KR20110023811A - 피절단체로부터의 다이싱 표면 보호 테이프의 박리 제거 방법 - Google Patents

피절단체로부터의 다이싱 표면 보호 테이프의 박리 제거 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20110023811A
KR20110023811A KR1020100083517A KR20100083517A KR20110023811A KR 20110023811 A KR20110023811 A KR 20110023811A KR 1020100083517 A KR1020100083517 A KR 1020100083517A KR 20100083517 A KR20100083517 A KR 20100083517A KR 20110023811 A KR20110023811 A KR 20110023811A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tape
surface protection
peeling
dicing
layer
Prior art date
Application number
KR1020100083517A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101250149B1 (ko
Inventor
도시마사 스기무라
아키노리 니시오
가즈유키 기우치
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20110023811A publication Critical patent/KR20110023811A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101250149B1 publication Critical patent/KR101250149B1/ko

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/10Removing layers, or parts of layers, mechanically or chemically
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/18Handling of layers or the laminate
    • B32B2038/1891Using a robot for handling the layers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2310/00Treatment by energy or chemical effects
    • B32B2310/028Treatment by energy or chemical effects using vibration, e.g. sonic or ultrasonic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2310/00Treatment by energy or chemical effects
    • B32B2310/04Treatment by energy or chemical effects using liquids, gas or steam
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2310/00Treatment by energy or chemical effects
    • B32B2310/08Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation
    • B32B2310/0806Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • B32B2310/0825Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using IR radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386Separation by peeling
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1121Using vibration during delaminating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1126Using direct fluid current against work during delaminating
    • Y10T156/1137Using air blast directly against work during delaminating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1142Changing dimension during delaminating [e.g., crushing, expanding, warping, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1153Temperature change for delamination [e.g., heating during delaminating, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1153Temperature change for delamination [e.g., heating during delaminating, etc.]
    • Y10T156/1158Electromagnetic radiation applied to work for delamination [e.g., microwave, uv, ir, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19Delaminating means
    • Y10T156/1911Heating or cooling delaminating means [e.g., melting means, freezing means, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19Delaminating means
    • Y10T156/1911Heating or cooling delaminating means [e.g., melting means, freezing means, etc.]
    • Y10T156/1917Electromagnetic radiation delaminating means [e.g., microwave, uv, ir, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19Delaminating means
    • Y10T156/1922Vibrating delaminating means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19Delaminating means
    • Y10T156/1928Differential fluid pressure delaminating means
    • Y10T156/1933Spraying delaminating means [e.g., atomizer, etc.
    • Y10T156/1939Air blasting delaminating means]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)

Abstract

본 발명은 다이싱 공정에 있어서, 표면 보호 테이프를 피절단체 표면에 접착하고, 피절단체와 일괄해서 절단함으로써, 피절단체 표면을 절삭 부스러기 등의 더스트 등의 부착에 의한 오염으로부터 보호하며, 또한 다이싱 공정 후에, 개개의 칩으로부터 표면 보호 테이프를 용이하게 박리 제거하는 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
피절단체 표면에 다이싱 표면 보호 테이프를 접착하고, 이것을 상기 피절단체와 함께 절단한 후, 피절단체를 기울인 상태에서 그 다이싱 표면 보호 테이프를 제거하는 방법을 제공한다.

Description

피절단체로부터의 다이싱 표면 보호 테이프의 박리 제거 방법{METHOD FOR PEELING AND REMOVING DICING SURFACE PROTECTION TAPE FROM DICED BODY}
본 발명은, 반도체 웨이퍼를 비롯한 피절단체를 개편화(個片化)(다이싱)하는 공정에 있어서, 피절단체에 다이싱 표면 보호 테이프가 접착된 상태에서 다이싱된 후의 박리 제거 방법에 관한 것이다.
백그라인드 공정 후에 행해지는 웨이퍼 개편화 공정(이하 다이싱 공정)에 있어서, 종래 웨이퍼 회로 형성면은 노출된 상태이다. 따라서 회로 형성면에는, 다이싱 시의 절삭수, 웨이퍼 절삭에 의해 발생하는 절삭 부스러기 등의 더스트 등이 부착되어, 드러나 있는 전자 부품 표면의 회로 형성면은 오염되는 것을 전제로 하고 있었다. 이러한 오염에 의해, 불량을 일으킬 가능성이 있다. 이 경우에, 웨이퍼의 회로 형성면에 보호 테이프를 접착하고, 웨이퍼와 보호 테이프를 일괄해서 다이싱함으로써, 전자 부품을, 절삭 부스러기 등의 더스트 등으로부터 보호하는 것이 고려되어 있다. 그러나, 종래의 보호 테이프에서는, 개편화된 웨이퍼로부터 개개로 보호 테이프를 박리 제거하는 것이 곤란하기 때문에, 실용화에는 이르고 있지 않다.
또한, 최근, 반도체용 재료에 대한 박형화, 경량화의 요망이 한층 높아지고 있다. 반도체용 실리콘 웨이퍼에 대해서는, 두께 100 ㎛ 또는 그 이하로까지 얇게 할 필요가 발생하고 있으나, 이러한 박막 웨이퍼는 매우 약하여 깨지기 쉽다. 이 때문에, 개편화된 웨이퍼로부터의 보호 테이프의 박리 제거의 곤란성은 더 커지고 있다. 그래서, 보호 테이프를 박리하는 방법으로서, 박리용 테이프를 보호 테이프에 접착하고, 박리용 테이프의 박리와 동시에 피착체로부터 박리하는 방법이나, 에어를 분무함으로써 그 힘으로 박리하는 방법 등이 고려되어 있다.
일본 특허 공개 제2003-197567호 공보에서는, 다이싱 전에, 전자 부품 표면의 회로 형성면에 보호 테이프를 접합시켜, 절삭수, 절삭 부스러기 등으로부터의 오염을 방지하는 방법이 기술되어 있다. 보호 테이프를 수축시키고 나서, 에어를 쏘이거나, 박리용 테이프를 접합시켜 박리 테이프에 외력을 가함으로써, 박리 테이프와 함께 박리를 행하여 제거하는 방법이 기재되어 있다.
또한 일본 특허 공개 제2006-196823호 공보에서는, 보호 테이프 기재(基材)로서 폴리올레핀 필름을 이용하고, 제거 시 가열함으로써 기재를 열수축시켜, 보호 테이프를 휘게 함으로써, 제거를 용이하게 하는 방법이 기재되어 있다.
이 방법에 있어서, 보호 테이프의 박리 계기가 없으면, 상기한 방법으로의 보호 테이프의 박리는 어렵다. 즉, 피착체로부터 보호 테이프를 박리하기 위해서는, 박리 계기가 필요해진다. 따라서, 용이하게 박리 계기를 만들 수 있는 보호 테이프가 필요해지고, 그 박리 계기를 만드는 방법으로서, 상기한 공보에 기재된 가열 등의 수축 원인이 되는 자극의 부여에 의해 보호 테이프를 수축시킴으로써 계기를 만드는 방법이나, 수축층과 구속층을 적층시킨 보호 테이프를 이용하여, 보호 테이프를 가열 등의 수축 원인이 되는 자극의 부여에 의해 자발적으로 권취시킴으로써, 보호 테이프의 박리 계기를 만드는 방법 등이 고려된다.
그래서, 상기한 수축, 특히 열수축에 의해 발생하는 보호 테이프의 변형은 휘어지는 것 뿐만 아니라, 쭈글쭈글해지는 등의 일정치 않은 형상 변형을 일으킨다. 그 결과, 예컨대 쭈글쭈글해지는 경우에는, 주름의 요철의 볼록부와 기판 사이에 미세한 간극이 발생하게 되고, 그와 같은 간극을 계기로 해서 보호 테이프를 억지로 떼려는 것과 같은 어떠한 수단, 예컨대 에어의 분무 등을 행하면, 보호 테이프 점착제와 피착체(칩)의 계면이 박리되는 방향으로 힘이 작용하게 되어, 결과적으로 반도체 웨이퍼 등의 기판으로부터 보호 테이프가 점착력에 대항하여 박리된다. 단, 에어에 의해 박리를 진행시키는 박리 방법은 이 일정치 않은 형상 변형 뿐만 아니라, 자발적으로 권취시키는 규칙적인 형상 변형이어도 채용할 수 있는 수단이다.
이와 같이, 종래에 있어서도 보호 테이프의 박리를 행하는 것이 가능하였으나, 이들 방법은, 도 12에 기재된 바와 같이, 다이싱 공정에 이어 회로면을 보호하는 다이싱 표면 보호용 테이프를 상향으로 해서 수평으로 놓은 상태에서 행하는 것이며, 그 상태에서 박리·회수를 행하면, 특히 상기한 바와 같이 에어를 분무하는 경우, 그 때에 박리된 개개의 다이싱 표면 보호용 테이프가 피절단체 표면에서 날라다니거나, 미끄러지거나, 굴러가거나, 뛰어오를 가능성이 높기 때문에, 이 결과, 피절단체 표면을 오염시키거나, 파손시킬 우려가 있다.
또한, 이와 같이 굴러가거나 뛰어오른 개개의 다이싱 표면 보호용 테이프는, 다이싱 테이프와 다이싱 링 상에도 굴러가 다이싱 테이프나 다이싱 링 상에 부착될 가능성이 있으며, 이 부착된 것을 박리하는 것은 곤란하다.
이와 같이 부착된 상태에서는, 그 후의 개개의 물품이 된 피절단체가 다이싱 테이프를 연신하여 픽업되는 공정 시에, 다이싱 표면 보호용 테이프가 부착된 개소의 그 다이싱 테이프의 부분의 연신 특성이 변화하기 때문에, 다이싱 테이프 전체로서 예정대로의 연신이 불가능해진다.
그러면, 서로의 간격이 넓어진 물품의 각각의 위치가 예정대로의 위치가 아니게 되므로, 자동적으로 픽업하는 장치에 있어서, 픽업용 지그가 미리 설정된 개소에 있어서 물품과 정확하게 접촉할 수 없어, 확실하게 픽업할 수 없다. 그 결과, 픽업용 지그와 피절단체의 위치 관계가 맞지 않는 것 등에 의한 불량품이 발생하게 된다.
또한, 박리 테이프를 이용하여 박리하는 방법은 다이싱 표면 처리용 테이프의 높이가 일치하고 있지 않으면, 박리 잔여물의 발생이나 박리 테이프가 피절단체에 접촉할 가능성이 있고, 또한 핀셋에 의한 박리는 수작업에 의한 것이기도 하여 효율적이지 않다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2003-197567호 공보 [특허 문헌 2] 일본 특허 공개 제2006-196823호 공보
본 발명의 과제는, 미리 표면 보호 테이프를 피절단체 표면에 접착하고, 다이싱 공정에 있어서 피절단체와 일괄해서 절단함으로써, 피절단체 표면을 절삭 부스러기 등의 더스트 등의 부착에 의한 오염으로부터 보호하며, 또한 그 후에, 표면 보호 테이프 개개의 칩으로부터 용이하게 박리 제거되는 다이싱 공정에 있어서, 피절단체 표면에 접착되어, 피절단체와 일괄해서 절단된 보호 테이프의 확실한 박리 제거 방법을 제공하고, 이에 따라 절단된 보호 테이프가 피절단체나 다이싱 테이프, 다이싱 링을 오염시키는 것을 방지하며, 나아가서는 픽업 공정에 악영향을 주는 것을 방지하는 방법을 제공하는 것이다.
상기한 과제를 해결하는 본 발명의 방법은, 피절단체의 한쪽 면에 자극에 의해 박리 용이성을 발현하는 다이싱 표면 보호용 테이프를 접착하여 복합체로 한 후, 그 다이싱 표면 보호용 테이프측을 상면이 되도록 그 복합체를 위치시키고, 그 다이싱 표면 보호용 테이프측으로부터 피절단체를 절단하며, 계속해서, 그 다이싱 표면 보호용 테이프에 자극을 부여하여 박리가 용이해지도록 하는 공정(A), 그 복합체를 반전시키기까지의 임의의 각도로 기울이는 공정(B), 그 복합체로부터 절단된 그 다이싱 표면 보호용 테이프만을 박리 제거하는 공정(C)의, A∼C의 공정을 순서대로 행하거나, B, A, C의 순서로 행하거나, 또는 B 후에 A 공정과 C 공정을 동시에 행하여 피절단체로부터의 다이싱 표면 보호 테이프를 박리 제거하거나, 또는 피절단체의 한쪽 면에 자극에 의해 박리 용이성을 발현하는 다이싱 표면 보호용 테이프를 접착하여 복합체로 한 후, 그 다이싱 표면 보호용 테이프측을 하면이 되도록 그 복합체를 위치시키거나, 또는 임의의 방향으로 그 복합체를 위치시키고, 그 다이싱 표면 보호용 테이프측으로부터 피절단체를 절단하며, 계속해서, 그 다이싱 표면 보호용 테이프에 자극을 부여하여 박리가 용이해지도록 하는 공정(A), 그 복합체로부터 절단된 그 다이싱 표면 보호용 테이프만을 박리 제거하는 공정(C)의, A와 C의 공정을 순서대로 행하거나, 또는 A와 C의 공정을 동시에 행함으로써 피절단체로부터의 다이싱 표면 보호 테이프의 박리 제거를 행하는 방법이다.
또한, 그와 같은 방법에 있어서, 그 B 공정을 로봇 암, 복합체의 유지 장치에 설치한 회전축, 또는 시트 형상물의 반전 장치에 의해 행해도 되고, 그 다이싱 표면 보호용 테이프에 박리 용이성을 발현시키는 자극이 가열된 기체, 액체, 고체의 열 매체와 접촉시키는 것, 적외선의 조사 중 어느 하나 이상의 수단이며, 구체적으로는 가열된 공기, 질소 가스, 물의 분무에 의한 수단, 가열된 공기, 질소 가스, 물을 넣은 용기에 침지하는 수단, 적외선 램프, 적외선 레이저, 적외선 LED에 의한 적외선의 조사, 플레이트 히터, 밴드 히터, 리본 히터 등에 의하거나, 자외선, 또는 전자파이다.
그 후의 보호 테이프의 박리 제거 수단이 기압차에 의해 테이프를 흡인 또는 불어 날려 버리는 수단이며, 그 때에 유연한 수지구(樹脂球)를 병용하거나, 또한 피절단체의 이면으로부터 초음파 진동자 등에 의해 진동시키는 것도 채용할 수 있다.
또한, 자극에 의해 박리 용이성을 발현하는 다이싱 표면 보호용 테이프가 자극에 의해 수축, 발포제 함유 접착제층이 발포, 또는 권취됨으로써 박리가 용이해지는 방법이며, 피절단체가 반도체 웨이퍼, 유리판, 수지판 중 어느 하나여도 되는 방법이다.
본 발명의 표면 보호 테이프의 박리 제거 방법은, 그 테이프를 피절단체 표면에 접착하고, 피절단체와 일괄해서 절단한 후에 그 테이프를 박리·회수할 때에, 피절단체를 기울이거나 반전시킴으로써, 박리된 그 테이프가 피절단체 표면으로부터 떨어지도록 이동되기 때문에, 다이싱 테이프나 다이싱 링에 부착됨으로써 이들을 오염시키거나, 나아가서는 픽업 공정에 악영향을 주는 것을 방지한다. 또한, 다이싱 표면 보호 테이프로서, 절단 시에 발생하는 그 테이프의 부여에 의해 압박되어, 단부(1 단부 또는 대향하는 2 단부)로부터 통상 주(主) 수축 축 방향으로, 피착체로부터 박리되면서, 자발적으로 권취되어 통 형상 권취체를 형성하는 테이프를 채용한 경우에는, 피착체를 손상시키거나, 불완전한 박리에 의해 피착체를 오염시키지 않고서, 피착체 표면으로부터 매우 간이하게 제거할 수 있어, 다이싱 공정에서의 절삭 부스러기 등의 더스트 등의 부착에 의한 오염으로부터 피절단체 표면을 보호하고, 통 형상 권취체가 다이싱 테이프 등에 부착되어 그 후의 픽업 공정에서의 지장을 발생시키는 일이 없는 방법이다. 이 때문에, 특히 취약한 피착체에 접착하는 표면 보호 테이프로서 유용하다.
도 1은 본 발명의 표면 보호 테이프의 박리 제거 방법의 일례를 도시하는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 표면 보호 테이프의 박리 제거 방법의 다른 일례를 도시하는 개략도이다.
도 3은 본 발명에 이용하는 표면 보호 테이프의 일례의 적층체(10)를 도시하는 개략 단면도이다.
도 4는 본 발명에 이용하는 표면 보호 테이프의 일례의 적층체(11)를 도시하는 개략 단면도이다.
도 5는 본 발명에 이용하는 표면 보호 테이프의 일례의 적층체(12)를 도시하는 개략 단면도이다.
도 6은 본 발명에 이용하는 표면 보호 테이프의 일례의 적층체(13)를 도시하는 개략 단면도이다.
도 7은 본 발명에 이용하는 표면 보호 테이프의 일례의 적층체(14)를 도시하는 개략 단면도이다.
도 8은 본 발명에 이용하는 표면 보호 테이프의 일례의 적층체(15)를 도시하는 개략 단면도이다.
도 9는 본 발명에 이용하는 표면 보호 테이프의 자발 권취되는 모습의 일례를 도시하는 개략도이다.
도 10은 본 발명에 이용하는 표면 보호 테이프가 피착체에 접착되고, 그 피착체와 일괄해서 다이싱된 후에, 자발 권취되는 모습의 일례를 도시하는 개략도이다.
도 11은 본 발명의 표면 보호 테이프의 박리 제거 방법을 이용한 칩 형성의 흐름의 일례를 도시하는 도면이다.
도 12는 종래의 표면 보호 테이프의 박리 방법을 도시하는 개략도이다.
본 발명의 표면 보호 테이프의 박리 제거 방법은, 피절단체의 한쪽 면에 자극에 의해 박리 용이성을 발현하는 다이싱 표면 보호용 테이프를 접착하여 복합체로 한 후, 그 피절단체의 다이싱 표면 보호용 테이프를 접착한 측으로부터 다이싱을 행하고, 복합체를 임의의 각도로 기울인 상태에서, 절단된 개개의 다이싱 표면 보호용 테이프를 피절단체 표면으로부터 박리 제거함으로써 절단되고, 또한 박리 용이성이 발현된 다이싱 표면 보호용 테이프나, 그 테이프, 피절단체 등의 절단 시에 발생하는 분말 형상물을 확실하게 피절단체로부터 박리 제거하는 것이다.
본 발명에 있어서, 피절단체로서는, 반도체 웨이퍼, 유리, 세라믹, 반도체 밀봉용 수지 등, 종래부터 다이싱 공정의 대상이 되고 있는 것 전반을 포함하며, 8인치 실리콘 미러 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼가 바람직하게 이용된다. 피절단체의 절단 후의 크기는, 바람직하게는 10 ㎜×10 ㎜ 이하의 크기이다.
다이싱 표면 보호용 테이프에 대해서, 그 기재는, 공지된 단층 또는 복층의 수지 필름을 1축 또는 2축 연신하여 이루어지는 열수축성 필름이면 된다.
이 기재에 마련하는 점착제층으로서는, 공지된 고무계, 아크릴계 등 및 공지된 충전제 및 또한 공지된 각종 첨가제를 함유하는 점착제이면 되지만, 아지드 화합물이나 아지 화합물 등의 기체 발생제를 함유시키고, 가열에 의해 그 기체 발생제가 분해되어 기체를 발생시키는 것에 의해, 그 점착제층을 다공질로 함으로써 점착제층과 그 표면을 요철로 하여, 피절단체와의 접착 면적을 감소시킴으로써 박리 용이성을 발현시키는 기체 발생제 함유 점착제, 또는 점착제에 가스 내포 마이크로 캡슐을 함유시키고, 사용 시에 있어서 가열에 의해 그 마이크로 캡슐이 파괴되어, 내포되어 있던 가스가 점착제층 내로 확산됨으로써 그 점착제층을 다공질로 하여, 상기 기체 발생제 함유 다이싱 표면 보호용 테이프와 동일한 기구에 의해 박리 용이성을 발현시키는 가스 내포 마이크로 캡슐 함유 점착제 등을 사용할 수 있다.
또한, 자외선 등의 활성 에너지선의 조사로 3차원 메시 구조가 형성되는 것에 의한 경화의 결과, 점착력이 저하되어 박리가 용이해지는 공지된 점착제도 사용할 수 있다. 그 점착제에는 공지된 천연 고무나 폴리이소부틸렌 고무, 스티렌·부타디엔 고무, 스티렌·이소프렌·스티렌 블록 공중합체 고무, 재생 고무, 부틸 고무, 폴리이소부틸렌 고무, NBR 등의 고무계 폴리머를 베이스 폴리머로서 이용하고, 주지의 각종 첨가제를 배합하여 이루어지는 고무계 점착제; 실리콘계 점착제; 아크릴계 점착제 등의 점착제 조성물에 있어서, 이것을 구성하는 수지를 탄소-탄소 다중 결합 함유 반응성 기로 화학 개질한 것이나, 또한 폴리(메트)아크릴로일기 등의 반응기를 갖는 단량체나 중합체를 배합한 것을 사용할 수 있다.
이들 점착제에 필요한 점착력은, 점착력의 저하를 위한 처리 전 및 처리 후에 있어서, 실리콘 미러 웨이퍼를 피착체로 이용한 180°필 박리 시험[실온(25℃)]에 있어서, 6.5 N/10 ㎜ 이하(예컨대 0.05 N/10 ㎜∼6.5 N/10 ㎜, 바람직하게는 0.2 N/10 ㎜∼6.5 N/10 ㎜), 특히 6.0 N/10 ㎜ 이하(예컨대 0.05 N/10 ㎜∼6.0 N/10 ㎜, 바람직하게는 0.2 N/10 ㎜∼6.0 N/10 ㎜)이고, 점착제층의 두께는 일반적으로는 10 ㎛∼200 ㎛, 바람직하게는 20 ㎛∼100 ㎛, 더 바람직하게는 30 ㎛∼60 ㎛이다. 상기 두께는, 지나치게 얇으면 점착력이 부족하기 때문에 피착체를 유지, 가고정하는 것이 곤란해지기 쉽고, 지나치게 두꺼우면 비경제적이며, 취급성도 뒤떨어지기 때문에 바람직하지 않다.
상기와 같은 점착 특성을 구비하는 범위에 있어서, 저점착화 처리를 필요에 따라 행하고, 계속해서/또는 동시에 자극에 의해 다이싱 표면 보호용 테이프의 기재를 수축시키는 것이 필요하다.
자극이란 접착된 다이싱 표면 보호용 테이프를 박리가 용이해지도록 하기 위해서 필요한 가열, 자외선 조사 등의 에너지 부여 수단에 의한 처리이며, 구체적으로는, 가열 공기의 분사, 가열된 물 등의 액체 중에의 침지, 적외선 램프, 적외선 레이저, 적외선 LED, 플레이트 히터, 밴드 히터, 리본 히터 등의 임의의 가열 수단이나, 자외선 램프나 마이크로파 등의 조사 수단을 이용할 수 있고, 가열 온도로서는, 피절단체의 특성에 악영향을 미치지 않는 온도이며, 50℃ 이상의 온도, 바람직하게는 50℃∼180℃, 더 바람직하게는 70℃∼180℃이고, 자외선 램프나 마이크로파의 조사도 마찬가지로 피절단체의 특성에 악영향을 미치지 않는 범위에서의 조사 에너지량이며, 다이싱 표면 보호용 테이프의 특히 접착제층을 가교·분해 등에 의해 점착력을 저감시켜 박리가 용이해지도록 할 수 있을 정도의 처리를 행하는 것이다. 또, 상기한 가열된 물 등에의 침지에 의한 수단을 채용한 경우에는, 그 후에 있어서 건조시키기 위한 주지의 건조 수단을 이용한 공정을 필요로 한다.
이렇게 해서, 이들 다이싱 표면 보호용 테이프는 자극을 받은 후에 피절단체와의 사이에 약간이라도 간극을 형성시키는 것이, 그 후의 제거 공정을 원활하게 진행시키는 데에 있어서 필요하다.
또한 이들 다이싱 표면 보호용 테이프로서, 바람직하게는 적어도 1축 방향으로 수축성을 갖는 수축성 필름층과, 그 수축성 필름층의 수축을 구속하는 구속층이 적층되고, 수축 원인이 되는 자극의 부여에 의해, 1 단부로부터 1 방향으로 또는 대향하는 2 단부로부터 중심을 향하여 자발적으로 권취되어 1개 또는 2개의 통 형상 권취체를 형성하면서 박리되는 다이싱 표면 보호 테이프를 사용할 수 있다.
그리고 본 발명에 있어서, 0°를 넘어 반전시키기까지의 임의의 각도로 기울이는 공정은,
다이싱 공정을 피절단체를 수평면에 얹어 놓고, 그 상면에 접착한 다이싱 표면 보호용 테이프를 다이싱할 때의 상태, 즉 피절단체를 수평으로 놓아, 그 상면이 접착된 다이싱 표면 보호용 테이프에 의해 보호된 상태의 기울기를 0°로 하고, 이 피절단체를 경사시켰을 때의 수평면과의 기울기를 그 각도로 한 공정이다. 그리고 수평의 피절단체의 하면에 접착된 다이싱 표면 보호용 테이프가 위치하는 상태를 180°로 기울인 상태, 즉 상기한 0°의 기울기의 것을 반전시킨 상태로 한다. 따라서, 본 발명에 있어서, 0°를 넘어 반전시키기까지의 임의의 방향으로 기울이는 공정이란, 0°로부터 약간 기울인 상태로부터 반전시킨 상태까지의 임의의 각도로 기울이는 공정이다.
