JP2011508443A - 超高解像度パターニング用スキャンｅｕｖ干渉イメージング - Google Patents

超高解像度パターニング用スキャンｅｕｖ干渉イメージング Download PDF

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Abstract

基板上にパターンを書き込むためのシステムおよび方法が提供される。極端紫外線（ＥＵＶ）放射の第１および第２ビームが生成される。露光ユニットは、基板上に第１および第２ＥＵＶ放射ビームを投影するために使用される。第１および第２放射ビームは互いに干渉して、基板の露光フィールドで第１組の平行線を露光する。

Description

[関連出願の相互参照]
本出願は、２００７年１２月２８日に出願された米国仮出願第６１／００６，１８５号の利益を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
[0001] 本発明は、リソグラフィシステムに関し、より詳細には干渉リソグラフィに関する。
[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上または基板の一部の上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、フラットパネルディスプレイ、集積回路（ＩＣ）、および微細なフィーチャを含む他のデバイスの製造に用いることができる。従来の装置においては、一般にマスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、フラットパネルディスプレイ（または他のデバイス）の個々の層に対応する回路パターンを形成することができる。このパターンは、基板上に塗布された放射感応性材料（例えば、フォトレジスト）層の上へのイメージングによって、基板（例えば、ガラス板）の全体または一部の上に転写することができる。
[0003] パターニング手段を使用して、回路パターンの代わりに、カラーフィルタパターンまたはドットマトリックスなどの他のパターンを形成することができる。パターニングデバイスは、個別制御可能素子アレイを備えるパターニングアレイを、マスクの代わりに備えることができる。そのようなシステムでは、マスクベースのシステムと比較して、迅速にかつ低コストでパターンを変更することができる。
[0004] フラットパネルディスプレイの基板は、一般に形状が矩形である。このタイプの基板を露光するように設計されたリソグラフィ装置は、矩形基板の全幅に及ぶ、または幅の一部（例えば、半分の幅）に及ぶ露光領域を提供することができる。基板は露光領域の下でスキャンすることができ、一方、マスクまたはレチクルは、ビームによって同期的にスキャンされる。このようにしてパターンは基板に転写される。基板領域が基板の全幅に及ぶ場合、単一のスキャンで露光を完了することができる。露光領域が、例えば、基板の半分の幅に及ぶ場合、第１のスキャン後に基板を横方向に移動することができ、通常、基板の残りの部分を露光するためにさらなるスキャンが行われる。
[0005] 半導体製造プロセス全体によって達成される解像度は、関係する光学系だけでなく、使用する化学プロセス（例えば、フォトレジストとエッチング薬品との間の相互作用）にも依存する。
[0006] 解像度が３０〜１００ｎｍなどのナノメートルスケールに達する場合、これを達成するために従来のマスク、レチクル、およびパターニングアレイを使用することは非常に困難である。レンズベースのシステムの現在の解像度限界は、約４５ｎｍである。
[0007] リソグラフィシステムで使用される光の波長が減少するにつれて、通常、解像度は向上する。例えば、一部のリソグラフィシステムは、極端紫外線（ＥＵＶ）範囲内の光を使用して実施される。しかし、これらのシステムのうちの多くは、低い開口数、例えば、約０．２５を呈し、これは、こうしたシステムの解像度を、例えば約２６ｎｍライン／スペース（Ｌ／Ｓ）に制限する。
[0008] 従って、限定された開口数を有さず、かつ高解像度のパターニングを可能とするＥＵＶリソグラフィ装置および方法が必要である。
[0009] 本発明の第１実施形態において、以下の工程を含む、基板上にパターンを書き込む方法が提供される。基板上にパターンを書き込むためのシステムおよび方法が提供される。極端紫外線（ＥＵＶ）放射の第１および第２ビームが生成される。露光ユニットは、基板上に第１および第２ＥＵＶ放射ビームを投影するために使用される。第１および第２放射ビームは互いに干渉して、基板の露光フィールドで第１組の平行線を露光する。
[0010] 別の例では、基板は、基板上に画像を書き込む間、第１および第２ビームに対して移動され、または、書込みの間、静止状態にある。
[0011] 本発明の別の実施形態は、第１および第２露光システムを提供する。第１露光システムは、基板上にパターンを書き込むために使用され、極端紫外線（ＥＵＶ）放射の第１ビームを受けて基板上の露光フィールド上に第１ビームを誘導するように構成される。第２露光システムは、極端紫外線（ＥＵＶ）放射の第２ビームを受けて基板上の露光フィールド上に第２ビームを誘導するように構成される。第１露光システムは第１ビーム幅調整システムを含み、第２露光システムは第２ビーム幅調整システムを含む。第１および第２幅調整システムは、それぞれ第１および第２ビームの幅を調整し、それによって第１および第２ビームのそれぞれの経路長は、露光フィールドに到達するときに実質的に一致して、第１および第２ビームが露光フィールドの全幅にわたって実質的に互いに空間的かつ時間的にコヒーレントであることを確実とする。
[0012] 本発明のさらなる実施形態、特徴、および利点、ならびに本発明のさまざまな実施形態の構造および作用を、添付の図面を参照して以下に詳細に説明する。
[0013] 本明細書に組み込まれ、かつ明細書の一部を形成する添付の図面は、本発明の１つ以上の実施形態を示し、さらに、説明とともに本発明の原理を説明し、当業者が本発明を行い使用することを可能とするのに役立つ。
[0014] 図１は、例示的なタルボ干渉（Talbot interferometric）パターニングシステムを示す。 [0014] 図２は、例示的なタルボ干渉パターニングシステムを示す。 [0015] 図３は、ＥＵＶ干渉パターニングシステムを示す。 [0016] 図４は、スリットの上面図である。 [0017] 図５Ａ〜図５Ｃは、トリム露光（trimmed exposure）を形成する例示的なプロセス工程を示す。 [0018] 図６Ａ〜図６Ｃは、グリッドベースのリソグラフィのための例示的なプロセス工程を示す。 [0019] 図７は、本発明の一実施形態に係る方法を示すフローチャートである。
[0020] 本発明を添付の図面を参照して以下に説明する。これらの図面において、同様の参照番号は同一または機能的に同様の要素を示す。さらに、参照番号の最も左の数字により参照番号が最初に現れる図面を識別することができる。
[0021] 本明細書は、本発明の特徴を組み入れた１つ以上の実施形態を開示する。開示される実施形態は、本発明を例示するに過ぎない。本発明の範囲は、開示される実施形態に限定されない。本発明は、添付の請求項により定義される。
[0022] 説明されている実施形態および本明細書での「一実施形態」、「実施形態」、「例示的実施形態」などに関する言及は、説明されている実施形態が特定の特徴、構造、または特性を含む可能性はあるが、各実施形態がその特定の特徴、構造、または特性を必ずしも含むとは限らないことを示す。また、そのような表現は同一の実施形態を必ずしも示すものではない。さらに、実施形態と関連して特定の特徴、構造、または特性が説明される場合は、明示的に説明されているか否かによらず、他の実施形態と関連してそのような特徴、構造、または特性を達成することは当業者の知識の範囲内であると理解されたい。
[0023] 本発明の実施形態は、ハードウエア、ファームウエア、ソフトウエア、またはこれらの組合せの形式で具現化されてよい。本発明の実施形態は、１つ以上のプロセッサにより読取かつ実行可能である機械読取可能媒体に記憶された命令として具現化されてもよい。機械読取可能媒体は、機械（例えば、演算装置）により読取可能な形式で情報を記憶または伝送する任意の機構を含んでよい。例えば、機械読取可能媒体は、読出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記録媒体、光記録媒体、フラッシュメモリ装置、電気的、光学的、または音響的もしくはその他の信号伝送形式（例えば搬送波、赤外信号、デジタル信号など）、またはその他を含んでよい。また本明細書では、ファームウエア、ソフトウエア、ルーチン、命令は、ある動作を実行するためのものとして記述されていてもよい。しかし、当然のことながら、これらの記述は単に便宜上のものであり、これらの動作は、そのファームウエア、ソフトウエア、ルーチン、命令などを実行する演算装置、プロセッサ、コントローラ、または他の装置により実際に得られるものである。
