JP2022010580A - 近接センサ用パッケージ、近接センサ及び電子モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】第１キャビティと第２キャビティとの間で封止材が繋がりにくい近接センサ用パッケージ、近接センサ及び電子モジュールを提供する。
【解決手段】近接センサ用パッケージ（１）は、上面と、上面に開口した第１キャビティ（１１）及び第２キャビティ（１２）と、を有する基体（１０）を備え、基体は、上面における第１キャビティ（１１）の周囲のうち第１キャビティ（１１）と第２キャビティ（１２）との間以外に位置する第１凹部（１３）を、更に有する。
【選択図】図１

Description

本開示は、近接センサ用パッケージ、近接センサ及び電子モジュールに関する。

特許文献１には、発光チップとセンサチップとが基板に搭載された近接センサが示されている。基板には、発光チップを収容する第１キャビティと、センサチップを収容する第２キャビティとが、並んで設けられ、第１キャビティ及び第２キャビティには透光性を有する封止材が充填される。封止材は充填時に流動性を有し、その後に硬化する。近接センサは、第１キャビティ及び第２キャビティに物体が近接した場合に、発光チップから出射された光が、近接した物体で反射しセンサチップに入射することで、物体の近接を検出できる。

特表２０１３－５１９９９５公報

第１キャビティ及び第２キャビティに封止材を充填する際、封止材の流動性により、第１キャビティの開口部で盛り上がった封止材と第２キャビティの開口から盛り上がった封止材とが、開口外へ拡がることがある。この拡がりにより封止材が第１キャビティと第２キャビティとの間で繋がってしまうと、繋がった封止材の部分を介してクロストークが生じることがある。クロストークとは、物体が近接していなくても、第１キャビティから第２キャビティへ発光チップの光の一部が送られてしまうことを意味する。

本開示は、第１キャビティと第２キャビティとの間で封止材が繋がりにくい近接センサ用パッケージ、近接センサ及び電子モジュールを提供することを目的とする。

本開示に係る近接センサ用パッケージは、
上面と、前記上面に開口した第１キャビティ及び第２キャビティと、を有する基体を備え、
前記基体は、前記上面における前記第１キャビティの周囲のうち前記第１キャビティと前記第２キャビティとの間以外に位置する第１凹部を、更に有する。

本開示に係る近接センサは、
上記の近接センサ用パッケージと、
前記第１キャビティ及び前記第２キャビティの一方と他方とにそれぞれ搭載された発光素子及び受光素子と、
前記第１キャビティ及び前記第２キャビティに位置する透光性を有する封止材と、
を備える。

本開示に係る電子モジュールは、
上記の近接センサと、
前記近接センサを搭載したモジュール用基板と、
を備える。

本開示によれば、第１キャビティと第２キャビティとの間で封止材が繋がりにくい近接センサ用パッケージ、近接センサ及び電子モジュールを提供できる。

本開示の実施形態１の近接センサ用パッケージを示す縦断面図（Ａ）と平面図（Ｂ）である。 変形例１の近接センサ用パッケージを示す縦断面図（Ａ）と平面図（Ｂ）である。 変形例２の近接センサ用パッケージを示す縦断面図（Ａ）と平面図（Ｂ）である。 本開示の実施形態２の近接センサ用パッケージを示す縦断面図（Ａ）と平面図（Ｂ）である。 変形例３の近接センサ用パッケージを示す縦断面図（Ａ）と平面図（Ｂ）である。 本開示の実施形態に係る近接センサ及び電子モジュールを示す縦断面図である。

以下、本開示の各実施形態について図面を参照して詳細に説明する。

（実施形態１）
図１は、本開示の実施形態１の近接センサ用パッケージを示す縦断面図（Ａ）と平面図（Ｂ）である。図１（Ａ）は、図１（Ｂ）のＡ－Ａ線における断面に相当する。実施形態１の近接センサ用パッケージ１は、受光素子４１の搭載領域Ｒ１及び発光素子４２の搭載領域Ｒ２を有する基体１０と、基体１０に位置する配線導体２０とを備える。

