JPH06333801A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPH06333801A JPH06333801A JP5144215A JP14421593A JPH06333801A JP H06333801 A JPH06333801 A JP H06333801A JP 5144215 A JP5144215 A JP 5144215A JP 14421593 A JP14421593 A JP 14421593A JP H06333801 A JPH06333801 A JP H06333801A
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- JP
- Japan
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- exposure
- exposure light
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 露光光のガウス型強度分布による照度むらを
低減すると共にスペックルノイズの発生を抑え、また最
小線幅に対して光を絞る必要がなく、さらに小型化を図
る。 【構成】 コリメーションレンズ４により露光光源１か
ら射出した光束２を平行光にし、そして平行光にされた
光束２を、光軸変更手段５０によってマスク９上に形成
されたパターン１０に対してラスタ走査を行う。このラ
スタ走査に際し、コリメーションレンズ１１によって光
束２をマスク９上に形成されたパターン１０に対して垂
直照射する。これにより、光の持つガウス型強度分布に
よる照度むらが低減し、また光を集合させることから基
板露光面上でのスペックルノイズが殆ど発生しない。さ
らにマスク上のパターン領域に対して光束２をラスタ走
査されることから、基板上への投影露光に関する機構の
小型化が図れる。
低減すると共にスペックルノイズの発生を抑え、また最
小線幅に対して光を絞る必要がなく、さらに小型化を図
る。 【構成】 コリメーションレンズ４により露光光源１か
ら射出した光束２を平行光にし、そして平行光にされた
光束２を、光軸変更手段５０によってマスク９上に形成
されたパターン１０に対してラスタ走査を行う。このラ
スタ走査に際し、コリメーションレンズ１１によって光
束２をマスク９上に形成されたパターン１０に対して垂
直照射する。これにより、光の持つガウス型強度分布に
よる照度むらが低減し、また光を集合させることから基
板露光面上でのスペックルノイズが殆ど発生しない。さ
らにマスク上のパターン領域に対して光束２をラスタ走
査されることから、基板上への投影露光に関する機構の
小型化が図れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マスク上のパターンを
光学系を用いて基板上に投影露光する露光装置に関す
る。
光学系を用いて基板上に投影露光する露光装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来よりレクチルを含むマスク上のパタ
ーンを別置された基板上へ投影露光する方式として、ス
テッパ方式およびミラープロジェクション・アライナ方
式が用いられている。
ーンを別置された基板上へ投影露光する方式として、ス
テッパ方式およびミラープロジェクション・アライナ方
式が用いられている。
【０００３】ステッパ方式は例えば縮小投影型露光装置
の光学系（Ｉ）写真工業 １０／１９８３（著者：安西
暁氏）に詳しい。ミラープロジェクション・アライナ
方式はレクチルを含むマスクと基板を一体で移動させ、
マスク幅を持つスリット状の光束をマスク上で一方向で
走査させることにより露光を行うものである。この方式
は、「最新液晶ディスプレイの製造装置と応用技術」
（監修：小林俊介氏 発行：ミマツデータシステム）第
８章ＬＣＤ製造装置 第１項 ミラープロジェクション露
光装置（著者：吉成 秀樹氏）に詳しい。電子ビーム描
画方式は「超ＬＳＩ技術」（著者：垂井 康夫氏 発
行：オーム社）に詳しい。
の光学系（Ｉ）写真工業 １０／１９８３（著者：安西
暁氏）に詳しい。ミラープロジェクション・アライナ
方式はレクチルを含むマスクと基板を一体で移動させ、
マスク幅を持つスリット状の光束をマスク上で一方向で
走査させることにより露光を行うものである。この方式
は、「最新液晶ディスプレイの製造装置と応用技術」
（監修：小林俊介氏 発行：ミマツデータシステム）第
８章ＬＣＤ製造装置 第１項 ミラープロジェクション露
光装置（著者：吉成 秀樹氏）に詳しい。電子ビーム描
画方式は「超ＬＳＩ技術」（著者：垂井 康夫氏 発
行：オーム社）に詳しい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の露光装置にあっては次のような問題点があった。す
なわち、ステッパ方式では、レクチルを含むマスク上の
パターンを露光する場合、スループットを上げるために
１ショットの露光領域をできる限り大きくすることが考