例示的干渉リソグラフィシステム
[0024] 図１は、当技術分野でタルボ干渉計としてよく知られている干渉リソグラフィシステム１００を示す。例えば、レーザ（図示せず）によって生成される、実質的に空間的かつ時間的にコヒーレントな光ビーム１０２が、ビームスプリッタ１０４（例えば、回折デバイス、回折格子、位相シフトビームスプリッタなど）に入射する。ビームスプリッタ１０４は、ビーム１０２を第１および第２ビーム１０６Ａおよび１０６Ｂに分離する。次に、２つのビーム１０６Ａおよび１０６Ｂは、それぞれお第１および第２反射面１０８Ａおよび１０８Ｂによって基板１１０（例えば、加工物、ディスプレイなど。本明細書では基板と称する）の方に再誘導される。ビームスプリッタ１０４から基板１１０への各経路（例えば、ａ＋ｃまたはｂ＋ｄ）は、干渉計１００の「アーム」と呼ばれることがある。例示的な従来のタルボ干渉計には、米国特許第６、８８２、４７７号および第４、５９６、４６７号ならびに米国特許出願公開第２００４−０１１０９２−Ａ１号および第２００５−００７３６７１号が含まれ、その全体が参照により本明細書中に組み込まれる。
[0025] 干渉パターン１１２は、基板１１０の上面で形成される。例えば、リソグラフィに使用される場合、干渉パターン１１２は、フォトレジスト層（図１に表示せず）を書込み画像で露光する。例えば、第１および第２ビーム１０６Ａおよび１０６Ｂを基板１１０の上に投影して干渉させ、放射ビーム１０６Ａと放射ビーム１０６Ｂとの間の強め合う干渉によって生じる最大限のラインに対応し、放射ビーム１０６Ａと１０６Ｂという２つの放射ビーム間の弱め合う干渉によって生じる最小値によって分離された、基板１１０上の複数のラインの露光を干渉する。
[0026] 書込み画像に対する基板１１０の移動、例えば、スキャニング、ステッピングなどを可能にするステージまたはテーブル（図示せず）上に基板１１０を配置して、基板１１０の表面全体のパターニングを可能にすることができることが明らかである。別の例では、基板１１０は、基板１１０のイメージングの間、静止していることが可能である。
[0027] 一例では、ビームスプリッタ１０４は、ビーム１０６Ａおよび１０６Ｂとして１次回折ビームのみを生成する。さまざまな例では、この説明を読むことにより当業者に明らかであるように、ビームスプリッタ１０４は、位相シフト、レベンソン型(alternating)位相シフト、バイナリ位相シフト、または別のタイプのビームスプリッタとすることができる。
[0028] 一例では、ビーム１０６Ａは、ビームスプリッタ１０４と反射面１０８Ａとの間の経路長ａを有し、一方、ビーム１０６Ｂは、ビームスプリッタ１０４と反射面１０８Ｂとの間の経路長ｂを有する。同様に、ビーム１０６Ａは、反射面１０８Ａと基板１１０との間の経路長ｃを有し、一方、ビーム１０６Ｂは、反射面１０８Ｂと基板１１０との間の経路長ｄを有する。図示の例では、タルボ干渉計１００は、一般に、実質的な対称システムと呼ばれる。というのは、ａ＋ｃ＝ｂ＋ｄであるので露光フィールド１１４にわたって実質的に均一な縞１１２が生成されるからであり、これは望ましいことである。
[0029] 一例では、コヒーレント放射１０２は、放射源（図示せず）からの放射ビームを受けるイルミネータ（図示せず）によって生成される。一例では、放射源は、少なくとも５ｎｍ、例えば、少なくとも１０ｎｍ、少なくとも１３ｎｍ、少なくとも５０ｎｍ、少なくとも１００ｎｍ、少なくとも１５０ｎｍ、少なくとも１７５ｎｍ、少なくとも２００ｎｍ、少なくとも２５０ｎｍ、少なくとも２７５ｎｍ、少なくとも３００ｎｍ、少なくとも３２５ｎｍ、少なくとも３５０ｎｍ、または少なくとも３６０ｎｍの波長を有する放射を供給することができる。一例では、放射源によって供給される放射は、せいぜい４５０ｎｍ、例えば、せいぜい４２５ｎｍ、せいぜい３７５ｎｍ、せいぜい３６０ｎｍ、せいぜい３２５ｎｍ、せいぜい２７５ｎｍ、せいぜい２５０ｎｍ、せいぜい２２５ｎｍ、せいぜい２００ｎｍ、またはせいぜい１７５ｎｍの波長を有する。一例では、放射は、４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、および／または１２６ｎｍを含む波長を有する。一例では、放射は、約３６５ｎｍまたは約３５５ｎｍの波長を有する。一例では、放射は、例えば３６５、４０５、および４３６ｎｍを含む広帯域の波長を有する。３５５ｎｍのレーザ源を使用することができる。
[0030] 例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源およびリソグラフィ装置は別個のユニットまたはサブシステムとすることができる。そのような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使用して、放射ビームは放射源からイルミネータへ送られる。
[0031] 図２は、別の干渉リソグラフィシステム２００を示す。空間的かつ時間的にコヒーレントな光ビーム２０２がビームスプリッタ２０４に入射する。一例では、ビーム１０２に関して上述したように、ビーム２０２は、同様の照明および／または放射システムから形成することができる。ビームスプリッタ２０４は、ビーム２０２を第１および第２ビーム２０６Ａおよび２０６Ｂに分離する。一例では、ビームスプリッタ２０４は、ビーム２０６Ａおよび２０６Ｂとして１次回折ビームのみを生成する。次に、２つのビーム２０６Ａおよび２０６Ｂは、それぞれ第１および第２反射面２０８Ａおよび２０８Ｂによって基板２１０の方に再誘導される。干渉パターン２１２が、基板２１０の上面で形成される。再び、リソグラフィの例では、干渉パターン２１２は、露光フィールド２１４にわたってフォトレジスト層（図２に表示せず）を露光する。上述の通り、ビーム２０６Ａおよび２０６Ｂならびに基板２１０は、互いに対して移動してもよいし、静止状態のままでもよい。
[0032] 図２の反射面２０８Ａおよび２０８Ｂは、図１の反射面１０８Ａおよび１０８Ｂの配向と比較して、基板２１０上へのより大きい入射角度を可能にする位置に向けられる。より大きい入射角度によって、縞１１２によって基板１１０上に形成されるパターンと比較して、縞２１２によって基板２１０上に形成されるパターンの解像度を向上させることができる
[0033] 一例では、ビーム２０６Ａは、ビームスプリッタ２０４と反射面２０８Ａとの間の経路長ａを有し、一方、ビーム２０６Ｂは、ビームスプリッタ２０４と反射面２０８Ｂとの間の経路長ｂを有する。同様に、ビーム２０６Ａは、反射面２０８Ａと基板２１０との間の経路長ｃを有し、一方、ビーム２０６Ｂは、反射面２０８Ｂと基板２１０との間の経路長ｄを有する。図示の例では、干渉計２００は、非対称システムと呼ばれることがある。というのは、ａ＋ｃ≠ｂ＋ｄであるので露光フィールド２１４にわたって実質的に非均一な縞パターン２１２が生成され得るからであり、これは望ましくない。例えば、干渉縞は中心位置２１６で良好に形成され高いコントラストを示すが、いずれの方向でも中心位置２１６から離れると、ビーム２０６Ａおよび２０６Ｂのビーム経路長の差異および時間的コヒーレンスの低下に起因する画像コントラスト値が生じる。ビーム２０６Ａおよび２０６Ｂは、それらの幅全体にわたって適切に干渉せず、露光フィールド２１４の中心２１６においてのみ干渉する。従って、高解像度では、画像を生成するフィールド２１４にわたる干渉縞２１２は、一定したコントラストを呈さないことがあり、すなわち、露光フィールド２１４の中心２１６で最大のコントラスト比となる。従って、縞２１２の一部のみが最適な画像になり得る。
[0034] 干渉計２００は非対称システムであるので、露光フィールド２１４の全幅にわたるコヒーレンス整合の問題が起こり得る。一般にこのタイプのイメージングに関係するコヒーレンスの２つの種類は、（１）空間的コヒーレンス（すなわち、スペース／位置に基づくもの）および（２）時間的コヒーレンス（すなわち、時間に基づくもの）であり、以下でより詳細に説明する。一般に、コヒーレンスの概念は位相の安定性または予測可能性に関連する。基板位置の光線は、ビームスプリッタ２０４上の同一の位置からエミュレートする。
[0035] 空間的コヒーレンスは、空間の異なる点の光ビーム間の相関関係を記述する。空間的コヒーレンスは距離の関数として記述される。すなわち、空間的コヒーレンスは、ビームの断面の直径全体にわたる固定位相関係の維持である。
[0036] 時間的コヒーレンスは、時間の異なる瞬間に観察される光ビーム間の相関関係または予測可能な関係を記述する。光学系において同一の放射源からの既知の経路長差を有するビームを結合し、生成される干渉パターンを観察することによって、時間的コヒーレンスが測定される。一例では、時間的コヒーレンス長は、ビームの波長の２乗を帯域幅で割ることによって計算される。
[0037] 一例では、コヒーレンス整合（時間的コヒーレンス）が不整合となることがあるが。というのは、ビームスプリッタ２０４におけるビーム角度が基板２１０における角度と同一でなく、これにより非対称の経路長（例えば、ａ＋ｃ≠ｂ＋ｄ）がもたらされるからである。例えば、完全に対称の経路長を有することに基づくタルボ干渉計１００については、角度は同一である。これにより、露光フィールド１１４にわたってすべての点で等しい２つの干渉レーザビーム１０６Ａおよび１０６Ｂからの縞１１２がもたらされる。しかし、２つの干渉ビーム２０６Ａおよび２０６Ｂについて完全に対称の経路長を有さないことに基づくタルボ干渉計２００については、角度は同一ではない。これにより、ビーム２０６Ａおよび２０６Ｂがフィールド２１４の中心２１６から離れるにつれて、増加量だけ異なる縞コントラストがもたらされることがある。一例では、非常に高い解像度でのイメージングの場合は、イメージング用のフィールド２１４の中央２１６の中心帯域しか利用できないことがあり、これにより、イメージング用のフィールド２１４の許容部分の大きさが減少し、スループットが減少する。
[0038] 干渉リソグラフィシステム２００の経路長を均等化するために、ビーム幅調整システム２１８Ａおよび２１８Ｂがそれぞれ経路ａおよび経路ｂに挿入されてよい。ビーム幅調整システム２１８Ａおよび２１８Ｂは、それぞれビーム２０６Ａおよび２０６Ｂのビーム幅を調整するように構成され、それによって、ビーム２０６Ａおよび２０６Ｂが露光フィールド２１４に到達するときにビーム２０６Ａおよび２０６Ｂの経路長が一致して、露光フィールド２１４の全幅にわたってビーム２０６Ａおよび２０６Ｂが相互に空間的かつ時間的にコヒーレントであることが確実となる。ビーム幅調整システム２１８Ａおよび２１８Ｂに関するより詳細な情報については、例えば、その全体が参照により本明細書に組み込まれる、２００５年１２月２９日に出願された"Interferometoric Lithography System and Method Used To Generate Equal Path Length Of Interfering Beams"と題した米国特許出願公開第２００７／０１５３２５０号を参照されたい。
[0039] 干渉リソグラフィシステム１００および２００は、主にレンズベースのシステムであり、従って、極端紫外線（ＥＵＶ）放射を使用して基板または加工物を露光する際に基板上にパターンをプリントするために最適ではないことがある。さらに、ＥＵＶ放射を使用するリソグラフィシステムは、解像度を制限する（例えば、約２６ｎｍ ライン／スペース（Ｌ／Ｓ））制限された開口数（例えば、オブスキュレーション効果なしで約０．２５〜０．４）を有する。さらに、これらのＥＵＶシステムは、使用するミラーの数によっても制限される。ミラーはそれほど効率がよくないことが多いので（例えば、約６６％の効率）、システム内のミラーの数が増加するにつれて、性能は著しく減少する。
例示的ＥＵＶ干渉の実施形態
[0040] 図３は、ビームスプリッタ３０４、凹面ミラー３０８Ａおよび３０８Ｂ、凸面ミラー３１０Ａおよび３１０Ｂ、ならびに平面ミラー３１２Ａおよび３１２Ｂを含む干渉計３００を示す。例えば、光エレメント３０８Ａ、３１０Ａおよび３１２Ａは、第１露光システムとすることができる。また、光エレメント３０８Ｂ、３１０Ｂおよび３１０Ｃは、第２露光システムとすることができる。ミラー３０８Ａ〜３１２Ａおよび３０８Ｂ〜３１２Ｂは、入射放射によって生成される熱による膨張を防ぐ低膨張ガラス上に形成されてよく、モリブデンおよびシリコンが交互に重なった層から形成されてもよい。一実施形態において、そのようなミラーは約６６％の効率を有する。ＥＵＶ３０２放射のコヒーレントビーム３０２は、ビームスプリッタ３０４に入射する。ビーム３０２は、シンクロトロンもしくはレーザアブレーションまたは高エネルギー放電などの従来のプラズマ源から生成され得る。ビームスプリッタ３０４は、ＥＵＶ放射３０２のビームを第１ビーム３０６Ａおよび第２ビーム３０６Ｂに分割する。第１ビーム３０６Ａは、凹面ミラー３０８Ａおよび凸面ミラー３１０Ａによって平面ミラー３１２Ａ上に反射され、この平面ミラー３１２Ａはビーム３０６Ａを基板３０１上に誘導する。同様に、第２ビーム３０６Ｂは、凹面ミラー３０８Ｂおよび凸面ミラー３１０Ｂによって平面ミラー３１２Ｂ上に反射され、この平面ミラー３１２Ｂはビーム３０６Ｂを基板３０１上に誘導する。一実施形態において、基板３０１は、図１を参照して説明した基板１１０または図２を参照して説明した基板２１０と実質的に同様である。通常、基板３０１は、干渉計３００の焦点面内に位置決めされ、干渉パターン３０３が基板３０１の上面で形成される。リソグラフィの例において、干渉パターン３０３は、露光フィールド３０５にわたってフォトレジスト層（図３に表示せず）を露光する。再び、この説明を読み理解することにより当業者に明らかであるように、異なる技術を用いて書込み画像に対する基板３１０の移動を可能にするステージ、テーブルなど（図示せず）の上に基板３１０を配置して、基板３０１の表面全体のパターニングを可能にすることができることが明らかである。あるいは、基板３０１は静止状態のままでもよい。
[0041] 図３に示すように、干渉計３００は反射またはミラーベースのシステムである。例えば、そして図１および図２を参照してそれぞれ説明したビームスプリッタ１０４および２０４とは異なり、ビームスプリッタ３０４は反射ビームスプリッタである。従って、図３に示すように、ビーム３０２は、システム１００および２００と同様に基板３０１から離れて対向する面ではなく、基板３０１に対向するビームスプリッタ３０４の表面３０４ａに入射する。ビーム３０２が基板３０１および／または干渉計３００のエレメントに干渉せずにビームスプリッタ３０４の表面３０４ａに入射することを可能にするために、ビーム３０２は、基板３０１の法線ベクトルを含む平面（図示せず）に平行でない角度でビームスプリッタ３０４に入射する。言い換えれば、ビーム３０２は、図３を示す紙面に平行でない。これにより、ビーム３０２と基板３０１および干渉計３００のエレメントとの相互作用を避け、一方でビームスプリッタ３０４の表面３０４ａに依然として入射する、ということが可能になる。
[0042] 一実施形態において、ビーム３０２は、約６度の角度で基板３０１の法線ベクトルを含む平面に入射する。
[0043] 一実施形態において、ビームスプリッタ３０４は、ライン群を含む回折デバイスである。そのような実施形態において、ラインは、ビーム３０２に対して垂直であるように構成されてよく、それによって、ビームスプリッタ３０２のトポグラフィによって生じ得るシャドーイングは実質的に低減または除去される。
[0044] 一実施形態において、凹面ミラー３０８Ａおよび凸面ミラー３１０Ａは第１ビーム幅調整システムを形成し、凹面ミラー３０８Ｂおよび凸面ミラー３１０Ｂは第２ビーム幅調整システムを形成する。これらのシステムは、図２を参照して説明したビーム幅調整システム２１８Ａおよび２１８Ｂとそれぞれ同様である。しかし、レンズベースのシステムであるビーム幅調整システム２１８Ａおよび２１８Ｂとは異なり、ミラー３０８Ａ、３０８Ｂ、３１０Ａ、３１０Ｂが形成するビーム幅調整システムはミラーベースのシステムであるため、これらのシステムはＥＵＶ放射に対応することができる。従って、干渉計３００は、第１および第２ビーム幅調整システムならびに平面ミラー３１２Ａおよび３１２Ｂをそれぞれ含む、第１および第２露光システムを含んでいる。
[0045] ビーム３０６Ａは、幅ｗＡで凹面ミラー３０８Ａに入射し、幅ｗＢで凸面ミラー３１０Ａを離れる。ビーム３０６Ｂもまた、同一の幅（図示せず）で凹面ミラー３０８Ｂに入射し、凸面ミラー３１０Ｂを離れる。ビーム幅調整システムの縮小率Ｍは、
