
CA2740618A1 (en) 2010-04-22
JP5922929B2 (ja) 2016-05-24
KR101604437B1 (ko) 2016-03-17
JP2012506158A (ja) 2012-03-08
KR20110082575A (ko) 2011-07-19
CA2740786A1 (en) 2010-04-22
CN104894538A (zh) 2015-09-09
EP2347638A4 (en) 2016-01-27
CA2910493C (en) 2018-03-06
CN102245804A (zh) 2011-11-16
KR20150125016A (ko) 2015-11-06
EP2347638B1 (en) 2018-12-05
CN102217429A (zh) 2011-10-12
CN103796425B (zh) 2017-11-21
JP2019189947A (ja) 2019-10-31
CA2740618C (en) 2016-01-12
JP2012505966A (ja) 2012-03-08
CN102217429B (zh) 2013-11-13
US20100098874A1 (en) 2010-04-22
EP2347638A1 (en) 2011-07-27
JP2014033227A (ja) 2014-02-20
HK1162093A1 (en) 2012-08-17
JP2017039999A (ja) 2017-02-23
CA2910493A1 (en) 2010-04-22
JP6328702B2 (ja) 2018-05-23
EP2347032A1 (en) 2011-07-27
JP2018131691A (ja) 2018-08-23
JP2015034352A (ja) 2015-02-19
EP2347032A4 (en) 2016-01-27
JP5401550B2 (ja) 2014-01-29
US20110262657A1 (en) 2011-10-27
KR101600559B1 (ko) 2016-03-08
CN103796425A (zh) 2014-05-14
WO2010044904A1 (en) 2010-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11172579B2 (en) Method for reducing thin films on low temperature substrates
KR101600559B1 (ko) 저온 기판상에서의 박막 환원 방법
EP1831432B1 (en) Method for sintering materials
US20210155818A1 (en) Copper Oxide Ink and Method for Producing Conductive Substrate Using Same, Product Containing Coating Film and Method for Producing Product Using Same, Method for Producing Product with Conductive Pattern, and Product with Conductive Pattern
US10537029B2 (en) Method for reducing thin films on low temperature substrates
TW201709218A (zh) 導電圖型形成用組成物及導電圖型形成方法
US20180044543A1 (en) Methods for forming and using silver metal
JP4908194B2 (ja) 導電性インクとそれを用いた印刷配線基板とその製造方法
EP3496951B1 (en) Silver ion carboxylate n-heteroaromatic complexes and uses
US10356899B2 (en) Articles having reducible silver ion complexes or silver metal
US20190043635A1 (en) Photosensitive reducible silver ion-containing compositions

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
A107 Divisional application of patent
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190213

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200219

Year of fee payment: 5