JP2002162750A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

Info

Publication number
JP2002162750A
JP2002162750A JP2000359394A JP2000359394A JP2002162750A JP 2002162750 A JP2002162750 A JP 2002162750A JP 2000359394 A JP2000359394 A JP 2000359394A JP 2000359394 A JP2000359394 A JP 2000359394A JP 2002162750 A JP2002162750 A JP 2002162750A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
stage
interference fringe
work
angle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000359394A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4514317B2 (ja
Inventor
Tomotaka Takahashi
知隆 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitutoyo Corp
Mitsutoyo Kiko Co Ltd
Original Assignee
Mitutoyo Corp
Mitsutoyo Kiko Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitutoyo Corp, Mitsutoyo Kiko Co Ltd filed Critical Mitutoyo Corp
Priority to JP2000359394A priority Critical patent/JP4514317B2/ja
Publication of JP2002162750A publication Critical patent/JP2002162750A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4514317B2 publication Critical patent/JP4514317B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70408Interferometric lithography; Holographic lithography; Self-imaging lithography, e.g. utilizing the Talbot effect

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 小さい単位露光領域の重ね合わせにより長尺
範囲の均一露光を可能とした露光装置を提供する。 【解決手段】 レーザ光源1の出力光ビームA0は、分
岐光学系4によって、二つの光ビームA1,A2に分岐
され、それぞれコリメートレンズ系5,6に導入され
る。コリメートレンズ系5,6は、2分岐された出力光
ビームA1,A2をそれぞれのビーム径を拡大してコリ
メートすると共に所定角度で交差するコリメート光A
3,A4を発生する。これらのコリメート光A3,A4
の交差部に、ステージ10上のワーク9上に周期パター
ンを露光するための光強度分布がガウシアン分布を示す
干渉縞が発生される。ステージ10を重ね合わせ露光エ
ネルギー分布が一定になるピッチでステップ的に駆動し
て、ワーク9のある範囲を干渉縞走査制御によるつなぎ
合わせにより露光する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、フォトリソグラ
フィ工程に用いられる露光装置に係り、特に微細周期構
造を持つスケール等の加工に適用して有用な露光装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体集積回路等の微細加工
技術に適用される露光方法として、縮小投影露光、電子
ビーム(EB)露光等が一般に用いられている。また、
回折格子等の微細な繰り返しパターンの加工に適した露
光法としては、レーザ光等のコヒーレント光を用いた光
波干渉露光(ホログラフィック露光)がある。これは、
