KR20110004272A - 광가교성 실리콘 혼합물로부터 실리콘 코팅 및 실리콘 몰딩을 제조하는 방법 - Google Patents

Abstract

1) 하기 평균적 일반식(1)으로 표시되는 폴리오르가노실록산(A):
R¹ _xR² _ySiO_(4-x-y)/2 (1),
식에서,
R ¹ 은 1가의, 선택적으로 할로겐- 또는 시아노-치환된, C₁-C₁₀ 탄화수소 라디칼로서, 선택적으로는 2가의 유기기를 통해 실리콘에 결합되고, 지방족 탄소-탄소 다중 결합을 가지는 라디칼을 나타내고,
R ² 는 1가의, 선택적으로 할로겐- 또는 시아노-치환된, C₁-C₁₀ 탄화수소 라디칼로서, SiC를 통해 결합되고 지방족 탄소-탄소 다중 결합이 없는 라디칼을 나타내고,
x는 각각의 분자에 2개 이상의 라디칼 R ¹ 이 존재하도록 하는 영(0) 이상의 수이고,
y는 (x+y)가 평균적으로 1.8 내지 2.5 범위가 되도록 하는 영(0) 이상의 수임,
(B) 분자 1개당 2개 이상의 SiH 작용기를 함유하는 오르가노실리콘 화합물, 및
(C) 200∼500nm의 광에 의해 활성화될 수 있는 시클로펜타디에닐-백금 착화합물 촉매
를 함유하는 광가교성 실리콘 혼합물을 적용하고, 상기 적용 전 또는 후에 40℃ 내지 250℃로 가열하는 단계, 및
2) 상기 적용된 실리콘 혼합물을 200∼500nm의 광으로 조사하는 단계
를 포함하는 실리콘 코팅 및 실리콘 몰딩의 제조 방법.

Description

광가교성 실리콘 혼합물로부터 실리콘 코팅 및 실리콘 몰딩을 제조하는 방법{PROCESS FOR THE PRODUCTION OF SILICONE COATINGS AND SILICONE MOLDINGS FROM PHOTOCROSSLINKABLE SILICONE MIXTURES}

본 발명은 광가교성 실리콘 혼합물로부터 실리콘 코팅 및 실리콘 몰딩을 제조하는 방법에 관한 것이다.

전기 및 전자 산업의 많은 응용 분야에서, 가능한 한 낮은 점도를 가진 실리콘 엘라스토머를 사용하여 작업하는 것이 요망된다. 전형적인 경우로서, 부품의 매우 좁은 기하학적 영역을 캐스팅 컴파운드로 채워야 할 때, 코팅 또는 캐스팅할 표면을 가능한 한 신속히 습윤시켜야 할 때, 또는 재료를 매우 얇은 층으로 도포해야 할 때가 그러하다. 특히 후자의 경우가 비용면에서 특히 그러하다.

상업적으로 활용가능한, 저점도의 무용매 코팅재는 100mPaㆍs까지의 낮은 처리 점도를 달성했다(Dow Corning HC-2000: 130mPaㆍs; Dow Corning 3-1965: 110mPaㆍs; "Information ueber Dow Corning Schutzlacke[Information about Dow Corning protective lacquers], 1999-2005"). 올리고머계 알킬실록산 및 알케닐실록산을 사용함으로써, 훨씬 더 낮은 점도를 가진 혼합물을 제조할 수 있다. 그러나, 그러한 혼합물은 그 기계적 성질이 사용 요건에 더 이상 합치되지 않기 때문에 실현되지 못한다.

그럼에도 불구하고, 10mPaㆍs 이하의 점도를 가지는 래커(우레탄계 또는 에폭시계)가 회로 기판 코팅 용도로 사용된다.

그러한 낮은 점도는 종래의 실리콘 혼합물에 있어서는 오직 유기 용매를 사용해야 달성될 수 있지만, 이는 작업장 안전과 환경 보호의 이유에서 적합하지 않다.

본 발명의 목적은 종래 기술을 개선하는 것, 특히 가능한 한 신속하게 실리콘 코팅 및 실리콘 몰딩을 제조하는 것이다.