として表すことができる。Ｍの値は、ミラー３０８Ａ、３０８Ｂ、３１０Ａ、３１０Ｂそれぞれの曲率によって決まる。一実施形態において、ミラー３０８Ａ、３０８Ｂ、３１０Ａ、３１０Ｂの曲率は、ビーム３０６Ａおよび３０６Ｂが露光フィールド３０５に到達するときにそれぞれの経路長が実質的に等しくなり、ビーム３０６Ａおよび３０６Ｂが、露光フィールド３０５の全幅にわたって互いに空間的かつ時間的にコヒーレントであることが確実となるように選択される。ビーム３０６Ａは、ビームスプリッタ３０４と凹面ミラー３０８Ａとの間の長さａ、凹面ミラー３０８Ａから凸面ミラー３１０Ａまでの長さａ’、凸面ミラー３１０Ａと平面ミラー３１２Ａとの間の長さａ’’、および平面ミラー３１２Ａと基板３１０との間の長さｃを有する。同様に、ビーム３０６Ｂは、ビームスプリッタ３０４と凹面ミラー３０８Ｂとの間の長さｂ、凹面ミラー３０８Ｂから凸面ミラー３１０Ａまでの長さｂ’、凸面ミラー３１０Ｂと平面ミラー３１２Ｂとの間の長さｂ’’、および平面ミラー３１２Ｂと基板３１０との間の長さｄを有する。ミラー３０８Ａ、３０８Ｂ、３１０Ａ、３１０Ｂの曲率は、（ａ＋ａ’＋ａ’’）＋ｃ＝（ｂ＋ｂ’＋ｂ’’）＋ｄであるように選択され、その結果、実質的に均一な縞３０３が露光フィールド３０５の全体にわたって形成される。
[0046] さらに、干渉計３００は、凹面ミラー３０８Ａ，凸面ミラー３１０Ａおよび平面ミラー３１２Ａにそれぞれ連結されるアクチュエータ３１８、３２０および３２２、ならびにコントローラ３１６の使用による動的ビーム幅調整を任意で含んでよい。コントローラ３１６は、ディテクタ３１４に連結される。ディテクタ３１４は、基板３０１上に形成される干渉パターン３０３の縞のコントラストを検知し、検知されたコントラストを示す信号を生成するように構成される。コントローラ３１６は、ディテクタ３１４が生成した信号を受信し、干渉パターン３０３の縞のコントラストを高めることになる、凹面ミラー３０８Ａおよび／または凸面ミラー３１０Ａの位置および／または配向の調整を示す制御信号を生成する。アクチュエータ３１８および３２０は制御信号を受信し、凹面ミラー３０８Ａおよび／または凸面ミラー３１０Ａの位置、形状、および／または配向をそれぞれ調整する。例えば、凹面ミラー３０８Ａおよび／または凸面ミラー３１０Ａは、関連技術において知られているように変形可能なミラーとすることができる。例えば、コントローラ３１６は、凹面ミラー３０８Ａを所定の距離だけ移動させたり凹面ミラー３０８Ａを所定量だけ変形させることによって干渉パターン３０３の縞のコントラストを増加できると判定してよい。そのような実施形態において、コントローラ３１６は、アクチュエータ３１８によって受信される、対応する制御信号を生成する。その後、アクチュエータ３１８は、所定の距離または量だけ凹面ミラー３０８Ａの位置または形状を調整する。
[0047] 基板３０１上に形成されたフィーチャ（例えば、ライン）のピッチは、少なくとも部分的に平面ミラー３１２Ａの角度θによって決まる。基板３０１上に形成されたラインのピッチを調整するために、コントローラ３１６は、第２制御信号を出力するように構成されてもよい。アクチュエータ３２２は、第２制御信号を受信し、それに応じて平面ミラー３１２Ａの傾きを調整する（例えば、θを調整する）。他の実施形態においては、平面ミラー３１２Ａを傾けることが、基板３０１上に形成されたラインのピッチの微細の調整につながる。また、コントローラ３１６は、形成されたラインのピッチを粗く調整するように機能してもよい。特に、コントローラ３１６は、アクチュエータ３１８および３２０によって受信される第３制御信号を生成するように構成されてよい。第３制御信号に応答して、アクチュエータ３１８および／または３２０は、凹面ミラー３０８Ａおよび／または凸面ミラー３１０Ａを、異なる曲率を有する別のミラーと取り替える、または交換する、もしくは凹面ミラー３０８Ａおよび／または凸面ミラー３１０Ａの曲率を変更する。例えば、ラインのピッチを粗く調整するために、コントローラ３１６は、アクチュエータ３１８によって受信される信号を生成してよい。それに応じて、アクチュエータ３１８は、凹面ミラー３０８Ａを、異なる曲率を有する別のミラーと取り替える、または交換する、もしくは凹面ミラー３０８Ａの曲率を変更する。さらに、コントローラ３１６は、アクチュエータ３１８Ａおよび／または３２０Ａとともに干渉計３００のエレメント（例えば、凹面ミラー３０８Ａおよび／または凸面ミラー３１０Ａに取って代わったミラー）の位置、形状、および／または配向を再調整して時間的かつ空間的コヒーレンスが維持されるように構成されてもよい。
[0048] コントローラ３１６についての上記実施形態を、ミラー３０８Ａ、３１０Ａおよび３１２Ａならびにアクチュエータ３１８〜３２２に関して説明してきたが、ミラー３０８Ｂ、３１０Ｂおよび３１２Ｂ（点線で示す）に連結されたアクチュエータもまた、同様に構成されてよい。ミラー３０８Ｂ、３１０Ｂおよび３１２Ｂに連結されたアクチュエータは、コントローラ３１６に連結され、コントローラ３１６が生成した制御信号を受信してよく、または、同様の別の組の制御信号を生成する第２コントローラ（図示せず）に連結されてもよい。
[0049]ビーム３０６Ａおよび３０６Ｂがそれぞれ平面ミラー３１２Ａおよび３１２Ｂによって反射された後、基板３０１は光スリット３２４を介してビーム３０６Ａおよび３０６Ｂに露光され得る。一実施形態において、スリット３２４は、実質的に矩形であるので、矩形が基板３０１上に形成される。しかし、別の実施形態においては、干渉計３００はスリットを有さなくてもよく、基板３０１全体または実質的に基板３０１全体をビーム３０６Ａおよび３０６Ｂに露光させてよい。従って、干渉計３００は、矩形（またはスリット３２４の形状に基づいた他の形状）を露光し、かつスリット３２４の下で基板３０１を移動させることによって１組の平行線を露光して当該組のラインを形成するように構成されてよい。あるいは、干渉計３００はスリット３２４を有さなくてもよく、むしろ、第１および第２ビーム幅調整システムは、平面ミラー３１２Ａおよび３１２Ｂとともに、ビーム３０６Ａおよび３０６Ｂが基板３０１上の干渉パターン３０３を形成するように構成されてよく、それによって１組のラインが形成される。干渉計３００がスリット３２４を含む実施形態を、図４に関してより詳細に説明する。
[0050] 干渉計３００は、トリム開口（trimming aperture）３２６を任意で含んでもよい。トリム開口３２６は、基板３０１がビーム３０６Ａおよび３０６Ｂの一部に露光されるのを妨げるように構成される。別の実施形態において、トリム開口３２６は、散乱線が基板３０１を照射するのを妨げるように構成される。散乱線は、（妨げられない場合）概して基板３０１の任意の部分を照射し、干渉計３００によって基板３０１上に形成される画像の解像度を低下させることがある。
[0051] それに加えて、または、その代わりに、干渉計３００を使用して、図５Ａ〜図５Ｃおよび図６Ａ〜図６Ｃに関して説明するグリッドベースリソグラフィを実行することができる。グリッドベースリソグラフィでは、第１組の平行線が露光されると、次に基板３０１は９０度回転することができ、第２組の平行線を露光することができる。第２組の平行線は、第１組の平行線に対して実質的に垂直である。従って、互いに垂直な２つの組の平行線をプリントすることによって、グリッドを形成することができる。その後、追加の露光を通じてグリッドを所望のパターンにトリムすることができる。そして、グリッドベースリソグラフィは、微細なパターンを形成するための基盤としての、比較的高い開口数（例えば、他のＥＵＶシステムの約０．４に対して約０．９）を有し、かつ微細な平行線（例えば、約１３ｎｍの波長を有するＥＵＶ放射で４ｎｍ（Ｌ／Ｓ））を形成可能なデバイス（例えば、干渉計３００）の使用を可能にする。
[0052] さらに、各ビーム経路内に６つ以上のミラーを有し得る他のＥＵＶリソグラフィシステムとは対照的に、図３に示すように、干渉計３００は、各ビーム経路内に３つのミラーを設けることのみによって照明効率を高めることができる。照明効率の向上は、上述した通り、ミラーが一般に非効率的であることに起因し、従って、３つのミラーのみの使用は、既存のＥＵＶシステムに対して大幅な向上を示すことになる。
[0053] 図４は、本発明の一実施形態に係る、ビーム３０６Ａおよび３０６Ｂを受けるように構成されたスリット３２４の上面図である。ビーム３０６Ａおよび３０６Ｂは、スリット３２４を通過して、基板３０１上の平行線を照射するために使用される。図４に示す通り、スリット３２４は、実質的に矩形である。従って、スリット３２４を露光することによって、１つ以上の矩形が基板３０１上に形成される。ステージ４０４に連結されたアクチュエータ４０２は、干渉ビーム３０６Ａおよび３０６Ｂに対して基板３０１を移動させるように構成され、その結果１つ以上のラインが形成される。このような方式で、平行線群が基板３０１上に露光される。さらに、以下で説明する図６Ａ〜図６Ｃに示すように、アクチュエータ４０２およびステージ４０４は、基板３０１を回転させて、最初の組の平行線に対して実質的に垂直な別の組の平行線が露光されるように構成されてもよい。
[0054] それに加えて、または、その代わりに、図３および図４のシステムを用いてダブルパターニングを実行することができる。ダブルパターニングを通じて、アクチュエータ４０２およびステージ４０４は、最初に形成された平行線の後に第２群の平行線を形成するべく基板３０１を移動させるように構成されてもよい。第２群の平行線は、第１群の平行線の間に形成されてよい。一実施形態において、このようなダブルパターニングは露光装置の解像度を２倍にし得る。
[0055] 別の実施形態において、平行線群をトリムして基板上に１組の所望のフィーチャを形成してよい（図示せず）。図５Ａ、図５Ｂおよび図５Ｃは、本発明の一実施形態に係る、トリム露光を形成するための例示的なプロセス工程を示している。図５Ａにおいて、平行線５００が基板上に形成される。一実施形態において、図３を参照して説明した干渉計３００を使用して平行線５００を形成することができる。図５Ｂにおいて、領域５０２ａおよび５０２ｂが、最終パターン内で所望されるフィーチャとして選択される。領域５０２ａおよび５０２ｂは図５Ｂに示され、実質的に矩形である。しかし、当業者には明らかなように、異なるタイプの形状を有する領域が選択されてもよい。図５Ｃにおいて、次に、選択された領域５０２ａおよび５０２ｂの外側の領域が露光され、それによって選択された領域５０２ａおよび５０２ｂのみが最終パターン５０４内に残る。
[0056] グリッドベースリソグラフィでは、グリッドが基板上に形成され（図示せず）、その後、特定のパターンがグリッドから形成される。図６Ａ、図６Ｂおよび図６Ｃは、本発明の一実施形態に係る、グリッドベースリソグラフィの例示的なプロセス工程を示している。図６Ａは、基板上に形成された平行線５００を示す。上述した通り、平行線５００は、干渉計３００によって形成され得る。図６Ｂにおいて、次に、基板は露光装置に対して９０度回転され、第２組の平行線６０２が形成されてグリッド６０４を形成する。第２組の平行線のうちのラインは、平行線５００に対して実質的に垂直である。その後、グリッド６０４から領域が選択される。次に、図６Ｃにおいて、図５Ｃを参照して説明したトリミングと同様に、選択された領域の外側の領域が露光される。さらに、選択された領域内の領域も露光され得る。例えば、選択された領域は、隣接するコラム６０６ａおよび６０６ｂの一部を含み得る（図６Ｂを参照）。スペースによって分離されたコラム６０８ａおよび６０８ｂを含むパターン６１０を形成するために、コラム６０６ａおよび他の同様のコラム（例えば、交互のコラム）を露光してもよい。そのような処理は、選択された領域のコラムの残りの部分に実施されて最終的にパターン６１０を形成する。
[0057] 一実施形態において、パターン６１０を使用してメモリセルを形成することができる。別の実施形態において、同様の設計工程、すなわち、互いに垂直な組のラインを露光し、得られるグリッドをトリムすることによってグリッドを生成することは、ＮＡＮＤなどの他の構造および他の論理素子ならびにスタックメモリ技術を実施するためにも利用することができる。
例示的動作
[0058]図７は、方法７００を示すフローチャートである。例えば、図３および図４に示す干渉リソグラフィツールを使用して基板上にパターンを描画する方法である。
[0059] ブロック７０２において、第１および第２ＥＵＶ放射ビームが生成される。ブロック７０４において、第１および第２ビームは基板上に投影される。第１および第２ビームは、１組の平行線が基板の露光フィールドで露光されるように干渉し合う。任意のブロック７０６において、基板は、露光ユニットに対して移動される。任意のブロック７０８において、第３および第４ＥＵＶ放射ビームが基板上に投影される。
[0060] 一実施形態において、任意のブロック７０６および７０８は、基板の第２露光を表す。例えば、１組の平行線が第１および第２ビームから形成された後、第２組の平行線を形成するべく、基板を移動して再び露光してよい。例えば、第１組の平行線のそれぞれの間に第２組の平行線が形成されるように、基板を移動させてもよい。それに加えて、または、その代わりに、第１組の平行線に対して実質的に垂直な別の組の平行線を（例えば、略９０度基板を回転させることによって）形成するように、基板を回転させてもよい。
[0061] 任意のブロック７１４において、露光されたパターンをさらにトリムして所望のパターンを形成する。他の実施形態においては、図６を参照して説明したように、さらなるトリミングを通じて、交差する第１および第２組の平行線を使用して基板上に形成されるフィーチャの基盤として使用可能なグリッドを形成してよい。
[0062] 上述した実施形態において、基板は露光装置に対して移動される。それに加えて、または、その代わりに、当業者には明らかなように、本発明の範囲および趣旨から逸脱せずに、露光装置を基板に対して移動して上述したパターンを形成することもできる。
[0063] 上述した実施形態において、ＥＵＶ放射についての具体的な言及がなされているが、他のタイプの放射も使用され得る。例えば、干渉計３００は、Ｘ線放射を使用してもよい。そのような実施形態においては、ビーム３０２は、ＥＵＶ放射ビームよりむしろＸ線放射ビームであり得る。
[0064] 本明細書において、特定のデバイス（例えば、集積回路またはフラットパネルディスプレイ）の製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、他の用途を有し得ることが理解されるべきである。用途は、限定はされないが、集積回路、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド、微小電気機械デバイス（ＭＥＭＳ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）などの製造を含む。さらに、例えばフラットパネルディスプレイにおいては、本装置を使用してさまざまな層、例えば、薄膜トランジスタ層および／またはカラーフィルタ層の生成を支援することができる。
[0065]光リソグラフィにおける本発明の実施形態の使用について具体的な言及がなされてきたが、本発明は他の用途、例えば液浸リソグラフィで使用され得ることが明らかである。また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する“液浸液”（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間（例えば、パターニングデバイスと投影システムとの間）に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるための技術においてよく知られている。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを単に意味するものである。
[0066] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。
結論
[0067] 本発明の様々な実施形態を説明してきたが、それらは限定ではなく例としてのみ提示されたことが理解されるべきである。本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく、形態および詳細の様々な変更を本発明に加えることができることが当業者には明らかであろう。従って、本発明の範囲は上述の例示的実施形態のいずれによっても限定されるべきでなく、添付の特許請求の範囲および等価物によってのみ規定されるべきである。
[0068] 「発明の概要」および「要約書」の項は、本発明者が考えた本発明の例示的実施形態の１つ以上を示すものであるが、すべてを説明するものではなく、よって、本発明および請求項をいかなる形にも限定するものではない

Claims (23)

  1. （ａ）第１および第２極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビームを生成することと、
    （ｂ）露光ユニットを使用して前記第１および第２ＥＵＶ放射ビームを基板上に投影することによって、前記第１および第２放射ビームが互いに干渉して前記基板の露光フィールドで第１組の平行線を露光することと、を含む、デバイス製造方法。
  2. 前記基板を９０度に等しいまたは実質的に等しい角度で回転させることと、
    第３および第４ＥＵＶ放射ビームを生成することと、
    前記露光ユニットを使用して前記第３および第４ＥＵＶ放射ビームを前記基板上に投影することによって、前記第３および第４放射ビームが互いに干渉して前記基板のターゲット領域上で第２組の平行線を露光することと、をさらに含み、
    前記第２組の平行線は、前記第１組の平行線に対して実質的に垂直である、請求項１に記載の方法。
  3. 請求項２に記載の方法から得られるパターンをトリムしてフィーチャを形成すること、をさらに含む、方法。
  4. 第３および第４ＥＵＶ放射ビームを生成することと、
    前記露光ユニットを使用して前記第３および第４ＥＵＶ放射ビームを前記基板上に投影することによって、前記第３および第４放射ビームが互いに干渉して前記基板のターゲット領域上で第２組の平行線を露光することと、をさらに含み、
    前記第２組の平行線は、それぞれ前記第１組の平行線の間で、前記第１組の平行線に対して平行である、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
  5. 工程（ｂ）は、
    前記露光ユニットを使用して前記第１および第２ＥＵＶ放射ビームを前記基板上に投影することによって、前記第１および第２放射ビームが互いに干渉して基板のターゲット領域上で矩形を露光することと、
    ラインが前記基板上に露光されるように、前記露光ユニットに対して前記基板を移動させることと、を含む、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
  6. 前記基板を９０度に等しいまたは実質的に等しい角度で回転させることと、
    第３および第４ＥＵＶ放射ビームを生成することと、
    前記露光ユニットを使用して前記第３および第４ＥＵＶ放射ビームを前記基板上に投影することによって、前記第３および第４放射ビームが互いに干渉して前記基板の第２ターゲット領域上で第２矩形を露光することと、
    前記第１ラインに対して実質的に垂直な第２ラインが露光されるように、前記露光ユニットに対して前記基板を移動させることと、をさらに含む、請求項５に記載の方法。
  7. 工程（ｂ）は、
    第１組のミラーを使用して前記第１ビームを誘導し、かつ第２組のミラーを使用して前記第２ビームを誘導することによって、前記第１および第２ビームが、前記露光フィールドの全幅にわたって実質的に互いに空間的かつ時間的にコヒーレントであるように前記第１および第２ビームの各経路長が前記露光フィールドで実質的に等しくなることを含む、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
  8. 工程（ｂ）は、
    前記第１組のミラーおよび前記第２組のミラーを使用して前記第１および第２ビームをそれぞれ低減する、拡大する、または縮小することをさらに含む、請求項７に記載の方法。
  9. 工程（ａ）は、
    ＥＵＶ放射ビームを分割して前記第１および第２ビームを生成することを含む、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
  10. 工程（ａ）は、
    前記基板の法線ベクトルを含む平面に平行でないビームを受けることをさらに含み、
    前記ビームは、前記第１ビームを分割するために使用されるビームスプリッタのラインに対して実質的に垂直であり、それによって前記ビームスプリッタのトポグラフィによって生じるシャドーイングが実質的に低減または除去される、請求項９に記載の方法。
  11. 工程（ａ）は、
    ＥＵＶ放射ビームを回折させて前記第１および第２ビームを生成することを含む、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
  12. 第１極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビームを受け、かつ基板上の露光フィールド上に前記第１ビームを誘導する第１露光システムであって、第１ビーム幅調整システムを含む第１露光システムと、
    第２ＥＵＶ放射ビームを受け、かつ前記基板上の前記露光フィールド上に前記第２ビームを誘導し、それによって前記第１および第２ビームが互いに干渉して前記基板の前記露光フィールドで第１組の平行線を露光する第２露光システムであって、第２ビーム幅調整システムを含む第２露光システムと、を含み、
    前記第１および第２ビーム幅調整システムは、それぞれ前記第１および第２ビームの幅を調整し、それによって前記第１および第２ビームのそれぞれの経路長は、前記第１および第２ビームが前記露光フィールドの全幅にわたって実質的に互いに空間的かつ時間的にコヒーレントであるように、前記露光フィールドで実質的に等しくなる、干渉リソグラフィ装置。
  13. 前記露光フィールドにわたって形成される縞のコントラストを検知し、かつ信号を生成するディテクタと、
    前記信号を受信し、かつ当該信号から制御信号を生成するコントローラと、
    前記第１ビーム幅調整システムのエレメントの位置、形状、または向きを調整して、前記制御信号に基づく前記露光フィールドのコントラストを高めるアクチュエータと、をさらに含む、請求項１２に記載の装置。
  14. 前記第１ビーム幅調整システムからの前記第１ビームを受信し、かつ前記基板上に前記第１ビームを反射させるミラーと、
    前記ミラーの角度を調整して前記基板上に形成されたラインのピッチを調整するアクチュエータと、をさらに含む、請求項１２または請求項１７に記載の装置。
  15. 前記基板上に形成されたラインのピッチを調整するために、前記第１ビーム幅調整システムのエレメントを交換する、または前記第１ビーム幅調整システムのエレメントを変形させるアクチュエータをさらに含む、請求項１２〜１４のいずれかに記載の装置。
  16. 前記第１ビーム幅調整システムは、凹面ミラーおよび凸面ミラーを含み、前記凹面ミラーおよび前記凸面ミラーの曲率は、実質的に均一な縞が前記露光フィールドにわたって形成されるように選択される、請求項１２〜１５のいずれかに記載の装置。
  17. 前記基板を９０度に等しいまたは実質的に等しい角度で回転させるアクチュエータをさらに含み、
    前記第１および第２露光システムは、前記基板が９０度回転された後に第２組の平行線を露光するように構成され、それによって前記第２組の平行線は前記第１組の平行線に対して垂直である、請求項１２〜１６のいずれかに記載の装置。
  18. 前記第１露光システムおよび前記第２露光システムは、前記基板のターゲット領域上で矩形が露光される、請求項１２〜１９のいずれかに記載の装置。
  19. 前記基板を移動させ、それによって前記第１組の平行線が前記基板上に露光されるアクチュエータをさらに含み、
    前記アクチュエータは、前記第１組の平行線に対して垂直な第２組の平行線が形成されるように、前記基板を９０度回転させ、かつ前記基板を移動させる、請求項１８に記載の装置。
  20. 前記基板を移動させるアクチュエータをさらに含み、
    前記第１および第２露光システムは、前記基板が移動された後に、前記第１平行線のそれぞれの間で第２組の平行線を露光する、請求項１２〜１９のいずれかに記載の装置。
  21. 第３ＥＵＶ放射ビームを受け、かつ前記第１および第２ビームを生成するビームスプリッタをさらに含む、請求項１２〜２０のいずれかに記載の装置。
  22. 前記ビームスプリッタは、複数のラインを含み、
    前記第３ビームは、前記ビームスプリッタの前記複数のラインに対して垂直であり、
    前記第３ビームは、前記基板の法線ベクトルを含む平面に対して平行でない、請求項２１に記載の装置。
  23. 前記第１および前記第２ビームの一部が前記基板を露光するのを妨げるトリム開口をさらに含む、請求項１２〜２２のいずれかに記載の装置。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013145863A (ja) * 2011-11-29 2013-07-25 Gigaphoton Inc ２光束干渉装置および２光束干渉露光システム
JP2015170780A (ja) * 2014-03-07 2015-09-28 ウシオ電機株式会社 露光方法、微細周期構造体の製造方法、グリッド偏光素子の製造方法及び露光装置
JP2016111057A (ja) * 2014-12-02 2016-06-20 ウシオ電機株式会社 蛍光光源用発光素子の製造方法及び蛍光光源用発光素子
JP2016111058A (ja) * 2014-12-02 2016-06-20 ウシオ電機株式会社 半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子
WO2017051443A1 (ja) * 2015-09-24 2017-03-30 ウシオ電機株式会社 露光方法、微細周期構造体の製造方法、グリッド偏光素子の製造方法及び露光装置
JP2018061005A (ja) * 2016-09-30 2018-04-12 クリスティ デジタル システムズ ユーエスエイ インコーポレイテッド レーザ・ビームのコヒーレンスを減らすための装置
JP2019518246A (ja) * 2016-06-20 2019-06-27 株式会社ニコン 歪み整合のための密集ライン極紫外線リソグラフィシステム
JP2021193456A (ja) * 2016-05-19 2021-12-23 株式会社ニコン 露光装置、露光方法および高密度ラインのパターニングのためのｅｕｖリソグラフィシステム

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102834764B (zh) * 2010-03-09 2016-03-23 斯维尔系统 一种确定光学干涉仪中的镜位置的技术
CN102141736A (zh) * 2011-01-05 2011-08-03 中国科学院半导体研究所 紫外激光干涉条纹的辅助检测装置及方法
US9476764B2 (en) 2013-09-10 2016-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wavefront adjustment in extreme ultra-violet (EUV) lithography
US9405204B2 (en) 2013-09-18 2016-08-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of overlay in extreme ultra-violet (EUV) lithography
US9034665B2 (en) * 2013-10-11 2015-05-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Tool configuration and method for extreme ultra-violet (EUV) patterning with a deformable reflective surface
WO2016018004A1 (en) * 2014-07-31 2016-02-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Method, apparatus, and system for providing translated content
TWI561939B (en) * 2015-11-03 2016-12-11 Univ Nat Sun Yat Sen Interference lithography device
JP6664499B2 (ja) 2016-03-10 2020-03-13 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 測定システム、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法
US10277824B2 (en) * 2016-03-10 2019-04-30 Visbit Inc. Time multiplexing programmable field of view imaging
US11067900B2 (en) 2016-05-19 2021-07-20 Nikon Corporation Dense line extreme ultraviolet lithography system with distortion matching
US10712671B2 (en) 2016-05-19 2020-07-14 Nikon Corporation Dense line extreme ultraviolet lithography system with distortion matching
US10295911B2 (en) 2016-05-19 2019-05-21 Nikon Corporation Extreme ultraviolet lithography system that utilizes pattern stitching
US10527956B2 (en) 2017-03-24 2020-01-07 Nikon Corporation Temperature controlled heat transfer frame for pellicle
KR102140675B1 (ko) * 2018-05-08 2020-08-05 한국생산기술연구원 광간섭을 이용한 준결정 표면 격자 패턴 형성방법 및 이로 형성된 준결정 표면 격자 패턴
KR20210068890A (ko) 2019-12-02 2021-06-10 삼성전자주식회사 Cdi 기반 검사 장치 및 방법
CN111354500B (zh) * 2020-03-16 2022-03-22 中国科学院高能物理研究所 一种同步辐射x射线双反射镜
BR112022026808A2 (pt) * 2021-03-19 2023-04-25 Illumina Inc Execução de microscopia de iluminação estruturada em um substrato padronizado

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05175102A (ja) * 1991-12-25 1993-07-13 Oki Electric Ind Co Ltd 位相差露光法
JPH06204124A (ja) * 1993-01-06 1994-07-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 軟ｘ線像露光法
JPH06300909A (ja) * 1993-04-13 1994-10-28 Canon Inc ホログラフィック干渉露光法を用いた回折格子作成方法及びこれを用いた光半導体装置
JPH11354014A (ja) * 1998-06-08 1999-12-24 Ricoh Co Ltd 電界放射型電子源の作製方法
JP2000223400A (ja) * 1999-02-01 2000-08-11 Canon Inc パターン形成方法及びそれを用いた露光装置
JP2002162750A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Mitsutoyo Corp 露光装置
JP2004014866A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Nikon Corp 多光子干渉露光装置
JP2006128699A (ja) * 2004-10-28 2006-05-18 Asml Holding Nv 調整可能な投影系を有するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法
WO2007078515A2 (en) * 2005-12-29 2007-07-12 Asml Holding N.V. Interferometric lithography system and method used to generate equal path lengths of interfering beams

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4596467A (en) * 1984-03-16 1986-06-24 Hughes Aircraft Company Dissimilar superimposed grating precision alignment and gap measurement systems
US6882477B1 (en) * 1999-11-10 2005-04-19 Massachusetts Institute Of Technology Method and system for interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
US6766671B2 (en) * 2002-07-19 2004-07-27 Master Lock Company Shackleless lock
JP2004343082A (ja) * 2003-04-17 2004-12-02 Asml Netherlands Bv 凹面および凸面を含む集光器を備えたリトグラフ投影装置
US20050073671A1 (en) * 2003-10-07 2005-04-07 Intel Corporation Composite optical lithography method for patterning lines of substantially equal width
CN100480863C (zh) * 2004-08-25 2009-04-22 精工爱普生株式会社 微细结构体的制造方法、曝光装置、电子仪器
US7492442B2 (en) * 2004-08-27 2009-02-17 Asml Holding N.V. Adjustable resolution interferometric lithography system
US20060109532A1 (en) * 2004-11-19 2006-05-25 Savas Timothy A System and method for forming well-defined periodic patterns using achromatic interference lithography
US7751030B2 (en) * 2005-02-01 2010-07-06 Asml Holding N.V. Interferometric lithographic projection apparatus
US20070153249A1 (en) * 2005-12-20 2007-07-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using multiple exposures and multiple exposure types
US7440078B2 (en) * 2005-12-20 2008-10-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and maskless exposure units
US8264667B2 (en) * 2006-05-04 2012-09-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and other exposure
US8934084B2 (en) * 2006-05-31 2015-01-13 Asml Holding N.V. System and method for printing interference patterns having a pitch in a lithography system
US7768627B2 (en) * 2007-06-14 2010-08-03 Asml Netherlands B.V. Illumination of a patterning device based on interference for use in a maskless lithography system

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05175102A (ja) * 1991-12-25 1993-07-13 Oki Electric Ind Co Ltd 位相差露光法
JPH06204124A (ja) * 1993-01-06 1994-07-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 軟ｘ線像露光法
JPH06300909A (ja) * 1993-04-13 1994-10-28 Canon Inc ホログラフィック干渉露光法を用いた回折格子作成方法及びこれを用いた光半導体装置
JPH11354014A (ja) * 1998-06-08 1999-12-24 Ricoh Co Ltd 電界放射型電子源の作製方法
JP2000223400A (ja) * 1999-02-01 2000-08-11 Canon Inc パターン形成方法及びそれを用いた露光装置
JP2002162750A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Mitsutoyo Corp 露光装置
JP2004014866A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Nikon Corp 多光子干渉露光装置
JP2006128699A (ja) * 2004-10-28 2006-05-18 Asml Holding Nv 調整可能な投影系を有するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法
WO2007078515A2 (en) * 2005-12-29 2007-07-12 Asml Holding N.V. Interferometric lithography system and method used to generate equal path lengths of interfering beams

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013145863A (ja) * 2011-11-29 2013-07-25 Gigaphoton Inc ２光束干渉装置および２光束干渉露光システム
US9507248B2 (en) 2011-11-29 2016-11-29 Gigaphoton Inc. Two-beam interference apparatus and two-beam interference exposure system
JP2015170780A (ja) * 2014-03-07 2015-09-28 ウシオ電機株式会社 露光方法、微細周期構造体の製造方法、グリッド偏光素子の製造方法及び露光装置
JP2016111057A (ja) * 2014-12-02 2016-06-20 ウシオ電機株式会社 蛍光光源用発光素子の製造方法及び蛍光光源用発光素子
JP2016111058A (ja) * 2014-12-02 2016-06-20 ウシオ電機株式会社 半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子
WO2017051443A1 (ja) * 2015-09-24 2017-03-30 ウシオ電機株式会社 露光方法、微細周期構造体の製造方法、グリッド偏光素子の製造方法及び露光装置
JP2021193456A (ja) * 2016-05-19 2021-12-23 株式会社ニコン 露光装置、露光方法および高密度ラインのパターニングのためのｅｕｖリソグラフィシステム
JP7160163B2 (ja) 2016-05-19 2022-10-25 株式会社ニコン 露光装置、露光方法および高密度ラインのパターニングのためのｅｕｖリソグラフィシステム
JP2019518246A (ja) * 2016-06-20 2019-06-27 株式会社ニコン 歪み整合のための密集ライン極紫外線リソグラフィシステム
JP2018061005A (ja) * 2016-09-30 2018-04-12 クリスティ デジタル システムズ ユーエスエイ インコーポレイテッド レーザ・ビームのコヒーレンスを減らすための装置
JP7001251B2 (ja) 2016-09-30 2022-01-19 クリスティ デジタル システムズ ユーエスエイ インコーポレイテッド レーザ・ビームのコヒーレンスを減らすための装置

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