본 발명에 있어서, 이 다이싱 표면 보호용 테이프를 피착체에 접합시킨 후, 다이싱을 행한다. 다이싱 장치·방법으로서는 공지된 방법을 임의로 선택하여 채용하면 되고, 다이싱 시에 절단부에 물이나 기체의 분사를 병용하는 공정도 채용할 수 있으며, 다이싱 표면 보호용 테이프를 이용하는 것에 의한 제한은 없다. 또, 피착체가 반도체 웨이퍼인 경우에는, 피착체에 다이싱 표면 보호용 테이프를 접합시킨 후, 백그라인드 공정을 행하고, 그대로 테이프를 박리하지 않고서 다이싱 공정을 행해도 된다.
또한, 다이싱 공정은, 복합체를 0°의 각도, 즉 다이싱 표면 보호용 테이프를 상면에 접착한 피절단체를 수평으로 위치시킨 상태에서 행하는 것이 일반적이지만, 본 발명에서는 다이싱 공정을 복합체를 기울인 후에 행하는 것도 가능하다. 또한 기울이는 각도로서는, 복합체를 수직, 즉 90°로 해도 되고, 또는 180°, 즉 반전시켜 다이싱 표면 보호용 테이프가 하면을 향한 후에 다이싱을 행해도 된다.
본 발명에 있어서, 피절단체를 기울이는 수단으로서는, 피절단체를 유지하는 프레임 형상물, 판 형상물 또는 암 등의 부재를 별도의 구동 장치에 의해 구동하는 회전축에 접속하고, 이 회전축을 회동시킴으로써 피절단체를 그 부재째 기울이는 수단을 채용할 수 있고, 또한 예컨대 로봇 암 등에 그 부재째 피절단체를 파지(把持)시켜, 이 로봇 암을 회동시키는 수단이나, 시트 형상물을 반전시키기 위한 공지된 수단에 그 부재째 피절단체를 설치하여 이루어지는 수단을 채용할 수 있다. 또한, 공지된 워크의 위치를 조정하는 장치에 의해 피절단체를 기울이도록 하는 것도 가능하다.
이와 같이 기울이면, 가령 피절단체 상에 있어서 절단된 다이싱 표면 보호용 테이프가 굴러가더라도, 그 기울기에 따라 굴러가게 되어 다이싱 테이프 표면에의 부착을 방지할 수 있게 되고, 또한 그 기울기를 90°이상으로 하면, 이미 절단된 다이싱 표면 보호용 테이프는 단순히 낙하하는 일은 있어도, 피절단체의 표면을 굴러가는 일이 없기 때문에, 그 주위의 다이싱 테이프나 다이싱 링 표면 등에 부착되는 일이 없다. 이러한 이유에 의해, 본 발명은 피절단체를 기울인 상태에서 절단된 다이싱 표면 보호용 테이프를 박리 제거함으로써 상기한 효과를 발휘할 수 있다.
본 발명에서의 다이싱 표면 보호용 테이프의 박리 제거를 위한 수단으로서는, 기압차에 의해 테이프를 흡인 및/또는 불어 날려 버릴 수 있는 장치를 이용하는 수단, 그 불어 날려 버리는 수단에 수지 입자를 병용하여 그 수지 입자의 운동 에너지를 박리 제거하기 위한 에너지로 하는 수단, 정전기를 이용하여 흡착을 행하는 수단 등을 채용할 수 있고, 그 때에는 피절단체의 이면으로부터 초음파 진동자에 의한 진동을 부여하는 것을 병용하는 것도 가능하며, 기압차에 의해 불어 날려 버리는 수단을 채용할 때에는, 가열된 기체를 이용하여 표면 보호 테이프에 자극을 부여하면서 불어 날려 버려 박리 제거하는 것도 가능하다.
구체적으로 기압차에 의해 테이프를 흡인 및/또는 불어 날려 버릴 수 있는 장치를 이용하는 수단으로서, 각종 에어 클리너나 블로워 등에 의한 기체의 분무나 진공 장치 등에 접속한 노즐에 의한 흡인, 또는 이들 장치의 병용에 의해 기체의 분무와 흡인을 행하는 것을 들 수 있다.
이들 분무나 흡인의 강도는 본 발명을 따라 박리 제거가 가능해지는 범위에서 임의로 설정하면 되지만, 피절단체를 파괴하거나 물성을 변화시키지 않을 정도의 강도가 아니면 안 되고, 기체를 분무할 때에는, 절단된 다이싱 표면 보호용 테이프나, 분말 형상 미립자가 흩날려, 이들이 다이싱 테이프나 다이싱 링 등에 부착되고, 나아가서는 그 후의 픽업 공정에 지장을 초래하거나, 칩을 오염시키지 않도록 분무하는 방향 등을 검토하는 것이 요구된다.
이 때문에, 단순히 에어 클리너나 블로워 등에 의해 기체를 분무하는 것만이 아니라, 경우에 따라 분출한 기체를 박리된 표면 보호 테이프와 함께 회수하는 위치에 기체를 흡인하는 흡인용 노즐을 설치하는 것이 바람직하다.
또한, 피절단체에 부착되는 절단된 다이싱 표면 보호용 테이프는 그 단부에 기체가 분무된 결과, 피절단체로부터 박리되도록, 피절단체와 다이싱 표면 보호용 테이프 사이에 기체를 밀어 넣도록 하지 않으면 안 되기 때문에, 분무되는 기체의 피절단체 표면에 대한 각도는 충분히 작을 필요가 있다. 그렇지 않은 경우에는, 분무되는 기체가 피절단체 상의 다이싱 표면 보호용 테이프를 누르도록 작용하기 때문에, 충분히 박리할 수 없게 될 우려가 있다.
또한, 다이싱 표면 보호용 테이프에 박리성을 부여하기 위한 자극으로서, 가열된 물 등의 액체에 의한 수단을 채용한 경우에는, 그 후의 건조 수단으로서 이 기체를 분무하여 박리 제거하는 공정을 겸하는 것도 가능하다.
통상, 피절단체 상의 절단된 다이싱 표면 보호용 테이프가 단순히 자극에 의해 수축하는 것에 머무는 것인 경우나, 가스 발생 등에 의해 점착력의 저하에 의해 박리성을 발현하는 경우에는, 수축 후나 가스 발생 등의 후에 어느 방향을 향하여 특히 박리 용이성을 나타내는지, 또는 어느 방향을 향하여 피절단체 표면과의 사이에 특히 큰 간극을 갖고 있는지가 불분명하기 때문에, 박리 제거를 위해서 기체를 분무하거나 또는 흡인할 때에는, 피절단체에 대하여 한 방향으로부터만 행하는 것이 아니라, 다방향으로부터 기체의 분무나 흡인을 행함으로써, 보다 확실한 다이싱 표면 보호용 테이프의 박리 제거를 행할 수 있고, 절단되어 격자 형상으로 형성된 피절단체 사이의 간극에도 존재하는 절단 시에 발생한 미분도 다방향으로부터의 분무에 의해 더 확실하게 제거할 수 있다.
분무하는 기체의 흐름에 유연한 수지구를 싣고, 피절단체 및 다이싱 표면 보호용 테이프에 그 수지구를 충돌시킴으로써, 그 수지구의 운동 에너지를 활용하여 그 테이프의 박리를 촉진할 수도 있다. 단, 그 수지구를 사용함으로써 피절단체를 파괴하거나, 그 물성에 악영향을 주는 일이 없도록 하지 않으면 안 되고, 또한 그 수지구가 다이싱 테이프나 다이싱 링에 부착되면, 그 후의 픽업 공정에 악영향을 미칠 수도 있어, 본 발명의 목적을 달성하지 못하게 되므로 이러한 점들을 주의하지 않으면 안 된다.
이 때문에, 그 수지구는 피절단체에 악영향을 주지 않을 정도로 유연성을 가지며, 또한 기체의 분무와 함께 충분히 흡인을 행하여, 분사된 그 수지구를 모두 회수한다. 그와 같은 용도에 사용할 수 있는 수지구는 예컨대 스펀지 형상의 다공성이며 유연한 것, 또는 다공성이 아니더라도 전체적으로 충분히 유연한 것 등이나, 점착력이나 대전에 의한 정전기력 등에 의해 피절단체에 부착되지 않는다고 하는 성질을 갖는 것이 필요하다.
또한 분무할 때에는 분무하는 강도에 주기적 또는 비주기적으로 강약을 주는 것에 의해, 다이싱 표면 보호용 테이프에 진동을 부여함으로써, 다이싱 보호 테이프 단부와 피절단체와의 간극을 확대하여, 보다 박리 제거를 용이하게 하는 것도 가능하다.
이들 경우에 있어서, 기체의 분무에 사용하는 기체로서는, 공기나 질소 가스 등이면 되고, 또한 가열된 것을 사용할 수도 있으며, 이 경우에는 다이싱 표면 보호용 테이프를 박리가 용이해지도록 하기 위해서 상기한 바와 같이 수축이나 권취시키거나, 점착제층을 가열에 의해 발포시키면서 분무된 기체에 의해 다이싱 표면 보호용 테이프를 박리 제거시킬 수 있다. 예컨대 가열된 공기를 다이싱 표면 보호용 테이프의 일부의 면으로부터 순서대로 분무하여, 가열에 의한 자극의 부여와 박리를 동시에 행해도 된다.
다이싱 표면 보호용 테이프를 흡인할 때에는, 흡인 노즐을 가능한 한 피절단체에 가까이 하면, 이 테이프에 가해지는 흡인력이 강해져 보다 확실하게 박리 제거할 수 있다. 또한 노즐의 구조를 노즐 선단 내부에 나선 형상의 홈을 형성하는 등의 와류(渦流)를 형성할 수 있는 구조로 하여, 흡인력을 더 강화할 수도 있다.
또한, 정전기를 이용하여 흡착을 행하는 수단을 채용하는 경우에는, 대전시킨 롤러 형상물이나 막대 형상물의 측면이나 브러시의 표면을 피절단체의 다이싱 표면 보호용 테이프 표면 근처를 따르도록 하여 그 피절단체 전체면에 걸쳐 이동시킨다. 이러한 조작을 2회 이상 반복하고, 2회째 이상 이후에는 정전기의 극성을 반대로 한 것을 그 피절단체 표면을 따라 이동시킬 수도 있다. 그 브러시가 유연한 소재로 이루어지는 경우에는, 피절단체 표면에 상처를 입히지 않도록 접촉시킴으로써 표면 보호 테이프를 제거하는 것도 가능하다.
이 경우에 있어서는, 그 피절단체와의 전위차를 지나치게 크게 하면, 그 피절단체의 특성을 변화시킬 우려가 있고, 반대로 전위차를 지나치게 작게 하면, 충분히 다이싱 표면 보호용 테이프를 박리 제거할 수 없을 가능성이 있기 때문에, 그 전위차를 충분히 검토할 필요가 있다. 이 때문에, 상기한 대전시킨 롤러 등의 전위를 고려하면서, 피절단체를 미리 대전시켜 둘 수도 있다.
또한, 정전기를 이용한 청정화는, 제거해야 할 대상물이 작아도 제거 효과를 발휘하기 때문에, 개개의 피절단체 사이에 존재하는 미분을 제거하기 위해서, 상기한 기압을 이용한 박리 제거 공정에 이어 행해도 된다.
또한 이들 다이싱 표면 보호용 테이프의 박리 제거 수단과 함께, 초음파 진동자 등을 이용하여 피절단체를 진동시킴으로써, 부착되어 있는 다이싱 표면 보호용 테이프나 미분에 진동을 전달하여, 다이싱 표면 보호용 테이프와 피절단체 사이에 간극을 형성하는 등 하여, 또는 표면 보호용 테이프와 피절단물 사이의 접착을 박리하면서 기체를 분무함으로써, 그 간극을 넓히도록 하여 그 다이싱 표면 보호용 테이프를 박리 제거하는 것도 가능하다.
단, 초음파 진동자를 피절단체에 접촉시켜 진동시키면, 그 진동에 의해 피절단체가 파괴될 우려가 있기 때문에, 진동의 출력과 피절단체와의 접촉 방법을 고려하는 것 등이 요구된다. 또한, 피절단체의 1점에 초음파 진동자를 접촉시켜도 그 접촉점으로부터 피절단체가 파괴될 가능성이 있기 때문에, 초음파 진동자와 피절단체 사이에 다이싱 시트 등에 더하여 진동을 확산하는 기능을 구비한 다른 층을 형성해 두는 것이, 피절단체 전체에 걸쳐 균일한 진동을 부여하는 점에서 바람직하다.
더 바람직하게는 다이싱 표면 보호 테이프로서, 적어도 1축 방향으로 수축성을 갖는 수축성 필름층과, 그 수축성 필름층의 수축을 구속하는 구속층이 적층되고, 수축 원인이 되는 자극의 부여에 의해, 1 단부로부터 1 방향으로 또는 대향하는 2 단부로부터 중심을 향하여 자발적으로 권취되어 1개 또는 2개의 통 형상 권취체를 형성하면서 박리되는 다이싱 표면 보호 테이프의 사용과, 본 발명에서의 그 복합체를 반전시키기까지의 임의의 각도로 기울이는 공정을 조합하여 사용하는 것이 바람직하다. 그리고 이 다이싱 표면 보호 테이프는 이하의 성질이나 형상 등을 구비한 것이다.
상기 통 형상 권취체란, 테이프의 양단이 포개져 완전히 통 형상으로 권취된 것에 한정되지 않고, 테이프의 양단이 포개지지 않고 떨어진 상태로, 통의 측면의 일부가 개방된 형상의 것도 포함하며, 바람직하게는 테이프의 양단이 포개져 완전히 통 형상으로 권취되어 있는 상태의 것이다.
통 형상 권취체를 형성하면서 박리되는 다이싱 표면 보호 테이프는, 권취 후에 호(弧)를 그리고 있고, 피절단체 표면과 예컨대 1개의 라인에서 접하는 상태에 있다. 또, 본 명세서에서, 「자발적으로 권취」란, 테이프에 수축 원인이 되는 자극을 부여한 것만으로, 손 등을 사용하지 않아도, 테이프가 피착체로부터 자연스럽게 박리되어, 예컨대 박리 계기가 얻어지는 것을 의미한다.
그 통 형상 권취체를 형성하면서 박리되는 다이싱 표면 보호 테이프에서는, 바람직하게는 가열에 의해, 1 단부로부터 1 방향으로 또는 대향하는 2 단부로부터 중심을 향하여 자발적으로 권취되어 1개 또는 2개의 통 형상 권취체를 형성하면서, 피절단체로부터 박리된다.
자발적으로 박리되는 온도는, 예컨대 상한 온도는 피절단체가 영향을 받지 않고 권취되는 온도이면, 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 50℃ 이상, 바람직하게는 50℃∼180℃, 더 바람직하게는 70℃∼180℃로 할 수 있다.
통 형상 권취체를 형성하면서 박리되는 다이싱 표면 보호 테이프에서는, 바람직하게는 상기 구속층이, 수축성 필름층측의 탄성층과 수축성 필름층과는 반대측의 강성 필름층으로 구성되어 있다. 또한, 본 발명의 표면 보호 테이프는, 바람직하게는 점착제층을 더 가지며, 상기 점착제층은, 바람직하게는 활성 에너지선(예컨대 UV) 경화성 점착제를 포함한다.
통 형상 권취체를 형성하면서 박리되는 다이싱 표면 보호 테이프로서는, 수축성 필름층/구속층의 적층체가 이용되고, 바람직하게는 수축성 필름층/탄성층/강성 필름층/점착제층의 적층체를 이용할 수 있다(이하, 이들 적층체를 자발 권취성 테이프라고 하는 경우가 있음). 이 구성에 의해, 수축 응력이 우력(偶力)으로 변환되어, 확실하게 테이프는 수축 원인이 되는 자극의 부여 후 통 형상 권취체로 변형하기 때문에, 이후의 박리 공정에서의 테이프 제거가 매우 간편해진다. 또 테이프를 구성하는 재료 등 상세한 것은, 일본 특허 제4151850호에 준한 것이면 된다. 구체적으로는, 테이프는 수축성 필름층/탄성층/강성 필름층/점착제층으로 이루어지는 적층체(자발 권취성 테이프)가 바람직하다.
본 발명의 방법으로서, 바람직하게는 통 형상 권취체를 형성하면서 박리되는 다이싱 표면 보호 테이프의 박리 제거 방법이, 피절단체의 표면에 접착된 적어도 1축 방향으로 수축성을 갖는 수축성 필름층과, 그 수축성 필름층의 수축을 구속하는 구속층이 적층된 다이싱 표면 보호 테이프를 접착하는 공정과, 상기 다이싱 표면 보호 테이프가 접착된 상태에서, 상기 피절단체를 절단하는 공정과, 절단된 피절단체 표면에 접착된 상기 다이싱 표면 보호 테이프에 수축 원인이 되는 자극을 부여하여, 1 단부로부터 1 방향으로 또는 대향하는 2 단부로부터 중심을 향하여 자발적으로 권취하여 1개 또는 2개의 통 형상 권취체를 형성시키는 공정과, 그 복합체를 반전시키기까지의 임의의 각도로 기울이는 공정과, 절단된 개개의 피절단체 표면에 접착된 상기 다이싱 표면 보호 테이프를 박리 제거하는 공정을 포함하고, 그 상기 복합체를 반전시키기까지의 임의의 각도로 기울이는 공정은 상기한 피절단체를 절단하는 공정 전으로부터, 1 단부로부터 1 방향으로 또는 대향하는 2 단부로부터 중심을 향하여 자발적으로 권취하여 1개 또는 2개의 통 형상 권취체를 형성시키는 공정 후 중 어느 한 단계에 마련하여 이루어지는 것이다.
더 바람직하게는 다이싱 후, 종래(보호 테이프가 없는 경우)에는 다이싱된 피착체를 회수하는 공정(픽업)에 들어가지만, 본 발명의 표면 보호 테이프의 박리 제거 방법에서는, 다이싱 후에 피절단체와 다이싱 표면 보호 테이프를 반전시키기까지의 임의의 각도로 기울이거나, 또는 다이싱 표면 보호 테이프에 가열 등의 수축 원인이 되는 자극의 부여 중 어느 한쪽을 먼저 행하고, 그 후에 다른 쪽을 행한 후에, 본 테이프를 박리 제거하는 공정(박리 제거 공정)을 행한다.
통 형상 권취체를 형성하면서 박리되는 다이싱 표면 보호 테이프의 박리 제거 방법에서는, 바람직하게는 상기 수축 원인이 되는 자극은 가열이다. 또한, 바람직하게는 상기 가열 전 또는 가열과 동시에, 활성 에너지선의 조사를 행하는 공정을 더 갖는다.
이러한 박리 제거 공정은, a. (점착제층이 UV 경화성 점착제인 경우에는) UV 조사를 행하는 공정; b. 수축 원인이 되는 자극의 부여를 행하여 테이프를 통 형상 권취체로 변형하는 공정; 및 c. 변형된 테이프를 피착체로부터 제거하는 공정을 포함하고, 가장 바람직하게는 a, b, c의 순서로 진행시킨다. 이들 공정은, 동시에 행해도 된다.
a의 방법으로서는 종래부터 알려진 방법이면 되고, 고압 수은등, 크세논 램프, 자외선 LED 등을 광원으로 이용하여, UV 파장 영역의 광을 테이프에 대해서, 500 mJ/㎠∼1000 mJ/㎠ 정도 조사하면 된다.
b의 수축 원인이 되는 자극의 부여 방법으로서는, 바람직하게는 가열을 할 수 있고, 가열에는, 예컨대 핫 플레이트, 히트 건, 적외선 램프 등의 가열원을 이용하는 것이 가능하며, 본 테이프의 변형이 신속하게 발생하는 온도에 도달하도록, 적절한 방법을 선택하여 이용한다. 가열 온도는, 예컨대 상한 온도는 피절단체가 영향을 받지 않고 권취되는 온도이면, 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 50℃ 이상, 바람직하게는 50℃∼180℃, 더 바람직하게는 70℃∼180℃로 할 수 있다. 또 수축 원인이 되는 자극의 부여는 균일하게 부여하여, 모든 테이프를 한 번에 변형시키는 것 외에, 스폿적으로 행해도 되며, 예컨대 스폿 가열 장치 등을 이용하여 임의 위치에서 부분적으로 가열하여 변형시키는 방법이어도 된다.
c의 방법으로서는, 바람을 내뿜어 변형된 테이프를 불어 날려 버리는, 청소기로의 흡인, 정전기력에 의한 흡착 등이 고려된다. 또, 박리 테이프를 이용하는 경우에는, 박리 테이프가 피착체 표면에 접촉하지 않도록 접합 방법을 고안할 필요가 있다(후술하는 참고예 참조).
박리 공정은, 바람직하게는 테이프를 변형시키기 위한 가열 장치·방법(핫 플레이트, 히트 건 등)을 이용한 가열 공정과, 가열 후의 보호 테이프 제거 방법(불어 날려 버리거나, 흡인하거나, 박리 테이프를 접착하는 등)을 이용한 제거 공정을 포함한다. 바람직하게는 가열 공정에 있어서, 핫 플레이트, 히트 건, 또는 적외선 램프 중 어느 하나, 또는 이들의 조합을 이용하여 가열한다.
바람직하게는 제거 공정에 있어서, 표면 보호 테이프를 바람에 의한 불어 날려 버림, 또는 흡인에 의한 흡인 제거 중 어느 하나, 또는 이들의 조합에 의해 제거한다. 흡인 제거는, 바람직하게는 청소기 등을 이용하여 행한다. 또, 여기서, 바람에 의해 불어 날려 버릴 때에 그 바람을 가열된 바람으로 하면, 상기한 박리 공정과 제거 공정을 실질적으로 동시에 행하게 되어 효율적으로 제거할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서, 통 형상 권취체를 형성하면서 박리되는 다이싱 표면 보호 테이프를 사용한 예를 들어 도면을 참조하면서 설명하지만, 하기의 방법은 통 형상 권취체를 형성하는 다이싱 표면 보호용 테이프에 한정되는 것은 아니며, 박리나 처리 수단, 다이싱 표면 보호용 테이프를 구성하는 점착제층이나 수축 필름층에 사용하는 재료는, 본 발명의 방법에서의 각종 다이싱 표면 보호 테이프에 사용 가능하다.
도 1은 통 형상 권취체를 형성하면서 박리되는 다이싱 표면 보호 테이프(표면 보호 테이프)(1)를 이용한 박리 방법의 일례를 도시하는 개략도이다. 이하, 도 1을 따라 설명한다.
<다이싱용 시료의 작성>
도 1에 도시하는 바와 같이, 표면 보호 테이프(1)를, 웨이퍼 등의 피착체(7)에 접착하여, 적층체를 작성한다. 피착체(7)로서는, 반도체 웨이퍼, 유리, 세라믹, 반도체 밀봉용 등의 수지 등, 종래부터 다이싱 공정의 대상이 되고 있는 것 전반을 포함한다. 표면 보호 테이프(1)의, 웨이퍼 등의 피착체(7)에의 접착은, 특별히 한정되지 않고, 예컨대 핸드 롤러를 이용하여 접착할 수 있다.
피착체(7)로서는, 8인치 실리콘 미러 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼가 바람직하게 이용된다. 피착체로서 반도체 웨이퍼를 이용한 경우 등에는, 적층체 중의 피착체에 백그라인드 등의 처리를 행하여, 피착체를 소정의 두께로 해도 된다. 피착체가 반도체 실리콘 웨이퍼인 경우, 실리콘 웨이퍼의 두께는, 수십 ㎛∼수백 ㎛인 것을 사용할 수 있고, 특히 두께가 100 ㎛ 이하인 극박의 실리콘 웨이퍼도 사용할 수 있다.
다음으로, 표면 보호 테이프(1)와 피착체(7)와의 적층체의 피착체(7)측을, 다이싱 테이프(8)에 접착하여, 표면 보호 테이프(1), 피착체(7) 및 다이싱 테이프(8)의 적층체로 한다. 다이싱 테이프(8)로서는, 특별히 한정되지 않고, 공지된 다이싱 테이프를 사용할 수 있다. 이 적층체를, 다이싱용 시료(9)로 한다. 이 적층체를 또한 다이싱 링(19)에 접착해도 된다. 다이싱 링(19)은 사용하지 않아도 된다. 표면 보호 테이프(1), 피착체(7) 및 다이싱 테이프(8)의 적층체를, 다이싱 테이프(8)에 접착하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 예컨대 핸드 롤러를 이용하여 접착할 수 있다.
<다이싱>
계속해서, 다이싱용 시료(9)를 다이싱한다. 다이싱은, 공지된 다이싱 장치를 이용하여 행할 수 있고, 블레이드 다이싱이나, 레이저 다이싱 등으로 행할 수 있다. 다이싱은, 물을 뿌리면서 행해도 된다. 절삭수량은, 특별히 한정되지 않고, 예컨대 1 L/min으로 할 수 있다. 다이싱에 의해, 시료(9)는, 예컨대 5 ㎜×5 ㎜, 또는 10 ㎜×10 ㎜ 등의 칩 형상이 된다.