본 발명은, 실리콘 코팅 및 실리콘 몰딩의 제조 방법으로서,

1) 평균적 일반식(1)으로 표시되는 폴리오르가노실록산(A):

R¹ _xR² _ySiO_(4-x-y)/2 (1),

식에서,

R ¹ 은 1가의, 선택적으로 할로겐- 또는 시아노-치환된, C₁-C₁₀ 탄화수소 라디칼로서, 선택적으로는 2가의 유기기를 통해 실리콘에 결합되고, 지방족 탄소-탄소 다중 결합을 가지는 라디칼을 나타내고,

R ² 는 1가의, 선택적으로 할로겐- 또는 시아노-치환된, C₁-C₁₀ 탄화수소 라디칼로서, SiC를 통해 결합되고 지방족 탄소-탄소 다중 결합이 없는 라디칼을 나타내고,

x는 각각의 분자에 2개 이상의 라디칼 R ¹ 이 존재하도록 하는 영(0) 이상의 수이고,

y는 (x+y)가 평균적으로 1.8 내지 2.5 범위가 되도록 하는 영 이상의 수임,

(B) 분자 1개당 2개 이상의 SiH 작용기를 함유하는 오르가노실리콘 화합물, 및

(C) 200∼500nm의 광에 의해 활성화될 수 있는 시클로펜타디에닐-백금 착화합물 촉매

를 함유하는 광가교성 실리콘 혼합물을 적용하고, 상기 적용 전 또는 후에 40℃ 내지 250℃로 가열하는 단계, 및

2) 상기 적용된 실리콘 혼합물을 200∼500nm의 광으로 조사하는 단계

를 포함하는 실리콘 코팅 및 실리콘 몰딩의 제조 방법에 관한 것이다.

본 발명은 실리콘 폴리머의 점도의 온도 의존성을 이용한다. 실리콘 폴리머 또는 그의 혼합물이 가열되면, 점도는 감소되고; 따라서, 25℃로부터 100℃로 가열될 경우에 PDMS 오일의 점도는 100mPaㆍs로부터 30mPaㆍs로 감소된다. 따라서, 실리콘 혼합물의 온도가 증가될 때 감소된 점도를 가진 실리콘 혼합물을 가공하는 것이 가능하다. 그러나, 공지된 부가-가교결합형, 비-UV-가교결합형 실리콘의 경우에는 이들 실리콘이 비교적 높은 온도에서 신속히 가교결합되고 그에 따라 더 이상 가공될 수 없기 때문에 이러한 원리가 적용될 수 없다.

광의 부재 하에서 열적에 의해 가교결합되지 않는 UV-가교결합성 실리콘을 사용함으로써, 실온에서 비교적 높은 출발 점도를 가진(따라서, 증강된, 보다 양호한 기계적 성질을 가진) 실리콘 혼합물의 점도를 열의 공급에 의해 실질적으로 감소시키고 또한 경화 없이 혼합물의 가공성을 개선할 수 있다. 이어서, 가공자가 원하는 부위에 실리콘이 도포되는 즉시 광에 노출시킴으로써 경화가 일어난다.

전술한 공정이 성공하기 위한 전제 조건은 비교적 높은 온도에서도 하이드로실릴화 공정의 활성화를 초래하지 않고, UV 광의 노출에 의해서만 활성화되는 백금 촉매를 사용하는 것이었다.

이러한 실리콘 혼합물은, 예를 들면 150℃의 온도로 수 시간 동안 가황(vulcanization)이 일어나지 않는 상태로 가열될 수 있다. 공정 중에, 실리콘 혼합물을 가열하는 것뿐 아니라 컴포넌트를 적절히 예열하는 것이 유리할 수 있다.

성형된 실리콘 혼합물에 대한 광 조사는 바람직하게는 1초 이상, 특히 바람직하게는 5초 이상 진행되고, 바람직하게는 500초 이내, 특히 바람직하게는 100초 이내로 이루어진다. 실리콘 혼합물의 가교결합은 하이드로실릴화 반응이 시작됨으로써 개시되고, 상기 실리콘 혼합물이 겔화된다.

실리콘 혼합물은 바람직하게는 100∼2,000,000mPaㆍs, 보다 바람직하게는 1,000∼20,000mPaㆍs, 특히 100,000mPaㆍs 이하의 점도[D=0.5/25℃]를 가진다.

200∼500nm의 광에 의해 가교결합될 수 있는 실리콘 혼합물은 평균 일반식(1)에 해당하는 폴리오르가노실록산(A)을 포함한다:

R¹ _xR² _ySiO_(4-x-y)/2 (1),

식에서,

R ¹ 은 1가의, 선택적으로 할로겐- 또는 시아노-치환된, C₁-C₁₀ 탄화수소 라디칼로서, 선택적으로는 2가의 유기기를 통해 실리콘에 결합되고, 지방족 탄소-탄소 다중 결합을 가지는 라디칼을 나타내고,

R ² 는 1가의, 선택적으로 할로겐- 또는 시아노-치환된, C₁-C₁₀ 탄화수소 라디칼로서, SiC를 통해 결합되고 지방족 탄소-탄소 다중 결합이 없는 라디칼을 나타내고,

x는 각각의 분자에 2개 이상의 라디칼 R ¹ 이 존재하도록 하는 영(0) 이상의 수이고,

y는 (x+y)가 평균적으로 1.8 내지 2.5 범위가 되도록 하는 영 이상의 수임.

알케닐기 R ¹ 은 SiH-작용성 가교결합제와의 부가 반응 위치가 될 수 있다. 보통은, 비닐, 알릴, 메탈릴, 1-프로페닐, 5-헥세닐, 에티닐, 부타디에닐, 헥사디에닐, 시클로펜테닐, 시클로펜타디에닐, 시클로헥세닐과 같은 2∼6개의 탄소 원자를 가진 알케닐기가 사용되고, 바람직하게는 비닐 및 알릴기가 사용된다.

알케닐기 R ¹ 이 2가의 유기기를 통해 폴리머 사슬의 실리콘에 결합될 수 있는데, 그러한 2가의 유기기는, 예를 들면, 하기 일반식(2)으로 표시되는 것과 같은 옥시알킬렌 단위로 구성된다:

-(O)_m[(CH₂)_nO]_o- (2)

식에서,

m은 0 또는 1, 특히 0의 값을 나타내고,

n은 1 내지 4, 특히 1 또는 2의 값을 나타내고,

o는 1 내지 20, 특히 1 내지 5의 값을 나타낸다.

라디칼 R ¹ 은 폴리머 사슬의 임의의 위치, 특히 말단 실리콘 원자에 결합될 수 있다.

치환되지 않은 라디칼 R ² 의 예는, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸 및 tert-펜틸 라디칼, n-헥실 라디칼과 같은 헥실 라디칼, n-헵틸 라디칼과 같은 헵틸 라디칼, n-옥틸 라디칼과 같은 옥틸 라디칼, 2,2,4-트리메틸펜틸 라디칼과 같은 이소옥틸 라디칼, n-노닐 라디칼과 같은 노닐 라디칼, n-데실 라디칼과 같은 데실 라디칼 등의 알킬 라디칼; 비닐, 알릴, n-5-헥세닐, 4-비닐시클로헥실 및 3-노르보르네닐 라디칼과 같은 알케닐 라디칼; 시클로펜틸, 시클로헥실 및 4-에틸시클로헥실, 시클로헵틸 라디칼, 노르보르닐 라디칼 및 메틸시클로헥실 라디칼과 같은 시클로알킬 라디칼; 페닐, 비페닐릴 및 나프틸 라디칼과 같은 아릴 라디칼; o-, m- 및 p-톨릴 라디칼 및 에틸페닐 라디칼과 같은 알카릴 라디칼; 벤질 라디칼 및 α-, 및 β-페닐에틸 라디칼과 같은 아랄킬 라디칼이다.

라디칼 R ² 로서, 치환된 탄화수소 라디칼의 예는, 클로로메틸, 3-클로로프로필, 3-브로모프로필, 3,3,3-트리플루오로프로필 및 5,5,5,4,4,3,3-헥사플루오로펜틸 라디칼, 클로로페닐, 디클로로페닐 및 트리플루오로톨릴 라디칼과 같은 할로겐화 탄화수소이다.

R ² 는 바람직하게는 1∼6개의 탄소 원자를 가진다. 메틸 및 페닐이 특히 바람직하다.

성분 (A)는, 알케닐기를 함유하고, 예를 들면 알케닐기의 함량, 알케닐기의 형태 또는 구조적으로 상이한 여러 가지 폴리오르가노실록산의 혼합물일 수도 있다.

알케닐기를 함유하는 폴리오르가노실록산(A)의 구조는 직쇄형, 환형 또는 분지형일 수 있다. 분지형 폴리오르가노실록산을 형성하는 트리- 및/또는 테트라-작용성 단위의 함량은 전형적으로 매우 낮고, 바람직하게는 20몰% 이하, 특히 0.1몰% 이하이다.

비닐기를 함유하고, 그 분자가 하기 일반식(3)에 해당하는 폴리디메틸실록산을 사용하는 것이 특히 바람직하다:

(ViMe₂SiO_{1 /2})₂(ViMeSiO)_p(Me₂SiO)_q (3)

식에서, 음의 정수인 p와 q는 다음 관계식을 충족시킨다: p≥0, 50＜(p+q)＜20,000, 바람직하게는 200＜(p+q)＜1,000, 및 0＜(p+1)/＜(p+q)＜0.2.

폴리오르가노실록산(A)의 점도는 25℃에서, 바람직하게는 0.5∼100,000Paㆍs, 특히 1∼2,000Paㆍs이다.

분자 1개당 2개 이상의 SiH 작용기를 함유하는 오르가노실리콘 화합물(B)은 하기 일반식(4)의 조성을 가진다:

H_hR_{3 - h}SiO(SiR₂O)_o(SiR_{2- x}H_xO)_pSiR_{3 - h}H_h (4)

식에서,

R은, SiC를 통해 결합되고 지방족 탄소-탄소 다중 결합이 없는, 1가의, 선택적으로 할로겐- 또는 시아노-치환된 C₁-C₁₈ 탄화수소 라디칼이고,

h는 0, 1 또는 2이고,

o는 0 또는 1∼1,000의 정수이고,

p는 1∼1,000의 정수이고,

x는 1 또는 2임.

R의 예는 R ² 에 대해 예시한 라디칼이다. R은 바람직하게는 1∼6개의 탄소 원자를 가진다. 메틸 및 페닐이 특히 바람직하다.

분자 1개당 3개 이상의 SiH 결합을 함유하는 오르가노실리콘 화합물(B)을 사용하는 것이 바람직하다. 분자 1개당 단지 2개의 SiH 결합을 가지는 오르가노실리콘 화합물(B)을 사용하는 경우에는, 분자 1개당 3개 이상의 알케닐기를 가지는 폴리오르가노실록산(A)을 사용하는 것이 바람직하다.

오르가노실리콘 화합물(B)의 수소 함량은, 실리콘에 직접 결합된 수소 원자만을 기준으로 하여, 바람직하게는 0.002∼1.7중량%의 수소, 보다 바람직하게는 0.1∼1.7중량%의 수소이다.

오르가노실리콘 화합물(B)은 바람직하게는 분자 1개당 3개 이상, 600개 이하의 실리콘 원자를 함유한다. 분자 1개당 4∼200개의 실리콘 원자를 함유하는 오르가노실리콘 화합물(B)을 사용하는 것이 바람직하다.

오르가노실리콘 화합물(B)의 구조는 직쇄형, 분지형, 환형, 또는 그물형일 수 있다.

특히 바람직한 오르가노실리콘 화합물(B)은 하기 일반식(5)의 직쇄형 폴리오르가노실록산이다:

(HR⁴ ₂SiO_{1 /2})_c(R⁴ ₃SiO_{1 /2})_d(HR⁴SiO_{2 /2})_e(R⁴ ₂SiO_{2 /2})_f (5)

식에서,

R ⁴ 는 R과 동일하고,

음의 정수인 c, d, e 및 f는 다음 관계식을 충족시킨다: (c+d)=2, (c+e)＞2, 5＜(e+f)＜200 및 1＜e/(e+f)＜0.1.

SiH-작용성 오르가노실리콘 화합물(B)은 바람직하게는, 알케닐기에 대한 SiH 기의 몰비가 0.5∼5, 특히 1.0∼3.0이 되는 양으로 가교결합성 실리콘 물질에 존재한다.

적합한 촉매(C)는, 바람직하게는 하기 일반식(6)으로 표시되는 백금의 시클로펜타디에닐 착화합물이다:

식에서,

g = 1∼8,

h = 0∼2,

i = 1∼3,

R ⁷ 은 서로 독립적으로, 동일하거나 상이하고, 지방족 형태로 포화 또는 불포화되거나, 방향족 형태로 불포화된 라디칼을 함유하고, 1∼30개의 탄소 원자를 가진, 1가의 미치환 또는 치환된 직쇄형, 환형 또는 분지형 탄화수소 라디칼을 나타내며, 여기서 각각의 탄소 원자는 O, N, S 또는 P 원자로 치환될 수 있고,

R ⁸ 은 서로 독립적으로, 동일하거나 상이하고, 하기 성분으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 가수분해 가능한 작용기를 나타내고,

카르복실 -O-C(O)R¹⁰,

옥심 -O-N=CR¹⁰ ₂,

알콕시 -OR¹⁰,

알케닐옥시 -O-R¹²,

아미드 -NR¹⁰-C(O)R¹¹,

아민 -NR¹⁰R¹¹,

아민옥시 -O-NR¹⁰R¹¹,

여기서, R ¹⁰ 은 서로 독립적으로, 동일하거나 상이하고, H, 알킬, 아릴, 아릴알킬, 알킬아릴을 나타내고,

R ¹¹ 은 서로 독립적으로, 동일하거나 상이하고, 알킬, 아릴, 아릴알킬, 알킬아릴을 나타내고,

R ¹² 는 직쇄형 또는 분지형의 지방족 형태로 불포화된 유기 라디칼을 나타냄,

R ^9a 는 서로 독립적으로, 동일하거나 상이하고, 1∼30개의 탄소 원자를 가진 알킬, 아릴, 아릴알킬, 알킬아릴을 나타내고, 여기서 수소는 -Hal 또는 -SiR₃ ⁹로 치환될 수 있고,

여기서, R ⁹ 는 서로 독립적으로, 동일하거나 상이하고, 1가의 미치환 또는 치환된 직쇄형, 환형 또는 분지형 탄화수소 라디칼을 나타냄,

R ^9b 는 서로 독립적으로, 동일하거나 상이하고, 지방족 형태로 포화 또는 불포화되거나 방향족 형태로 불포화된 라디칼을 함유하며 1∼30개의 탄소 원자를 가진, 1가의 미치환 또는 치환된 직쇄형 또는 분지형 탄화수소 라디칼, 또는 수소를 나타내고, 시클로펜타디에닐 라디칼에 융합된 환을 형성할 수 있고, 여기서 각각의 탄소는 O, N, S 또는 P 원자로 치환될 수 있음.

바람직한 라디칼 R ⁷ 은, 1∼8개의 탄소 원자를 가진 직쇄형 포화 탄화수소 라디칼이다. 또한, 페닐 라디칼이 바람직하다.

바람직한 라디칼 R ⁸ 은 메톡시, 에톡시, 아세톡시 및 2-메톡시에톡시 기이다.

바람직한 라디칼 R ^9a 는, 메틸, 에틸, 프로필 또는 부틸 라디칼과 같은 직쇄형 및 분지형의, 선택적으로는 치환된 알킬 라디칼이다.

바람직한 라디칼 R ^9b 는, 메틸, 에틸, 프로필 또는 부틸 라디칼과 같은 직쇄형 및 분지형의, 선택적으로는 치환된 직쇄형 알킬 라디칼이다. 또한, 예를 들면, 인데닐 또는 플루오레닐 라디칼과 같은, 선택적으로는 추가로 치환된 융합환이 바람직하다.

촉매(C)로서는 메틸시클로펜타디에닐트리메틸 백금 착화합물(MeCp(PtMe₃))이 특히 바람직하다.

촉매(C)는 임의의 얻고자 하는 형태로 사용될 수 있고, 예를 들면, 특허 문헌 EP-A-1006147에 기재된 바와 같은, 하이드로실릴화 촉매 또는 오르가노폴리실록산 입자를 함유하는 마이크로캡슐 형태로 사용될 수도 있다.

하이드로실릴화 촉매(C)의 함량은 바람직하게는, 실리콘 혼합물이 0.1∼200ppm, 바람직하게는 0.5∼40ppm의 백금 기의 금속 함량을 가지도록 선택된다.

실리콘 혼합물은 바람직하게는 투명하고, 광 흡수 충전재를 함유하지 않는다.

그러나, 상기 실리콘 혼합물은 충전재(D)를 함유할 수도 있다. 비보강성 충전재(D)의 예는, BET 표면적이 50㎡/g 이하인 충전재로서, 예를 들면 석영, 규조토, 규산칼슘, 규산지르코늄, 제올라이트, 알루미늄, 티타늄, 철 또는 아연의 산화물 또는 이것들의 혼합 산화물과 같은 금속 산화물 분말, 황산바륨, 탄산칼슘, 석고, 질화규소, 탄화규소, 질화붕소, 유리 및 플라스틱 분말 등이다. 보강성 충전재, 즉 BET 표면적이 50㎡/g 이상인 충전재의 예로는, 발열 방식으로 제조된 실리카, 침전 실리카, 퍼니스 블랙(furnace black) 및 아세틸렌 블랙과 같은 카본 블랙, 및 BET 표면적이 큰 혼합형 실리콘 알루미늄 산화물을 들 수 있다. 섬유상 충전재의 예로는, 석면 및 플라스틱 섬유를 들 수 있다. 상기 충전재들은 예를 들면, 오르가노실란이나 오르가노실록산에 의한 처리 또는 하이드록시기의 에테르화에 의해 소수화되어 알콕시기를 형성할 수 있다. 한 가지 형태의 충전재를 사용할 수도 있고, 2종 이상의 충전재의 혼합물을 사용할 수도 있다.

상기 실리콘 혼합물이 충전재(D)를 함유할 경우에, 그 비율은 실리콘 물질 총량을 기준으로, 바람직하게는 2∼60중량%, 특히 5∼50중량%이다.

실리콘 혼합물은, 성분(E)으로서 추가적 첨가제를, 실리콘 물질 총량 기준으로 70중량% 이하, 바람직하게는 0.0001∼40중량%의 비율로 함유할 수 있다. 이러한 첨가제의 예로는, 디오르가노폴리실록산(A) 및 (B)와는 상이한 수지형 폴리오르가노실록산, 분산제, 용매, 접착 촉진제, 안료, 염료, 가소제, 유기 폴리머, 열 안정화제 등을 들 수 있다. 이것들은 염료, 안료 등과 같은 첨가제를 포함한다. 또한, 고도로 분쇄된 실리카와 같은 요변성 성분 또는 다른 상업적으로 입수가능한 요변성 첨가제도 성분(E)으로서 존재할 수 있다. 그 밖에도, 사슬 연장제로서 식: HSi(CH₃)₂-[O-Si(CH₃)₂]_w-H(w는 1∼1,000의 값을 나타냄)으로 표시되는 실록산도 존재할 수 있다.

또한, 실리콘 혼합물의 가공 시간, 개시 온도 및 가교결합 속도를 목표치로 조절하기 위한 첨가제(E)가 존재할 수도 있다. 이러한 억제제 및 안정화제들은 가교결합 물질 분야에서 잘 알려져 있다.

또한, 압축 세트(compression set)를 향상시키는 첨가제가 첨가될 수도 있다. 또한, 중공체(hollow body)가 첨가될 수도 있다. 또한, 포말을 발생시키기 위한 발포제가 첨가될 수도 있다. 또한, 비-비닐(non-vinyl) 작용화 폴리디오르가노실록산이 첨가될 수도 있다.

실리콘 혼합물의 컴파운딩(compounding)은 전술한 성분들을 임의의 원하는 순서로 혼합함으로써 이루어진다.

상기 방법의 바람직한 구현예는 전자 산업 및 전자 부품의 캐스팅과 코팅 분야의 응용이다.

본 발명은 또한, 본 발명에 따른 방법에 의해 얻을 수 있는 실리콘 코팅 및 실리콘 몰딩에 관한 것이다.

전술한 식의 모든 부호들은 각각의 경우에 서로 독립적으로 자체의 의미를 가진다. 전술한 모든 식에서, 실리콘 원자는 4가이다.

본 발명에 의하면, 종래 기술의 단점을 개선하여 가능한 한 신속하게 실리콘 코팅 및 실리콘 몰딩을 제조할 수 있다.

이하의 실시예에서, 각각의 경우에 달리 언급되지 않는 한, 모든 양과 퍼센트 데이터는 중량 기준이며, 모든 압력은 0.10MPa(절대압)이고, 모든 온도는 20℃이다.

실시예

실리콘 혼합물 A

	부
비닐 폴리머 200	65
PDMS 오일 (오일 AK 50)	30
H-실록산	5
백금 촉매	0.10

물질의 성질

	값 [mPaㆍs]
점도 [25℃]	170
점도 [100℃]	50
점도 [175℃]	22

실리콘 혼합물 B

	부
비닐 폴리머 1000	92
H-실록산	8
백금 촉매	0.01

물질의 성질

	값 [mPaㆍs]
점도 [25℃]	950
점도 [125℃]	200

상기 표에서 하기 사항이 적용된다:

- 비닐 폴리머 1000에 있어서: ViMe₂SiO-(Me₂SiO)_n-SiMe₂Vi, 식에서 n=200

- 비닐 폴리머 200에 있어서: ViMe₂SiO-(Me₂SiO)_n-SiMe₂Vi, 식에서 n=95

- 오일 AK 50: Me₃SiO-(Me₂SiO)_n-SiMe₃, 식에서 n=40

- H-실록산에 있어서: MerH_(3-r)SiO-(MeHSiO)_p-(Me₂SiO)_q-SiMe_rH_(3-r), 식에서 r=2 또는 3, p+q=50

- 백금 촉매에 있어서: MeCp(PtMe₃).

치수가 50×50cm인 전자 부품을 전술한 실리콘 혼합물(A)로 완전히 피복시킨다. 상기 부품은 캐스팅할 바닥이 벽에 의해 고정되어 있는 플러그 커넥터이다.

제1 실험에서, 계량 장치를 이용하여 상기 물질을 25℃의 온도에서 상기 부품에 도포한다. 14초 이내에, 부품의 바닥은 완전히 피복되고; 그 결과 2.2g의 실리콘이 도포된다.

제2 실험에서, 상기 물질을 100℃의 온도에서, 상응하여 예열된 부품에 도포한다. 8초 이내에, 부품의 바닥은 완전히 피복되고; 그 결과 1.4g의 실리콘이 도포된다.

두 가지 경우 모두에서, 다음으로 UV 광에 의해 실리콘이 경화된다.

치수가 50×50cm인 전자 부품을 전술한 실리콘 혼합물(B)로 완전히 피복시킨다. 상기 부품은 캐스팅할 바닥이 벽에 의해 고정되어 있는 플러그 커넥터이다.

제1 실험에서, 계량 장치를 이용하여 상기 물질을 25℃의 온도에서 상기 부품에 도포한다. 30초 이내에, 부품의 바닥은 완전히 피복되고; 그 결과 2.2g의 실리콘이 도포된다.

제2 실험에서, 상기 물질을 125℃의 온도에서, 상응하여 예열된 부품에 도포한다. 16초 이내에, 부품의 바닥은 완전히 피복되고; 그 결과 1.8g의 실리콘이 도포된다.

두 가지 경우 모두에서, 다음으로 UV 광에 의해 실리콘이 경화된다.

Claims (6)

1) 하기 평균적 일반식(1)으로 표시되는 폴리오르가노실록산(A):
R¹ _xR² _ySiO_(4-x-y)/2 (1),
식에서,
R ¹ 은 1가의, 선택적으로 할로겐- 또는 시아노-치환된, C₁-C₁₀ 탄화수소 라디칼로서, 선택적으로는 2가의 유기기를 통해 실리콘에 결합되고, 지방족 탄소-탄소 다중 결합을 가지는 라디칼을 나타내고,
R ² 는 1가의, 선택적으로 할로겐- 또는 시아노-치환된, C₁-C₁₀ 탄화수소 라디칼로서, SiC를 통해 결합되고 지방족 탄소-탄소 다중 결합이 없는 라디칼을 나타내고,
x는 각각의 분자에 2개 이상의 라디칼 R ¹ 이 존재하도록 하는 영(0) 이상의 수이고,
y는 (x+y)가 평균적으로 1.8 내지 2.5 범위가 되도록 하는 영(0) 이상의 수임,
(B) 분자 1개당 2개 이상의 SiH 작용기를 함유하는 오르가노실리콘 화합물, 및
(C) 200∼500nm의 광에 의해 활성화될 수 있는 시클로펜타디에닐-백금 착화합물 촉매
를 함유하는 광가교성 실리콘 혼합물을 적용하고, 상기 적용 전 또는 후에 40℃ 내지 250℃로 가열하는 단계, 및
2) 상기 적용된 실리콘 혼합물을 200∼500nm의 광으로 조사하는 단계
를 포함하는 실리콘 코팅 및 실리콘 몰딩의 제조 방법.

제1항에 있어서,
분자 1개당 2개 이상의 SiH 작용기를 함유하는 상기 오르가노실리콘 화합물(B)은 하기 일반식(4)의 조성을 가지는, 실리콘 코팅 및 실리콘 몰딩의 제조 방법:
H_hR_{3 - h}SiO(SiR₂O)_o(SiR_{2- x}H_xO)_pSiR_{3 - h}H_h (4)
식에서,
R은, SiC를 통해 결합되고 지방족 탄소-탄소 다중 결합이 없는, 1가의, 선택적으로 할로겐- 또는 시아노-치환된 C₁-C₁₈ 탄화수소 라디칼이고,
h는 0, 1 또는 2이고,
o는 0 또는 1∼1,000의 정수이고,
p는 1∼1,000의 정수이고,
x는 1 또는 2임.

제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 평균적 일반식(1)의 상기 폴리오르가노실록산(A)은, 비닐기를 함유하고, 그 분자가 하기 일반식(3)에 해당하는 폴리디메틸실록산인, 실리콘 코팅 및 실리콘 몰딩의 제조 방법:
(ViMe₂SiO_{1 /2})₂(ViMeSiO)_p(Me₂SiO)_q (3)
식에서, 음의 정수인 p와 q는 다음 관계식을 충족시킴: p≥0, 50＜(p+q)＜20,000.

제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
사용되는 상기 촉매가 하기 일반식(6)으로 표시되는, 백금의 시클로펜타디에닐 착화합물인, 실리콘 코팅 및 실리콘 몰딩의 제조 방법:

식에서,
g = 1∼8,
h = 0∼2,
i = 1∼3,
R ⁷ 은 서로 독립적으로, 동일하거나 상이하고, 지방족 형태로 포화 또는 불포화되거나, 방향족 형태로 불포화된 라디칼을 함유하고, 1∼30개의 탄소 원자를 가진, 1가의 미치환 또는 치환된 직쇄형, 환형 또는 분지형 탄화수소 라디칼을 나타내며, 여기서 각각의 탄소 원자는 O, N, S 또는 P 원자로 치환될 수 있고,
R ⁸ 은 서로 독립적으로, 동일하거나 상이하고, 하기 성분으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 가수분해 가능한 작용기를 나타내고,
카르복실 -O-C(O)R¹⁰,
옥심 -O-N=CR¹⁰ ₂,
알콕시 -OR¹⁰,
알케닐옥시 -O-R¹²,
아미드 -NR¹⁰-C(O)R¹¹,
아민 -NR¹⁰R¹¹,
아민옥시 -O-NR¹⁰R¹¹,
여기서, R ¹⁰ 은 서로 독립적으로, 동일하거나 상이하고, H, 알킬, 아릴, 아릴알킬, 알킬아릴을 나타내고,
R ¹¹ 은 서로 독립적으로, 동일하거나 상이하고, 알킬, 아릴, 아릴알킬, 알킬아릴을 나타내고,
R ¹² 는 직쇄형 또는 분지형의 지방족 형태로 불포화된 유기 라디칼을 나타냄,
R ^9a 는 서로 독립적으로, 동일하거나 상이하고, 1∼30개의 탄소 원자를 가진 알킬, 아릴, 아릴알킬, 알킬아릴을 나타내고, 여기서 수소는 -Hal 또는 -SiR₃ ⁹로 치환될 수 있고,
여기서, R ⁹ 는 서로 독립적으로, 동일하거나 상이하고, 1가의 미치환 또는 치환된 직쇄형, 환형 또는 분지형 탄화수소 라디칼을 나타냄,
R ^9b 는 서로 독립적으로, 동일하거나 상이하고, 지방족 형태로 포화 또는 불포화되거나 방향족 형태로 불포화된 라디칼을 함유하며 1∼30개의 탄소 원자를 가진, 1가의 미치환 또는 치환된 직쇄형 또는 분지형 탄화수소 라디칼, 또는 수소를 나타내고, 시클로펜타디에닐 라디칼에 융합된 환을 형성할 수 있고, 여기서 각각의 탄소는 O, N, S 또는 P 원자로 치환될 수 있음.

제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
사용되는 상기 촉매가 메틸시클로펜타디에닐트리메틸 백금 착화합물인, 실리콘 코팅 및 실리콘 몰딩의 제조 방법.

제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 얻을 수 있는 실리콘 코팅 및 실리콘 몰딩.