KR20110074168A - 루테늄（Ｒｕ）폐타겟을 이용한 루테늄（Ｒｕ） 분말 및 루테늄（Ｒｕ） 타겟 재료 제조방법 - Google Patents
루테늄（Ｒｕ）폐타겟을 이용한 루테늄（Ｒｕ） 분말 및 루테늄（Ｒｕ） 타겟 재료 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 루테늄(Ru) 폐타겟을 이용한 루테늄(Ru) 분말 및 루테늄(Ru) 타겟 재료의 제조방법에 관한 것으로, 종래의 습식법을 이용하여 제조시 분말제조에 복잡한 공정이 적용되어 비용이 높고 제조시간도 장시간이라는 단점을 극복하기 위해 고안된 것이다.
이를 개선하기 위해서, 루테늄(Ru) 폐타겟의 표면을 화학적 또는 물리적인 방법에 의해 표면을 세정하고, 세정처리된 루테늄(Ru) 폐타겟에 플라즈마를 이용하여 건식 루테늄(Ru) 분말을 제조한 후, 분쇄 및 분급을 통해 미세한 분말을 제조하고, 대기열처리 및 수소열처리를 통해 최종 고순도의 루테늄(Ru) 분말을 제조하고, 일정사이즈의 몰드에 분말을 충진 후 고온가압소결을 통해 고밀도의 루테늄(Ru) 타겟 재료를 얻는 것을 목적으로 한다.
루테늄(Ru) 분말, 루테늄(Ru) 타겟, 루테늄(Ru) 폐타겟, 플라즈마, 열 플라즈마
Description
본 발명은, 플라즈마를 이용하여 루테늄(Ru) 폐타겟으로부터 루테늄(Ru) 분말을 제조하고, 제조된 루테늄(Ru) 분말을 이용하여 최종 루테늄(Ru) 타겟 재료를 제조하는 것으로, 최종적으로는 최근에 자기기록 매체나 차세대 메모리와 관련된 대용량 및 고집적에 따른 자성층 형성을 위한 시드층 등에 많이 사용되는 루테늄(Ru) 재료에 관한 것으로, 상세하게는 루테늄(Ru) 폐타겟을 재생하여 루테늄(Ru) 분말 및 루테늄(Ru) 타겟 재료를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 루테늄(Ru) 폐타겟을 이용하여 고순도의 루테늄(Ru) 분말을 제조하고, 제조된 루테늄(Ru) 분말을 이용하여 고밀도의 루테늄(Ru) 타겟 재료를 제조하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 최근 많이 사용되고 있는 습식법을 이용한 루테늄(Ru) 분말 및 타겟의 제조공정과 비교하여, 최근 각광받고 있는 친환경적인 건식법을 이용하여 루테늄(Ru) 분말을 제조하고 열처리를 통해 고순도의 루테늄(Ru) 분말을 만들고, 가압소결법을 이용하여 루테늄(Ru) 타겟 재료를 제조하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 차세대 반도체 메모리(RAM, MRAM, FeRAM), 헤드(MR, TMR) 및 캐패시터(Capacitor)와 관련해서 사용되는 웨이퍼(Wafer)나 글라스(Glass)상에 전극층이나, 시드층 형성을 위해 많이 사용되는 루테늄(Ru) 박막형성용 루테늄(Ru) 스퍼터링 타겟의 제조방법은 루테늄(Ru) 폐타겟을 수거 후 습식법을 이용하여 루테늄(Ru) 분말을 제조한다. 습식법으로 제조할 경우에는 폐타겟을 수거하여 강산을 이용하여 습식용해 →증류→농축→건조→산화→열처리를 통하여 최종 루테늄(Ru) 분말을 제조후 최종 타겟을 제조한다. 그러나 상기의 습식법을 적용할 경우 복잡한 공정에 의해 제조시간이 증가되고, 강산사용에 따른 핸들링에 위험이 있으며 사용하고 난후의 상당량의 폐액처리에 따른 고비용이 발생되고 있다.