블레이드 다이싱의 경우, 다이싱 스피드나 블레이드 회전수는, 피착체(7)의 소재, 두께 등에 따라 임의로 설정할 수 있다. 피착체(7)가 실리콘 웨이퍼인 경우, 다이싱 스피드는, 예컨대 60 ㎜/sec∼100 ㎜/sec, 바람직하게는 70 ㎜/sec∼90 ㎜/sec로 할 수 있고, 블레이드 회전수는, 예컨대 30000 rpm∼50000 rpm, 바람직하게는 35000 rpm∼45000 rpm으로 할 수 있다. 블레이드 높이는, 공지된 범위에서, 적절하게 임의로 설정할 수 있다.
본 발명에서 사용하는 표면 보호 테이프(1)는, 피착체(7)에 접착한 경우, 피착체(7)와 일괄해서 절단된다. 표면 보호 테이프(1)는, 확실하게 피착체(7)에 접착할 수 있어, 다이싱 시의 보호 테이프의 날라감을 방지할 수 있는 것으로 한다.
그와 같은 표면 보호 테이프(1)와 피착체의 적층체는, 양호한 다이싱성을 나타내며, 웨이퍼 이지러짐, 깨짐이 발생하거나, 또는 표면 보호 테이프(1)/피착체(7)의 계면에 다이싱 시의 물이 침입하지 않고서, 표면 보호 테이프(1)와 피착체(7)가 적층된 칩을 얻을 수 있다.
<수축 원인이 되는 자극의 부여>
본 발명의 방법에서의 표면 보호 테이프(1)는, 열 등의 수축 원인이 되는 자극의 부여에 의해 권취되어 자발적으로 피착체(7)로부터 박리되는 것이 바람직하다. 도 1에서는, 수축 원인이 되는 자극에 대해서, 일례로서 가열을 행하지만 가열은 한정되지 않는다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 다이싱에 의해 얻어진 칩에 예컨대 가열 등의 수축 원인이 되는 자극을 부여하면, 표면 보호 테이프(1)는 변형해서 호를 그려, 권취체(1')가 된다. 권취체(1')와 피착체(7)의 접점은, 다른 종래예의 박리 라이너가 변형한 다른 임의의 형상과 비교해서 작으며, 바람직하게는 통 모양 형상을 나타내고 있다. 이 때문에, 권취체(1')와 피착체(7)의 접점은, 예컨대 1개의 라인만이 된다.
또, 표면 보호 테이프(1)의 박리를 위한 가열 시기는 임의이며, 특별히 한정되지 않으나, 피착체(7)의 보호의 관점에서, 가능한 한 늦은, 박리가 필요해지기 직전의 타이밍이 바람직하다.
이러한 표면 보호 테이프(1)를 예컨대 가열에 의해 자발 권취시킨 경우, 가열 온도, 테이프 구성 등에 대해서 소정의 조건을 선택함으로써, 확실하게, 재현성 좋게 발생하여, 피착체(7)로부터 확실하게 박리시킬 수 있다. 그 때문에, 표면 보호 테이프의 박리 누락이 없다.
표면 보호 테이프에의 가열 등의 수축 원인이 되는 자극의 부여는, 박리 작업을 행할 때의 필요에 따라, 피착체 전체면을 균일하게 자극해도 되고, 전체면을 단계적으로 자극, 나아가서는 박리 계기를 만들기 위해서만 부분적으로 자극해도 된다. 예컨대 점착 시트의 가열 온도 및 가열 시간은, 사용하는 열수축 기재의 수축성에 따라 적절하게 조절할 수 있고, 표면 보호 테이프가 자발적으로 박리되는 온도로 할 수 있다. 가열 시간은, 예컨대 5초∼600초간 정도, 바람직하게는 5초∼300초간 정도, 더 바람직하게는 5초∼180초간 정도이다.
가열 방법으로서는, 특별히 한정되지 않으나, 핫 플레이트, 히트 건, 적외선 램프 등의 가열원을 예시할 수 있다. 예컨대 핫 플레이트에 의한 가열에서는, 핫 플레이트 상의 모든 칩 상의 표면 보호 테이프가 동시에 자발 권취된다. 예컨대 히트 건에 의한 가열에서는, 국소적인 칩의 가열도 가능하기 때문에, 일부의 칩 상의 표면 보호 테이프만을 필요에 따라 자발 권취시킬 수 있다.
표면 보호 테이프(1)의 가열 온도는, 예컨대 상한 온도는 피절단체가 영향을 받지 않고 권취되는 온도이면, 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 50℃ 이상, 바람직하게는 50℃∼180℃, 더 바람직하게는 70℃∼180℃로 할 수 있다. 가열 온도가 50℃보다 낮으면, 표면 보호 테이프(1)에 대해서, 박리에 충분한 변형이 얻어지지 않거나, 또는 변형이 신속하게 발생하지 않는다. 또한, 가열 온도가 지나치게 높으면, 피착체(7)의 파손 등의 문제가 발생한다.
자발적으로 권취되어 형성되는 권취체(1')가 그리는 호의 직경(r)의 크기는, 예컨대 가열 온도, 열풍의 양 등의 가열 조건, 표면 보호 테이프(1)의 조성·구성 등에 의해 적절하게 조정할 수 있다. 즉, 권취체(1')의 권취 상태는, 바람직하게는 가열 조건, 표면 보호 테이프(1)의 구성 등의 조건에 의해 정해진다. 그 직경(r)이 작을수록, 권취 정도는 강해진다. 표면 보호 테이프(1)를 가열에 의해, 바람직하게는 통 형상 권취체로 변형시킨다.
권취체(1')는, 예컨대 수축 기재의 가열 수축 응력에 기인하여 형성되고, 수축 응력의 발현은 열적 불가역 과정(재가열해도 비수축 시의 상태로 되돌아가지 않음)이기 때문에, 일단 권취된 후에는, 가열을 계속해도 제멋대로는 되감기지 않고, 또한 가열 후의 수축 기재, 강직 기재의 높은 탄성에 의해, 응력에 의해서도 용이하게는 되감기지 않고, 일정 형상을 유지한다. 이 때문에, 용이하게 찌부러지거나, 펴지지 않는다.
예컨대 도 4, 도 8 등의 적층체이면, 80℃에서 30초 정도 가열한 권취체를 되감기 위해서는, 예컨대 1.3 N/10 ㎜ 이상의 응력이 필요하다고 어림되고, 또한 10 ㎜ 폭의 권취체(1')의 직경을 1/3 정도로 압축하기 위해서는, 예컨대 250 g∼300 g 무게의 하중이 필요하며, 하중이 없어지면 권취체의 직경은 초기 상태로 거의 되돌아간다. 또한, 상술한 바와 같이, 권취체(1')의 권취 상태는 조건의 설정에 의해 정할 수 있다. 그 조건에 의해, 개개의 칩은 실질적으로 일정한 동일 형상을 나타낸다.
또, 표면 보호 테이프(1)는, UV 경화성 점착제를 포함해도 된다. 이 경우, 표면 보호 테이프(1)의 자발 권취용 가열 등의 수축 원인이 되는 자극의 부여 전에, UV를 조사할 수 있다. UV 조사는, 그 자극의 부여와 동시여도 된다.
그리고, 도 1에 도시하는 바와 같이, 표면 보호 테이프를 부착시킨 피절단체를 임의의 단계에 있어서, 반전하기까지의 임의의 각도로 기울이는 것이 필요하다. 그 임의의 단계는 언제라도 좋으나, 예컨대 다이싱 공정 전, 다이싱 후 표면 보호 테이프에 자극을 부여하기 전 사이, 또한 표면 보호 테이프를 박리 제거하는 공정 사이에 기울임으로써, 박리 제거 공정에 있어서 다이싱 테이프나 다이싱 링에 절단된 표면 보호 테이프가 부착되는 일이 없다. 또한, 기울이는 공정을 2회 이상 행하는 것도 가능하다.
도 1에서는 표면 보호 테이프를 부착시킨 피절단체를 90°기울여 수직으로 세운 상태나 180°기울여 반전시킨 상태에서 절단된 표면 보호 테이프를 제거하는 것이 도시되어 있다.
<제거>
도 1 및 도 2에 기재한 바와 같이, 표면 보호 테이프(1)를 변형시킨 권취체(1')를 피착체(7)로부터 제거하는 방법으로서는, 예컨대 이하의 방법이 있다.
(ⅰ) 불어 날려 버리는 방법.
(ⅱ) 흡인에 의해 제거하는 방법.
(ⅲ) 수지구 등을 이용하여 불어 날려 버려 흡인하는 방법.
(ⅳ) 정전기에 의한 흡착으로 박리하는 방법.
제거는, 모든 칩 상의 표면 보호 테이프를 권취체(1')로 변형시키고 나서 행해도 되고, 또한 칩의 일부에 대해서 그 위의 표면 보호 테이프가 권취체(1')로 변형된 것에 대해서, 순차적으로 행해도 되지만, 제거 공정 전까지는, 표면 보호 테이프를 접착한 피절단체를 반전시키기까지의 임의의 각도로 기울이는 공정을 거쳐 기울여 두는 것이, 더 바람직하게는 반전시켜 두는 것이, 표면 보호 테이프가 다이싱 테이프 등에 부착되는 일이 없기 때문에 바람직하다.
(ⅰ)의 불어 날려 버리는 방법에서는, 도 1에 도시하는 바와 같이 풍력 발생 매체를 이용해서 블로우하여, 권취체(1')를 불어 날려 버림으로써, 피착체(7) 상에 형성된 권취체(1')를 제거할 수 있다. 본 발명의 표면 보호 테이프(1)는, 다이싱 후의 개편화된 상태에서의 가열 등의 수축 원인이 되는 자극의 부여에 의해 확실하게 변형하여, 실질적으로 동일 형상의 권취체(1')가 되고, 모든 칩에 있어서, 바람직하게는 피착체(7)와 1개의 라인에서만 접한다. 이 때문에, 비교적 약한 풍력으로 용이하게 제거될 수 있다.
풍력 발생 매체로서는, 블로워, 드라이어, 선풍기 등의 주지의 장치를 이용할 수 있다. 그 불어 날려 버리는 방법에 의한 제거는, 표면 보호 테이프(1)를 미리 가열 등 하여 권취체(1')를 형성한 후에, 예컨대 상온의 에어로 행해도 되고, 온풍 또는 열풍으로 행해도 된다.
또한, 그 불어 날려 버리는 방법에 의한 제거는, 표면 보호 테이프(1)를 가열 등에 의해 권취체로 형성하면서 행해도 된다. 이 경우, 열풍을 이용할 수 있다. 열풍의 온도는, 예컨대 표면 보호 테이프(1)의 표면 온도가 80℃∼100℃가 되도록 정할 수 있다.
블로우는, 피착체(7)에 대하여, 예컨대 10도∼50도의 각도로 행할 수 있다. 블로우 시간은, 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 1분∼5분, 바람직하게는 2분∼4분으로 할 수 있다.
또한, (ⅰ)의 불어 날려 버리는 방법에 의한 표면 보호 테이프(1)의 제거는, 핫 플레이트 등의 가열 매체에 의해, 피착체(7)와 권취체(1')를 보조적으로 가열하면서 행해도 된다. 이 경우, 가열 매체에 의한 보조적 가열 온도는, 예컨대 50℃∼70℃로 할 수 있다.
(ⅱ)의 흡인에 의해 제거하는 방법에서는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 흡인 매체를 이용해서 흡인하여, 권취체(1')를 흡인함으로써, 피착체(7) 상에 형성된 권취체(1')를 제거한다. 본 발명의 표면 보호 테이프(1)는, 다이싱 후의 개편화된 상태에서 가열 등의 수축 원인이 되는 자극의 부여에 의해 확실하게 변형하여, 실질적으로 동일 형상의 권취체(1')가 되고, 모든 칩에 있어서, 바람직하게는 피착체(7)와 1개의 라인에서만 접한다. 이 때문에, 비교적 약한 힘으로 용이하게 제거될 수 있다.
흡인 매체로서는, 청소기 등의 주지의 흡인 장치를 이용할 수 있고, 흡인 노즐 끝에서 공기가 와류를 발생하는 노즐의 형상으로 해도 된다. 그 흡인에 의해 흡인 제거하는 방법에 의한 제거는, 표면 보호 테이프(1)에 미리 가열 등의 수축 원인이 되는 자극을 부여하여 권취체(1')를 형성한 후에 행해도 되고, 또한 표면 보호 테이프(1)를 가열 등 하여 권취체로 형성하면서 동시에 행해도 된다.
또한, (ⅱ)의 흡인에 의해 흡인 제거하는 방법에 의한 표면 보호 테이프(1)의 제거는, 핫 플레이트 등의 가열 매체에 의해, 피착체(7)와 권취체(1')를 예비 가열하여 행해도 된다. 이 경우, 가열 매체에 의한 예비 가열 온도는, 예컨대 50℃∼70℃로 할 수 있다.
상기한 (ⅰ)의 불어 날려 버리는 방법과 (ⅱ)의 흡인에 의한 방법을 병용하는 것도 도 2에 도시하지만, 불어 날아가 버린 권취된 표면 보호 테이프가 비산하지 않고 다이싱 시트 등에 부착될 가능성을 저감시키는 점에서 흡인을 동시에 행하는 것이 더 바람직하다.
이 병용 시에는, 불어 날려 버리기 위한 노즐과 흡인을 위한 노즐을 표면 보호 테이프 근처에 위치시키는 것, 또는 도 2에 도시하는 바와 같이 하나의 노즐에 기체를 분사하는 분사구와 흡인구를 인접해서 설치하는 것이 필요하고, 또한 특히 불어 날아가 버린 표면 보호 테이프를 확실하게 흡인하기 위해서는, 흡인하기 위한 노즐 또는 흡인구를 크게 하여, 분사된 기체가 확산되는 범위를 커버하도록 하는 것이 필요하다.
이러한 (ⅰ)의 불어 날려 버리는 방법과 (ⅱ)의 흡인에 의한 방법을 병용하면서, 도 1에 도시하는 바와 같이, (ⅲ)의 수지구 등의 담체를 병용하여 분무하면, 그 담체의 운동 에너지도 더해져 더 확실하게 표면 보호 테이프를 제거할 수 있다. 이 때에 사용하는 수지구로서는 스펀지 형상의 다공질의 것이 피절단체에 상처를 입히는 일이 없기 때문에 바람직하고, 그 크기는 자극이 부여되어 피절단체로부터 일부가 박리된 상태의 표면 보호 테이프의 그 피절단체와의 간극에 들어가는 미세한 입자여도 되며, 또한 절단된 피절단체의 1 조각의 크기와 동일한 크기를 직경으로 하는 크기여도 된다. 이러한 담체의 병용과는 독립적으로 초음파 진동자에 의한 진동도 병용할 수 있다.
또한 상기한 (ⅳ)의 정전기를 이용하는 방법으로서는, 자극을 부여하여 제거 가능해진 표면 보호 시트에 회전하는 정전기를 대전시킨 롤러 등을 접근시키면서 이동시킨다. 대전한 롤러가 회전하고 있기 때문에, 그 표면 보호 시트에 접근하여 대향하는 그 롤러의 면에는 제거된 표면 보호 시트가 부착되어 있지 않고, 정전기력에 의해 표면 보호 시트의 제거가 진전된다. 이 정전기에 의한 방법은 절단된 표면 보호 시트가 주위로 비산하지 않고 회수가 가능하기 때문에, 절단된 다이싱 표면 보호 시트가 다이싱 시트 등에 부착되지 않아 그 후의 공정을 원활하게 진행시킬 수 있다.
[표면 보호 테이프]
도 3에, 본 발명의 방법에 있어서 바람직하게 사용할 수 있는 표면 보호 테이프의 일례인 적층체(10)의 개략 단면도를 도시한다. 표면 보호 테이프(1)는, 예컨대 도 3에 도시하는 바와 같이, 수축성 필름층(2)과 구속층(3)의 적층체(10)로 할 수 있다. 수축성 필름층(2)은, 바람직하게는 1축 수축성을 갖는다. 구속층(3)은, 수축성 필름층(2)의 수축을 구속하는 층으로서 기능한다.
또한, 도 4는 본 발명의 표면 보호 테이프의 일례의 적층체(11)를 도시하는 개략 단면도이다. 도 5는 본 발명의 표면 보호 테이프의 일례의 적층체(12)를 도시하는 개략 단면도이다. 도 4에 도시되는 적층체(11)는, 1축 수축성을 갖는 수축성 필름층(2)과, 그 수축성 필름층(2)의 수축을 구속하는 구속층(3)의 적층체이다.
수축성 필름층(2)으로서는, 적어도 1축 방향으로 수축성을 갖는 필름층이면 되고, 열수축성 필름, 광에 의해 수축성을 나타내는 필름, 전기적 자극에 의해 수축하는 필름 등의 어느 것으로 구성되어 있어도 된다. 그 중에서도, 작업 효율 등의 관점에서, 열수축성 필름으로 구성되어 있는 것이 바람직하다.
구속층(3)은, 수축성 필름층(2)측의 탄성층(31)과 수축성 필름층(2)과는 반대측의 강성 필름층(32)으로 구성되어 있다. 또한, 도 5에 도시되는 적층체(12)에서는, 도 4에 도시되는 적층체(11)의 강성 필름층(32)측에 점착제층(4)이 적층되어 있다. 이 경우, 도 4의 적층체(11)는, 도 5의 적층체(12)의 지지 기재로서 기능한다.
또한, 도 6에, 본 발명의 표면 보호 테이프의 일례의 적층체(13)의 개략 단면도를 도시한다. 적층체(13)에서는, 도 5에 도시되는 적층체(12)의 점착제층(4)의 강성 필름층의 반대측에, 박리 라이너(5)가 적층되어 있다.
도 7은 본 발명의 표면 보호 테이프의 일례의 적층체(14)를 도시하는 개략 단면도이다. 적층체(14)는, 수축성 필름층(2), 구속층(3)으로서의 탄성층(31) 및 강성 필름층(32), 중간층(6), 점착제층(4)이 이 순서로 적층된 적층체이며, 가열 등의 수축 원인이 되는 자극의 부여에 의해, 1 단부로부터 1 방향으로 또는 대향하는 2 단부로부터 중심을 향하여 자발적으로 권취되어 1개 또는 2개의 통 형상 권취체를 형성할 수 있다. 적층체(14)는, 도 7에 도시되는 바와 같이, 수축성 필름층(2)과, 그 수축성 필름층(2)의 수축을 구속하는 구속층(3)으로서의 탄성층(31) 및 강성 필름층(32)과, 중간층(6)과 점착제층(4)이 순서대로 적층되어 이루어진다.
중간층(6)은, 상기 강성 필름층(32)과 점착제층(4) 사이에 위치하며, 수축성 필름층/탄성층/강성 필름층으로 이루어지는 복합 기재의 인장 응력을 완화하여, 웨이퍼를 매우 얇게 연삭할 때에 발생하는 웨이퍼의 휘어짐을 억제하는 기능을 갖는다. 중간층(6)은, 상기 강성 필름층과 비교해서 저탄성을 나타내는 것을 특징으로 하고 있다.
도 8은 본 발명의 표면 보호 테이프의 일례의 적층체(15)를 도시하는 개략 단면도이다. 도 8에 도시되는 적층체(15)는, 수축성 필름층(2)과 활성 에너지선 경화형 점착제층(33)이 적층되고, 그 활성 에너지선 경화형 점착제층(33)의 수축성 필름층(2)과 반대측의 면에 박리 라이너(5)가 접착된 구성을 갖는다.
적층체(15)는, 바람직하게는 적어도 1축 방향으로 수축성을 갖는 수축성 필름층과, 활성 에너지선을 조사함으로써 경화하여, 80℃에서의 인장 탄성률과 두께의 곱이 5×103 N/m 이상 1×105 N/m 미만이 되는 활성 에너지선 경화형 점착제층이 적층된 구성을 가지며, 열을 가함으로써, 1 단부로부터 1 방향으로 또는 대향하는 2 단부로부터 중심을 향하여 자발적으로 권취되어 1개 또는 2개의 통 형상 권취체를 형성할 수 있다. 또한, 상기 수축성 필름층과 활성 에너지선 경화형 점착제층 사이에는, 자발 권취성을 손상시키지 않는 범위에서 다른 층을 갖고 있어도 되지만, 80℃에서의 인장 탄성률과 두께의 곱이 4×105 N/m 이상(특히 1×105 N/m 이상)인 층을 갖지 않는 것이 바람직하다.
[수축성 필름층]
수축성 필름층(2)으로서는, 열을 가함으로써, 적어도 1축 방향으로 수축성을 갖는 필름층이면 된다. 수축성 필름층은, 1축 방향으로만 수축성을 갖고 있어도 되고, 어떤 방향(1축 방향)으로 주된 수축성을 갖고, 그 방향과는 다른 방향(예컨대 그 방향에 대하여 직교하는 방향)으로 부차적인 수축성을 갖고 있어도 된다. 수축성 필름층(2)은 단층이어도 되고, 2 이상의 층으로 이루어지는 복층이어도 된다.
수축성 필름층(2)의 주 수축 방향의 수축률은, 70℃∼180℃의 범위의 소정 온도(예컨대 80℃ 등)에 있어서, 예컨대 5%∼90%, 바람직하게는 30%∼90%, 특히 바람직하게는 50%∼90%이다. 수축성 필름층을 구성하는 수축성 필름층의 주 수축 방향 이외의 방향의 수축률은, 바람직하게는 10% 이하, 더 바람직하게는 5% 이하, 특히 바람직하게는 3% 이하이다. 수축성 필름층의 열수축성은, 예컨대 압출기에 의해 압출된 필름에 연신 처리를 실시함으로써 부여할 수 있다.
또, 본 명세서 중, 수축률(%)은, [(수축 전의 치수 - 수축 후의 치수)/(수축 전의 치수)]×100의 식으로부터 산출되는 값을 의미하고 있으며, 특별히 언급하지 않는 한, 주 수축 축 방향의 수축률을 나타낸다.
상기 수축성 필름층(2)으로서는, 예컨대 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리에틸렌이나 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀, 폴리노르보르넨, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리우레탄, 폴리스티렌, 폴리염화비닐리덴, 폴리염화비닐 등에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 수지로 이루어지는 1축 연신 필름을 들 수 있다. 그 중에서도, 점착제의 도공 작업성 등이 우수한 점에서, 폴리에스테르계 수지, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리노르보르넨 등의 폴리올레핀계 수지 (환상 폴리올레핀계 수지를 포함함), 폴리우레탄계 수지로 이루어지는 1축 연신 필름이 바람직하다. 이러한 수축성 필름층으로서, 도요보사 제조의 「스페이스클린」, 군제사 제조의 「팬시랩」, 도레이사 제조의 「토레판」, 도레이사 제조의 「루미러」, JSR사 제조의 「아톤」, 니혼 제온사 제조의 「제오노아」, 아사히 가세이사 제조의 「선테크」 등의 시판품의 이용이 가능하다.
또, 적층체(15)에 있어서, 활성 에너지선 경화형 점착제층(33)을 경화시킬 때에, 활성 에너지선 조사를 수축성 필름층(2)을 통해 행할 때에는, 수축성 필름층(2)은 소정량 이상의 활성 에너지선을 투과시킬 수 있는 재료(예컨대 투명성을 갖는 수지 등)로 구성할 필요가 있다.
수축성 필름층(2)의 두께는, 일반적으로는 5 ㎛∼300 ㎛, 바람직하게는 10 ㎛∼100 ㎛이다. 수축성 필름층(2)의 두께가 지나치게 크면, 강성이 높아져 자발 권취가 발생하지 않고, 수축성 필름층과 활성 에너지선 조사 후의 활성 에너지선 경화형 점착제층(33) 사이에서 분리되어, 적층체 파괴로 이어지기 쉽다. 또한 강성이 큰 필름은, 테이프 접합 시의 응력이 잔존하여, 탄성 변형력이 크고, 웨이퍼를 얇게 했을 때에 휘어짐이 커져, 반송 등에 의해 피착체가 파손되기 쉬워지는 경향이 있다.
수축성 필름층(2)의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 유지성 등을 높이기 위해서, 관용의 표면 처리, 예컨대 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 초벌칠제(예컨대 점착 물질 등)에 의한 코팅 처리 등이 실시되어 있어도 된다.
[구속층]
구속층(3)은 수축성 필름층(2)의 수축을 구속하여, 반작용력을 만들어 냄으로써, 적층체 전체로서 우력을 만들어 내어, 권취를 일으키는 구동력이 된다. 또한, 이 구속층(3)에 의해, 수축성 필름층(2)의 주 수축 방향과는 다른 방향의 부차적 수축이 억제되어, 1축 수축성이라고는 해도 반드시 똑같다고는 말할 수 없는 수축성 필름층(2)의 수축 방향이 한 방향으로 수렴되는 기능도 있다고 생각된다. 이 때문에, 적층 시트에 수축성 필름층(2)의 수축을 촉진시키는 열을 가하면, 구속층(3)에서의 수축성 필름층(2)의 수축력에 대한 반발력이 구동력이 되어, 적층 시트의 외연부(外緣部)(1 단부 또는 대향하는 2 단부)가 들떠, 수축성 필름층(2)측을 안으로 하여, 단부로부터 1 방향 또는 중심 방향(통상, 수축성 필름층의 주 수축 축 방향)으로 자발적으로 권취되어 통 형상 권취체가 형성되는 것이라고 생각된다. 또한, 이 구속층(3)에 의해, 수축성 필름층(2)의 수축 변형에 의해 발생하는 전단력이 점착제층(4)이나 피착체에 전달되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 재박리 시의 점착력이 저하된 점착제층(예컨대 경화한 점착제층)의 파손이나, 피착체의 파손, 상기 파손된 점착제층에 의한 피착체의 오염 등을 방지할 수 있다.