えられるが、１ショットの露光領域を大きくする程、露
光光が持つガウス型強度分布のために露光領域の中心部
とその周辺とで照度むらが大きくなってしまう。このた
め、通常、照度むらを低減し、強度分布を一様にするた
めのインテグレータと呼ばれる光学素子を用いて光整形
を行う必要がある。また、１ショットの露光領域を大き
くすることにより、スペックルノイズが生じやすくな
る。
来の露光装置にあっては次のような問題点があった。す
なわち、ステッパ方式では、レクチルを含むマスク上の
パターンを露光する場合、スループットを上げるために
１ショットの露光領域をできる限り大きくすることが考
えられるが、１ショットの露光領域を大きくする程、露
光光が持つガウス型強度分布のために露光領域の中心部
とその周辺とで照度むらが大きくなってしまう。このた
め、通常、照度むらを低減し、強度分布を一様にするた
めのインテグレータと呼ばれる光学素子を用いて光整形
を行う必要がある。また、１ショットの露光領域を大き
くすることにより、スペックルノイズが生じやすくな
る。
【０００５】また、ミラープロジェクション・アライナ
方式では、レクチルを含むマスクと基板を一体で移動を
行うためのステージが必要となり、装置全体が複雑大型
化になる。
方式では、レクチルを含むマスクと基板を一体で移動を
行うためのステージが必要となり、装置全体が複雑大型
化になる。
【０００６】そこで本発明は、露光光のガウス型強度分
布による照度むらを低減できると共にスペックルノイズ
の発生を抑え、さらに小型化を図ることができる露光装
置を提供することを目的としている。
布による照度むらを低減できると共にスペックルノイズ
の発生を抑え、さらに小型化を図ることができる露光装
置を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的達成のため本発
明による露光装置は、露光光を発生する露光光発生手段
と、この露光光発生手段より発せられた露光光を平行光
に修正する平行光修正手段と、この平行光修正手段によ
り平行光に修正された露光光の進行方向を所定の範囲内
で変化させる光軸変更手段と、この光軸変更手段により
変化された露光光をマスク上のパターン領域に対して垂
直照射する垂直照射手段と、前記マスクを透過した露光
光を基板上に結像させる投影光学手段とを備えたことを
特徴とする。
明による露光装置は、露光光を発生する露光光発生手段
と、この露光光発生手段より発せられた露光光を平行光
に修正する平行光修正手段と、この平行光修正手段によ
り平行光に修正された露光光の進行方向を所定の範囲内
で変化させる光軸変更手段と、この光軸変更手段により
変化された露光光をマスク上のパターン領域に対して垂
直照射する垂直照射手段と、前記マスクを透過した露光
光を基板上に結像させる投影光学手段とを備えたことを
特徴とする。
【０００８】好ましい態様として、前記露光光発生手段
は、空間的にガウス強度分布（以下、単にガウス分布と
いう）を有する露光光を発生するものであることを特徴
とする。
は、空間的にガウス強度分布（以下、単にガウス分布と
いう）を有する露光光を発生するものであることを特徴
とする。
【０００９】また、前記平行光修正手段は、コリメーシ
ョンレンズであることを特徴とする。
ョンレンズであることを特徴とする。
【００１０】また、前記光軸変更手段は、２つの反射手
段と、これら反射手段を動作させる駆動手段とを有する
ことを特徴とする。
段と、これら反射手段を動作させる駆動手段とを有する
ことを特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明では、平行光修正手段により露光光発生
手段より射出した露光光が平行光に修正される。また、
平行光にされた露光光が光軸変更手段によりマスク上の
パターン領域に対してラスタ走査される。さらに、マス
ク上のパターン領域に対するラスタ走査において、露光
光が垂直照射手段にて垂直照射される。
手段より射出した露光光が平行光に修正される。また、
平行光にされた露光光が光軸変更手段によりマスク上の
パターン領域に対してラスタ走査される。さらに、マス
ク上のパターン領域に対するラスタ走査において、露光
光が垂直照射手段にて垂直照射される。
【００１２】したがって、平行光にされた露光光を用い
てレチクルを含むマスク上に描かれたパターンの上を走
査し、隣り合う露光光の走査間隔を制御することがで
き、光の持つガウス型強度分布による照度むらが低減す
る。また、光を集合させることから基板露光面上でのス
ペックルノイズの発生が殆どない。また、基板を固定し
た状態でマスク上のパターン領域に対して露光光のラス
タ走査を行うので、基板上への投影露光に関する機構の
小型化が図れる。
てレチクルを含むマスク上に描かれたパターンの上を走
査し、隣り合う露光光の走査間隔を制御することがで
き、光の持つガウス型強度分布による照度むらが低減す
る。また、光を集合させることから基板露光面上でのス
ペックルノイズの発生が殆どない。また、基板を固定し
た状態でマスク上のパターン領域に対して露光光のラス
タ走査を行うので、基板上への投影露光に関する機構の
