JPH09153446A - 干渉露光装置およびそれを用いた干渉露光方法 - Google Patents
干渉露光装置およびそれを用いた干渉露光方法Info
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- JPH09153446A JPH09153446A JP7312914A JP31291495A JPH09153446A JP H09153446 A JPH09153446 A JP H09153446A JP 7312914 A JP7312914 A JP 7312914A JP 31291495 A JP31291495 A JP 31291495A JP H09153446 A JPH09153446 A JP H09153446A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハに接したプリズムを通して干渉露光を
行う際、均一な回折格子を高コントラストで露光する。 【解決手段】 プリズムの第１面と、前記プリズムの第
２、第３面とのなす角φ、φ’は、下記式（１）を満た
している。 【数８】
行う際、均一な回折格子を高コントラストで露光する。 【解決手段】 プリズムの第１面と、前記プリズムの第
２、第３面とのなす角φ、φ’は、下記式（１）を満た
している。 【数８】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、干渉露光装置およ
びそれを用いた干渉露光方法に関する。
びそれを用いた干渉露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＡｌＧａＡｓ系の分布帰還型半導体レー
ザ（以下、「ＤＦＢ−ＬＤ」）をはじめとする短波長の
ＤＦＢ−ＬＤには、一次の回折格子としてピッチΛが１
２０ｎｍ以下となる回折格子が要求される。このような
ピッチの小さな回折格子を形成する方法として、図８に
示されているプリズムを介した干渉露光法がある。（な
お、通常「プリズム」とは「塊状の硝子や石英等の透明
物質でできた三角柱形状の光学部品」のことを示すこと
が多いが、本明細書中では、三角柱形状に限定せず、
「塊状の硝子や石英等の透明物質でできた種々な形の面
をもつ光学部品」のことを「プリズム」と表現する。）
すなわち、まず、図８（ａ）に示されるように、ホトレ
ジスト８０１が塗布された基板８０２を、キシレンなど
のホトレジストを侵さない高屈折率の液体８０３を介し
てプリズム８０４と平行に設置する。基板８０２とプリ
ズム８０４との間隔は出来るだけ狭くする。プリズム８
０４（屈折率ｎCとする）の２面８０５，８０６を通し
て２方向から単一波長λを有するレーザ光線８０７，８
０８を、面８０９の法線に対してθCの角度でそれぞれ
照射すると、レーザ光線８０７，８０８が干渉し干渉縞
を生じる。この干渉縞の明暗に応じて感光されたホトレ
ジスト８０１を現像することにより図８（ｂ）に示され
るようにホトレジスト８０１が基板８０２上に所定のピ
ッチΛ（例えば約１２０ｎｍ）の縞状に残ることにな
る。図８（ｃ）に示されているように縞状に残されたホ
トレジストをマスクとして基板８０２をエッチングし、
ピッチΛの溝を有する回折格子８１０を基板８０２の表
面に転写することが出来る。図８（ｂ），（ｃ）では図
面を分かりやすくする為に基板８０２の上に８本の縞状
のレジスト８０１，溝８１０しか描かれていないが、実
際には例えば１〜３インチ径程度のＧａＡｓ基板８０２
の上に１２０ｎｍ程度の間隔で非常に多数の縞が露光，
転写されることになる。この方法により作製される回折
格子のピッチΛは、下記式（２）で決定される。
ザ（以下、「ＤＦＢ−ＬＤ」）をはじめとする短波長の
ＤＦＢ−ＬＤには、一次の回折格子としてピッチΛが１
２０ｎｍ以下となる回折格子が要求される。このような
ピッチの小さな回折格子を形成する方法として、図８に
示されているプリズムを介した干渉露光法がある。（な
お、通常「プリズム」とは「塊状の硝子や石英等の透明
物質でできた三角柱形状の光学部品」のことを示すこと
が多いが、本明細書中では、三角柱形状に限定せず、
「塊状の硝子や石英等の透明物質でできた種々な形の面
をもつ光学部品」のことを「プリズム」と表現する。）
すなわち、まず、図８（ａ）に示されるように、ホトレ
ジスト８０１が塗布された基板８０２を、キシレンなど
のホトレジストを侵さない高屈折率の液体８０３を介し
てプリズム８０４と平行に設置する。基板８０２とプリ
ズム８０４との間隔は出来るだけ狭くする。プリズム８
０４（屈折率ｎCとする）の２面８０５，８０６を通し
て２方向から単一波長λを有するレーザ光線８０７，８
０８を、面８０９の法線に対してθCの角度でそれぞれ
照射すると、レーザ光線８０７，８０８が干渉し干渉縞
を生じる。この干渉縞の明暗に応じて感光されたホトレ
ジスト８０１を現像することにより図８（ｂ）に示され
るようにホトレジスト８０１が基板８０２上に所定のピ
ッチΛ（例えば約１２０ｎｍ）の縞状に残ることにな
る。図８（ｃ）に示されているように縞状に残されたホ
トレジストをマスクとして基板８０２をエッチングし、
ピッチΛの溝を有する回折格子８１０を基板８０２の表
面に転写することが出来る。図８（ｂ），（ｃ）では図
面を分かりやすくする為に基板８０２の上に８本の縞状
のレジスト８０１，溝８１０しか描かれていないが、実
際には例えば１〜３インチ径程度のＧａＡｓ基板８０２
の上に１２０ｎｍ程度の間隔で非常に多数の縞が露光，
転写されることになる。この方法により作製される回折
格子のピッチΛは、下記式（２）で決定される。
【０００３】
【数２】
【０００４】露光に用いられる光源としては、特性が安
定し、可干渉性が高いＨｅ−Ｃｄレーザ（λ＝３２５ｎ
ｍ），Ａｒレーザ（λ＝３５１．１，３６３．８ｎｍ）
等のガスレーザが用いられる。上記式（２）において０
°＜θC＜９０°である為に、例えばλ＝３２５ｎｍの
Ｈｅ−Ｃｄレーザを光源に用いた場合、プリズムの屈折
率をｎC＝１．５とすると上記の方法で作製される回折
格子のピッチΛとして最小１０８ｎｍまでの回折格子が
作製できる。プリズム８０４を用いずに空気中で干渉露
光を行う方法の場合（上記式（２）においてｎC＝１．
０に相当）に作製できる最小ピッチは上記式（２）から
１６３ｎｍとなり、よりピッチの小さな回折格子を作製
することが出来る点でプリズムを用いた上述の方法は優
れた方法である。特に、ＡｌＧａＡｓ等を材料系とする
短波長のＤＦＢ−ＬＤに対する一次の回折格子ではピッ
チΛが１２０ｎｍ前後の小さなものである為、プリズム
を用いた干渉露光法が必須の技術となる。
定し、可干渉性が高いＨｅ−Ｃｄレーザ（λ＝３２５ｎ
ｍ），Ａｒレーザ（λ＝３５１．１，３６３．８ｎｍ）
等のガスレーザが用いられる。上記式（２）において０
°＜θC＜９０°である為に、例えばλ＝３２５ｎｍの
Ｈｅ−Ｃｄレーザを光源に用いた場合、プリズムの屈折
率をｎC＝１．５とすると上記の方法で作製される回折
格子のピッチΛとして最小１０８ｎｍまでの回折格子が
作製できる。プリズム８０４を用いずに空気中で干渉露
光を行う方法の場合（上記式（２）においてｎC＝１．
０に相当）に作製できる最小ピッチは上記式（２）から
１６３ｎｍとなり、よりピッチの小さな回折格子を作製
することが出来る点でプリズムを用いた上述の方法は優
れた方法である。特に、ＡｌＧａＡｓ等を材料系とする
短波長のＤＦＢ−ＬＤに対する一次の回折格子ではピッ
チΛが１２０ｎｍ前後の小さなものである為、プリズム
を用いた干渉露光法が必須の技術となる。
【０００５】なお、図８においては下記の文献１に基づ
いて直方体形状のプリズムに関して図示したが、下記の
文献２においては、三角柱形状のプリズムが用いられて
いる。
いて直方体形状のプリズムに関して図示したが、下記の
文献２においては、三角柱形状のプリズムが用いられて
いる。
【０００６】 文献１ ： ＯＰＴＩＣＳ ＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴＩＯＮＳ 第９巻，１９７３年，３５ページ 文献２ ： Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ 第２３巻，１９７３年，５４ページ
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前述の技術を用いた方
法は、可干渉性の高いガスレーザが光学的に作り出す干
渉パターンをそのまま転写するものであり、ピッチが非
常に均一に揃った回折格子を作製することが出来る点で
有効な方法である。しかしながら、従来の直方体形状や
三角柱形状のプリズムを用いて回折格子を作製した場
合、露光される回折格子の露光状態にモアレ状のムラが
生じたり、感光性膜に露光される回折格子パターンのコ
ントラストが悪いという問題があった。本発明の課題は
従来のプリズムを用いて露光した場合に生じる、露光状
態のムラによる回折格子の品質の低下が生じることのな
い干渉露光方法及び干渉露光装置を提供することにあ
