JP5351900B2 - デバイス製造方法及び干渉リソグラフィ装置 - Google Patents
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Description
本出願は、2007年12月28日に出願された米国仮出願第61/006,185号の利益を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
[0024] 図1は、当技術分野でタルボ干渉計としてよく知られている干渉リソグラフィシステム100を示す。例えば、レーザ(図示せず)によって生成される、実質的に空間的かつ時間的にコヒーレントな光ビーム102が、ビームスプリッタ104(例えば、回折デバイス、回折格子、位相シフトビームスプリッタなど)に入射する。ビームスプリッタ104は、ビーム102を第1および第2ビーム106Aおよび106Bに分離する。次に、2つのビーム106Aおよび106Bは、それぞれお第1および第2反射面108Aおよび108Bによって基板110(例えば、加工物、ディスプレイなど。本明細書では基板と称する)の方に再誘導される。ビームスプリッタ104から基板110への各経路(例えば、a+cまたはb+d)は、干渉計100の「アーム」と呼ばれることがある。例示的な従来のタルボ干渉計には、米国特許第6、882、477号および第4、596、467号ならびに米国特許出願公開第2004−011092−A1号および第2005−0073671号が含まれ、その全体が参照により本明細書中に組み込まれる。
[0040] 図3は、ビームスプリッタ304、凹面ミラー308Aおよび308B、凸面ミラー310Aおよび310B、ならびに平面ミラー312Aおよび312Bを含む干渉計300を示す。例えば、光エレメント308A、310Aおよび312Aは、第1露光システムとすることができる。また、光エレメント308B、310Bおよび312Bは、第2露光システムとすることができる。ミラー308A〜312Aおよび308B〜312Bは、入射放射によって生成される熱による膨張を防ぐ低膨張ガラス上に形成されてよく、モリブデンおよびシリコンが交互に重なった層から形成されてもよい。一実施形態において、そのようなミラーは約66%の効率を有する。EUV302放射のコヒーレントビーム302は、ビームスプリッタ304に入射する。ビーム302は、シンクロトロンもしくはレーザアブレーションまたは高エネルギー放電などの従来のプラズマ源から生成され得る。ビームスプリッタ304は、EUV放射302のビームを第1ビーム306Aおよび第2ビーム306Bに分割する。第1ビーム306Aは、凹面ミラー308Aおよび凸面ミラー310Aによって平面ミラー312A上に反射され、この平面ミラー312Aはビーム306Aを基板301上に誘導する。同様に、第2ビーム306Bは、凹面ミラー308Bおよび凸面ミラー310Bによって平面ミラー312B上に反射され、この平面ミラー312Bはビーム306Bを基板301上に誘導する。一実施形態において、基板301は、図1を参照して説明した基板110または図2を参照して説明した基板210と実質的に同様である。通常、基板301は、干渉計300の焦点面内に位置決めされ、干渉パターン303が基板301の上面で形成される。リソグラフィの例において、干渉パターン303は、露光フィールド305にわたってフォトレジスト層(図3に表示せず)を露光する。再び、この説明を読み理解することにより当業者に明らかであるように、異なる技術を用いて書込み画像に対する基板310の移動を可能にするステージ、テーブルなど(図示せず)の上に基板310を配置して、基板301の表面全体のパターニングを可能にすることができることが明らかである。あるいは、基板301は静止状態のままでもよい。
[0058]図7は、方法700を示すフローチャートである。例えば、図3および図4に示す干渉リソグラフィツールを使用して基板上にパターンを描画する方法である。
[0067] 本発明の様々な実施形態を説明してきたが、それらは限定ではなく例としてのみ提示されたことが理解されるべきである。本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく、形態および詳細の様々な変更を本発明に加えることができることが当業者には明らかであろう。従って、本発明の範囲は上述の例示的実施形態のいずれによっても限定されるべきでなく、添付の特許請求の範囲および等価物によってのみ規定されるべきである。
Claims (12)
- 第1及び第2極端紫外線放射ビームを生成する工程(a)と、
露光ユニットを使用して前記第1及び第2極端紫外線放射ビームを基板上に投影することによって、前記第1及び第2極端紫外線放射ビームが互いに干渉して前記基板の露光フィールドで第1組の平行線を露光する工程(b)と、を含み、
前記工程(b)は、
第1組のミラーを使用して前記第1極端紫外線放射ビームを誘導し、かつ第2組のミラーを使用して前記第2極端紫外線放射ビームを誘導することによって、前記第1及び第2極端紫外線放射ビームが、前記露光フィールドの全幅にわたって実質的に互いに空間的かつ時間的にコヒーレントであるように前記第1及び第2極端紫外線放射ビームの各経路長が前記露光フィールドで実質的に等しくなることを含む、デバイス製造方法。 - 前記工程(b)は、