レーザ出力光を2光波に分岐し、それぞれの光波を露光
に適したビーム径になるうに拡大コリメートした後に交
差させて、その公差領域に生じる干渉縞を利用してワー
クを露光するものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のホログ
ラフィック露光法には、次のような問題があった。 平行波面の露光ビームは、光強度がガウシアン分布を
有する。このため、広範囲を均一に露光するためには、
ビーム径を必要な露光範囲以上にまで大きく拡大するこ
とが必要になる。その結果、長尺のスケール等の露光装
置を作るには、光学部品が高価になり、場合によっては
光学部品の製造が困難である。 ビーム径を拡大することにより、そのビーム径内で空
気屈折率変動等の環境変動による光路長変化が生じるた
め、均一な周期構造の露光が難しく、また均一な周期構
造を露光するためには安定した環境が必要となる。 更に、との関連で広範囲の均一露光のためにはレー
ザ出力光の一部しか使用できないことから、長い露光時
間が必要となり、フォトレジストの安定性や選択性が問
題になる。露光時間を短くするために光量を大きくしよ
うとすると、光源が高価なものとなってしまう。 ホログラフィック露光に限らず、他の露光法でも同様
であるが、長尺の繰り返しパターンを露光する際につな
ぎ露光を行うと、周期構造の不均一性が生じる。
【0004】この発明は、上記事情を考慮してなされた
もので、小さい単位露光領域の重ね合わせにより長尺範
囲の均一露光を可能とした露光装置を提供することを目
的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明に係る露光装置
は、露光すべきワークを搭載するステージと、前記ワー
クに対して光強度分布がガウシアン分布を持つ光ビーム
を照射する露光用光源と、前記ワークのある範囲を均一
露光するために前記ステージをステップ的に駆動して、
前記露光用光源からの光ビームによる複数回の露光をオ
ーバラップさせるステージ駆動装置と、を備えたことを
特徴とする。
【0006】この発明によると、光強度がガウシアン分
布を持つ露光光ビームの径を大きくすることなく、その
様な露光光ビームをオーバラップさせながら多重露光す
ることにより、広い範囲にわたって均一露光を行うこと
が可能になる。露光光ビーム径をそれほど大きくする必
要がないから、露光光学系の構成は簡単で且つ安定性の
高いものとなる。
【0007】特にこの発明をホログラフィック露光に適
用した場合には、露光用光源は、コヒーレント光源と、
このコヒーレント光源の出力光ビームを2分岐する分岐
光学系と、この分岐光学系により2分岐された出力光ビ
ームをそれぞれのビーム径を拡大してコリメートすると
共に所定角度で交差させることにより、ワーク上に周期
パターンを露光する干渉縞を発生させる二つのコリメー
トレンズ系とを備えて構成される。そして、ステージ駆
動装置は、ワークのある範囲で露光強度分布が一定にな
るようにステージをステップ的に駆動して、複数回の露
光をオーバラップさせる。
【0008】そして、ステージ駆動による複数回の各露
光の干渉縞を重ね合わせ、つなぎ合わせるために、干渉
縞走査制御を行う。具体的には、干渉縞走査制御手段と
して、分岐光学系により2分岐される出力光ビームの光
路長差を可変して露光干渉縞を走査するための光路長差
可変用アクチュエータと、ワークに照射される干渉縞の
位相、周期及び強度を検出する干渉縞検出器と、ステー
ジの移動距離を測定する測長器と、干渉縞検出器及び測
長器の出力に基づいて光路長差可変用アクチュエータを
制御して露光干渉縞を走査し安定化させるコントローラ
とを備える。この様に、均一露光のためのステージのス
テップ駆動と、各干渉縞露光について前回露光の干渉縞
履歴に重ね合わせる干渉縞の走査制御とを行うことによ
り、長尺の周期構造パターンを均一に露光することが可
能になる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施例を説明する。図1は、この発明の実施例による
ホログラフィック露光装置の構成を示している。この露
光装置の露光用光源は、コヒーレント光源としてのレー
ザ光源1と、その出力光ビームA0を2分岐する分岐光
学系4と、この分岐光学系4により2分岐された出力光
ビームA1,A2をそれぞれのビーム径を拡大してコリ
メートすると共に所定角度で交差させることにより、ワ
ーク9上に周期パターンを露光する干渉縞を発生させる
二つのコリメートレンズ系5,6とを備えて構成されて