る。
法は、可干渉性の高いガスレーザが光学的に作り出す干
渉パターンをそのまま転写するものであり、ピッチが非
常に均一に揃った回折格子を作製することが出来る点で
有効な方法である。しかしながら、従来の直方体形状や
三角柱形状のプリズムを用いて回折格子を作製した場
合、露光される回折格子の露光状態にモアレ状のムラが
生じたり、感光性膜に露光される回折格子パターンのコ
ントラストが悪いという問題があった。本発明の課題は
従来のプリズムを用いて露光した場合に生じる、露光状
態のムラによる回折格子の品質の低下が生じることのな
い干渉露光方法及び干渉露光装置を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る請求項１に
記載の干渉露光装置は、感光性膜が被着された基板と、
前記感光性膜に接する第１面と、該第１面に隣接し、互
いに対向した第２、第３面とを少なくとも有するプリズ
ムと、を備え、前記プリズムの第２面及び第３面に同一
波長を有する光線をそれぞれ照射して、前記プリズムの
第１面に前記光線による干渉縞を形成し、該干渉縞のパ
ターンを前記感光性膜に転写する干渉露光装置におい
て、少なくとも前記プリズムの第２、及び第３面には、
それぞれ反射防止膜が形成されてなることを特徴とする
ものである。
記載の干渉露光装置は、感光性膜が被着された基板と、
前記感光性膜に接する第１面と、該第１面に隣接し、互
いに対向した第２、第３面とを少なくとも有するプリズ
ムと、を備え、前記プリズムの第２面及び第３面に同一
波長を有する光線をそれぞれ照射して、前記プリズムの
第１面に前記光線による干渉縞を形成し、該干渉縞のパ
ターンを前記感光性膜に転写する干渉露光装置におい
て、少なくとも前記プリズムの第２、及び第３面には、
それぞれ反射防止膜が形成されてなることを特徴とする
ものである。
【０００９】本発明に係る請求項２に記載の干渉露光装
置は、感光性膜が被着された基板と、前記感光性膜に接
する第１面と、該第１面に隣接し、互いに対向した第
２、第３面とを少なくとも有するプリズムと、を備え、
前記プリズムの第２面及び第３面に同一波長を有する光
線をそれぞれ照射して、前記プリズムの第１面に前記光
線による干渉縞を形成し、該干渉縞のパターンを前記感
光性膜に転写する干渉露光装置において、前記プリズム
の第２面及び第３面に近接又は接して、前記プリズムの
第１面から離れた位置に遮光手段を配置して、プリズム
の第２、第３面に入射する光線を制限してなることを特
徴とするものである。
置は、感光性膜が被着された基板と、前記感光性膜に接
する第１面と、該第１面に隣接し、互いに対向した第
２、第３面とを少なくとも有するプリズムと、を備え、
前記プリズムの第２面及び第３面に同一波長を有する光
線をそれぞれ照射して、前記プリズムの第１面に前記光
線による干渉縞を形成し、該干渉縞のパターンを前記感
光性膜に転写する干渉露光装置において、前記プリズム
の第２面及び第３面に近接又は接して、前記プリズムの
第１面から離れた位置に遮光手段を配置して、プリズム
の第２、第３面に入射する光線を制限してなることを特
徴とするものである。
【００１０】本発明に係る請求項３に記載の干渉露光装
置は、感光性膜が被着された基板と、前記感光性膜に接
する第１面と、該第１面に隣接し、互いに対向した第
２、第３面とを少なくとも有するプリズムと、を備え、
前記プリズムの第２面及び第３面に同一波長を有する光
線をそれぞれ照射して、前記プリズムの第１面に前記光
線による干渉縞を形成し、該干渉縞のパターンを前記感
光性膜に転写する干渉露光装置において、前記プリズム
の第２面に入射した後、前記プリズムの第３面内壁に照
射されて反射する反射光と、前記プリズムの第３面に入
射した後、前記プリズムの第２面内壁に照射されて反射
する反射光とはいずれも、それら反射光の向きが前記プ
リズムの第１面から離れる方向にすすんでなることを特
徴とするものである。
置は、感光性膜が被着された基板と、前記感光性膜に接
する第１面と、該第１面に隣接し、互いに対向した第
２、第３面とを少なくとも有するプリズムと、を備え、
前記プリズムの第２面及び第３面に同一波長を有する光
線をそれぞれ照射して、前記プリズムの第１面に前記光
線による干渉縞を形成し、該干渉縞のパターンを前記感
光性膜に転写する干渉露光装置において、前記プリズム
の第２面に入射した後、前記プリズムの第３面内壁に照
射されて反射する反射光と、前記プリズムの第３面に入
射した後、前記プリズムの第２面内壁に照射されて反射
する反射光とはいずれも、それら反射光の向きが前記プ
リズムの第１面から離れる方向にすすんでなることを特
徴とするものである。
【００１１】本発明に係る請求項４に記載の干渉露光装
置は、請求項２に記載の装置のうち、 少なくとも前記
プリズムの第２、及び第３面には、それぞれ反射防止膜
が形成されてなることを特徴とするものである。
置は、請求項２に記載の装置のうち、 少なくとも前記
プリズムの第２、及び第３面には、それぞれ反射防止膜
が形成されてなることを特徴とするものである。
【００１２】本発明に係る請求項５に記載の干渉露光装
置は、請求項３に記載の装置のうち、前記プリズムの第
１、第２、及び第３面に、それぞれ反射防止膜が形成さ
れてなることを特徴とするものである。
置は、請求項３に記載の装置のうち、前記プリズムの第
１、第２、及び第３面に、それぞれ反射防止膜が形成さ
れてなることを特徴とするものである。
【００１３】本発明に係る請求項６に記載の干渉露光装
置は、請求項３または５に記載の装置のうち、感光性膜
が被着された基板と、前記感光性膜に接する第１面と、
該第１面に隣接し、互いに対向した第２、第３面とを少
なくとも有するプリズムと、を備え、前記プリズムの第
２面及び第３面に同一波長を有する光線をそれぞれ照射
して、前記プリズムの第１面に前記光線による干渉縞を
形成し、該干渉縞のパターンを前記感光性膜に転写する
干渉露光装置において、前記プリズムの第１面と、前記
プリズムの第２、第３面とのなす角φ、φ’が、下記式
（１）を満たしていることを特徴とするものである。
置は、請求項３または５に記載の装置のうち、感光性膜
が被着された基板と、前記感光性膜に接する第１面と、
該第１面に隣接し、互いに対向した第２、第３面とを少
なくとも有するプリズムと、を備え、前記プリズムの第
２面及び第３面に同一波長を有する光線をそれぞれ照射
して、前記プリズムの第１面に前記光線による干渉縞を
形成し、該干渉縞のパターンを前記感光性膜に転写する
干渉露光装置において、前記プリズムの第１面と、前記
プリズムの第２、第３面とのなす角φ、φ’が、下記式
（１）を満たしていることを特徴とするものである。
【００１４】
【数３】
【００１５】本発明に係る請求項７に記載の干渉露光装
置は、請求項６に記載の装置のうち、 前記プリズムの
第１面と第２面とのなす角φと、前記プリズムの第１面
と第３面とのなす角φ’とが等しいことを特徴とするも
のである。
置は、請求項６に記載の装置のうち、 前記プリズムの
第１面と第２面とのなす角φと、前記プリズムの第１面
と第３面とのなす角φ’とが等しいことを特徴とするも
のである。
【００１６】本発明に係る請求項８に記載の干渉露光装
置は、請求項１〜７のいずれかに記載の装置のうち、前
記プリズムの第１、第２、及び第３面を除く全ての面
が、光の入反射に寄与しない粗面であることを特徴とす
るものである。
置は、請求項１〜７のいずれかに記載の装置のうち、前
記プリズムの第１、第２、及び第３面を除く全ての面
が、光の入反射に寄与しない粗面であることを特徴とす
るものである。
【００１７】本発明に係る請求項９に記載の干渉露光方
法は、請求項１〜８のいずれかに記載の装置を用いて干
渉露光してなることを特徴とするものである。
法は、請求項１〜８のいずれかに記載の装置を用いて干
渉露光してなることを特徴とするものである。
【００１８】ここで、プリズムの第１面に隣接し、互い
に対向した第２、第３面とは、例えば縁取りを目的とし
て形成される等、干渉露光に何ら影響を及ぼさない面は
含まない。
に対向した第２、第３面とは、例えば縁取りを目的とし
て形成される等、干渉露光に何ら影響を及ぼさない面は
含まない。
【００１９】また、反射防止膜は、少なくともプリズム
の第２、及び第３面に形成されると記載したが、その他
に感光性膜に接する第１面に形成してもよい。
の第２、及び第３面に形成されると記載したが、その他
に感光性膜に接する第１面に形成してもよい。
【００２０】図９は、従来の直方体プリズム（φ＝φ’
＝９０°）を用いた場合の、プリズム内部での光の軌跡
を示す上面図である。なお、図９においては面９０５か
ら入射される一方の平行光線しか図示されていないが、
実際の干渉露光では面９０４からも左右対称に同一波長
の平行光線を入射させて２つの光線を干渉させる。露光
に用いる平行光線はガスレーザから発せられる幅の細い
光線をレンズを用いて幅の広い平行光線に変換すること
によって得るが、基板９０２に均一な光強度分布で露光
が出来るように平行光線の幅は基板９０２の大きさより