구속층(3)은 수축성 필름층(2)의 수축을 구속하는 기능을 발현하기 위해서, 탄성 및 수축성 필름층(2)에 대한 접착성(점착성을 포함함)을 갖고 있다. 또한, 구속층(3)은 통 형상 권취체를 원활하게 형성시키기 위해서, 어느 정도의 인성 또는 강성을 구비하고 있는 것이 바람직하다. 구속층(3)은 단층으로 구성되어 있어도 되고, 또한 기능을 복수의 층에 분담시킨 복층으로 구성되어 있어도 된다. 구속층(3)은, 바람직하게는 탄성층(31)과 강성 필름층(32)으로 구성된다.
[탄성층]
탄성층(31)은, 수축성 필름층(2)의 수축 시의 온도하[표면 보호 테이프(1)로서의 적층체(12) 및 적층체(13)에 있어서, 적층체(11)를 표면 보호 테이프의 지지 기재로서 이용하는 경우에는, 적층체(12) 및 적층체(13)의 박리 시의 온도하]에서 변형되기 쉬운 것, 즉 고무 상태인 것이 바람직하다. 단, 유동성이 있는 재료이면, 충분한 반작용력이 발생하지 않고, 최종적으로는 수축성 필름층 단독으로 수축해 버려, 변형(자발 권취)을 일으킬 수 없다. 따라서, 탄성층(31)은 3차원 가교 등에 의해 유동성을 억제한 것이 바람직하다. 또한, 탄성층(31)은, 그 두께에 의해서도, 수축성 필름층(2)의 똑같지 않은 수축력 중 약한 힘의 성분에 저항하여, 그 약한 힘의 성분에 의한 수축 변형을 방지함으로써, 똑같은 수축 방향으로 변환하는 작용을 갖는다. 웨이퍼 연삭 후에 의해 발생하는 휘어짐은, 웨이퍼에 점착 시트를 접합시킬 때의 응력이 잔존하고, 이 잔존 응력에 의해 수축성 필름층이 탄성 변형함으로써 발생한다고 생각되지만, 탄성층은 이 잔존 응력을 완화하여 휘어짐을 저하시키는 기능도 있다.
따라서, 탄성층(31)은 점착성을 가지며, 유리 전이 온도가 예컨대 50℃ 이하, 바람직하게는 실온(25℃) 이하, 보다 바람직하게는 0℃ 이하인 수지로 형성하는 것이 바람직하다. 탄성층(31)의 수축성 필름층(2)측의 표면의 점착력은, 180°필 박리 시험(JIS Z 0237에 준거, 인장 속도 300 ㎜/분, 50℃)의 값으로, 바람직하게는 0.5 N/10 ㎜ 이상의 범위이다. 이 점착력이 지나치게 낮으면, 수축성 필름층(2)과 탄성층(31) 사이에서 박리가 발생하기 쉬워진다.
또한, 탄성층(31)의 전단 탄성률(G)은 실온(25℃)으로부터 박리 시 온도(예컨대 80℃)에 있어서, 1×104 ㎩∼5×106 ㎩(특히 0.05×106 ㎩∼3×106 ㎩)가 바람직하다. 전단 탄성률이 지나치게 작으면 수축성 필름층의 수축 응력을 권취에 필요한 응력으로 변환하는 작용이 부족해지고, 반대로 지나치게 크면, 강성을 강화하기 위해서 권취성이 부족해지는 것 외에, 일반적으로 탄성이 높은 것은 점착성이 부족하여 적층체의 제작이 곤란해지기 쉬운 것이나, 잔존 응력을 완화하는 기능도 부족해지기 때문이다. 탄성층(31)의 두께로서는, 바람직하게는 15 ㎛∼150 ㎛ 정도이다. 상기 두께가 지나치게 얇으면, 수축성 필름층(2)의 수축에 대한 구속성이 얻어지기 어렵고, 응력 완화의 효과도 작아진다. 반대로 지나치게 두꺼우면 자발 권취성이 저하되고, 또한 취급성, 경제성이 뒤떨어져 바람직하지 않다. 따라서 탄성층(31)의 전단 탄성률(G)(예컨대 80℃에서의 값)과 두께의 곱[전단 탄성률(G)×두께]은, 바람직하게는 1 N/m∼1000 N/m(보다 바람직하게는 1 N/m∼150 N/m, 더 바람직하게는 1.2 N/m∼100 N/m)이다.
또한, 탄성층(31)으로서는, 점착제층(4)이 활성 에너지선 경화형 점착제층인 경우에는 활성 에너지선을 투과시키기 쉬운 재료로 형성되고, 제조상이나 작업성 등의 관점에서 두께를 적절하게 선택할 수 있고 필름 형상으로 하기 쉬운 성형 가공성이 우수한 것이 바람직하다.
탄성층(31)으로서, 예컨대 표면[적어도 수축성 필름층(2)측의 표면]에 점착 처리가 실시된 우레탄폼이나 아크릴폼 등의 폼 재료(발포 필름)나, 고무, 열가소성 엘라스토머 등을 소재로 하는 비발포 수지 필름 등의 수지 필름(시트를 포함함) 등을 사용할 수 있다. 점착 처리에 이용하는 점착제로서는, 특별히 제한은 없고, 예컨대 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 비닐알킬에테르계 점착제, 실리콘계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 폴리아미드계 점착제, 우레탄계 점착제, 스티렌-디엔 블록 공중합체계 점착제 등의 공지된 점착제를 1종 또는 2종 이상 조합하여 이용할 수 있다. 특히 점착력의 조정 등의 점에서, 아크릴계 점착제가 바람직하게 이용된다. 또, 점착 처리에 이용하는 점착제의 수지와, 발포 필름이나 비발포 수지 필름의 수지는, 높은 친화성을 얻기 위해서 동종의 수지가 바람직하다. 예컨대 점착 처리에 아크릴계 점착제를 이용하는 경우에는, 폼 재료로서 아크릴폼 등이 적합하다.
또한, 탄성층(31)으로서, 예컨대 가교형 에스테르계 점착제, 가교형 아크릴계 점착제 등의 그 자체가 접착성을 갖는 수지 조성물로 형성해도 된다. 이러한, 가교형 에스테르계 점착제, 가교형 아크릴계 점착제 등에 의해 형성된 층(점착제층)은, 별도의 점착 처리를 실시할 필요가 없어 비교적 간편한 방법으로 제조 가능하고, 생산성, 경제성이 우수하기 때문에 바람직하게 이용된다.
상기 가교형 에스테르계 점착제는, 에스테르계 중합체를 베이스 폴리머로 하는 에스테르계 점착제에 가교제가 첨가된 구성을 갖고 있다. 에스테르계 중합체로서는, 예컨대 디올과 디카르복실산의 축합 중합물로 이루어지는 폴리에스테르 등을 들 수 있다.
디올의 예로서는, 예컨대 (폴리)카보네이트디올을 들 수 있다. (폴리)카보네이트디올로서는, 예컨대 (폴리)헥사메틸렌카보네이트디올, (폴리) 3-메틸(펜타메틸렌)카보네이트디올, (폴리)트리메틸렌카보네이트디올이나, 이들의 공중합물 등을 들 수 있다. 디올 성분 또는 (폴리)카보네이트디올은 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 또, (폴리)카보네이트디올이, 폴리카보네이트디올인 경우, 그 중합도는 특별히 제한되지 않는다.
(폴리)카보네이트디올의 시판품으로서는, 예컨대 상품명 「PLACCEL CD208PL」, 상품명 「PLACCEL CD210PL」, 상품명 「PLACCEL CD220PL」, 상품명 「PLACCEL CD208」, 상품명 「PLACCEL CD210」, 상품명 「PLACCEL CD220」, 상품명 「PLACCEL CD208HL」, 상품명 「PLACCEL CD210HL」, 상품명 「PLACCEL CD220HL」[이상, 다이셀 가가쿠 고교(주) 제조] 등을 들 수 있다.
디올 성분으로서는, (폴리)카보네이트디올 외에, 필요에 따라, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 부탄디올, 헥산디올, 옥탄디올, 데칸디올, 옥타데칸디올 등의 성분을 병용해도 된다.
또한, 디카르복실산 성분으로서는, 탄소수 2∼20의 지방족 또는 지환족 탄화수소기를 분자 골격으로 하는 디카르복실산 또는 그의 반응성 유도체를 필수 성분으로서 포함하는 디카르복실산 성분을 적합하게 이용할 수 있다. 상기 탄소수 2∼20의 지방족 또는 지환족 탄화수소기를 분자 골격으로 하는 디카르복실산 또는 그의 반응성 유도체에 있어서, 탄화수소기는 직쇄형이어도 되고, 또한 분지쇄형이어도 된다. 이러한 디카르복실산 또는 그 반응성 유도체의 대표적인 예로서, 숙신산, 메틸숙신산, 아디프산, 피멜산, 아젤라산, 세바신산, 1,12-도데칸이산, 1,14-테트라데칸이산, 테트라히드로프탈산, 엔드메틸렌테트라히드로프탈산 및 이들의 산무수물이나 저급 알킬에스테르 등을 들 수 있다. 디카르복실산 성분은 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.
디올과 디카르복실산의 조합으로서는, 폴리카보네이트디올과 세바신산, 또는 아디프산, 피멜산, 수베린산, 아젤라산, 프탈산, 말레산 등을 바람직하게 사용할 수 있다.
또한, 상기 가교형 아크릴계 점착제는, 아크릴계 중합체를 베이스 폴리머로 하는 아크릴계 점착제에 가교제가 첨가된 구성을 갖고 있다. 아크릴계 중합체로서는, 예컨대 (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산부틸, (메트)아크릴산 2-에틸헥실, (메트)아크릴산옥틸 등의 (메트)아크릴산 C1-C20 알킬에스테르 등의 (메트)아크릴산알킬에스테르의 단독 또는 공중합체; 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르와, 다른 공중합성 모노머[예컨대 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 푸마르산, 무수 말레산 등의 카르복실기 또는 산 무수물 기 함유 모노머; (메트)아크릴산 2-히드록시에틸 등의 히드록실기 함유 모노머; (메트)아크릴산모르폴릴 등의 아미노기 함유 모노머; (메트)아크릴아미드 등의 아미드기 함유 모노머; (메트)아크릴로니트릴 등의 시아노기 함유 모노머; (메트)아크릴산이소보르닐 등의 지환식 탄화수소기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르 등]와의 공중합체 등을 들 수 있다.
아크릴계 중합체로서는, 특히 에틸아크릴레이트, 부틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산 C1-C12 알킬에스테르의 1종 또는 2종 이상과, 2-히드록시에틸아크릴레이트 등의 히드록실기 함유 모노머 및 아크릴산 등의 카르복실기 또는 산 무수물 기 함유 모노머에서 선택된 적어도 1종의 공중합성 모노머와의 공중합체, 또는 (메트)아크릴산 C1-C12 알킬에스테르의 1종 또는 2종 이상과, 지환식 탄화수소기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르와, 히드록실기 함유 모노머 및 카르복실기 또는 산 무수물 기 함유 모노머에서 선택된 적어도 1종의 공중합성 모노머와의 공중합체가 바람직하다.
아크릴계 중합체는, 예컨대 상기에 예시한 단량체 성분(및 중합 개시제)을 무용제로 광(자외선 등) 중합함으로써, 고점도의 액상 프리폴리머로서 조제된다. 다음으로, 이 프리폴리머에 가교제를 첨가함으로써 가교형 아크릴계 점착제 조성물을 얻을 수 있다. 또, 가교제는 프리폴리머 제조 시에 첨가해 두어도 된다. 또한, 상기에 예시한 단량체 성분을 중합하여 얻어진 아크릴계 중합체 또는 그 용액에 가교제와 용매(아크릴계 중합체의 용액을 이용하는 경우에는 반드시 필요한 것은 아님)를 첨가함으로써, 가교형 아크릴계 점착제 조성물을 얻을 수도 있다.
가교제로서는, 특별히 제한은 없고, 예컨대 이소시아네이트계 가교제, 멜라민계 가교제, 에폭시계 가교제, 아크릴레이트계 가교제(다작용 아크릴레이트), 이소시아네이트기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르 등을 사용할 수 있다. 아크릴레이트계 가교제로서는, 예컨대 헥산디올디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트 등이 예시된다. 이소시아네이트기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예컨대 2-이소시아네이토에틸아크릴레이트, 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트 등이 예시된다. 그 중에서도, 가교제로서, 아크릴레이트계 가교제(다작용 아크릴레이트)나 이소시아네이트기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르 등의 자외선(UV) 반응성 가교제가 바람직하다. 가교제의 첨가량은, 통상, 상기 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여 0.01 중량부∼150 중량부 정도, 바람직하게는 0.05 중량부∼50 중량부 정도, 특히 바람직하게는 0.05 중량부∼30 중량부 정도이다.
가교형 아크릴계 점착제는, 베이스 폴리머 및 가교제 외에, 가교 촉진제, 점착 부여제[예컨대 로진 유도체 수지, 폴리테르펜 수지, 석유 수지, 유용성(油溶性) 페놀 수지 등], 증점제, 가소제, 충전제, 노화 방지제, 산화 방지제 등의 적절한 첨가제를 포함하고 있어도 된다.
탄성층(31)으로서의 가교형 아크릴계 점착제층은, 예컨대 상기 프리폴리머에 가교제를 첨가한 가교형 아크릴계 점착제 조성물을, 캐스트법 등의 공지된 방법에 의해, 원하는 두께, 면적을 갖는 필름 형상으로 하고, 재차 광조사하여 가교 반응(및 미반응 모노머의 중합)을 진행시킴으로써, 목적에 맞는 탄성층(31)을 간편하게 얻을 수 있다. 이렇게 해서 얻어진 탄성층(가교형 아크릴계 점착제층)은 자기 점착성을 갖기 때문에, 수축성 필름층(2)과 강성 필름층(32)의 층 사이에 그대로 접합시켜 사용할 수 있다. 가교형 아크릴계 점착제층으로서, 닛토 덴코(주) 제조의 상품명 「HJ-9150W」 등의 시판의 양면 접착 테이프를 이용할 수 있다. 또, 필름 형상의 점착제를 수축성 필름층(2)과 강성 필름층(32)의 층 사이에 접합시킨 후, 재차 광조사함으로써 가교 반응을 행해도 된다.
또한, 탄성층(31)으로서의 가교형 아크릴계 점착제층은, 상기한 아크릴계 중합체와 가교제가 용매에 용해된 가교형 아크릴계 점착제 조성물을 강성 필름층(32)의 표면에 도공하고, 그 위에 수축성 필름층(2)을 접합시킨 후, 광조사함으로써 얻을 수도 있다. 또, 점착제층(4)이 활성 에너지선 경화형 점착제층인 경우에는, 재박리 시, 점착제층(4)을 경화시킬 때의 활성 에너지선 조사(광조사)에 의해 상기 가교형 아크릴계 점착제를 경화(가교)시켜도 된다.
본 발명에서의 탄성층(31)의 구성 성분에는, 또한 유리 비드, 수지 비드 등의 비드가 첨가되어 있어도 된다. 탄성층(31)에 유리 비드나 수지 비드를 첨가하면, 점착 특성이나 전단 탄성률을 제어하기 쉬운 점에서 유리하다. 비드의 평균 입자 직경은, 예컨대 1 ㎛∼100 ㎛, 바람직하게는 1 ㎛∼20 ㎛ 정도이다. 비드의 첨가량은, 탄성층(31)의 전체 100 중량부에 대하여, 예컨대 0.1 중량부∼10 중량부, 바람직하게는 1 중량부∼4 중량부이다. 상기 첨가량이 지나치게 많으면 점착 특성이 저하되는 경우가 있고, 지나치게 적으면 상기 효과가 불충분해지기 쉽다.
[강성 필름층]
강성 필름층(32)은 구속층(3)에 강성 또는 인성을 부여함으로써, 수축성 필름층(2)의 수축력에 대하여 반작용의 힘을 만들어 내고, 나아가서는 권취에 필요한 우력을 발생시키는 기능을 갖는다. 강성 필름층(32)을 마련함으로써, 수축성 필름층(2)에 가열 등의 수축 원인이 되는 자극이 부여되었을 때, 적층 시트 또는 점착 시트가, 도중에 정지하거나 방향이 어긋나지 않고서 원활하게 자발 권취되어, 형태가 정돈된 통 형상 권취체를 형성할 수 있다.
강성 필름층(32)을 구성하는 강성 필름으로서는, 예컨대 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀; 폴리이미드; 폴리아미드; 폴리우레탄; 폴리스티렌 등의 스티렌계 수지; 폴리염화비닐리덴; 폴리염화비닐 등에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 수지로 이루어지는 필름을 들 수 있다. 그 중에서도, 점착제의 도공 작업성 등이 우수한 점에서, 폴리에스테르계 수지 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리아미드 필름 등이 바람직하다. 강성 필름층(32)은 단층이어도 2 이상의 층이 적층된 복층이어도 된다. 강성 필름층(32)을 구성하는 강성 필름은 비수축성이며, 수축률은, 예컨대 5% 이하, 바람직하게는 3% 이하, 더 바람직하게는 1% 이하이다.
강성 필름층(32)의 영률과 두께의 곱(영률×두께)은, 박리 시 온도(예컨대 80℃)에 있어서, 바람직하게는 3.0×105 N/m 이하(예컨대 1.0×102 N/m∼3.0×105 N/m), 더 바람직하게는 2.8×105 N/m 이하(예컨대 1.0×103 N/m∼2.8×105 N/m)이다. 강성 필름층(32)의 영률과 두께의 곱이 지나치게 작으면 수축성 필름층(2)의 수축 응력을 권취 응력으로 변환하는 작용이 부족하고, 방향성 수렴 작용도 저하되기 쉬워지며, 반대로 지나치게 크면 강성에 의해 권취가 억제되기 쉬워진다. 강성 필름층(32)의 영률은, 박리 시 온도(예컨대 80℃)에 있어서, 바람직하게는 3×106 N/㎡∼2×1010 N/㎡, 더 바람직하게는 1×108 N/㎡∼1×1010 N/㎡이다. 영률이 지나치게 작으면 형태가 정돈된 권취된 통 형상 권취체가 얻어지기 어려워지고, 반대로 지나치게 크면 자발 권취가 발생하기 어려워진다. 강성 필름층(32)의 두께는, 예컨대 20 ㎛∼150 ㎛, 바람직하게는 25 ㎛∼95 ㎛, 더 바람직하게는 30 ㎛∼90 ㎛, 특히 바람직하게는 30 ㎛∼80 ㎛ 정도이다. 상기 두께가 지나치게 얇으면, 형태가 정돈된 권취된 통 형상 권취체가 얻어지기 어려워지고, 지나치게 두꺼우면 자발 권취성이 저하되고, 또한 취급성, 경제성이 뒤떨어져 바람직하지 않다.
또한, 강성 필름층(32)으로서는, 점착제층(4)이 활성 에너지선 경화형 점착제층인 경우에는 활성 에너지선을 투과시키기 쉬운 재료로 형성되고, 제조상이나 작업성 등의 관점에서 두께를 적절하게 선택할 수 있고 필름 형상으로 하기 쉬운 성형 가공성이 우수한 것이 바람직하다.
상기한 예에서는 구속층(3)은 탄성층(31)과 강성 필름층(32)으로 구성되어 있으나, 반드시 이러한 구성으로 할 필요는 없다. 예컨대 탄성층(31)에 적절한 강성을 부여하여, 강성 필름층(32)을 생략할 수도 있다.
[점착제층]
점착제층(4)으로서는, 원래 점착력이 작은 점착제층을 이용할 수도 있으나, 피착체에 접착 가능한 점착성을 갖고 있고, 소정의 역할이 종료된 후에는, 어떠한 방법(저점착화 처리)으로 점착성을 저하 또는 소실 가능한 재박리성의 점착제층인 것이 바람직하다. 이러한 재박리성 점착제층은, 공지된 재박리성 점착 시트의 점착제층과 동일하게 구성할 수 있다. 자발 권취성의 관점에서, 점착제층 또는 저점착화 처리 후의 점착제층의 점착력(180°필 박리, 실리콘 미러 웨이퍼에 대한 것, 인장 속도 300 ㎜/분)은, 예컨대 상온(25℃)에서, 6.5 N/10 ㎜ 이하(특히 6.0 N/10 ㎜ 이하)인 것이 바람직하다.
점착제층(4)으로서는, 바람직하게는 활성 에너지선 경화형 점착제층을 사용할 수 있다. 활성 에너지선 경화형 점착제층은, 초기에는 점접착성(粘接着性)을 가지며, 적외선, 가시광선, 자외선, X선, 전자선 등의 활성 에너지선의 조사에 의해 3차원 메시 구조를 형성하여 고탄성화하는 재료로 구성할 수 있고, 이러한 재료로서, 활성 에너지선 경화형 점착제 등을 이용할 수 있다. 활성 에너지선 경화형 점착제는, 활성 에너지선 경화성을 부여하기 위한 활성 에너지선 반응성 작용기를 화학 개질한 화합물, 또는 활성 에너지선 경화성 화합물(또는 활성 에너지선 경화성 수지)을 함유한다. 따라서, 활성 에너지선 경화형 점착제는, 활성 에너지선 반응성 작용기로 화학적으로 개질된 모제(母劑), 또는 활성 에너지선 경화성 화합물(또는 활성 에너지선 경화성 수지)을 모제 중에 배합한 조성물에 의해 구성되는 것이 바람직하게 이용된다.
상기 모제로서는, 예컨대 종래 공지된 감압성 접착제(점착제) 등의 점착 물질을 사용할 수 있다. 점착제로서, 예컨대 천연 고무나 폴리이소부틸렌 고무, 스티렌·부타디엔 고무, 스티렌·이소프렌·스티렌 블록 공중합체 고무, 재생 고무, 부틸 고무, 폴리이소부틸렌 고무, NBR 등의 고무계 폴리머를 베이스 폴리머로 이용한 고무계 점착제; 실리콘계 점착제; 아크릴계 점착제 등이 예시된다. 그 중에서도, 아크릴계 점착제가 바람직하다. 모제는 1종 또는 2종 이상의 성분으로 구성해도 된다.
아크릴계 점착제로서는, 예컨대 (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산부틸, (메트)아크릴산 2-에틸헥실, (메트)아크릴산옥틸 등의 (메트)아크릴산 C1-C20 알킬에스테르 등의 (메트)아크릴산알킬에스테르의 단독 또는 공중합체; 그 (메트)아크릴산알킬에스테르와 다른 공중합성 모노머[예컨대 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 푸마르산, 무수 말레산 등의 카르복실기 또는 산 무수물 기 함유 모노머; (메트)아크릴산 2-히드록시에틸 등의 히드록실기 함유 모노머; (메트)아크릴산모르폴릴 등의 아미노기 함유 모노머; (메트)아크릴아미드 등의 아미드기 함유 모노머 등]와의 공중합체 등의 아크릴계 중합체를 베이스 폴리머로 이용한 아크릴계 점착제 등이 예시된다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
활성 에너지선 경화형 점착제를 활성 에너지선 경화시키기 위한 화학 개질에 이용하는 활성 에너지선 반응성 작용기 및 활성 에너지선 경화성 화합물로서는, 적외선, 가시광선, 자외선, X선, 전자선 등의 활성 에너지선에 의해 경화 가능한 것이면 특별히 한정되지 않으나, 활성 에너지선 조사 후의 활성 에너지선 경화형 점착제의 3차원 그물 형상화(메시화)가 효율적으로 이루어지는 것이 바람직하다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 화학 개질에 이용되는 활성 에너지선 반응성 작용기로서는, 예컨대 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 비닐기, 알릴기, 아세틸렌기 등의 탄소-탄소 다중 결합을 갖는 작용기 등을 들 수 있다. 이들 작용기는, 활성 에너지선의 조사에 의해 탄소-탄소 다중 결합이 개열되어 라디칼을 생성하고, 이 라디칼이 가교점이 되어 3차원 메시 구조를 형성할 수 있다. 그 중에서도, (메트)아크릴로일기는, 활성 에너지선에 대하여 비교적 높은 반응성을 나타낼 수 있고, 또한 풍부한 종류의 아크릴계 점착제에서 선택해서 조합하여 사용할 수 있는 등, 반응성, 작업성의 관점에서 바람직하다.
활성 에너지선 반응성 작용기로 화학적으로 개질된 모제의 대표적인 예로서, 히드록실기나 카르복실기 등의 반응성 작용기를 포함하는 단량체[예컨대 (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 등]를 (메트)아크릴산알킬에스테르와 공중합시킨 반응성 작용기 함유 아크릴계 중합체에, 분자 내에 상기 반응성 작용기와 반응하는 기(이소시아네이트기, 에폭시기 등) 및 활성 에너지선 반응성 작용기(아크릴로일기, 메타크릴로일기 등)를 갖는 화합물[예컨대 (메트)아크릴로일옥시에틸렌이소시아네이트 등]을 반응시켜 얻어지는 중합체를 들 수 있다.