基体１０は、酸化アルミニウム質焼結体（アルミナセラミックス）、窒化アルミニウム質焼結体等のセラミックス材料により構成される。基体１０は、搭載領域Ｒ１を含んだキャビティ１１と、搭載領域Ｒ２を含んだキャビティ１２と、溝状の凹部１３、１４とを備える。２つのキャビティ１１、１２は、基体１０の上面に開口し、基体１０の長手方向に並んでいる。２つのキャビティ１１、１２の深さはほぼ同様であってよい。２つのキャビティ１１、１２の体積は異なってもよい。搭載領域Ｒ１、Ｒ２はキャビティ１１、１２の底部にそれぞれ位置する。キャビティ１１、１２の一方と他方とが本開示に係る第１キャビティと第２キャビティに相当する。凹部１３、１４の一方と他方とが本開示に係る第１凹部と第２凹部とに相当する。

配線導体２０は、キャビティ１１、１２内に露出した内部導体２１、２２と、基体１０の外面（例えば底面）に露出した外部導体２３、２４と、基体１０内に位置しかつ内部導体２１、２２と外部導体２３、２４とにそれぞれ接続される接続導体２５、２６とを有する。図１（Ａ）の例では、受光素子４１及び発光素子４２が表面実装型の素子であり、基体１０が表面実装型である場合の配線導体２０を示している。なお、内部導体２１、２２の一部又は全部と受光素子４１及び発光素子４２の端子とはワイヤーボンディングで接続されてもよく、その場合、内部導体２１、２２の一部又は全部は接続方式に合わせて搭載領域Ｒ１、Ｒ２から外れて位置してもよい。また、外部導体２３、２４とモジュール用基板１１０（図６）の端子とはワイヤーボンディング又は半田等によりに電気的に接続される構成としてもよく、その場合、外部導体２３、２４は接続方式に合わせて基体１０の側面又は上面に位置してもよい。

凹部１３は、基体１０の上面でかつキャビティ１１の周囲のうち、２つのキャビティ１１、１２の間を除く範囲に位置する。凹部１３は、一方のキャビティ１１を挟んで他方のキャビティ１２の反対側に位置してもよい。凹部１３は、キャビティ１１よりも開口が小さく、キャビティ１１と同等の深さを有する溝形状であってもよい。凹部１３の開口は、キャビティ１１の開口の一辺に沿って長い形状を有していてもよい。

凹部１４は、基体１０の上面でかつキャビティ１２の周囲のうち、２つのキャビティ１１、１２の間を除く範囲に位置する。凹部１４は、一方のキャビティ１２を挟んで他方のキャビティ１１の反対側に位置してもよい。凹部１４は、キャビティ１２よりも開口が小さく、キャビティ１２と同等の深さを有する溝形状であってもよい。凹部１４の開口は、キャビティ１２の開口の一辺に沿って長い形状を有していてもよい。

近接センサ用パッケージ１においては、受光素子４１及び発光素子４２が搭載領域Ｒ１、Ｒ２に搭載された後、２つのキャビティ１１、１２に封止材３１、３２が充填される。そして、硬化前の封止材３１、３２がキャビティ１１、１２の開口から盛り上がり、開口外へ拡がる場合がある。封止材３１、３２がキャビティ１１、１２の間で繋がって硬化すると、近接センサにおいてクロストークが発生してしまうので好ましくない。

凹部１３は、２つのキャビティ１１、１２の開口から基体１０の上面へ硬化前の封止材３１、３２が拡がった際に、２つのキャビティ１１、１２の間で封止材３１、３２が接触する前に、封止材３１が凹部１３に流れ込むように配置される。キャビティ１１の開口と凹部１３との距離は、基体１０の上面各部の封止材３１、３２の流れやすさに応じて、上記の作用が得られるように適宜設計されればよい。