も十分に広く（例えば基板が２０ｍｍφであれば平行光
線は５０ｍｍφ程度）する必要がある。
＝９０°）を用いた場合の、プリズム内部での光の軌跡
を示す上面図である。なお、図９においては面９０５か
ら入射される一方の平行光線しか図示されていないが、
実際の干渉露光では面９０４からも左右対称に同一波長
の平行光線を入射させて２つの光線を干渉させる。露光
に用いる平行光線はガスレーザから発せられる幅の細い
光線をレンズを用いて幅の広い平行光線に変換すること
によって得るが、基板９０２に均一な光強度分布で露光
が出来るように平行光線の幅は基板９０２の大きさより
も十分に広く（例えば基板が２０ｍｍφであれば平行光
線は５０ｍｍφ程度）する必要がある。
【００２１】この場合、従来のプリズムを用いた露光に
おいては、９１０，９１１で示される直接的に面９０６
に達してレジスト９０１への露光に寄与する光と、９０
８，９０９で示されるプリズムの反対側の入射面９０４
の内側で一度反射されてから間接的に面９０６に達して
レジスト９０１への露光に寄与する光とが存在すること
になる。この一度反射した後に露光に寄与する９０８，
９０９で示される光が、露光状態にムラを生じさせたり
コントラストを悪化させる原因になる。プリズム内部で
の不要な反射光の影響を受けず、高い品質の回折格子を
作製する為には、９０８，９０９で示される余分な光が
露光に寄与しないことが必須となる。なお、従来から用
いられてきた三角柱形状のプリズムでも全く同じ状況が
生じる。
おいては、９１０，９１１で示される直接的に面９０６
に達してレジスト９０１への露光に寄与する光と、９０
８，９０９で示されるプリズムの反対側の入射面９０４
の内側で一度反射されてから間接的に面９０６に達して
レジスト９０１への露光に寄与する光とが存在すること
になる。この一度反射した後に露光に寄与する９０８，
９０９で示される光が、露光状態にムラを生じさせたり
コントラストを悪化させる原因になる。プリズム内部で
の不要な反射光の影響を受けず、高い品質の回折格子を
作製する為には、９０８，９０９で示される余分な光が
露光に寄与しないことが必須となる。なお、従来から用
いられてきた三角柱形状のプリズムでも全く同じ状況が
生じる。
【００２２】上記の問題を回避する方法として、余分な
光９０８，９０９がプリズムの内部に入射した後、面９
０４に届かない様に十分に幅の広い大きなプリズムを用
いる手段が考えられる。例えば基板が２０ｍｍφであれ
ば平行光線は５０ｍｍφ程度となり、プリズムの基板設
置面９０６の幅は一辺２００ｍｍ程度にすれば良い。し
かし、半導体プロセスでは基板の面積は日進月歩で大面
積化が進んでおり、これに対応するには非常に巨大なプ
リズムが要求されることになりかねない。この場合、高
い面精度が要求されるプリズムの加工が難しくなり、コ
ストがかかる等の問題が生じるため、プリズムの大きさ
は出来るだけ小さく、好ましくは基板の大きさに近いこ
とが望ましい。
光９０８，９０９がプリズムの内部に入射した後、面９
０４に届かない様に十分に幅の広い大きなプリズムを用
いる手段が考えられる。例えば基板が２０ｍｍφであれ
ば平行光線は５０ｍｍφ程度となり、プリズムの基板設
置面９０６の幅は一辺２００ｍｍ程度にすれば良い。し
かし、半導体プロセスでは基板の面積は日進月歩で大面
積化が進んでおり、これに対応するには非常に巨大なプ
リズムが要求されることになりかねない。この場合、高
い面精度が要求されるプリズムの加工が難しくなり、コ
ストがかかる等の問題が生じるため、プリズムの大きさ
は出来るだけ小さく、好ましくは基板の大きさに近いこ
とが望ましい。
【００２３】高い品質の回折格子を作製する為の手段と
して、本発明では次の３つの手段を提供する。 （方法１）面９０４（９０５）に反射防止膜を設けるこ
とにより、光９０８，９０９が面９０４の内側で反射さ
れることがなくなり、レジスト９０１への露光に寄与し
ない。 （方法２）面９０５に入射する前に光９０８，９０９を
遮光する。 （方法３）光９０８，９０９が面９０４の内側で反射さ
れた時に、これらが面９０６の方向ではなく、面９０７
の方向（感光性膜９０１から離れる方向）に反射される
ような形状のプリズムにする。
して、本発明では次の３つの手段を提供する。 （方法１）面９０４（９０５）に反射防止膜を設けるこ
とにより、光９０８，９０９が面９０４の内側で反射さ
れることがなくなり、レジスト９０１への露光に寄与し
ない。 （方法２）面９０５に入射する前に光９０８，９０９を
遮光する。 （方法３）光９０８，９０９が面９０４の内側で反射さ
れた時に、これらが面９０６の方向ではなく、面９０７
の方向（感光性膜９０１から離れる方向）に反射される
ような形状のプリズムにする。
【００２４】（方法３）の条件を満たすプリズムの形状
を、簡単な幾何光学的な計算で導出したところ、プリズ
ムの角度φが下記式（３）を満足している必要があるこ
とがわかった。
を、簡単な幾何光学的な計算で導出したところ、プリズ
ムの角度φが下記式（３）を満足している必要があるこ
とがわかった。
【００２５】
【数４】
【００２６】つまり、式（３）の関係を満たすプリズム
は、プリズムの基板設置面９０６が基板９０２と同程度
の大きさであっても露光状態にムラを生じたりコントラ
ストを悪化させる内部反射光の影響が露光状態に現われ
ない形状のプリズムである。
は、プリズムの基板設置面９０６が基板９０２と同程度
の大きさであっても露光状態にムラを生じたりコントラ
ストを悪化させる内部反射光の影響が露光状態に現われ
ない形状のプリズムである。
【００２７】また、光を面９０５へ入射する際にその光
が面９０５で全反射されないことが必要であり、その為
にはプリズムの角度φ’が下記式（４）を満足している
必要があることも簡単な幾何光学的な計算で導かれる。
が面９０５で全反射されないことが必要であり、その為
にはプリズムの角度φ’が下記式（４）を満足している
必要があることも簡単な幾何光学的な計算で導かれる。
【００２８】
【数５】
【００２９】なお、面９０５から入射される光に関して
角度φの条件式（３）と角度φ’の条件式（４）を示し
たが、図９には記述されていない面９０４から入射され
る光に関しても全く等価であることから式（３），
（４）はそれぞれφ’，φについても成り立ち、結局、
式（１）が（方法３）を実現する為のプリズムの形状の
条件となる。
角度φの条件式（３）と角度φ’の条件式（４）を示し
たが、図９には記述されていない面９０４から入射され
る光に関しても全く等価であることから式（３），
（４）はそれぞれφ’，φについても成り立ち、結局、
式（１）が（方法３）を実現する為のプリズムの形状の
条件となる。
【００３０】また、（方法３）において、面９０７の方
向（感光性膜９０１から離れる方向）に反射された余分
な光が、更に多重反射を繰り返して最終的に感光性膜９
０１に達してしまうことが無いように、面９０４，９０
５，９０６以外は、例えばスリガラス等の粗面であるこ
とが望ましい。
向（感光性膜９０１から離れる方向）に反射された余分
な光が、更に多重反射を繰り返して最終的に感光性膜９
０１に達してしまうことが無いように、面９０４，９０
５，９０６以外は、例えばスリガラス等の粗面であるこ
とが望ましい。
【００３１】また、（方法３）において、角度φとφ’
が等しい対称な形状のプリズムを用いると露光に用いる
光学系全体を左右対称に設置することが出来、光学系の
構築が容易になりより望ましい。
が等しい対称な形状のプリズムを用いると露光に用いる
光学系全体を左右対称に設置することが出来、光学系の
構築が容易になりより望ましい。
【００３２】なお、光の利用効率を高める観点から、上
記３つの方法全てにおいて、面９０４，９０５，９０６
に相当する面に反射防止膜を施すことが望ましい。
記３つの方法全てにおいて、面９０４，９０５，９０６
に相当する面に反射防止膜を施すことが望ましい。
【００３３】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を以下に説明
する。
する。
【００３４】＜実施の形態１＞図６は、第１の実施の形
態で用いたプリズムの形状を示す図である。角度φ，
φ’として９０°を有する直方体形状の光学部品（プリ
ズム）である。角度の精度は９０°±５秒以内で作製さ
れている。材質は硼硅酸ガラス（ＢＫ７）から成り、波
長３５１．１ｎｍに対して透明であり、屈折率は１．５
３９である。また、鏡面研磨された面６０１，６０２，
６０３の面精度はλ／２０である。面６０１と６０３及
び６０２と６０３の角度の精度は９０°±５秒以内、面
６０１と６０２の平行度は５秒以内で作製されている。
面６０１，６０２，６０３を除いた面は全てスリガラス
状の粗面になっている。プリズムの大きさは、面６０
１，６０２，６０３は４０ｍｍ×４０ｍｍとなってい
る。
態で用いたプリズムの形状を示す図である。角度φ，
φ’として９０°を有する直方体形状の光学部品（プリ
ズム）である。角度の精度は９０°±５秒以内で作製さ
れている。材質は硼硅酸ガラス（ＢＫ７）から成り、波