小型化が図れる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。 実施例１．図１は本発明の露光装置の一実施例を示す構
成図である。この露光装置は光走査光学系に２つのガル
バノミラーを用いた等倍投影露光装置である。
成図である。この露光装置は光走査光学系に２つのガル
バノミラーを用いた等倍投影露光装置である。
【００１４】１は水銀ランプあるいはレーザ等の露光光
源であり、ガウス分布を有する光束（露光光）を発生す
る。２は露光光源１より射出した光束、３は集光レン
ズ、４はコリメーションレンズであり、集光レンズ３を
透過した光束２を平行光にする。５，６の各々はガルバ
ノミラーであり、駆動装置７，８により駆動される。
源であり、ガウス分布を有する光束（露光光）を発生す
る。２は露光光源１より射出した光束、３は集光レン
ズ、４はコリメーションレンズであり、集光レンズ３を
透過した光束２を平行光にする。５，６の各々はガルバ
ノミラーであり、駆動装置７，８により駆動される。
【００１５】これらガルバノミラー５，６およびモータ
７，８により図２に示すようなラスタ走査が行われ、コ
リメーションレンズ４を透過して平行光にされた光束２
がマスク９（レチクルを含む）上のパターン領域１０に
相当するコリメーションレンズ１１上の範囲１２に照射
される。この場合、Ｘ方向の走査がガルバノミラー５に
より行われ、Ｙ方向の走査がガルバノミラー６により行
われる。
７，８により図２に示すようなラスタ走査が行われ、コ
リメーションレンズ４を透過して平行光にされた光束２
がマスク９（レチクルを含む）上のパターン領域１０に
相当するコリメーションレンズ１１上の範囲１２に照射
される。この場合、Ｘ方向の走査がガルバノミラー５に
より行われ、Ｙ方向の走査がガルバノミラー６により行
われる。
【００１６】コリメーションレンズ１１は光束２がマス
ク９上に形成されているパターン１０に垂直に照射する
ようにするものである。１３は投影光学系であり、マス
ク９を透過した光束２を基板１４上に結像させる。
ク９上に形成されているパターン１０に垂直に照射する
ようにするものである。１３は投影光学系であり、マス
ク９を透過した光束２を基板１４上に結像させる。
【００１７】上記露光光源１は露光光発生手段に対応
し、上記コリメーションレンズ４は平行光修正手段に対
応する。また、上記ガルバノミラー５，６は反射手段に
対応し、上記駆動装置７，８は駆動手段に対応する。ま
た、上記ガルバノミラー５，６および上記駆動装置７，
８は光軸変更手段５０を構成する。また、上記マスク９
はパターン基板に対応し、上記パターン１０は露光パタ
ーンに対応する。また、上記コリメーションレンズ１１
は垂直照射手段に対応し、上記投影光学系１３は投影光
学手段に対応する。
し、上記コリメーションレンズ４は平行光修正手段に対
応する。また、上記ガルバノミラー５，６は反射手段に
対応し、上記駆動装置７，８は駆動手段に対応する。ま
た、上記ガルバノミラー５，６および上記駆動装置７，
８は光軸変更手段５０を構成する。また、上記マスク９
はパターン基板に対応し、上記パターン１０は露光パタ
ーンに対応する。また、上記コリメーションレンズ１１
は垂直照射手段に対応し、上記投影光学系１３は投影光
学手段に対応する。
【００１８】ここで、本発明において、光の持つガウス
型強度分布による照度むらは、図３に示すように隣り合
う走査線の間隔ｄとビーム径Ｗｘによって決定すること
ができる。走査方向ｘに対して平行な光の横モードの強
度分布は、連続光として一定とし、走査方向ｘに対して
垂直方向ｙの走査線１本の横モード強度分布ｆ（ｘ）
は、ガウス分布に近似させ、断面の総エネルギーを１と
すると、式（１）で与えられる。この場合、ｘは露光光
中心からの距離である。
型強度分布による照度むらは、図３に示すように隣り合
う走査線の間隔ｄとビーム径Ｗｘによって決定すること
ができる。走査方向ｘに対して平行な光の横モードの強
度分布は、連続光として一定とし、走査方向ｘに対して
垂直方向ｙの走査線１本の横モード強度分布ｆ（ｘ）
は、ガウス分布に近似させ、断面の総エネルギーを１と
すると、式（１）で与えられる。この場合、ｘは露光光
中心からの距離である。
【００１９】
【数１】
【００２０】図３に示す断面１００において、式（１）
で示した強度分布を持つ光を間隔ｄで走査することによ
り得られる露光領域内の各点での合成した強度１０１
は、式（２）で与えられる。この場合、ｋは走査線の本
数である。
で示した強度分布を持つ光を間隔ｄで走査することによ
り得られる露光領域内の各点での合成した強度１０１
は、式（２）で与えられる。この場合、ｋは走査線の本
数である。
【００２１】
【数２】
【００２２】図４に、式（２）を用いて光の総エネルギ
ーを１、走査線の間隔ｄ＝１８ｍｍ、ビーム系Ｗｘ＝２
０ｍｍにした場合における基板上で合成された光強度の
軌跡を実線で示す。このときの照度むらΔＩは、最大光
強度Ｉに対して１％以下になる。
ーを１、走査線の間隔ｄ＝１８ｍｍ、ビーム系Ｗｘ＝２
０ｍｍにした場合における基板上で合成された光強度の
軌跡を実線で示す。このときの照度むらΔＩは、最大光
強度Ｉに対して１％以下になる。
【００２３】次に動作について説明する。露光光源１か
ら射出した光束２は、集光レンズ３により集光され、さ
らにコリメーションレンズ４により平行光にされる。そ
して、平行光にされた光束２はガルバノミラー５，６お
よび駆動装置７，８によるラスタ走査によりコリメーシ
ョンレンズ１１上の範囲１２に照射される。
ら射出した光束２は、集光レンズ３により集光され、さ
らにコリメーションレンズ４により平行光にされる。そ
して、平行光にされた光束２はガルバノミラー５，６お
よび駆動装置７，８によるラスタ走査によりコリメーシ
ョンレンズ１１上の範囲１２に照射される。
【００２４】この範囲１２に亘って照射された光束２は
コリメーションレンズ１１にてマスク９上に形成されて
いるパターン１０に垂直に照射される。そして、マスク
９を透過した光束２は投影光学系１３により基板１４上
に結像される。
コリメーションレンズ１１にてマスク９上に形成されて
いるパターン１０に垂直に照射される。そして、マスク
９を透過した光束２は投影光学系１３により基板１４上
に結像される。
【００２５】実施例２．この実施例は図５に示すよう
に、ガルバノミラー６と、このガルバノミラー６を駆動
する駆動装置８と、ポリゴンミラー１５と、このポリゴ
ンミラー１５を駆動する駆動装置１６とから構成される
光軸変更手段５１を有している点が上記実施例１と異な
っている。
に、ガルバノミラー６と、このガルバノミラー６を駆動
する駆動装置８と、ポリゴンミラー１５と、このポリゴ
ンミラー１５を駆動する駆動装置１６とから構成される
光軸変更手段５１を有している点が上記実施例１と異な
っている。
【００２６】この光軸変更手段５１は、コリメーション
レンズ４により平行光にされた光束２を図６に示すラス
タ走査によりパターン１０の領域に相当するコリメーシ
ョンレンズ１１上の範囲１２に照射する。この場合、Ｘ
方向の走査をポリゴンミラー１５により行い、Ｙ方向の
走査をガルバノミラー６により行う。
レンズ４により平行光にされた光束２を図６に示すラス
タ走査によりパターン１０の領域に相当するコリメーシ
ョンレンズ１１上の範囲１２に照射する。この場合、Ｘ
方向の走査をポリゴンミラー１５により行い、Ｙ方向の
走査をガルバノミラー６により行う。
【００２７】実施例３．この実施例は図７に示すよう
に、ポリゴンミラー１５，１７と、これらポリゴンミラ
ー１５，１７を駆動する駆動装置１６，１８とから構成
される光軸変更手段５２を有している点が上記実施例１
と異なっている。
に、ポリゴンミラー１５，１７と、これらポリゴンミラ
ー１５，１７を駆動する駆動装置１６，１８とから構成
される光軸変更手段５２を有している点が上記実施例１
と異なっている。
【００２８】この光軸変更手段５２は、コリメーション
レンズ４により平行光にされた光束２を図８に示すラス
タ走査によりパターン１０の領域に相当するコリメーシ
ョンレンズ１１上の範囲１２に照射する。この場合、Ｘ
方向の走査をポリゴンミラー１５により行い、Ｙ方向の
走査をポリゴンミラー１７により行う。
レンズ４により平行光にされた光束２を図８に示すラス
タ走査によりパターン１０の領域に相当するコリメーシ
ョンレンズ１１上の範囲１２に照射する。この場合、Ｘ
方向の走査をポリゴンミラー１５により行い、Ｙ方向の
走査をポリゴンミラー１７により行う。
【００２９】なお、上記実施例ではレクチルを含むマス
クを用いることから、電子ビーム描画装置のように基板
に直接描画する場合と比べて最小線幅に対して光を絞る
必要がない。したがって、線幅が細くなればなるほど描
画時間が長くなることはなく、スループットが悪くなる
ことはない。
クを用いることから、電子ビーム描画装置のように基板
に直接描画する場合と比べて最小線幅に対して光を絞る
必要がない。したがって、線幅が細くなればなるほど描
画時間が長くなることはなく、スループットが悪くなる
ことはない。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、隣り合う露光光の走査
間隔を制御することができるので、平行光とした露光光
でパターン領域を走査するようにしたので、露光基板全
面における露光光のガウス型強度分布による照度むらを
低減することができる。これにより、強度分を均一にす
るためのインテグレータと呼ばれる光学素子を照明光学
系から取り除くことができる。
間隔を制御することができるので、平行光とした露光光
でパターン領域を走査するようにしたので、露光基板全
面における露光光のガウス型強度分布による照度むらを
低減することができる。これにより、強度分を均一にす
るためのインテグレータと呼ばれる光学素子を照明光学
系から取り除くことができる。
【００３１】また、露光光を集合して用いるので、スペ
ックルノイズが殆ど生じない。さらに、基板を固定した
状態でマスク上のパターン領域に対して露光光のラスタ
走査を行うので、従来のレクチルを含むマスクと基板を
一体で移動を行うためのステージを必要とするミラープ
