KR20110015550A - 반도체 소자, 반사광 배리어 및 그를 위한 하우징 제조 방법 - Google Patents

반도체 소자, 반사광 배리어 및 그를 위한 하우징 제조 방법 Download PDF

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KR20110015550A
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마이클 지트즐스퍼거
토마스 제일러
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오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
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Abstract

본 출원은 반도체 소자, 반사광 배리어 및 반사광 배리어용 하우징의 제조 방법에 관한 것으로, 이 때 하우징 하부 부품(5)은 모놀리식이며 적어도 2개의 캐비티(6, 7)를 포함하고, 상기 캐비티에 방사체(3) 및 검출기(4)가 삽입된다.

Description

반도체 소자, 반사광 배리어 및 그를 위한 하우징 제조 방법{SEMICONDUCTOR COMPONENT, REFLECTED-LIGHT BARRIER AND METHOD FOR PRODUCING A HOUSING THEREFOR}
본 특허 출원은 독일 특허 출원 10 2008 025159.3을 기초로 우선권을 주장하며, 그 공개 내용은 참조로 포함된다.
본 출원은 반도체 소자, 반사광 배리어 및 하우징의 제조 방법에 관한 것으로, 이 때 모놀리식 하우징 하부 부품이 제공되고, 상기 하우징 하부 부품은 적어도 2개의 캐비티를 포함하며, 상기 캐비티에 각각 적어도 하나의 반도체칩이 삽입되고, 상기 하우징 하부 부품은 방출된 전자기 복사를 흡수하거나 반사하는 역할을 한다.
특정한 영역 내에서 물체를 검출하기 위해 광 배리어가 사용된다. 광 배리어는 방사체 및 검출기를 구비한 전자 광학 시스템이다. 이하에서, 전자기 복사 방출 반도체칩이 방사체로서 간주된다. 방사체는 송신체 또는 복사원이라고도 한다. 방출 반도체칩은 예컨대 적외 복사 또는 가시광을 방출할 수 있고, 바람직하게 발광다이오드 또는 레이저다이오드이다. 그에 반해 검출기는 전자기 복사 검출 반도체칩이고, 이러한 반도체칩은 센서 또는 수신체라고도 한다. 검출기는 방사체의 방출된 복사에 대해 민감하다. 바람직하게, 검출 반도체칩은 포토트랜지스터, 포토저항 또는 포토다이오드이다.
이하, 광 배리어의 작동 원리가 약술된다. 방사체는 특정한 파장 영역에서 그에 상응하는 광 세기(I)를 가진 전자기 복사를 방출한다. 검출기는 적어도 이러한 특정한 파장 영역의 복사에 대해 민감하다. 광 배리어에서 검출될 대상에 따라 방사체와 검출기 사이의 빔 경로가 변경된다. 검출기에는 도달한 복사의 휘도 변경 결과가 기록된다. 이러한 기록은 이후의 단계에서 전기적 회로 신호로 변환되고, 상기 신호는 이후에 계속 처리된다.
휘도(L)는 표면적으로 발광하는 면의 면적(A)에 대한 방출 광세기(I)의 비율로 정의된다. 휘도는 제곱미터(㎡) 당 SI 단위 칸델라(cd)를 포함한다. 휘도는 라디오미터의 단위 Watt*meter-2*steradian-1 또는 W·m-2·sr-1로 복사 밀도 L(λ)의 광도계적인 대응값이다.
원칙적으로, 광 배리어는 일방향광 배리어(one way light barrier)와 반사광 배리어에서 구분된다. 일방향광 배리어는 방사체와 검출기가 대향되고, 이 때 방사체의 주 방출 방향이 직접적으로 검출기의 방향에 위치한다. 따라서, 검출기는 방사체에 의해 발생한 휘도를 항상 검출한다. 방사체와 검출기 사이의 빔 경로에 물체가 위치하면, 빔 경로가 끊긴다. 그 결과로서 방사체의 방출된 복사가 미검출되는 것이, 이후의 처리 유닛에서 평가된다.
일방향광 배리어와 달리, 반사광 배리어의 경우 방사체와 검출기가 대향되지 않고, 바람직하게 공통의 하우징에 위치한다. 이를 통해, 구성이 보다 덜 소모적이게 된다. 원칙적으로, 반사광 배리어에서 물체의 검출을 위한 2개의 방법이 구분된다.