長３５１．１ｎｍに対して透明であり、屈折率は１．５
３９である。また、鏡面研磨された面６０１，６０２，
６０３の面精度はλ／２０である。面６０１と６０３及
び６０２と６０３の角度の精度は９０°±５秒以内、面
６０１と６０２の平行度は５秒以内で作製されている。
面６０１，６０２，６０３を除いた面は全てスリガラス
状の粗面になっている。プリズムの大きさは、面６０
１，６０２，６０３は４０ｍｍ×４０ｍｍとなってい
る。
【００３５】図２は後に説明する実施の形態３をの光学
系を示す斜視図であるが、ここでは実施の形態１のプリ
ズムを図２に示す光学系において２０７と置き換えて使
用した。プリズムの面６０３（図２における２１０に相
当）には、厚さ０．１μｍのホトレジストＡｚ１４００
（シプレイ社製）が表面に塗布されたガラス基板が、プ
リズムの面６０３（図２における２１０に相当）に対し
て平行になるようにキシレンを介して設置した。基板の
大きさは、２０ｍｍ×２０ｍｍの角型である。ここに一
定の光量の干渉縞をレジストに照射し、現像液ＭＦ３１
９（シプレイ社製）で処理すると、基板上に均一なピッ
チΛを有する回折格子が形成された。図２における全反
射ミラー２０５，２０６の角度Ｘ，Ｙを共に２８°とし
た時、ピッチ１１５ｎｍの回折格子が露光されていた。
系を示す斜視図であるが、ここでは実施の形態１のプリ
ズムを図２に示す光学系において２０７と置き換えて使
用した。プリズムの面６０３（図２における２１０に相
当）には、厚さ０．１μｍのホトレジストＡｚ１４００
（シプレイ社製）が表面に塗布されたガラス基板が、プ
リズムの面６０３（図２における２１０に相当）に対し
て平行になるようにキシレンを介して設置した。基板の
大きさは、２０ｍｍ×２０ｍｍの角型である。ここに一
定の光量の干渉縞をレジストに照射し、現像液ＭＦ３１
９（シプレイ社製）で処理すると、基板上に均一なピッ
チΛを有する回折格子が形成された。図２における全反
射ミラー２０５，２０６の角度Ｘ，Ｙを共に２８°とし
た時、ピッチ１１５ｎｍの回折格子が露光されていた。
【００３６】本実施の形態においては、角度φ，φ’は
式（１）の範囲に含まれない為、面６０１（６０２）か
ら入射した光は面６０２（６０１）の内側で反射されて
面６０３に達し、露光に寄与することになる。面６０
１，６０２に反射防止膜を施さないプリズムを用いた場
合には図３と同様のレジストマスクの幅が周期的変動す
る露光ムラを有する回折格子が露光された。一方、面６
０１，６０２に反射防止膜を施し、反射率を低く抑えた
場合、露光ムラが小さい高品質の回折格子が作製されて
いた。
式（１）の範囲に含まれない為、面６０１（６０２）か
ら入射した光は面６０２（６０１）の内側で反射されて
面６０３に達し、露光に寄与することになる。面６０
１，６０２に反射防止膜を施さないプリズムを用いた場
合には図３と同様のレジストマスクの幅が周期的変動す
る露光ムラを有する回折格子が露光された。一方、面６
０１，６０２に反射防止膜を施し、反射率を低く抑えた
場合、露光ムラが小さい高品質の回折格子が作製されて
いた。
【００３７】しかしながら、面６０１，６０２に反射防
止膜を施す加工を行っても、完全に面６０１，６０２の
反射率を無くすることは困難であり、数％程度の反射率
が残ってしまう。単にプリズムに反射防止膜を施すこと
によって露光ムラを小さく抑えることは出来たものの、
その品質は後に述べる実施の形態３の様に台形形状を底
辺とする柱状のプリズムを用いて作製したものよりもや
や劣るものであった。
止膜を施す加工を行っても、完全に面６０１，６０２の
反射率を無くすることは困難であり、数％程度の反射率
が残ってしまう。単にプリズムに反射防止膜を施すこと
によって露光ムラを小さく抑えることは出来たものの、
その品質は後に述べる実施の形態３の様に台形形状を底
辺とする柱状のプリズムを用いて作製したものよりもや
や劣るものであった。
【００３８】なお、面６０１，６０２に反射防止膜を施
した場合、ホトレジストを露光するのに必要な光量は約
１５％低減した。面６０３に反射防止膜を施したプリズ
ムを用いた場合には更に３０％も低い光量で露光するこ
とができ、露光の効率を大きく向上させ、スループット
の向上に寄与することが明らかになった。
した場合、ホトレジストを露光するのに必要な光量は約
１５％低減した。面６０３に反射防止膜を施したプリズ
ムを用いた場合には更に３０％も低い光量で露光するこ
とができ、露光の効率を大きく向上させ、スループット
の向上に寄与することが明らかになった。
【００３９】＜実施の形態２＞図７は、第２の実施の形
態で用いたプリズムの形状を示す図である。角度φ，
φ’として６０°を有する正三角形を底辺とする柱状の
光学部品である。角度の精度は６０°±５秒以内で作製
されている。材質は合成石英から成り、波長３５１．１
ｎｍに対して透明であり、屈折率は１．４７６である。
鏡面研磨された面７０１，７０２，７０３の面精度はλ
／２０である。また、面７０１，７０２，７０３を除い
た面は全てスリガラス状の粗面になっている。光の入射
面７０１，７０２の一部には波長３５１．１ｎｍの光に
対して不透明な樹脂７０４，７０５の被覆が施されてい
る。プリズムの大きさは、面７０３は３０ｍｍ×３０ｍ
ｍ，面７０１と７０２は３０ｍｍ×５０ｍｍとなってい
る。
態で用いたプリズムの形状を示す図である。角度φ，
φ’として６０°を有する正三角形を底辺とする柱状の
光学部品である。角度の精度は６０°±５秒以内で作製
されている。材質は合成石英から成り、波長３５１．１
ｎｍに対して透明であり、屈折率は１．４７６である。
鏡面研磨された面７０１，７０２，７０３の面精度はλ
／２０である。また、面７０１，７０２，７０３を除い
た面は全てスリガラス状の粗面になっている。光の入射
面７０１，７０２の一部には波長３５１．１ｎｍの光に
対して不透明な樹脂７０４，７０５の被覆が施されてい
る。プリズムの大きさは、面７０３は３０ｍｍ×３０ｍ
ｍ，面７０１と７０２は３０ｍｍ×５０ｍｍとなってい
る。
【００４０】図２は後に説明する実施の形態３の光学系
を示す斜視図であるが、ここでは実施の形態２のプリズ
ムを図２に示す光学系において２０７と置き換えて使用
した。プリズムの面７０３（図２における２１０に相
当）には、厚さ０．１μｍのホトレジストＡｚ１４００
（シプレイ社製）が表面に塗布されたガラス基板が、プ
リズムの面７０３（図２における２１０に相当）に対し
て平行になるようにキシレンを介して設置した。ここに
一定の光量の干渉縞をレジストに照射し、現像液ＭＦ３
１９（シプレイ社製）で処理すると、基板上に均一なピ
ッチΛを有する回折格子が形成された。図２における全
反射ミラー２０５，２０６の角度Ｘ，Ｙを共に２０°と
した時、ピッチ１２０ｎｍの回折格子が露光されてい
た。
を示す斜視図であるが、ここでは実施の形態２のプリズ
ムを図２に示す光学系において２０７と置き換えて使用
した。プリズムの面７０３（図２における２１０に相
当）には、厚さ０．１μｍのホトレジストＡｚ１４００
（シプレイ社製）が表面に塗布されたガラス基板が、プ
リズムの面７０３（図２における２１０に相当）に対し
て平行になるようにキシレンを介して設置した。ここに
一定の光量の干渉縞をレジストに照射し、現像液ＭＦ３
１９（シプレイ社製）で処理すると、基板上に均一なピ
ッチΛを有する回折格子が形成された。図２における全
反射ミラー２０５，２０６の角度Ｘ，Ｙを共に２０°と
した時、ピッチ１２０ｎｍの回折格子が露光されてい
た。
【００４１】本実施の形態においては、角度φ，φ’は
式（１）の範囲に含まれない為、樹脂７０４，７０５の
被覆が施されていない場合には面７０１（７０２）から
入射した光は面７０２（７０１）の内側で反射されて面
７０３に達し、露光に寄与する。この場合には図３と同
様のレジストマスクの幅が周期的変動する露光ムラを有
する回折格子が露光された。一方で面７０１（７０２）
から入射した光のうち、面７０２（７０１）の内側に達
する光を遮光するように面７０１，７０２の一部に不透
明な樹脂７０４，７０５の被覆を施した場合、露光ムラ
が少ない高品質の回折格子が作製されていた。
式（１）の範囲に含まれない為、樹脂７０４，７０５の
被覆が施されていない場合には面７０１（７０２）から
入射した光は面７０２（７０１）の内側で反射されて面
７０３に達し、露光に寄与する。この場合には図３と同
様のレジストマスクの幅が周期的変動する露光ムラを有
する回折格子が露光された。一方で面７０１（７０２）
から入射した光のうち、面７０２（７０１）の内側に達
する光を遮光するように面７０１，７０２の一部に不透
明な樹脂７０４，７０５の被覆を施した場合、露光ムラ
が少ない高品質の回折格子が作製されていた。
【００４２】なお、光の一部を遮光する方法としては、
上述のようにプリズムの光入射面に直接遮光用のマスク
を被覆する方法の他にも、図１０に示された方法が考え
られる。すなわち、露光に用いる平行光線１００１〜１
００４，１００５〜１００８がプリズムに入射する前
