KR20100112599A - 초고분해능을 위한 스캐닝 ｅｕｖ 간섭 이미징 - Google Patents
초고분해능을 위한 스캐닝 ｅｕｖ 간섭 이미징 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20100112599A KR20100112599A KR1020107016870A KR20107016870A KR20100112599A KR 20100112599 A KR20100112599 A KR 20100112599A KR 1020107016870 A KR1020107016870 A KR 1020107016870A KR 20107016870 A KR20107016870 A KR 20107016870A KR 20100112599 A KR20100112599 A KR 20100112599A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- beams
- exposure
- parallel lines
- radiation
- Prior art date
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 143
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 18
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000012876 topography Methods 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 4
- LFEUVBZXUFMACD-UHFFFAOYSA-H lead(2+);trioxido(oxo)-$l^{5}-arsane Chemical compound [Pb+2].[Pb+2].[Pb+2].[O-][As]([O-])([O-])=O.[O-][As]([O-])([O-])=O LFEUVBZXUFMACD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000000025 interference lithography Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
- G03F7/70266—Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70408—Interferometric lithography; Holographic lithography; Self-imaging lithography, e.g. utilizing the Talbot effect
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
- G03F7/2006—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light using coherent light; using polarised light
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
기판들 상으로 패턴들을 묘화시키기 위한 시스템 및 방법이 제공된다. 극자외(EUV) 방사선의 제 1 및 제 2 빔들이 생성된다. 상기 EUV 방사선의 제 1 및 제 2 빔들을 기판 상으로 투영하기 위해 노광 유닛이 사용된다. 상기 방사선의 제 1 및 제 2 빔들은 상기 기판의 노광 필드에서 평행한 라인들의 제 1 세트를 노광하도록 서로 간섭한다.
Description
본 출원은 2007년 12월 28일에 출원되고, 본 명세서에서 전문이 인용 참조되는 미국 가출원 61/006,185호의 이익을 주장한다.
본 발명은 리소그래피 시스템들, 및 더 상세하게는 간섭계 리소그래피(interferometric lithography)에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 또는 기판의 일부분 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 평판 디스플레이, 집적 회로(IC) 및 미세 구조들을 수반하는 다른 디바이스들의 제조 시에 사용될 수 있다. 종래의 장치에서, 통상적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 평판 디스플레이(또는 다른 디바이스)의 개별 층에 대응하는 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판 상에 제공된 방사선 감응재(예를 들어, 포토레지스트) 층 상으로의 이미징에 의해, 기판(예를 들어, 유리판)의 전체 또는 일부분 상으로 전사될 수 있다.
회로 패턴 대신에, 다른 패턴, 예를 들어 컬러 필터 패턴(color filter pattern) 또는 도트(dot)들의 매트릭스를 생성하기 위해 패터닝 수단이 사용될 수 있다. 마스크 대신에, 패터닝 디바이스는 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이를 포함하는 패터닝 어레이를 포함할 수 있다. 이러한 시스템에서는 마스크 기반 시스템에 비해 더 빠르고 더 적은 비용으로 패턴이 변화될 수 있다.
평판 디스플레이 기판은 통상적으로 직사각형 형상이다. 이러한 타입의 기판을 노광하도록 설계된 리소그래피 장치는 직사각형 기판의 전체 폭을 덮거나 상기 폭의 일부분(예를 들어, 상기 폭의 절반)을 덮는 노광 영역을 제공할 수 있다. 마스크 또는 레티클이 빔을 통해 동기적으로 스캐닝되면서, 노광 영역 밑에서 기판이 스캐닝될 수 있다. 이러한 방식으로, 패턴이 기판으로 전사된다. 노광 영역이 기판의 전체 폭을 덮는 경우, 노광은 단일 스캔으로 완료될 수 있다. 노광 영역이 예를 들어 기판 폭의 절반을 덮는 경우, 기판은 제 1 스캔 이후에 횡방향으로(transversely) 이동될 수 있으며, 기판의 잔여부를 노광하기 위해 전형적으로 또 다른 스캔이 수행된다.
전체 반도체 제조 공정에 의해 달성되는 분해능은 수반되는 광학기기들뿐만 아니라, 채택된 화학적 공정들(예를 들어, 포토레지스트와 에칭 화학제들 등 간의 상호작용들)에 의존한다.
분해능이 30 내지 100 nm와 같은 나노미터 스케일에 도달하면, 이를 달성하기 위해 종래의 마스크, 레티클 및 패터닝 어레이를 이용하는 것이 매우 어렵다. 렌즈-기반 시스템들의 현재 분해능 한계는 약 45 nm이다.
리소그래피 시스템에서 사용되는 광의 파장이 감소함에 따라, 분해능이 전형적으로 개선된다. 예를 들어, 몇몇 리소그래피 시스템들은 극자외(EUV) 범위 내의 광을 이용하여 구현된다. 하지만, 이러한 시스템들의 대다수는, 이러한 시스템들의 분해능을, 예를 들어 약 26 nm 라인/공간(L/S)으로 제한하는 열악한, 예를 들어 약 0.25의 개구수를 견딘다.
그러므로, 제한된 개구수를 갖지 않고 높은 분해능 패터닝을 허용하는 EUV 리소그래피 시스템 및 방법이 요구된다.
본 발명의 제 1 실시예에서, 다음의 단계들을 포함하는 기판 상에 패턴들을 묘화(write)하는 방법이 제공된다. 극자외(EUV) 방사선의 제 1 및 제 2 빔들이 생성된다. 상기 극자외(EUV) 방사선의 제 1 및 제 2 빔들을 기판 상으로 투영하기 위해 노광 유닛이 사용된다. 상기 제 1 및 제 2 방사선 빔들은 상기 기판의 노광 필드에서 평행한 라인들의 제 1 세트를 노광하기 위해 서로 간섭한다.
대안적인 예시들에서, 상기 기판은 상기 기판 상으로의 이미지의 묘화 동안에 상기 제 1 및 제 2 빔들에 대해 이동되거나, 묘화 동안에 정지한 상태로 유지된다.
본 발명의 또 다른 실시예는 제 1 및 제 2 노광 시스템들을 제공한다. 상기 제 1 노광 시스템은 기판 상으로 패턴을 묘화하는데 사용되고, 극자외(EUV) 방사선의 제 1 빔을 수용하도록 구성되며, 기판 상의 노광 필드 상으로 상기 제 1 빔을 지향시킨다. 상기 제 2 노광 시스템은 극자외(EUV) 방사선의 제 2 빔을 수용하도록 구성되며, 상기 기판의 노광 필드 상으로 상기 제 2 빔을 지향시킨다. 상기 제 1 노광 시스템은 제 1 빔 폭 조정 시스템을 포함하고, 상기 제 2 노광 시스템은 제 2 빔 폭 조정 시스템을 포함한다. 상기 제 1 및 제 2 빔 폭 조정 시스템들은 상기 제 1 및 제 2 빔들이 상기 노광 필드의 전체 폭을 가로질러 실질적으로 상호 공간적으로, 그리고 일시적으로 간섭성임을 보장하기 위해, 이들이 상기 노광 필드에 도달할 때, 상기 제 1 및 제 2 빔들의 각각의 경로 길이들이 실질적으로 일치하도록, 상기 제 1 및 제 2 빔들의 폭들을 각각 조정하도록 구성된다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 다양한 실시예들의 작동원리 및 구조뿐만 아니라, 본 발명의 또 다른 실시예들, 특징들 및 장점들을 상세하게 설명한다.
여기에 통합되며 명세서의 일부분을 형성하는 첨부된 도면들은 본 발명의 1 이상의 실시예들을 예시하며, 또한 설명과 함께 본 발명의 원리들을 설명하고 관련 기술의 당업자가 본 발명을 실시하며 또한 이용할 수 있게 하는 역할을 한다.
도 1 및 도 2는 예시적인 탈봇(Talbot) 간섭계 패터닝 시스템들을 나타낸 도면;
도 3은 EUV 간섭계 패터닝 시스템을 나타낸 도면;
도 4는 슬릿의 평면도;
도 5a 내지 도 5c는 트리밍된 노광을 형성하는 예시적인 처리 단계들을 도시한 도면;
도 6a 내지 도 6c는 그리드 기반(grid based) 리소그래피에 대한 예시적인 처리 단계들을 도시한 도면;
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 방법을 도시한 흐름도이다.
본 발명은 첨부된 도면들을 참조하여 설명된다. 상기 도면들에서, 동일한 참조 번호들은 동일하거나 기능적으로 유사한 요소들을 나타낼 수 있다. 추가적으로, 참조 번호의 맨 앞자리 수(들)는 상기 참조 번호가 처음 나타난 도면을 식별할 수 있다.
도 1 및 도 2는 예시적인 탈봇(Talbot) 간섭계 패터닝 시스템들을 나타낸 도면;
도 3은 EUV 간섭계 패터닝 시스템을 나타낸 도면;
도 4는 슬릿의 평면도;
도 5a 내지 도 5c는 트리밍된 노광을 형성하는 예시적인 처리 단계들을 도시한 도면;
도 6a 내지 도 6c는 그리드 기반(grid based) 리소그래피에 대한 예시적인 처리 단계들을 도시한 도면;
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 방법을 도시한 흐름도이다.
본 발명은 첨부된 도면들을 참조하여 설명된다. 상기 도면들에서, 동일한 참조 번호들은 동일하거나 기능적으로 유사한 요소들을 나타낼 수 있다. 추가적으로, 참조 번호의 맨 앞자리 수(들)는 상기 참조 번호가 처음 나타난 도면을 식별할 수 있다.
본 명세서는 본 발명의 특징들을 통합한 1 이상의 실시예들을 개시한다. 개시된 실시예(들)는 단지 본 발명을 예시할 뿐이다. 본 발명의 범위는 개시된 실시예(들)로 제한되지 않는다. 본 발명은 본 명세서에 첨부된 청구항들에 의해 정의된다.
설명된 실시예(들), 및 본 명세서에서 "하나의 실시예", "일 실시예", "예시적인 실시예" 등에 관한 언급은, 설명된 실시예(들)가 특정한 특징, 구조 또는 특성을 포함할 수 있지만, 모든 실시예가 특정한 특징, 구조 또는 특성을 반드시 포함하는 것은 아닐 수 있음을 나타낸다. 또한, 이러한 어구들이 반드시 동일한 실시예를 칭하는 것은 아니다. 또한, 특정한 특징, 구조 또는 특성이 일 실시예와 관련하여 설명될 때, 이는 명시적으로 설명되는지 여부에 관계없이 다른 실시예들과 관련하여 이러한 특징, 구조 또는 특성을 달성하기 위해 당업자의 지식 내에 있음을 이해한다.
본 발명의 실시예들은 하드웨어, 펌웨어(firmware), 소프트웨어, 또는 그 여하한의 조합으로 실행될 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예들은 1 이상의 프로세서들에 의해 판독 및 실행될 수 있는 기계-판독가능한 매체 상에 저장된 명령어들로서 구현될 수 있다. 기계-판독가능한 매체는 기계(예를 들어, 컴퓨팅 디바이스)에 의해 판독가능한 형태로 정보를 저장하거나 전송하는 여하한의 메커니즘을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기계-판독가능한 매체는 ROM(read only memory); RAM(random access memory); 자기 디스크 저장 매체; 광학 저장 매체; 플래시 메모리 디바이스; 전기적, 광학적, 음향적 또는 다른 형태의 전파 신호[예를 들어, 반송파(carrier wave), 적외 신호, 디지털 신호 등] 등등을 포함할 수 있다. 더욱이, 펌웨어, 소프트웨어, 루틴, 명령어들은 본 명세서에서 소정 행위를 수행하는 것으로서 설명될 수 있다. 하지만, 이러한 설명들은 단지 편의를 위한 것이며, 이러한 행위들은 실제로 컴퓨팅 디바이스, 프로세서, 제어기, 또는 펌웨어, 소프트웨어, 루틴, 명령어 등을 실행하는 다른 디바이스들에 기인한다는 것을 이해하여야 한다.
예시적인 간섭계 리소그래피 시스템들
도 1은 통상적으로 탈봇 간섭계로서 당업계에 알려진 간섭계 리소그래피 시스템(100)을 도시한다. 예를 들어, 레이저(도시되지 않음)에 의해 생성된, 실질적으로 공간적 및 일시적 간섭성 광 빔(102)이 빔 스플리터(104)(예를 들어, 회절 디바이스, 회절 격자, 위상 시프팅 빔 스플리터 등등) 상에 입사한다. 빔 스플리터(104)는 빔(102)을 제 1 및 제 2 빔들(106A 및 106B)로 분리한다. 그 후, 두 빔들(106A 및 106B)은 각각 제 1 및 제 2 반사 표면들(108A 및 108B)에 의해 기판(110)(예를 들어, 이후 기판으로서 칭해지는 작업물, 디스플레이 등등)을 향해 재지향된다. 빔 스플리터(104)로부터 기판(110)으로의 각각의 경로(예를 들어, a+c 또는 b+d)는 때때로 간섭계(100)의 "아암(arm)"으로서 칭해진다. 예시적인 종래의 탈봇 간섭계들은 미국 특허 6,882,477호 및 4,596,467호 및 미국 공개 특허 출원 2004-011092-A1호 및 2005-0073671호를 포함하며, 이는 전문이 본 명세서에서 인용 참조된다.
기판(110)의 최상부 표면에 간섭 패턴(112)이 형성된다. 예를 들어, 리소그래피에 사용될 때, 간섭 패턴(112)은 묘화 이미지로 포토레지스트 층(도 1에 표시되지 않음)을 노광한다. 예를 들어, 2 개의 방사선 빔들(106A 및 106B) 간의 상쇄 간섭(destructive interference)에 의해 유도된 최소치들에 의해 분리되고, 방사선 빔들(106A 및 106B) 간의 보강 간섭(constructive interference)에 의해 유도된 최대치들의 라인들에 대응하는, 기판(110) 상의 복수의 라인들을 노광시키기 위해 간섭하도록, 제 1 및 제 2 빔들(106A 및 106B)이 기판(110) 상으로 투영될 수 있다.
기판(110)의 전체 표면의 패터닝을 허용하도록, 묘화 이미지 - 예를 들어 스캐닝, 스텝핑 등등 - 에 대해 기판(110)의 이동을 허용하는 스테이지 또는 테이블(도시되지 않음) 상에 기판(110)이 위치될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 또 다른 예시에서, 기판(110)은 기판(110)의 이미징 동안에 정지해 있을 수 있다.
일 예시에서, 빔 스플리터(104)는 빔들(106A 및 106B)로서 1 차 회절 빔들만을 생성한다. 다양한 예시들에서, 빔 스플리터(104)는 위상 시프팅, 교번 위상 시프팅, 바이너리 위상 시프팅, 또는 또 다른 타입의 빔 스플리터일 수 있으며, 당업자라면 상기의 설명을 읽고 이해할 수 있을 것이다.
일 예시에서, 빔(106A)은 빔 스플리터(104)와 반사 표면(108A) 사이에 경로 길이 a를 갖는 한편, 빔(106B)은 빔 스플리터(104)와 반사 표면(108B) 사이에 경로 길이 b를 갖는다. 이와 유사하게, 빔(106A)은 반사 표면(108A)과 기판(110) 사이에 경로 길이 c를 갖는 한편, 빔(106B)은 반사 표면(108B)과 기판(110) 사이에 경로 길이 d를 갖는다. 도시된 예시에서, 탈봇 간섭계(100)는 a+c가 b+d와 같기 때문에, 일반적으로 실질적으로 대칭적인 시스템으로서 칭해지며, 이는 노광 필드(114)를 가로질러 실질적으로 균일한 프린지(fringe)(112)를 생성하는데, 이는 바람직할 수 있다.
일 예시에서, 간섭성 방사선(102)은 방사선 소스(도시되지 않음)로부터 방사선 빔을 수용하는 일루미네이터(도시되지 않음)에 의해 생성된다. 일 예시에서, 방사선 소스는: 적어도 5 nm, 예를 들어 적어도 10 nm, 적어도 13 nm, 적어도 50 nm, 적어도 100 nm, 적어도 150 nm, 적어도 175 nm, 적어도 200 nm, 적어도 250 nm, 적어도 275 nm, 적어도 300 nm, 적어도 325 nm, 적어도 350 nm, 또는 적어도 360 nm의 파장을 갖는 방사선을 제공할 수 있다. 일 예시에서, 방사선 소스에 의해 제공된 방사선은: 최대(at most) 450 nm, 예를 들어 최대 425 nm, 최대 375 nm, 최대 360 nm, 최대 325 nm, 최대 275 nm, 최대 250 nm, 최대 225 nm, 최대 200 nm 또는 최대 175 nm의 파장을 갖는다. 일 예시에서, 상기 방사선은 436 nm, 405 nm, 365 nm, 355 nm, 248 nm, 193 nm, 157 nm 및/또는 126 nm를 포함하는 파장을 갖는다. 일 예시에서, 상기 방사선은 365 nm 근처 또는 약 355 nm 근처의 파장을 포함한다. 일 예시에서, 상기 방사선은, 예를 들어 365, 405 및 436 nm를 포괄하는 파장들의 광대역을 포함한다. 355 nm 레이저 소스가 사용될 수도 있다.
예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 유닛들 또는 서브시스템들일 수 있다. 이러한 경우들에서, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템의 도움으로 소스로부터 일루미네이터로 통과된다.
도 2는 또 다른 간섭계 리소그래피 시스템(200)을 도시한다. 공간적 및 일시적 간섭성 광 빔(202)이 빔 스플리터(204) 상에 입사한다. 일 예시에서, 빔(202)은 앞서 빔(102)에 대해 설명된 것과 유사한 조명 및/또는 방사선 시스템으로부터 형성될 수 있다. 빔 스플리터(204)는 빔(202)을 제 1 및 제 2 빔들(206A 및 206B)로 분리한다. 일 예시에서, 빔 스플리터(204)는 빔들(206A 및 206B)로서 1 차 회절 빔들만을 생성한다. 그 후, 2 개의 빔들(206A 및 206B)은 각각 제 1 및 제 2 반사 표면들(208A 및 208B)에 의해 기판(210)을 향해 재지향된다. 기판(210)의 최상부 표면에 간섭 패턴(212)이 형성된다. 또한, 리소그래피 예시에서, 간섭 패턴(212)은 노광 필드(214)를 가로질러 포토레지스트 층(도 2에 표시되지 않음)을 노광한다. 빔들(206A 및 206B) 및 기판(210)은 앞서 설명된 바와 같이 서로에 대해 이동될 수 있거나, 정지한 상태로 유지될 수 있다.