同様に、凹部１４は、２つのキャビティ１１、１２の開口から基体１０の上面へ硬化前の封止材３１、３２が拡がった際に、２つのキャビティ１１、１２の間で封止材３１、３２が接触する前に、封止材３２が凹部１４に流れ込むように配置される。キャビティ１２の開口と凹部１４との距離は、基体１０の上面各部の封止材３１、３２の流れやすさに応じて、上記の作用が得られるように適宜設計されればよい。

以上のように、実施形態１の近接センサ用パッケージ１によれば、基体１０の上面でキャビティ１１、１２の周囲のうち、キャビティ１１、１２の間以外の範囲に凹部１３、１４が位置する。したがって、キャビティ１１、１２の開口外へ硬化前の封止材３１、３２が拡がった際、封止材３１、３２が２つのキャビティ１１、１２の間で接触する前に凹部１３、１４に流れ込み、封止材３１、３２の拡がりを抑制することができる。したがって、封止材３１、３２が２つのキャビティ１１、１２の間で繋がってしまうことを抑制できる。よって、近接センサにおいてクロストークが発生することを抑制できる。

さらに、実施形態１の近接センサ用パッケージ１によれば、凹部１３はキャビティ１１を挟んで他方のキャビティ１２の反対側に位置し、凹部１４はキャビティ１２を挟んで他方のキャビティ１１の反対側に位置する。すなわち、基体１０がキャビティ１１、１２の並び方向に長いコンパクトな構成である場合、凹部１３、１４とキャビティ１１、１２とが基体１０の長手方向に並ぶ。凹部１３、１４があることで、その周辺の強度が低下するが、基体１０の４つの側面のうち横幅の小さい側面の方に凹部１３、１４が位置することで、横幅の大きい側面から基体１０を把持した場合の外力に対して、凹部１３、１４により基体１０の強度が低下することを抑制でき、近接センサ用パッケージ１の取扱いを容易にできる。

なお、実施形態１では、一方のキャビティ１１の周囲に位置する凹部１３と、もう一方のキャビティ１２の周囲に位置する凹部１４との両方を備えているが、いずれか一方のみを有していてもよい。例えば、凹部１４を有し、凹部１３が省略された構成でも、キャビティ１２に充填された封止材３２が、キャビティ１１の封止材３１に接触する前に、凹部１４に流れ込むことで、２つのキャビティ１１、１２の間で封止材３１、３２が繋がってしまうことを抑制できる。よって、近接センサにおいてクロストークが発生することを抑制できる。

（変形例１）
図２は、変形例１の近接センサ用パッケージを示す縦断面図（Ａ）と平面図（Ｂ）である。図２（Ａ）の断面は、図２（Ｂ）のＡ－Ａ線における断面に相当する。変形例１の近接センサ用パッケージ１Ａは、凹部１３Ａ、１４Ａが、基体１０の側面にかけて位置するところが実施形態１と異なり、その他の構成要素並びに凹部１３Ａ、１４Ａとキャビティ１１、１２との距離については実施形態１と同様である。基体１０は上面に連続する側面を有し、凹部１３Ａ、１４Ａは、上面の縁部から側面にかけて位置する。

変形例１の近接センサ用パッケージ１Ａにおいても、凹部１３Ａ、１４Ａが実施形態１の凹部１３、１４と同様に作用し、２つのキャビティ１１、１２の間で封止材３１、３２が繋がってしまうことを抑制できる。さらに、変形例１の近接センサ用パッケージ１Ａによれば、凹部１３Ａ、１４Ａを基体１０の外側から囲う壁体が不要なので、近接センサ用パッケージ１Ａの幅寸を小さくできる。さらに凹部１３Ａ、１４Ａを外側から囲う薄い壁体を有すると、薄い壁体の強度が低下するが、薄い壁体が不要なので、強度の低下を抑制できる。