ロジェクション・アライナ方式と比べて装置全体の小型
化を図ることができる。
ックルノイズが殆ど生じない。さらに、基板を固定した
状態でマスク上のパターン領域に対して露光光のラスタ
走査を行うので、従来のレクチルを含むマスクと基板を
一体で移動を行うためのステージを必要とするミラープ
ロジェクション・アライナ方式と比べて装置全体の小型
化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る露光装置の一実施例を示す構成図
である。
である。
【図２】同実施例のラスタ走査を示す平面図である。
【図３】本発明に関する照度むらの決定方法を説明する
ための波形図である。
ための波形図である。
【図４】本発明に関する基板上に投影される露光の強度
を説明するための波形図である。
を説明するための波形図である。
【図５】本発明に係る露光装置の他の実施例を示す構成
図である。
図である。
【図６】同実施例のラスタ走査を示す平面図である。
【図７】本発明に係る露光装置の他の実施例を示す構成
図である。
図である。
【図８】同実施例のラスタ走査を示す平面図である。
１ 露光光源（露光光発生手段） ４ コリメーションレンズ（平行光修正手段） ５，６ ガルバノミラー（反射手段） ７，８，１６，１８ 駆動装置（駆動手段） ９ マスク １０ パターン領域 １１ コリメーションレンズ（垂直照射手段） １３ 投影光学系（投影光学手段） １５，１７ ポリゴンミラー（反射手段） ５０，５１，５２ 光軸変更手段
Claims (4)
- 【請求項１】 露光光を発生する露光光発生手段と、 前記露光光発生手段より発せられた露光光を平行光に修
正する平行光修正手段と、 前記平行光修正手段により平行光に修正された露光光の
進行方向を所定の範囲内で変化させる光軸変更手段と、 前記光軸変更手段により変化された露光光をマスク上の
パターン領域に対して垂直照射する垂直照射手段と、 前記マスクを透過した露光光を基板上に結像させる投影
光学手段と、 を備えたことを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前記露光光発生手段は、空間的にガウス
強度分布を有する露光光を発生するものであることを特
徴とする請求項１記載の露光装置。 - 【請求項３】 前記平行光修正手段は、コリメーション
レンズであることを特徴とする請求項１又は請求項２い
ずれかの項記載の露光装置。 - 【請求項４】 前記光軸変更手段は、２つの反射手段
と、これら反射手段を動作させる駆動手段とを有するこ
とを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３いずれ
かの項記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5144215A JPH06333801A (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5144215A JPH06333801A (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06333801A true JPH06333801A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=15356921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5144215A Pending JPH06333801A (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06333801A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002151391A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-05-24 | Canon Inc | 走査型露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2002162750A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Mitsutoyo Corp | 露光装置 |
| WO2007138834A1 (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法 |
| JP2015191132A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 輝度分布測定装置、描画装置および輝度分布測定方法 |
-
1993
- 1993-05-24 JP JP5144215A patent/JPH06333801A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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