KR20100128229A - 정전 흡착 전극 및 그 제조 방법, 그리고 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

내전압 성능의 문제를 발생시키지 않고 절연 피막을 얇게 형성하여 필요한 흡착력을 확보할 수 있고, 정전기 제거가 불필요한 정전 흡착 전극을 제공한다.
글라스 기판(G)을 정전력에 의해 흡착 보지하는 기판 보지면을 구비한 정전 흡착 전극(정전 척)(6)으로서, 기재(5) 상에 설치되며 용사에 의해 형성된 절연 피막(41)과, 상기 절연 피막(41) 중에 설치된 양전압이 인가되는 제 1 전극층(42a) 및 음전압이 인가되는 제 2 전극층(42b)을 구비한다.

Description

정전 흡착 전극 및 그 제조 방법, 그리고 기판 처리 장치 {ELECTRODE FOR ELECTROSTATIC ATTRACTION, MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 액정 표시 장치(LCD)와 같은 플랫 패널 디스플레이(FPD) 제조용의 글라스 기판 등의 기판에 대하여 드라이 에칭 등의 처리를 실시하는 처리 챔버 내에서, 기판을 흡착 보지(保持)하기 위하여 이용하는 정전 흡착 전극 및 그 제조 방법, 그리고 정전 흡착 전극을 이용한 기판 처리 장치에 관한 것이다.
FPD의 제조 과정에서는, 피처리체인 직사각형의 글라스 기판에 대하여 드라이 에칭 또는 스퍼터링, CVD(Chemical Vapor Deposition) 등의 다양한 처리가 행해진다. 이들 처리를 행하는 처리 장치에서는, 챔버 내에 정전 흡착 전극을 가지는 기판 재치대를 설치하고, 글라스 기판을 정전 흡착 전극에 의해 예를 들면 쿨롱력 또는 존슨 라벡력을 이용하여 흡착 고정시켜, 그 상태로 소정의 처리를 행한다.
종래에 정전 흡착 전극으로는, 기판에 대응되는 크기의 직사각형의 메탈 전극에 용사(溶射)에 의해 Al2O3 등의 세라믹으로 이루어지는 절연 피막을 피복하고, 메탈 전극에 직류 전압을 인가함으로써 글라스 기판을 흡착시키는 것이 알려져 있다(예를 들면 특허 문헌 1).
일본특허공개공보 2005-136350호
그런데, 근래에 FPD용의 글라스 기판은 대형화되는 추세에 있어, 정전 흡착 전극에 대하여 보다 높은 흡착력이 요구되고 있다. 이와 같은 정전 흡착 전극에서 보다 높은 흡착력을 얻기 위해서는 메탈 전극에 인가하는 직류 전압을 높일 필요가 있다. 그러나 메탈 전극에 인가하는 직류 전압을 높이면, 절연 피막의 내전압 성능을 유지하기 위하여 피막을 두껍게 해야 하고, 절연 피막을 두껍게 함으로써 오히려 흡착력이 저하된다. 또한 절연 피막을 두껍게 하면, 열 또는 응력에 의한 피막 균열이 발생하기 쉬워진다. 또한 종래의 정전 척 전극은, 전압 오프 후에 전하가 글라스 기판 표면에 남기 때문에 정전기 제거가 필요해져, 기판의 처리 시간(택트 타임)이 연장된다.
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 내전압 성능의 문제를 발생시키지 않고 절연 피막을 얇게 형성하여 필요한 흡착력을 확보할 수 있고, 정전기 제거가 불필요한 정전 흡착 전극 및 이를 이용한 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 제 1 관점에서는, 기판 처리 장치에서 기판을 정전력에 의해 흡착 보지하는 기판 보지면을 구비한 정전 흡착 전극으로서, 기재 상에 형성되며 용사에 의해 형성된 절연 피막과, 상기 절연 피막 중에 형성된 양전압이 인가되는 제 1 전극층 및 음전압이 인가되는 제 2 전극층을 구비하는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 전극을 제공한다.
상기 제 1 관점에서 상기 제 1 전극층 및 제 2 전극층은, 이들의 대향면이 빗(櫛)형을 이루는 빗형 전극을 구성하고 있는 것이 바람직하다.
상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층은 용사에 의해 형성된 것인 것이 바람직하다. 또한 상기 흡착 보지면은, 요철 형상을 가지는 구성으로 할 수 있다.
또한 상기 절연 피막은, 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층의 상방의 기판 보지면을 포함하는 제 1 피막과, 상기 제 1 피막의 하방의 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층이 형성된 제 2 피막을 가지고, 상기 제 1 피막의 유전율이 상기 제 2 피막의 유전율보다 높은 구성으로 할 수 있다. 이 경우에 상기 제 1 피막은, 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층 상의 기판 보지면으로부터 소정의 성분을 확산시킴으로써 형성되도록 구성할 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층에 대응되는 부분이 두껍고, 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층의 사이에 대응되는 부분이 얇게 되도록 할 수 있다. 또한 상기 제 1 피막은, 상기 기판 보지면의 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층의 사이에 대응되는 부분에 오목부가 형성되어 있는 구성으로 할 수도 있다.
상기 제 1 관점에서, 상기 절연 피막은 하층 피막과 상층 피막을 가지고, 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층은 상기 하층 피막 및 상기 상층 피막의 사이에 형성된 구성으로 할 수 있다.