상기 반응성 작용기 함유 아크릴계 중합체에서의 반응성 작용기를 포함하는 단량체의 비율은, 전체 단량체에 대하여, 예컨대 5 중량%∼40 중량%, 바람직하게는 10 중량%∼30 중량%이다. 상기 반응성 작용기 함유 아크릴계 중합체와 반응시킬 때의 분자 내에 상기 반응성 작용기와 반응하는 기 및 활성 에너지선 반응성 작용기를 갖는 화합물의 사용량은, 반응성 작용기 함유 아크릴계 중합체 중의 반응성 작용기(히드록실기, 카르복실기 등)에 대하여, 예컨대 50 몰%∼100 몰%, 바람직하게는 60 몰%∼95 몰%이다.
활성 에너지선 경화성 화합물로서는, 예컨대 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트 등의 폴리(메트)아크릴로일기 함유 화합물 등의 탄소-탄소 이중 결합을 2개 이상 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 그 중에서도, 폴리(메트)아크릴로일기 함유 화합물이 바람직하며, 예컨대 일본 특허 공개 제2003-292916호 공보에 예시되어 있다. 이하, 폴리(메트)아크릴로일기 함유 화합물을, 「아크릴레이트계 가교제」라고 칭하는 경우가 있다.
활성 에너지선 경화성 화합물로서는, 또한 오늄염 등의 유기 염류와, 분자 내에 복수의 복소환을 갖는 화합물의 혼합물 등을 이용할 수도 있다. 상기 혼합물은, 활성 에너지선의 조사에 의해 유기 염이 개열되어 이온을 생성하고, 이것이 개시종이 되어 복소환의 개환 반응을 일으켜 3차원 메시 구조를 형성할 수 있다. 상기 유기 염류에는, 요오도늄염, 포스포늄염, 안티모늄염, 술포늄염, 보레이트염 등이 포함되고, 상기 분자 내에 복수의 복소환을 갖는 화합물에서의 복소환에는, 옥시란, 옥세탄, 옥솔란, 티이란(thiirane), 아지리딘 등이 포함된다. 구체적으로는, 기술 정보 협회편, 광경화 기술(2000)에 기재된 화합물 등을 이용할 수 있다.
활성 에너지선 경화성 수지로서는, 예컨대 분자 말단에 (메트)아크릴로일기를 갖는 에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 멜라민(메트)아크릴레이트, 아크릴 수지 (메트)아크릴레이트, 분자 말단에 알릴기를 갖는 티올-엔 부가형 수지나 광 양이온 중합형 수지, 폴리비닐신나메이트 등의 신나모일기 함유 폴리머, 디아조화된 아미노 노볼락 수지나 아크릴아미드형 폴리머 등, 감광성 반응기 함유 폴리머 또는 올리고머 등을 들 수 있다. 또한 고활성 에너지선으로 반응하는 폴리머로서는, 에폭시화 폴리부타디엔, 불포화 폴리에스테르, 폴리글리시딜메타크릴레이트, 폴리아크릴아미드, 폴리비닐실록산 등을 들 수 있다. 또, 활성 에너지선 경화성 수지를 사용하는 경우에는, 상기 모제는 반드시 필요한 것은 아니다.
활성 에너지선 경화형 점착제로서는, 상기 아크릴계 중합체 또는 활성 에너지선 반응성 작용기로 화학적으로 개질된 아크릴계 중합체(측쇄에 활성 에너지선 반응성 작용기가 도입된 아크릴계 중합체)와 상기 활성 에너지선 경화성 화합물(탄소-탄소 이중 결합을 2개 이상 갖는 화합물 등)의 조합으로 이루어지는 것이 특히 바람직하다. 상기 조합은, 활성 에너지선에 대하여 비교적 높은 반응성을 나타내는 아크릴레이트기를 포함하고, 또한 다양한 아크릴계 점착제에서 선택할 수 있기 때문에, 반응성이나 작업성의 관점에서 바람직하다. 이러한 조합의 구체예로서, 측쇄에 아크릴레이트기가 도입된 아크릴계 중합체와, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 작용기(특히 아크릴레이트기)를 2개 이상 갖는 화합물의 조합 등을 들 수 있다. 이러한 조합으로서는, 일본 특허 공개 제2003-292916호 공보 등에 개시된 것을 이용할 수 있다.
상기 측쇄에 아크릴레이트기가 도입된 아크릴계 중합체의 조제법으로서는, 예컨대 측쇄에 수산기를 포함하는 아크릴계 중합체에, 아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트 등의 이소시아네이트 화합물을, 우레탄 결합을 통해 결합하는 방법 등을 이용할 수 있다.
활성 에너지선 경화성 화합물의 배합량은, 예컨대 모제(예컨대 상기 아크릴계 중합체 또는 활성 에너지선 반응성 작용기로 화학적으로 개질된 아크릴계 중합체) 100 중량부에 대하여, 0.5 중량부∼200 중량부 정도, 바람직하게는 5 중량부∼180 중량부, 더 바람직하게는 20 중량부∼130 중량부 정도의 범위이다.
활성 에너지선 경화형 점착제에는, 3차원 메시 구조를 형성하는 반응의 속도 등의 향상을 목적으로 하여, 활성 에너지선 경화성을 부여하는 화합물을 경화시키기 위한 활성 에너지선 중합 개시제가 배합되어 있어도 된다.
활성 에너지선 중합 개시제는, 이용하는 활성 에너지선의 종류(예컨대 적외선, 가시광선, 자외선, X선, 전자선 등)에 따라 공지 내지 관용의 중합 개시제를 적절하게 선택할 수 있다. 작업 효율의 면에서, 자외선으로 광중합 개시 가능한 화합물이 바람직하다. 대표적인 활성 에너지선 중합 개시제로서, 벤조페논, 아세토페논, 퀴논, 나프토퀴논, 안트라퀴논, 플루오레논 등의 케톤계 개시제; 아조비스이소부티로니트릴 등의 아조계 개시제; 벤조일퍼옥사이드, 과벤조산 등의 과산화물계 개시제 등을 들 수 있으나, 이들에 한정되지 않는다. 시판품으로서, 예컨대 치바 가이기사 제조의 상품명 「이르가큐어 184」, 「이르가큐어 651」 등이 있다.
활성 에너지선 중합 개시제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 활성 에너지선 중합 개시제의 배합량으로서는, 통상, 상기 모제 100 중량부에 대하여 0.01 중량부∼10 중량부 정도, 바람직하게는 1 중량부∼8 중량부 정도이다. 또, 필요에 따라 상기 활성 에너지선 중합 개시제와 함께 활성 에너지선 중합 촉진제를 병용해도 된다.
활성 에너지선 경화형 점착제에는, 상기 성분 외에, 활성 에너지선 경화 전후에 적절한 점착성을 얻기 위해서, 가교제, 경화(가교) 촉진제, 점착 부여제, 가황제, 증점제 등, 내구성 향상을 위해서, 노화 방지제, 산화 방지제 등의 적절한 첨가제가 필요에 따라 배합된다.
바람직한 활성 에너지선 경화형 점착제로서는, 예컨대 활성 에너지선 경화성 화합물을 모제(점착제) 중에 배합한 조성물, 바람직하게는 UV 경화성 화합물을 아크릴계 점착제 중에 배합한 UV 경화형 점착제가 이용된다. 특히 활성 에너지선 경화형 점착제의 바람직한 형태로서는, 측쇄 아크릴레이트 함유 아크릴 점착제, 아크릴레이트계 가교제[폴리(메트)아크릴로일기 함유 화합물; 다작용 아크릴레이트] 및 자외선 광개시제를 포함하는 UV 경화형 점착제가 이용된다. 측쇄 아크릴레이트 함유 아크릴 점착제란, 측쇄에 아크릴레이트기가 도입된 아크릴계 중합체의 의미이며, 상기와 동일한 것을 동일한 방법으로 조제하여 이용할 수 있다. 아크릴레이트계 가교제란, 폴리(메트)아크릴로일기 함유 화합물로서 상기에 예시한 저분자 화합물이다. 자외선 광개시제로서는, 대표적인 활성 에너지선 중합 개시제로서 상기에 예시한 것을 이용할 수 있다.
또한, 점착제층(4)을 구성하는 점착제로서, 상기 아크릴계 점착제를 모재로 한 비활성 에너지선 경화형 점착제를 이용하는 것도 가능하다. 이 경우에는, 통 형상 권취체를 생성할 때의 박리 응력보다도 작은 점착력을 갖는 것이 적합 가능하고, 예컨대 실리콘 미러 웨이퍼를 피착체로 이용한 180°필 박리 시험[실온(25℃)]에 있어서, 6.5 N/10 ㎜ 이하(예컨대 0.05 N/10 ㎜∼6.5 N/10 ㎜, 바람직하게는 0.2 N/10 ㎜∼6.5 N/10 ㎜), 특히 6.0 N/10 ㎜ 이하(예컨대 0.05 N/10 ㎜∼6.0 N/10 ㎜, 바람직하게는 0.2 N/10 ㎜∼6.0 N/10 ㎜)의 것을 이용할 수 있다.
이러한 점착력이 작은 아크릴계 점착제를 모재로 한 비활성 에너지선 경화형 점착제로서는, (메트)아크릴산알킬에스테르[예컨대 (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산부틸, (메트)아크릴산 2-에틸헥실, (메트)아크릴산옥틸 등의 (메트)아크릴산 C1-C20 알킬에스테르]와, 반응성 작용기를 갖는 모노머[예컨대 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 푸마르산, 무수 말레산 등의 카르복실기 또는 산 무수물 기 함유 모노머; (메트)아크릴산 2-히드록시에틸 등의 히드록실기 함유 모노머; (메트)아크릴산모르폴릴 등의 아미노기 함유 모노머; (메트)아크릴아미드 등의 아미드기 함유 모노머 등]와, 필요에 따라 이용되는 다른 공중합성 모노머[예컨대 (메트)아크릴산이소보르닐 등의 지환식 탄화수소기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르, 아크릴로니트릴 등]와의 공중합체에, 상기 반응성 작용기와 반응할 수 있는 가교제[예컨대 이소시아네이트계 가교제, 멜라민계 가교제, 에폭시계 가교제 등]를 첨가하여 가교시킨 아크릴계 점착제 등이 바람직하게 이용된다.
점착제층(4)은, 예컨대 점착제, 활성 에너지선 경화성 화합물, 필요에 따라 용매를 첨가하여 조제한 코팅액을, 구속층(3)의 표면[상기한 예에서는, 강성 필름층(32)의 표면]에 도포하는 방법, 적당한 박리 라이너 상에 상기 코팅액을 도포하여 점착제층을 형성하고, 이것을 구속층(3) 상에 전사[이착(移着)]하는 방법 등, 관용의 방법에 의해 형성할 수 있다. 전사에 의한 경우에는, 구속층(3)과의 계면에 보이드(공극)가 남는 경우가 있다. 이 경우, 오토클레이브 처리 등에 의해 가온 가압 처리를 실시하여, 보이드를 확산시켜 소멸시킬 수 있다. 점착제층(4)은 단층, 복층의 어떠한 것이어도 된다.
점착제층(4)의 구성 성분에는, 유리 비드, 수지 비드 등의 비드가 더 첨가되어 있어도 된다. 점착제층(4)에 유리 비드나 수지 비드를 첨가하면, 전단 탄성률을 높여 점착력을 저하시키기 쉬워진다. 비드의 평균 입자 직경은, 예컨대 1 ㎛∼100 ㎛, 바람직하게는 1 ㎛∼20 ㎛ 정도이다. 비드의 첨가량은, 점착제층(4)의 전체 100 중량부에 대하여, 예컨대 25 중량부∼200 중량부, 바람직하게는 50 중량부∼100 중량부이다. 상기 첨가량이 지나치게 많으면 분산 불량을 일으켜 점착제의 도포가 곤란해지는 경우가 있고, 지나치게 적으면 상기 효과가 불충분해지기 쉽다.
점착제층(4)의 두께는, 일반적으로는 10 ㎛∼200 ㎛, 바람직하게는 20 ㎛∼100 ㎛, 더 바람직하게는 30 ㎛∼60 ㎛이다. 상기 두께는, 지나치게 얇으면 점착력이 부족하기 때문에 피착체를 유지, 가고정하는 것이 곤란해지기 쉽고, 지나치게 두꺼우면 비경제적이고, 취급성도 뒤떨어지기 때문에 바람직하지 않다.
본 발명에서 사용하는 표면 보호 테이프(1)는, 수축성 필름층(2)과 구속층(3)[바람직하게는 탄성층(31)과 강성 필름층(32)]을 포개고, 핸드 롤러나 라미네이터 등의 적층 수단이나, 오토클레이브 등의 대기압 압축 수단을, 목적에 따라 적절하게 선택적으로 이용하여 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 또한, 본 발명의 표면 보호 테이프는, 상기 표면 보호 테이프(1)의 구속층(3)의 표면에 점착제층(4)을 마련함으로써, 또는 미리 한쪽 면에 점착제층(4)을 마련한 구속층(3)[또는, 강성 필름층(32)]을 수축성 필름층(2)[또는, 수축성 필름층(2)과 탄성층(31)]과 중첩시켜 적층함으로써 제조해도 된다.
표면 보호 테이프(1)가, 활성 에너지선 경화성 화합물을 피착체(7)와 접촉하는 측에 갖는 경우, 표면 보호 테이프(1)를 피착체(7)에 접착하고, 다이싱 가공을 실시한 후에, 표면 보호 테이프(1)의 피착체(7)와 접촉하는 측에 활성 에너지선 조사를 행하여, 점착력을 저하시킬 수 있다. 그 후, 또는 그것과 함께, 수축성 필름층의 수축 원인이 되는 열을 가하여, 표면 보호 테이프(1)의 1 단부로부터 1 방향(통상, 주 수축 축 방향)으로 또는 대향하는 2 단부로부터 중심을 향하여(통상, 주 수축 축 방향으로) 자발적으로 권취시켜, 1개 또는 2개의 통 형상 권취체를 형성시킴으로써 피착체(7)로부터 박리할 수 있다. 가열 등의 수축 원인이 되는 자극의 부여는, 바람직하게는 활성 에너지선 조사와 함께 행한다. 또, 표면 보호 테이프(1)의 1 단부로부터 1 방향으로 자발 권취되는 경우에는, 1개의 통 형상 권취체가 형성되고(1 방향 권취 박리), 표면 보호 테이프(1)의 대향하는 2 단부로부터 중심을 향하여 자발적으로 권취되는 경우에는, 평행하게 배열된 2개의 통 형상 권취체가 형성된다(2 방향 권취 박리).
다이싱 가공 후, 예컨대 점착제층(4)이 활성 에너지선 경화형 점착제층인 경우에는, 점착제층(4)에 활성 에너지선 조사를 행함과 아울러, 또는 그 후, 소요의 가열 등의 수축 원인이 되는 자극의 부여 수단에 의해 수축성 필름층(2)에 가열 등의 수축 원인이 되는 자극을 부여하면, 점착제층(4)은 경화하여 점착력을 상실하고, 수축성 필름층(2)이 수축 변형하려고 하기 때문에, 표면 보호 테이프(1)가 들떠, 그 외연부(또는 대향하는 2개의 외연부)로부터 표면 보호 테이프(1)가 권취된다. 가열 등의 수축 원인이 되는 자극의 부여 조건에 의해, 더 권취되면서, 1 방향[또는 방향이 서로 반대인 2 방향(중심 방향)]으로 자주(自走)하여 1개(또는 2개)의 통 형상 권취체를 형성한다. 여기서 통 형상 권취체란, 테이프의 양단이 접촉 또는 겹쳐진 통 형상 권취체 뿐만 아니라, 테이프의 양단이 비접촉으로 통의 일부가 개방된 상태의 것도 포함한다. 이 때, 구속층(3)에 의해 점착 시트의 수축 방향이 조정되기 때문에, 1축 방향으로 권취되면서 신속하게 통 형상 권취체가 형성된다. 그 때문에, 표면 보호 테이프(1)를 피착체(7)로부터 매우 용이하게 또한 깨끗이 박리할 수 있다.
가열에 의해, 수축 원인이 되는 자극을 부여하는 경우, 가열 온도는 수축성 필름층(2)의 수축성에 따라 적절하게 선택할 수 있다. 가열 온도는, 예컨대 상한 온도는 피절단체가 영향을 받지 않고 권취되는 온도이면, 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 50℃ 이상, 바람직하게는 50℃∼180℃, 더 바람직하게는 70℃∼180℃로 할 수 있다. 활성 에너지선 조사, 가열 처리는 동시에 행해도 되고, 단계적으로 행해도 된다. 또한 가열은 피착체 전체면을 균일하게 가온하는 것만이 아니라, 전체면을 단계적으로 가온하는, 나아가서는 박리 계기를 만들기 위해서만 부분적으로 가열해도 되고, 박리 용이성을 활용하는 목적에 있어서 적절하게 선택할 수 있다.
[중간층]
중간층을 형성하는 재료로서는, 특별히 한정되지 않고, 예컨대 점착제층에서 들고 있는 점착제나, 일반적으로 수지 필름이라고 불리우는 폴리에틸렌(PE), 에틸렌-비닐알코올 공중합체(EVA), 에틸렌-에틸아크릴레이트 공중합체(EEA) 등의 각종 연질 수지, 아크릴계 수지와 우레탄 폴리머의 혼합 수지, 아크릴계 수지와 천연 고무의 그라프트 중합체 등을 사용할 수 있다.
상기 아크릴계 수지를 형성하는 아크릴계 모노머로서는, 예컨대 (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산부틸, (메트)아크릴산 t-부틸, (메트)아크릴산 2-에틸헥실, (메트)아크릴산옥틸 등의 (메트)아크릴산 C1-C20 알킬에스테르 등의 (메트)아크릴산알킬에스테르를 단독으로 또는 그 (메트)아크릴산알킬에스테르와 공중합 가능한 모노머(예컨대 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 푸마르산, 무수 말레산 등의 카르복실기 또는 산 무수물 기 함유 모노머)와 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명에서의 중간층을 형성하는 재료로서는, 그 중에서도, 강성 필름층과의 밀착성의 점에서, 아크릴계 수지와 우레탄 폴리머의 혼합 수지나, 아크릴계 수지와 천연 고무의 그라프트 중합체를 사용하는 것이 바람직하고, 특히 아크릴계 수지와 우레탄 폴리머의 혼합 수지가 바람직하다. 또, 우레탄 폴리머는 주지 관용의 방법으로 제조할 수 있다.
중간층과 상기 강성 필름층의 접착성을 향상시키는 것을 목적으로 하여, 중간층과 강성 필름층 사이에 적절하게, 초벌칠층을 마련해도 된다. 또한, 중간층과 상기 점착제층과의 접착성을 향상시키는 것을 목적으로 하여, 중간층 표면에, 필요에 따라, 매트 처리, 코로나 방전 처리, 프라이머 처리, 가교 처리(예컨대 실란을 사용한 화학 가교 처리 등) 등의 관용의 물리적 또는 화학적 처리를 실시할 수 있다.
중간층은, 그 재료 형태에 따라, 주지 관용의 방법에 의해 형성할 수 있고, 예컨대 용액상(溶液狀)을 나타내는 경우에는, 강성 필름층의 표면에 도포하는 방법, 적당한 박리 라이너(세퍼레이터) 상에 용액을 도포하여 중간층을 형성하고, 이것을 강성 필름층 상에 전사(이착)함으로써 형성할 수 있다. 또한, 중간층으로서 연질 수지나 혼합 수지를 사용하는 경우에는, 강성 필름층 상에, 그 수지를 압출 라미네이트하는 방법이나, 미리 필름 형상으로 형성한 수지를 드라이 라미네이트, 또는 점접착성이 있는 초벌칠제를 통해 접합시키는 방법 등을 들 수 있다.
중간층의 23℃에서의 전단 탄성률로서는, 점착 시트의 접합 용이함이나, 테이프 커팅 등의 작업성의 점에서, 1×104 ㎩∼4×107 ㎩ 정도, 바람직하게는 1×105 ㎩∼2×107 ㎩ 정도이다. 23℃에서의 전단 탄성률이 1×104 ㎩를 하회하면, 웨이퍼 연삭압에 의해 중간층이 웨이퍼 외주로부터 비어져 나와, 웨이퍼를 파손시킬 우려가 있다. 또한, 23℃에서의 전단 탄성률이 4×107 ㎩를 상회하면, 휘어짐을 억제하는 기능이 저하되는 경향이 있다.
중간층의 두께는, 10 ㎛ 이상인 것이 바람직하고, 그 중에서도, 30 ㎛ 이상(특히 50 ㎛ 이상)인 것이 바람직하다. 중간층의 두께가 10 ㎛를 하회하면, 연삭에 의한 웨이퍼의 휘어짐을 효과적으로 억제하는 것이 곤란해지는 경향이 있다. 또한, 연삭 정밀도를 유지하기 위해서, 중간층의 두께는 150 ㎛ 미만인 것이 바람직하다.
또한, 중간층은 상기 인장 응력을 완화하는 기능을 가질 뿐만 아니라, 연삭 중에 웨이퍼 표면의 요철을 흡수하는 쿠션의 기능도 갖는 것이 바람직하고, 중간층과 상기 점착제층의 두께의 합이 30 ㎛ 이상(그 중에서도, 50 ㎛∼300 ㎛)인 것이 바람직하다. 한편, 중간층과 상기 점착제층의 두께의 합이 30 ㎛를 하회하면, 웨이퍼에 대한 점착력이 부족한 경향이 있어, 접합 시에 웨이퍼 표면의 요철을 완전히 흡수할 수 없기 때문에, 연삭 중에 웨이퍼가 파손되거나, 웨이퍼 에지에 이지러짐이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다. 또한, 중간층과 상기 점착제층의 두께의 합이 300 ㎛를 상회하면, 두께 정밀도가 저하되어, 연삭 중에 웨이퍼가 파손되기 쉬워지고, 또한 자발 권취성이 저하되는 경향이 있다.
중간층의 전단 탄성률과 두께의 곱(전단 탄성률×두께)은, 예컨대 23℃에 있어서, 바람직하게는 15000 N/m 이하(예컨대 0.1 N/m∼15000 N/m), 바람직하게는 3000 N/m 이하(예컨대 3 N/m∼3000 N/m), 특히 바람직하게는 1000 N/m 이하(예컨대 20 N/m∼1000 N/m) 정도이다. 중간층의 전단 탄성률과 두께의 곱이 지나치게 크면, 수축성 필름층/탄성층/강성 필름층으로 이루어지는 복합 기재의 인장 응력을 완화하는 것이 곤란해져, 연삭에 의한 웨이퍼의 휘어짐을 억제하는 것이 곤란해지는 경향이 있고, 강성에 의해 접합 시에 웨이퍼 표면의 요철을 완전히 흡수할 수 없기 때문에, 연삭 중에 웨이퍼가 파손되거나, 웨이퍼 에지에 이지러짐이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다. 중간층의 전단 탄성률과 두께의 곱이 지나치게 작으면, 웨이퍼 밖으로 중간층이 비어져 나와, 에지 이지러짐이나 파손이 발생하기 쉬워진다. 또한 권취성을 저하시키는 작용도 초래한다.
[활성 에너지선 경화형 점착제층]
활성 에너지선 경화형 점착제층(33)은, 활성 에너지선 조사 전은, 피착체에 접착하여, 피착체에 「깨짐」이나 「이지러짐」이 발생하기 때문에 보호하기 위해서 충분한 점착력을 가지며, 가공 후는, 적외선, 가시광선, 자외선, X선, 전자선 등의 활성 에너지선을 조사함으로써 3차원 메시 구조를 형성시켜 경화시킴으로써, 피착체에 대한 점착력을 저하시킴과 아울러, 상기 수축성 필름층이 열에 의해 수축할 때에, 그 수축에 반발하는 구속층으로서의 작용을 발휘할 수 있기 때문에, 수축에 대한 반발력이 구동력이 되어 표면 보호 테이프의 외연부(단부)가 들떠, 수축성 필름층측을 안으로 하여, 단부로부터 1 방향으로 또는 대향하는 2 단부로부터 중심(2 단부의 중심)을 향하여 자발적으로 권취되어 1개 또는 2개의 통 형상 권취체를 형성할 수 있다.
활성 에너지선 경화형 점착제층(33)을 형성하는 점착제로서는, 활성 에너지선 경화성을 부여하기 위한 활성 에너지선 반응성 작용기를 화학 개질한 화합물, 또는 활성 에너지선 경화성 화합물(또는 활성 에너지선 경화성 수지)을 적어도 함유하는 것이 바람직하다. 따라서, 활성 에너지선 경화형 점착제는, 활성 에너지선 반응성 작용기로 화학적으로 개질된 모제 및/또는 활성 에너지선 경화성 화합물(또는 활성 에너지선 경화성 수지)을 모제 중에 배합한 조성물에 의해 구성되는 것이 바람직하게 이용된다.
상기 모제로서는, 예컨대 종래 공지된 감압형 접착제(점착제) 등의 점착 물질을 사용할 수 있다. 점착제로서, 예컨대 천연 고무나 폴리이소부틸렌 고무, 스티렌·부타디엔 고무, 스티렌·이소프렌·스티렌 블록 공중합체 고무, 재생 고무, 부틸 고무, 폴리이소부틸렌 고무, NBR 등의 고무계 폴리머를 베이스 폴리머로 이용한 고무계 점착제; 실리콘계 점착제; 아크릴계 점착제 등이 예시된다. 그 중에서도, 아크릴계 점착제가 바람직하다. 모제는 1종 또는 2종 이상의 성분으로 구성해도 된다.
아크릴계 점착제로서는, 예컨대 (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산부틸, (메트)아크릴산 2-에틸헥실, (메트)아크릴산옥틸 등의 (메트)아크릴산 C1-C20 알킬에스테르 등의 (메트)아크릴산알킬에스테르의 단독 또는 공중합체; 그 (메트)아크릴산알킬에스테르와 다른 공중합성 모노머[예컨대 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 푸마르산, 무수 말레산 등의 카르복실기 또는 산 무수물 기 함유 모노머; (메트)아크릴산 2-히드록시에틸 등의 히드록실기 함유 모노머; (메트)아크릴산모르폴릴 등의 아미노기 함유 모노머; (메트)아크릴아미드 등의 아미드기 함유 모노머 등]와의 공중합체 등의 아크릴계 중합체를 베이스 폴리머로 이용한 아크릴계 점착제 등이 예시된다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
활성 에너지선 경화시키기 위한 화학 개질에 이용하는 활성 에너지선 반응성 작용기 및 활성 에너지선 경화성 화합물로서는, 적외선, 가시광선, 자외선, X선, 전자선 등의 활성 에너지선에 의해 경화 가능한 것이면 특별히 한정되지 않으나, 활성 에너지선 조사에 의해 3차원 그물 형상화(메시화)가 효율적으로 이루어지는 것이 바람직하다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
화학 개질에 이용되는 활성 에너지선 반응성 작용기로서는, 예컨대 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 비닐기, 알릴기, 아세틸렌기 등의 탄소-탄소 다중 결합을 갖는 작용기 등을 들 수 있다. 이들 작용기는, 활성 에너지선의 조사에 의해 탄소-탄소 다중 결합이 개열되어 라디칼을 생성하고, 이 라디칼이 가교점이 되어 3차원 메시 구조를 형성할 수 있다. 그 중에서도, 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기는, 활성 에너지선에 대하여 비교적 높은 반응성을 나타낼 수 있고, 또한 풍부한 종류의 아크릴계 점착제에서 선택해서 조합하여 사용할 수 있는 등, 반응성, 작업성의 관점에서 바람직하다.
활성 에너지선 반응성 작용기로 화학적으로 개질된 모제의 대표적인 예로서, 히드록실기나 카르복실기 등의 반응성 작용기를 포함하는 단량체[예컨대 (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 등]를 (메트)아크릴산알킬에스테르와 공중합시킨 반응성 작용기 함유 아크릴계 중합체에, 분자 내에 상기 반응성 작용기와 반응하는 기(이소시아네이트기, 에폭시기 등) 및 활성 에너지선 반응성 작용기(아크릴로일기, 메타크릴로일기 등)를 갖는 화합물[예컨대 (메트)아크릴로일옥시에틸렌이소시아네이트 등]을 반응시켜 얻어지는 중합체를 들 수 있다.
상기 반응성 작용기 함유 아크릴계 중합체에서의 반응성 작용기를 포함하는 단량체의 비율은, 전체 단량체에 대하여, 예컨대 5 중량%∼40 중량%, 바람직하게는 10 중량%∼30 중량%이다. 상기 반응성 작용기 함유 아크릴계 중합체와 반응시킬 때의 분자 내에 상기 반응성 작용기와 반응하는 기 및 활성 에너지선 반응성 작용기를 갖는 화합물의 사용량은, 반응성 작용기 함유 아크릴계 중합체 중의 반응성 작용기(히드록실기, 카르복실기 등)에 대하여, 예컨대 50 몰%∼100 몰%, 바람직하게는 60 몰%∼95 몰%이다.
활성 에너지선 경화성 화합물로서는, 예컨대 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트 등의, 분자 내에 아크릴로일기나 메타크릴로일기 등의 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기를 2개 이상 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 그 중에서도, 아크릴로일기 및/또는 메타크릴로일기를 2 이상 갖는 화합물이 바람직하며, 예컨대 일본 특허 공개 제2003-292916호 공보에 예시되어 있다.
활성 에너지선 경화성 화합물로서는, 오늄염 등의 유기 염류와, 분자 내에 복수의 복소환을 갖는 화합물의 혼합물 등을 이용할 수도 있다. 상기 혼합물은, 활성 에너지선의 조사에 의해 유기 염이 개열되어 이온을 생성하고, 이것이 개시종이 되어 복소환의 개환 반응을 일으켜 3차원 메시 구조를 형성할 수 있다. 상기 유기 염류에는, 요오도늄염, 포스포늄염, 안티모늄염, 술포늄염, 보레이트염 등이 포함되고, 상기 분자 내에 복수의 복소환을 갖는 화합물에서의 복소환에는, 옥시란, 옥세탄, 옥솔란, 티이란, 아지리딘 등이 포함된다. 구체적으로는, 기술 정보 협회편, 광경화 기술(2000)에 기재된 화합물 등을 이용할 수 있다.
활성 에너지선 경화성 수지로서는, 예컨대 에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 멜라민(메트)아크릴레이트, 아크릴 수지 (메트)아크릴레이트 등의 분자 내에 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 갖는 폴리머 또는 올리고머; 분자 내에 알릴기를 갖는 티올-엔 부가형 수지나 광 양이온 중합형 수지; 폴리비닐신나메이트 등의 신나모일기 함유 폴리머; 디아조화한 아미노 노볼락 수지나 아크릴아미드형 폴리머 등의 감광성 반응기 함유 폴리머 또는 올리고머 등을 들 수 있다. 또한 고활성 에너지선으로 반응하는 폴리머로서는, 에폭시화 폴리부타디엔, 불포화 폴리에스테르, 폴리글리시딜메타크릴레이트, 폴리아크릴아미드, 폴리비닐실록산 등을 들 수 있다. 또, 활성 에너지선 경화성 수지를 사용하는 경우에는, 상기 모제는 반드시 필요한 것은 아니다.
활성 에너지선 경화성 수지의 분자량으로서는, 예컨대 5000 미만 정도, 바람직하게는 100∼3000 정도이다. 활성 에너지선 경화성 수지의 분자량이 5000을 상회하면, 예컨대 (모제인) 아크릴계 중합체와의 상용성이 저하되는 경향이 된다.
활성 에너지선 경화성 수지로서는, 활성 에너지선에 대하여 비교적 높은 반응성을 나타낼 수 있는 점에서, 에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 멜라민(메트)아크릴레이트, 아크릴 수지 (메트)아크릴레이트 등의 분자 내에 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 갖는 올리고머를 사용하는 것이 바람직하다.
활성 에너지선 경화형 점착제로서는, 선택지가 많고 활성 에너지선 조사 전후에서의 탄성률 조정이 용이한 점에서, 활성 에너지선 경화성을 부여하기 위한 활성 에너지선 반응성 작용기를 화학 개질한 화합물 및 활성 에너지선 경화성 화합물(또는 활성 에너지선 경화성 수지)을 조합하여 사용하는 것이 바람직하고, 특히 측쇄에 (메트)아크릴로일기가 도입된 아크릴계 중합체와, 분자 내에 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 갖는 올리고머의 조합이, 활성 에너지선에 대하여 비교적 높은 반응성을 나타내는 (메트)아크릴로일기를 포함하고, 또한 다양한 아크릴계 점착제에서 선택할 수 있기 때문에, 반응성이나 작업성의 관점에서 바람직하다. 이러한 조합으로서는, 일본 특허 공개 제2003-292916호 공보 등에 개시된 것을 이용할 수 있다.
활성 에너지선 경화성 수지(예컨대 분자 내에 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 갖는 올리고머)의 배합량은, 예컨대 모제[예컨대 상기 측쇄에 (메트)아크릴로일기가 도입된 아크릴계 중합체] 100 중량부에 대하여, 0.5 중량부∼200 중량부 정도, 바람직하게는 5 중량부∼180 중량부, 더 바람직하게는 20 중량부∼130 중량부 정도의 범위이다.
활성 에너지선 경화형 점착제에는, 3차원 메시 구조를 형성하는 반응 속도의 향상을 목적으로 하여, 활성 에너지선 경화성을 부여하는 화합물을 경화시키기 위한 활성 에너지선 중합 개시제가 배합되어 있어도 된다.
활성 에너지선 중합 개시제는, 이용하는 활성 에너지선의 종류(예컨대 적외선, 가시광선, 자외선, X선, 전자선 등)에 따라 공지 내지 관용의 중합 개시제를 적절하게 선택할 수 있다. 작업 효율의 면에서, 자외선으로 광중합 개시 가능한 화합물이 바람직하다. 대표적인 활성 에너지선 중합 개시제로서, 벤조페논, 아세토페논, 퀴논, 나프토퀴논, 안트라퀴논, 플루오레논 등의 케톤계 개시제; 아조비스이소부티로니트릴 등의 아조계 개시제; 벤조일퍼옥사이드, 과벤조산 등의 과산화물계 개시제 등을 들 수 있으나, 이들에 한정되지 않는다. 시판품으로서, 예컨대 치바·재팬사 제조의 상품명 「이르가큐어 184」, 「이르가큐어 651」 등이 있다.
활성 에너지선 중합 개시제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 활성 에너지선 중합 개시제의 배합량으로서는, 통상, 상기 모제 100 중량부에 대하여 0.01 중량부∼10 중량부 정도, 바람직하게는 1 중량부∼8 중량부 정도이다. 또, 필요에 따라 상기 활성 에너지선 중합 개시제와 함께 활성 에너지선 중합 촉진제를 병용해도 된다.
활성 에너지선 경화형 점착제층의 구성 성분에는, 유리 비드, 수지 비드 등의 비드가 더 첨가되어 있어도 된다. 활성 에너지선 경화형 점착제층에 유리 비드나 수지 비드를 첨가하면, 전단 탄성률을 높여 점착력을 저하시키기 쉬워진다. 비드의 평균 입자 직경은, 예컨대 1 ㎛∼100 ㎛, 바람직하게는 1 ㎛∼20 ㎛ 정도이다. 비드의 첨가량은, 활성 에너지선 경화형 점착제층의 전체 100 중량부에 대하여, 예컨대 25 중량부∼200 중량부, 바람직하게는 50 중량부∼100 중량부이다. 상기 첨가량이 지나치게 많으면 분산 불량을 일으켜 점착제의 도포가 곤란해지는 경우가 있고, 지나치게 적으면 상기 효과가 불충분해지기 쉽다.
활성 에너지선 경화형 점착제에는, 상기 성분 외에, 활성 에너지선 경화 전후에 적절한 점착성을 얻기 위해서, 가교제, 경화(가교) 촉진제, 점착 부여제, 가황제, 증점제 등, 내구성 향상을 위해서, 노화 방지제, 산화 방지제 등의 적절한 첨가제가 필요에 따라 배합된다.
특히 활성 에너지선 경화형 점착제의 바람직한 형태로서는, 측쇄 (메트)아크릴로일기 함유 아크릴 점착제, 분자 내에 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 갖는 올리고머, 아크릴레이트계 가교제[폴리(메트)아크릴로일기 함유 화합물; 다작용 아크릴레이트] 및 자외선 광개시제를 포함하는 UV 경화형 점착제가 이용된다.
활성 에너지선 경화형 점착제층은, 예컨대 점착제, 활성 에너지선 경화성 화합물, 필요에 따라 용매를 첨가하여 조제한 코팅액을, 상기 수축성 필름층의 표면에 도포하는 방법, 적당한 박리 라이너(박리 라이너) 상에 상기 코팅액을 도포하여 활성 에너지선 경화형 점착제층을 형성하고, 이것을 수축성 필름층 상에 전사(이착)하는 방법 등, 관용의 방법에 의해 형성할 수 있다. 전사에 의한 경우에는, 수축성 필름층과의 계면에 보이드(공극)가 남는 경우가 있다. 이 경우, 오토클레이브 처리 등에 의해 가온 가압 처리를 실시하여, 보이드를 확산시켜 소멸시킬 수 있다. 활성 에너지선 경화형 점착제층은 단층, 복층의 어떠한 것이어도 된다.
활성 에너지선 경화형 점착제층의 두께는, 일반적으로는 10 ㎛∼400 ㎛(예컨대 20 ㎛∼300 ㎛), 바람직하게는 20 ㎛∼200 ㎛, 더 바람직하게는 30 ㎛∼100 ㎛이다. 상기 두께는, 지나치게 얇으면 점착력이 부족하기 때문에 피착체를 유지, 가고정하는 것이 곤란해지기 쉽고, 지나치게 두꺼우면 비경제적이며, 취급성이 뒤떨어지는 경향이 있다.
활성 에너지선 경화형 점착제층(33)은, 활성 에너지선 조사 전은, 상온(25℃)에서의 인장 탄성률과 두께의 곱이 0.1 N/m∼100 N/m 정도, 바람직하게는 0.1 N/m∼20 N/m인 것이 바람직하고, 점착력(180°필 박리, 실리콘 미러 웨이퍼에 대한 것, 인장 속도 300 ㎜/분)으로서는, 예컨대 상온(25℃)에서, 0.5 N/10 ㎜∼10 N/10 ㎜의 범위가 바람직하다. 활성 에너지선 조사 전의 인장 탄성률과 두께의 곱 및 점착력이 상기 범위를 벗어나면, 점착력이 부족하기 때문에 피착체를 유지, 가고정하는 것이 곤란해지는 경향이 있다.
그리고, 활성 에너지선 경화형 점착제층(33)은, 활성 에너지선을 조사함으로써 경화하여, 80℃에서의 인장 탄성률과 두께의 곱이 5×103 N/m 이상 1×105 N/m 미만(바람직하게는 8×103 N/m 이상 1×105 N/m 미만)이 되는 것을 특징으로 한다. 활성 에너지선 조사 후의 인장 탄성률과 두께의 곱이 5×103 N/m를 하회하면, 충분한 반작용력이 발생하지 않고, 열수축성 필름의 수축 응력에 의해 테이프 전체가 절곡되는, 물결치는(쭈글쭈글해지는) 등의 부정형으로 변형하여 자발 권취를 일으킬 수 없다.
그리고, 활성 에너지선 경화형 점착제층(33)에 활성 에너지선을 조사함으로써, 80℃에서의 인장 탄성률과 두께의 곱이 5×103 N/m 이상 1×105 N/m 미만이 되도록 경화할 수 있기 때문에, 활성 에너지선 조사 후에는, 적절한 인성 또는 강성을 구비하여, 구속층으로서의 작용을 발휘할 수 있다. 이 구속층에 의해, 수축성 필름층이 열수축할 때에, 그 수축을 구속하여, 반작용력을 만들어 낼 수 있고, 예컨대 도 8의 적층체(15) 전체로서 우력을 만들어 내어, 권취를 일으키기 위한 구동력으로 할 수 있다.
또한, 수축성 필름층(2)의 주 수축 방향과는 다른 방향의 부차적 수축이 억제되어, 1축 수축성이라고는 해도 반드시 똑같다고는 말할 수 없는 수축성 필름층(2)의 수축 방향이 한 방향으로 수렴되는 기능도 있다고 생각된다. 이 때문에, 예컨대 도 8의 적층체(15)에 수축성 필름층의 수축을 촉진시키는 열을 가하면, 구속층으로서의 작용을 발휘하는 경화 후의 활성 에너지선 경화형 점착제층(33)에서의, 수축성 필름층(2)의 수축력에 대한 반발력이 구동력이 되어, 적층체(15)의 외연부(1 단부 또는 대향하는 2 단부)가 들떠, 수축성 필름층(2)측을 안으로 하여, 단부로부터 1 방향 또는 중심 방향[통상, 수축성 필름층(2)의 주 수축 축 방향]으로 자발적으로 권취되어 통 형상 권취체가 형성되는 것이라고 생각된다.
또한, 웨이퍼 연삭 후에 의해 발생하는 휘어짐은, 웨이퍼에 점착 시트를 접합시킬 때의 응력이 잔존하고, 이 잔존 응력에 의해 수축성 필름층이 탄성 변형함으로써 발생한다고 생각되지만, 탄성층은 이 잔존 응력을 완화하여 휘어짐을 저하시키는 작용도 발휘할 수 있다. 또한, 구속층으로서의 작용을 발휘하는 경화 후의 활성 에너지선 경화형 점착제층(33)에 의해, 수축성 필름층의 수축 변형에 의해 발생하는 전단력이 피착체에 전달되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 박리 시의 피착체의 파손을 방지할 수 있다. 또한, 활성 에너지선 경화형 점착제층(33)은, 경화함으로써 피착체에 대한 점착력이 현저하게 저하되기 때문에, 박리 시에 피착체에 점착제 잔여물이 남지 않고서, 용이하게 박리할 수 있다.
본 발명에서의 표면 보호 테이프는, 바람직하게는 수축성 필름층(2)과 활성 에너지선 경화형 점착제층(33)을 포개고, 핸드 롤러나 라미네이터 등의 적층 수단이나, 오토클레이브 등의 대기압 압축 수단을, 목적에 따라 적절하게 선택적으로 이용하여 적층시킴으로써 제조할 수 있다.
활성 에너지선으로서는, 예컨대 적외선, 가시광선, 자외선, 방사선, 전자선 등을 들 수 있고, 사용하는 표면 보호 테이프의 활성 에너지선 경화형 점착제층의 종류에 따라, 적절하게 선택할 수 있다. 예컨대 자외선 경화형 점착제층을 갖는 표면 보호 테이프를 사용하는 경우에는, 활성 에너지선으로서 자외선을 사용한다.
자외선의 발생 방식에 대해서는 특별히 한정되지 않고, 주지 관용의 발생 방식을 채용할 수 있으며, 예컨대 방전 램프 방식(아크 램프), 플래시 방식, 레이저 방식 등을 들 수 있다. 본 발명에서는, 공업적인 생산성이 우수한 점에서, 방전 램프 방식(아크 램프)을 사용하는 것이 바람직하고, 그 중에서도, 조사 효율이 우수한 점에서, 고압 수은 램프나 메탈할라이드 램프를 사용한 조사 방법을 사용하는 것이 바람직하다.
자외선의 파장으로서는, 자외 영역의 파장을, 특별히 한정되지 않고 사용할 수 있으나, 일반적인 광중합에 사용되며, 상기 자외선 발생 방식에서 사용되는 파장으로서, 250 ㎚∼400 ㎚ 정도의 파장을 사용하는 것이 바람직하다. 자외선의 조사 조건으로서는, 활성 에너지선 경화형 점착제층을 구성하는 점착제의 중합을 개시시키고, 80℃에서의 인장 탄성률과 두께의 곱이 5×103 N/m 이상 1×105 N/m 미만이 되도록 경화시킬 수 있으면 되고, 조사 강도로서는, 예컨대 10 mJ/㎠∼1000 mJ/㎠ 정도, 바람직하게는 50 mJ/㎠∼600 mJ/㎠ 정도이다. 자외선의 조사 강도가 10 mJ/㎠를 하회하면, 활성 에너지선 경화형 점착제층의 경화가 불충분해져, 구속층으로서의 작용을 발휘하는 것이 곤란해지는 경향이 있다. 한편, 조사 강도가 1000 mJ/㎠를 상회하면, 활성 에너지선 경화형 점착제층의 경화가 지나치게 진행되어 금이 생기는 경향이 있다.
[박리 라이너]
본 발명에서 사용하는 표면 보호 테이프(1)에는, 표면의 점착제층(4) 또는 활성 에너지선 경화형 점착제층(33)의 평활화 및 보호, 라벨 가공, 블로킹 방지의 관점 등에서, 점착제층(4) 또는 활성 에너지선 경화형 점착제층(33)의 표면에 박리 라이너(5)(세퍼레이터)가 마련되어 있어도 된다. 박리 라이너(5)는 피착체에 접합시킬 때에 박리되는 것이며, 반드시 마련하지 않아도 된다. 이용되는 박리 라이너(5)로서는, 특별히 한정되지 않고, 공지 관용의 박리지 등을 사용할 수 있다.
박리 라이너(5)로서는, 예컨대 박리 처리층을 갖는 기재, 불소계 폴리머로 이루어지는 저접착성 기재나 무극성 폴리머로 이루어지는 저접착성 기재 등을 이용할 수 있다. 상기 박리 처리층을 갖는 기재로서는, 예컨대 실리콘계, 장쇄 알킬계, 불소계, 황화몰리브덴 등의 박리 처리제에 의해 표면 처리된 플라스틱 필름이나 종이 등을 들 수 있다.
상기 불소계 폴리머로 이루어지는 저접착성 기재에서의 불소계 폴리머로서는, 예컨대 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리플루오르화비닐, 폴리플루오르화비닐리덴, 테트라플루오로에틸렌·헥사플루오로프로필렌 공중합체, 클로로플루오로에틸렌·플루오르화비닐리덴 공중합체 등을 들 수 있다.
상기 무극성 폴리머로 이루어지는 저접착성 기재에서의 무극성 폴리머로서는, 예컨대 올레핀계 수지(예컨대 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등) 등을 들 수 있다. 또, 박리 라이너는 공지 내지 관용의 방법에 의해 형성할 수 있다.
상기 박리 라이너(5)의 두께로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예컨대 10 ㎛∼200 ㎛, 바람직하게는 25 ㎛∼100 ㎛ 정도이다. 또한, 필요에 따라, 활성 에너지선 경화형 점착제층이 환경 자외선에 의해 경화하는 것을 방지하기 위해서, 박리 라이너에 자외선 방지 처리 등이 실시되어 있어도 된다.
도 9에, 본 발명에서 사용하는 표면 보호 테이프가 자발 권취되는 모습을 도시한다. 도 9에 있어서, (A)는 수축성 필름층에, 열 등의 수축 원인이 되는 자극을 가하기 전의 표면 보호 테이프(1)를 도시하는 도면, (B)는 수축성 필름층에 열 등의 수축 원인이 되는 자극이 부여된 표면 보호 테이프(활성 에너지선 경화형 점착제층을 갖는 경우에는, 활성 에너지선 경화형 점착제층이 경화하여, 점착력이 저하된 후의 점착 시트)가 시트 외연부(1 단부)로부터 1 방향(통상, 수축성 필름층의 주 수축 축 방향)으로 권취되기 시작했을 때의 상태를 도시하는 도면, (C)는 시트의 권취가 종료되어 1개의 통 형상 권취체가 형성되었을 때의 상태(1 방향 권취)를 도시하는 도면이다. 또한, (D)는 시트의 대향하는 2 단부로부터 중심을 향하여(통상, 수축성 필름층의 주 수축 축 방향으로) 자발적으로 권취되어 2개의 통 형상 권취체가 형성되었을 때의 상태(2 방향 권취)를 도시하는 도면이다.
또, 점착 시트가 1 방향 권취를 일으키는 것인지, 또는 2 방향 권취를 일으키는 것인지는, 활성 에너지선 경화형 점착제층을 갖는 경우에는, 활성 에너지선 조사 후의 활성 에너지선 경화형 점착제층(구속층으로서의 작용을 갖는 점착제층)의 수축성 필름층에 대한 점착력이나 인장 탄성률과 두께의 곱 등에 의해 변화한다.
도 9에 있어서, 도면 부호 L은 표면 보호 테이프의 권취 방향(통상, 수축성 필름층의 주 수축 축 방향)의 길이(시트가 원 형상인 경우에는 직경)를 나타내고[도 9의 (A)], 도면 부호 r은 형성된 통 형상 권취체의 직경(시트가 원 형상 등인 경우와 같이 통 형상 권취체의 직경이 권취체의 길이 방향에 있어서 일정하지 않은 경우에는, 최대 직경)을 나타낸다[도 9의 (C), 도 9의 (D)]. 본 발명의 표면 보호 테이프에 있어서는, r/L의 값은 후술하는 실시예에 의해 정의되는 값이며, 바람직하게는 0.001∼1의 범위이다. 또, L은, 예컨대 3 ㎜∼2000 ㎜, 바람직하게는 3 ㎜∼1000 ㎜로 할 수 있다. 또, 점착제층이 없는 적층 시트는, 자발 권취성에 대해서, 점착제층을 갖는 점착 시트와 동일한 거동을 나타낸다.
점착 시트에서의 L에 직교하는 방향의 길이는, 예컨대 3 ㎜∼2000 ㎜, 바람직하게는 3 ㎜∼1000 ㎜ 정도로 할 수 있다. r/L의 값은, 수축성 필름층(2), 구속층(3)[탄성층(31) 및 강성 필름층(32)], 점착제층(4)의 각 층의 재료의 종류, 조성 및 두께 등, 특히 구속층(3)을 구성하는 탄성층(31)의 전단 탄성률 및 두께 및 강성 필름층(32)의 영률 및 두께를 조정함으로써 상기한 범위로 할 수 있다. r/L의 값은, 수축성 필름층 및 활성 에너지선 경화형 점착제층을 갖는 경우에는 활성 에너지선 경화형 점착제층의 각 층의 재료의 종류, 조성 및 두께 등, 특히 활성 에너지선 조사 후의 활성 에너지선 경화형 점착제층(구속층으로서의 작용을 갖는 점착제층)의 인장 탄성률 및 두께를 조정함으로써 상기한 범위로 할 수 있다. 이 예에서는, 표면 보호 테이프의 형상은 사각형이지만, 이것에 한정되지 않고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 원 형상, 타원 형상, 다각형 형상 등의 어떠한 것이어도 된다.
또, 본 발명에서 사용하는 표면 보호 테이프는, 시트의 권취 방향의 길이(L)가 길어져도 동일하게 권취된다. 따라서, 그 표면 보호 테이프에 가열 등의 수축 원인이 되는 자극을 부여하여 수축시켰을 때에 자발적으로 권취되어 형성되는 통 형상 권취체의 직경(r)과 그 표면 보호 테이프의 권취 방향의 길이(L)의 비(r/L)의 하한값은, 시트의 권취 방향의 길이(L)가 커질수록 작아지는 것이다.
