JP2000144396A - ターゲット材の製造方法 - Google Patents
ターゲット材の製造方法Info
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- JP2000144396A JP2000144396A JP10329073A JP32907398A JP2000144396A JP 2000144396 A JP2000144396 A JP 2000144396A JP 10329073 A JP10329073 A JP 10329073A JP 32907398 A JP32907398 A JP 32907398A JP 2000144396 A JP2000144396 A JP 2000144396A
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- powder
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- oxygen
- metal
- sintering
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- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱間静水圧プレスによる粉末焼結ターゲット
材の製造において、粉末焼結中にターゲット素材の酸素
量を低減する。 【解決手段】 本発明は、金属カプセル中にターゲット
素材となる原料粉末を封入し、熱間静水圧プレスにより
粉末焼結を行うターゲット材の製造方法において、前記
金属カプセル内部のターゲット素材と接する部分に、前
記原料粉末中の金属元素が形成する酸化物より、焼結温
度にて形成する酸化物の酸素解離圧の低くなるゲッター
金属を存在させるターゲット材の製造方法である。
材の製造において、粉末焼結中にターゲット素材の酸素
量を低減する。 【解決手段】 本発明は、金属カプセル中にターゲット
素材となる原料粉末を封入し、熱間静水圧プレスにより
粉末焼結を行うターゲット材の製造方法において、前記
金属カプセル内部のターゲット素材と接する部分に、前
記原料粉末中の金属元素が形成する酸化物より、焼結温
度にて形成する酸化物の酸素解離圧の低くなるゲッター
金属を存在させるターゲット材の製造方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリングの
際、母合金として用いられるターゲット材の製造方法に
関するものである。
際、母合金として用いられるターゲット材の製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ターゲット材の製造方法として
は、主に溶解・鋳造法および粉末焼結法が用いられてき
た。特に粉末焼結法としては、無加圧による焼結とホッ
トプレスや熱間静水圧プレスといった加圧しながらの焼
結とに分けられる。上記の製造方法において、溶解・鋳
造法では真空溶解等の技術、無加圧焼結法では水素炉中
の焼結技術により、素材の低酸素化は可能であった。し
かし、熱間静水圧プレスによる粉末加圧焼結法において
は、粉末はカプセル内に封じ込められているため焼結中
の低酸素化は困難と考えられており、原料粉末の酸素量
の低減に依存していた。熱間静水圧プレスによる粉末焼
結ターゲットの製造方法は、高圧、具体的には５０ＭＰ
ａ以上という圧力で熱間成形でき、他の製造方法に比べ
高密度かつ均一な素材を得られる有効な製造方法である
ため、ターゲット材の製造方法として活用されている。
は、主に溶解・鋳造法および粉末焼結法が用いられてき
た。特に粉末焼結法としては、無加圧による焼結とホッ
トプレスや熱間静水圧プレスといった加圧しながらの焼
結とに分けられる。上記の製造方法において、溶解・鋳
造法では真空溶解等の技術、無加圧焼結法では水素炉中
の焼結技術により、素材の低酸素化は可能であった。し
かし、熱間静水圧プレスによる粉末加圧焼結法において
は、粉末はカプセル内に封じ込められているため焼結中
の低酸素化は困難と考えられており、原料粉末の酸素量
の低減に依存していた。熱間静水圧プレスによる粉末焼
結ターゲットの製造方法は、高圧、具体的には５０ＭＰ
ａ以上という圧力で熱間成形でき、他の製造方法に比べ
高密度かつ均一な素材を得られる有効な製造方法である
ため、ターゲット材の製造方法として活用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、熱間
静水圧プレスによる粉末焼結ターゲット材の製造方法
は、高密度かつ均一な素材を得られる利点はあるが、酸
素量が他の製造方法に比べて低くすることが困難であっ
た。しかし、ターゲット材は酸素を低減することが望ま
れる場合が多い。そこで、本発明は熱間静水圧プレスに
よる粉末焼結ターゲット材の製造において、粉末焼結中
にターゲット素材の酸素量を低減することを目的とす
る。
静水圧プレスによる粉末焼結ターゲット材の製造方法
は、高密度かつ均一な素材を得られる利点はあるが、酸
素量が他の製造方法に比べて低くすることが困難であっ
た。しかし、ターゲット材は酸素を低減することが望ま
れる場合が多い。そこで、本発明は熱間静水圧プレスに
よる粉末焼結ターゲット材の製造において、粉末焼結中
にターゲット素材の酸素量を低減することを目的とす
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者は、熱間静水圧
プレスによる粉末焼結法において、ターゲット素材とな
る原料粉末と接しているカプセルや拡散防止目的の内張
り箔等との間の酸素の移動に着目し、ターゲット素材の
金属が形成する酸化物より、焼結温度にて形成する酸化
物の酸素解離圧の低くなるゲッター金属を存在させるこ
とにより、ターゲット素材から酸素を移動・還元できる
ことを見出し本発明に到達した。
プレスによる粉末焼結法において、ターゲット素材とな
る原料粉末と接しているカプセルや拡散防止目的の内張
り箔等との間の酸素の移動に着目し、ターゲット素材の
金属が形成する酸化物より、焼結温度にて形成する酸化
物の酸素解離圧の低くなるゲッター金属を存在させるこ
とにより、ターゲット素材から酸素を移動・還元できる
ことを見出し本発明に到達した。
【０００５】すなわち、本発明は、金属カプセル中にタ
ーゲット素材となる原料粉末を封入し、熱間静水圧プレ
スにより粉末焼結を行うターゲット材の製造方法におい
て、前記金属カプセル内部のターゲット素材と接する部
分に、前記原料粉末中の金属元素が形成する酸化物よ
り、焼結温度にて形成する酸化物の酸素解離圧の低くな
るゲッター金属を存在させるターゲット材の製造方法で
ある。
ーゲット素材となる原料粉末を封入し、熱間静水圧プレ
スにより粉末焼結を行うターゲット材の製造方法におい
て、前記金属カプセル内部のターゲット素材と接する部
分に、前記原料粉末中の金属元素が形成する酸化物よ
り、焼結温度にて形成する酸化物の酸素解離圧の低くな
るゲッター金属を存在させるターゲット材の製造方法で
ある。
【０００６】本発明におけるゲッター金属としては、Ｎ
ｂを使用することが好ましい。また、ＭｏあるいはＲｕ
を主体とするターゲット素材の製造に適用することが望
ましい。
ｂを使用することが好ましい。また、ＭｏあるいはＲｕ
を主体とするターゲット素材の製造に適用することが望
ましい。
【０００７】
【発明の実施の形態】上述したように、本発明の重要な
特徴は熱間静水圧プレスのカプセル内でターゲット素材
と接する部分に、酸素解離圧の低いゲッター金属を存在
させることである。通常、粉末原料における酸素は、粉
末表面の吸着酸素や酸化層が多くを占めている。また、
拡散現象を考えると、表面、界面および転位等の欠陥部
の拡散は促進されることが知られている。さらに、熱間
静水圧プレスによる粉末焼結は、代表的には４００℃〜
１４００℃程度の温度領域で行うため、原料粉末の表面
に存在する酸素はある程度拡散すると考えられる。
特徴は熱間静水圧プレスのカプセル内でターゲット素材
と接する部分に、酸素解離圧の低いゲッター金属を存在
させることである。通常、粉末原料における酸素は、粉
末表面の吸着酸素や酸化層が多くを占めている。また、
拡散現象を考えると、表面、界面および転位等の欠陥部
の拡散は促進されることが知られている。さらに、熱間
静水圧プレスによる粉末焼結は、代表的には４００℃〜
１４００℃程度の温度領域で行うため、原料粉末の表面
に存在する酸素はある程度拡散すると考えられる。
【０００８】また、酸素解離圧の差異や酸化物の昇華に
より気相での拡散も考えられる。そして、接する金属に
より還元することによりターゲット素材の酸素量を低減
できる。そこで、ターゲット素材の酸素を素材から拡散
もしくは酸化物を離脱させる駆動力としてターゲット素
材と接する部分に、焼結温度にてターゲット素材の金属
の形成する酸化物の酸素解離圧より、焼結温度にて形成
する酸化物の酸素解離圧の低くなる金属を存在させるこ
とにより、酸素はターゲット素材から移動する。
より気相での拡散も考えられる。そして、接する金属に
より還元することによりターゲット素材の酸素量を低減
できる。そこで、ターゲット素材の酸素を素材から拡散
もしくは酸化物を離脱させる駆動力としてターゲット素
材と接する部分に、焼結温度にてターゲット素材の金属
の形成する酸化物の酸素解離圧より、焼結温度にて形成
する酸化物の酸素解離圧の低くなる金属を存在させるこ
とにより、酸素はターゲット素材から移動する。
【０００９】酸素解離圧は、図１に示すエリンガム図
（鉄鋼便覧Ｉ．基礎、日本鉄鋼協会、１９８１、丸善な
どに記載）などを用いることにより、簡易的に知ること
ができる。特に、酸素解離圧の大小はエリンガム図を用
いると判断しやすい。簡易的には、エリンガム図中でよ
り下に存在する元素がより酸素解離圧が低い。熱間静水
圧プレスによる焼結では、通常、鋼やステンレスの金属
カプセルに、そのまま、粉末を充填し減圧封入する場合
や、素材とカプセル間の拡散による接合防止のため、金
属カプセルに剥離材と高融点金属ハクを交互に数回重ね
た中に粉末を充填し減圧封入する場合がある。
（鉄鋼便覧Ｉ．基礎、日本鉄鋼協会、１９８１、丸善な
どに記載）などを用いることにより、簡易的に知ること
ができる。特に、酸素解離圧の大小はエリンガム図を用
いると判断しやすい。簡易的には、エリンガム図中でよ
り下に存在する元素がより酸素解離圧が低い。熱間静水
圧プレスによる焼結では、通常、鋼やステンレスの金属
カプセルに、そのまま、粉末を充填し減圧封入する場合
や、素材とカプセル間の拡散による接合防止のため、金
属カプセルに剥離材と高融点金属ハクを交互に数回重ね
た中に粉末を充填し減圧封入する場合がある。
【００１０】本発明においては、上述した熱間静水圧プ
レスによる焼結方法であれば、金属カプセルもしくは素
材と接する高融点金属ハクの金属の形成する酸化物の酸
素解離圧をターゲット素材の金属の形成する酸化物より
低くする必要がある。
レスによる焼結方法であれば、金属カプセルもしくは素
材と接する高融点金属ハクの金属の形成する酸化物の酸
素解離圧をターゲット素材の金属の形成する酸化物より
低くする必要がある。
【００１１】エリンガム図を見ると、希土類元素等の酸
化物の酸素解離圧が低いが、熱間静水圧プレスによる焼
結を考慮すると、箔として比較的入手し易く形成される
酸化物の酸素解離圧の低いＮｂを用いるのが特に好まし
い。また、板や箔が非常に入手し易く、通常、鋼やステ
ンレスとして熱間静水圧プレスのカプセルに用いられる
Ｆｅも、焼結するターゲット素材の酸化物の酸素解離圧
がＦｅより高い場合はゲッター金属として有効である。
また、ターゲット素材に、形成する酸化物の酸素解離圧
をターゲット素材の金属の形成する酸化物より低い金属
塊や粉末を接触させて金属カプセルに減圧封入し、熱間
静水圧プレスを行うことも有効である。
化物の酸素解離圧が低いが、熱間静水圧プレスによる焼
結を考慮すると、箔として比較的入手し易く形成される
酸化物の酸素解離圧の低いＮｂを用いるのが特に好まし
い。また、板や箔が非常に入手し易く、通常、鋼やステ
ンレスとして熱間静水圧プレスのカプセルに用いられる
Ｆｅも、焼結するターゲット素材の酸化物の酸素解離圧
がＦｅより高い場合はゲッター金属として有効である。
また、ターゲット素材に、形成する酸化物の酸素解離圧
をターゲット素材の金属の形成する酸化物より低い金属
塊や粉末を接触させて金属カプセルに減圧封入し、熱間
静水圧プレスを行うことも有効である。
【００１２】
【実施例】直径１５０ｍｍ、高さ２０ｍｍの粉末充填ス
ペースを持つＨＩＰ缶を軟鋼で作製し、剥離剤としてＢ
Ｎ粉末を塗布した金属箔を３枚ＨＩＰ缶内部にスポット
溶接した。本実施例においては、金属箔としてＭｏ箔、
Ｆｅ箔およびＮｂ箔を準備した。気相還元法により作製
したＭｏ粉末およびＷ粉末、化学還元法によるＲｕ粉末
を用いて、Ｍｏ粉末、Ｍｏ−３０Ｗ（ａｔ％）に組成調
整したＭｏ粉末とＷ粉末の混合粉、およびＲｕ粉末をそ
れぞれ異なる金属箔を配置した３つのＨＩＰ缶に充填
し、１２５０℃×１５０ＭＰａ×３ｈの条件で焼結し
た。
ペースを持つＨＩＰ缶を軟鋼で作製し、剥離剤としてＢ
Ｎ粉末を塗布した金属箔を３枚ＨＩＰ缶内部にスポット
溶接した。本実施例においては、金属箔としてＭｏ箔、
Ｆｅ箔およびＮｂ箔を準備した。気相還元法により作製
したＭｏ粉末およびＷ粉末、化学還元法によるＲｕ粉末
を用いて、Ｍｏ粉末、Ｍｏ−３０Ｗ（ａｔ％）に組成調
整したＭｏ粉末とＷ粉末の混合粉、およびＲｕ粉末をそ
れぞれ異なる金属箔を配置した３つのＨＩＰ缶に充填
し、１２５０℃×１５０ＭＰａ×３ｈの条件で焼結し
た。
【００１３】それぞれの粉末時点での酸素量および焼結
体の酸素量の測定した値を表１に示す。また、表２に１
２５０℃におけるＮｂＯ、ＦｅＯ、ＭｏＯ２およびＷＯ
２の酸素解離圧を示す。表１および表２より、酸素解離
圧の低い金属泊を用いることにより、素材の酸素量が低
下していることがわかる。特に、酸素解離圧の低いＮｂ
を用いると脱酸素の効果が大きいことがわかる。
体の酸素量の測定した値を表１に示す。また、表２に１
２５０℃におけるＮｂＯ、ＦｅＯ、ＭｏＯ２およびＷＯ
２の酸素解離圧を示す。表１および表２より、酸素解離
圧の低い金属泊を用いることにより、素材の酸素量が低
下していることがわかる。特に、酸素解離圧の低いＮｂ
を用いると脱酸素の効果が大きいことがわかる。
【００１４】
【表１】
【００１５】
【表２】
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、熱間静水圧プレス工程
において、焼結体の低酸素化を促進することができるた
め、低酸素のターゲット材の製造に欠かせない技術とな
る。
において、焼結体の低酸素化を促進することができるた
め、低酸素のターゲット材の製造に欠かせない技術とな
る。
【図１】酸素解離圧を示すエリンガム図の一例である。
Claims (4)
- 【請求項１】 金属カプセル中にターゲット素材となる
原料粉末を封入し、熱間静水圧プレスにより粉末焼結を
行うターゲット材の製造方法において、前記金属カプセ
ル内部のターゲット素材と接する部分に、前記原料粉末
中の金属元素が形成する酸化物より、焼結温度にて形成
する酸化物の酸素解離圧の低くなるゲッター金属を存在
させることを特徴とするターゲット材の製造方法。 - 【請求項２】 ゲッター金属はＮｂであることを特徴と
する請求項１に記載のターゲット材の製造方法。 - 【請求項３】 ターゲット素材は、Ｍｏを主体とするこ
とを特徴とする請求項１または２に記載のターゲット材
の製造方法。 - 【請求項４】 ターゲット素材は、Ｒｕを主体とするこ
とを特徴とする請求項１または２に記載のターゲット材
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10329073A JP2000144396A (ja) | 1998-11-19 | 1998-11-19 | ターゲット材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10329073A JP2000144396A (ja) | 1998-11-19 | 1998-11-19 | ターゲット材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000144396A true JP2000144396A (ja) | 2000-05-26 |
Family
ID=18217326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10329073A Pending JP2000144396A (ja) | 1998-11-19 | 1998-11-19 | ターゲット材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000144396A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002373867A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 半導体素子用導電性薄膜、半導体素子及びそれらの製造方法 |
| US7135141B2 (en) | 2003-03-31 | 2006-11-14 | Hitachi Metals, Ltd. | Method of manufacturing a sintered body |
| JP2009256793A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-11-05 | Hitachi Metals Ltd | Ｒｕターゲット材の製造方法 |
| CN105328193A (zh) * | 2014-08-12 | 2016-02-17 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种粉末冶金靶材及其制造方法 |
-
1998
- 1998-11-19 JP JP10329073A patent/JP2000144396A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002373867A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 半導体素子用導電性薄膜、半導体素子及びそれらの製造方法 |
| US7135141B2 (en) | 2003-03-31 | 2006-11-14 | Hitachi Metals, Ltd. | Method of manufacturing a sintered body |
| JP2009256793A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-11-05 | Hitachi Metals Ltd | Ｒｕターゲット材の製造方法 |
| CN105328193A (zh) * | 2014-08-12 | 2016-02-17 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种粉末冶金靶材及其制造方法 |
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