이 경우에 상기 하층 피막과 상층 피막의 경계면은 요철 형상을 이루고, 인접하는 상기 제 1 전극층과 상기 제 2 전극층의 사이에 상기 하층 피막과 상기 상층 피막의 경계면이 존재하지 않는 것이 바람직하다. 이로 인해, 상층 피막과 하층 피막의 사이에서 연면(沿面) 방전이 발생되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
구체적으로는, 상기 하층 피막의 상면에 제 1 오목부 및 제 1 볼록부를 가지고, 상기 상층 피막의 하면에 상기 제 1 볼록부에 대응하여 형성된 제 2 오목부 및 상기 제 1 오목부에 대응하여 형성된 제 2 볼록부를 가지고, 상기 제 1 및 제 2 전극층은 상기 제 1 볼록부와 상기 제 2 오목부의 사이에 형성된 구성으로 할 수 있다. 이 경우에는, 상기 상층 피막을 상기 하층 피막보다 내전압이 높은 것으로 할 수 있다. 또한, 상기 하층 피막의 상면에 제 1 오목부 및 제 1 볼록부를 가지고, 상기 상층 피막의 하면에 상기 제 1 볼록부에 대응하여 형성된 제 2 오목부 및 상기 제 1 오목부에 대응하여 형성된 제 2 볼록부를 가지고, 상기 제 1 및 제 2 전극층은 상기 제 1 오목부와 상기 제 2 볼록부의 사이에 형성된 구성으로 할 수 있다.
본 발명의 제 2 관점에서는, 절연 피막과, 상기 절연 피막 중에 형성된 양전압이 인가되는 제 1 전극층 및 음전압이 인가되는 제 2 전극층을 가지는 정전 흡착 전극을 제조하는 정전 흡착 전극의 제조 방법으로서, 기재상에 상기 절연 피막의 하층 피막을 용사에 의해 형성하는 공정과, 상기 하층 피막 상에 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층을 용사에 의해 형성하는 공정과, 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층을 형성한 후의 전체 면에 상기 절연 피막의 상층 피막을 용사에 의해 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 전극의 제조 방법을 제공한다.
상기 제 2 관점에서, 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층을 형성한 후, 블라스트 처리에 의해 상기 하층 피막의 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층이 형성되어 있지 않은 부분에 오목부를 형성하는 공정을 더 가지고, 그 후 상기 상층 피막을 형성하도록 할 수 있다.
또한, 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층을 형성하는 공정은, 상기 하층 피막 상에 도전체층을 용사에 의해 형성하고, 그 후 블라스트 처리에 의해 상기 도전체층의 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층 이외의 부분을 제거함으로써 행해지며, 그 때에 상기 하층 피막의 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층이 형성되어 있지 않은 부분에 오목부를 형성하고, 그 후 상기 상층 피막을 형성하도록 할 수 있다.
또한, 상기 하층 피막에 오목부를 형성하는 공정을 더 가지고, 상기 오목부에 상기 오목부의 깊이보다 얇게 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극을 형성하고, 그 후 상기 상층 피막을 형성하도록 할 수 있다.
본 발명의 제 3 관점에서는, 기판을 수용하는 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에 형성되며, 상기 제 1 관점의 정전 흡착 전극과, 상기 정전 흡착 전극에 보지된 기판에 대하여 소정의 처리를 실시하는 처리 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다.
상기 제 2 관점에서 상기 처리 기구는, 기판에 대하여 플라즈마 처리를 행하는 것으로 할 수 있다.
본 발명에 따르면, 정전 흡착 전극의 절연층을 용사에 의한 절연 피막에 의해 구성하고, 양전압이 인가되는 제 1 전극층과 음전압이 인가되는 제 2 전극층을 절연 피막 내에 형성하여 쌍극형의 정전 흡착 전극을 구성하므로, 절연 내압 성능이 문제가 되는 것은 제 1 전극층과 제 2 전극층간 피막 사이의 거리이며, 절연 피막의 기판 흡착면과 전극층의 사이의 부분을 얇게 형성해도 절연 내압의 문제는 발생하지 않는다. 이 때문에 절연 피막을 용사에 의해 얇게 형성하여, 내전압 성능의 문제를 발생시키지 않고 높은 흡착력을 얻을 수 있다. 또한, 쌍극 회로에 의한 흡착 때문에 기판 상에 전하를 충전(charge)시킬 필요가 없고, 전압을 오프로 함으로써 회로가 없어지므로 정전기 제거가 불필요해진다.
또한 제 1 전극층과 제 2 전극층을 용사로 형성함으로써, 절연층과 전극층을 모두 용사로 형성하게 되어 간단하고 쉽게 제조할 수 있다. 게다가 전극층이 빗형과 같은 복잡한 형상이라도 마스크를 이용하여 용이하게 형성할 수 있다.
또한 상기 절연 피막을, 제 1 전극층 및 제 2 전극층과 기판 보지면의 사이의 제 1 피막과, 이들 전극층의 사이를 포함하는 제 2 피막의 2 층 구조로 함으로써, 제 1 피막이 흡착력 상승에 기여하고 제 2 피막이 내전압 성능의 향상에 기여하여, 흡착력 및 절연 내압이 보다 높은 정전 흡착 전극을 실현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 정전 흡착 전극으로서의 정전 척을 구비한 기판 처리 장치의 일례인 플라즈마 처리 장치를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 정전 흡착 전극으로서의 정전 척을 구비한 재치대를 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 정전 흡착 전극으로서의 정전 척의 전극 패턴을 도시한 모식도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 정전 흡착 전극의 흡착 원리를 설명하기 위한 모식도이다.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 정전 흡착 전극으로서의 정전 척에서, 기판 보지면에 다수의 볼록부를 형성한 상태를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 정전 흡착 전극으로서의 정전 척에서, 기판 보지면에 다수의 오목부를 형성한 상태를 도시한 도면이다.
도 7a 내지 도 7g는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 정전 흡착 전극으로서의 정전 척을 제조하는 순서의 일례를 도시한 공정 단면도이다.
도 8은 도 7a 내지 도 7g의 순서로 제조된 정전 척에서 발생되는 연면 방전을 설명하기 위한 단면도이다.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 정전 흡착 전극으로서의 정전 척에서, 연면 방전을 효과적으로 방지할 수 있는 구성을 도시한 단면도이다.
도 10a 내지 도 10h는 도 9a의 정전 척을 제조하는 순서의 일례를 도시한 공정 단면도이다.
도 11a 내지 도 11h는 도 9a의 정전 척을 제조하는 순서의 다른 예를 도시한 공정 단면도이다.
도 12a 내지 도 12h는 도 9b의 정전 척을 제조하는 순서의 일례를 도시한 공정 단면도이다.
도 13은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 정전 흡착 전극으로서의 정전 척을 도시한 단면도이다.
도 14는 본 발명의 제 2 실시예의 변형예에 따른 정전 흡착 전극으로서의 정전 척을 도시한 단면도이다.
도 15는 본 발명의 제 2 실시예의 다른 변형예에 따른 정전 흡착 전극으로서의 정전 척을 도시한 단면도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 정전 흡착 전극으로서의 정전 척을 구비한 기판 처리 장치의 일례인 플라즈마 처리 장치를 도시한 단면도, 도 2는 정전 척을 구비한 재치대를 도시한 단면도, 도 3은 정전 척의 전극 패턴을 도시한 모식도이다.
이 플라즈마 처리 장치(1)는, 용량 결합형 평행 평판 플라즈마 에칭 장치로서 구성되어 있다. 여기서 FPD로서는, 액정 디스플레이(LCD), 일렉트로 루미네선스(Electro Luminescence; EL) 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등이 예시된다.
이 플라즈마 처리 장치(1)는, 예를 들면 표면이 알루마이트 처리(양극 산화 처리)된 알루미늄으로 이루어지는 사각통 형상으로 성형된 챔버(2)를 가지고 있다. 이 처리 챔버(2) 내의 저부(底部)에는 피처리 기판으로서 절연 기판인 글라스 기판(G)을 재치하기 위한 기판 재치대(3)가 설치되어 있다.
기판 재치대(3)는 절연 부재(4)를 개재하여 처리 챔버(2)의 저부에 지지되어 있고, 알루미늄 등의 금속제인 볼록형의 기재(基材)(5)와, 기재(5)의 볼록부(5a) 상에 설치된 정전 척(6)과, 정전 척(6) 및 기재(5)의 볼록부(5a)의 주위에 설치된, 절연성 세라믹 예를 들면 알루미나로 이루어지는 프레임 형상의 실드링(7)을 가지고 있다. 또한 기재(5)의 내부에는, 글라스 기판(G)을 온도 조절시키기 위한 온도 조절 기구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 또한, 기재(5)의 주위에 실드링(7)을 지지하도록 절연성 세라믹, 예를 들면 알루미나로 이루어지는 링 형상의 절연링(8)이 설치되어 있다.
정전 척(6)은, 알루미나 등의 절연성 세라믹의 용사에 의해 형성된 세라믹 용사 피막(41)과, 그 내부에 형성된 양극이 되는 제 1 메탈 전극층(42a) 및 음극이 되는 제 2 메탈 전극층(42b)을 가지는 쌍극형 정전 척으로서 구성되어 있고, 세라믹 용사 피막(41)의 상면이 기판 보지면으로 되어 있다. 또한 세라믹 용사 피막(41)을 형성할 때의 용사는, 플라즈마 용사가 바람직하다.
양극이 되는 제 1 메탈 전극층(42a)과 음극이 되는 제 2 메탈 전극층(42b)은, 텅스텐, 몰리브덴 등의 금속으로 구성되어 있고, 예를 들면 도 3에 도시한 바와 같이 서로 대향면이 빗형을 이루는 빗형 전극을 구성하고 있다. 제 1 메탈 전극층(42a)에는 급전선(33a)을 거쳐 양전압을 인가하는 제 1 직류 전원(34a)이 접속되어 있고, 제 2 메탈 전극층(42b)에는 급전선(33b)을 거쳐 음전압을 인가하는 제 2 직류 전원(34b)이 접속되어 있으며, 이들 직류 전원은 공통의 그라운드에 접지되어 있다. 그리고 이들 직류 전원으로부터 제 1 메탈 전극층(42a)에 양의 전압(+V)을 인가하고, 제 2 메탈 전극층(42b)에 음의 전압(-V)을 인가함으로써 글라스 기판(G)이 흡착된다. 또한, 급전선(33a) 및 급전선(33b)에는 스위치(도시하지 않음)가 설치되어 있다.
이들 제 1 메탈 전극층(42a), 제 2 메탈 전극층(42b)은 마스크를 이용한 용사에 의해 형성되는 것이 바람직하다. 이 경우에도 용사로서는 플라즈마 용사가 바람직하다.
챔버(2)의 저벽(底壁), 절연 부재(4) 및 재치대(3)를 관통하도록, 그 상방으로의 글라스 기판(G)의 로딩 및 언로딩을 행하기 위한 승강핀(10)이 승강 가능하게 삽입 통과되어 있다. 이 승강핀(10)은 글라스 기판(G)을 반송할 때에는 재치대(3)의 상방의 반송 위치까지 상승되고, 그 이외의 때에는 재치대(3) 내에 함몰된 상태가 된다.
재치대(3)의 기재(5)에는 고주파 전력을 공급하기 위한 급전선(12)이 접속되어 있고, 이 급전선(12)에는 정합기(13) 및 고주파 전원(14)이 접속되어 있다. 고주파 전원(14)으로부터는 예를 들면 13.56 MHz의 고주파 전력이 재치대(3)의 기재(5)로 공급된다. 따라서, 재치대(3)는 하부 전극으로서 기능한다.
상기 재치대(3)의 상방에는, 이 재치대(3)와 평행하게 대향하여 상부 전극으로서 기능하는 샤워 헤드(20)가 설치되어 있다. 샤워 헤드(20)는 처리 챔버(2)의 상부에 지지되어 있고, 내부에 내부 공간(21)을 가지고 있고 또한, 재치대(3)와의 대향면으로 처리 가스를 토출하는 복수의 토출홀(22)이 형성되어 있다. 이 샤워 헤드(20)는 접지되어 있으며, 하부 전극으로서 기능하는 재치대(3)와 함께 한 쌍의 평행 평판 전극을 구성하고 있다.
샤워 헤드(20)의 상면에는 가스 도입구(24)가 설치되어, 이 가스 도입구(24)에는 처리 가스 공급관(25)이 접속되어 있고, 이 처리 가스 공급관(25)은 처리 가스 공급원(28)에 접속되어 있다. 또한 처리 가스 공급관(25)에는, 개폐 밸브(26) 및 매스플로우 콘트롤러(27)가 개재되어 있다. 처리 가스 공급원(28)으로부터는 플라즈마 처리, 예를 들면 플라즈마 에칭을 위한 처리 가스가 공급된다. 처리 가스로서는, 할로겐계 가스, O2 가스, Ar 가스 등 통상적으로 이 분야에서 이용되는 가스를 이용할 수 있다.
처리 챔버(2)의 저부에는 배기관(29)이 형성되어 있고, 이 배기관(29)에는 배기 장치(30)가 접속되어 있다. 배기 장치(30)는 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 구비하고 있어, 이에 의해 처리 챔버(2) 내를 소정의 감압 분위기까지 진공 배기 가능하도록 구성되어 있다. 또한 처리 챔버(2)의 측벽에는 기판 반입출구(31)가 설치되어 있고, 이 기판 반입출구(31)가 게이트 밸브(32)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 그리고 이 게이트 밸브(32)를 개방한 상태에서 반송 장치(도시하지 않음)에 의해 글라스 기판(G)이 반입출되도록 되어 있다.
이 플라즈마 처리 장치(1)는, 각 구성부를 제어하는 마이크로 프로세서(컴퓨터)를 포함하는 제어부(50)를 가지고 있고, 각 구성부가 이 제어부(50)에 접속되어 제어되는 구성으로 되어 있다.
이어서, 이와 같이 구성되는 플라즈마 에칭 장치(1)에서의 처리 동작에 대하여 설명한다.
먼저, 게이트 밸브(32)를 열어 글라스 기판(G)을 반송 암(도시하지 않음)에 의해 기판 반입출구(31)를 거쳐 챔버(2) 내로 반입하여, 재치대(3)의 정전 척(6) 상에 재치시킨다. 이 경우에 승강핀(10)을 상방으로 돌출시켜 지지 위치에 위치시키고, 반송 암 상의 글라스 기판(G)을 승강핀(10) 상으로 전달한다. 그 후, 승강핀(10)을 하강시켜 글라스 기판(G)을 재치대(3)의 정전 척(6) 상에 재치시킨다.
그 후 게이트 밸브(32)를 닫고, 배기 장치(30)에 의해 챔버(2) 내를 소정의 진공도까지 진공 배기한다. 그리고, 제 1 직류 전원(34a)으로부터 양극이 되는 제 1 메탈 전극층(42a)에 양의 전압(V+)을 인가하고, 제 2 직류 전원(34b)으로부터 음극이 되는 제 2 메탈 전극층(42b)에 음의 전압(V-)을 인가함으로써 글라스 기판(G)을 정전 흡착시킨다.
그 후 밸브(26)를 개방하여, 처리 가스 공급원(28)으로부터 처리 가스를 소정의 유량으로 처리 가스 공급관(25), 샤워 헤드(20)를 거쳐 챔버(2) 내로 공급하고, 챔버(2) 내를 소정 압력으로 제어한다. 이 상태로 고주파 전원(14)으로부터 정합기(13)를 거쳐 플라즈마 생성용의 고주파 전력을 재치대(3)의 기재(5)로 공급하고, 하부 전극으로서의 재치대(3)와 상부 전극으로서의 샤워 헤드(20)의 사이에 고주파 전계를 발생시켜 처리 가스의 플라즈마를 생성하여, 이 플라즈마에 의해 글라스 기판(G)에 플라즈마 에칭을 실시한다.
본 실시예에서는 정전 척(6)이 쌍극형 정전 척이기 때문에, 도 4a 및 도 4b에 도시한 바와 같이 쌍극 전극 간의 전기력선을 따른 쌍극 회로(51)에 의해 글라스 기판(G)이 흡착된다. 즉 쌍극 회로(51)는, 제 1 메탈 전극층(42a), 세라믹 용사 피막(41), 글라스 기판(G), 세라믹 용사 피막(41), 제 2 메탈 전극층(42b)으로 구성된다.
도 4a에 도시한 바와 같이, 제 1 메탈 전극(42a) 상의 세라믹 용사 피막(41)을 유전층으로 하는 콘덴서(C1), 글라스 기판(G)을 유전층으로 하는 콘덴서(C2), 제 2 메탈 전극(42b) 상의 세라믹 용사 피막(41)을 유전층으로 하는 콘덴서(C3)의 3 개의 콘덴서를 생각한다. 또한, 세라믹 용사 피막(41)과 글라스 기판(G)의 사이에도 콘덴서(C4, C5)가 존재한다고 가정하면, 도 4b에 도시한 바와 같이 쌍극 회로(51)는, 이들 5 개의 콘덴서가 직렬 접속된 하나의 합성 콘덴서(C)라고 생각할 수 있다.
글라스 기판(G)으로의 흡착력은 이 합성 콘덴서(C)의 양단의 전극 간에 작용하는 인력에 맞추어 증감되고, 합성 콘덴서(C)의 전극에 인가되는 전압이 일정한 경우, 상기 인력은 합성 콘덴서(C)의 용량이 클수록 커진다.
콘덴서(C2, C4, C5)가 일정하다고 가정하면, 합성 콘덴서의 용량은 콘덴서(C1, C3)의 용량이 클수록 커져, 글라스 기판(G)의 흡착력이 상승한다.
본 실시예에서는, 제 1 메탈 전극층(42a) 및 제 2 메탈 전극층(42b) 상의 세라믹 용사 피막(41)을 얇게 형성함으로써, 콘덴서(C1, C3)의 용량을 증가시키고 있다. 용사에 의해 형성되는 세라믹 용사 피막(41)의 두께는 용이하게 제어할 수 있다. 이 때문에, 동일한 전압에 대하여 고흡착력을 얻을 수 있고 또한, 세라믹 용사 피막(41)의 열 또는 응력에 의한 균열을 방지할 수 있다.
또한, 쌍극 회로에 의한 흡착 때문에 정전기 제거가 불필요해진다. 즉 종래의 정전 척은, 절연물인 글라스 기판을 흡착할 때에 글라스 기판 상에 전하를 충전할 필요가 있기 때문에 글라스 기판을 박리할 때에 정전기 제거가 필요하지만, 본 실시예와 같이 쌍극 회로를 이용하여 글라스 기판을 흡착시키는 경우에는, 글라스 기판 상으로의 전하의 충전이 불필요하기 때문에 정전기 제거가 불필요해진다. 또한 글라스 기판 상으로 전하를 충전하기 위해서는 가스 또는 플라즈마가 필요하지만, 본 실시예에서는 기판 상으로의 전하의 충전이 불필요하기 때문에 글라스 기판의 흡착 시에 가스 또는 플라즈마가 불필요하고, 진공 중에서도 글라스 기판의 착탈을 용이하게 행할 수 있다. 또한 글라스 기판 상의 전하가 불필요한 점에서, 대기 중에서도 이용할 수 있다.
또한 절연층을 내식성(耐食性)이 높은 세라믹 용사 피막(41)으로 구성하므로, 절연층을 얇게 형성할 수 있고, 게다가 플라즈마 분위기에서 이용하는 것이 가능해진다.
또한 절연층을 세라믹 용사 피막(41)으로 구성하므로, 글라스 기판(G)의 보지면을 도 5에 도시한 바와 같이 다수의 볼록부(51)를 가지는 구성 또는 도 6에 도시한 바와 같이 다수의 오목부(52)를 가지는 구성과 같은 기판 보지면에 다양한 디자인의 요철을 형성하는 경우에도, 마스크 등을 이용하여 용이하게 제작할 수 있다. 물론 기계 가공에 의해 제작할 수도 있다.
또한 제 1 메탈 전극층(42a)과 제 2 메탈 전극층(42b)을 용사로 형성하도록 하면, 절연층과 전극층을 모두 용사로 형성하게 되어 간단하고 쉽게 제조할 수 있다. 게다가 제 1 메탈 전극층(42a)과 제 2 메탈 전극층(42b)이 빗형과 같은 복잡한 형상이라도 마스크를 이용하여 용이하게 형성할 수 있다.
또한 제 1 메탈 전극층(42a)과 제 2 메탈 전극층(42b)을 빗형으로 형성함으로써, 균일한 흡착력을 얻을 수 있다. 제 1 메탈 전극층(42a) 및 제 2 메탈 전극층(42b)의 형상은 빗형에 한정되지 않고, 다른 형상이라도 좋다.
이어서, 이상과 같은 정전 척(6)을 제조하는 순서의 일례에 대하여 도 7a 내지 도 7g를 참조하여 설명한다.
먼저, 기재(5) 상에 용사에 의해 세라믹 용사 피막(41)의 하층 피막(41a)을 형성하고, 필요에 따라 수지 함침에 의해 봉공(封孔) 처리를 행한다(도 7a). 이어서, 용사에 의해 형성된 하층 피막(41a)을 연마한다(도 7b). 이 연마 처리에 의해 하층 피막(41a)을 소정의 두께로 한다.
연마 후 하층 피막(41a)의 연마면에 마스크(45)를 부착하여 전극 형성을 위한 마스킹을 행한다(도 7c). 이어서, 마스크(45)를 이용하여 메탈 용사에 의해 제 1 메탈 전극층(42a)과 제 2 메탈 전극층(42b)을 형성한다(도 7d).
그 후 마스크(45)를 떼어내고(도 7e), 이어서 전체 면에 용사에 의해 세라믹 용사 피막(41)의 상층 피막(41b)을 형성하고, 필요에 따라 수지 함침에 의해 봉공 처리를 행한다(도 7f). 그리고, 마지막으로 상층 피막(41b)을 연마하여 소정의 두께로 한다(도 7g).
이상이 일반적인 순서이지만, 이러한 순서로 쌍극형의 정전 척(6)을 제조하는 경우에는, 제 1 메탈 전극층(42a)과 제 2 메탈 전극층(42b)이 연마된 하층 피막(41a) 상에 형성되어 있기 때문에, 큰 흡착력을 얻기 위하여 전극 간 거리를 작게 하면, 전압 인가 시에 도 8에 도시한 바와 같이 하층 피막(41a)과 상층 피막(41b)의 경계면에서 연면(沿面) 방전이 발생되어, 내압 불량을 일으키기 쉬워진다.
이러한 연면 방전을 방지하기 위해서는, 도 9a 및 도 9b에 도시한 바와 같이 하층 피막(41a)과 상층 피막(41b)의 경계면을 요철 형상으로 하여, 인접하는 제 1 메탈 전극층(42a)과 제 2 메탈 전극층(42b)의 사이에 하층 피막(41a)과 상층 피막(41b)의 경계면이 존재하지 않도록 하는 것이 효과적이다.
도 9a의 예에서는, 하층 피막(41a)의 상면에 오목부(46a) 및 볼록부(47a)를 형성하고, 상층 피막(41b)의 하면에는 상기 오목부(46a)에 대응되는 볼록부(46b) 및 상기 볼록부(47a)에 대응되는 오목부(47b)를 형성하고, 하층 피막(41a)의 볼록부(47a)와 상층 피막(41b)의 오목부(47b)의 사이에 제 1 메탈 전극층(42a) 및 제 2 메탈 전극층(42b)을 형성하고 있다. 이에 따라, 인접하는 제 1 메탈 전극층(42a)과 제 2 메탈층(42b)의 사이에는 상층 피막(41b)의 볼록부(46b)가 존재하여, 하층 피막(41a)과 상층 피막(41b)의 경계면이 존재하지 않으므로, 연면 방전이 발생되기 어려운 상태로 할 수 있다.
도 9b의 예에서는, 하층 피막(41a)에 오목부(48a) 및 볼록부(49a)를 형성하고, 상층 피막(41b)에는 상기 오목부(48a)에 대응되는 볼록부(48b) 및 상기 볼록부(49a)에 대응되는 오목부(49b)를 형성하고, 하층 피막(41a)의 오목부(48a)와 상층 피막(41b)의 볼록부(48b)의 사이에 제 1 메탈 전극층(42a) 및 제 2 메탈 전극층(42b)을 형성하고 있다. 이에 따라, 인접하는 제 1 메탈 전극층(42a)과 제 2 메탈 전극층(42b)의 사이에는 하층 피막(41a)의 볼록부(49a)가 존재하여, 하층 피막(41a)과 상층 피막(41b)의 경계면이 존재하지 않으므로, 연면 방전이 발생되기 어려운 상태로 할 수 있다.
또한 도 9a의 예에서는, 주로 상층 피막(41b)이 절연성에 영향을 미치기 때문에, 상층 피막(41b)을 하층 피막(41a)보다 내전압 성능이 높은 막으로 할 수 있다. 예를 들면, 하층 피막(41a)에는 밀착력이 높고 열팽창 차이에 유연하게 대응 가능한 함침제(A)를 이용하고, 상층 피막(41b)에는 내전압 성능이 높은 함침제(B)를 이용한다고 하는 상이한 함침제를 이용한 세라믹 용사 피막 구성이 고려된다.
이어서 도 9a 및 도 9b의 구조를 형성하기 위한 순서에 대하여 설명한다.
도 9a의 구조를 형성하는 경우에는, 도 10a 내지 도 10h에 도시한 순서로 행할 수 있다. 먼저 기재(5) 상에 용사에 의해 세라믹 용사 피막(41)의 하층 피막(41a)을 형성하고, 필요에 따라 수지 함침에 의해 봉공 처리를 행한다(도 10a). 이어서, 용사에 의해 형성된 하층 피막(41a)을 연마한다(도 10b). 연마 후, 하층 피막(41a)의 연마면에 마스크(45)를 부착하여 전극 형성을 위한 마스킹을 행한다(도 10c). 여기까지는 상기 도 7a 내지 도 7c와 동일하다.
이어서, 마스크(45)를 이용하여 메탈 용사에 의해 제 1 메탈 전극층(42a)과 제 2 메탈 전극층(42b)을 형성한다(도 10d). 이 때, 상기 도 7d보다 두껍게 형성한다.
그 후 마스크(45)를 떼어내고(도 10e), 이어서 전체 면을 블라스트(blast) 처리하여 하층 피막(41a)과 제 1 및 제 2 메탈 전극층(42a, 42b)의 두께를 줄인다(도 10f). 이에 따라 하층 피막(41a)의 블라스트 처리된 부분이 오목부(46a)가 되고, 메탈 전극층(42a, 42b) 하방의 부분이 볼록부(47a)가 된다.
그 후, 전체 면에 용사에 의해 세라믹 용사 피막(41)의 상층 피막(41b)을 형성하고, 필요에 따라 수지 함침에 의해 봉공 처리를 행한다(도 10g). 이 때 상층 피막(41b)에는, 하층 피막(41a)의 오목부(46a)에 대응하여 볼록부(46b)가 형성되고, 볼록부(47a)에 대응하여 오목부(47b)가 형성된다. 그리고, 마지막으로 상층 피막(41b)을 연마하여 소정의 두께로 한다(도 10h).
또한 도 9a의 구조는, 도 11에 도시한 순서에 의해서도 형성할 수 있다. 먼저 기재(5) 상에 용사에 의해 세라믹 용사 피막(41)의 하층 피막(41a)을 형성하고, 필요에 따라 수지 함침에 의해 봉공 처리를 행한다(도 11a). 이어서, 용사에 의해 형성한 하층 피막(41a)을 연마한다(도 11b). 이어서, 연마 후의 하층 피막(41a)의 전체 면에 메탈 용사에 의해 메탈 전극층(42a, 42b)을 형성하기 위한 메탈층(도전체층)(42)을 형성한다(도 11c). 메탈층(42)을 연마한 후, 그 연마면에 마스크(45)를 부착하여 전극 형성을 위한 마스킹을 행한다(도 11d).
이어서 마스크(45)를 이용하여 블라스트 처리를 행하여, 마스크(45)가 없는 부분의 메탈층(42)을 제거하고, 그 하방의 하층 피막(41a)의 부분의 두께를 줄인다(도 11e). 이에 따라, 제 1 메탈 전극층(42a) 및 제 2 메탈 전극층(42b)이 형성되고, 하층 피막(41a)의 블라스트 처리된 부분이 오목부(46a)가 된다. 그리고, 메탈 전극층(42a, 42b)의 하방의 부분이 볼록부(47a)가 된다.
그 후 마스크(45)를 떼어내고(도 11f), 이어서 전체 면에 용사에 의해 세라믹 용사 피막(41)의 상층 피막(41b)을 형성하고, 필요에 따라 수지 함침에 의해 봉공 처리를 행한다(도 11g). 이 때 상층 피막(41b)에는, 하층 피막(41a)의 오목부(46a)에 대응하여 볼록부(46b)가 형성되고, 볼록부(47a)에 대응하여 오목부(47b)가 형성된다. 그리고, 마지막으로 상층 피막(41b)을 연마하여 소정의 두께로 한다(도 11h).
도 9b의 구조를 형성하는 경우에는, 도 12에 도시한 순서로 행할 수 있다. 먼저 기재(5) 상에 용사에 의해 세라믹 용사 피막(41)의 하층 피막(41a)을 형성하고, 필요에 따라 수지 함침에 의해 봉공 처리를 행한다(도 12a). 이어서, 용사에 의해 형성된 하층 피막(41a)을 연마한다(도 12b). 연마 후, 하층 피막(41a)의 연마면에 마스크(45)를 부착하여 블라스트 처리 및 전극 형성을 위한 마스킹을 행한다(도 12c).
이어서 마스크(45)를 이용하여 블라스트 처리를 행하여, 하층 피막(41a)에 오목부(48a)를 형성한다(도 12d). 이 때, 하층 피막(41a)의 마스크(45)의 하방의 부분은 블라스트 처리되지 않은 볼록부(49a)가 된다.
이어서, 마스크(45)를 이용하여 오목부(48a)에 메탈 용사에 의해 제 1 메탈 전극층(42a)과 제 2 메탈 전극층(42b)을 형성한다(도 12e). 이 때, 제 1 메탈 전극층(42a) 및 제 2 메탈 전극층(42b)의 두께는 오목부(48a)의 깊이보다 얇게 한다.
그 후 마스크(45)를 떼어내고(도 12f), 이어서 전체 면에 용사에 의해 세라믹 용사 피막(41)의 상층 피막(41b)을 형성하고, 필요에 따라 수지 함침에 의해 봉공 처리를 행한다(도 12g). 이 때 상층 피막(41b)에는, 하층 피막(41a)의 오목부(48a)에 대응하여 볼록부(48b)가 형성되고, 볼록부(49a)에 대응하여 오목부(49b)가 형성된다. 그리고, 마지막으로 상층 피막(41b)을 연마하여 소정의 두께로 한다(도 12h).
이어서, 본 발명의 제 2 실시예에 대하여 설명한다.
상술한 바와 같이, 제 1 메탈 전극층(42a) 및 제 2 메탈 전극층(42b) 상의 세라믹 용사 피막(41)을 얇게 함으로써 글라스 기판(G)의 흡착력을 높일 수 있다.
한편, 세라믹 용사 피막(41)의 유전율을 상승시켜도 제 1 메탈 전극(42a) 상의 세라믹 용사 피막(41)을 유전층으로 한 콘덴서(C1) 및 제 2 메탈 전극(42b) 상의 세라믹 용사 피막(41)을 유전층으로 한 콘덴서(C3)의 용량을 크게 할 수 있다.
그래서 본 실시예에서는, 제 1 메탈 전극층(42a) 및 제 2 메탈 전극층(42b)과 기판 보지면의 사이의 제 1 피막과, 이들 전극층의 사이를 포함하는 제 2 절연 피막의 2 층 구조의 세라믹 용사 피막을 형성하고, 제 1 피막의 유전율을 제 2 피막의 절연층의 유전율보다 높게 했다.
이하, 구체적인 구성에 대하여 설명한다.
도 13은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 정전 척을 도시한 단면도이다. 본 실시예의 정전 척(60)은, 절연성 세라믹의 용사에 의해 형성된 세라믹 용사 피막(141)을 가지고 있다. 이 세라믹 용사 피막(141)은, 기판 보지면과 메탈 전극층(42a) 및 메탈 전극층(42b)의 사이에 형성된 제 1 피막(142)과, 그 하방에 형성되며 제 1 메탈 전극층(42a) 및 제 2 메탈 전극층(42b)이 내부에 형성된 제 2 피막(143)을 가지고 있다. 그리고, 제 1 피막(142)의 유전율(ε1)은 제 2 피막(143)의 유전율(ε2)보다 높게 되어 있다.
이에 따라 제 1 피막(142)이 흡착력 상승에 기여하여, 흡착력이 보다 높은 쌍극형 정전 척을 실현할 수 있다.
이어서, 본 실시예의 변형예에 대하여 도 14 및 도 15를 참조하여 설명한다.
도 14는 제 1 변형예를 도시한 단면도이다. 이 예에서는 정전 척(60a)은, 용사에 의해 유전율이 ε2인 세라믹 용사 피막과, 그 내부의 제 1 메탈 전극층(42a) 및 제 2 메탈 전극층(42b)으로 이루어지는 구조체를 형성한 후, 각 전극층 상의 기판 보지면으로부터 소정의 성분을 확산시켜, 각 전극층의 바로 위의 세라믹 용사 피막의 유전율을 ε2보다 큰 ε1로 변화시킨다. 도 14에서는 유전율이 ε1로 변화된 부분을 파도 형상의 제 1 피막(142a)으로 도시하고 있다. 여기서, 확산시키는 소정의 성분으로는 수지 등을 들 수 있다.
이에 따라 제 1 피막(142a)이 흡착력 상승에 기여하고, 유전율이 높은 제 1 피막(142a)은 흡착에 기여하는 전극층의 위치에서 두꺼워져, 흡착력을 보다 높일 수 있다.
도 15는 제 2 변형예를 도시한 단면도이다. 이 예에서는 정전 척(60b)은, 기판 보지면과 메탈 전극층(42a) 및 메탈 전극층(42b)의 사이에 형성된 유전율이 ε1인 제 1 피막(142b)과, 그 하방에 형성되며 제 1 메탈 전극층(42a) 및 제 2 메탈 전극층(42b)이 내부에 형성된 유전율이 ε2인 제 2 피막(143b)에 의해 세라믹 용사 피막(141b)을 가지고 있고, 제 1 피막(142b)은 전극층 간에 대응되는 부분에 오목부(144)가 형성되어 있다. 오목부(144)는 유전율이 ε0인 진공층(실제로는 약간의 가스가 존재함)으로 되어 있지만, ε0는 거의 1이기 때문에 ε1 > ε2 > ε0이 된다.
이에 따라 제 1 피막(142b)이 흡착력 상승에 기여하여, 도 14의 예와 마찬가지로 흡착력을 보다 높일 수 있다.
이상 본 발명의 실시예에 대하여 설명했지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다. 예를 들면 상기 실시예에서는, 하부 전극에 고주파 전력을 인가하는 RIE 타입의 용량 결합형 평행 평판 플라즈마 에칭 장치를 예시하여 설명했지만, 에칭 장치에 한정되지 않고, 애싱, CVD 성막 등을 행하는 다른 종류의 플라즈마 처리 장치에 적용할 수 있다. 또한, 플라즈마 처리 장치에 한정되지 않고 다른 기판 처리 장치에도 적용 가능하다. 또한 상기 실시예에서는, 본 발명을 FPD용의 글라스 기판의 플라즈마 처리에 적용한 경우에 대하여 나타냈지만, 이에 한정되지 않고, 다른 다양한 기판에 대하여 적용 가능하다.
1 : 플라즈마 처리 장치
2 : 처리 챔버
3 : 재치대
5 : 기재
6, 60, 60a, 60b : 정전 척
7 : 실드링
14 : 고주파 전원
20 : 샤워 헤드
28 : 처리 가스 공급원
34a : 제 1 직류 전원
34b : 제 2 직류 전원
41, 141, 141a, 141b : 세라믹 용사 피막
42a : 제 1 메탈 전극층
42b : 제 2 메탈 전극층
46a, 47b, 48a, 49b : 오목부
46b, 47a, 48b, 49a : 볼록부
51 : 볼록부
52 : 오목부
142, 142a, 142b : 제 1 피막
143, 143a, 143b : 제 2 피막
G : 글라스 기판

Claims (18)

  1. 기판을 정전력에 의해 흡착 보지(保持)하는 기판 보지면을 구비한 정전 흡착 전극으로서,
    기재(基材) 상에 형성되며 용사에 의해 형성된 절연 피막과,
    상기 절연 피막 중에 형성된 양전압이 인가되는 제 1 전극층 및 음전압이 인가되는 제 2 전극층
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 전극.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전극층 및 제 2 전극층은, 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층의 대향면이 빗형을 이루는 빗형 전극을 구성하고 있는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 전극.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층은 용사에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 전극.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기판 보지면은, 요철 형상을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 전극.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 절연 피막은, 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층의 상방의 기판 보지면을 포함하는 제 1 피막과, 상기 제 1 피막의 하방의 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층이 형성된 제 2 피막을 가지고, 상기 제 1 피막의 유전율이 상기 제 2 피막의 유전율보다 높은 것을 특징으로 하는 정전 흡착 전극.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 피막은, 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층 상의 기판 보지면으로부터 소정의 성분을 확산시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 전극.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 피막은, 상기 기판 보지면의 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층의 사이에 대응되는 부분에 오목부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 전극.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 절연 피막은 하층 피막과 상층 피막을 가지고, 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층은 상기 하층 피막 및 상기 상층 피막의 사이에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 전극.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 하층 피막과 상층 피막의 경계면은 요철 형상을 이루고, 인접하는 상기 제 1 전극층과 상기 제 2 전극층의 사이에 상기 하층 피막과 상기 상층 피막의 경계면이 존재하지 않는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 전극.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 하층 피막의 상면에 제 1 오목부 및 제 1 볼록부를 가지고, 상기 상층 피막의 하면에 상기 제 1 볼록부에 대응하여 형성된 제 2 오목부 및 상기 제 1 오목부에 대응하여 형성된 제 2 볼록부를 가지고, 상기 제 1 및 제 2 전극층은 상기 제 1 볼록부와 상기 제 2 오목부의 사이에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 전극.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 상층 피막은, 상기 하층 피막보다 내전압이 높은 것을 특징으로 하는 정전 흡착 전극.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 하층 피막의 상면에 제 1 오목부 및 제 1 볼록부를 가지고, 상기 상층 피막의 하면에 상기 제 1 볼록부에 대응하여 형성된 제 2 오목부 및 상기 제 1 오목부에 대응하여 형성된 제 2 볼록부를 가지고, 상기 제 1 및 제 2 전극층은 상기 제 1 오목부와 상기 제 2 볼록부의 사이에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 전극.
  13. 절연 피막과, 상기 절연 피막 중에 형성된 양전압이 인가되는 제 1 전극층 및 음전압이 인가되는 제 2 전극층을 가지는 정전 흡착 전극을 제조하는 정전 흡착 전극의 제조 방법으로서,
    기재 상에 상기 절연 피막의 하층 피막을 용사에 의해 형성하는 공정과,
    상기 하층 피막 상에 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층을 용사에 의해 형성하는 공정과,
    상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층을 형성한 후의 전체 면에 상기 절연 피막의 상층 피막을 용사에 의해 형성하는 공정
    을 가지는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 전극의 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층을 형성한 후, 블라스트 처리에 의해 상기 하층 피막의 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층이 형성되어 있지 않은 부분에 오목부를 형성하는 공정을 더 가지고, 그 후 상기 상층 피막을 형성하는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 전극의 제조 방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층을 형성하는 공정은, 상기 하층 피막 상에 도전체층을 용사에 의해 형성하고, 그 후 블라스트 처리에 의해 상기 도전체층의 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층 이외의 부분을 제거함으로써 행해지며, 그 때에 상기 하층 피막의 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층이 형성되어 있지 않은 부분에 오목부를 형성하고, 그 후 상기 상층 피막을 형성하는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 전극의 제조 방법.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 하층 피막에 오목부를 형성하는 공정을 더 가지고, 상기 오목부에 상기 오목부의 깊이보다 얇게 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극을 형성하고, 그 후 상기 상층 피막을 형성하는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 전극의 제조 방법.
  17. 기판을 수용하는 처리 용기와,
    상기 처리 용기 내에 설치되며, 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 정전 흡착 전극과,
    상기 정전 흡착 전극에 보지된 기판에 대하여 소정의 처리를 실시하는 처리 기구
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 처리 기구는, 기판에 대하여 플라즈마 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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