도 10에, 표면 보호 테이프(1)가 피착체(7)에 접착되고, 그 피착체(7)와 일괄해서 다이싱된 후에, 자발 권취되는 모습의 일례를 도시한다. 도 10에 도시하는 바와 같이, 가열 등의 수축 원인이 되는 자극의 부여에 의해, 표면 보호 테이프(1)는, 일정한 직경을 갖는 통 형상 권취체가 된다. 또, 표면 보호 테이프(1)가, 활성 에너지선 경화형 점착제층 등을 갖고 있는 경우에는, 가열 등의 수축 원인이 되는 자극의 부여 전에, 또는 가열 등의 수축 원인이 되는 자극의 부여와 동시에, 활성 에너지선 조사를 행해도 된다.
도 11에, 본 발명의 방법을 이용한 칩 형성의 흐름의 일례를 도시하면, 먼저, 표면 보호 테이프를 피착체에 접합시킨다(공정 41). 계속해서, 피착체가 반도체 웨이퍼인 경우에는, 백그라인드해도 된다(공정 42). 공정 42는, 피착체가 반도체 웨이퍼인 경우에 행해지는 경우가 있으나, 행하지 않아도 된다. 다음으로, 피착체의 표면 보호 테이프를 접착한 면과 반대측의 면에 다이싱 테이프/다이싱 링을 접합시킨다(공정 43). 단, 다이싱 링은 접합시키지 않아도 된다.
공정 43에 이어, 다이싱을 행한다(공정 44). 다음으로, 표면 보호 테이프에 UV 경화성 점착제를 사용하고 있는 경우에는, UV 노광을 행한다(공정 45). 또, UV 노광은 행하지 않아도 된다. 계속해서, 표면 보호 테이프를 자발 권취에 의해 피착체로부터 박리시키기 위해서, 예컨대 가열을 행한다(공정 46). 가열 방법에는 특별히 구애되지 않고, 핫 플레이트, 히트 건, 적외선 램프 등을 적절하게 사용할 수 있다. 또 가열은 픽업 전(다이싱 테이프째)이다. 또는 가열 공정 전후에 피착체를 경사시킨다. 그 공정에 이어, 자발 권취되어 피착체로부터 박리된 표면 보호 테이프를 제거한다(공정 47). 제거 방법은, 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 불어 날려 버리거나, 흡인하는 등을 들 수 있다. 그리고, 공정 43으로부터 공정 47 사이의 임의의 1 이상의 단계에 있어서, 피절단체를 기울이는 공정을 마련하는 것이 필요하다.
피착체의 다이싱 시에 본 발명에서 바람직하게 사용되는 표면 보호 테이프를 이용하면, 박리 시의 응력에 의한 피착체의 파손을 회피할 수 있고, 예컨대 두께가 얇은 반도체 웨이퍼 등의 취약한 피착체를 다이싱하는 경우라도, 그것을 파손시키거나 오염시키지 않고서, 간이하게 표면 보호 테이프를 그 피착체로부터 박리 제거할 수 있다.
(실시예)
이하에, 실시예에 기초하여 본 발명의 방법에 사용하는 표면 보호 테이프를 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예의 표면 보호 테이프를 사용하는 것에 한정되지 않는다. 또, 탄성층 및 강성 필름층의 전단 탄성률, 탄성층의 수축성 필름에 대한 점착력은 이하와 같이 측정하였다. 또한 통 형상 권취체로서 기능하는지의 여부를 판단하는 지표인 r/L은 하기에 나타내는 방법에 의해 정의하였다.
[강성 필름층의 영률(80℃)의 측정]
강성 필름층의 영률은 JIS K 7127에 준하여 이하의 방법으로 측정하였다. 인장 시험기로서 시마쯔사 제조 오토그래프 AG-1kNG(가온 후드 부착)를 이용하였다. 길이 200 ㎜×폭 10 ㎜로 잘라낸 강성 필름을 척 간 거리 100 ㎜로 부착하였다. 가온 후드에 의해 80℃의 분위기로 한 후, 인장 속도 5 ㎜/분으로 시료를 인장하고, 응력-왜곡 상관의 측정값을 얻었다. 왜곡이 0.2%와 0.45%인 2점에 대해서 하중을 구하여 영률을 얻었다. 이 측정을 동일 시료에 대해서 5회 반복하고, 그 평균값을 채용하였다.
[탄성층의 전단 탄성률(80℃)의 측정]
탄성층의 전단 탄성률에 대해서는 이하의 방법으로 측정하였다. 각 실시예 및 비교예에 기술되어 있는 탄성층을 1.5 ㎜∼2 ㎜의 두께로 제작한 후, 이것을 직경 7.9 ㎜의 펀치로 펀칭하여, 측정용 시료를 얻었다. Rheometric Scientific사 제조의 점탄성 스펙트로미터(ARES)를 이용하여, 척압 100 g 무게, 전단을 주파수 1 ㎐로 설정하여 측정을 행하였다[스테인리스스틸제 8 ㎜ 병렬 플레이트(티에이 인스트루먼트사 제조, 형식 708.0157)를 사용]. 그리고, 80℃에서의 전단 탄성률을 측정하였다.
[탄성층의 수축성 필름에 대한 점착력의 측정]
탄성층의 수축성 필름에 대한 점착력을 180°필 박리 시험(50℃)에 의해 측정하였다. 적층 시트[점착제층(활성 에너지선 경화형 점착제층, 비활성 에너지선 경화형 점착제층)을 마련하지 않은 것 이외에는 점착 시트와 동일하게 하여 제작한 것. 단, 탄성층에 자외선 반응성 가교제를 포함하고 있으나 아직 자외선 조사하고 있지 않은 것에 대해서는, 자외선을 500 mJ/㎠의 강도로 조사한 후의 것]를 폭 10 ㎜의 크기로 절단하고, 강성 필름층(도 1의 22)측의 면을 강직 지지 기재(실리콘 웨이퍼)에 점착 테이프를 이용하여 접합시키며, 수축성 필름층측 표면에 필 박리 시험기의 인장 지그를 점착 테이프를 이용하여 접합시키고, 이것을 50℃의 가온 스테이지(히터) 상에, 강직 지지 기재가 가온 스테이지에 접촉하도록 배치하였다. 인장 지그를 180°방향으로, 인장 속도 300 ㎜/분으로 인장하고, 수축성 필름층과 탄성층 사이에서 박리가 발생했을 때의 힘(N/10 ㎜)을 측정하였다. 또, 강직 지지 기재 두께의 차이에 의한 측정 오차를 없애기 위해서, 강직 지지 기재 두께는 38 ㎛로서 규격화하였다.
[비활성 에너지선 경화형 점착제층의 실리콘 미러 웨이퍼에 대한 점착력의 측정]
하기 제조예 2 및 4에서 얻어진 2종의 비활성 에너지선 경화형 점착제의 적층체를 폴리에틸렌테레프탈레이트 기재(두께 38 ㎛)에 핸드 롤러를 이용하여 접합시켰다. 이것을 폭 10 ㎜로 절단하고, 박리 시트를 제거한 후에 4인치 미러 실리콘 웨이퍼(신에쯔 한도타이사 제조, 상품명 「CZ-N」)에 핸드 롤러로 접합시켰다. 이것을 필 박리 시험기의 인장 지그를 점착 테이프를 이용하여 접합시켰다. 인장 지그를 180°방향으로, 인장 속도 300 ㎜/분으로 인장하고, 수축성 필름층과 탄성층 사이에서 박리가 발생했을 때의 힘(N/10 ㎜)을 측정하였다.
또, 하기 제조예 1 및 3에서 얻은 활성 에너지선 경화형 점착제층에 대해서도, 측정 전에 자외선 노광을 500 mJ/㎠를 행한 것 이외에는 상기와 동일한 방법으로 4인치 미러 실리콘 웨이퍼(신에쯔 한도타이쯔 한도타이상품명 「CZ-N」)에 대한 점착력을 측정하였다. 그 결과 어떠한 점착제에 있어서도 0.3 N/10 ㎜ 이하로 박리하기에 충분히 점착력이 저하되어 있었다. 이 때문에 이하의 실시예에 있어서, 활성 에너지선 경화형 점착제층의 실리콘 웨이퍼에 대한 점착력 기재는 생략한다.
[r/L값의 측정]
하기 실시예에서 얻어진 점착 시트를 100 ㎜×100 ㎜로 절단한 후, 활성 에너지선 경화형 점착제를 이용한 것에 대해서는, 자외선을 약 500 mJ/㎠ 조ㄴ사하였다. 점착 시트의 1 단부를 수축 필름의 수축 축 방향을 따라 80℃의 온수에 침지하여, 변형을 촉진시켰다. 통 형상 권취체가 된 것에 대해서는, 직경을 정규를 이용하여 구하고, 이 값을 100 ㎜로 나누어 r/L로 하였다. 또, 점착제층이 없는 적층 시트는, 자발 권취성에 대해서 점착제층을 갖는 점착 시트와 동일한 거동을 나타낸다.
<점착제층의 제조>
제조예 1
[활성 에너지선 경화형 점착제층(1)의 제조]
아크릴계 중합체[조성: 2-에틸헥실아크릴레이트:아크릴산모르폴릴:2-히드록시에틸아크릴레이트=75:25:22(몰비)를 공중합하여 얻어진 것]의 2-히드록시에틸아크릴레이트 유래의 수산기의 50%를 메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트)와 결합시켜, 측쇄에 메타크릴레이트기를 갖는 아크릴계 중합체를 제조하였다.
이 측쇄에 메타크릴레이트기를 갖는 아크릴계 중합체 100 중량부에 대하여, 광중합성 가교제인 아로닉스 M320(도아 고세이사 제조; 트리메틸올프로판 PO 변성(n≒2)트리아크릴레이트) 15 중량부, 광개시제(치바 가이기사 제조, 상품명 「이르가큐어 651」) 1 중량부, 이소시아네이트계 가교제(상품명 「콜로네이트 L」) 1 중량부를 혼합하여 활성 에너지선 경화형 점착제를 조제하였다.
얻어진 활성 에너지선 경화형 점착제를, 애플리케이터를 이용하여 박리 시트(미쯔비시 폴리에스테르 필름(주) 제조, 상품명 「MRF38」) 상에 도공한 후, 용매 등의 휘발물을 건조시켜, 두께 35 ㎛의 활성 에너지선 경화형 점착제층이 박리 시트 상에 마련된 적층체를 얻었다.
제조예 2
[비활성 에너지선 경화형 점착제층(1)의 제조]
아크릴계 공중합체[부틸아크릴레이트:아크릴산=100:3(중량비)을 공중합하여 얻어진 것] 100 중량부에, 에폭시계 가교제(미쯔비시 가스 가가쿠사 제조, 상품명 「테트래드 C」) 0.7 중량부, 이소시아네이트계 가교제(상품명 「콜로네이트 L」) 2 중량부를 혼합하여 비에너지 경화형 점착제를 조제하였다.
얻어진 비활성 에너지선 경화형 점착제를, 애플리케이터를 이용하여 박리 시트(미쯔비시 폴리에스테르 필름(주) 제조, 상품명 「MRF38」) 상에 도공한 후, 용매 등의 휘발물을 건조시켜, 두께 30 ㎛의 비활성 에너지선 경화형 점착제층이 박리 시트 상에 마련된 적층체를 얻었다.
제조예 3
[활성 에너지선 경화형 점착제층(2)의 제조]
아크릴계 중합체[조성: 부틸아크릴레이트:에틸아크릴레이트:2-히드록시에틸아크릴레이트=50:50:20(중량비)을 공중합하여 얻어진 것]의 2-히드록시에틸아크릴레이트 유래의 수산기의 80%를 메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트)와 결합시켜, 측쇄에 메타크릴레이트기를 갖는 아크릴계 중합체를 제조하였다.
이 측쇄에 메타크릴레이트기를 갖는 아크릴계 중합체 100 중량부에 대하여, 탄소-탄소 2중 결합을 갖는 작용기를 2개 이상 포함하는 화합물로서 닛폰 고세이 가가쿠 고교사 제조, 상품명 「자광 UV1700」 100 중량부, 광개시제(치바 가이기사 제조, 상품명 「이르가큐어 184」) 3 중량부, 이소시아네이트계 가교제(상품명 「콜로네이트 L」) 1.5 중량부를 혼합하여 활성 에너지선 경화형 점착제를 조제하였다.
얻어진 활성 에너지선 경화형 점착제를, 애플리케이터를 이용하여 박리 시트(미쯔비시 폴리에스테르 필름(주) 제조, 상품명 「MRF38」) 상에 도공한 후, 용매 등의 휘발물을 건조시켜, 두께 30 ㎛의 활성 에너지선 경화형 점착제층이 박리 시트 상에 마련된 적층체를 얻었다.
제조예 4
[비활성 에너지선 경화형 점착제층(2)의 제조]
아크릴계 공중합체[부틸아크릴레이트:아크릴산=100:3(중량비)을 공중합하여 얻어진 것] 100 중량부에, 에폭시계 가교제(미쯔비시 가스 가가쿠사 제조, 상품명 「테트래드 C」) 0.7 중량부, 이소시아네이트계 가교제(상품명 「콜로네이트 L」) 2 중량부를 혼합하여 비에너지 경화형 점착제를 조제하였다.
얻어진 비활성 에너지선 경화형 점착제를, 애플리케이터를 이용하여 박리 시트(미쯔비시 폴리에스테르 필름(주) 제조, 상품명 「MRF38」) 상에 도공한 후, 용매 등의 휘발물을 건조시켜, 두께 30 ㎛의 비활성 에너지선 경화형 점착제층이 박리 시트 상에 마련된 적층체를 얻었다.
참고예 1
<수축성 필름층/구속층(탄성층/강성 필름층)/활성 에너지선 경화형 점착제로 이루어지는 보호 테이프의 제조>
에스테르계 중합체[다이셀 가가쿠사 제조 PLACCEL CD220PL:세바신산=100:10(중량비)을 공중합하여 얻어진 것] 100 중량부와 「콜로네이트 L」(가교제, 닛폰 폴리우레탄 고교사 제조) 4 중량부를 혼합하고, 아세트산에틸에 용해한 용액을, 강성 필름층으로서의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(PET 필름, 두께 38 ㎛: 도레이사 제조, 상품명 「루미러 S105」, 한쪽 면 인쇄 용이 처리품)의 인쇄 용이 비처리면에 도포·건조하여, 탄성층을 형성하였다. 그 위에 수축성 필름층(1축 연신 폴리에스테르 필름, 두께 30 ㎛: 도요보사 제조, 상품명 「스페이스클린 S7053」)을 포개고, 핸드 롤러를 이용해서 적층하여, 적층 시트(에스테르계 점착제층의 두께 30 ㎛)를 얻었다.
제조예 1에서 얻은 적층체의 활성 에너지선 경화형 점착제층(1)측을, 상기에서 얻어진 적층 시트의 강성 필름층측과 적층하였다. 얻어진 적층체를 라미네이터에 통과시켜서 밀착시켜, 수축성 필름층/구속층[탄성층(에스테르계 점착제층)/강성 필름층(PET 필름층)]/활성 에너지선 경화형 점착제층(1)/박리 시트로 이루어지는 보호 테이프를 얻었다.
<다이싱성 검토>
얻어진 보호 테이프로부터 박리 시트를 박리하고, 8인치 실리콘 미러 웨이퍼의 미러면(표면)에, 그 보호 테이프의 활성 에너지선 경화형 점착제층(1)측을 핸드 롤러로 접합시켰다. 그 후, 웨이퍼 연삭 장치(DISCO사 제조, DFG8560)로 웨이퍼 두께가 200 ㎛가 되도록 연삭하였다. 다음으로, 연삭한 측인 웨이퍼 이면에, 다이싱 테이프로서 NBD2170K-X1(닛토 덴코사 제조)을 접합시키고, 또한 다이싱 링에 접착하였다. 이 후, 웨이퍼를 5 ㎜×5 ㎜의 개편(個片)으로 하도록, 다이싱 장치(DISCO사 제조, DFD651)로 싱글 커트 다이싱(1장의 블레이드로 한 번에, 보호 테이프와 웨이퍼를 절단)하였다.
다이싱 후 육안 검사로, 하나의 개편이라도 웨이퍼 이지러짐, 깨짐이 발생했거나, 또는 보호 테이프/웨이퍼 계면에 다이싱 시의 세정수에 의한 물 침입이 보여진 것을 불량, 그렇지 않은 경우를 양호라고 판단하였다. 그 결과, 다이싱성은 양호하다고 판단하였다.
<박리성 시험>
상기 다이싱 후의 보호 테이프가 부착된 8인치 실리콘 미러 웨이퍼를, 고압 수은등을 광원으로 한 UV 노광기를 이용해서 노광(500 mJ/㎠, 15초간)하고, 90℃의 흡착 핫 플레이트에 설치하여, 박리성 시험을 행하였다. 1분 정도 경과 후, 다이싱된 모든 개편 상에서 보호 테이프가 통 형상 권취체로 변형되면서 박리되었다.
<보호 테이프의 회수·제거>
다음으로 개편화된 웨이퍼 상으로부터 보호 테이프를 회수·제거하였다. 방법은 다음의 2점으로 행하였다.
(1) 핀셋 작업
웨이퍼 표면에 상처가 나지 않도록 핀셋으로 박리 테이프를 잡고, 전체 수를 박리하는 데 필요로 하는 시간을 계측하였다.
(2) 박리 테이프 사용
8인치 웨이퍼와 동일 치수로 잘라낸 폴리에틸렌테레프탈레이트에 양면 테이프(닛토 덴코사 제조, N5000)를 붙인 박리 테이프를 준비하고, 웨이퍼 표면에 접촉하지 않도록 핸드 롤러로 접합시켜 박리하여, 개편화된 보호 테이프의 몇 %를 박리 테이프로 회수할 수 있는지를 계측하였다.
보호 테이프의 회수 결과는 표 1에 나타내는 바와 같이, (1)의 핀셋 작업에서는, 15분으로 모든 보호 테이프를 회수할 수 있었다. 보호 테이프는, 모두 거의 동일한 형태의 통 형상 권취체로 변형하고 있고, 그 통 형상 권취체는 강성을 갖고 있기 때문에, 핀셋으로의 회수는 용이하였다. 또한, (2)의 박리 테이프를 사용한 방법에 의해서도, 모든 통 형상 권취체가 거의 동일한 높이를 갖고 있고, 또한 강성이 있기 때문에, 박리 테이프에의 통 형상 권취체의 접착 누락이 없어, 100% 회수할 수 있었다.
또, 상기 수축성 필름층의 주 수축 방향의 열수축률은, 100℃에서 70% 이상이고, 에스테르계 점착제층(탄성층)의 전단 탄성률(80℃)은 2.88×105 N/㎡이며, 전단 탄성률과 두께의 곱은 8.64 N/m이다. 에스테르계 점착제층(탄성층)의 수축성 필름층에 대한 점착력(50℃)은 13 N/10 ㎜였다.
또한, PET 필름층(강성 필름층)의 80℃에서의 영률은 3.72×109 N/㎡이고, 영률과 두께의 곱은 1.41×105 N/m이다. r/L은 0.06이었다.
참고예 2
<수축성 필름층/구속층(탄성층/강성 필름층)/비활성 에너지선 경화형 점착제로 이루어지는 보호 테이프의 제조>
에스테르계 중합체[다이셀 가가쿠사 제조 PLACCEL CD220PL:세바신산= 100:10(중량비)을 공중합하여 얻어진 것] 100 중량부와 「콜로네이트 L」(가교제, 닛폰 폴리우레탄 고교사 제조) 4 중량부를 혼합하고, 아세트산에틸에 용해한 용액을, 강성 필름층으로서의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(PET 필름, 두께 38 ㎛: 도레이사 제조, 상품명 「루미러 S105, 한쪽 면 코로나 처리품)의 코로나 비처리면에 도포·건조하여, 탄성층을 형성하였다. 그 위에 수축성 필름층(1축 연신 폴리에스테르 필름, 두께 30 ㎛: 도요보사 제조, 상품명 「스페이스클린 S7053」)을 포개고, 핸드 롤러를 이용해서 적층하여, 적층 시트(에스테르계 점착제층의 두께 30 ㎛)를 얻었다.
제조예 2에서 얻은 적층체의 비활성 에너지선 경화형 점착제층(1)측을, 상기에서 얻어진 적층 시트의 강성 필름층측과 적층하였다. 얻어진 적층체를 라미네이터에 통과시켜서 밀착시켜, 수축성 필름층/구속층[탄성층(에스테르계 점착제층)/강성 필름층(PET 필름층)]/비활성 에너지선 경화형 점착제층(1)/박리 시트로 이루어지는 보호 테이프를 얻었다.
<다이싱성 검토>
얻어진 보호 테이프를 이용하여, 실시예 1과 마찬가지로, 보호 테이프가 부착된 8인치 실리콘 미러 웨이퍼를, 싱글 커트 다이싱하였다. 다이싱 후의 보호 테이프가 부착된 8인치 실리콘 미러 웨이퍼를, 실시예 1과 마찬가지로 육안 검사한 결과, 다이싱성은 양호하다고 판단하였다.
<박리성 시험>
상기 다이싱 후의 보호 테이프가 부착된 8인치 실리콘 미러 웨이퍼를, 90℃의 흡착 핫 플레이트 상에 설치하고, 박리성 시험을 행하였다. 1분 정도 경과 후, 다이싱된 모든 개편 상에서 보호 테이프가 통 형상 권취체로 변형되면서 박리되었다.
<보호 테이프의 회수·제거>
다음으로 개편화된 웨이퍼 상으로부터 보호 테이프를, 참고예 1과 마찬가지로, (1), (2)의 회수 방법으로 회수하였다.
보호 테이프의 회수 결과는, 표 1에 나타내는 바와 같이, (1)의 핀셋 작업에서는, 15분으로 모든 보호 테이프를 회수할 수 있었다. 보호 테이프는, 모두 거의 동일한 형태의 통 형상 권취체로 변형하고 있고, 그 통 형상 권취체는 강성을 갖고 있으며, 웨이퍼로부터 들떠 있기 때문에, 핀셋으로의 회수는 용이하였다.
또한, (2)의 박리 테이프를 사용한 방법에 의한 보호 테이프의 회수에 있어서도, 모든 통 형상 권취체가 거의 동일한 높이를 갖고 있고, 또한 강성이 있기 때문에, 박리 테이프에의 통 형상 권취체의 접착 누락이 없어, 100% 회수할 수 있었다.
또, 상기 수축성 필름층의 주 수축 방향의 열수축률은, 100℃에서 70% 이상이고, 에스테르계 점착제층(탄성층)의 전단 탄성률(80℃)은 2.88×105 N/㎡이며, 전단 탄성률과 두께의 곱은 8.64 N/m이다. 에스테르계 점착제층(탄성층)의 수축성 필름층에 대한 점착력(50℃)은 13 N/10 ㎜였다.
또한, PET 필름층(강성 필름층)의 80℃에서의 영률은 3.72×109 N/㎡이고, 영률과 두께의 곱은 1.41×105 N/m이다. r/L은 0.06이었다.
비교예 1
<폴리올레핀 기재/활성 에너지선 경화성 점착제층으로 이루어지는 보호 테이프의 제조>
제조예 1에서 얻은 적층체의 활성 에너지선 경화형 점착제층(1)측을, 폴리올레핀계 기재인 토레판(도레이사 제조, 양면 코로나 처리품, 두께 60 ㎛)에 적층하였다. 얻어진 적층체를 라미네이터에 통과시켜서 밀착시켜, 폴리올레핀 기재/UV 경화성 점착제/박리 시트로 이루어지는 보호 테이프를 얻었다.
<다이싱성 검토>
얻어진 보호 테이프를 이용하여, 실시예 1과 마찬가지로, 보호 테이프가 부착된 8인치 실리콘 미러 웨이퍼를, 싱글 커트 다이싱하였다. 다이싱 후의 보호 테이프가 부착된 8인치 실리콘 미러 웨이퍼를, 실시예 1과 마찬가지로 육안 검사한 결과, 다이싱성은 양호하다고 판단하였다.
<박리성 시험>
상기 다이싱 후의 보호 테이프가 부착된 8인치 실리콘 미러 웨이퍼를, 고압 수은등을 광원으로 한 UV 노광기를 이용하여 노광(500 mJ/㎠, 15초간)하고, 90℃의 흡착 핫 플레이트 상에 설치하여, 박리성 시험을 행하였다. 1분 정도 경과 후, 개편 상에서 보호 테이프에 부정형으로 약간의 변형이 발생하였으나, 육안상 박리는 일어나고 있지 않았다.
<보호 테이프의 회수>
다음으로 개편화된 웨이퍼 상으로부터 보호 테이프를, 실시예 1과 마찬가지로, (1), (2)의 회수 방법으로 회수하였다.
보호 테이프의 회수 결과는, 표 1에 나타내는 바와 같이, (1)의 핀셋 작업에서는, 1시간 후에도 완료되지 않아 매우 곤란하였다. 보호 테이프는, 각각 랜덤하게 변형하고 있고, 웨이퍼로부터의 들뜸도 불충분하여, 핀셋으로의 회수는 곤란하였다.
또한, (2)의 박리 테이프를 사용한 방법에 의한 보호 테이프의 회수에 있어서도, 테이프에 부정형으로 약간의 변형이 발생한 것에 불과하기 때문에, 박리 테이프에의 접착이 불충분하여, 13%밖에 회수할 수 없었다.