최근에는 이러한 습식법을 보완하기 위해 분쇄나 건식법을 이용한 루테늄(Ru) 분말의 제조가 시도 및 상용화되고 있다. 예를 들어 일본특허 출원공개공번 특허2009-108400에는 루테늄(Ru) 폐타겟을 이용하여 조분쇄→해머밀링→침출→밀링→자기력선별→건조→환원열처리를 통한 루테늄(Ru) 분말의 제조를 제안하고 있다. 상기의 특허를 이용하게 되면 종래의 습식법 적용에 따른 다량의 산사용이나, 분말제조시간이 단축되는 장점이 있으나, 공정초기부터 타겟 분쇄 및 분말의 미세화에 적용되는 주요공정인 분쇄(조분쇄 및 미분쇄)에 따른 오염이 발생되어 이를 해결하기 위해 산을 이용하여 제거하는 추가공정이 도입되고 있는 실정이다.
본 발명은 루테늄(Ru) 폐타겟을 이용하여 고순도의 루테늄(Ru) 분말을 제조하고, 제조된 루테늄(Ru) 분말을 이용하여 고밀도의 루테늄(Ru) 타겟을 제조하는데 있어, 종래의 습식공법이 아닌 친환경적인 건식공법을 도입하면서, 분말제조 하는데 타겟 및 분말분쇄법이 아닌 플라즈마를 이용한 건식방법을 타겟에 직접 도입하여 분말을 제조하는데 목적이 있다. 이를 통해 분말을 제조하면 습식법에 비해 제조시간이 단축되고 과도한 분쇄에 따른 오염이 최소화되어 공정 단축 및 고순도화된 분말을 제조할 수 있다.
이를 해결하기 위해, 폐타겟의 표면상의 오염물을 제거하고, 플라즈마를 이용하여 루테늄(Ru) 분말을 제조하고, 제조된 분말을 간단한 분쇄 및 분급을 통해 최종 루테늄(Ru)분말을 제조후 가압소결을 통해 최종 루테늄(Ru) 타겟 재료를 제조하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 진공분위기 또는 불활성 분위기에서 루테늄(Ru) 폐타겟에 플라즈마를 형성시켜 루테늄(Ru) 분말을 제조하고 제조된 분말을 분쇄 및 분급처리후 대기열처리 및 수소열처리를 통해 고순도 루테늄(Ru) 분말을 제조하며, 가압소결을 통해 최종 루테늄(Ru) 타겟 재료를 제조하는 것을 특징으로 한다.
상기에 기술한 바와 같이, 종래에 알려진 습식법을 적용할 경우 분말을 제조하는데 복잡한 공정(습식용해, 농축, 건조 및 열처리)이 적용되어 수일 이상의 장 시간이 소요되고, 강산소요에 따른 핸들링에 제약 및 폐액 처리에 따른 비용발생 등 여러 단점이 있다.
그리고, 최근에 알려진 건식법의 경우에도 습식법에 비해 제조시간의 단축, 고순도화 등의 장점을 지니고 있으나, 타겟 분쇄에 따른 오염이 발생되어 추가로 습식공정을 적용하여 이를 해결하는 것을 제안하고 있는 실정이다.
그러나, 본 발명은 최종 루테늄(Ru) 분말을 제조하는데 있어서 습식법이 아닌 건식법을 도입하고, 분쇄법이 아닌 플라즈마를 이용하여 분말을 제조함으로써 습식공정생략이 가능하다는 장점이 있다. 이를 통해 최종 분말 및 타겟 L/T을 단축시키고 고순도 및 고밀도의 루테늄(Ru) 타겟 재료 제조가 가능하다.
본 발명은 루테늄(Ru) 폐타겟을 이용하여 루테늄(Ru) 분말을 제조하는데 있어 종래의 습식법 및 분쇄법이 아닌 플라즈마를 이용하여 분말을 제조하고 타겟 재료를 제조하는 것을 특징으로 한다. 이를 통해, 기존의 습식법에 비해 제조시간이 획기적으로 단축되고, 용해 및 오염물 제거를 위해 사용되는 산사용을 억제함으로써 친환경적인 공법을 적용하여 루테늄(Ru) 분말을 제조할 수 있다.
최종 루테늄(Ru) 타겟 재료의 제조방법은 도1과 같이,
화학적 또는 물리적인 방법을 이용하여 폐 루테늄(Ru) 타겟의 표면에 잔존한 오염물을 제거하는 단계(S10)와,
세정된 루테늄(Ru) 폐타겟에 플라즈마를 도입하여 루테늄(Ru) 분말을 제조하는 단계(S20)와,
제조된 루테늄(Ru) 분말을 분쇄 및 분급처리하여 열처리를 통해 최종 고순도화된 루테늄(Ru) 분말을 제조하는 단계(S30)와,
열간가압법을 이용하여 최종 고순도화된 루테늄(Ru) 분말로부터 고밀도의 루테늄(Ru) 소결체를 제조하는 단계(S40)로 구성되는 것을 특징으로 한다.
이하, 상기공정단계에 대해 상세하게 설명한다.
먼저, 폐 루테늄(Ru) 타겟의 표면에 잔존한 오염물을 제거한다.(S10)
사용된 후의 루테늄(Ru) 폐타겟의 표면은 핸들링에 의한 표면 오염이나, 스퍼터링 공정중 Back Depo에 의한 오염 및 장기간 대기 노출에 따른 표면 산화의 가능성이 높다. 또한, 오염물이 잔존한 채로 분말을 제조할 경우 오염물이 분말에 혼입될 가능성이 높아, 최종 타겟의 품질저하의 요인으로 작용하므로 분말제조 공정이전에 오염물을 제거하는 것이 바람직하다. 오염물의 제거는 루테늄(Ru) 용해재에 단시간 침적시켜 표면을 깎아내는 화학적인 방법을 이용하거나, 선반이나 연마기 또는 MCT등의 기계적인 가공법등의 물리적 방법을 이용하여 일정량의 두께층을 제거하여서도 가능하다. 기계적인 가공법을 이용하여 제거할 경우에는 10㎛정도의 두께를 제거하는 것이 바람직한데, 이는 너무 얇을 경우 산화막 등의 제거가 완벽하지 않을 수 있고, 너무 두꺼울 경우 최종 분말수율을 저하시킬 수 있기 때문이다.
표면층의 오염물이 제거된 루테늄(Ru) 폐타겟에 플라즈마를 형성시켜 루테늄(Ru) 분말을 제조한다.(S20)
플라즈마를 이용한 루테늄(Ru) 분말 공정은 다음과 같다.
플라즈마 장비 내부의 몰드 위에 표면층의 오염물이 제거된 루테늄(Ru) 폐타겟을 투입한다. 이때 사용 가능한 몰드의 재질로는 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 구리(Cu), 흑연(Graphite) 및 루테늄(Ru) 등이 사용가능하며, 최종 분말의 순도를 저하시키지 않게 하기 위해 몰드에 의한 오염을 최소화하는 것이 중요하고, 몰드에 의해 오염이 발생되더라도 오염의 제거가 용이한 몰드를 선택하는 것이 중요하다. 이를 위해, 바람직하게는 제거가 용이한 카본(Carbon)이 유리하며, 더욱 바람직하게는 오염이 되더라도 순도에 영향을 미치지 않는 루테늄(Ru) 몰드를 사용하는 것이 바람직하다.
재료가 투입된 플라즈마 장치 내부를 진공장치를 이용하여 감압 후 플라즈마 형성용 가스를 투입하고 일정전력을 투입하여 플라즈마를 형성한다. 플라즈마 형성을 위해 사용되는 가스는 아르곤(Ar) 또는 N2를 사용하는 것이 바람직하며, 루테늄(Ru)의 기화 등을 촉진하기 위해 반응가스로 소량의 수소, 산소 및 탄소가 함유된 가스를 사용하는 것이 제조분말 수율 및 순도를 향상시키는데 유리하다. 플라즈마를 형성할 경우에는 용탕의 안정성을 확보하고, 급격한 승온을 억제하기 위해 초기에는 저전력으로 플라즈마를 형성시켜 용탕안정성을 확보하며, 이후 전력을 상승시켜 분말을 얻는 것을 특징으로 한다. 플라즈마를 이용하여 용탕을 형성할 경우, 투입되는 반응가스 종류에 따라 폐타겟 내부의 가스 성분이나 쉽게 기화되어 제거되기 쉬운 불순물들은 진공에 의해 제거가 가능하므로 용탕의 고순도화도 기대할 수 있다. 플라즈마 공정에 따라 1~100㎛의 다양한 크기의 루테늄(Ru) 분말이 제 조된다. 제조된 루테늄(Ru) 분말이 100㎛수준으로 조대할 경우에는 밀링(볼밀, 유성밀 등)이나 Jet 분쇄 등을 통하여 추가 분쇄가 가능하여 미세한 루테늄(Ru) 분말의 제조가 가능하다. 루테늄(Ru)의 경우에는 취성이 강하여 분쇄가 용이한데, 종래의 분쇄법의 경우 폐타겟에 적용되어 분쇄에 따른 오염가능성이 높은 반면에 본 발명에서 적용되는 분쇄의 경우에는 폐타겟으로부터 제조된 루테늄(Ru) 분말에 적용됨으로써 분쇄 시간이 짧고, 분쇄하는데 응력도 많이 필요하지 않으므로, 분쇄에 의한 루테늄(Ru) 분말의 오염을 최소화하는 것이 가능하다. 후공정으로 진행될 고온가압소결에 의해 제조되는 루테늄(Ru) 소결체의 고밀도화를 위해서는 플라즈마를 통해 획득된 조대한 루테늄(Ru) 분말은 분쇄를 통해 30㎛이하로 제어하는 것이 바람직하다. 이는 루테늄(Ru) 분말크기가 더욱 미세해질 경우 분쇄조건이 가혹해지고 분쇄에 의한 오염가능성이 높아지기 때문이다.
제조된 분말에 대해 대기열처리 및 수소열처리를 하여 최종 고순도화된 루테늄(Ru) 분말을 제조한다.(S30)
플라즈마에 의해 제조된 분말의 경우 몰드 및 반응가스에 의해서 카본(Carbon)이 혼입되거나, 분쇄중 장시간 대기에 노출되어 산화가능성이 높은데, 이들을 후속 소결공정으로 투입시킬 경우 고밀도화가 어렵다는 단점이 있다. 우선적으로 반응가스나 몰드에 의해 카본(Carbon)이 혼입된 경우에는 대기열처리를 통해 제거가 가능하며, 온도는 800~1200℃ 및 1~5시간동안 열처리를 하는 것이 바람직하다. 온도가 800℃이하이고 1시간 이하로 짧을 경우 잔존한 카본(Carbon)이 충분히 제거되지 않 을 가능성이 높고, 온도가 1200℃이상 높고 5시간 이상의 장시간일 경우 제조된 분말이 응집될 가능성이 높다.
카본(Carbon)제거를 위해 대기열처리를 행한 루테늄(Ru) 분말의 경우, 루테늄(Ru)특성상 루테늄(Ru)의 산화가 이루어져 푸른색의 산화물이 얻어지는데 이때는 후속으로 수소열처리를 통하여 환원된 루테늄(Ru) 분말을 얻는다.
대기열처리된 루테늄(Ru) 분말이나 분쇄된 루테늄(Ru) 분말은 수소열처리를 통해 환원되어 고순도화된 루테늄(Ru) 분말이 되는데, 온도는 800~1200℃ 및 1~5시간동안 열처리를 하는 것이 바람직하다. 온도가 800℃이하이고 1시간 이하로 짧을 경우 루테늄(Ru) 산화물의 환원이 충분히 이루어지지 않으며, 온도가 1200℃이상 높고 5시간 이상의 장시간일 경우 제조된 분말이 응집될 가능성이 높기 때문이다.
제조된 고순도 루테늄(Ru) 분말에 가압소결을 하여 고밀도화된 루테늄(Ru) 소결체를 제조한다.(S40)
이때 적용가능한 고온가압소결은 HP(Hot Press), HIP(Hot Isostatic Press), SPS(Spark Plasma Sintering)중 하나의 방법을 이용하여 제조하는 것이 가능하며, 핫 프레스(Hot Press)로 제조하는 것이 가장 바람직하다. 이는 루테늄(Ru)이 고온에서 산화가 쉽게 일어나고, 온도가 더욱 높아지면 환원처리가 가능한데, 핫 프레스(Hot Press)를 적용할 경우, 초기에 최소하중으로 인가시에 분말중 일부 산화된 루테늄(Ru) 분말의 환원처리가 가능하여 일부 고순도화가 가능하기 때문이다.
최종 인가압력은 10~80MPa, 소결온도는 1000~1800℃에서 실시하는 것이 바람 직하다. 인가 압력이 10Mpa 이하이고 소결온도가 1000℃이하일 경우에는 밀도가 낮은 소결체가 제조될 가능성이 높으며, 온도가 1800℃이상 높은 경우에는 조대한 결정립을 갖는 소결체가 제조되어 스퍼터링 타겟의 품질을 저하시킬 가능성이 높다. 그리고 카본몰드를 사용하는 HP에서는 몰드의 특성을 고려하여 80MPa 이하로 인가하는 것이 바람직하다.
루테늄(Ru) 분말을 제조하기 위해 반도체용으로 사용된 루테늄(Ru) 폐타겟 2kg를 확보하였다. 확보된 루테늄(Ru) 폐타겟은 순도 3N5이상이고, 타겟의 결정립 크기는 20㎛이하의 특성을 보이고 있었다. 확보된 루테늄(Ru) 폐타겟은 절단기를 이용하여 분할 후, 표면에 묻은 오염원을 제거하기 위해 차염소산나트륨(NaClO)에 5분동안 침적하여 세정된 루테늄(Ru) 폐타겟을 확보하였다. 세정된 루테늄(Ru) 폐타겟은 60kw급 DC 열플라즈마 장비를 이용하여 루테늄(Ru) 분말을 제조하였는데 제조공정은 다음과 같다. 플라즈마 장비에 부착된 진공펌프를 이용하여 10-3torr까지 감압 후 N2, 산소를 반응가스로 하여 플라즈마를 형성시켜, 분말을 제조하였으며 플라즈마를 이용한 루테늄(Ru) 분말의 제조공정조건을 표1에 나타내었다.
[표1]
| 공정항목 | 공정조건-실시예 | ||
| 1단계(저전력) | 2단계(고전력) | ||
| 인가된 플라즈마 출력(kw) | 10 | 40 | |
| 플라즈마용 가스 | 조성 | N2 | N2+O2 |
| 가스유량 (L/min) |
20 | 18+2 | |
| 쿠엔칭용 가스조성(유량) (L/min) |
- | 150 (Ar+N2) |
|
플라즈마에 의해 제조된 루테늄(Ru) 분말을 분쇄 및 분급 후 대기열처리 및 수소열처리를 통하여 최종 루테늄(Ru)분말을 확보하였으며, 초기 제조된 루테늄(Ru) 분말, 분쇄 및 분급처리된 루테늄(Ru) 분말의 FESEM 이미지와 소결체에 사용된 입도분석결과를 그림 1 및 그림 2에 나타내었다.
[그림1]
플라즈마 처리된 루테늄(Ru) 분말 분쇄 및 분급된 루테늄(Ru)분말
[그림2]
그림 1로부터 플라즈마를 통해 제조된 루테늄(Ru) 분말의 경우 구형의 형태를 가지고 있으며, 100㎛이하의 크기를 갖고 있음을 알 수 있었다. 그리고, 소결성의 향상을 위해 추가로 분쇄 및 분급을 실시한 결과 중심입도 10㎛수준의 미세한 루테늄(Ru) 분말의 제조가 가능하였다.
분쇄시 볼에 의한 오염유무를 파악하기 위해 분쇄전후의 분말에 대해 ICP분석을 행하였으며, 분석결과 분쇄이전의 분말의 순도는 99.96%이었으며 분쇄이후의 분말의 순도도 99.96%로 분쇄이전과 동등하였다. 따라서 분말의 분쇄로 인한 오염은 거의 없음을 알 수 있었다.
제조된 루테늄(Ru) 분말을 카본몰드에 충진하고 인가압력 30MPa, 소결조건 1500x2hr 조건에서 핫 프레스(MVHP-350)를 이용하여 최종 루테늄(Ru) 소결체를 제조하였다. 소결체 제조시에 충분한 탈가스를 유도하기 위해 최소압력으로 가압하였 고, 승온속도도 5℃이하로 조절하였다.
비교를 위해 시중에 판매되고 있는 습식법으로 제조된 루테늄(Ru) 분말을 구입하여 상기의 건식 루테늄(Ru) 소결체 제조방법과 동일한 방법으로 소결을 진행하여 소결체를 제조한 후 특성을 비교하였다.(비교예1) 또한 제조된 소결체의 물성을 평가하기 위해 시중에서 판매되고 있는 루테늄(Ru) 타겟을 구입하여 이에 대해서도 특성을 비교하였다.(비교예2)
[표2]
| 항목 | 실시예 | 비교예1 | 비교예2 |
| 밀도(gr/cm3) | 12.30 | 12.31 | 12.29 |
| 상대밀도(%) | 99↑ | 99↑ | 99↑ |
| 순도 | 99.97 | 99.97 | 99.98 |
| 결정립(㎛) | 13 | 10 | 18 |
표2로부터 본 발명에 의해 제조된 루테늄(Ru) 소결체는 종래의 습식법으로 제조된 루테늄(Ru) 분말을 이용하여 제조한 소결체와 비교시 밀도, 순도 모두 동등수준이며, 시중에 판매되고 있는 루테늄(Ru) 타겟과 비교해도 차이가 없음을 알 수 있었다.
특히 결정립 크기는 본 발명의 루테늄(Ru) 소결체가 시중에 판매되고 있는 루테늄(Ru) 타겟보다 미세함을 알 수 있다.
도 1은 본 발명의 루테늄(Ru) 폐타겟을 이용한 루테늄(Ru)분말 및 루테늄(Ru) 타겟을 제조하는 작업 순서도이다.
Claims (8)
- 루테늄(Ru) 폐타겟을 이용하여 루테늄(Ru) 분말 및 루테늄(Ru) 타겟 재료를 제조하는데 있어서,루테늄(Ru) 폐타겟의 표면 오염물을 제거하는 단계와,상기 세정된 루테늄(Ru) 폐타겟에 플라즈마를 이용한 열처리를 하여 루테늄(Ru) 분말을 제조하는 단계와,상기 제조된 루테늄(Ru) 분말을 분쇄 및 분급처리하는 단계와,상기 분쇄 및 분급처리된 루테늄(Ru) 분말을 대기열처리 및 수소열처리하여 루테늄(Ru) 분말을 고순도화 하는 단계와,상기 고순도화된 루테늄(Ru) 분말을 열간가압하여 루테늄(Ru) 소결체를 제조하는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 루테늄(Ru) 폐타겟을 이용한 루테늄(Ru) 분말 및 루테늄(Ru) 타겟 재료 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 루테늄(Ru) 폐타겟의 표면 오염물의 제거는 차염소산나트륨(NaClO)등의 용액에 루테늄(Ru) 폐타겟을 침적 후 오염물을 제거하는 화학적인 방법 또는 표면연마, 기계가공 등의 물리적 방법을 이용하여 오염물을 제거하는 것을 특징으로 하는 루테늄(Ru) 폐타겟을 이용한 루테늄(Ru) 분말 및 루테늄(Ru) 타겟 재료 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플라즈마를 이용하여 루테늄(Ru) 분말을 제조하는 단계에서 사용되는 몰드의 재질은 흑연(Graphite), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 또는 루테늄(Ru) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 루테늄(Ru) 폐타겟을 이용한 루테늄(Ru) 분말 및 루테늄(Ru) 타겟 재료 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 대기열처리는 800℃ 내지 1200℃의 온도 및 1 내지 5시간 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 루테늄(Ru) 폐타겟을 이용한 루테늄(Ru) 분말 및 루테늄(Ru) 타겟 재료 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 수소열처리는 800℃ 내지 1200℃의 온도 및 1 내지 5시간 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 루테늄(Ru) 폐타겟을 이용한 루테늄(Ru) 분말 및 루테늄(Ru) 타겟 재료 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 루테늄(Ru) 소결체를 제조하는 단계에서 사용되는 열간가압법은 HP(Hot Press), HIP(Hot Isostatic Press), SPS(Spark Plasma Sintering)공정 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 루테늄(Ru) 폐타겟을 이용한 루테늄(Ru) 분말 및 루테늄(Ru) 타겟 재료 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 루테늄(Ru) 소결체 제조시 인가되는 압력은 10~80MPa인 것을 특징으로 하는 루테늄(Ru) 폐타겟을 이용한 루테늄(Ru) 분말 및 루테 늄(Ru) 타겟 재료 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 루테늄(Ru) 소결체 제조시 분위기는 10-2torr수준 이하의 진공분위기에서 제조되는 것을 특징으로 하는 루테늄(Ru) 폐타겟을 이용한 루테늄(Ru) 분말 및 루테늄(Ru) 타겟 재료 제조방법.
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