いる。
【0010】ミラー2a〜2fは、光ビームの光路を偏
向する光路偏向デバイスである。レーザ光源1は、直線
偏光レーザであって、その出力光ビームA0は、ミラー
2a,2bにより光路が偏向されて、分岐光学系4に入
る。ミラー2a,2bの間に配置されたインターロック
シャッター3は、安全目的のシャッターであり、必ずし
も必要ではない。
【0011】ミラー2bにより光路偏向された出力光ビ
ームは、1/2波長板41を通って偏光ビームスプリッ
タ42に入り、一つの直線偏光成分が分岐光ビームA2
として取り出され、他方は透過する。偏光ビームスプリ
ッタ42を透過した成分は、更に偏光ビームスプリッタ
43及び1/4波長板44を通り、ミラー35で反射さ
れて同じ光路を戻る。このとき、1/4波長板44の往
復により位相が90°回転して、偏光ビームスプリッタ
43により、先の分岐光ビームA2と同じ偏光成分の分
岐光ビームA1が得られる。
【0012】この分岐光学系4の端部のミラー45は、
小型のPZTを用いたリニアアクチュエータ46に取り
付けられている。このアクチュエータ46は、フリンジ
(干渉縞)走査用である。即ち、分岐光ビームA1,A
2のうち、一方の分岐光ビームA1の光路長をこのアク
チュエータ36により微小変化させることによって、二
つの分岐光A1,A2の干渉による干渉縞を走査するこ
とを可能としている。
【0013】二つの分岐光ビームA1,A2は、それぞ
れミラー2f,2eにより光路偏向されて、コリメート
レンズ系5,6に入射される。コリメートレンズ系5
は、入射マイクロレンズ51とピンポールからなる空間
フィルタ52及びコリメートレンズ53を有し、マイク
ロレンズ51でビーム径を拡大した後、コリメートレン
ズ53でコリメートされた光ビームA3を得る。コリメ
ートレンズ系6も同様に、入射マイクロレンズ61とピ
ンポールからなる空間フィルタ62及びコリメートレン
ズ63を有し、マイクロレンズ561でビーム径を拡大
した後、コリメートレンズ63でコリメートされた光ビ
ームA4を得る。
【0014】これらのコリメートレンズ系5,6は、そ
の光軸が2θの角度で交差するように配置され、二つの
分岐光ビームA1,A2から得られる拡大されたコリメ
ート光ビームA3,A4を2θの角度で交差させる。こ
れにより、ワーク9の上部で二つの光ビームA3,A4
の干渉による干渉縞が生成され、これがワーク9に露光
光として照射されることになる。なお、分岐光学系4及
び二つのコリメートレンズ系5,6の部分は、一点鎖線
で示したように安定化チャンバ7に収容されて、分岐後
の光路の安定化、露光光の安定化が図られる。
【0015】コリメータレンズ系6側の光路偏向用ミラ
ー2eは、PZTを用いたアクチュエータ64に取り付
けられている。このアクチュエータ64は、干渉縞周期
補正用である。即ちこのアクチュエータ64により、コ
リメータレンズ系6に入射する光ビームの角度を微小角
度変化させ、これにより、二つの光ビームA3,A4の
交差角2θを微小角度δθだけ変化させて、干渉縞周期
を変化させることを可能としている。
【0016】ワーク9は、ステージ10に搭載されてい
る。ワーク9の上部には露光用シャッタ8が設けられて
いる。ステージ10は図では省略したレールに沿って、
ステージ駆動回路14により図の矢印x方向にステップ
的に駆動されるようになっている。
【0017】露光照射位置の近傍には、干渉縞の位相、
周期及び強度を検出するための干渉縞検出器12が配置
されている。具体的には、干渉縞検出器12は、ワーク
9の上部に浮いた状態で固定されている。干渉縞検出器
12で検出された干渉縞位相データ等はコントローラ1
6に送られる。また、ワーク9の位置を測定する測長器
13が設けられ、その測定データもコントローラ16に
送られる。そしてコントローラ16は、干渉縞検出器1
2の検出データ及び、測長器13により測定されるワー
ク静止後の位置データに基づいて、アクチュエータ46
を制御することにより、2分岐光ビームの光路長差を制
御する。即ち、x方向のステージ10のステップ移動に
伴う各露光における干渉縞の走査と安定化制御を行っ
て、干渉縞露光のつなぎ合わせを行う。
【0018】ステージ10にはまた、PZTからなる角
度補正用アクチュエータ11が設けられ、またワーク9
の真直度(ピッチング角度)を検出する角度測定器15
が設けられている。コントローラ16は、角度測定器1
5の出力を監視して、ステップ&リピートによる各露光
に先立って、ワーク9が一定の姿勢を保持するようにア