제1방법의 경우, 반사 부재가 제1측에 배치되고, 방사체 및 검출기를 포함한 하우징이 대향된 측에 배치된다. 부재 및 하우징은, 물체에 의해 빔 경로가 중단되어 검출기에서의 휘도 변화를 야기하도록 정렬된다.
또는, 반사체가 사용되지 않는다. 물체가 방사체의 빔 경로에 위치하면, 방사체의 복사는 물체에 도달하여, 상기 물체의 표면 형상에 의해 상기 물체 표면에서 산란된다. 이러한 산란에 의해, 방출된 복사의 일부가 검출기상에 도달한다. 검출기에는 휘도 변화가 기록된다.
검출기와 방사체는 하우징 내부의 캐리어 상에 부속되는 경우가 많아지고 있다. 검출기와 방사체가 하우징에 부속하면, 광학적 신호 경로의 단락이 방지될 수 있다. 방출기로부터 검출기까지의 직접적 빔 경로는 중단될 수 있다. 이를 위해, 이제까지는 광학적 배리어가 하우징에 삽입되고, 상기 배리어가 방사체와 검출기 사이에 배치된다. 이러한 배리어는 차후에 접착제를 이용하여 하우징에 삽입된다. 그러나, 사용되는 접착제는 방출된 전자기 복사에 대해 투명하다. 따라서, 이러한 배리어에 의해, 광학적 신호 경로가 단락되는 경우를 배제할 수 없다.
본 발명의 과제는 반도체 소자, 반사광 배리어 및 반사광 배리어용 하우징의 제조 방법을 제공하는 것이며, 상기 반사광 배리어는 매우 간단히 구현될 수 있고, 광학적 신호 경로의 직접적 단락을 방지한다.
이러한 과제는 독립항에 기술된 특징들에 의하여 해결된다.
이를 위해, 모놀리식 하우징 하부 부품을 포함한 반도체 소자가 제공된다. 하우징 하부 부품은 상측, 그리고 적어도 제1 및 제2캐비티를 포함하고, 이 때 캐비티는 하우징 하부 부품의 상측쪽으로 개방되어 있다. 제1캐비티에는 적어도 하나의 전자기 복사 방출 반도체칩이 배치된다. 제2캐비티에는 적어도 하나의 전자기 복사 검출 반도체칩이 배치된다. 하우징 하부 부품은 방출된 전자기 복사를 흡수하거나 반사하는 물질로 구성된다.
하우징 하부 부품의 모놀리식 형성, 바꾸어 말하면 일체형 형성에 의해 방출 반도체칩과 검출 반도체칩 간의 양호한 광학적 분리가 제공된다. 이제, 광학적 신호 경로의 단락은 더 이상 불가능하다. 하우징 하부 부품이 모놀리식으로 형성됨으로써, 부가적인 배리어가 접착제를 이용하여 하우징 조립체에 삽입될 수 없다. 따라서 구성이 간단하고 비용 효과적으로 구현된다.
다른 실시예에서, 반도체 소자는 반도체칩이 배치된 도전로 프레임을 포함한다. 도전로 프레임은 방출되거나 검출될 복사에 대해 불투과성이다. 또한, 도전로 프레임은 반도체 소자의 적어도 일 측에 의해 직접 전기 전도적으로 접촉될 수 있다.
방출 반도체칩과 검출 반도체칩이 칩의 후방측에서 활성화되므로, 칩의 후방측에서도 복사가 방출되거나 검출될 수 있어서, 이와 같이 형성된 도전로 프레임에 의해 방출된 복사가 후방측의 검출 부재에 커플링되는 경우가 방지된다. 도전로 프레임이 도체판의 구성 요소이면, 상기 프레임의 물질은 방출되고 검출되는 복사를 흡수하거나 반사한다. 부가적으로, 도전로 프레임에 의해 반도체칩의 전기 접촉이 이루어진다.
다른 실시예에서, 하우징 하부 부품은 사출 성형 방법 또는 이송 성형 방법을 이용하여 제조된다. 이러한 방법을 이용하면, 하우징 하부 부품에 부가적 배리어가 제공될 필요 없이, 캐비티를 포함한 하우징 하부 부품이 매우 간단히 형성될 수 있다.
다른 실시예에서, 방출 및 검출될 복사에 대해 적어도 부분적으로 투명한 하우징 상부 부품이 더 제공된다. 이러한 하우징 상부 부품에 의해 우선 반도체칩의 보호가 제공된다. 방출되고 검출된 전자기 복사가 차단되는 경우를 방지하기 위해, 하우징 상부 부품은 적어도 부분적으로 투명하다. 부가적으로, 하우징 상부 부품에 의해 전달 매질인 공기와의 광학적 결합이 개선된다. 하우징 상부 부품이 직접 캐비티에 삽입되고, 상기 삽입에 의해 하우징 상부 부품과 하우징 하부 부품 사이에 충분한 부착력이 얻어지므로, 부가적인 접착제의 사용 또는 삽입이 불필요하다. 결론적으로, 이러한 반도체 소자는 더 비용 효과적으로 제조된다.
다른 실시예에서, 하우징 상부 부품은 부가적으로 광학 부재를 구비한다. 광학 부재로서 예컨대 렌즈 또는 렌즈 어레이가 고려될 수 있다. 광학 부재에 의해, 방출 및 검출될 복사가 집속되거나/집속되고 방향 전환된다. 이는 방사체측에서 복사가 집약적으로 방출되도록 하여, 반도체 소자가 더 높은 도달 거리를 가진다. 검출기측에서 광학 부재에 의해 전자기 복사의 검출이 개선된다.
다른 실시예에서, 반도체 소자는 하우징 하부 부품의 제3캐비티에서 제3반도체칩을 더 포함한다. 특정한 실시예에서, 제3반도체칩은 주문형 회로 장치, 영문으로 application specific integrated circuit(ASIC) 또는 정전기 방전 보호 회로 장치, 영문으로 electrostatic discharge(ESD)칩이다. 제3반도체칩은, 한편으로는, 예컨대 세기 제어 또는 변조를 이용하여 전자기 복사의 방출을 제어하고, 다른 한편으로는 검출된 복사의 평가를 제어한다. 제3반도체칩은 글로브 탑(glob top)이라고도 하는 덮개 물질을 이용하여 포팅(potting)될 수 있다.
다른 실시예에서, 제3반도체칩은 이미 하우징 하부 부품의 제조 전에 도전로 프레임상에 배치되고 예컨대 사출 성형 방법 및 이송 성형 방법을 이용하여 하우징 하부 부품의 물질로 완전히 캐스팅된다. 가능한 한 복사에 의해 조작되거나 파괴되거나 오작동하는 제3반도체칩이 특히 복사로부터 보호된다.
이미 언급한 반도체 소자를 포함한 반사광 배리어의 형성에 관하여 더 제공된다.
또한, 반사광 배리어를 위한 하우징의 제조 방법이 제공되며, 본 방법은:
- 도전로 프레임을 제공하는 단계,
- 도전로 프레임을 제1포팅 화합물(potting compound)로 오버 몰딩하되, 적어도 제1 및 제2캐비티를 구비한 모놀리식 하우징 하부 부품이 생성되고, 이 때 상기 캐비티들이 하우징 하부 부품의 상측을 향해 개방되도록 오버 몰딩하는 단계,
- 전자기 복사를 방출하는 적어도 하나의 반도체칩을 제1캐비티 내부에 배치하는 단계,
- 전자기 복사를 검출하는 적어도 하나의 반도체칩을 제2캐비티 내부에 배치하는 단계,
- 도전로 프레임과 반도체칩을 전기적으로 연결하는 단계를 포함한다.
이러한 방법은 비용 효율적으로 구현될 수 있다. 방사체와 검출기를 광학적으로 서로 분리하거나 고립시키기 위해, 배리어의 삽입뿐만 아니라 부가적인 접착제도 불필요하다. 또한, 본 방법을 이용하여 제조된 반도체 소자는 성능 특성이 양호하다.
도전로 프레임은 예컨대 식각되거나 펀칭되거나 레이저 방법을 이용하여 제조된다. 이러한 방식의 제조에 의해, 도전로 프레임은 폭넓은 범위에서 자유롭게 형성될 수 있고, 특히 캐비티의 수는 한정되지 않는다.
다른 실시예에서, 제3반도체칩은 우선 도전로 프레임상에 배치되고, 이후의 단계에서 비로소 하우징 하부 부품이 제조된다. 이를 통해, 부가적인 다른 포팅 화합물 없이 제3반도체칩이 오버 몰딩될 수 있다. 방출 및/또는 검출되는 복사를 흡수하거나 반사하는 물질을 사용하여, 제3반도체칩은 전자기 복사로부터 분리된다.
부가적으로, 제2포팅 화합물이 제공되고, 제2포팅 화합물은 캐비티들에 채워질 수 있으며, 적어도 부분적으로 방출 또는 검출될 복사에 대해 투명하다. 다른 실시예에서, 압축 몰딩 방법을 이용하면 광학 부재가 형성될 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예가 도면에 의거하여 기술된다. 도면에서 동일하거나 동일한 효과의 구성 요소는 동일한 참조 번호를 가진다. 도시된 요소는 정확한 치수로 볼 수 없고, 오히려 개별 요소는 더 나은 이해를 위해 과장되어 크거나 과장되어 간단히 도시되어 있을 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 반사광 배리어의 작동 원리를 도시한다.
도 2는 모놀리식 하우징 하부 부품을 포함한 반도체 소자의 실시예를 도시한다.
도 3은 도 2에 도시된 실시예의 다른 실시예를 도시한다.
도 4는 도 3에 도시된 실시예의 다른 실시예를 도시한다.
도 5는 도 2에 도시된 실시예의 평면도를 도시한다.
도 6은 도 2에 대해 대안적인 실시예의 평면도를 도시한다.
도 7은 도 6에 도시된 실시예의 다른 실시예를 도시한다.
도 8은 도 7에 도시된 실시예의 대안적인 실시예를 도시한다.
도 9는 도 2에 도시된 실시예의 입체도를 도시한다.
도 10은 도 9에 도시된 실시예의 배면도를 도시한다.
도 11은 도 7에 도시된 실시예의 입체도를 도시한다.
도 12는 도 11에 도시된 실시예의 입체도를 도시한다.
도 1a 및 도 1b에는 반사광 배리어의 작동 원리가 제공된다. 도 1a에는 전자기 복사 방출 반도체칩(3) 및 전자기 복사 검출 반도체칩(4)을 포함한 반도체 소자(1)가 도시되어 있으며, 상기 방출 반도체칩은 이하에서 방사체로, 검출 반도체칩은 이하에서 검출기라고 한다. 바람직하게, 방사체로서 레이저다이오드 또는 발광다이오드가 사용된다. 방출된 복사의 파장은 기본적으로 가요적이다. 이상적인 경우, 검출기는 방사체로부터 방출된 복사를 검출한다. 이를 통해, 방출되고 반사된 복사는 적어도 부분적으로 동일한 스펙트럼 영역을 포함한다. 검출기 반도체칩(4)으로서, 바람직하게, 포토트랜지스터, 포토다이오드 또는 포토저항이 사용될 수 있다. 검출기 및 방사체에 대한 상세한 설명은 이 부분에서 생략한다.
광 배리어의 도달 거리에 어떠한 물체도 위치하지 않으면, 방출된 전자기 복사는 반사되거나 산란되지 않아서, 검출기 반도체칩(4)이 복사를 검출하지 않는다. 도 1b에서, 이제 물체(2)가 반도체 소자(1)의 빔 경로에 위치한다. 물체(2)에 도달한 복사가 산란되고, 적어도 부분적으로 검출기 반도체칩(4)상에 반사된다.
기본적으로, 광 배리어를 구현하기 위한 제2방법도 가능하며, 이 때 물체 대신 반사체가 제공되어, 우선 복사가 항상 반도체칩(4)에서 검출된다. 반사체와 반도체 소자(1) 사이에 물체가 위치하면, 빔 경로가 적어도 부분적으로 중단되어 복사 세기가 변경된다. 이러한 변화가 검출기에서 감지된다.
도 2에는 도 1에 도시된 반도체 소자(1)의 횡단면도가 도시되어 있다. 이 때, 반도체 소자는 하우징 하부 부품(5)을 포함한다. 이러한 하우징 하부 부품은 모놀리식, 즉 일체형으로 구성된다. 하우징 하부 부품은 제1캐비티(6) 및 제2캐비티(7)를 포함한다. 제1캐비티(6)에 방사체(3)가 배치된다. 제2캐비티(7)에 검출기(4)가 배치된다. 캐비티(6, 7)는 하우징 하부 부품(5)의 상측(501)을 향해 개방되어 있다.
하우징 하부 부품(5)의 물질은 방출될 전자기 복사를 흡수하거나 반사한다. 이는, 방출된 전자기 복사가 하우징 하부 부품(5)을 투과할 수 없음을 의미한다.
바람직하게, 하우징의 물질은 에폭시수지, 또는 실리콘 및 에폭시로 구성된 하이브리드 물질이다. 또는, 하우징 물질은 순수한 실리콘 성형 물질이다. 이러한 실리콘 성형 물질은 하우징 하부 부품(5)의 기계적 및 광학적 특성을 맞추거나 개선하기 위해 충전제를 포함한다. 기본적으로, 이러한 성형 물질은 리드프레임용 커버로서 역할하며, 반도체 소자, 반사광 배리어 등의 하우징 하부 부품을 형성한다.
하우징 하부 부품의 모놀리식 형성에 의해, 방사체(3)와 검출기(4) 사이의 광학적 신호 경로 단락은 가능하지 않다. 방사체와 검출기가 모든 방향에서 복사를 방출할 수 있으므로 이러한 실시예에서 하우징 하부 부품(5)의 침윤(infiltration)은 배제된다.
또한, 모놀리식 형성에 의해, 종래의 반도체칩들(3, 4) 사이의 배리어 접착의 경우보다 더 견고하고 더 안정적인 하우징 하부 부품이 생성된다. 하우징은 폭 넓은 범위에서 자유롭게 형성될 수 있고, 특히 캐비티의 수 및 그 형상은 한정되어 있지 않다.
도 3에는 도 2에 도시된 실시예의 다른 실시예가 도시되어 있다. 이하, 도 2와 도 3간의 상이점에 대해서만 설명한다. 부가적으로, 도 3은 리드프레임이라고도 하는 도전로 프레임(8)을 포함하고, 상기 도전로 프레임상에 방사체(3) 및 검출기(4)가 배치된다. 도전로 프레임(8)은 상측(501)에 대향된 하측(502)에 의해 전기 전도적으로 접촉된다. 또는, 마찬가지로, 도전로 프레임(8)이 하우징 하부 부품(5)의 다른 측에 의해서도 접촉될 수 있다. 또는, 도전로 프레임을 위해 종종 인쇄 회로 기판(PCB)라고도 하는 도체판이 사용될 수 있다. 도전로 프레임(8) 및 PCB는 특히 방출되거나 검출될 복사에 대해 불투광성이다. 이를 통해, 하우징 하측(802)을 경유한 침윤도 마찬가지로 배제된다.
대안적인 실시예에서, 도전로 프레임(8)은 연성이고, 최소의 본딩 결합을 이용하여 복수 개의 칩을 반도체 소자(3)에 조합할 수 있다.
도 3에 따른 실시예의 제조 시, 우선 도전로 프레임(8)이 펀칭되거나 식각되거나 또는 레이저를 이용하여 절단된다. 이후의 단계에서, 사출 성형 방법 또는 이송 성형 방법을 이용하여, 예컨대 에폭시수지, 하이브리드 물질 또는 실리콘 성형 물질과 같은 제1포팅 화합물이 도전로 프레임(8)의 둘레에서 적어도 부분적으로 오버 몰딩된다. 이 때, 캐비티(6, 7)가 제공되고, 상기 캐비티는 상측(501)을 향해 개방되어 있다. 이후의 단계에서, 방사체(3) 및 검출기(4)는 도전로 프레임(8)과 전기 전도적으로 연결된다.
도 4에는 도 3에 도시된 실시예의 다른 실시예가 도시되어 있다. 여기서도, 반복을 피하기 위해 도 3 및 도 4간의 상이점만 설명된다. 도 3에 대해 부가적으로, 도 4에서는 하우징 상부 부품(9)이 제1 및 제2캐비티(6, 7)에 삽입된다. 상기 실시예에서, 이러한 하우징 상부 부품은 광학 부재(10)로서 형성된다. 바람직하게, 하우징 상부 부품(9)은 적어도 부분적으로, 방출되거나 검출될 전자기 복사에 대해 투명하다. 압축 몰딩 방법을 이용하면, 이러한 포팅부가 캐비티(6, 7)에 삽입되어, 광학 부재(10)가 생성된다. 이를 통해, 광학 부재로서의 렌즈를 부가적으로 제공하는 부가적 제조 단계는 생략된다. 이와 같은 배치를 이용하여 칩과 광학계가 매우 정확하게 정렬된다.
도 5에는 도 2에 도시된 실시예의 평면도가 도시되어 있다. 도 1의 상측은 관찰자를 향해있다.
도 6에는 도 5에 도시된 실시예의 다른 실시예가 도시되어 있다. 하우징 상부 부품(5)의 제3캐비티(12)에 제3반도체칩(11)이 삽입된다. 바람직하게, 제3반도체칩(11)은 ASIC 또는 ESD 칩이다. 제3반도체칩(11)에서 검출기(4)의 평가 회로 또는 방사체(3)를 위한 제어 회로도 집적된다. 도 6에 도시된 실시예에 의해, 매우 간단한 수단을 포함하는 완전한 반사광 배리어가 비용 효과적으로 제조될 수 있다.
도 7에는 도 6에 도시된 실시예의 다른 실시예가 도시되어 있다. 캐비티(12) 및 제3반도체칩(11)은 파선으로 표시되어 있는데, 제3캐비티(12) 및 그 안에 위치한 제3반도체칩(11)은 이미 하우징 하부 부품(5)을 이용하여 캐스팅되거나 오버몰딩되기 때문이다. 바람직하게, 이러한 오버몰딩은 도전로 프레임(8) 상에 제3반도체칩(11)이 배치된 이후, 그리고 하우징 상부 부품(5)의 제조 전에 수행된다. 이를 통해, 제3반도체칩(11)은 방출된 복사로부터 보호된다. 때때로, 이러한 보호는 제3반도체칩(11) 상에 고에너지 복사가 도달할 수 없도록 하기 위해 필요하다. 이러한 조사에 의해, 반도체칩이 조작되거나 파괴될 수 있다. 이러한 실시예에서, 부가적 글로브탑은 필요하지 않아서 다시 하나의 방법 단계가 생략된다. 복사로부터의 보호를 위한 차후의 처리 단계는 생략될 수 있다.
도시된 모든 변형된 실시예에 의해, 송신체와 검출기간의 매우 효과적인 광학적 분리가 이루어지고, 또한 공간적 소모가 적다는 것이 도시되어 있다. 기계적 강도는 증가한다. 부가적으로, 도 7에서는 하우징 상부 부품(9)이 캐비티(1, 2)에 삽입된다.
도 8에는 도 7에 대해 대안적인 실시예가 도시되어 있다. 방출된 복사로부터 반도체칩(11)을 보호하기 위해, 하우징 하부 부품(5)을 이용한 셰딩(sheathing) 대신 캐비티(12)에는 글로브탑이 삽입된다.
도 9에는 도 6에 도시된 실시예의 입체도가 도시되어 있다. 도 10에는 도 9에 도시된 실시예의 배면도가 도시되어 있다. 한편으로는 양호한 전기 접촉을 구현하고 다른 한편으로는 방출된 전자기 복사가 검출기(4)로 피드백되어 광학적 신호 경로의 단락을 방지하기 위해, 도전로 프레임(8)이 큰 면을 가지는 것을 확인할 수 있다.
도 11에는 도 7에 도시된 실시예가 입체도로 도시되어 있다. 도 12에는 도 4에 도시된 실시예의 입체도가 도시되어 있다. 광학 부재(10)는 빔 안내를 개선 및 적합화하는 역할을 하고, 전자기 복사를 집속, 제어 및 전달할 수 있다.
종종, 복수 개의 방사체(3) 및 복수 개의 검출기(4)가 하나의 반도체 소자(1)에 부속할 수 있다.
바람직하게, 방출 및 검출 반도체칩(3 또는 4)으로서 람베르시안 방사체가 사용된다.
1: 반도체 소자 2: 물체
3: 전자기 복사 방출 반도체칩 4: 전자기 복사 검출 반도체칩
5: 하우징 하부 부품 6: 제1캐비티
7: 제2캐비티

Claims (15)

  1. 상측(501), 그리고 적어도 제1 및 제2캐비티(6, 7)를 가지며, 상기 캐비티들(6, 7)이 상기 상측(501)을 향해 개방되어 있는 모놀리식의 하우징 하부 부품(5);
    상기 제1캐비티(6)에 배치되는 적어도 하나의 전자기 복사 방출 반도체칩(3); 및
    상기 제2캐비티(7)에 배치되는 적어도 하나의 전자기 복사 검출 반도체칩(4)을 포함하며, 상기 하우징 하부 부품(5)은 상기 방출된 전자기 복사를 흡수하거나 반사하는 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자(1).
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 반도체칩(3, 4)은 도전로 프레임(8) 상에 배치되고, 상기 도전로 프레임(8)은 방출되고 검출될 복사에 대해 불투과성이며, 상기 반도체 소자(1)의 적어도 일 측(502)에 의해 직접적으로 전기 전도 접촉되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자(1).
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 하우징 하부 부품(5)은 사출 성형 방법 또는 이송 성형 방법을 이용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자(1).
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 소자(1)는 하우징 상부 부품(9)을 포함하고, 상기 하우징 상부 부품(9)은 상기 방출되고 검출될 복사에 대해 적어도 부분적으로 투명한 것을 특징으로 하는 반도체 소자(1).
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 하우징 상부 부품(9)은 광학 부재(10)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자(1).
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 광학 부재(10)는 개별 렌즈 또는 렌즈 어레이인 것을 특징으로 하는 반도체 소자(1).
  7. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    제3캐비티(12)가 제공되고, 상기 제3캐비티는 제3반도체칩(11)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자(1).
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 제3반도체칩(11)은 주문형 집적 회로 또는 정전기 방전칩인 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  9. 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 따른 반도체 소자를 이용하는 반사광 배리어.
  10. 반사광 배리어용 하우징을 제조하는 방법에 있어서,
    도전로 프레임을 제공하는 단계;
    상기 도전로 프레임을 제1포팅 화합물로 오버 몰딩하되, 적어도 제1 및 제2캐비티를 가진 모놀리식 하우징 하부 부품이 생성되고, 상기 캐비티들이 상기 하우징 하부 부품의 상측을 향해 개방되도록 하는 오버 몰딩 단계;
    상기 제1캐비티 내부에 적어도 하나의 전자기 복사 방출 반도체칩을 배치하는 단계;
    상기 제2캐비티 내부에 적어도 하나의 전자기 복사 검출 반도체칩을 배치하는 단계; 및
    상기 도전로 프레임과 상기 반도체칩들을 전기적으로 연결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사광 배리어용 하우징 제조 방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 오버 몰딩 단계 전에 제3반도체칩을 도전로 프레임과 함께 배치하고 전기 전도적으로 연결하며, 상기 제3반도체에 관한 단계가 이후의 단계에서 상기 제1포팅 화합물에 의해 완전히 오버 몰딩되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사광 배리어용 하우징 제조 방법.
  12. 제 10항 또는 제 11항에 있어서,
    방출되고 검출될 복사에 대해 투명한 제2포팅 화합물을 이용하여 상기 캐비티들을 포팅하는 것을 특징으로 하는 반사광 배리어용 하우징 제조 방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 제2포팅 화합물은 부가적으로 광학 부재로서 형성되는 것을 특징으로 하는 반사광 배리어용 하우징 제조 방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 광학 부재는 압축 몰딩 방법을 이용하여 생성되는 것을 특징으로 하는 반사광 배리어용 하우징 제조 방법.
  15. 제 10항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1포팅 화합물은 에폭시수지, 충전제를 함유한 실리콘 또는 충전제를 함유한 실리콘과 에폭시 수지의 혼합물인 것을 특징으로 하는 반사광 배리어용 하우징 제조 방법.
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