近接センサ用パッケージ１Ａは、一つの母基板内に複数の近接センサ用パッケージ１Ａが一体化されて形成され、素子が搭載され封止材３１、３２が充填及び硬化された後に、母基板が個々の近接センサ用パッケージ１Ａごとに切断されて個片化される場合がある。この場合、変形例１の近接センサ用パッケージ１Ａによれば、個片化される前、隣接する２つの近接センサ用パッケージ１Ａ間で凹部１３Ａ又は凹部１４Ａを共通の溝として形成できるので、１つの母基板に含まれる近接センサ用パッケージ１Ａの個数を多くできる。さらに、凹部１３Ａ、１４Ａを別々の溝として形成する場合と比較して、凹部１３Ａ、１４Ａを１つの孔加工により形成できるので、凹部１３Ａ、１４Ａの加工工数を削減できる。

（変形例２）
図３は、変形例２の近接センサ用パッケージを示す縦断面図（Ａ）と平面図（Ｂ）である。図３（Ａ）の断面は、図３（Ｂ）のＡ－Ａ線における断面に相当する。変形例２の近接センサ用パッケージ１Ｂは、凹部１３Ｂが異なり、加えて、基体１０に連通部１５、１６を有するところが実施形態１と異なり、他の構成要素は実施形態１と同様である。

凹部１３Ｂは、キャビティ１１よりも深さが浅い。凹部１３Ｂは、連通部１５と同等の深さであってもよい。凹部１３Ｂに流れ込む可能性のある封止材３１の量は、キャビティ１１の体積に依存する。したがって、設計時、キャビティ１１の体積に応じて、凹部１３Ｂの体積を調整してもよい。

連通部１５はキャビティ１１から凹部１３Ｂへ、硬化前の封止材３１を導く部位である。連通部１５は、キャビティ１１と凹部１３Ｂとの間に位置し、基体１０の上面の他の部分と比較して硬化前の封止材３１が流動しやすい特性を有する。連通部１５の幅は、キャビティ１１の同方向における幅、並びに、凹部１３Ｂの同方向における幅より狭くてもよい。連通部１５としては、図３（Ａ）、（Ｂ）に示すようなキャビティ１１の開口に繋がったキャビティ１１よりも浅い溝を適用できる。なお、連通部１５は溝に限られず、例えば封止材３１の流動性を高める加工を施した表面構造などが適用されてもよい。

連通部１６はキャビティ１２から凹部１４へ、硬化前の封止材３２を導く部位である。連通部１６の構成は、連通部１５と同様である。連通部１６は、凹部１４よりも深さが浅い。

変形例２の近接センサ用パッケージ１Ｂによれば、連通部１５、１６の底部が基体１０の上面よりも低いため、封止材３１、３２がキャビティ１１、１２の間に拡がるよりも早く、連通部１５、１６を伝って凹部１３Ｂ、１４に流動する。したがって、キャビティ１１、１２の間隔が狭くても封止材３１、３２がキャビティ１１、１２の間で繋がってしまうことを抑制できる。よって、近接センサにおいてクロストークが発生することを抑制できる。なお、連通部１５、１６の底部は、凹部１３Ｂ、１４側がキャビティ１１、１２側より低くなるように、基体１０の上面に対して傾斜していてもよい。当該傾斜により封止材３１、３２が凹部１３Ｂ、１４へ流れやすくなる。

さらに、変形例２の近接センサ用パッケージ１Ｂによれば、凹部１３Ｂが浅いことで、凹部１３Ｂにより基体１０の強度が低下することを抑制できる。さらに、変形例２の近接センサ用パッケージ１Ｂによれば、凹部１３Ｂ及び連通部１５、１６が浅いことで、凹部１３Ｂ及び連通部１５、１６を焼成前のセラミックペーストのスクリーン印刷により形成することができ、製造コストを低減できる。

なお、連通部１５、１６は、変形例１の凹部１３Ａ、１４Ａを有する基体１０に適用されてもよく、この場合でも、上記の連通部１５、１６の効果が同様に奏される。

（実施形態２）
図４は、実施形態２の近接センサ用パッケージを示す縦断面図（Ａ）と平面図（Ｂ）である。図４（Ａ）の断面は、図４（Ｂ）のＡ－Ａ線における断面に相当する。実施形態２の近接センサ用パッケージ１Ｃは、凹部１３Ｃ、１４Ｃ、並びに、凹部１３Ｃ、１４Ｃとキャビティ１１、１２との接続態様が異なり、他の構成要素は実施形態１と同様である。

一方のキャビティ１１の周囲には、キャビティ１１、１２の間を除く範囲に、２つの凹部１３Ｃが位置する。２つの凹部１３Ｃは、一方のキャビティ１１における他方のキャビティ１２から遠い側の２つの角部にそれぞれ位置する。２つの凹部１３Ｃは、キャビティ１１と深さが等しくてもよい。キャビティ１１と各凹部１３Ｃとは、互いを連通させる連通部１７ａを含んだ仕切部１７により仕切られている。連通部１７ａの幅は凹部１３Ｃの同方向における最大幅よりも狭い。

もう一方のキャビティ１２の周辺には、キャビティ１１、１２の間を除く範囲に、２つの凹部１４Ｃが位置する。２つの凹部１４Ｃは、一方のキャビティ１２における他方のキャビティ１１から遠い側の２つの角部にそれぞれ位置する。２つの凹部１４Ｃは、キャビティ１２と深さが等しくてもよい。キャビティ１２と各凹部１４Ｃとは、互いを連通させる連通部１８ａを含んだ仕切部１８により仕切られている。連通部１８ａの幅は凹部１４Ｃの同方向における最大幅よりも狭い。

２つの凹部１３Ｃと、２つの凹部１４Ｃとは、中央の境界面Ｏ１に対して対称に配置され、かつ、対称な構成である。２つの仕切部１７と、２つの仕切部１８とは、中央の境界面Ｏ１に対して対称である。上記の境界面Ｏ１とは、基体１０の上面を長手方向に沿って二等分し、基体１０の上面に垂直な仮想的な平面である。上方から見て、境界面Ｏ１と重なる直線が本開示に係る仮想直線に相当する。なお、キャビティ１１と凹部１３Ｃとが離間し、連通部１７ａが連通方向に長さを有していてもよい。同様に、キャビティ１２と凹部１４Ｃとが離間し、連通部１８ａが連通方向に長さを有していてもよい。また、２つの凹部１３Ｃは仕切部１７に対してあるいは境界面Ｏ１に対して対称でなくてもよい。同様に、２つの凹部１４Ｃは仕切部１８に対してあるいは境界面Ｏ１に対して対称でなくてもよい。

実施形態２の近接センサ用パッケージ１Ｃにおいても、キャビティ１１、１２の封止の際、硬化前の封止材３１、３２がキャビティ１１、１２に充填され、キャビティ１２の開口部において盛り上がる。その後、封止材３１、３２は、仕切部１７、１８を介して緩やかに凹部１３Ｃ、１４Ｃに流れ込みながら硬化する。凹部１３Ｃ、１４Ｃ並びに仕切部１７、１８がキャビティ１１、１２の角部に位置することで、キャビティ１１、１２の壁部に位置するよりも、硬化前の封止材３１、３２が流れる方向が緩やかに連続するため、硬化前の封止材３１、３２が凹部１３Ｃ、１４Ｃに流れ込みやすい。したがって、キャビティ１１、１２の開口部外へ封止材３１、３２が拡がり、キャビティ１１、１２の間で封止材３１、３２が繋がってしまうことを抑制できる。よって、近接センサにおいてクロストークが発生することを抑制できる。

さらに、実施形態２の近接センサ用パッケージ１Ｃによれば、凹部１３Ｃ、１４Ｃに流れ込んで硬化した部分により封止材３１、３２にアンカー効果が得られ、封止材３１、３２の剥がれを抑制できる。

さらに、実施形態２の近接センサ用パッケージ１Ｃによれば、２つの仕切部１７と２つの仕切部１８とが中央の境界面Ｏ１に対して対称であるので、仕切部１７、１８を介して凹部１３Ｃ、１４Ｃに流れ込む封止材３１、３２を、中央の境界面Ｏ１に対して対称的にしやすい。したがって、キャビティ１１、１２で硬化した封止材の形状が境界面Ｏ１に対して対称となりやすく、よって封止材を通る光が歪み難く、光の授受の効率が向上する。さらに、基体１０に非対称な応力が生じることを抑制し、基体１０に上方から見て中央の境界面Ｏ１を曲げるような反りが生じることを抑制できる。

なお、２つの仕切部１７は、キャビティ１１の角部ではなく、キャビティ１１の壁部に位置して、境界面Ｏ１に対して対称に配置されていてもよい。同様に、２つの仕切部１８は、キャビティ１２の角部ではなく、キャビティ１２の壁部に位置して、境界面Ｏ１に対して対称に配置されていてもよい。また、仕切部１７が１つである場合、１つの仕切部１７がキャビティ１１の壁部における境界面Ｏ１上に位置することで境界面Ｏ１に対して対称になっていてもよい。同様に、仕切部１８が１つである場合、１つの仕切部１８がキャビティ１２の壁部における境界面Ｏ１上に位置することで境界面Ｏ１に対して対称になっていてもよい。上記の配置としても、仕切部１７、１８を中央の境界面Ｏ１に対して対称であることに基づく上記の効果が同様に奏される。なお、凹部１３Ｃが複数ある場合には、各凹部１３Ｃの大きさは同一であるとよい。同様に、凹部１４Ｃが複数ある場合には、各凹部１４Ｃの大きさは同一であるとよい。大きさが同一であることで、キャビティ１１、１２で硬化した封止材の形状が境界面Ｏ１に対して、より対称な形状としやすい。

なお、実施形態２においては２つの凹部１３Ｃが１つのキャビティ１１の２つの角部に位置する構成としたが、１つ又は３つの凹部１３Ｃがキャビティ１１の周囲に位置し、仕切部１７で仕切られている構成が採用されてもよい。さらに、凹部１３Ｃはキャビティ１１の角部ではなくキャビティ１１の壁面部に対向配置され、キャビティ１１に仕切部１７の連通路を介して通じる構成としてもよい。また、仕切部１７に含まれる連通部は、凹部１３Ｃの下端から上端まで全域でキャビティ１１と連通していなくてもよく、一部の高さにおいてのみ連通した構成が採用されてもよい。もう一方のキャビティ１２に対応する凹部１４Ｄ及び仕切部１８についても同様である。

（変形例３）
図５は、変形例３の近接センサ用パッケージを示す縦断面図（Ａ）と平面図（Ｂ）である。図５（Ａ）の断面は、図５（Ｂ）のＡ－Ａ線における断面に相当する。変形例３の近接センサ用パッケージ１Ｄは、凹部１３Ｄ、１４Ｄ及び仕切部１７Ｄ、１８Ｄの深さがキャビティ１１、１２の深さよりも浅い点が異なり、他の構成要素は実施形態２と同様である。凹部１３Ｄ、１４Ｄ及び仕切部１７Ｄ、１８Ｄの深さは、キャビティ１１、１２の深さの半分以下であってもよい。

変形例３の近接センサ用パッケージ１Ｄにおいても、キャビティ１１、１２の封止の際、硬化前の封止材３１、３２がキャビティ１１、１２に充填され、キャビティ１２の開口部において盛り上がる。そして、封止材３１、３２は、仕切部１７Ｄ、１８Ｄを介して凹部１３Ｄ、１４Ｄへ緩やかに流れ込みながら硬化する。したがって、キャビティ１１、１２の開口部外へ封止材３１、３２が拡がり、キャビティ１１、１２の間で封止材３１、３２が繋がってしまうことを抑制できる。よって、近接センサにおいてクロストークが発生することを抑制できる。

さらに、変形例３の近接センサ用パッケージ１Ｄによれば、凹部１３Ｄ、１４Ｄ及び仕切部１７Ｄ、１８Ｄが浅い分、凹部１３Ｄ、１４Ｄに流れ込む封止材３１、３２の量を制限し、封止材３１、３２の使用量を低減できる。

なお、変形例３においても２つの凹部１３Ｄは、１つ又は３つにしてもよいし、凹部１３Ｄの配置もキャビティ１１の壁面部に対向する配置としてもよい。仕切部１７Ｄに含まれる連通部は、仕切部１７Ｄの下端から上端の全域でキャビティ１１と連通していなくてもよく、一部の高さにおいてのみ連通した構成が採用されてもよい。もう一方のキャビティ１２に対応する凹部１４Ｄ及び仕切部１８Ｄについても同様である。

さらに、変形例３において凹部１３Ｄ、１４Ｄの深さを浅くせず、仕切部１７Ｄ、１８Ｄのみ浅くしてもよく、この場合でも、凹部１３Ｄ、１４Ｄに流れ込む封止材３１、３２の量を制限し、封止材３１、３２の使用量を低減できる。

（近接センサ及び電子モジュール）
図６は、本開示の実施形態に係る近接センサ及び電子モジュールを示す縦断面図である。本実施形態に係る近接センサ６０は、近接センサ用パッケージ１と、近接センサ用パッケージ１の搭載領域Ｒ１、Ｒ２に搭載された受光素子４１及び発光素子４２と、キャビティ１１、１２に充填され硬化した封止材３１、３２とを備える。

発光素子４２は、赤外線発光ダイオード等であるが、その他の波長を出力する素子であってもよいし、レーザー発振器であってもよい。受光素子４１は、発光素子４２から出射され近接物から反射された光を検出するフォトダイオードなどの半導体素子であるが、反射光を検出できればどのような素子であってもよい。受光素子４１と発光素子４２とがキャビティ１１、１２の底に搭載されることで、近接物の反射を介さずに発光素子４２から受光素子４１へ光が送られてしまうことを抑制できる。図６では、受光素子４１と発光素子４２とが表面実装された例を示しているが、一部の電極がワイヤーボンディングにより接続されていてもよい。

封止材３１、３２は、紫外線硬化型の透明樹脂、熱硬化型の透明樹脂、常温硬化型の透明樹脂など、硬化性と透光性とを有する樹脂である。封止材３１、３２は、凹部１３、１４に流れ込んでいても、流れ込んでいなくてもよい。個々の近接センサ６０において凹部１３、１４に封止材３１、３２が流れ込んでいなくても、大量生産された多くの近接センサ６０に注目したときには、幾つかの近接センサ６０において凹部１３、１４に封止材３１、３２が流れ込むことで、キャビティ１１、１２の間で封止材３１、３２が繋がることが抑制され近接センサ６０の歩留まりを向上できる。この場合、凹部１３、１４に封止材３１、３２が流れ込んでいない近接センサ６０も、歩留まりの向上により、低コスト化などの利益が得られる。

本実施形態に係る電子モジュール１００は、モジュール用基板１１０と、モジュール用基板１１０に実装された近接センサ６０とを備える。モジュール用基板１１０には、近接センサ６０に加えて、他の電子装置、電子素子及び電気素子などが実装されていてもよい。モジュール用基板１１０には電極パッド１１１が設けられ、近接センサ６０は、電極パッド１１１に半田又は金スズ等の接合材１１３を介して接合されてもよい。

本実施形態の近接センサ６０及び電子モジュール１００によれば、キャビティ１１、１２の開口から盛り上がった封止材が、キャビティ１１、１２の間で繋がり、近接センサ６０においてクロストークが発生してしまうことが抑制され、近接センサ６０の信頼性を向上できる。

以上、本開示の各実施形態について説明した。しかし、本発明は上記実施形態に限られない。例えば、上記実施形態では、２つのキャビティ１１、１２に対応して２つ又は４つの凹部１３（１３Ａ～１３Ｄ）、１４（１４Ａ、１４Ｃ、１４Ｄ）を有する例を示した。しかし、キャビティ１１に対応する凹部１３（１３Ａ～１３Ｄ）を有する一方、キャビティ１２に対応する凹部１４（１４Ａ、１４Ｃ、１４Ｄ）は省略されてもよい。逆にキャビティ１２に対応する凹部１４（１４Ａ、１４Ｃ、１４Ｄ）を有する一方、キャビティ１１に対応する凹部１３（１３Ａ～１３Ｄ）は省略されてもよい。一方のキャビティに対応する凹部と、他方のキャビティに対応する凹部とは、互いに対称的な配置、形状、大きさであってもよいし、非対称な配置、形状、大きさであってもよい。また、１つの近接センサ用パッケージに、複数種類の凹部が混在していてもよい。その他、実施形態で示した細部は、発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。

１、１Ａ～１Ｄ 近接センサ用パッケージ
１０ 基体
１１、１２ キャビティ（第１キャビティ、第２キャビティ）
１３、１３Ａ～１３Ｄ、１４、１４Ａ、１４Ｃ～１４Ｄ 凹部（第１凹部、第２凹部）
１５、１６ 連通部
１７、１７Ｄ、１８、１８Ｄ 仕切部
１７ａ、１８ａ 連通部
２０ 配線導体
４１ 受光素子
４２ 発光素子
６０ 近接センサ
１００ 電子モジュール
１１０ モジュール用基板

Claims (11)

1. 上面と、前記上面に開口した第１キャビティ及び第２キャビティと、を有する基体を備え、
   前記基体は、前記上面における前記第１キャビティの周囲のうち前記第１キャビティと前記第２キャビティとの間以外に位置する第１凹部を、更に有する、
   近接センサ用パッケージ。
2. 前記第１凹部は、前記第１キャビティを挟んで前記第２キャビティとは反対側に位置する、
   請求項１記載の近接センサ用パッケージ。
3. 前記基体は、前記上面に連続する側面を有し、
   前記第１凹部は、前記上面の縁部から前記側面にかけて位置する、
   請求項１又は請求項２に記載の近接センサ用パッケージ。
4. 前記基体は、前記第１キャビティと前記第１凹部とをつなぐ連通部を有する、
   請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の近接センサ用パッケージ。
5. 前記連通部の幅が前記第１凹部の幅より小さい、
   請求項４記載の近接センサ用パッケージ。
6. 前記連通部が、前記第１キャビティにおける前記第２キャビティから遠い側の角部に位置する、
   請求項４又は請求項５記載の近接センサ用パッケージ。
7. １つ又は複数の前記連通部を有し、
   前記１つ又は複数の連通部が、前記第１キャビティ及び前記第２キャビティの中心を通る仮想直線に対して対称に位置する、
   請求項４又は請求項５記載の近接センサ用パッケージ。
8. 前記第１凹部は、前記第１キャビティの深さよりも浅い、
   請求項４から請求項７のいずれか一項に記載の近接センサ用パッケージ。
9. 前記基体は、前記上面における前記第２キャビティの周囲のうち前記第１キャビティと前記第２キャビティとの間以外に位置する第２凹部を、更に有する、
   請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の近接センサ用パッケージ。
10. 請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の近接センサ用パッケージと、
    前記第１キャビティ及び前記第２キャビティの一方と他方とにそれぞれ搭載された発光素子及び受光素子と、
    前記第１キャビティ及び前記第２キャビティに位置する透光性を有する封止材と、
    を備える近接センサ。
11. 請求項１０記載の近接センサと、
    前記近接センサを搭載したモジュール用基板と、
    を備える電子モジュール。

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