JP5294073B2 - Ruターゲット材の製造方法 - Google Patents

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本発明は、Ruターゲット材の製造方法に関するものである。
Ruは半導体メモリーや外部記憶装置などの電子デバイスへの用途が拡大している。例えば、半導体メモリーの一種である強誘電体メモリーのキャパシター用電極膜にはRu膜が用いられている。
また、次世代不揮発性メモリーの一種であるMRAM(Magnetic Random Access Memory)は、MTJ(Magnetic Tunnel Junction)素子の抵抗変化を利用して情報の記録再生を行うデバイスで、MTJ素子を構成する層の一部にRu膜が用いられている。
さらに、垂直記録方式のハードディスクの記録媒体は下地層、中間層、記録層からなる多層構造で、記録層の結晶配向を制御する中間層と下地層の一部にRu膜が用いられている。
上述のRu膜は全てスパッタリング法により形成されている。スパッタリング法とは、排気ポンプを備えたチャンバー内にターゲット材と呼ばれる母材と基板とを対向させて配置し、ターゲット材表面にグロー放電を発生させ、希ガスイオンを電位差によって加速しターゲット材を構成する原子を叩き出し、基板上に薄膜を形成する方法である。
Ruターゲット材が含有する不純物はRu膜の品質や特性に大きく影響することが知られている。特に、炭素はパーティクルやスプラッツと呼ばれる異物が基板に付着する原因となり、酸素は薄膜の特性を劣化させることが指摘されている。このため、これらの不純物元素の低減が強く望まれている。
スパッタリングターゲット材の焼結に際しては、高密度な焼結体を得やすい単軸加圧焼結法、熱間静水圧プレス法、熱間押し出し法などの加圧焼結法が適用されている。単軸加圧焼結法は原料粉末を充填したダイを単軸で加圧しながら加熱する方法で、加熱原理によって呼称が異なり、例えば、ダイを外部ヒーターで加熱する方法はホットプレス法、ダイの上下パンチ間にパルス電流を通電して加熱する方法は通電焼結法(放電焼結法)と呼ばれる(例えば非特許文献1参照)。
特に、円板状のRuターゲット材の焼結には上述した単軸加圧焼結法が広く利用されている。
Randall M. German、"Powder Metallurgy & Particulate Materials Processing"、Metal Powder Industry、P.296、2005/3/31
前記単軸加圧焼結法においては、図1の断面模式図に示すダイ1、スリーブ2、パンチ3が用いられている。ここで、原料粉末4が充填される粉末充填空間6は、スリ−ブ2とパンチ3とで構成され、パンチ3と原料粉末4とが接触する加圧方向の上面と底面には離型シート5が載置される。一般的にダイ1、スリーブ2、パンチ3および離型シート5は炭素素材で構成されている。これらの炭素製部材は優れた耐熱性と十分な強度を備えるものの、表面に少なからず微細な浮遊粒子が付着しており、充填時にRu原料粉末に混入する問題があった。また、Ruは融点が2250℃と非常に高いため、緻密な焼結体を得るには加熱温度を1000℃以上の高温に設定する必要があり、焼結過程で炭素製部材からの炭素の拡散により焼結体が汚染される問題があった。
また、上述したデバイスの性能向上を図るため、Ruターゲットが含有する酸素の更なる低減が求められているが、従来の製造方法では十分に低減できず、未だ満足できる水準に達していない問題があった。
本発明の目的は、上述の問題を解決し、単軸加圧焼結によってRuターゲット材を製造する際に、粉末充填空間を構成する炭素製部材に付着している微細な浮遊粒子の混入や拡散によるRu焼結体の汚染を防止し、さらに、Ru焼結体の酸素量を低減することが可能なRuターゲット材の製造方法を提供することである。
本発明者は、上述の問題について検討し、単軸加圧焼結によるRuターゲット材の製造方法において、炭素製部材からなる粉末充填空間とRu原料粉末との境界面に、Ruよりも酸化活性の高い金属を載置して焼結を行うことにより、浮遊粒子の混入や拡散に起因したRu焼結体の汚染を防止し、かつ、焼結過程で前記金属のゲッター効果によりRu焼結体の酸素量を大幅に低減できることを見出し、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、単軸加圧焼結によるRuターゲット材の製造方法において、粉末充填空間の一部または全部が炭素製部材で構成されており、該炭素製部材と焼結されるRu原料粉末との境界面の一部もしくは全体にRuよりも酸化活性の高い金属を載置するRuターゲット材の製造方法である。
本発明においては、Ruよりも酸化活性の高い金属は、金属箔であることが好ましい。また、Ruよりも酸化活性の高い金属は、粉末充填空間における加圧方向の上面と底面に載置することが好ましい。さらに、Ruよりも酸化活性の高い金属は、粉末充填空間における加圧方向の上面、底面、及び側面に載置することがより好ましい。また、Ruよりも酸化活性の高い金属はNbあるいはTiであることが好ましい。
また、本発明においては、粉末充填空間は、加圧方向に配置した複数のスペーサーにより、複数段形成することが好ましい。
また、前記単軸加圧焼結は、温度1000℃以上かつ加圧圧力10MPa以上で行うことが好ましい。
本発明のRuターゲット材の製造方法によれば、Ru焼結体の汚染を防止し、加えて、酸素を大幅に低減できるため、極めて高い品質を有するRuターゲット材を製造することが可能となる。
単軸加圧焼結で使用するダイと構成部材の断面模式図である。 本発明において金属箔を加圧方向上面と底面に載置した例を示す断面模式図である。 本発明において金属箔を加圧方向の上面、底面、及び側面に載置した例を示す断面模式図である。 本発明においてダイ内の加圧方向に前記Ru原料粉末とスペーサーとを交互に複数段装填した例を示す断面模式図である。 比較例のRu焼結体とグラファイト箔の界面の走査型電子顕微鏡反射電子像とEDX線分析結果を示す図である。 本発明例1のRu焼結体とNb箔の界面の走査型電子顕微鏡反射電子像とEDX線分析結果を示す図である。 本発明例2のRu焼結体とMo箔の界面の走査型電子顕微鏡反射電子像とEDX線分析結果を示す図である。 本発明例3のRu焼結体とTi箔の界面の走査型電子顕微鏡反射電子像とEDX線分析結果を示す図である。 比較例のRu焼結体とグラファイト箔の界面の高倍率走査型電子顕微鏡反射電子像である。
上述したように、本発明の重要な特徴は、単軸加圧焼結によるRuターゲット材の製造方法において、一部または全部が炭素製部材で構成される粉末充填空間の炭素製部材と焼結されるRu原料粉末との境界面の一部または全体にRuよりも酸化活性が高い金属を載置することにある。
前記金属は、炭素製部材に起因する浮遊粒子の混入を防止する効果、前記部材との拡散によるRu焼結体の汚染を防止する効果、さらに粉末充填空間を構成する炭素製部材とRu焼結体との離型材としての役割をもつ。
また、前記金属は表面に微細な浮遊粒子が存在しないため、Ru原料粉末の汚染を防止できる。
さらに、前記金属はRu原料粉末と接触することで、焼結過程でRu原料粉末が含有する酸素や粒子の表面酸化物に対し酸素ゲッターとして作用し、焼結体の酸素を大幅に低減することができる。
本発明において、Ru原料粉末と炭素製部材との境界面の一部もしくは全体に載置する金属は、Ruよりも酸化活性が高い金属元素から選択する。具体的には、標準状態での酸化物の自由エネルギーがRuの酸化物に比べて低いIa族〜VIa族元素を挙げることができる。
なお、限られた焼結時間内に十分な酸素ゲッター効果を得るには、前述の元素の中で酸素の拡散が速く、速やかに酸素を取り込める元素を選択することが望ましい。また、経済的な理由から廉価な元素であることが望ましい。さらに、パンチやスリーブに合わせた形状へ加工するため切断や曲げ加工性に優れていることが望ましい。
以上を考慮すると、前記金属としては、Ti、Nb、Taおよびこれらを主成分とする合金から選択することが望ましく、中でも、Nb、Tiが特に好ましい。
また、前記金属は、スリーブ、パンチとスペーサーとの隙間への載置やハンドリングし易さを考慮すると、金属箔であることが望ましく、厚さは0.05mmから1.0mmの範囲とすることがより好ましい。
Ru原料粉末と炭素製部材で形成される境界面において、前記金属を載置する位置は、焼結体の形状、目標とする焼結体の酸素量、許容される汚染の程度とその部位に応じて選択することができる。
特に、粉末充填空間における加圧方向の上面と底面はターゲット材のスパッタ面に相当し、炭素製部材からの汚染が、最も問題となる部位であるため、前記金属を載置する位置は図2に示すように加圧方向の上面と底面とすることが好ましい。
さらに、炭素製部材からの汚染をより確実に防止するには、図3に示すように粉末充填空間6の内部側面にも前記金属を載置し、Ru原料粉末4と炭素製部材(スリーブ2、パンチ3)との接触を完全に遮断した状態となるよう金属を載置することがいっそう好ましい。
なお、粉末充填空間を構成するスリーブ、パンチなどの部材の少なくとも一部を炭素素材とした理由は、炭素が金属酸化物の還元反応において強力な還元剤として作用するためである。具体的には、焼結過程で反応式MO+C→M+CO、MO+CO→M+CO(M:金属、C:炭素、O:酸素)で表される還元反応が起こり、上述した前記金属による酸素ゲッター効果との相乗効果で焼結体の酸素を大幅に低減できる。なお、上述した反応は気相反応が主体であるため、Ru原料粉末と炭素製部材とが直接接触していなくても還元効果が得られる。
粉末充填空間にRu原料粉末を装填する際には、図4に示すように充填空間における加圧方向に1乃至複数枚のスペーサー8を配置して粉末充填空間6を複数段形成することで、限られた炉内スペースで一度に複数の焼結体を作製でき、生産性を向上させることができる。
単軸加圧焼結の加熱温度は1000℃以上とすることが望ましい。Ruの焼結温度は原料粉末の形態やサイズによって異なるが、1000℃を下回ると緻密化が困難であり、2000℃を上回ると焼結体と前記金属との間での拡散が顕著となり焼結体が汚染されるため、1000℃以上、2000℃以下とすることが好ましい。
単軸加圧焼結を行う雰囲気は減圧雰囲気とすることが好ましい。その理由は、焼結過程で原料粉末の汚染を防止し、かつ、Ru原料粉末に含まれる揮発性酸化物や不純物を揮発除去する効果があるためである。
単軸加圧焼結の加圧圧力を高く設定することで焼結体の密度が向上するため、10MPa以上に設定することが好ましい。ここで、加圧圧力はダイの形状と炭素素材の強度の制約を受ける。例えば、円筒状のダイの内部に粉末を充填し上下方向にパンチを挿入し加圧する場合、円筒の内壁周方向に掛かる応力が最大となり、この応力の値に設定した安全率を乗じた値と、炭素素材の引張り強さの値とを勘案して最大加圧圧力を設定する方法が一般的である。また、等方性黒鉛素材の引張り強さは50MPa程度であり、カーボンコンポジット素材の繊維方向の引張り強さは200MPa程度である。以上より、ダイの形状と炭素素材に応じて加圧圧力を20〜70MPaの範囲に設定することが好ましい。
Ru原料粉末は、粉末状態のまま用いることができるが、金型で加圧成形した成形体とすることで、粉末充填空間に装填する際の作業性が良くなり、かつ焼結体の密度を向上させることができる。
本発明において、Ru焼結体の酸素はRu原料粉末の酸素に強く依存するため、あらかじめRu原料粉末に水素還元熱処理を施すなどして酸素を低減した後、本発明の製造方法を適用することで、いっそうの酸素低減を図ることができる。市販のRu原料粉末の酸素は500〜2000質量ppm程度であるが、好ましくは、あらかじめ500質量ppm以下、さらに好ましくは300質量ppm以下まで低減しておくことが望ましい。
以下の実施例で本発明をさらに詳しく説明する。
市販のRu原料粉末(酸素650質量ppm、d5011μm)に水素雰囲気熱処理炉で還元熱処理を施し、酸素394質量ppmまで低減した粉末を用意した。
このRu粉末を直径30mmの円板成型用金型に装填し、プレス圧力100MPaにて加圧成形し、直径30mm、厚さ12mmの成形体を作製した。
得られたRu成形体を内径30mm、高さ100mmの充填空間を有する粉末充填空間内(ダイ、スリーブおよびパンチは等方性黒鉛製)に装填した。ここで、Ru成型体の加圧方向の上面、底面にそれぞれ表1に示すグラファイトあるいは金属の箔を載置し、スリーブ内壁側面には離型材としてBNをスプレー塗布した。
Ru成形体を装填したダイとパンチを、真空ポンプを備えたホットプレス装置の炉内に装填し、真空ポンプで1.5Pa以下に排気を行いながら、最高温度1500℃、最高加圧圧力50MPa、保持時間2hの条件で単軸加圧焼結し、直径30mm、厚さ約5mmの焼結体を得た。
図5〜8に前記Ru焼結体と箔との界面付近の走査型電子顕微鏡反射電子像と、EDX(エネルギー分散型蛍光X線分析)線分析結果を並べて示す。図5に示すグラファイト箔を使用した比較例では、拡散層は確認されなかったが、Ru焼結体と箔の界面付近を高倍率で観察すると、図9に示す長さ10μm未満の微細な炭素相が多数確認された。この炭素相はグラファイト箔表面に付着している微細粒子の混入もしくはグラファイト箔とRu焼結体との拡散に起因したものと推定された。
一方、図6に示すNb箔を使用した本発明例1、図7に示すMo箔を使用した本発明例2では、箔と焼結体の境界に厚さ20〜30μmの拡散層が確認されたが、焼結体内部には比較例のような炭素相は全く確認されなかった。また、図8に示すTi箔を使用した本発明例3では、箔と焼結体の境界に厚さ60μmの拡散層が確認されたが、焼結体内部には比較例のような炭素相は全く確認されなかった。なお、両者の線分析結果からNb箔
Mo箔、Ti箔はそれぞれRu焼結体よりも酸素が増加していることが窺えた。
上述のRu焼結体の上面と底面に付着した箔と拡散層を機械加工により完全に除去したのち、不純物分析用の試験片を焼結体の板厚中心部から採取した。それぞれのRu焼結体試験片と還元Ru原料粉末の不純物分析結果を表2に示す。ここで、酸素は不活性ガス溶解赤外線吸収法、炭素は燃焼赤外線吸収法により分析を行った。表2から全ての焼結体の酸素は、還元Ru原料粉末よりも減少しており、特に、Nb箔を使用した本発明例1とTi箔を使用した本発明例3は、焼結体内部まで酸素を大幅に低減できていることがわかる。本結果と上述したNb箔とTi箔のEDX線分析結果から、本発明例1、3では黒鉛からなる炭素製部材による還元効果と金属箔による酸素ゲッター効果の相乗効果によって大きな酸素低減効果が得られたと考えられる。
また、本発明例1、本発明例2および本発明例3の炭素は、還元Ru原料粉末に比べて低い。このことから、減圧雰囲気での焼結過程で還元Ru原料粉末に含まれる炭素が揮発除去され、しかも、炭素製部材からの汚染も無かったため、炭素低減効果も得られたと推定される。
本発明のRuターゲット材の焼結方法によれば、Ru焼結体の汚染と酸素を著しく低減でき、極めて高い品質を有するRuターゲット材の製造が可能であるため、品質の安定化と特性の向上を求められているRu膜から構成される電子デバイスにとって不可欠なものとなる。
1 ダイ
2 スリーブ
3 パンチ
4 原料粉末
5 離型シート
6 粉末充填空間
7 金属箔
8 スペーサー

Claims (8)

  1. 単軸加圧焼結によるRuターゲット材の製造方法において、粉末充填空間の一部または全部が炭素製部材で構成されており、該炭素製部材と焼結されるRu原料粉末との境界面の一部もしくは全体にRuよりも酸化活性の高い金属を載置することを特徴とするRuターゲット材の製造方法。
  2. 前記Ruよりも酸化活性の高い金属は、金属箔であることを特徴とする請求項1に記載のRuターゲット材の製造方法。
  3. 前記Ruよりも酸化活性の高い金属を、粉末充填空間における加圧方向の上面と底面に載置することを特徴とする請求項1または2に記載のRuターゲット材の製造方法。
  4. 前記Ruよりも酸化活性の高い金属を、粉末充填空間における加圧方向の上面、底面、及び側面に載置することを特徴とする請求項1または2に記載のRuターゲット材の製造方法。
  5. 前記Ruよりも酸化活性の高い金属がNbであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のRuターゲット材の製造方法。
  6. 前記Ruよりも酸化活性の高い金属がTiであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のRuターゲット材の製造方法。
  7. 粉末充填空間は、加圧方向に配置した複数のスペーサーにより、複数段形成されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載のRuターゲット材の製造方法。
  8. 前記単軸加圧焼結を、温度1000℃以上かつ加圧圧力10MPa以上で行うことを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載のRuターゲット材の製造方法。
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