に、平行光線の通路の一部に不透明な物体１００９，１
０１０を置いて一部を遮光し、影をつくる。遮光する位
置は、図２における空間フィルタ２０２・ビームスプリ
ッタ２０４・全反射ミラー２０５，２０６・プリズムの
光入射面２０８，２０９に至る光の通路の途中であれば
同様の効果を有する。
上述のようにプリズムの光入射面に直接遮光用のマスク
を被覆する方法の他にも、図１０に示された方法が考え
られる。すなわち、露光に用いる平行光線１００１〜１
００４，１００５〜１００８がプリズムに入射する前
に、平行光線の通路の一部に不透明な物体１００９，１
０１０を置いて一部を遮光し、影をつくる。遮光する位
置は、図２における空間フィルタ２０２・ビームスプリ
ッタ２０４・全反射ミラー２０５，２０６・プリズムの
光入射面２０８，２０９に至る光の通路の途中であれば
同様の効果を有する。
【００４３】注意すべきことには、平行光線１００１〜
１００４，１００５〜１００８の通路の一部に不透明な
物体１００９，１０１０を置いて遮光した場合、平行光
は不透明な物体１００９，１０１０のエッジで回折を受
け、物体１００３，１００４の近傍を通過した部分（１
００２，１００６近傍）の波面が乱れる。その為、不透
明な物体１００３，１００４のエッジ近傍を通過した光
で露光された部分にはエッジ回折によるモアレ状の露光
ムラが見られることがあり、露光された回折格子の品質
は後で述べる実施の形態３の様に台形形状を底辺とする
柱状のプリズムを用いて作製したものよりもやや劣るも
のであった。なお、乱れた波面は、光が進むに連れて平
行光の全体に広がっていく為、波面の乱れが露光に与え
る影響が少しでも小さくなるように、感光性膜１０１３
に出来だけ近い位置で遮光するのが望ましかった。
１００４，１００５〜１００８の通路の一部に不透明な
物体１００９，１０１０を置いて遮光した場合、平行光
は不透明な物体１００９，１０１０のエッジで回折を受
け、物体１００３，１００４の近傍を通過した部分（１
００２，１００６近傍）の波面が乱れる。その為、不透
明な物体１００３，１００４のエッジ近傍を通過した光
で露光された部分にはエッジ回折によるモアレ状の露光
ムラが見られることがあり、露光された回折格子の品質
は後で述べる実施の形態３の様に台形形状を底辺とする
柱状のプリズムを用いて作製したものよりもやや劣るも
のであった。なお、乱れた波面は、光が進むに連れて平
行光の全体に広がっていく為、波面の乱れが露光に与え
る影響が少しでも小さくなるように、感光性膜１０１３
に出来だけ近い位置で遮光するのが望ましかった。
【００４４】＜実施の形態３＞図１は、第３の実施の形
態で用いたプリズムの形状を示す図である。角度φ，
φ’として１１０°を有する台形を底辺とする柱状の光
学部品である。角度の精度は１１０°±５秒以内で作製
されている。材質は硼硅酸ガラス（ＢＫ７）から成り、
波長３５１．１ｎｍに対して透明であり、屈折率は１．
５３９である。また、鏡面研磨された面１０１，１０
２，１０３の面精度はλ／２０であり、面１０１，１０
２，１０３の表面には無反射コーティングが施されてい
る。面１０１，１０２，１０３を除いた面は全てスリガ
ラス状の粗面になっている。プリズムの大きさは、面１
０３は３０ｍｍ×３０ｍｍ，面１０１と１０２は３０ｍ
ｍ×５０ｍｍとなっている。
態で用いたプリズムの形状を示す図である。角度φ，
φ’として１１０°を有する台形を底辺とする柱状の光
学部品である。角度の精度は１１０°±５秒以内で作製
されている。材質は硼硅酸ガラス（ＢＫ７）から成り、
波長３５１．１ｎｍに対して透明であり、屈折率は１．
５３９である。また、鏡面研磨された面１０１，１０
２，１０３の面精度はλ／２０であり、面１０１，１０
２，１０３の表面には無反射コーティングが施されてい
る。面１０１，１０２，１０３を除いた面は全てスリガ
ラス状の粗面になっている。プリズムの大きさは、面１
０３は３０ｍｍ×３０ｍｍ，面１０１と１０２は３０ｍ
ｍ×５０ｍｍとなっている。
【００４５】このプリズムを図２に示す光学系に設置し
て使用した。すなわち、単一波長３５１．１ｎｍのＡｒ
レーザから発せられたレーザ光は凸レンズ２０１，空間
フィルター２０２，凸レンズ２０３を経て５０ｍｍφの
円形の平行光線に変換される。５０ｍｍφの平行光線の
内、中心部の約２０ｍｍφ程度で光量がほぼ一定であ
り、露光に用いることが出来る。レンズ２０３を透過し
た後、ビームスプリッタ２０４で二分された後、全反射
ミラー２０５，２０６を経てプリズム２０７の面２０８
と２０９とに入射される。プリズムの面２１０には、例
えばホトレジスト等の感光性膜２１１が表面に塗布され
た１０ｍｍ角の正方形のガラス基板２１２が、プリズム
の面２１０に対して平行になるように例えばキシレン２
１３等のオイルを介して設置されている。二つの平行光
線２１４と２１５はプリズムに入射されるとプリズム中
で干渉し合い、図２の紙面に垂直方向に平行な干渉縞を
形成する。例えば数十［ｍＪ／ｃｍ2］といった一定の
光量の干渉縞を感光性膜２１１に照射し、適切な現像液
で処理すると、ガラス基板上に均一なピッチΛを有する
回折格子が露光された。全反射ミラー２０５，２０６の
角度Ｘ，Ｙを共に３５°とした時、ピッチ１１５ｎｍの
均一な回折格子が露光されていた。露光された回折格子
には露光ムラが一切無く、高品質の回折格子が作製され
ていた。
て使用した。すなわち、単一波長３５１．１ｎｍのＡｒ
レーザから発せられたレーザ光は凸レンズ２０１，空間
フィルター２０２，凸レンズ２０３を経て５０ｍｍφの
円形の平行光線に変換される。５０ｍｍφの平行光線の
内、中心部の約２０ｍｍφ程度で光量がほぼ一定であ
り、露光に用いることが出来る。レンズ２０３を透過し
た後、ビームスプリッタ２０４で二分された後、全反射
ミラー２０５，２０６を経てプリズム２０７の面２０８
と２０９とに入射される。プリズムの面２１０には、例
えばホトレジスト等の感光性膜２１１が表面に塗布され
た１０ｍｍ角の正方形のガラス基板２１２が、プリズム
の面２１０に対して平行になるように例えばキシレン２
１３等のオイルを介して設置されている。二つの平行光
線２１４と２１５はプリズムに入射されるとプリズム中
で干渉し合い、図２の紙面に垂直方向に平行な干渉縞を
形成する。例えば数十［ｍＪ／ｃｍ2］といった一定の
光量の干渉縞を感光性膜２１１に照射し、適切な現像液
で処理すると、ガラス基板上に均一なピッチΛを有する
回折格子が露光された。全反射ミラー２０５，２０６の
角度Ｘ，Ｙを共に３５°とした時、ピッチ１１５ｎｍの
均一な回折格子が露光されていた。露光された回折格子
には露光ムラが一切無く、高品質の回折格子が作製され
ていた。
【００４６】本実施の形態においては、下記式（１）
【００４７】
【数６】
【００４８】で与えられる範囲は ９４° ＜ φ（ｏｒ φ’） ＜ １２３° となる。上記で用いたものは角度φ，φ’として１１０
°を有するものであり、この範囲に入っていることか
ら、露光ムラが無く、高品質の回折格子が作製されるこ
とになった。また、φとφ’は共に等しく、図２におけ
る光学系の設置が容易であった。
°を有するものであり、この範囲に入っていることか
ら、露光ムラが無く、高品質の回折格子が作製されるこ
とになった。また、φとφ’は共に等しく、図２におけ
る光学系の設置が容易であった。
【００４９】比較の為、φとして８０°，８５°，９０
°，・・・，１２０°，１２５°，１３０°で５°刻み
で異なる１１種類のプリズムを用意し、同一のピッチ１
１５ｎｍの回折格子を露光した。いずれもφ’はφに等
しい形状とした。８０°，８５°，９０°のプリズムを
用いて露光したものに関しては、図３に断面のイラスト
が示されているように基板上のレジストマスクの幅が数
百μｍ間隔で周期的に変調された露光ムラを有する回折
格子が露光されていた。図３のように均一でない回折格
子では、回折効率が大幅に低下し、回折格子の品質とし
ては良くない。一方で、φ，φ’として９５°から１２
０°のプリズムを用いた場合、何れも図３のような露光
ムラは見られず、均一で高品質な回折格子が露光されて
いた。１２５°，１３０°のプリズムの場合には、露光
量を数百［ｍＪ／ｃｍ2］以上にまで大きくしても全く
回折格子は露光されていなかった。これは、１２５°，
１３０°のプリズムの場合には、プリズムに入射する光
線が全てプリズムの光入射面で全反射してしまうことに
よる。
°，・・・，１２０°，１２５°，１３０°で５°刻み
で異なる１１種類のプリズムを用意し、同一のピッチ１
１５ｎｍの回折格子を露光した。いずれもφ’はφに等
しい形状とした。８０°，８５°，９０°のプリズムを
用いて露光したものに関しては、図３に断面のイラスト
が示されているように基板上のレジストマスクの幅が数
百μｍ間隔で周期的に変調された露光ムラを有する回折
格子が露光されていた。図３のように均一でない回折格
子では、回折効率が大幅に低下し、回折格子の品質とし
ては良くない。一方で、φ，φ’として９５°から１２
０°のプリズムを用いた場合、何れも図３のような露光
ムラは見られず、均一で高品質な回折格子が露光されて