前記第1組のミラー及び前記第2組のミラーを使用して、前記第1及び第2極端紫外線放射ビームをそれぞれ低減する、拡大する、又は縮小することを更に含む、請求項1に記載のデバイス製造方法。 - 前記工程(a)は、
極端紫外線放射ビームを分割して、前記第1及び第2極端紫外線放射ビームを生成することを含む、請求項1又は請求項2に記載のデバイス製造方法。 - 前記工程(a)は、
前記基板の法線ベクトルを含む平面に平行でない極端紫外線放射ビームを受けることを更に含み、
前記極端紫外線放射ビームは、前記第1極端紫外線放射ビームを分割するために使用されるビームスプリッタのラインに対して実質的に垂直であり、それによって前記ビームスプリッタのトポグラフィによって生じるシャドーイングが実質的に低減又は除去される、請求項3に記載のデバイス製造方法。 - 前記工程(a)は、
極端紫外線放射ビームを回折させて前記第1及び第2極端紫外線放射ビームを生成することを含む、請求項1又は請求項2に記載のデバイス製造方法。 - 前記基板を90度に等しい又は実質的に等しい角度で回転させることと、
第3及び第4極端紫外線放射ビームを生成することと、
前記露光ユニットを使用して前記第3及び第4極端紫外線放射ビームを前記基板上に投影することによって、前記第3及び第4極端紫外線放射ビームが互いに干渉して前記基板のターゲット領域上で第2組の平行線を露光することと、を更に含み、
前記第2組の平行線は、前記第1組の平行線に対して実質的に垂直である、請求項1乃至請求項5のうち何れか1項に記載のデバイス製造方法。 - 請求項1乃至請求項6のうち何れか1項に記載のデバイス製造方法から得られるパターンをトリムしてフィーチャを形成すること、を更に含む、デバイス製造方法。
- 第3及び第4極端紫外線放射ビームを生成することと、
前記露光ユニットを使用して前記第3及び第4極端紫外線放射ビームを前記基板上に投影することによって、前記第3及び第4極端紫外線放射ビームが互いに干渉して前記基板のターゲット領域上で第2組の平行線を露光することと、を更に含み、
前記第2組の平行線は、それぞれ前記第1組の平行線の間で、前記第1組の平行線に対して平行である、請求項1乃至請求項5のうち何れか1項に記載のデバイス製造方法。 - 前記工程(b)は、
前記露光ユニットを使用して前記第1及び第2極端紫外線放射ビームを前記基板上に投影することによって、前記第1及び第2極端紫外線放射ビームが互いに干渉して基板のターゲット領域上で矩形を露光することと、
ラインが前記基板上に露光されるように、前記露光ユニットに対して前記基板を移動させることと、
を更に含む、請求項1乃至請求項5のうち何れか1項に記載のデバイス製造方法。 - 第1極端紫外線放射ビームを受け、かつ基板上の露光フィールド上に前記第1極端紫外線放射ビームを誘導する第1露光システムであって、第1ビーム幅調整システムを含む第1露光システムと、
第2極端紫外線放射ビームを受け、かつ前記基板上の前記露光フィールド上に前記第2極端紫外線放射ビームを誘導し、それによって前記第1及び第2極端紫外線放射ビームが互いに干渉して前記基板の前記露光フィールドで第1組の平行線を露光する第2露光システムであって、第2ビーム幅調整システムを含む第2露光システムと、を含み、
前記第1及び第2ビーム幅調整システムは、それぞれ前記第1及び第2極端紫外線放射ビームの幅を調整し、それによって前記第1及び第2極端紫外線放射ビームのそれぞれの経路長は、前記第1及び第2極端紫外線放射ビームが前記露光フィールドの全幅にわたって実質的に互いに空間的かつ時間的にコヒーレントであるように、前記露光フィールドで実質的に等しくなる、干渉リソグラフィ装置であって、
前記第1露光システムは、第1組のミラーを使用して前記第1極端紫外線放射ビームを誘導し、前記第2露光システムは、第2組のミラーを使用して前記第2極端紫外線放射ビームを誘導することによって、前記第1及び第2極端紫外線放射ビームが、前記露光フィールドの全幅にわたって実質的に互いに空間的かつ時間的にコヒーレントであるように前記第1及び第2極端紫外線放射ビームの各経路長が前記露光フィールドで実質的に等しくなる、干渉リソグラフィ装置。 - 前記露光フィールドにわたって形成される縞のコントラストを検知し、かつ信号を生成するディテクタと、
前記信号を受信し、かつ当該信号から制御信号を生成するコントローラと、
前記第1ビーム幅調整システムのエレメントの位置、形状、または向きを調整して、前記制御信号に基づく前記露光フィールドのコントラストを高めるアクチュエータと、を更に含む、請求項10に記載の干渉リソグラフィ装置。 - 前記基板上に形成されたラインのピッチを調整するために、前記第1ビーム幅調整システムのエレメントを交換する、又は前記第1ビーム幅調整システムのエレメントを変形させるアクチュエータを更に含む、請求項10又は請求項11に記載の干渉リソグラフィ装置。
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