クチュエータ11を制御する。
【0019】更にコントローラ16は、干渉縞検出器1
2の出力を監視して、干渉縞周期の変動に対して、アク
チュエータ64を制御して露光角の調整による干渉縞周
期の調整を行う。またコントローラ16は、露光干渉縞
の重ね合わせ(干渉縞走査)とは独立に、均一露光分布
のためのステージ10のステップ駆動の制御を行う。具
体的には、照射露光分布(設計値又は測定値)に対し
て、積算露光強度分布が一定になるような移動量でステ
ージ10をステップ駆動することになる。
【0020】図2は、二つのコヒーレントなコリメート
光A3,A4の交差により干渉縞が形成される様子を示
している。レーザ光源1の波長をλ、光波A3,A4の
交差角を上述のように2θとし、屈折率をnとすると、
干渉縞周期Pは、P=λ/(2nsinθ)で表され
る。得られる干渉光強度はガウシアン分布を有する。こ
の様な干渉光を、重ね合わせ干渉縞位相と、ステップ露
光時間を制御しながら、重ね合わせ後の露光エネルギー
分布が一定になるようにステージを移動することによ
り、スケールの長尺露光が可能になる。
【0021】具体的な露光工程では、ステージ10のス
テップ駆動と共に、露光シャッター8の開閉制御が行わ
れる。即ち、コントローラ16は、干渉縞検出器12に
より検出される干渉縞が安定状態にあることを確認し
て、露光シャッター8を開いて、露光エネルギーがある
値になるまで露光をする。そして、露光シャツター8を
閉じてステップ露光を終了し、ステージ10を一定距離
送る。以下、同様の動作の繰り返しとなる。
【0022】図3は、そのようなつなぎ露光による干渉
光強度(エネルギー)分布を示している。即ち、ガウシ
アン分布を有する干渉露光光a1,a2,a3,…を一
定の送り移動量で送りながら多重露光することにより、
トータルの露光光強度bは、ある範囲Lで均一になる。
この範囲Lが、スケール等の周期構造デバイスの有効長
に達するように繰り返し露光を行うことによって、長尺
の周期構造の露光が可能になる。
【0023】以上のようにこの実施例によると、ガウシ
アン分布を有する干渉露光光を重ね合わせて露光するこ
とにより、長尺の周期構造デバイスに対し均一な露光強
度で露光することが可能になる。しかも単位露光領域は
小さいから、光学系を小さいものとすることができ、露
光装置を小型で低コスト且つ安定性の高いものとするこ
とができる。また、単位露光光の重ね合わせを利用する
ので、レーザ光源が小さいものでもトータルとして大き
な露光強度が得られるから、露光時間の短縮が図られ、
また光源の選択性が高いものとなる。更に、干渉縞のつ
なぎ露光に際して、光路長を制御して干渉縞走査による
露光の安定化制御を行い、露光角の安定化制御を行うこ
とで、高性能の周期構造デバイスを作ることが可能にな
る。
【0024】この発明は上記実施例に限られない。例え
ば、露光角制御、或いは真直度制御等は、本質的ではな
く、光学系やワークの駆動機構が安定に作られていれ
ば、必要がない。また実施例では干渉露光を説明した
が、この発明はこれにも限定されない。即ち干渉露光に
限らず、単位の露光光がガウシアン分布を持つ場合にこ
れをつなぎ合わせて均一な多重露光を行うことは、例え
ば通常の縮小投影露光装置にも適用することが可能であ
る。
【0025】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、光
強度がガウシアン分布を持つ露光光ビームの径を大きく
することなく、その様な露光光ビームをオーバラップさ
せながら多重露光することにより、広い範囲にわたって
均一露光を行うことが可能になる。露光光ビーム径をそ
れほど大きくする必要がないから、露光光学系の構成は
簡単で且つ安定性の高いものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施例による露光装置の構成を示
す図である。
【図2】 同実施例による干渉縞露光の原理を示す図で
ある。
【図3】 同実施例による長尺露光の露光強度分布を示
す図である。
【符号の説明】
1…レーザ光源、2a〜2f…光路偏向ミラー、4…分
岐光学系、5,6…コリメートレンズ系、7…安定化チ
ャンバ、8…シャッタ、9…ワーク、10…ステージ、
11…アクチュエータ、12…干渉縞検出器、13…測
長器、14…ステージ駆動回路、15…角度測定器、1
6…コントローラ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/30 528

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 露光すべきワークを搭載するステージ
    と、 前記ワークに対して光強度分布がガウシアン分布を持つ
    光ビームを照射する露光用光源と、 前記ワークのある範囲を均一露光するために前記ステー
    ジをステップ的に駆動して、前記露光用光源からの光ビ
    ームによる複数回の露光をオーバラップさせるステージ
    駆動装置と、を備えたことを特徴とする露光装置。
  2. 【請求項2】 前記露光用光源は、コヒーレント光源
    と、このコヒーレント光源の出力光ビームを2分岐する
    分岐光学系と、この分岐光学系により2分岐された出力
    光ビームをそれぞれのビーム径を拡大してコリメートす
    ると共に所定角度で交差させることにより、前記ワーク
    上に周期パターンを露光する干渉縞を発生させる二つの
    コリメートレンズ系とを有し、 前記ステージ駆動装置は、前記ワークのある範囲で露光
    強度分布が一定になるように前記ステージをステップ的
    に駆動して、複数回の露光をオーバラップさせるもので
    あり、且つ前記複数回の露光における干渉縞をつなぎ合
    わせるべく各露光内の干渉縞を走査制御する干渉縞走査
    制御手段を有することを特徴とする請求項1記載の露光
    装置。
  3. 【請求項3】 前記干渉縞走査制御手段は、 前記分岐光学系により2分岐される出力光ビームの光路
    長差を可変して露光干渉縞を走査するための光路長差可
    変用アクチュエータと、 前記ワークに照射される干渉縞の位相、周期及び強度を
    検出する干渉縞検出器と、 前記ステージの移動距離を測定する測長器と、 前記干渉縞検出器及び測長器の出力に基づいて前記光路
    長差可変用アクチュエータを制御して露光干渉縞を走査
    し安定化させるコントローラとを有することを特徴とす
    る請求項2記載の露光装置。
  4. 【請求項4】 前記ステージの角度変動を検出する角度
    検出器と、前記ステージの角度補正を行う角度補正用ア
    クチュエータとを有し、 前記コントローラは、露光制御に先立って前記角度検出
    器の出力に基づいて前記角度補正用アクチュエータを制
    御することを特徴とする請求項3記載の露光装置。
  5. 【請求項5】 前記二つのコリメートレンズ系の一方
    に、出力光ビームの交差角を調整して干渉縞周期を補正
    するための干渉縞周期補正用アクチュエータが設けられ
    ていることを特徴とする請求項2記載の露光装置。
  6. 【請求項6】 前記分岐光学系及び二つのコリメートレ
    ンズ系は、安定化チャンバに収容されていることを特徴
    とする請求項2記載の露光装置。
JP2000359394A 2000-11-27 2000-11-27 露光装置 Expired - Fee Related JP4514317B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000359394A JP4514317B2 (ja) 2000-11-27 2000-11-27 露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000359394A JP4514317B2 (ja) 2000-11-27 2000-11-27 露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002162750A true JP2002162750A (ja) 2002-06-07
JP4514317B2 JP4514317B2 (ja) 2010-07-28

Family

ID=18831162

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000359394A Expired - Fee Related JP4514317B2 (ja) 2000-11-27 2000-11-27 露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4514317B2 (ja)

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7161684B2 (en) 2000-02-15 2007-01-09 Asml Holding, N.V. Apparatus for optical system coherence testing
US7242464B2 (en) 1999-06-24 2007-07-10 Asml Holdings N.V. Method for characterizing optical systems using holographic reticles
JP2007305987A (ja) * 2006-05-04 2007-11-22 Asml Netherlands Bv 干渉露光及び他の露光を用いるリソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US7440078B2 (en) 2005-12-20 2008-10-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and maskless exposure units
US7443514B2 (en) 2006-10-02 2008-10-28 Asml Holding N.V. Diffractive null corrector employing a spatial light modulator
US7561252B2 (en) 2005-12-29 2009-07-14 Asml Holding N.V. Interferometric lithography system and method used to generate equal path lengths of interfering beams
ES2334546A1 (es) * 2008-09-10 2010-03-11 Centros De Estudios E Investigaciones Tecnicas De Guipuzcoa (Ceitg) "sistemea de orientacion y regulacion del angulo de incidencia de un haz laser, en litografia por interferencia".
ES2334545A1 (es) * 2008-09-10 2010-03-11 Centro De Estudios E Investigaciones Tecnicas De Guipuzcoa (Ceitg) Metodo y dispositivo para cambiar la direccion de un haz de luz.
WO2010029195A1 (es) * 2008-09-10 2010-03-18 Centro De Estudios E Investigaciones Técnicas De Guipuzcoa (Ceitg) Método y dispositivo para cambiar la dirección y regular el ángulo de incidencia de un haz láser en litografía por interferencia
US7751030B2 (en) 2005-02-01 2010-07-06 Asml Holding N.V. Interferometric lithographic projection apparatus
JP2011508443A (ja) * 2007-12-28 2011-03-10 エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. 超高解像度パターニング用スキャンeuv干渉イメージング
WO2013026368A1 (zh) * 2011-08-22 2013-02-28 上海微电子装备有限公司 一种干涉曝光装置及方法
JP2013145863A (ja) * 2011-11-29 2013-07-25 Gigaphoton Inc 2光束干渉装置および2光束干渉露光システム
KR101318941B1 (ko) 2011-12-15 2013-10-16 한국생산기술연구원 레이저 간섭 리소그라피 장치
KR101395294B1 (ko) * 2012-12-07 2014-05-27 한국생산기술연구원 레이저 간섭 리소그래피 장치
US8934084B2 (en) 2006-05-31 2015-01-13 Asml Holding N.V. System and method for printing interference patterns having a pitch in a lithography system
JP2015170780A (ja) * 2014-03-07 2015-09-28 ウシオ電機株式会社 露光方法、微細周期構造体の製造方法、グリッド偏光素子の製造方法及び露光装置
US9298098B2 (en) 2012-02-21 2016-03-29 Samsung Display Co., Ltd. Exposure apparatus and method of configuring exposure apparatus
JP2017062348A (ja) * 2015-09-24 2017-03-30 ウシオ電機株式会社 光照射方法、基板上構造体の製造方法および基板上構造体
WO2017051443A1 (ja) * 2015-09-24 2017-03-30 ウシオ電機株式会社 露光方法、微細周期構造体の製造方法、グリッド偏光素子の製造方法及び露光装置
KR101750209B1 (ko) 2016-04-12 2017-06-22 한양대학교 산학협력단 간섭 리소그래피 장치

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020060690A (ja) 2018-10-10 2020-04-16 ウシオ電機株式会社 光照射方法、機能素子の製造方法および光照射装置

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5437472A (en) * 1977-08-29 1979-03-19 Hitachi Ltd Manufacture of semiconductor
JPS60158449A (ja) * 1984-01-30 1985-08-19 Canon Inc 露光装置
JPS61156003A (ja) * 1984-12-27 1986-07-15 Sharp Corp 回折格子の製造方法
JPS61294480A (ja) * 1985-06-21 1986-12-25 Ricoh Co Ltd ホログラム格子記録方法
JPH02196202A (ja) * 1989-01-25 1990-08-02 Anritsu Corp 位相シフト型回折格子の形成方法
JPH03135568A (ja) * 1989-06-22 1991-06-10 Digital Equip Corp <Dec> 電子成分等を製造するためにレーザ走査を使用するリトグラフィ技術
JPH06333801A (ja) * 1993-05-24 1994-12-02 Sony Corp 露光装置
JPH0713476A (ja) * 1993-06-24 1995-01-17 Fujitsu Ltd ホログラム作成方法
JPH0729811A (ja) * 1993-07-15 1995-01-31 Canon Inc 走査型露光装置
JPH07159609A (ja) * 1993-12-09 1995-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回折格子及び干渉露光装置
JPH09153446A (ja) * 1995-11-30 1997-06-10 Sharp Corp 干渉露光装置およびそれを用いた干渉露光方法
JPH1126344A (ja) * 1997-06-30 1999-01-29 Hitachi Ltd パターン形成方法及び装置並びに半導体装置の製造方法
JP2000507003A (ja) * 1996-12-18 2000-06-06 イーテック システムズ,インコーポレーテッド 短波長パルスレーザ走査装置

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5437472A (en) * 1977-08-29 1979-03-19 Hitachi Ltd Manufacture of semiconductor
JPS60158449A (ja) * 1984-01-30 1985-08-19 Canon Inc 露光装置
JPS61156003A (ja) * 1984-12-27 1986-07-15 Sharp Corp 回折格子の製造方法
JPS61294480A (ja) * 1985-06-21 1986-12-25 Ricoh Co Ltd ホログラム格子記録方法
JPH02196202A (ja) * 1989-01-25 1990-08-02 Anritsu Corp 位相シフト型回折格子の形成方法
JPH03135568A (ja) * 1989-06-22 1991-06-10 Digital Equip Corp <Dec> 電子成分等を製造するためにレーザ走査を使用するリトグラフィ技術
JPH06333801A (ja) * 1993-05-24 1994-12-02 Sony Corp 露光装置
JPH0713476A (ja) * 1993-06-24 1995-01-17 Fujitsu Ltd ホログラム作成方法
JPH0729811A (ja) * 1993-07-15 1995-01-31 Canon Inc 走査型露光装置
JPH07159609A (ja) * 1993-12-09 1995-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回折格子及び干渉露光装置
JPH09153446A (ja) * 1995-11-30 1997-06-10 Sharp Corp 干渉露光装置およびそれを用いた干渉露光方法
JP2000507003A (ja) * 1996-12-18 2000-06-06 イーテック システムズ,インコーポレーテッド 短波長パルスレーザ走査装置
JPH1126344A (ja) * 1997-06-30 1999-01-29 Hitachi Ltd パターン形成方法及び装置並びに半導体装置の製造方法

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7242464B2 (en) 1999-06-24 2007-07-10 Asml Holdings N.V. Method for characterizing optical systems using holographic reticles
US7804601B2 (en) 1999-06-24 2010-09-28 Asml Holding N.V. Methods for making holographic reticles for characterizing optical systems
US7161684B2 (en) 2000-02-15 2007-01-09 Asml Holding, N.V. Apparatus for optical system coherence testing
US7751030B2 (en) 2005-02-01 2010-07-06 Asml Holding N.V. Interferometric lithographic projection apparatus
US7440078B2 (en) 2005-12-20 2008-10-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and maskless exposure units
US7561252B2 (en) 2005-12-29 2009-07-14 Asml Holding N.V. Interferometric lithography system and method used to generate equal path lengths of interfering beams
JP2007305987A (ja) * 2006-05-04 2007-11-22 Asml Netherlands Bv 干渉露光及び他の露光を用いるリソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US8264667B2 (en) 2006-05-04 2012-09-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and other exposure
US8934084B2 (en) 2006-05-31 2015-01-13 Asml Holding N.V. System and method for printing interference patterns having a pitch in a lithography system
US7443514B2 (en) 2006-10-02 2008-10-28 Asml Holding N.V. Diffractive null corrector employing a spatial light modulator
JP2011508443A (ja) * 2007-12-28 2011-03-10 エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. 超高解像度パターニング用スキャンeuv干渉イメージング
ES2334546A1 (es) * 2008-09-10 2010-03-11 Centros De Estudios E Investigaciones Tecnicas De Guipuzcoa (Ceitg) "sistemea de orientacion y regulacion del angulo de incidencia de un haz laser, en litografia por interferencia".
WO2010029195A1 (es) * 2008-09-10 2010-03-18 Centro De Estudios E Investigaciones Técnicas De Guipuzcoa (Ceitg) Método y dispositivo para cambiar la dirección y regular el ángulo de incidencia de un haz láser en litografía por interferencia
ES2334545A1 (es) * 2008-09-10 2010-03-11 Centro De Estudios E Investigaciones Tecnicas De Guipuzcoa (Ceitg) Metodo y dispositivo para cambiar la direccion de un haz de luz.
US9195146B2 (en) 2011-08-22 2015-11-24 Shanghai Micro Electronics Equipment Co., Ltd. Interference exposure device and method
WO2013026368A1 (zh) * 2011-08-22 2013-02-28 上海微电子装备有限公司 一种干涉曝光装置及方法
JP2013145863A (ja) * 2011-11-29 2013-07-25 Gigaphoton Inc 2光束干渉装置および2光束干渉露光システム
US9507248B2 (en) 2011-11-29 2016-11-29 Gigaphoton Inc. Two-beam interference apparatus and two-beam interference exposure system
KR101318941B1 (ko) 2011-12-15 2013-10-16 한국생산기술연구원 레이저 간섭 리소그라피 장치
US9298098B2 (en) 2012-02-21 2016-03-29 Samsung Display Co., Ltd. Exposure apparatus and method of configuring exposure apparatus
KR101395294B1 (ko) * 2012-12-07 2014-05-27 한국생산기술연구원 레이저 간섭 리소그래피 장치
JP2015170780A (ja) * 2014-03-07 2015-09-28 ウシオ電機株式会社 露光方法、微細周期構造体の製造方法、グリッド偏光素子の製造方法及び露光装置
JP2017062348A (ja) * 2015-09-24 2017-03-30 ウシオ電機株式会社 光照射方法、基板上構造体の製造方法および基板上構造体
WO2017051443A1 (ja) * 2015-09-24 2017-03-30 ウシオ電機株式会社 露光方法、微細周期構造体の製造方法、グリッド偏光素子の製造方法及び露光装置
KR101750209B1 (ko) 2016-04-12 2017-06-22 한양대학교 산학협력단 간섭 리소그래피 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP4514317B2 (ja) 2010-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4514317B2 (ja) 露光装置
KR101328356B1 (ko) 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
TWI497231B (zh) 以超越繞射極限光子直接寫入之裝置及方法
US20150338718A1 (en) Acousto-optic deflector with multiple transducers for optical beam steering
JP4887395B2 (ja) リソグラフィ装置及びリソグラフィ方法
KR102046286B1 (ko) 조명 광학 장치, 조명 방법, 및 노광 방법 및 장치
US10707130B2 (en) Systems and methods for dicing samples using a bessel beam matrix
JPS60143632A (ja) アライメント装置
KR20080088621A (ko) 동일한 경로 길이의 간섭 빔들을 생성하는데 사용되는간섭계 리소그래피 시스템 및 방법
JP4368357B2 (ja) 多照明源露光装置
EP1662552A1 (en) Pattern plotting device and pattern plotting method
US20060215138A1 (en) Laser beam pattern generator with a two-axis scan mirror
CN113396028A (zh) 用于激光射束成形的装置和方法
JP6221849B2 (ja) 露光方法、微細周期構造体の製造方法、グリッド偏光素子の製造方法及び露光装置
US10101652B2 (en) Exposure method, method of fabricating periodic microstructure, method of fabricating grid polarizing element and exposure apparatus
JP2002198301A (ja) 露光装置
CN210720960U (zh) 基于正交圆偏振光干涉的图案化液晶光取向装置
JP2024502314A (ja) リズレープリズムビームステアリングを利用する付加製造システムおよび関連する方法
CN210690999U (zh) 具有相位补偿功能的图案化液晶光取向装置
JPH0572959A (ja) ホログラム描画装置
KR101318941B1 (ko) 레이저 간섭 리소그라피 장치
CN112817183A (zh) 基于正交圆偏振光干涉的图案化液晶光取向装置及方法
CN113406824B (zh) 偏振周期角度连续可调的图案化液晶光取向装置及方法
CN211478821U (zh) 应用于dmd图案化液晶光取向装置的照明系统
KR101043123B1 (ko) 광학장치

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20001215

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071012

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100126

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100329

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100511

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100511

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4514317

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160521

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees