DE19600678A1 - Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement - Google Patents

Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein optoelektronisches Halbleiter-Bauelement mit wenigstens einem auf einem Sockelteil eines Bauelementgehäuses angeordneten Halbleiterchip, der elektrisch mit wenigstens zwei durch das Bauelementgehäuse hindurchgeführten Elektrodenanschlüssen verbunden ist, und einem über dem Sockelteil des Bauelementgehäuses angeordneten und das Halbleiter-Bauelement abschließenden Gehäuseoberteil, welches wenigstens bereichsweise für Strahlung durchlässig ist.
Optoelektronische Bauelemente wie beispielsweise optoelektro­ nische Sende- und Empfangsdioden werden derzeit als Einzel­ bauelemente mit unterschiedlichen Gehäuseformen hergestellt. Bei einer bisher bekannten, häufig verwendeten Bauform umfaßt das Sockelteil des Bauelementgehäuses einen mit Kunststoff umspritzten Träger mit Elektrodenanschlüssen, die eine soge­ nannte oberflächenmontierbare Form ("Surface Mounted Design") besitzen. Das Sockelteil kann als eigenständiges, vorgehäu­ stes Gehäuseelement ausgebildet sein, auf dem der die opto­ elektronische Schaltung tragende Halbleiterchip mit üblichen Bondverfahren, d. h. Kleben, Legieren, Löten, montiert ist. Die elektrische Verbindung des Halbleiterchips mit den Elek­ trodenanschlüssen des Trägers erfolgt in der Regel mit Draht­ bondverfahren. Als Schutz vor Umwelteinwirkungen ist der den Halbleiterchip umgebende Hohlraum mit einer optisch transpa­ renten Kunstharzmasse aufgefüllt, welches entsprechend der jeweiligen optoelektronischen Anwendung unterschiedliche Fil­ tereigenschaften, sowie unterschiedliche mechanische Eigen­ schaften besitzen kann. Solche Bauformen optoelektronischer Einzelbauelemente ermöglichen zwar eine kostengünstige Ferti­ gung in Massenstückzahlen, weisen jedoch bezüglich der opti­ schen Eigenschaften Nachteile auf. Insbesondere besitzen op­ toelektronische Halbleiter-Bauelemente mit dieser Bauform im wesentlichen nur ungerichtete Abstrahl- bzw. Empfangscharak­ teristiken und sind daher für solche Anwendungen, bei denen es auf enge Abstrahl- bzw. Empfangscharakteristiken ankommt, nur bedingt einsetzbar. Darüber hinaus sind Bauformen von op­ toelektronischen Halbleiter-Bauelementen, insbesondere solche mit höheren Anforderungen an die optischen Eigenschaften be­ kannt, die in Metall-Glas-Gehäusen gefertigt werden. Hierbei werden als Chipträger insbesondere aus Metall gefertigte Bo­ denplatten eingesetzt, die mit einer Metallkappe mit einge­ paßter Glaslinse montiert werden. Als wesentlicher Nachteil solcher Bauformen für optoelektronische Halbleiter-Bauele­ mente werden die aufgrund der relativ komplizierten Herstel­ lung notwendigerweise einhergehenden Kosten angesehen. Des weiteren besitzen die in Metall-Glas-Gehäusen montierten Halbleiter-Bauelemente aufgrund der relativ groß zu veran­ schlagenden Justage- und Fertigungstoleranzen Probleme, so daß solche optoelektronischen Halbleiter-Bauelemente in der Regel ungünstigere Schielwinkel besitzen, d. h. fertigungsbe­ dingte Abweichungen der optischen von der mechanischen Achse des Bauelements, so daß solche Halbleiter-Bauelemente bei weitergehenden Anforderungen an die optischen Eigenschaften ebenfalls nur bedingt einsetzbar sind.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein optoelektroni­ sches Halbleiter-Bauelement zur Verfügung zu stellen, welches bei hohen Anforderungen an die Justagetoleranzen den ge­ wünschten optischen Anforderungen, insbesondere hinsichtlich der Abstrahl- oder Empfangscharakteristiken genügt, dabei mit geringer Bauhöhe und gegenüber den vorbekannten Bauformen er­ heblich einfacher und kostengünstiger hergestellt werden kann.
Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Halbleiter-Bauelement gemäß Anspruch 1 gelöst.
Erfindungsgemäß ist vorgesehen, daß das das Halbleiter-Bauelement abschließende Gehäuseoberteil eine Strahlumlenk­ einrichtung und eine der Strahlumlenkeinrichtung zugeordnete optische Abbildungseinrichtung mit einer quer zur Richtung der Chipnormalen des wenigstens einen Halbleiterchip verlau­ fenden optischen Achse aufweist. Diese Lösung besitzt gegen­ über den vorbekannten Bauelementen folgende Vorteile. Zu­ nächst kann durch entsprechende Gestaltung des Gehäuseober­ teiles des Halbleiter-Bauelementes die gewünschte Abstrahl- oder Empfangscharakteristik des Bauelementes in optimaler Weise eingestellt werden, ohne die gesamte Bauhöhe des Bau­ elementgehäuses wesentlich zu vergrößern. Durch entsprechende Ausbildung des Gehäuseoberteil es kann die zu verarbeitende Lichtstrahlung optisch so geführt werden, daß sie in Achs­ richtung der Chipnormalen entsprechenden Anforderungen ausge­ richtet, d. h. in der Regel gebündelt wird. Darüber hinaus er­ möglicht die erfindungsgemäße Lösung die Montage mehrerer Halbleiterchips bzw. elektronische Schaltungskomponenten in derselben Montageebene des Bauelementgehäuses, ohne die Bau­ höhe des gesamten Bauelementes zu vergrößern, wobei die Strahlumlenkeinrichtung und die der Strahlumlenkeinrichtung zugeordnete optische Abbildungseinrichtung durch entsprechen­ de Gestaltung des Gehäuseoberteiles gleichzeitig den mehre­ ren, optoelektronischen Halbleiterchips bzw. Schaltungskompo­ nenten zugeordnet sein kann.
Dem Prinzip der Erfindung folgend kann vorgesehen sein, daß die Strahlumlenkeinrichtung eine schräg zur optischen Achse der Abbildungseinrichtung angeordnete bzw. ausgerichtete Re­ flektorebene besitzt. Hierbei kann die Abbildungseinrichtung eine Abbildungslinse mit einer quer zur Chipnormalen ausge­ richteten optischen Achse besitzen, und die Reflektorebene derart im Strahlengang zwischen der Abbildungslinse und dem wenigstens einen Halbleiterchip ausgerichtet sein, daß der Brennpunkt der Abbildungslinse auf den Halbleiterchip abge­ bildet ist.
Eine besonders einfache und kostengünstige Montage des Bau­ elementgehäuses ergibt sich, wenn das die Strahlumlenkein­ richtung und die Abbildungseinrichtung aufweisende und das Bauelementgehäuse des Halbleiter-Bauelementes abschließende Gehäuseoberteil als eigenständige, vorgefertigte Baueinheit, insbesondere einstückig ausgebildete Baueinheit gestaltet ist. In diesem Fall kann das Gehäuseoberteil beispielsweise als gespritztes oder gegossenes Kunststoffteil separat von den restlichen Gehäusekomponenten gefertigt und mit dem vor­ zugsweise vorgehäustem Sockelteil des Bauelementgehäuses ver­ mittels Klebe- oder Schnappverbindung bei Erfüllung gering­ ster Toleranzvorgaben befestigt werden.
In vorteilhafter Weiterbildung der Erfindung kann vorgesehen sein, daß die Reflektorebene ein mit einer Metallisierungs­ schicht versehener Oberflächenabschnitt des Gehäuseoberteiles darstellt. Hierbei kann vorgesehen sein, daß die Metallisie­ rungsschicht der Reflektorebene gleichzeitig als Abschirmung gegen elektrische und/oder magnetische Störfelder auf ein vorbestimmtes elektrisches Potential gesetzt ist. Da insbe­ sondere bei Infrarot-Anwendungen in der Regel sehr geringe Photoströme in der auf dem Halbleiterchip ausgebildeten opto­ elektronischen Empfangsschaltung verarbeitet werden, kann die Empfindlichkeit der optoelektronischen Schaltung aufgrund der Abschirmung gegen elektrische oder magnetische Störfelder er­ heblich verbessert werden. Die Metallisierungsschicht kann vorzugsweise mit einem ohnehin vorhandenen Masseanschluß des Halbleiter-Bauelementes elektrisch verbunden sein.
Bei einer weiterhin bevorzugten Ausbildung der Erfindung kann vorgesehen sein, daß das Bauelementgehäuse wenigstens zwei über eine lichtundurchlässige Trennwand voneinander optisch entkoppelte erste und zweite Chipkammern aufweist, deren er­ ste Chipkammer den ersten Halbleiterchip aufnimmt, und deren zweite Chipkammer einen weiteren, zweiten Halbleiterchip auf­ nimmt, der elektrisch mit einem Teil der durch das Bauele­ mentgehäuse hindurchgeführten Elektrodenanschlüssen verbunden ist. Hierbei kann insbesondere der in der ersten Chipkammer aufgenommene erste Halbleiterchip eine optoelektronische Sen­ deschaltung, und der in der zweiten Chipkammer aufgenommene zweite Halbleiterchip eine optoelektronische Empfangsschal­ tung aufweisen. Weiterhin kann vorgesehen sein, daß neben den ersten und zweiten Halbleiterchips ein weiterer, in einer dritten, von den ersten und zweiten Chipkammern separat ange­ ordneten Chipkammer untergebrachter Steuerchip vorgesehen ist, der elektrisch mit dem ersten und/oder dem zweiten Halb­ leiterchip und/oder einem Teil der Elektrodenanschlüsse ge­ koppelt ist. Durch die Trennung in mehrere Chipkammern kann auch ermöglicht werden, daß die in den jeweiligen Chipkammern untergebrachten Halbleiterchips mit einer Chipabdeckung über­ griffen sind, welches jeweils aus einem Material besteht, dessen optische Eigenschaften auf den optoelektronischen Ein­ satzzweck der zugehörenden Schaltung des jeweiligen Halblei­ terchips ausgerichtet sind. Insbesondere können für die je­ weiligen Chipabdeckungen zur Optimierung der optischen Eigen­ schaften Kunstharzmassen mit unterschiedlichen Filtereigen­ schaften verwendet werden. Für solche Halbleiterchips, denen keine optische Funktion zukommt, können zur Abdeckung auch lichtundurchlässige Materialien gewählt werden.
Bei einer besonders bevorzugten Anwendung der Erfindung kann vorgesehen sein, daß das Bauelementgehäuse bzw. die Elektro­ denanschlüsse eine oberflächenmontierbare Anordnung (Surface Mounted Technology) besitzen.
Weitere Merkmale, Vorteile und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausfüh­ rungsbeispieles anhand der Zeichnung. Es zeigt:
Fig. 1 eine schematische Gesamtansicht eines optoelektroni­ schen Halbleiter-Bauelementes gemäß dem Ausführungs­ beispiel der Erfindung;
Fig. 2 eine schematische Schnittansicht entlang der Schnitt­ linie II-II aus Fig. 1; und
Fig. 3 eine schematische Schnittansicht entlang der Schnitt­ linie III-III aus Fig. 1.
Das in der Zeichnung dargestellte Ausführungsbeispiel zeigt ein optoelektronisches Halbleiter-Bauelement 1 mit drei auf einem Sockelteil 2 eines Bauelementgehäuses 3 angeordnete Halbleiterchips bzw. Schaltungskomponenten 4, 5 und 6, die elektrisch mit durch das Bauelementgehäuse 3 hindurchgeführ­ ten Elektrodenanschlüssen 7a bis 7h verbunden sind. Oberhalb des Sockelteiles 2 angeordnet ist ein das Halbleiter-Bauelement 1 abschließendes Gehäuseoberteil 8, welches einstückig aus einem für Licht durchlässigen Kunststoffmaterial herge­ stellt ist. Die einzelnen Halbleiterchips 4, 5, 6 sind je­ weils in voneinander getrennten Chipkammern 9, 10 und 11 un­ tergebracht, deren Seitenwände aus dem Material des Sockel­ teiles 2 durch entsprechende Spritzgußformgebung gebildet sind, deren Bodenbereich durch eine aus Metall bestehende Trägerplatte 20, aus der auch die Elektrodenanschlüsse 7a bis 7h gebildet sind, und deren Deckenbereich durch das Gehäuse­ oberteil 8 ausgebildet ist.
Das Gehäuseoberteil 8 besitzt eine den Halbleiterchips 4 und 5 zugeordnete optische Einrichtung 12 mit einer Strahlumlen­ keinrichtung 13 aufweisend eine Reflektorebene 14 und eine der Strahlumlenkeinrichtung 13 zugeordnete optische Abbil­ dungseinrichtung 15 mit einer dem Halbleiterchip 4 zugeordne­ ten Sammellinse 16 und einer dem Halbleiterchip 5 zugeordne­ ten Sammellinse 17. Beide Sammellinsen 16 und 17 sind durch an der Stirnseite des Gehäuseoberteils 8 geformte Kugelflä­ chen mit konkaver Krümmung ausgebildet; erforderlichenfalls kann je nach gewünschten Abbildungseigenschaften die den Halbleiterchips 4 oder 5 zugeordneten optischen Abbildungs­ einrichtung 15 auch andere optische Beugungsflächen besitzen, beispielsweise konvex gekrümmte Flächen oder komplexer ge­ krümmte Brechungsflächen. Die optischen Achsen 18 und 19 der beiden Sammellinsen 16 und 17 sind parallel zur Montageebene 20 bzw. Trägerplatte 21 ausgerichtet, d. h. sie verlaufen senkrecht zu den Chipnormalen 22 und 23 der jeweiligen Halb­ leiterchips 4 und 5. Die Reflektorebene 14 ist durch eine obere, der Stirnseite des Gehäuseoberteils 8 gegenüberliegend angeordnete Begrenzungsfläche 24 ausgebildet, die schräg zu den optischen Achsen 18 und 19 der Abbildungseinrichtung 15 verläuft, im dargestellten Ausführungsbeispiel unter einem Winkel von etwa 45°. Die schräg ausgerichtete Begrenzungsflä­ che 24 der Strahlumlenkeinrichtung 13 schließt an eine im we­ sentlichen parallel zur Montageebene 20 verlaufende obere Be­ grenzungsfläche 25 des Gehäuseoberteils 8 an.
Der in der Chipkammer 9 untergebrachte Halbleiterchip 4 be­ sitzt eine optoelektronische Sendeeinrichtung, beispielsweise eine Sendediode, welche einen Lichtstrahl 26 mit einer vorbe­ stimmten Wellenlänge gemäß der schematischen Schnittansicht nach Fig. 2 nach oben aussendet, welcher an der Reflektore­ bene 14 der Strahlumlenkeinrichtung 13 quer zur Montageebene 20 reflektiert und vermittels der Sammellinse 16 der opti­ schen Abbildungseinrichtung 15 optisch derart ausgerichtet wird, daß entsprechend der gewünschten Abstrahlcharakteristik des optoelektronischen Halbleiter-Bauelementes 1 eine Aus­ richtung bzw. Bündelung in Richtung der optischen Achse 18 erfolgt. Die Sammellinse 16 der Abbildungseinrichtung 15 ist hierbei so gestaltet, und die Reflektorebene 14 derart im Strahlengang zwischen der Abbildungslinse 16 und dem Halblei­ terchip 4 ausgerichtet, daß der Brennpunkt der Abbildungslin­ se 16 auf den Halbleiterchip 4 abgebildet ist. Über eine lichtundurchlässige Trennwand 27 optisch vom Halbleiterchip 4 entkoppelt ist der zweite Halbleiterchip 5 in der zweiten Chipkammer 10 untergebracht. Der zweite Halbleiterchip 5 be­ sitzt eine optoelektronische Empfangseinrichtung, beispiels­ weise eine Empfangsdiode, der die Sammellinse 17 der opti­ schen Abbildungseinrichtung 15 und die Reflektorebene 14 der Strahlumlenkeinrichtung 13 zugeordnet ist, wie dies gemäß der schematischen Schnittansicht nach Fig. 3 ersichtlich ist. Die Abbildungslinse 17 ist hierbei so gestaltet bzw. angeord­ net, daß die parallel zur Montagebene 20 auf die Abbildungs­ einrichtung 15 einfallende Lichtstrahlung 28, die von der op­ toelektronischen Empfangsschaltung des Halbleiterchips 5 de­ tektiert wird, in Richtung der optischen Achse 19 gebündelt, an der Reflektorebene 14 gemäß Fig. 3 nach unten umgelenkt wird und auf den im Brennpunkt der Abbildungslinse 17 ange­ ordneten Halbleiterchip 5 einfällt. Unabhängig von der opti­ schen Sendecharakteristik der dem Halbleiterchip 4 zugeordne­ ten Abbildungseinrichtung 16 kann somit die dem Halbleiter­ chip 5 zugeordnete Abbildungseinrichtung 17 durch entspre­ chende Formgebung der Strahleintrittsfläche eine gewünschte optische Empfangscharakteristik vorgegeben werden. Das erfin­ dungsgemäße optoelektronische Halbleiter-Bauelement 1 ermög­ licht somit die Unterbringung sowohl einer optoelektronischen Sende-, als auch Empfangsschaltung innerhalb desselben Bau­ elementgehäuses, jedoch mit unterschiedlichen, optimal ange­ paßten Abstrahl- und Empfangscharakteristiken. Dennoch sind die beiden optoelektronischen Schaltungen optisch voneinander entkoppelt, so daß eine störende gegenseitige Beeinflussung vermieden wird.
Darüber hinaus kann neben den optoelektronischen Halbleiter­ chips 4 und 5 innerhalb desselben Bauelementgehäuses 3 ein weiterer, in einer dritten Chipkammer 11 untergebrachter Halbleiterchip 6 vorgesehen sein, der beispielsweise Steuer­ und/oder Verstärkerschaltungen besitzt, die elektrisch mit den optoelektronischen Schaltungen der Halbleiterchips 4 und 5, sowie wenigstens mit einem Teil der nach außerhalb des Bauelementgehäuses 3 führenden Elektrodenanschlüssen 7a bis 7h verbunden ist. Die jeweiligen elektrischen Verbindungen können mit an sich bekannten, daher nicht näher dargestellten Bonddrähten, und/oder durch entsprechende Gestaltung der Trä­ gerplatte 21, die in an sich ebenfalls bekannter Weise in der Form eines Anschlußrahmens (sogenannter "Lead Frame") ausge­ bildet sein kann, der aus Gründen der Übersichtlichkeit eben­ falls nicht näher dargestellt ist, ermöglicht werden.
Zur Verbesserung der Reflexionseigenschaften der Strahlumlen­ keinrichtung 13 kann die Reflektorebene 14 mit einer Metalli­ sierungsschicht 29 überzogen sein, welche beispielsweise durch Bedampfung der oberen Oberfläche des Gehäuseoberteils 8 hergestellt sein kann. Die Metallisierungsschicht 29 kann von Vorteil gleichzeitig als Abschirmung gegen elektrische und/oder magnetische Felder dienen, wodurch insbesondere die auf dem Halbleiterchip 5 ausgebildete optoelektronische Emp­ fangsschaltung, in welcher insbesondere bei Infrarotanwendun­ gen sehr geringe Photoströme verarbeitet werden, die Empfind­ lichkeit bzw. der Störabstand verbessert werden kann. Zu die­ sem Zweck ist die Metallisierungsschicht 29 mit einem fest­ liegenden elektrischen Potential, insbesondere mit einem Mas­ sepotential elektrisch verbunden. Die Metallisierungsschicht 29 kann sich hierzu sowohl über die Begrenzungsfläche 24 der Strahlumlenkeinrichtung 13, als auch über die den Halbleiter­ chip 6 mit den Steuer- und/oder Verstärkerschaltungen über­ deckende obere Begrenzungsfläche 25 erstrecken, wie es den Fig. 2 und 3 zu entnehmen ist.
Zur Abdeckung der Halbleiterchips 4, 5 und 6 sind die ver­ bleibenden Hohlräume der Chipkammern 9, 10 und 11 mit Abdeck­ materialien 30, 31 und 32 aufgefüllt, welche vorzugsweise aus unterschiedlichen Harzen bestehen. Das den optoelektronischen Halbleiterchips 4 und 5 zugeordnete Abdeckmaterial 30 und 31 ist für Licht der jeweiligen Wellenlänge durchlässig, während das dem Halbleiterchip 6 zugeordnete Abdeckmaterial 32 licht­ undurchlässig sein kann. Zur weiteren Optimierung der Ab­ strahl- bzw. Empfangscharakteristiken kann das den optoelek­ tronischen Halbleiterchips 4 und 5 zugeordnete Abdeckmaterial 30 und 31 geeignete, unter Umständen unterschiedliche Fil­ tereigenschaften besitzen.
Vorteilhafterweise wird das Sockelteil 2 des Bauelementgehäu­ ses 3 und die Trägerplatte 21 mit den Elektrodenanschlüssen 7a bis 7h als eigenständiger, vorgehäuster Chipträger gefer­ tigt. Hierzu wird die Trägerplatte 21 durch einen Spritzguß­ vorgang mit einem Kunststoffmaterial, welches vorzugsweise hochtemperaturstabile Eigenschaften besitzt, zur Gestaltung des Sockelteiles 2 unter gleichzeitiger Ausbildung der ein­ zelnen Chipkammern 9, 10 und 11 umspritzt. In den solcherma­ ßen vormontierten Chipträger werden anschließend die einzel­ nen Halbleiterchips 4, 5 und 6 in die einzelnen Chipkammern 9, 10 und 11 eingelegt und mittels den an sich bekannten Be­ festigungsverfahren (Kleben, Legieren oder Löten) montiert. Daran anschließend erfolgt die elektrische Verbindung der einzelnen Halbleiterchips 4, 5 und 6 untereinander bzw. mit den durch das Bauelementgehäuse 3 hindurchgeführten Elektro­ denanschlüssen 7a bis 7h. Anschließend werden die einzelnen Chipkammern 9, 10 und 11 mit den gegebenenfalls unterschied­ lichen Abdeckungen 30, 31 und 32 versehen. Danach erfolgt die mechanische Befestigung des als separates Kunststoffteil aus­ gebildeten Gehäuseoberteils 8 mit dem Sockelteil 2, vorzugs­ weise über eine Klebe- oder Schnappverbindung. Die dem Soc­ kelteil 2 zugeordneten Randbereiche des Gehäuseoberteils 8 besitzen zu diesem Zweck randseitig umlaufende Haltemittel 33, die für eine formschlüssige Verbindung mit entsprechend ausgebildeten, am oberen Rand des Sockelteils 2 umlaufend ausgebildeten Stützmitteln 34 angepaßt bzw. ausgebildet sind. Haltemittel 33 und Stützmittel 34 sind hierbei so ausgebil­ det, daß beim Fügen von Sockelteil 2 und Gehäuseoberteil 8 diese selbsttätig so zueinander positioniert werden, daß eine stabile, wenigstens annähernd spielfreie Symmetrielage von Sockelteil 2 und Gehäuseoberteil 8 gewährleistet ist. Hierbei kann, wie es in den Fig. 2 und 3 näher dargestellt ist, das Stützmittel 34 des Sockelteiles 2 an seinem Außenumfang eine umlaufende und das Haltemittel 33 des Gehäuseoberteils 8 abstützende Widerlagerfläche 35 besitzen. Darüber hinaus kann vorgesehen sein, was in den Figuren nicht näher dargestellt ist, daß die der formschlüssig mechanischen Verbindung von dem Gehäuseoberteil 8 und dem Sockelteil 2 zugeordneten Hal­ te- und Stützmittel 33, 34 durch an beiden Teilen umlaufend und wechselweise ausgebildete Vorsprünge und Nutausnehmungen gebildet sind. Weiterhin kann das Haltemittel 33 des Gehäuse­ oberteils 8 mit einer (ebenfalls in den Figuren nicht näher dargestellten) federnden Auskragung versehen sein, die mit einer in dem Stützmittel 34 des Sockelteiles 2 vorgesehenen (nicht näher dargestellten) Raste zur selbsttätigen Festle­ gung des Sockelteils 2 und des Gehäuseoberteils 8 in einer Montagelage zugeordnet ist.

Claims (15)

1. Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement (1) mit wenig­ stens einem auf einem Sockelteil (2) eines Bauelementgehäuses (3) angeordneten Halbleiterchip (4, 5, 6), der elektrisch mit wenigstens zwei durch das Bauelementgehäuse (3) hindurchge­ führten Elektrodenanschlüssen (7a bis 7h) verbunden ist, und einem über dem Sockelteil (2) des Bauelementgehäuses (3) an­ geordneten und das Halbleiter-Bauelement (1) abschließenden Gehäuseoberteil (8), welches wenigstens bereichsweise für Strahlung (26, 28) durchlässig ist, dadurch gekennzeichnet, daß das das Halbleiter-Bauelement (1) abschließende Gehäuseober­ teil (8) eine Strahlumlenkeinrichtung (13) und eine der Strahlumlenkeinrichtung (13) zugeordnete optische Abbildungs­ einrichtung (15) mit einer quer zur Richtung der Chipnormalen (22, 23) des wenigstens einen Halbleiterchip (4, 5, 6) ver­ laufenden optischen Achse (18, 19) aufweist.
2. Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Strahlumlenkeinrichtung (13) eine schräg zur optischen Achse (18, 19) der Abbildungs­ einrichtung (15) angeordnete bzw. ausgerichtete Reflektorebe­ ne (14) besitzt.
3. Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement (1) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Abbildungseinrich­ tung (15) eine Abbildungslinse (16, 17) mit einer quer zur Chipnormalen (22, 23) ausgerichteten optischen Achse (18, 19) besitzt, und die Reflektorebene (14) derart im Strahlengang zwischen der Abbildungslinse (16, 17) und dem wenigstens ei­ nen Halbleiterchip (4, 5) ausgerichtet ist, daß der Brenn­ punkt der Abbildungslinse (16, 17) auf den Halbleiterchip (4, 5) abgebildet ist.
4. Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement (1) nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das die Strahlumlenkein­ richtung (13) und die Abbildungseinrichtung (15) aufweisende und das Bauelementgehäuse (3) des Halbleiter-Bauelementes (1) abschließende Gehäuseoberteil (8) eine eigenständige, vorge­ fertigte Baueinheit bildet.
5. Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement (1) nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuseoberteil (8) ein­ stückig ausgebildet ist.
6. Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement (1) nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Reflektorebene (14) ein mit einer Metallisierungsschicht (29) versehener Oberflä­ chenabschnitt (24, 25) des Gehäuseoberteiles (8) darstellt.
7. Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement (1) nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallisierungsschicht (29) der Reflektorebene (14) gleichzeitig als Abschirmung ge­ gen elektrische und/oder magnetische Felder auf ein vorbe­ stimmtes elektrisches Potential gesetzt ist.
8. Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement (1) nach Anspruch 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das die Strahlumlenkein­ richtung (13) und die Abbildungseinrichtung (15) aufweisende Gehäuseoberteil (8) über ein Haltemittel (33) formschlüssig mit einem Stützmittel des Sockelteiles (2) des Bauelementge­ häuses (3) verbindbar ist.
9. Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement (1) nach Anspruch 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Bauelementgehäuse (3) wenigstens zwei über eine lichtundurchlässige Trennwand (27) voneinander optisch entkoppelte erste (9) und zweite Chipkammern (10) aufweist, deren erste Chipkammer (9) den er­ sten Halbleiterchip (4) aufnimmt, und deren zweite Chipkammer (10) einen weiteren, zweiten Halbleiterchip (5) aufnimmt, der elektrisch mit weiteren, ebenfalls durch das Bauelementgehäu­ se (3) hindurchgeführten Elektrodenanschlüssen (7a bis 7h) verbunden ist.
10. Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement (1) nach An­ spruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der in der ersten Chip­ kammer (9) aufgenommene erste Halbleiterchip (4) eine opto­ elektronische Sendeschaltung, und der in der zweiten Chipkam­ mer (10) aufgenommene zweite Halbleiterchip (5) eine opto­ elektronische Empfangsschaltung aufweist.
11. Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement (1) nach An­ spruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß neben den er­ sten und zweiten Halbleiterchips (4, 5) ein weiterer, in ei­ ner dritten, von den ersten (9) und zweiten (10) Chipkammern separat angeordneten Chipkammer (11) untergebrachter dritter Halbleiterchip (6) vorgesehen ist, der elektrisch mit dem er­ sten und/oder dem zweiten Halbleiterchip und/oder den Elek­ trodenanschlüssen (7a bis 7h) gekoppelt ist.
12. Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement (1) nach An­ spruch 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die in den je­ weiligen Chipkammern (9, 10, 11) untergebrachten Halbleiter­ chips (4, 5, 6) mit einer Chipabdeckung (30, 31, 32) über­ griffen sind, welches jeweils aus einem Material besteht, dessen optische Eigenschaften auf den optoelektronischen Ein­ satzzweck der zugehörenden Schaltung des jeweiligen Halblei­ terchips ausgerichtet sind.
13. Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement (1) nach An­ spruch 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Sockelteil (2) des Bauelementgehäuses (3) aus einem hochtemperaturstabi­ len Kunststoffmaterial gefertigt ist.
14. Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement (1) nach An­ spruch 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Bauelement­ gehäuse (3) bzw. die Elektrodenanschlüsse (7a bis 7h) eine oberflächenmontierbare Anordnung (Surface Mounted Technology) besitzen.
15. Verfahren nach Anspruch 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Sockelteil (2) und die Elektrodenanschlüsse (7a bis 7h) des Bauelementgehäuses (3) als eigenständiger, vormon­ tierter Chipträger gefertigt ist.
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