다이싱성 박리성(1)
핀셋 작업
박리성(2)
박리 테이프 사용
참고예 1 양호 15분 100%
참고예 2 양호 15분 100%
비교예 1 양호 1시간 후에도 완료되지 않음 13%
실시예 1
<수축성 필름층/구속층(탄성층/강성 필름층)/활성 에너지선 경화형 점착제로 이루어지는 보호 테이프의 제조>
아크릴계 중합체(다이이치 레이스사 제조, 상품명 「레오코트 R1020S」) 100 중량부, 펜타에리스리톨 변성 아크릴레이트 가교제(닛폰 가야쿠사 제조, 상품명 「DPHA40H」) 10 중량부, 「테트래드 C」(가교제, 미쯔비시 가스 가가쿠사 제조) 0.25 중량부, 「콜로네이트 L」(가교제, 닛폰 폴리우레탄 고교사 제조) 2 중량부, 「이르가큐어 651」(광개시제, 치바 가이기사 제조) 3 중량부를 메틸에틸케톤에 용해한 폴리머 용액을, 강성 필름층으로서의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(PET 필름, 두께 38 ㎛: 도레이사 제조, 상품명 「루미러 S10」)의 한쪽 면에 도포·건조하여, 탄성층을 형성하였다. 또한, 그 위에 수축성 필름층(1축 연신 폴리에스테르 필름, 두께 60 ㎛: 도요보사 제조, 상품명 「스페이스클린 S5630」)을 포개고, 핸드 롤러를 이용해서 적층하여, 적층 시트(아크릴계 점착제층의 두께 30 ㎛)를 얻었다.
제조예 3에서 얻은 활성 에너지선 경화형 점착제층(2)/박리 시트로 이루어지는 적층체의, 활성 에너지선 경화형 점착제층(2)측을, 상기에서 얻어진 적층 시트의 강성 필름층측과 적층하였다.
얻어진 적층체를 라미네이터에 통과시켜서 밀착시켜, 수축성 필름층/구속층[아크릴계 점착제층(탄성층)/PET 필름층(강성 필름층)]/활성 에너지선 경화형 점착제층(1)/박리 시트로 이루어지는 보호 테이프를 얻었다.
실시예 2
<수축성 필름층/구속층(탄성층/강성 필름층)/비활성 에너지선 경화형 점착제층(2)으로 이루어지는 보호 테이프의 제조>
실시예 1에 있어서, 활성 에너지선 경화형 점착제층(2)을 제조예 4에서 얻은 비활성 에너지선 경화형 점착제층(2)으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 보호 테이프를 얻었다.
또, 실시예 1, 2에 있어서, 상기 열수축성 필름의 주 수축 방향의 열수축률은, 100℃에서 70% 이상이었다. 또한, 아크릴계 점착제층(탄성층)의 전단 탄성률(80℃)은 0.72×106 N/㎡이고, 전단 탄성률과 두께의 곱은 21.6 N/m이며, 아크릴계 점착제층(탄성층)의 수축성 필름층에 대한 점착력(50℃)은 4.4 N/10 ㎜였다. 또한, PET 필름층(강성 필름층)의 80℃에서의 영률은 3.72×109 N/㎡이고, 영률과 두께의 곱은 1.41×105 N/m였다. r/L은 0.045였다.
비교예 2
폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(PET 필름, 두께 50 ㎛: 도레이사 제조, 상품명 「루미러 S105」)의 접착 용이 처리면측을, 제조예 3에서 얻은 적층체의 활성 에너지선 경화형 점착제층(2)측과 적층하였다. 얻어진 적층체를 라미네이터에 통과시켜서 밀착시켜, 기재 필름층/활성 에너지선 경화형 점착제층/박리 시트로 이루어지는 보호 테이프를 얻었다.
비교예 3
비교예 2에 있어서, 활성 에너지선 경화형 점착제층(2)을 제조예 4에서 얻은 비활성 에너지선 경화형 점착제층(2)으로 한 것 이외에는, 비교예 2와 동일한 보호 테이프를 얻었다.
비교예 4
비교예 2에 있어서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 에틸렌아세트산비닐 공중합체(미쯔이 듀퐁사 제조, 「에바프렉스 P1007」)를 압출 성형으로 100 ㎛의 두께로 한 필름에 코로나 처리에 의해 접착 용이 처리한 것으로 한 것 이외에는, 비교예 2와 동일한 보호 테이프를 얻었다.
비교예 5
비교예 2에 있어서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을, 저분자량 폴리에틸렌을 압출 성형으로 100 ㎛의 두께로 한 필름에 코로나 처리에 의해 접착 용이 처리한 것으로 변경한 것 이외에는, 비교예 1과 동일한 보호 테이프를 얻었다.
<백그라인드 공정>
실시예 1, 2 및 비교예 2∼5에서 얻어진 보호 테이프를 핸드 롤러로 8인치 실리콘 미러 웨이퍼에 접착하였다. 그 후, 이하의 조건으로 백그라인드하여, 소정의 두께의 실리콘 웨이퍼와 보호 테이프의 적층체를 얻었다.
백그라인드 조건
장치: 디스코사 제조, 상품명 「DFG-8560」
Z1 휠: 디스코사 제조, 상품명 「GF-01-SD360-VS-100」 #360 지립
Z2 휠: 디스코사 제조, 상품명 「BGT270IF-01-1-4/6-B-K09」 #2000 지립
Z2 연삭량: 50 ㎛
웨이퍼 마무리 두께: 250 ㎛
<다이싱 테이프 접착 공정>
백그라인드 공정에서 얻어진 실리콘 웨이퍼와 실시예 1, 2 및 비교예 3∼6의 보호 테이프의 적층체의 보호 테이프와 반대측의 면(실리콘 웨이퍼측)에, 핸드 롤러로, 다이싱 테이프(닛토 덴코사 제조, NBD-2170K-X1)를 접착하여, 각각의 적층체에 대해서 다이싱용 시료를 얻었다.
<다이싱 공정>
다이싱 테이프 접착 공정에서 얻어진 각 다이싱용 시료에, 이하의 조건으로 다이싱을 실시해서 칩 형상으로 하여, 칩이 부착된 워크를 얻었다.
다이싱 조건
장치: 디스코사 제조, 상품명 「DFD-651」
다이싱 블레이드: 디스코사 제조 NBC-ZH205O-27HEEE
다이싱 스피드: 80 ㎜/sec
블레이드 회전수: 40000 rpm
블레이드 높이: 50 ㎛
절삭 수량: 1 L/min
칩 사이즈: 10 ㎜×10 ㎜
<보호 테이프에의 자외선 조사>
계속해서, 활성 에너지선 경화형 점착제층을 이용하고 있는, 실시예 1, 비교예 2, 4, 5에 대해서, 보호 테이프측으로부터 하기 조건으로 자외선을 조사하였다.
자외선 조사 조건
장치: 닛토 세이키사 제조, 상품명 「NEL UM-810」
자외선 조도: 20 mW/㎠
자외선 광량: 1000 mJ/㎠
<보호 테이프의 가열·제거>
(1) 열풍에 의한 보호 테이프 제거
상기에서 얻어진, 실시예 1, 2 및 비교예 2∼5에서 얻어진 보호 테이프를 접착한 칩이 부착된 워크를, 다이싱 테이프측이 접하도록, 핫 플레이트 상에 설치·흡착하였다. 그 핫 플레이트는, 표면 온도 60℃로 한 흡착 기구를 갖는 것을 사용하였다.
계속해서, 드라이어(이시자키 덴키 세이사쿠쇼사 제조, 플라제트, PJ214A)를 이용하여, 보호 테이프측으로부터 보호 테이프 표면 온도가 80℃가 되도록, 45도의 각도로 열풍을 3분간 쏘였다.
그 후, 열풍을 멈추고, 칩이 부착된 워크를 핫 플레이트로부터 제거하여, 보호 테이프의 박리 성공수를 육안으로 세었다. [박리 성공수]를 [칩이 부착된 워크 상의 전체 칩수]로 나눈 값을, 열풍에 의한 보호 테이프 제거 성공률로 하였다. 그리고, 칩이 부착된 워크를 수평으로 놓은 경우의 칩과 보호 테이프의 접착력과, 칩이 부착된 워크를 수직이나 반전 등으로 기울여 놓은 경우의 칩과 보호 테이프의 접착력 사이에는 실질적인 차이는 없기 때문에, 칩이 부착된 워크를 수직이나 반전 등으로 기울여 보호 테이프를 제거한 제거 성공률의 결과는, 실시예와 같이 칩이 부착된 워크를 수평으로 놓고 실험한 보호 테이프의 제거 성공률에 관한 결과에 기초하여 확인할 수 있다.
(2) 박리 테이프에 의한 보호 테이프 제거
상기에서 얻어진, 실시예 1, 2 및 비교예 2∼5에서 얻어진 보호 테이프를 접착한 칩이 부착된 워크를, 다이싱 테이프측이 접하도록, 핫 플레이트 상에 설치·흡착하였다. 그 핫 플레이트는, 표면 온도 60℃로 한 흡착 기구를 갖는 것을 사용하였다.
계속해서, 보호 테이프 표면 온도가 80℃가 되도록 핫 플레이트의 온도를 제어하고, 3분간 방치하였다. 그 후, 보호 테이프 표면에, 박리 테이프(닛토 덴코사 제조, 상품명 「ELP BT-315」)를 230 ㎜, 약 4 ㎏의 핸드 롤러를 이용하여 접착하고, 30초 정치(靜置)시킨 후, 박리 각도 약 120도, 박리점 이동 속도 300 ㎜/min으로 박리하였다.
그 후, 칩이 부착된 워크를 핫 플레이트로부터 제거하고, 보호 테이프의 박리 성공수를 육안으로 세었다. [박리 성공수]를 [칩이 부착된 워크 상의 전체 칩수]로 나눈 값을 박리 테이프에 의한 보호 테이프 제거 성공률로 하였다.
실시예 1, 2 및 비교예 2∼5에 있어서, 보호 테이프 제거 실험을 실시한 결과를 표 2에 나타낸다. 비교예 2∼5에서는, 모두 박리 계기를 얻기 어려워, 보호 테이프 제거율은 낮았다. 실시예 1, 2에서는, 보호 테이프를 완전히 제거할 수 있었다. 그리고, 이 결과로부터 보아, 실시예 1, 2에 있어서, 보호 테이프 제거 시에 칩이 부착된 워크를 기울여도, 보호 테이프를 확실하게 제거할 수 있는 것은 당업자가 충분히 이해할 수 있는 것이다.
점착제층 기재 열풍에 의한 보호 테이프 제거율 박리 테이프에 의한 보호 테이프 제거율
실시예 1 UV 자발 권취성 100% 100%
실시예 2 PSA 자발 권취성 100% 100%
비교예 2 UV PET 5% 30%
비교예 3 PSA PET 0% 5%
비교예 4 UV EVA 0% 10%
비교예 5 UV PE 3% 20%
1: 표면 보호 테이프
1': 가열 등의 수축 원인이 되는 자극의 부여에 의한, 변형 후의 표면 보호 테이프
10∼15: 표면 보호 테이프의 일례의 적층체
2: 수축성 필름층 3: 구속층
31: 탄성층 32: 강성 필름층
33: 활성 에너지선 경화형 점착제층 4: 점착제층
5: 박리 라이너 6: 중간층
7: 웨이퍼 등의 피착체 8: 다이싱 테이프
9: 다이싱용 시료 19: 다이싱 링
101: 종래예의 표면 보호 테이프
101': 종래예의 가열 변형 후의 표면 보호 테이프
109: 종래예의 다이싱용 시료

Claims (15)

  1. 피절단체의 한쪽 면에 자극에 의해 박리 용이성을 발현하는 다이싱 표면 보호용 테이프를 접착하여 복합체로 한 후, 상기 다이싱 표면 보호용 테이프측을 상면이 되도록 상기 복합체를 위치시키고, 상기 다이싱 표면 보호용 테이프측으로부터 피절단체를 절단하며, 계속해서, 상기 다이싱 표면 보호용 테이프에 자극을 부여하여 박리가 용이해지도록 하는 공정(A), 상기 복합체를 반전시키기까지의 임의의 각도로 기울이는 공정(B), 상기 복합체로부터 절단된 상기 다이싱 표면 보호용 테이프만을 박리 제거하는 공정(C)의, A∼C의 공정을 순서대로 행하거나, B, A, C의 순서로 행하거나, 또는 B 후에 A 공정과 C 공정을 동시에 행하는 피절단체로부터의 다이싱 표면 보호 테이프의 박리 제거 방법.
  2. 피절단체의 한쪽 면에 자극에 의해 박리 용이성을 발현하는 다이싱 표면 보호용 테이프를 접착하여 복합체로 한 후, 상기 다이싱 표면 보호용 테이프측을 하면이 되도록 상기 복합체를 위치시키고, 상기 다이싱 표면 보호용 테이프측으로부터 피절단체를 절단하며, 계속해서, 상기 다이싱 표면 보호용 테이프에 자극을 부여하여 박리가 용이해지도록 하는 공정(A), 상기 복합체로부터 절단된 상기 다이싱 표면 보호용 테이프만을 박리 제거하는 공정(C)의, A와 C의 공정을 순서대로 행하거나, 또는 A와 C의 공정을 동시에 행하는 피절단체로부터의 다이싱 표면 보호 테이프의 박리 제거 방법.
  3. 제1항에 있어서, B 공정을 로봇 암, 복합체의 유지 장치에 설치한 회전축 또는 시트 형상물의 반전 장치에 의해 행하는 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 다이싱 표면 보호용 테이프에 박리 용이성을 발현시키는 자극이 열, 자외선 또는 전자파인 방법.
  5. 제4항에 있어서, 열에 의한 자극이 가열된 기체, 액체, 고체의 열 매체와 접촉시키는 것, 적외선의 조사 중 어느 하나 이상의 수단에 의한 자극인 방법.
  6. 제5항에 있어서, 열에 의한 자극이 가열된 기체, 질소 가스, 물의 분무에 의한 수단, 가열된 기체, 질소 가스, 물을 넣은 용기에 침지하는 수단, 적외선 램프, 적외선 레이저, 적외선 LED에 의한 적외선의 조사, 플레이트 히터, 밴드 히터, 리본 히터에 의한 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 보호 테이프의 박리 제거 수단이 기압차에 의해 테이프를 흡인하는 수단인 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 보호 테이프의 박리 제거 수단이 기압차에 의해 테이프를 불어 날려 버리는 수단인 방법.
  9. 제8항에 있어서, 기압차에 의해 테이프를 불어 날려 버리는 수단이 가열된 기체를 이용하는 수단인 방법.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 기압차에 의해 테이프를 불어 날려 버리는 수단이 기체와 함께 유연한 수지구(樹脂球)로 이루어지는 담체를 이용하는 수단인 방법.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 보호 테이프의 박리 제거 수단이 피절단체의 이면으로부터 진동을 부여하는 수단을 병용하는 수단인 방법.
  12. 제11항에 있어서, 피절단체의 이면으로부터 진동을 부여하는 수단이 초음파 진동자인 방법.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 보호 테이프의 박리 제거 수단이 보호 테이프를 대전된 물체에 정전기력에 의해 흡착시키는 수단인 방법.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 자극에 의해 박리 용이성을 발현하는 다이싱 표면 보호용 테이프가 자극에 의해 수축됨으로써 박리가 용이해지는 다이싱 표면 보호용 테이프, 자극에 의해 발포제 함유 접착제층이 발포됨으로써 박리가 용이해지는 다이싱 표면 보호용 테이프, 자극에 의해 권취됨으로써 박리가 용이해지는 다이싱 표면 보호용 테이프 중 어느 하나인 방법.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 피절단체가 반도체 웨이퍼, 유리판, 수지판 중 어느 하나인 방법.
KR1020100083517A 2009-08-31 2010-08-27 피절단체로부터의 다이싱 표면 보호 테이프의 박리 제거 방법 KR101250149B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2009-200231 2009-08-31
JP2009200231A JP2011054641A (ja) 2009-08-31 2009-08-31 被切断体からのダイシング表面保護テープの剥離除去方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110023811A true KR20110023811A (ko) 2011-03-08
KR101250149B1 KR101250149B1 (ko) 2013-04-04

Family

ID=43623089

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100083517A KR101250149B1 (ko) 2009-08-31 2010-08-27 피절단체로부터의 다이싱 표면 보호 테이프의 박리 제거 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20110048641A1 (ko)
JP (1) JP2011054641A (ko)
KR (1) KR101250149B1 (ko)
CN (1) CN102005364B (ko)
TW (1) TWI423321B (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9315006B2 (en) 2013-10-15 2016-04-19 Samsung Display Co., Ltd. Film peeling apparatus
KR20190051123A (ko) * 2017-11-06 2019-05-15 한국표준과학연구원 2차원 박리층을 이용하여 대상층을 기판에서 박리하는 방법
KR20200034120A (ko) * 2018-09-21 2020-03-31 주식회사 넵시스 레이저와 점착필름을 이용한 유리기판 절단방법
WO2021241935A1 (ko) * 2020-05-25 2021-12-02 (주) 엔지온 반도체 칩 디라미네이션 장치 및 이의 제어 방법
WO2022039349A1 (ko) * 2020-08-18 2022-02-24 (주) 엔지온 반도체 칩 디라미네이션 장치

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9956755B2 (en) * 2011-04-12 2018-05-01 Tokyo Electron Limited Separation method, separation apparatus, and separation system
JP5646395B2 (ja) * 2011-06-08 2014-12-24 信越ポリマー株式会社 ウェーハ保持ジグ
US8858756B2 (en) 2011-10-31 2014-10-14 Masahiro Lee Ultrathin wafer debonding systems
JP6134507B2 (ja) * 2011-12-28 2017-05-24 ローム株式会社 チップ抵抗器およびその製造方法
JP2013141651A (ja) * 2012-01-11 2013-07-22 Lintec Corp エネルギー線照射装置
JP2013147621A (ja) * 2012-01-23 2013-08-01 Nitto Denko Corp 貼り合わされた2枚の板の分離方法
JP2013181064A (ja) 2012-02-29 2013-09-12 Nitto Denko Corp 自発巻回性粘着フィルム
JP2013181063A (ja) 2012-02-29 2013-09-12 Nitto Denko Corp 自発巻回性粘着フィルム
CN104247580A (zh) * 2012-04-19 2014-12-24 株式会社安川电机 机器人系统
KR102176802B1 (ko) * 2013-03-11 2020-11-10 린텍 가부시키가이샤 점착 시트 및 가공된 디바이스 관련 부재의 제조 방법
US20150028570A1 (en) * 2013-07-24 2015-01-29 Faurecia Interior System, Inc. Airbag tear seams formed by irradiation
TWI545019B (zh) * 2013-10-28 2016-08-11 鴻海精密工業股份有限公司 撕膜機構
WO2015129131A1 (ja) * 2014-02-25 2015-09-03 シャープ株式会社 半導体装置
CN105097431A (zh) * 2014-05-09 2015-11-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种晶圆正面的保护方法
DE102015006971A1 (de) * 2015-04-09 2016-10-13 Siltectra Gmbh Verfahren zum verlustarmen Herstellen von Mehrkomponentenwafern
JP6813336B2 (ja) * 2016-11-02 2021-01-13 昭和電工パッケージング株式会社 ラミネート材の加工方法
TWI604997B (zh) * 2016-12-22 2017-11-11 申金科技股份有限公司 膠帶拆封方法及其設備
WO2018137735A1 (de) * 2017-01-26 2018-08-02 Gross, Leander Kilian Verfahren und vorrichtung zum trennen verschiedener materialschichten eines verbundbauteils
KR102487552B1 (ko) 2018-02-05 2023-01-11 삼성전자주식회사 보호막 조성물 및 이를 이용한 반도체 패키지 제조 방법
JP6916525B2 (ja) * 2018-02-06 2021-08-11 株式会社ブイ・テクノロジー Ledディスプレイの製造方法
JP7265430B2 (ja) * 2019-07-02 2023-04-26 株式会社ディスコ 処理装置
JP7382171B2 (ja) * 2019-08-09 2023-11-16 株式会社ディスコ 樹脂シートの剥離方法
CN112845201B (zh) * 2020-12-05 2022-03-22 唐山学院 一种多功能自动化除尘装置
WO2023195445A1 (ja) * 2022-04-06 2023-10-12 日東電工株式会社 表面保護用組成物、表面保護シート、及び、電子部品装置の製造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6461208A (en) * 1987-09-01 1989-03-08 Fsk Kk Cutting method of wafer
JPH0635473Y2 (ja) * 1989-10-30 1994-09-14 シャープ株式会社 半導体用保護シート
JPH09330940A (ja) * 1996-06-13 1997-12-22 Sony Corp 半導体装置の製造方法
KR100192389B1 (ko) 1996-06-29 1999-06-15 구본준 웨이퍼 뒷면 연삭공정 후의 웨이퍼 전면 보호용 테이프 제거장치
JPH1027836A (ja) * 1996-07-11 1998-01-27 Sony Corp 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
US6149758A (en) * 1997-06-20 2000-11-21 Lintec Corporation Sheet removing apparatus and method
KR19990069593A (ko) * 1998-02-11 1999-09-06 윤종용 웨이퍼 소잉 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 소잉 방법
JP3537670B2 (ja) * 1998-07-24 2004-06-14 松下電器産業株式会社 半導体チップの製造方法とダイシングテープ
KR20030038264A (ko) * 2001-11-10 2003-05-16 삼성전자주식회사 테이프 제거 공정용 반도체 제조장치 및 그 공정
JP2003197567A (ja) * 2001-12-27 2003-07-11 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP3753421B2 (ja) * 2002-01-17 2006-03-08 リンテック株式会社 半導体ウエハの加工方法
US7129114B2 (en) * 2004-03-10 2006-10-31 Micron Technology, Inc. Methods relating to singulating semiconductor wafers and wafer scale assemblies
TWI248423B (en) * 2005-01-07 2006-02-01 Asia Optical Co Inc Method for cutting plate glass
JP2006196823A (ja) * 2005-01-17 2006-07-27 Renesas Technology Corp 半導体素子の製造方法
JP4326519B2 (ja) * 2005-03-31 2009-09-09 日東電工株式会社 保護テープ剥離方法およびこれを用いた装置
JP4468884B2 (ja) * 2005-12-09 2010-05-26 リンテック株式会社 テープ貼付装置、マウント装置及びマウント方法
JP4151850B2 (ja) * 2006-11-10 2008-09-17 日東電工株式会社 自発巻回性積層シート及び自発巻回性粘着シート
US8629532B2 (en) * 2007-05-08 2014-01-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor wafer with assisting dicing structure and dicing method thereof
JP5286085B2 (ja) * 2007-07-19 2013-09-11 積水化学工業株式会社 ダイシング−ダイボンディングテープ及び半導体チップの製造方法
JP2010129622A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9315006B2 (en) 2013-10-15 2016-04-19 Samsung Display Co., Ltd. Film peeling apparatus
KR20190051123A (ko) * 2017-11-06 2019-05-15 한국표준과학연구원 2차원 박리층을 이용하여 대상층을 기판에서 박리하는 방법
KR20200034120A (ko) * 2018-09-21 2020-03-31 주식회사 넵시스 레이저와 점착필름을 이용한 유리기판 절단방법
WO2021241935A1 (ko) * 2020-05-25 2021-12-02 (주) 엔지온 반도체 칩 디라미네이션 장치 및 이의 제어 방법
WO2022039349A1 (ko) * 2020-08-18 2022-02-24 (주) 엔지온 반도체 칩 디라미네이션 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20110048641A1 (en) 2011-03-03
CN102005364B (zh) 2013-01-16
KR101250149B1 (ko) 2013-04-04
TWI423321B (zh) 2014-01-11
TW201115640A (en) 2011-05-01
JP2011054641A (ja) 2011-03-17
CN102005364A (zh) 2011-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101250149B1 (ko) 피절단체로부터의 다이싱 표면 보호 테이프의 박리 제거 방법
TWI423320B (zh) Method for removing peeling from surface protection tape for crystal cutting and surface protection tape for crystal cutting
JP4151850B2 (ja) 自発巻回性積層シート及び自発巻回性粘着シート
US20110237050A1 (en) Method for processing wafer
EP1921120B1 (en) Self-rolling laminated sheet and self-rolling pressure-sensitive adhesive sheet
WO2010047272A1 (ja) 自発巻回性粘着シート
US20100252185A1 (en) Removable pressure sensitive adhesive sheet and method for processing adherend using the same
EP2634228A2 (en) Self-rolling adhesive film
KR20100119725A (ko) 다이 어태치 필름 부착형 다이싱 테이프 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2011224853A (ja) フィルム及び粘接着シート
KR20130099853A (ko) 자발 권취성 점착 필름
JP2014214157A (ja) エネルギー線硬化型自発巻回性粘着テープ
JP5451107B2 (ja) 自発巻回性積層シート及び自発巻回性粘着シート
KR102188284B1 (ko) 마스크 일체형 표면 보호 테이프
TW201403694A (zh) 基板之切割方法
WO2004107423A1 (ja) 貫通構造を有する薄膜化回路基板の製造方法と保護用粘着テープ
JP2010106106A (ja) 自発巻回性粘着シート及び自発巻回性粘着シートを使用した被着体の加工方法
WO2022019158A1 (ja) バックグラインド用粘着性フィルムおよび電子装置の製造方法
JP2013175771A (ja) ダイシング用表面保護テープの剥離除去方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee