JP4831468B2 - Moターゲット材の製造方法 - Google Patents
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Description
一方、上述した特許文献1に記載されるMoターゲット材の製造方法では、相対密度85%程度の予備焼結体を、1200〜1500℃の熱間温度域で塑性加工を施して、相対密度99%以上の高密度の焼結体ターゲットを得ることが開示されている。これは、予備焼結体の密度を高めるためには有効な技術であるが、一方で、Moの加圧焼結体を効率的に大型化する上では、なお課題を残している。
他方、一般的に粉末焼結法により作製された焼結体は靭性が低いために、製造工程上、不可避の軽微な衝撃でも割れることがあるという問題もある。
本発明の目的は、Moの粉末焼結体を使用して効率的に大型のMoターゲット材を作製する製造方法を提供することにある。
好ましくは、抗折力が1200N/mm2以上で、かつ吸収エネルギーが1000N・mm以上のMoターゲット材を得るMoターゲット材の製造方法である。
好ましくは、スパッタ面のX線回折における主ピーク4点で規格化した(110)面の相対強度比R(110)が40%以上であるMoターゲット材を得るMoターゲット材の製造方法である。
以下、本発明の実施の形態について説明する。
ここで、Mo焼結体の酸素含有量を500ppm以下とするのは、Moターゲット材としては、Mo焼結体中に数百ppm程度の酸素が含有されると酸化物粒子相が多量に形成され、Mo基地中に分散した焼結組織を有するようになる。そして、この酸化物粒子相を有するMoターゲット材を用い、大電力でスパッタリングして高速成膜した場合、パーティクルが発生することは避けられず、特に、焼結体中の酸素含有量が500ppmを超えるとパーティクル発生が著しく増加し、成膜特性を大きく阻害するためである。
また、均一な相対密度99.0%以上のMo焼結体を得るためには、焼結温度を1200℃以上、プレス圧力を100MPa以上で1時間以上保持する熱間静水圧プレスを行うことが望ましい。
Moは体心立方格子(BCC)の結晶構造をもつ高融点金属であり、通常、マイナス数十〜百数十℃付近にある延性脆性遷移温度(DBTT)を超えると、急激に延性が向上し、塑性加工が可能となると考えられている。
本発明者がMoの加圧焼結体の引張試験を実施したところ、Mo加圧焼結体は、図1に示すように、200℃未満では非常に延性が低いが、200℃以上から延性が高まり、400〜700℃をピークにして、約800℃の高温域まで高い延性を示すという特徴があることを発見した。
以上により、Mo焼結体を塑性加工するための延性が十分にある温度域200〜800℃で塑性加工をするのがよい。
但し、
I(hkl)は、(hkl)面の回折強度
I0(hkl)は、(hkl)面のリファレンス強度
主ピークの4点の面指数(hkl)とは、(110)面、(200)面、(211)面、(310)面である。この式は、リファレンスを利用して規格化しているため、絶対強度の異なる回折ピークの配向性を比較することが出来る。なお、全く無配向の場合には、回折強度とリファレンス強度が等しくなるために、I(hkl)/I0(hkl)は1となり、R(hkl)は全て25%となる。
平均粒経が45μm以下の純Mo粉末を軟鉄缶に充填した後に、400℃で加熱しながら1×10−3Paまで減圧脱気して封止した。この密閉した軟鉄缶を熱間静水圧プレス装置の炉体内部に設置して、1250℃、148MPa、5時間の加圧焼結を施した。加圧焼結後に軟鉄缶を機械加工によって除去してMo焼結体を得た。上記で作製したMo焼結体の密度をアルキメデス法により測定したところ、相対密度は99.8%に達していた。Mo焼結体の酸素含有量を赤外線吸収法により測定したところ、417ppmであった。
なお、抗折力と吸収エネルギーの測定方法は、以下の通りとした。抗折力は、試験片を2つのささえにのせ、中央部に押し金具を当てて移動速度20mm/minで徐々に荷重を加えて静的に破断したときの荷重とした。また、吸収エネルギーは、押し金具が移動し、試験片に接触した時点から、試験片が破断するまでの仕事量(押し金具の荷重と移動距離の積)で算出した。以上の抗折力の測定と吸収エネルギーの算出結果を表1に示す。
Claims (3)
- Mo原料粉末を加圧焼結して酸素含有量100ppm以上500ppm以下、相対密度99.0%以上の焼結体とした後、該焼結体を200〜800℃で塑性加工をすることを特徴とするMoターゲット材の製造方法。
- Mo原料粉末を加圧焼結して酸素含有量100ppm以上500ppm以下、相対密度99.0%以上の焼結体とした後、該焼結体を200〜800℃で塑性加工をすることにより、抗折力が1200N/mm2以上で、かつ吸収エネルギーが1000N・mm以上であるMoターゲット材を得ることを特徴とする請求項1に記載のMoターゲット材の製造方法。
- スパッタ面のX線回折における主ピーク4点で規格化した(110)面の相対強度比R(110)が40%以上であるMoターゲット材を得ることを特徴とする請求項2に記載のMoターゲット材の製造方法。
R(hkl)は、以下の式で定義される値である。
R(hkl)=(I(hkl)/I0(hkl))/Σ(I(hkl)/I0(hkl))
但し、
I(hkl)は、(hkl)面の回折強度
I0(hkl)は、(hkl)面のリファレンス強度
主ピーク4点の面指数(hkl)とは、(110)、(200)、(211)、(310)である。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005303135A JP4831468B2 (ja) | 2005-10-18 | 2005-10-18 | Moターゲット材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005303135A JP4831468B2 (ja) | 2005-10-18 | 2005-10-18 | Moターゲット材の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007113033A JP2007113033A (ja) | 2007-05-10 |
JP4831468B2 true JP4831468B2 (ja) | 2011-12-07 |
Family
ID=38095499
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005303135A Active JP4831468B2 (ja) | 2005-10-18 | 2005-10-18 | Moターゲット材の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4831468B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101611165B (zh) * | 2007-01-12 | 2012-03-21 | 新日铁高新材料 | Mo系溅射靶板及其制造方法 |
US7875945B2 (en) * | 2007-06-12 | 2011-01-25 | Guardian Industries Corp. | Rear electrode structure for use in photovoltaic device such as CIGS/CIS photovoltaic device and method of making same |
JP5550328B2 (ja) * | 2009-12-22 | 2014-07-16 | 株式会社東芝 | Moスパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
CN101792897A (zh) * | 2010-04-06 | 2010-08-04 | 韩伟东 | 薄膜太阳能电池用高纯钼靶及其制备方法 |
JP5160660B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2013-03-13 | 株式会社アライドマテリアル | モリブデン材 |
WO2013088785A1 (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Jx日鉱日石金属株式会社 | インジウム製スパッタリングターゲット部材及びその製造方法 |
US9334565B2 (en) * | 2012-05-09 | 2016-05-10 | H.C. Starck Inc. | Multi-block sputtering target with interface portions and associated methods and articles |
JP5183818B1 (ja) * | 2012-07-27 | 2013-04-17 | Jx日鉱日石金属株式会社 | インジウム製スパッタリングターゲット部材及びその製造方法 |
JP6602550B2 (ja) | 2014-04-28 | 2019-11-06 | 株式会社アライドマテリアル | スパッタリングターゲット用材料 |
CN105525260A (zh) * | 2014-10-22 | 2016-04-27 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | Mo靶坯及Mo靶材的制作方法 |
JP7394249B1 (ja) * | 2023-05-15 | 2023-12-07 | 株式会社アルバック | モリブデンターゲットおよびその製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4432015B2 (ja) * | 2001-04-26 | 2010-03-17 | 日立金属株式会社 | 薄膜配線形成用スパッタリングターゲット |
JP2003082453A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-19 | Mitsubishi Materials Corp | パーティクル発生の少ないMoスパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP4110533B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2008-07-02 | 日立金属株式会社 | Mo系ターゲット材の製造方法 |
-
2005
- 2005-10-18 JP JP2005303135A patent/JP4831468B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007113033A (ja) | 2007-05-10 |
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A977 | Report on retrieval |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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