도 2에서의 반사 표면들(208A 및 208B)은 도 1에서의 반사 표면들(108A 및 108B)의 방위에 비해, 기판(210) 상에 더 큰 입사 각도를 허용하는 위치들에서 방위잡힌다. 더 큰 입사 각도는, 프린지들(112)에 의해 기판(110) 상에 형성된 패턴들에 비해, 프린지들(212)에 의해 기판(210) 상에 형성된 패턴들의 증가된 분해능을 허용한다.
일 예시에서, 빔(206A)은 빔 스플리터(204)와 반사 표면(208A) 사이에 경로 길이 a를 갖는 한편, 빔(206B)은 빔 스플리터(204)와 반사 표면(208B) 사이에 경로 길이 b를 갖는다. 이와 유사하게, 빔(206A)은 반사 표면(208A)과 기판(210) 사이에 경로 길이 c를 갖는 한편, 빔(206B)은 반사 표면(208B)과 기판(210) 사이에 경로 길이 d를 갖는다. 도시된 예시에서, 상기 간섭계(200)는 a+c가 b+d와 같지 않기 때문에, 실질적으로 비-대칭적인 시스템으로서 칭해질 수 있으며, 이는 노광 필드(214)를 가로질러 실질적으로 불균일한 프린지 패턴(212)를 생성할 수 있는데, 이는 바람직하지 않다. 예를 들어, 간섭 프린지들이 양호하게 형성되고 중심 부분(216)에서 높은 콘트라스트(contrast)를 갖더라도, 중심 부분(216)으로부터 멀어지는 어느 한 방향으로 이동하는 것은 빔들(206A 및 206B)의 일시적인 간섭성의 손실로 인해 이미지 콘트라스트 값 및 빔 경로 길이의 차이를 유도한다. 빔들(206A 및 206B)은 노광 필드(214)의 중심(216)에서만 이들의 전체 폭을 가로질러 적절히 간섭하지 않는다. 따라서, 필드(214)를 가로질러 간섭 프린지들(212)의 고분해능들에서, 이미지를 생성하는 것은 일관적인 콘트라스트로 구성되지 않을 수도 있으며, 즉 노광 필드(214)의 중심부(216)에서 최대 콘트라스트 비율이 존재한다. 그러므로, 프린지들(212)의 일부분만이 최적의 이미지를 생성할 수 있다.
상기 간섭계(200)가 비-대칭적인 시스템이기 때문에, 노광 필드(214)의 전체 폭에 걸쳐 간섭성 매칭에 따른 문제점이 존재할 수 있다. 전형적으로 이러한 타입의 이미징에 관해서는 두 가지 타입의 간섭성: (1) 공간 간섭성(즉, 공간/위치 기반) 및 (2) 일시적 간섭성(즉, 시간 기반)이 존재하며, 이는 아래에 자세히 설명하기로 한다. 일반적으로, 간섭성의 개념은 위상의 안정성 또는 예측가능성에 관한 것이다. 기판 위치에서의 광선들은 빔 스플리터(204) 상의 동일한 위치로부터 따라간다(emulate).
공간 간섭성은 공간 내의 상이한 지점들에서 광 빔들 간의 상관관계(correlation)를 설명한다. 공간 간섭성은 거리의 함수로서 설명되며, 즉 공간 간섭성은 빔 단면의 전체 직경을 가로지르는 고정된-위상 관계(fixed-phase relationship)의 유지이다.
일시적 간섭성은 시간의 상이한 순간들에서 관찰된 광 빔들 간의 상관관계 또는 예측가능한 관계를 설명한다. 광학기기에서, 일시적 간섭성은 생성된 간섭 패턴을 관찰함으로써, 그리고 알려진 경로 길이 차이를 갖지만 동일한 소스로부터의 빔들을 조합함으로써 측정된다. 일 예시에서, 일시적 간섭성 길이는 파장의 제곱을(wavelength squared) 빔의 대역폭으로 나눔으로써 계산된다.
일 예시에서, 빔 스플리터(204)에서의 빔 각도들이 기판(210)에서의 각도들에서와 동일하지 않기 때문에, 간섭성 매칭(일시적 간섭성)이 오정합(mismatch)될 수 있으며, 이는 비-대칭적인 경로 길이(예를 들어, a+c ≠ b+d)를 유도한다. 예를 들어, 완전히 대칭적인 경로 길이들을 갖는 사실에 기초한 탈봇 간섭계(100)에 대해서는 각도들이 동일하다. 이는 노광 필드(114)를 가로질러 모든 지점들에서 동일한 2 개의 간섭 레이저 빔들(106A 및 106B)로부터 프린지들(112)을 유도한다. 하지만, 탈봇 간섭계(200)가 2 개의 간섭 빔들(206A 내지 206B)에 대해 완전히 대칭적인 경로 길이들을 갖지 않는 사실에 기초한 탈봇 간섭계(200)에 대해서는 각도들이 동일하지 않다. 이는, 빔들(206A 및 206B)이 필드(214)의 중심부(216)로부터 변위됨에 따라 증가한 양만큼 상이한 프린지 콘트라스트들을 유도할 수 있다. 일 예시에서, 매우 높은 분해능 이미징의 경우들은 이미징을 위해 필드(214)의 중간부(216)에서 중심 대역만을 이용할 수 있으며, 이는 이미징을 위한 필드(214)의 허용가능한 부분의 크기를 감소시키며, 스루풋(throughput)을 감소시킨다.
간섭계 리소그래피 시스템(200)에서 경로 길이들을 동일하게 하기 위해서, 경로 a 및 b에 빔 폭 조정 시스템들(218A 및 218B)이 각각 삽입될 수 있다. 빔들(206A 및 206B)이 노광 필드(214)의 전체 폭을 가로질러 상호 공간적으로, 그리고 일시적으로 간섭성임을 보장하기 위해, 이들이 노광 필드(214)에 도달할 때, 빔들(206A 및 206B)의 경로 길이들이 실질적으로 일치하도록, 빔 폭 조정 시스템들(218A 및 218B)은 각각 빔들(206A 및 206B)의 빔 폭들을 조정하도록 구성된다. 빔 폭 조정 시스템들(218A 및 218B)에 관한 더 많은 정보는, 전문이 본 명세서에서 인용 참조되는, 예를 들어 "Interferometric Lithography System and Method Used To Generate Equal Path Lengths Of Interfering Beams"이라는 제목으로 2005년 12월 29일에 출원된 미국 공개 특허 출원 2007/0153250호를 참조한다.
간섭계 리소그래피 시스템들(100 및 200)은 주로 렌즈 기반 시스템들이며, 따라서 기판 또는 작업물을 노광시키기 위해 극자외 방사선(EUV)이 사용될 때 기판 상에 패턴들을 프린트하는데 최적이 아닐 수도 있다. 또한, EUV 방사선을 사용하는 리소그래피 시스템들은 이들의 분해능을 [예를 들어, 약 26 nm 라인/폭(L/S)으로] 제한하는 제한된 개구수[예를 들어, 엄폐 효과(obscuration effect)들을 겪지 않고, 약 0.25 내지 0.4]를 갖는다. 더욱이, 이러한 EUV 시스템들은 사용되는 거울들의 개수에 의해서도 제한된다. 때로는 거울들이 매우 효율적이지 않기 때문에(예를 들어, 약 66 %의 효율성), 시스템 내의 거울들의 개수가 증가함에 따라, 성능이 격심하게 감소한다.
예시적인 EUV 간섭계 실시예들
도 3은 빔 스플리터(304), 오목한 거울들(308A 및 308B), 볼록한 거울들(310A 및 310B) 및 평탄한 거울들(312A 및 312B)을 포함하는 간섭계(300)를 도시한다. 예를 들어, 광학 요소들(308A, 310A 및 312A)은 제 1 노광 시스템일 수 있으며, 광학 요소들(308B, 310B 및 312B)은 제 2 노광 시스템일 수 있다. 거울들(308A 내지 312A, 및 308B 내지 312B)은 입사 방사선에 의해 생성된 열로 인한 팽창을 방지하는 저-팽창 유리 상에 형성될 수 있으며, 몰리브덴 및 실리콘의 교번 층으로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 이러한 거울들은 약 66 %의 효율성을 갖는다. EUV 방사선의 간섭성 빔(302)이 빔 스플리터(304) 상에 입사한다. 빔(302)은 레이저 삭마 또는 고에너지 전기 방전과 같은 종래의 플라즈마 소스 또는 싱크로트론에 의해 생성될 수 있다. 빔 스플리터(304)는 EUV 방사선 빔(302)을 제 1 빔(306A) 및 제 2 빔(306B)으로 분할한다. 제 1 빔(306A)은 오목한 거울(308A) 및 볼록한 거울(310A)에 의해 평탄한 거울(312A) 상으로 반사되며, 이는 빔(306A)을 기판(301) 상으로 지향시킨다. 이와 유사하게, 제 1 빔(306B)은 오목한 거울(308B) 및 볼록한 거울(310B)에 의해 평탄한 거울(312B) 상으로 반사되며, 이는 빔(306B)을 기판(301) 상으로 지향시킨다. 일 실시예에서, 기판(301)은 도 1을 참조하여 설명된 기판(110), 또는 도 2를 참조하여 설명된 기판(210)과 실질적으로 유사하다. 기판(301)은 간섭계(300)의 초점 평면 내에 수직으로(normally) 위치되며, 기판(301)의 최상부 표면에 간섭 패턴(303)이 형성된다. 리소그래피 예시에서, 간섭 패턴(303)은 노광 필드(305)를 가로질러 포토레지스트 층(도 3에 표시되지 않음)을 노광한다. 또한, 상이한 기술들을 이용하여 기판(301)의 전체 표면의 패터닝을 허용하도록, 묘화 이미지에 대해 기판(301)의 이동을 허용하는 스테이지, 테이블 등등(도시되지 않음) 상에 기판(301)이 위치될 수 있다는 것을 이해할 것이며, 당업자라면 상기의 설명을 읽고 이해할 수 있을 것이다. 대안적으로, 기판(301)은 정지해 있을 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 간섭계(300)는 반사 기반 또는 거울 기반 시스템이다. 예를 들어, 도 1 및 도 2를 참조하여 각각 설명된 빔 스플리터들(104 및 204)과는 대조적으로, 빔 스플리터(304)는 반사 빔 스플리터이다. 그러므로, 도 3에 도시된 바와 같이, 시스템들(100 및 200)에서와 같이 기판(301)으로부터 멀리 마주한 표면 대신, 기판(301)과 마주한 빔 스플리터(304)의 표면(304a) 상에 빔(302)이 입사한다. 간섭계(300)의 요소들 및/또는 기판(301)과 간섭하지 않고 빔 스플리터(304)의 표면(304a) 상에 빔(302)이 입사하도록 하기 위해, 기판(301)의 수직 벡터(normal vector)를 포함하는 평면(도시되지 않음)과 평행하지 않은 소정 각도에서 빔 스플리터(304) 상에 빔(302)이 입사한다. 다시 말해, 빔(302)은 도 3을 도시한 종이의 평면과 평행하지 않다. 이는, 빔(302)이 빔 스플리터(304)의 표면(304a) 상에 여전히 입사하면서, 빔(302)이 간섭계(300)의 요소들 및 기판(301)과의 상호작용을 회피하게 한다.
일 실시예에서, 빔(302)은 약 6°의 각도에서 기판(301)의 수직 벡터를 포함하는 평면 상에 입사한다.
일 실시예에서, 빔 스플리터(304)는 라인들의 그룹을 포함하는 회절 디바이스이다. 이러한 실시예에서, 라인들은 이들이 빔(302)에 대해 수직이어서, 빔 스플리터(304)의 토포그래피에 의해 유도될 수 있는 음영(shadowing)이 실질적으로 감소되거나 제거되도록 구성될 수 있다.
일 실시예에서, 오목한 거울(308A) 및 볼록한 거울(310A)은 제 1 빔 폭 조정 시스템을 형성하고, 오목한 거울(308B) 및 볼록한 거울(310B)은 제 2 빔 폭 조정 시스템을 형성하며, 이들은 도 2를 참조하여 설명된 빔 폭 조정 시스템들(218A 및 218B)과 각각 유사하다. 하지만, 렌즈 기반 시스템들인 빔 폭 조정 시스템들(218A 및 218B)과는 대조적으로, 거울들(308A, 308B, 310A, 310B)에 의해 형성된 빔 폭 조정 시스템들은 이들이 EUV 방사선을 수용할 수 있도록 거울 기반 시스템이다. 따라서, 간섭계(300)는 제 1 및 제 2 빔 폭 조정 시스템들을 각각 포함하고, 평탄한 거울들(312A 및 312B)을 각각 포함하는 제 1 및 제 2 노광 시스템을 포함한다.
빔(306A)은 폭 wA를 갖고 오목 거울(308A) 상으로 입사하며, 폭 wB를 갖고 볼록 거울(310A)에서 반사된다. 또한, 빔(306B)은 동일한 폭들(도시되지 않음)을 갖고 오목 거울(308B) 상으로 입사하며, 또한 볼록 거울(310B)에서 반사된다. 빔 폭 조정 시스템들의 축소 비율(demagnification ratio: M)은 
으로서 표현될 수 있다. M의 값은 거울들(308A, 308B, 310A, 310B)의 각각의 곡률들에 의해 결정된다. 일 실시예에서, 거울들(308A, 308B, 310A 및 310B)의 곡률들은, 빔들(306A 및 306B)이 노광 필드(305)의 전체 폭을 가로질러 상호 공간적으로 그리고 일시적으로 간섭성임을 보장하기 위해, 이들이 노광 필드(305)에 도달할 때에, 빔들(306A 및 306B)의 각각의 경로 길이들이 실질적으로 동일하도록 선택된다. 빔(306A)은 빔 스플리터(304)와 오목한 거울(308A) 사이에 길이 a를 갖고, 오목한 거울(308A)로부터 볼록한 거울(310A)까지 길이 a'를 가지며, 볼록한 거울(310A)과 평탄한 거울(312A) 사이에 길이 a"를 갖고, 평탄한 거울(312A)과 기판(301) 사이에 길이 c를 갖는다. 이와 유사하게, 빔(306B)은 빔 스플리터(304)와 오목한 거울(308B) 사이에 길이 b를 갖고, 오목한 거울(308B)로부터 볼록한 거울(310B)까지 길이 b'를 가지며, 볼록한 거울(310B)과 평탄한 거울(312B) 사이에 길이 b"를 갖고, 평탄한 거울(312B)과 기판(301) 사이에 길이 d를 갖는다. 거울들(308A, 308B, 310A 및 310B)의 곡률들은 (a+a'+a")+c가 (b+b'+b")+d와 같도록 선택되어, 노광 필드(305)의 전체를 가로질러 실질적으로 균일한 프린지들(303)이 형성된다.
또한, 간섭계(300)는 선택적으로 제어기(316), 및 오목한 거울(308A), 볼록한 거울(310A) 및 평탄한 거울(312A)에 각각 커플링된 액추에이터들(318, 320 및 322)의 사용을 통한 동적 빔 폭 조정을 포함한다. 제어기(316)는 검출기(314)에 커플링된다. 검출기(314)는 기판(301) 상에 형성된 간섭 패턴(303)의 프린지들의 콘트라스트를 감지하고, 감지된 콘트라스트를 나타내는 신호를 생성하도록 구성된다. 제어기(316)는 검출기(314)에 의해 생성된 신호를 수신하고, 간섭 패턴(303)의 프린지들의 콘트라스트를 증가시킬 볼록한 거울(310A) 및/또는 오목한 거울(308A)의 방위 및/또는 위치의 조정을 나타내는 제어 신호를 생성한다. 액추에이터들(318 및 320)은 제어 신호를 수신하고, 오목한 거울(308A) 및/또는 볼록한 거울(310A)의 위치, 형상 및/또는 방위를 각각 조정한다. 예를 들어, 오목한 거울(308A) 및/또는 볼록한 거울(310A)은 해당 업계에 알려진 바와 같이 변형가능한 거울들일 수 있다. 예를 들어, 제어기(316)는, 오목한 거울(308A)을 결정된 거리만큼 이동시킴으로써, 또는 오목한 거울(308A)을 사전설정된 양만큼 변형시킴으로써, 간섭 패턴(303)의 프린지들의 콘트라스트가 증가될 수 있다는 것을 결정할 수 있다. 이러한 실시예에서, 제어기(316)는 액추에이터(318)에 의해 수신된 대응하는 제어 신호를 생성한다. 그 후, 액추에이터(318)는 오목한 거울(308A)의 위치 또는 형상을 사전설정된 거리 또는 양만큼 조정한다.
기판(301) 상에 형성된 피처들(예를 들어, 라인들)의 피치(pitch)는 평탄한 거울(312A)의 각도 θ에 부분적으로 의존한다. 그 후, 기판(301) 상에 형성된 라인들의 피치를 조정하기 위해, 제어기(316)는 제 2 제어 신호를 출력하도록 구성될 수도 있다. 액추에이터(322)는 제 2 제어 신호를 수신하고, 이에 따라 평탄한 거울(312A)의 경사를 조정한다(예를 들어, θ를 조정한다). 또 다른 실시예에서, 경사진 평탄한 거울(312A)은 기판(301) 상에 형성된 라인들의 피치의 미세 조정을 유도한다. 또한, 제어기(316)는 형성된 라인들의 피치를 대략적으로 조정하도록 작동할 수도 있다. 구체적으로, 제어기(316)는 액추에이터들(318 및 320)에 의해 수신된 제 3 제어 신호를 생성하도록 구성될 수 있다. 제 3 제어 신호에 응답하여, 액추에이터들(318 및/또는 320)은 오목한 거울(308A) 및/또는 볼록한 거울(310A)을, 오목한 거울(308A) 및/또는 볼록한 거울(310A)의 곡률을 변화시키거나 상이한 곡률을 갖는 또 다른 거울로, 교체하거나 상호교환한다. 예를 들어, 라인의 피치를 대략적으로 조정하기 위해, 제어기(316)는 액추에이터(318)에 의해 수신된 신호를 생성할 수 있다. 이에 응답하여, 액추에이터(318)는 오목한 거울(308A)을, 오목한 거울(308A)의 곡률을 변화시키거나 상이한 곡률을 갖는 또 다른 오목한 거울로 교체하거나 상호교환할 수 있다. 또한, 액추에이터들(318 및/또는 320)과 함께 제어기(316)는 일시적 및 공간적 간섭성이 유지되도록, 간섭계(300)의 요소들[예를 들어, 오목한 거울(308A) 및/또는 볼록한 거울(310A)을 대체한 거울]의 위치, 형상 및/또는 방위를 재조정하도록 구성될 수 있다.
제어기(316)에 관한 상기의 실시예들은 거울들(308A, 310A 및 312A) 및 액추에이터들(318 내지 322)에 대해 설명되었다. 하지만, 거울들(308B, 310B 및 312B)(점선으로 도시됨)에 커플링된 액추에이터들도 유사한 방식으로 구성될 수 있다. 거울들(308B, 310B 및 312B)에 커플링된 액추에이터들은 제어기(316)에 커플링될 수 있고, 이에 의해 생성된 제어 신호들을 수신할 수 있거나, 또는 유사한 제어 신호들의 또 다른 세트를 생성하는 제 2 제어기(도시되지 않음)에 커플링될 수도 있다.
빔들(306A 및 306B)이 각각 평탄한 거울들(312A 및 312B)에 의해 반사된 후, 이들은 선택적인 슬릿(324)을 통해 기판(301)을 노광할 수 있다. 일 실시예에서, 기판(301) 상에 직사각형이 형성되도록, 슬릿(324)은 실질적으로 직사각형이다. 하지만, 대안적인 실시예들에서, 간섭계(300)는 슬릿을 포함하지 않을 수도 있으며, 빔들(306A 및 306B)이 기판(301)의 전부 또는 실질적으로 전부를 노광시킬 수도 있다. 따라서, 라인들의 세트가 형성되도록, 간섭계(300)는 직사각형[또는 슬릿(324)의 형상에 기초한 다른 형상]을 노광시키고, 슬릿(324) 아래로 기판(301)을 이동시킴으로써 평행한 라인들의 세트를 노광시키도록 구성될 수 있다. 대안적으로, 간섭계(300)는 슬릿(324)을 포함하지 않을 수도 있으며, 그보다는 빔들(306A 및 306B)이 기판(301) 상에 간섭 패턴(303)을 형성하여, 라인들이 세트가 형성될 수 있도록, 평탄한 거울들(312A 및 312B)과 함께 제 1 및 제 2 빔 폭 조정 시스템들이 구성될 수도 있다. 간섭계(300)가 슬릿(324)을 포함하는 실시예는 도 4를 참조하여 자세히 설명된다.
또한, 간섭계(300)는 선택적으로 트리밍 어퍼처(trimming aperture: 326)를 포함한다. 트리밍 어퍼처(326)는 빔들(306A 및 306B)의 일부분이 기판(301)을 노광하는 것을 차단하도록 구성된다. 또 다른 실시예에서, 트리밍 어퍼처(326)는 스캐터링된 방사선이 기판(301)을 노광하는 것을 차단하도록 구성된다. 스캐터링된 방사선은, 차단되지 않는다면, 일반적으로 기판(301)의 무작위한 부분들을 노광할 수 있으며, 기판(301) 상에 간섭계(300)에 의해 형성된 이미지의 분해능을 저하시킬 수 있다.
추가적으로 또는 대안적으로, 간섭계(300)는 도 5a 내지 도 5c, 그리고 도 6a 내지 도 6c를 참조하여 아래에 설명되는 그리드 기반 리소그래피를 수행하기 위해 사용될 수 있다. 그리드 기반 리소그래피에서, 평행한 라인들의 제 1 세트가 노광되면, 기판(301)이 90°만큼 회전될 수 있으며, 평행한 라인들의 제 2 세트가 노광될 수 있다. 상기 라인들의 제 2 세트는 상기 평행한 라인들의 제 1 세트와 실질적으로 수직이다. 따라서, 서로 수직인 평행한 라인들의 두 세트들을 프린트함으로써, 그리드가 형성될 수 있다. 그 후, 그리드는 추가 노광들을 통해 원하는 패턴으로 트리밍될 수 있다. 그 후, 그리드 기반 리소그래피는 비교적 높은 개구수(예를 들어, 다른 EUV 시스템들에 대해서 거의 0.4인 것에 비해, 거의 0.9)를 갖고, 미세 패턴들을 형성하기 위한 기저(basis)로서 사용될 매우 미세한 평행 라인들[예를 들어, 약 13 nm의 파장을 갖는 EUV 방사선으로 4 nm(L/S)]을 형성할 수 있는 디바이스[예를 들어, 간섭계(300)]의 이용을 허용한다.
또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 간섭계(300)는 각각의 빔 경로 내에 6 개 이상의 거울들을 포함할 수 있는 다른 EUV 리소그래피 시스템들과 달리, 각각의 빔 경로 내에 3 개의 거울들만을 가짐으로써 조명 효율성을 증가시킬 수 있다. 조명 효율성의 증가는, 앞서 설명된 바와 같이, 거울들이 전형적으로 비효율적이며, 따라서 3 개의 거울만을 이용하는 것이 기존의 EUV 시스템들을 능가하는 실질적인 개선을 나타내기 때문이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 빔들(306A 및 306B)을 수신하도록 구성된 슬릿(324)의 평면도를 나타낸다. 빔들(306A 및 306B)은 이들이 기판(301) 상의 평행한 라인들을 노광시키는데 사용되도록 슬릿(324)을 통과한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 슬릿(324)은 실질적으로 직사각형이다. 따라서, 슬릿(324)을 노광함으로써, 1 이상의 직사각형들이 기판(301) 상에 형성된다. 1 이상의 라인들이 형성되도록, 스테이지(404)에 커플링된 액추에이터(402)가 간섭 빔들(306A 및 306B)에 대해 기판(301)을 이동시키도록 구성된다. 이러한 방식으로, 평행한 라인들의 그룹이 기판(301) 상에 노광될 수 있다. 또한, 아래에 설명되는 도 6a 내지 도 6c에 나타낸 바와 같이, 평행한 라인들의 초기 세트에 대해 실질적으로 수직인 평행한 라인들의 또 다른 세트가 노광될 수 있도록, 액추에이터(402) 및 스테이지(404)는 기판(301)을 회전시키도록 구성될 수 있다.
추가적으로, 또는 대안적으로, 도 3 및 도 4의 시스템들을 이용하여 더블 패터닝(double patterning)이 수행될 수 있다. 더블 패터닝을 통해, 원래 형성된 평행한 라인들 이후에 평행한 라인들의 제 2 그룹이 형성되도록, 액추에이터(402) 및 스테이지(404)는 기판(301)을 이동시키도록 구성될 수도 있다. 평행한 라인들의 제 2 그룹은 평행한 라인들의 제 1 그룹 사이에 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 이러한 더블 패터닝은 노광 장치의 분해능을 배가시킬 수 있다.
또 다른 실시예에서, 평행한 라인들의 그룹은 기판(도시되지 않음) 상에 원하는 피처들의 세트를 형성하도록 트리밍될 수 있다. 도 5a, 도 5b 및 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 트리밍된 노광을 형성하는 예시적인 처리 단계들을 도시한다. 도 5a에서, 평행한 라인들(500)이 기판 상에 형성된다. 일 실시예에서, 도 3를 참조하여 설명된 간섭계(300)는 평행한 라인들(500)을 형성하는데 사용될 수 있다. 도 5b에서는, 피처들이 최종 패턴에 요구됨에 따라, 영역들(502a 및 502b)이 선택된다. 영역들(502a 및 502b)은 도 5b에서 실질적으로 직사각형으로 도시된다. 하지만, 당업자라면 알 수 있는 바와 같이, 상이한 타입의 형상으로 된 영역들이 선택될 수 있다. 그 후, 도 5c에서, 선택된 영역들(502a 및 502b) 외부의 영역들이 노광되며, 선택된 영역들(504a 및 504b)만을 남겨 최종 패턴(504)이 되게 한다.
그리드-기반 리소그래피에서는, 기판(도시되지 않음) 상에 그리드가 형성되며, 그 후 특정 패턴들이 그리드로부터 형성된다. 도 6a, 도 6b 및 도 6c는 본 발명의 일 실시예에 따른 그리드 기반 리소그래피에 대한 예시적인 처리 단계들을 도시한다. 도 6a는 기판 상에 형성된 평행한 라인들(500)을 도시한다. 앞서 설명된 바와 같이, 평행한 라인들(500)은 간섭계(300)에 의해 형성될 수 있다. 그 후, 도 6b에서, 노광 장치에 대해 기판이 90°회전되며, 그리드(604)를 형성하도록 평행한 라인들의 제 2 세트(602)가 형성된다. 평행한 라인들의 제 2 세트의 라인들은 평행한 라인들(500)에 대해 실질적으로 수직이다. 그 후, 그리드(604)로부터 일 영역이 선택된다. 그 후, 도 6c에서는, 도 5c를 참조하여 설명된 트리밍과 유사하게, 선택된 영역 외부의 영역들이 노광된다. 또한, 선택된 영역 내의 영역들도 노광될 수 있다. 예를 들어, 선택된 영역은 인접한 칼럼(column)(606a 및 606b)(도 6b 참조)들의 일부분들을 포함할 수 있다. 또한, 공간들에 의해 이격된 칼럼들(608a 및 608b)을 포함하는 패턴(610)을 형성하기 위하여, 칼럼들(606a) 및 다른 유사한 칼럼들(예를 들어, 교번하는 칼럼들)이 노광될 수 있다. 이러한 과정은 선택된 영역의 칼럼들의 나머지에 적용되어 최종적으로 패턴(610)을 형성한다.
일 실시예에서, 패턴(610)은 메모리 셀을 형성하는데 사용될 수 있다. 대안적인 실시예들에서, 유사한 설계 단계들, 즉 라인들의 수직 세트를 노광함으로써 그리드를 생성하는 단계, 및 결과적인 그리드를 트리밍하는 단계는, 스택 메모리 기술(Stacked Memory technology)뿐만 아니라, NAND 및 다른 로직 구성요소와 같은 다른 구조체들을 구현하는데 사용될 수 있다.
예시적인 작업
도 7은 방법(700)을 도시한 흐름도를 나타낸다. 예를 들어, 도 3 및 도 4의 간섭 리소그래피 툴을 사용하여 기판 상으로 패턴들을 묘화하는 방법이다.
단계 702에서, EUV 방사선의 제 1 및 제 2 빔들이 생성된다. 단계 704에서, 제 1 및 제 2 빔들이 기판 상으로 투영된다. 평행한 라인들의 세트가 기판의 노광 필드에 노광되도록, 상기 제 1 및 제 2 빔들이 간섭된다. 선택적인 단계 706에서, 노광 유닛에 대해 기판이 이동된다. 선택적인 단계 708에서, EUV 방사선의 제 3 및 제 4 빔들이 기판 상으로 투영된다.
일 실시예에서, 선택적인 단계들 706 및 708은 기판의 제 2 노광을 나타낸다. 예를 들어, 평행한 라인들의 세트가 제 1 및 제 2 빔들로부터 형성된 후에, 기판이 이동될 수 있으며, 평행한 라인들의 제 2 세트가 형성되도록 다시 노광될 수 있다. 예를 들어, 기판은 평행한 라인들의 제 2 세트가 평행한 라인들의 제 1 세트의 각각의 것들 사이에 형성되도록 이동될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, (예를 들어, 기판을 실질적으로 90°만큼 회전시킴으로써) 평행한 라인들의 제 1 세트에 대해 실질적으로 수직인 평행한 라인들의 또 다른 세트가 형성되도록 기판이 회전될 수 있다.
또한, 선택적인 단계 710에서, 원하는 패턴을 형성하기 위해 노광된 패턴이 트리밍된다. 또 다른 실시예에서, 기판 상에 형성된 피처들에 대한 기저로서 사용될 수 있는 그리드를 형성하기 위해, 도 6을 참조하여 설명된 바와 같이, 추가적인 트리밍을 통해, 평행한 라인들의 제 1 및 제 2 세트들을 교차시키는 것이 사용될 수 있다.
앞서 설명된 실시예들에서, 기판은 노광 장치에 대해 이동된다. 당업자라면 이해하는 바와 같이, 노광 장치는 본 발명의 기술적 사상 및 범위를 벗어나지 않고, 상기 언급된 패턴들을 생성하기 위해, 추가적으로 또는 대안적으로 기판에 대해 이동될 수 있다.
앞서 설명된 실시예들은 EUV 방사선에 대해 특정하게 언급하였지만, 다른 타입의 방사선이 사용될 수도 있다. 예를 들어, 간섭계(300)는 X-레이 방사선을 사용할 수도 있다. 이러한 실시예에서, 빔(302)은 EUV 방사선 빔이라기보다는 X-레이 방사선 빔일 수 있다.
본 명세서에서는, 특정 디바이스(예를 들어, 집적 회로 또는 평판 디스플레이) 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 다른 적용예들을 가질 수 있다. 적용예들은, 제한하는 것은 아니지만, 집적 회로, 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드, 마이크로-전기기계 디바이스(micro-electromechanical device), 발광 다이오드(LED) 등의 제조를 포함한다. 또한, 예를 들어 평판 디스플레이에서, 다양한 층들, 예를 들어 박막 트랜지스터 층 및/또는 컬러 필터 층의 생성을 돕는데 본 장치가 사용될 수 있다.
이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들 예를 들어 침지 리소그래피에 사용될 수 있다. 또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 기판의 적어도 일부분이 비교적 높은 굴절률을 갖는 "침지 액체", 예컨대 물로 덮일 수 있는 형태로도 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 패터닝 디바이스와 투영 시스템 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수를 증가시키는 기술로 당업계에 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 담그어져야 함을 의미하는 것이라기보다는, 노광시 액체가 투영 시스템과 기판 사이에 놓이기만 하면 된다는 것을 의미한다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다.
결론
이상, 본 발명의 다양한 실시예들이 설명되었지만, 예시의 방식으로만 제시되었으며 제한하려는 것이 아님을 이해하여야 한다. 당업자라면, 본 발명의 범위와 기술적 사상을 벗어나지 않고 본 명세서의 형태 및 세부사항의 다양한 변화들이 행해질 수 있다는 것을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 범위와 폭은 상기에 서술된 예시적인 실시예들 중 어느 것에 의해서 제한되는 것이 아니라, 다음의 청구항 및 그 균등물에 따라서만 정의되어야 한다.
써머리와 초록 부분(Summary and Abstract sectons)이 아닌, 상세한 설명 부분(Detailed Description section)이 청구항을 해석하는데 사용되도록 의도된다는 것을 이해하여야 한다. 써머리와 초록 부분은 1 이상을 설명할 수 있지만, 발명자(들)에 의해 의도(contemplate)된 본 발명의 모든 예시적인 실시예를 설명하지는 않으므로, 어떠한 방식으로도 본 발명 및 첨부된 청구항들을 제한하지는 않는다.
Claims (23)
- 디바이스 제조 방법에 있어서,
(a) 극자외(EUV) 방사선의 제 1 및 제 2 빔들을 생성하는 단계; 및
(b) 기판의 노광 필드에서 평행한 라인들의 제 1 세트를 노광시키기 위해 상기 방사선의 제 1 및 제 2 빔들이 서로 간섭하도록, 상기 EUV 방사선의 제 1 및 제 2 빔들을 상기 기판 상으로 투영하기 위해 노광 유닛을 이용하는 단계;
를 포함하는 디바이스 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
90°와 동일한 또는 이와 실질적으로 동일한 각도만큼 상기 기판을 회전시키는 단계;
EUV 방사선의 제 3 및 제 4 빔들을 생성하는 단계; 및
상기 기판의 각각의 타겟 영역들 상의 평행한 라인들의 제 2 세트를 노광시키기 위해 상기 방사선의 제 3 및 제 4 빔들이 서로 간섭하도록, 상기 EUV 방사선의 제 3 및 제 4 빔들을 상기 기판 상으로 투영시키기 위해 상기 노광 유닛을 이용하는 단계를 더 포함하고, 상기 평행한 라인들의 제 2 세트는 상기 평행한 라인들의 제 1 세트에 대해 실질적으로 수직인 디바이스 제조 방법. - 제 2 항에 있어서,
피처를 형성하기 위해 제 2 항의 방법에 기인한 패턴을 트리밍(trimming)하는 단계를 더 포함하는 디바이스 제조 방법. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
EUV 방사선의 제 3 및 제 4 빔들을 생성하는 단계; 및
상기 기판의 각각의 타겟 영역들 상의 평행한 라인들의 제 2 세트를 노광시키기 위해 상기 방사선의 제 3 및 제 4 빔들이 서로 간섭하도록, 상기 EUV 방사선의 제 3 및 제 4 빔들을 상기 기판 상으로 투영시키기 위해 상기 노광 유닛을 이용하는 단계를 더 포함하고, 상기 평행한 라인들의 제 2 세트는 상기 평행한 라인들의 제 1 세트의 각각의 라인들 사이사이에서 상기 평행한 라인들의 제 1 세트에 대해 평행한 디바이스 제조 방법. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
단계 (b)는:
상기 기판의 타겟 영역 상에 직사각형을 노광시키기 위해 상기 방사선의 제 1 및 제 2 빔들이 서로 간섭하도록, 상기 EUV 방사선의 제 1 및 제 2 빔들을 상기 기판 상으로 투영하기 위해 상기 노광 유닛을 이용하는 단계; 및
상기 기판 상에 라인이 노광되도록 상기 노광 유닛에 대해 상기 기판을 이동시키는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법. - 제 5 항에 있어서,
90°와 동일한 또는 이와 실질적으로 동일한 각도만큼 상기 기판을 회전시키는 단계;
EUV 방사선의 제 3 및 제 4 빔들을 생성하는 단계; 및
상기 기판의 제 2 타겟 영역 상에 제 2 직사각형을 노광시키기 위해 상기 방사선의 제 3 및 제 4 빔들이 서로 간섭하도록, 상기 EUV 방사선의 제 3 및 제 4 빔들을 상기 기판 상으로 투영시키기 위해 상기 노광 유닛을 이용하는 단계;
상기 제 1 라인에 대해 실질적으로 수직인 제 2 라인이 노광되도록 상기 노광 유닛에 대해 상기 기판을 이동시키는 단계를 더 포함하는 디바이스 제조 방법. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
단계 (b)는:
상기 제 1 및 제 2 빔들의 각각의 경로 길이들이 상기 노광 필드에서 실질적으로 동일하여, 상기 제 1 및 제 2 빔들이 상기 노광 필드의 전체 폭을 가로질러 실질적으로 상호 공간적으로 그리고 일시적으로 간섭성이도록, 상기 제 1 빔을 지향시키도록 거울들의 제 1 세트를 이용하고, 제 2 빔을 지향시키도록 거울들의 제 2 세트를 이용하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 단계 (b)는:
상기 제 1 및 제 2 빔들을 각각 감소, 확대, 또는 축소(demagnify)시키도록 상기 거울들의 제 1 세트 및 상기 거울들의 제 2 세트를 이용하는 단계를 더 포함하는 디바이스 제조 방법. - 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 단계 (a)는:
상기 제 1 및 제 2 빔들을 생성하도록 EUV 방사선의 빔을 분할하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법. - 제 9 항에 있어서,
상기 단계 (a)는:
상기 기판의 수직 벡터(normal vector)를 포함하는 평면에 대해 평행하지 않은 빔을 수용하는 단계를 더 포함하고,
빔 스플리터의 토포그래피(topography)에 의해 유도된 음영(shadowing)이 실질적으로 감소되거나 제거되도록, 상기 빔은 상기 제 1 빔을 분할하는데 사용되는 상기 빔 스플리터의 일 라인에 대해 실질적으로 수직인 디바이스 제조 방법. - 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 단계 (a)는:
상기 제 1 및 제 2 빔들을 생성하도록 EUV방사선의 빔을 회절시키는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법. - 간섭계 리소그래피 장치에 있어서,
극자외(EUV) 방사선의 제 1 빔을 수용하고, 기판 상의 노광 필드 상으로 상기 제 1 빔을 지향시키도록 구성된 제 1 노광 시스템 - 상기 제 1 노광 시스템은 제 1 빔 폭 조정 시스템을 포함함 - ; 및
EUV 방사선의 제 2 빔을 수용하고, 상기 기판 상의 상기 노광 필드 상으로 상기 제 2 빔을 지향시키도록 구성된 제 2 노광 시스템 - 상기 제 1 및 제 2 빔들은 상기 기판의 상기 노광 필드에서 평행한 라인들의 제 1 세트를 노광시키도록 서로 간섭하고, 상기 제 2 노광 시스템은 제 2 빔 폭 조정 시스템을 포함함 - ;
을 포함하고,
상기 제 1 및 제 2 빔들의 각각의 경로 길이들이 상기 노광 필드에서 실질적으로 동일하여, 상기 제 1 및 제 2 빔들이 상기 노광 필드의 전체 폭을 가로질러 실질적으로 상호 공간적으로 그리고 일시적으로 간섭성이도록, 상기 제 1 및 제 2 빔 폭 조정 시스템들은 각각 상기 제 1 및 제 2 빔들의 폭들을 조정하도록 구성되는 간섭계 리소그래피 장치. - 제 12 항에 있어서,
상기 노광 필드를 가로질러 형성된 프린지(fringe)들의 콘트라스트(contrast)를 감지하고, 신호를 생성하도록 구성된 검출기;
상기 신호를 수신하고, 이로부터 제어 신호를 생성하도록 구성된 제어기; 및
상기 제어 신호에 기초하여 상기 노광 필드를 가로질러 콘트라스트를 증가시키기 위해, 상기 제 1 빔 폭 조정 시스템의 일 요소의 위치, 형상 또는 방위를 조정하도록 구성된 액추에이터를 더 포함하는 간섭계 리소그래피 장치. - 제 12 항 또는 제 17 항에 있어서,
상기 제 1 빔 폭 조정 시스템으로부터 상기 제 1 빔을 수용하고, 상기 기판 상으로 상기 제 1 빔을 반사시키도록 구성된 거울; 및
상기 기판 상에 형성된 라인의 피치(pitch)를 조정하기 위해, 상기 거울의 각도를 조정하도록 구성된 액추에이터를 더 포함하는 간섭계 리소그래피 장치. - 제 12 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 빔 폭 조정 시스템의 일 요소를 상호교환하거나, 상기 기판 상에 형성된 라인의 피치를 조정하기 위해 상기 제 1 빔 폭 조정 시스템의 상기 요소를 변형시키도록 구성된 액추에이터를 더 포함하는 간섭계 리소그래피 장치. - 제 12 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 빔 폭 조정 시스템은 오목한 거울 및 볼록한 거울을 포함하고, 상기 오목한 거울 및 볼록한 거울의 곡률들은 실질적으로 균일한 프린지들이 상기 노광 필드를 가로질러 형성되도록 선택되는 간섭계 리소그래피 장치. - 제 12 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
90°와 동일한 또는 이와 실질적으로 동일한 각도만큼 상기 기판을 회전시키도록 구성된 액추에이터를 더 포함하고,
상기 평행한 라인들의 제 2 세트가 상기 평행한 라인들의 제 1 세트에 대해 수직이도록, 상기 제 1 및 제 2 노광 시스템들은, 상기 기판이 90°회전된 후에, 평행한 라인들의 제 2 세트를 노광하도록 구성되는 간섭계 리소그래피 장치. - 제 12 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 노광 시스템 및 상기 제 2 노광 시스템은 상기 기판의 타겟 영역들 상에 직사각형이 노광되도록 구성되는 간섭계 리소그래피 장치. - 제 18 항에 있어서,
상기 평행한 라인들의 제 1 세트가 상기 기판 상에 노광되도록, 상기 기판을 이동시키도록 구성된 액추에이터를 더 포함하고,
상기 액추에이터는 상기 기판을 90°회전시키고, 상기 평행한 라인들의 제 1 세트에 대해 수직인 평행한 라인들의 제 2 세트가 형성되도록 상기 기판을 이동시키도록 구성되는 간섭계 리소그래피 시스템. - 제 12 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판을 이동시키도록 구성된 액추에이터를 더 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 노광 시스템들은, 상기 기판이 이동된 후에, 상기 제 1 평행한 라인들의 각각의 라인들 사이에 평행한 라인들의 제 2 세트를 노광시키도록 구성되는 간섭계 리소그래피 시스템. - 제 12 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
EUV 방사선의 제 3 빔을 수용하고, 상기 제 1 및 제 2 빔들을 생성하도록 구성된 빔 스플리터를 더 포함하는 간섭계 리소그래피 시스템. - 제 21 항에 있어서,
상기 빔 스플리터는 복수의 라인들을 포함하고;
상기 제 3 빔은 상기 빔 스플리터의 상기 복수의 라인들에 대해 수직이며;
상기 제 3 빔은 상기 기판의 수직 벡터를 포함하는 평면에 대해 평행하지 않은 간섭계 리소그래피 시스템. - 제 12 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 빔들의 일부분이 상기 기판을 노광하는 것을 차단하도록 구성된 트리밍 어퍼처(trimming aperture)를 더 포함하는 간섭계 리소그래피 시스템.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US618507P | 2007-12-28 | 2007-12-28 | |
| US61/006,185 | 2007-12-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100112599A true KR20100112599A (ko) | 2010-10-19 |
| KR101541395B1 KR101541395B1 (ko) | 2015-08-03 |
Family
ID=40549356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020107016870A KR101541395B1 (ko) | 2007-12-28 | 2008-12-23 | 초고분해능을 위한 스캐닝 ｅｕｖ 간섭 이미징 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8623588B2 (ko) |
| JP (1) | JP5351900B2 (ko) |
| KR (1) | KR101541395B1 (ko) |
| CN (1) | CN101910951B (ko) |
| NL (1) | NL1036349A1 (ko) |
| TW (1) | TWI436169B (ko) |
| WO (1) | WO2009083229A1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190128481A (ko) * | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 한국생산기술연구원 | 광간섭을 이용한 준결정 표면 격자 패턴 형성방법 및 이로 형성된 준결정 표면 격자 패턴 |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102834764B (zh) * | 2010-03-09 | 2016-03-23 | 斯维尔系统 | 一种确定光学干涉仪中的镜位置的技术 |
| CN102141736A (zh) * | 2011-01-05 | 2011-08-03 | 中国科学院半导体研究所 | 紫外激光干涉条纹的辅助检测装置及方法 |
| JP2013145863A (ja) | 2011-11-29 | 2013-07-25 | Gigaphoton Inc | ２光束干渉装置および２光束干渉露光システム |
| US9476764B2 (en) | 2013-09-10 | 2016-10-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Wavefront adjustment in extreme ultra-violet (EUV) lithography |
| US9405204B2 (en) | 2013-09-18 | 2016-08-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of overlay in extreme ultra-violet (EUV) lithography |
| US9034665B2 (en) * | 2013-10-11 | 2015-05-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Tool configuration and method for extreme ultra-violet (EUV) patterning with a deformable reflective surface |
| JP6221849B2 (ja) * | 2014-03-07 | 2017-11-01 | ウシオ電機株式会社 | 露光方法、微細周期構造体の製造方法、グリッド偏光素子の製造方法及び露光装置 |
| WO2016018004A1 (en) * | 2014-07-31 | 2016-02-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method, apparatus, and system for providing translated content |
| JP2016111058A (ja) * | 2014-12-02 | 2016-06-20 | ウシオ電機株式会社 | 半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子 |
| JP6609917B2 (ja) * | 2014-12-02 | 2019-11-27 | ウシオ電機株式会社 | 蛍光光源用発光素子の製造方法 |
| US10101652B2 (en) * | 2015-09-24 | 2018-10-16 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Exposure method, method of fabricating periodic microstructure, method of fabricating grid polarizing element and exposure apparatus |
| TWI561939B (en) * | 2015-11-03 | 2016-12-11 | Univ Nat Sun Yat Sen | Interference lithography device |
| WO2017153085A1 (en) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | Asml Netherlands B.V. | Measurement system, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2019514078A (ja) * | 2016-03-10 | 2019-05-30 | ヴィズビット インコーポレイテッド | 時間多重化プログラム可能な視野撮像 |
| US11067900B2 (en) | 2016-05-19 | 2021-07-20 | Nikon Corporation | Dense line extreme ultraviolet lithography system with distortion matching |
| WO2017222919A1 (en) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | Nikon Corporation | Dense line extreme ultraviolet lithography system with distortion matching |
| US10712671B2 (en) | 2016-05-19 | 2020-07-14 | Nikon Corporation | Dense line extreme ultraviolet lithography system with distortion matching |
| US10890849B2 (en) * | 2016-05-19 | 2021-01-12 | Nikon Corporation | EUV lithography system for dense line patterning |
| US10295911B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-05-21 | Nikon Corporation | Extreme ultraviolet lithography system that utilizes pattern stitching |
| US10481408B2 (en) * | 2016-09-30 | 2019-11-19 | Christie Digital Systems (Usa), Inc. | Apparatus for reducing coherence of a laser beam |
| US10527956B2 (en) | 2017-03-24 | 2020-01-07 | Nikon Corporation | Temperature controlled heat transfer frame for pellicle |
| KR20210068890A (ko) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | 삼성전자주식회사 | Cdi 기반 검사 장치 및 방법 |
| CN111354500B (zh) * | 2020-03-16 | 2022-03-22 | 中国科学院高能物理研究所 | 一种同步辐射x射线双反射镜 |
| AU2022239720A1 (en) * | 2021-03-19 | 2023-01-05 | Illumina, Inc. | Performing structured illumination microscopy on a patterned substrate |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4596467A (en) | 1984-03-16 | 1986-06-24 | Hughes Aircraft Company | Dissimilar superimposed grating precision alignment and gap measurement systems |
| JP3115389B2 (ja) * | 1991-12-25 | 2000-12-04 | 沖電気工業株式会社 | 位相差露光法 |
| JPH06204124A (ja) * | 1993-01-06 | 1994-07-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 軟ｘ線像露光法 |
| JPH06300909A (ja) * | 1993-04-13 | 1994-10-28 | Canon Inc | ホログラフィック干渉露光法を用いた回折格子作成方法及びこれを用いた光半導体装置 |
| JPH11354014A (ja) * | 1998-06-08 | 1999-12-24 | Ricoh Co Ltd | 電界放射型電子源の作製方法 |
| JP2000223400A (ja) * | 1999-02-01 | 2000-08-11 | Canon Inc | パターン形成方法及びそれを用いた露光装置 |
| US6882477B1 (en) | 1999-11-10 | 2005-04-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and system for interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
| JP4514317B2 (ja) * | 2000-11-27 | 2010-07-28 | 株式会社ミツトヨ | 露光装置 |
| JP2004014866A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Nikon Corp | 多光子干渉露光装置 |
| US6766671B2 (en) | 2002-07-19 | 2004-07-27 | Master Lock Company | Shackleless lock |
| JP2004343082A (ja) * | 2003-04-17 | 2004-12-02 | Asml Netherlands Bv | 凹面および凸面を含む集光器を備えたリトグラフ投影装置 |
| US20050073671A1 (en) | 2003-10-07 | 2005-04-07 | Intel Corporation | Composite optical lithography method for patterning lines of substantially equal width |
| CN100480863C (zh) * | 2004-08-25 | 2009-04-22 | 精工爱普生株式会社 | 微细结构体的制造方法、曝光装置、电子仪器 |
| US7492442B2 (en) | 2004-08-27 | 2009-02-17 | Asml Holding N.V. | Adjustable resolution interferometric lithography system |
| US7184124B2 (en) * | 2004-10-28 | 2007-02-27 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus having an adjustable projection system and device manufacturing method |
| US20060109532A1 (en) * | 2004-11-19 | 2006-05-25 | Savas Timothy A | System and method for forming well-defined periodic patterns using achromatic interference lithography |
| US7751030B2 (en) | 2005-02-01 | 2010-07-06 | Asml Holding N.V. | Interferometric lithographic projection apparatus |
| US20070153249A1 (en) | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using multiple exposures and multiple exposure types |
| US7440078B2 (en) | 2005-12-20 | 2008-10-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and maskless exposure units |
| US7561252B2 (en) * | 2005-12-29 | 2009-07-14 | Asml Holding N.V. | Interferometric lithography system and method used to generate equal path lengths of interfering beams |
| US8264667B2 (en) | 2006-05-04 | 2012-09-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and other exposure |
| US8934084B2 (en) | 2006-05-31 | 2015-01-13 | Asml Holding N.V. | System and method for printing interference patterns having a pitch in a lithography system |
| US7768627B2 (en) | 2007-06-14 | 2010-08-03 | Asml Netherlands B.V. | Illumination of a patterning device based on interference for use in a maskless lithography system |
-
2008
- 2008-12-22 NL NL1036349A patent/NL1036349A1/nl active Search and Examination
- 2008-12-23 CN CN200880123284.6A patent/CN101910951B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-23 US US12/810,994 patent/US8623588B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-23 JP JP2010540069A patent/JP5351900B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-23 KR KR1020107016870A patent/KR101541395B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-23 WO PCT/EP2008/011057 patent/WO2009083229A1/en active Application Filing
- 2008-12-26 TW TW097151090A patent/TWI436169B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190128481A (ko) * | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 한국생산기술연구원 | 광간섭을 이용한 준결정 표면 격자 패턴 형성방법 및 이로 형성된 준결정 표면 격자 패턴 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101910951B (zh) | 2013-09-18 |
| KR101541395B1 (ko) | 2015-08-03 |
| TWI436169B (zh) | 2014-05-01 |
| JP5351900B2 (ja) | 2013-11-27 |
| JP2011508443A (ja) | 2011-03-10 |
| NL1036349A1 (nl) | 2009-06-30 |
| US8623588B2 (en) | 2014-01-07 |
| WO2009083229A1 (en) | 2009-07-09 |
| TW200935191A (en) | 2009-08-16 |
| CN101910951A (zh) | 2010-12-08 |
| US20100284015A1 (en) | 2010-11-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101541395B1 (ko) | 초고분해능을 위한 스캐닝 ｅｕｖ 간섭 이미징 | |
| US7561252B2 (en) | Interferometric lithography system and method used to generate equal path lengths of interfering beams | |
| JP5496847B2 (ja) | 干渉型リソグラフィ装置 | |
| KR100856102B1 (ko) | 리소그래피 장치, 및 간섭계 및 마스크 없는 노광 유닛을사용하는 디바이스 제조 방법 | |
| TWI491997B (zh) | 相對於繞射光學移動光束以降低干擾圖案 | |
| KR100876380B1 (ko) | 지지부, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이 및투영시스템을 포함하는 리소그래피 장치 | |
| JP4927912B2 (ja) | ステップアンドスキャンシステムを使用するウェハ全幅走査 | |
| JP4346586B2 (ja) | ダブルテレセントリック照明を有するリソグラフィ装置 | |
| JP2006135332A (ja) | リソグラフィシステムおよびデバイス製造方法 | |
| JP4954267B2 (ja) | リソグラフィ装置の方法 | |
| TW200823605A (en) | System and method to compensate for critical dimension non-uniformity in a lithography system | |
| US7768627B2 (en) | Illumination of a patterning device based on interference for use in a maskless lithography system | |
| JP2007189220A (ja) | パターニング用アレイの補償スキームを使用するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
| US7242456B2 (en) | System and method utilizing a lithography tool having modular illumination, pattern generator, and projection optics portions |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180719 Year of fee payment: 4 |