いた。１２５°，１３０°のプリズムの場合には、露光
量を数百［ｍＪ／ｃｍ2］以上にまで大きくしても全く
回折格子は露光されていなかった。これは、１２５°，
１３０°のプリズムの場合には、プリズムに入射する光
線が全てプリズムの光入射面で全反射してしまうことに
よる。
【００５０】＜実施の形態４＞図４は、第４の実施の形
態で用いたプリズムの形状を示す図である。角度φ，
φ’として１００°を有する台形を底辺とする柱状の光
学部品（プリズム）である。角度の精度は１００°±５
秒以内で作製されている。材質は合成石英から成り、波
長３５１．１ｎｍに対に対して透明であり、屈折率は
１．４７６である。また、鏡面研磨された面４０１，４
０２，４０３の面精度はλ／３０である。面４０１，４
０２，４０３を除いた面は全てスリガラス状の粗面にな
っている。プリズムの大きさは、面４０３は３０ｍｍ×
３０ｍｍ，面４０１と４０２は３０ｍｍ×５０ｍｍとな
っている。またプリズムの一方の表面４０１にはストラ
イプ状のＰＭＭＡから成る透明薄膜４０４が設けられて
いる。なお、図４にはプリズムの構造がわかりやすくな
るように図を簡略し、ストライプ状の透明な薄膜を４本
しか表示していないが、実際には厚さ約２５０ｎｍの透
明な薄膜４０４が間隔３６μｍ，幅３６μｍで多数本設
けられている。
態で用いたプリズムの形状を示す図である。角度φ，
φ’として１００°を有する台形を底辺とする柱状の光
学部品（プリズム）である。角度の精度は１００°±５
秒以内で作製されている。材質は合成石英から成り、波
長３５１．１ｎｍに対に対して透明であり、屈折率は
１．４７６である。また、鏡面研磨された面４０１，４
０２，４０３の面精度はλ／３０である。面４０１，４
０２，４０３を除いた面は全てスリガラス状の粗面にな
っている。プリズムの大きさは、面４０３は３０ｍｍ×
３０ｍｍ，面４０１と４０２は３０ｍｍ×５０ｍｍとな
っている。またプリズムの一方の表面４０１にはストラ
イプ状のＰＭＭＡから成る透明薄膜４０４が設けられて
いる。なお、図４にはプリズムの構造がわかりやすくな
るように図を簡略し、ストライプ状の透明な薄膜を４本
しか表示していないが、実際には厚さ約２５０ｎｍの透
明な薄膜４０４が間隔３６μｍ，幅３６μｍで多数本設
けられている。
【００５１】このプリズムを図２に示す光学系において
２０７と置き換えて使用した。ただし、ｎ型ＧａＡｓ結
晶の上に下クラッド層となるｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓを
１μｍ、活性層となるＡｌ0.14Ｇａ0.86Ａｓ層を０．０
８μｍ、第一上クラッド層なるｐ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ
を０．２μｍ、ガイド層となるｐ型Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａ
ｓを０．１μｍを化学気相堆積法によって積層させたも
のを基板２１２としてプリズムの面２１０に接するよう
に設置した。また、感光性膜２１１として厚さ０．１μ
ｍのホトレジストＡｚ１４００（シプレイ社製）を用い
た。ここで約３０［ｍＪ／ｃｍ2］の光量の干渉縞を感
光性膜２１１に照射し、現像液ＭＦ３１９（シプレイ社
製）で処理すると基板２１２上には回折格子状のホトレ
ジストが残った。
２０７と置き換えて使用した。ただし、ｎ型ＧａＡｓ結
晶の上に下クラッド層となるｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓを
１μｍ、活性層となるＡｌ0.14Ｇａ0.86Ａｓ層を０．０
８μｍ、第一上クラッド層なるｐ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ
を０．２μｍ、ガイド層となるｐ型Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａ
ｓを０．１μｍを化学気相堆積法によって積層させたも
のを基板２１２としてプリズムの面２１０に接するよう
に設置した。また、感光性膜２１１として厚さ０．１μ
ｍのホトレジストＡｚ１４００（シプレイ社製）を用い
た。ここで約３０［ｍＪ／ｃｍ2］の光量の干渉縞を感
光性膜２１１に照射し、現像液ＭＦ３１９（シプレイ社
製）で処理すると基板２１２上には回折格子状のホトレ
ジストが残った。
【００５２】本実施の形態に用いたプリズムでは、プリ
ズムの面４０１を透過した光のうち、薄膜４０４を通過
した部分と通過していない部分との光の位相が反転する
ように薄膜４０４の厚さを設定していることから、ホト
レジスト上に作製される回折格子は図５に５０３で示さ
れるように途中で空間的な位相が反転する部分を有する
ものとなった。また回折格子のピッチは、全反射ミラー
２０５，２０６の角度Ｘ，Ｙを共に３０°とした時に１
２０ｎｍであった。
ズムの面４０１を透過した光のうち、薄膜４０４を通過
した部分と通過していない部分との光の位相が反転する
ように薄膜４０４の厚さを設定していることから、ホト
レジスト上に作製される回折格子は図５に５０３で示さ
れるように途中で空間的な位相が反転する部分を有する
ものとなった。また回折格子のピッチは、全反射ミラー
２０５，２０６の角度Ｘ，Ｙを共に３０°とした時に１
２０ｎｍであった。
【００５３】引き続いて湿式エッチングにより回折格子
のパターンを基板５０１の表面に転写した後、ホトレジ
ストを剥離し、第２上クラッド層となるｐ型Ａｌ0.5Ｇ
ａ0.5Ａｓ層を０．８μｍ、コンタクト層となるｐ型Ｇ
ａＡｓ層を０．５μｍを化学気相堆積法により積層させ
た。作製された基板を厚さ約１００μｍに研磨し、上下
に適切な電極を付けた後、位相反転部の一つが中央にな
る様に３００μｍ角のチップ状に劈開分割し、劈開した
両端面に無反射コートを施して半導体レーザとした。上
下の電極を通して電流を注入したところ、回折格子のピ
ッチに対応するブラッグ波長で単一スペクトルを有する
レーザ光が出射された。
のパターンを基板５０１の表面に転写した後、ホトレジ
ストを剥離し、第２上クラッド層となるｐ型Ａｌ0.5Ｇ
ａ0.5Ａｓ層を０．８μｍ、コンタクト層となるｐ型Ｇ
ａＡｓ層を０．５μｍを化学気相堆積法により積層させ
た。作製された基板を厚さ約１００μｍに研磨し、上下
に適切な電極を付けた後、位相反転部の一つが中央にな
る様に３００μｍ角のチップ状に劈開分割し、劈開した
両端面に無反射コートを施して半導体レーザとした。上
下の電極を通して電流を注入したところ、回折格子のピ
ッチに対応するブラッグ波長で単一スペクトルを有する
レーザ光が出射された。
【００５４】本実施の形態においては、下記式（１）
【００５５】
【数７】
【００５６】で与えられる範囲は ９４° ＜ φ（ｏｒ φ’） ＜ １２５° となる。上記で用いたものは角度φ，φ’として１００
°を有するものであり、この範囲に入っていることか
ら、露光ムラが無く、高品質の回折格子が作製されるこ
とになった。また、φとφ’は共に等しく、図２におけ
る光学系の設置が容易であった。
°を有するものであり、この範囲に入っていることか
ら、露光ムラが無く、高品質の回折格子が作製されるこ
とになった。また、φとφ’は共に等しく、図２におけ
る光学系の設置が容易であった。
【００５７】＜実施の形態５＞図１１は、第５の実施の
形態で用いたプリズムの形状を示す図である。角度φ，
φ’として１１０゜を有する六角形を底辺とする柱状の
光学部品である。角度φ，φ’の精度は１１０゜±５秒
以内で作製されている。面１１０４と面１１０５とは５
秒以内の精度で平行であり、面１１０４と面１１０３及
び面１１０５と面１１０３とは９０゜±５秒の精度で垂
直になるように作製されている。材質は硼硅酸ガラス
（ＢＫ７）から成り、波長３５１．１ｎｍに対して透明
であり、屈折率は１．５３９である。また、鏡面研磨さ
れた面１１０１，１１０２，１１０３，１１０４，１１
０５の面精度はλ／２０であり、面１１０１，１１０
２，１１０３の表面には無反射コーティングが施されて
いる。面１１０１，１１０２，１１０３，１１０４，１
１０５を除く他の面は全てスリガラス状の粗面になって
いる。つまり、本実施例で用いた図１１のプリズムは、
図１に示した第３の実施の形態で用いたプリズムに、面
１１０３と垂直の角度を成す面１１０４，１１０５を含
む部分を付け足した形状となっている。プリズムの大き
さは、面１１０３は３０ｍｍ×３０ｍｍ，面１１０１と
１１０２は３０ｍｍ×５０ｍｍ，面１１０４と１１０５
は３０ｍｍ×３０ｍｍとなっている。
形態で用いたプリズムの形状を示す図である。角度φ，
φ’として１１０゜を有する六角形を底辺とする柱状の
光学部品である。角度φ，φ’の精度は１１０゜±５秒
以内で作製されている。面１１０４と面１１０５とは５
秒以内の精度で平行であり、面１１０４と面１１０３及
び面１１０５と面１１０３とは９０゜±５秒の精度で垂
直になるように作製されている。材質は硼硅酸ガラス
（ＢＫ７）から成り、波長３５１．１ｎｍに対して透明
であり、屈折率は１．５３９である。また、鏡面研磨さ
れた面１１０１，１１０２，１１０３，１１０４，１１
０５の面精度はλ／２０であり、面１１０１，１１０
２，１１０３の表面には無反射コーティングが施されて
いる。面１１０１，１１０２，１１０３，１１０４，１
１０５を除く他の面は全てスリガラス状の粗面になって
いる。つまり、本実施例で用いた図１１のプリズムは、
図１に示した第３の実施の形態で用いたプリズムに、面
１１０３と垂直の角度を成す面１１０４，１１０５を含
む部分を付け足した形状となっている。プリズムの大き
さは、面１１０３は３０ｍｍ×３０ｍｍ，面１１０１と
１１０２は３０ｍｍ×５０ｍｍ，面１１０４と１１０５
は３０ｍｍ×３０ｍｍとなっている。
【００５８】このプリズムを、面１１０１，１１０２が
光の入射面、面１１０３が基板を設置する面となるよう
に、図２に示す光学系において２０７と置き換えて使用
した。面１１０１，１１０２，１１０３に対応する部分
は第３の実施の形態で用いたプリズムと等価な作用を及
ぼし、回折格子の露光結果に与える効果に関しては第３
の実施の形態と同等であった。
光の入射面、面１１０３が基板を設置する面となるよう
に、図２に示す光学系において２０７と置き換えて使用
した。面１１０１，１１０２，１１０３に対応する部分
は第３の実施の形態で用いたプリズムと等価な作用を及
ぼし、回折格子の露光結果に与える効果に関しては第３
の実施の形態と同等であった。
【００５９】図１１のプリズムにおいては、面１１０３
に垂直になるように付け加えられた面１１０４，１１０
５から成る部分があることにより、プリズムを光学系に
取り付ける時のアライメントが精度良く容易に出来るよ
うになった。図１２に示す様にアライメント用のＨｅ−
Ｎｅレーザ１２０１の光線を土台の光学定盤に平行かつ
基板１２０６の方向と平行にプリズム１２０４のアライ
メント用の面１２０５（図１１における面１１０４に相
当）に当たる様に設定しておき、その反射光の位置をピ
ンホールの開いたスクリーン１２０２の上でモニターす
ることによって位置ずれを検知し、プリズムの位置，角
度のずれを修正すると、プリズムのアライメントが高精
度で出来た。
に垂直になるように付け加えられた面１１０４，１１０
５から成る部分があることにより、プリズムを光学系に
取り付ける時のアライメントが精度良く容易に出来るよ
うになった。図１２に示す様にアライメント用のＨｅ−
Ｎｅレーザ１２０１の光線を土台の光学定盤に平行かつ
基板１２０６の方向と平行にプリズム１２０４のアライ
メント用の面１２０５（図１１における面１１０４に相
当）に当たる様に設定しておき、その反射光の位置をピ
ンホールの開いたスクリーン１２０２の上でモニターす
ることによって位置ずれを検知し、プリズムの位置，角
度のずれを修正すると、プリズムのアライメントが高精
度で出来た。
【００６０】プリズムのアライメントは、図１１におけ
る面１１０１または１１０２にアライメント用のＨｅ−
Ｎｅのレーザ光を当てて、上述と同様の方法で行うこと
も可能であった。しかしながら、面１１０１，１１０２
は光学系の基準となる方向（例えば基板の面の方向）に
対して１１０°に傾いた面であり、アライメント用のＨ
ｅ−Ｎｅレーザ自体を光学系の基準となる方向に対して
１１０°に傾けて精度良く設定することが難しかった。
これは、光学定盤の上には碁盤の目状に光学部品を取り
付けるネジ穴が切られている為に、光学部品を４５°，
９０°，・・・といった区切りの良い方向にアライメン
トすることは非常に容易であるが、それ以外の角度に精
度良くアライメントすることは難しい事に寄っている。
基準となる面に対して４５゜，９０゜，・・・といった
区切りの良い角度の面をアライメント用の面としてプリ
ズムに付加することは、実用上効果的となる。
る面１１０１または１１０２にアライメント用のＨｅ−
Ｎｅのレーザ光を当てて、上述と同様の方法で行うこと
も可能であった。しかしながら、面１１０１，１１０２
は光学系の基準となる方向（例えば基板の面の方向）に
対して１１０°に傾いた面であり、アライメント用のＨ
ｅ−Ｎｅレーザ自体を光学系の基準となる方向に対して
１１０°に傾けて精度良く設定することが難しかった。
これは、光学定盤の上には碁盤の目状に光学部品を取り
付けるネジ穴が切られている為に、光学部品を４５°，
９０°，・・・といった区切りの良い方向にアライメン
トすることは非常に容易であるが、それ以外の角度に精
度良くアライメントすることは難しい事に寄っている。
基準となる面に対して４５゜，９０゜，・・・といった
区切りの良い角度の面をアライメント用の面としてプリ
ズムに付加することは、実用上効果的となる。
【００６１】ところで、ここまでに説明した実施の形態
は図２に示された光学系を用いたものであるが、２本の
平行光線がプリズムに至るまでに通過する空間フィルタ
・凸レンズ・ビームスプリッタ・全反射ミラー等からな
る光学系は、図２に示されたものと同等の機能を有する
ものであれば光学部品の構成・配置に変更があってもよ
いことは明らかである。
は図２に示された光学系を用いたものであるが、２本の
平行光線がプリズムに至るまでに通過する空間フィルタ
・凸レンズ・ビームスプリッタ・全反射ミラー等からな
る光学系は、図２に示されたものと同等の機能を有する
ものであれば光学部品の構成・配置に変更があってもよ
いことは明らかである。
【００６２】また、光源には何れもＡｒガスレーザによ
る紫外光を用いたものを示したが、Ｈｅ−Ｃｄガスレー
ザ等の他の光源による紫外光によっても効果は同じであ
り、可視光・深紫外光を用いることも出来る。
る紫外光を用いたものを示したが、Ｈｅ−Ｃｄガスレー
ザ等の他の光源による紫外光によっても効果は同じであ
り、可視光・深紫外光を用いることも出来る。
【００６３】また、プリズムの材質・基板の種類・感光
性膜の種類・プリズムと基板との間に満たすオイルの種
類についても上記の実施の形態で用いたものに限定され
ることはない。
性膜の種類・プリズムと基板との間に満たすオイルの種
類についても上記の実施の形態で用いたものに限定され
ることはない。
【００６４】また、本発明で得られる回折格子の応用例
としてλ／４シフト型屈折率結合ＤＦＢ−ＬＤに関して
説明したが、利得結合ＤＦＢ−ＬＤ等の他のタイプのＤ
ＦＢ−ＬＤや、ＤＢＲ−ＬＤ・波長フィルター・グレー
ティングカップラー等の他の用途にも応用することが可
能である。
としてλ／４シフト型屈折率結合ＤＦＢ−ＬＤに関して
説明したが、利得結合ＤＦＢ−ＬＤ等の他のタイプのＤ
ＦＢ−ＬＤや、ＤＢＲ−ＬＤ・波長フィルター・グレー
ティングカップラー等の他の用途にも応用することが可
能である。
【００６５】
【発明の効果】本発明による干渉露光装置およびそれを
用いた干渉露光方法によれば、ピッチの小さな回折格子
を露光ムラが無く、高品質に露光することができ、ま
た、光の利用効率が向上し、露光のスループットが向上
する。
用いた干渉露光方法によれば、ピッチの小さな回折格子
を露光ムラが無く、高品質に露光することができ、ま
た、光の利用効率が向上し、露光のスループットが向上
する。
【００６６】また、φとφ’とを等しくすることによ
り、光学系全体が対称な配置となり、光学系の設置が容
易となる。
り、光学系全体が対称な配置となり、光学系の設置が容
易となる。
【図１】第３の実施の形態の回折格子の製造方法で用い
たプリズムの形状を示す斜視図である。
たプリズムの形状を示す斜視図である。
【図２】第３の実施の形態の回折格子の製造方法で用い
た光学系を示す模式図である。
た光学系を示す模式図である。
【図３】第３の実施の形態の比較例の製造方法で作製さ
れた品質の低い回折格子を示す断面図である。
れた品質の低い回折格子を示す断面図である。
【図４】第４の実施の形態の回折格子の製造方法で用い
たプリズムの形状を示す斜視図である。
たプリズムの形状を示す斜視図である。
【図５】第４の実施の形態の回折格子の製造方法で作製
された回折格子を示す斜視図である。
された回折格子を示す斜視図である。
【図６】第１の実施の形態の回折格子の製造方法で用い
たプリズムの形状を示す斜視図である。
たプリズムの形状を示す斜視図である。
【図７】第２の実施の形態の回折格子の製造方法で用い
たプリズムの形状を示す斜視図である。
たプリズムの形状を示す斜視図である。
【図８】従来の回折格子の製造方法を示す図である。
【図９】従来の回折格子の製造方法の問題点を示す上面
図である（プリズムに入射する２本の平行光線の内、一
方だけが表示されている。）。
図である（プリズムに入射する２本の平行光線の内、一
方だけが表示されている。）。
【図１０】第２の実施の形態の回折格子の製造方法を示
す上面図である。
す上面図である。
【図１１】第５の実施の形態の回折格子の製造方法で用
いたプリズムの形状を示す斜視図である。
いたプリズムの形状を示す斜視図である。
【図１２】第５の実施の形態の回折格子の製造方法で用
いたプリズムのアライメントの方法を示す上面図であ
る。
いたプリズムのアライメントの方法を示す上面図であ
る。
１０１，１０２ 光入射面 １０３ 基板設置面 ２０１ 凸レンズ ２０２ 空間フィルタ ２０３ 凸レンズ ２０４ ビームスプリッタ ２０５，２０６ 全反射ミラー ２０７ プリズム ２０８，２０９ 光入射面 ２１０ 基板設置面 ２１１ 感光性膜 ２１２ 基板 ２１３ オイル ２１４，２１５ 平行光線 ３０１ 基板 ３０２ レジスト ４０１ 透明な薄膜が設けられた光入射面 ４０２ 光入射面 ４０３ 基板設置面 ４０４ 透明な薄膜 ５０１ 基板 ５０２ 感光性膜 ５０３ 位相反転部 ６０１，６０２ 光入射面 ６０３ 基板設置面 ７０１，７０２ 光入射面 ７０３ 基板設置面 ７０４，７０５ 不透明な遮光用の膜 ８０１ 感光性膜 ８０２ 基板 ８０３ オイル ８０４ プリズム ８０５，８０６ 光入射面 ８０７，８０８ 平行光線 ８０９ 基板設置面 ８１０ 回折格子 ９０１ 感光性膜 ９０２ 基板 ９０３ オイル ９０４ 光入射面 ９０５ 光入射面 ９０６ 基板設置面 ９０７ プリズム ９０８，９０９，９１０，９１１ 入射光 １００１〜１００８ 入射光 １００９，１０１０ 遮光用の不透明な物体 １０１１ 直方体形状のプリズム １０１２ 基板 １０１３ 感光性膜 １０１４ オイル １１０１，１１０２ 光入射面 １１０３ 基板設置面 １１０４，１１０５ アライメント面 １２０１ Ｈｅ−Ｎｅレーザ １２０２ ピンホールの開いたスクリーン １２０３ 全反射ミラー １２０４ プリズム １２０５ アライメント用の面 １２０６ 基板 １２０７ 感光性膜 １２０８ オイル
Claims (9)
- 【請求項１】 感光性膜が被着された基板と、 前記感光性膜に接する第１面と、該第１面に隣接し、互
いに対向した第２、第３面とを少なくとも有するプリズ
ムと、 を備え、 前記プリズムの第２面及び第３面に同一波長を有する光
線をそれぞれ照射して、前記プリズムの第１面に前記光
線による干渉縞を形成し、該干渉縞のパターンを前記感
光性膜に転写する干渉露光装置において、 少なくとも前記プリズムの第２、及び第３面には、それ
ぞれ反射防止膜が形成されてなることを特徴とする干渉
露光装置。 - 【請求項２】 感光性膜が被着された基板と、 前記感光性膜に接する第１面と、該第１面に隣接し、互
いに対向した第２、第３面とを少なくとも有するプリズ
ムと、 を備え、 前記プリズムの第２面及び第３面に同一波長を有する光
線をそれぞれ照射して、前記プリズムの第１面に前記光
線による干渉縞を形成し、該干渉縞のパターンを前記感
光性膜に転写する干渉露光装置において、 前記プリズムの第２面及び第３面に近接又は接して、前
記プリズムの第１面から離れた位置に遮光手段を配置し
て、プリズムの第２、第３面に入射する光線を制限して
なることを特徴とする干渉露光装置。 - 【請求項３】 感光性膜が被着された基板と、 前記感光性膜に接する第１面と、該第１面に隣接し、互
いに対向した第２、第３面とを少なくとも有するプリズ
ムと、 を備え、 前記プリズムの第２面及び第３面に同一波長を有する光
線をそれぞれ照射して、前記プリズムの第１面に前記光
線による干渉縞を形成し、該干渉縞のパターンを前記感
光性膜に転写する干渉露光装置において、 前記プリズムの第２面に入射した後、前記プリズムの第
３面内壁に照射されて反射する反射光と、前記プリズム
の第３面に入射した後、前記プリズムの第２面内壁に照
射されて反射する反射光とはいずれも、それら反射光の
向きが前記プリズムの第１面から離れる方向にすすんで
なることを特徴とする干渉露光装置。 - 【請求項４】 請求項２に記載の干渉露光装置は、少な
くとも前記プリズムの第２、及び第３面には、それぞれ
反射防止膜が形成されてなることを特徴とすること干渉
露光装置。 - 【請求項５】 請求項３に記載の干渉露光装置は、前記
プリズムの第１、第２、及び第３面に、それぞれ反射防
止膜が形成されてなることを特徴とする干渉露光装置。 - 【請求項６】 感光性膜が被着された基板と、 前記感光性膜に接する第１面と、該第１面に隣接し、互
いに対向した第２、第３面とを少なくとも有するプリズ
ムと、 を備え、 前記プリズムの第２面及び第３面に同一波長を有する光
線をそれぞれ照射して、前記プリズムの第１面に前記光
線による干渉縞を形成し、該干渉縞のパターンを前記感
光性膜に転写する干渉露光装置において、 前記プリズムの第１面と、前記プリズムの第２、第３面
とのなす角φ、φ’は、下記式（１）を満たしているこ
とを特徴とする請求項３または請求項５に記載の干渉露
光装置。 【数１】 - 【請求項７】 前記プリズムの第１面と第２面とのなす
角φと、前記プリズムの第１面と第３面とのなす角φ’
とが等しいことを特徴とする請求項６に記載の干渉露光
装置。 - 【請求項８】 前記プリズムの第１、第２、及び第３面
を除く全ての面は、光の入反射に寄与しない粗面である
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の干渉
露光装置。 - 【請求項９】 請求項１〜８のいずれかの装置を用いて
干渉露光してなることを特徴とする干渉露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31291495A JP3564215B2 (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 干渉露光装置およびそれを用いた干渉露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31291495A JP3564215B2 (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 干渉露光装置およびそれを用いた干渉露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09153446A true JPH09153446A (ja) | 1997-06-10 |
| JP3564215B2 JP3564215B2 (ja) | 2004-09-08 |
Family
ID=18034990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31291495A Expired - Fee Related JP3564215B2 (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 干渉露光装置およびそれを用いた干渉露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3564215B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002162750A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Mitsutoyo Corp | 露光装置 |
| JP2006210923A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 基板上にパターンを製作するシステムおよびその方法 |
| US7474385B2 (en) | 2004-08-27 | 2009-01-06 | Asml Holding N.V. | Adjustable resolution interferometric lithography system |
| JP2009044158A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Samsung Electro Mech Co Ltd | ナノパターン形成装置及びこれを用いたナノパターン形成方法 |
| JP2009134287A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-06-18 | Seiko Epson Corp | 回折光学素子とその製造方法、及びレーザー加工方法 |
| CN112596139A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-04-02 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 一种短波范围反射式体光栅的光栅结构写入方法 |
-
1995
- 1995-11-30 JP JP31291495A patent/JP3564215B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3564215B2 (ja) | 2004-09-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040513 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040601 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |