KR20100082941A - 박막 트랜지스터 및 그를 구비하는 평판 표시 장치 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 42
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 5
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005265 GaInZnO Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 InO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016048 MoW Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007717 ZnSnO Inorganic materials 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/782—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, each consisting of a single circuit element
- H01L21/786—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, each consisting of a single circuit element the substrate being other than a semiconductor body, e.g. insulating body
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
|
문턱전압(V) | 이동도(㎠/Vs) | S-슬롭(V/Dec) | |||
평균 | 표준편차 | 평균 | 표준편차 | 평균 | 표준편차 | |
Mo/ZnO | 1.86 | 0.17 | 7.76 | 1.67 | 0.43 | 0.02 |
Cu/Ti/ZnO | 1.25 | 0.10 | 15.45 | 1.23 | 0.52 | 0.03 |
Claims (17)
- 기판;상기 기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극을 포함하는 상부에 형성된 게이트 절연층;상기 게이트 전극을 포함하는 상기 게이트 절연층 상에 형성된 산화물 반도체층;상기 산화물 반도체층의 소스 영역 및 드레인 영역에 형성된 티타늄층; 및상기 티타늄층을 통해 상기 소스 영역 및 드레인 영역과 연결되며, 구리로 이루어진 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판 상에 형성된 버퍼층을 더 포함하는 박막 트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서, 상기 산화물 반도체층은 산화아연(ZnO)을 포함하는 박막 트랜지스터.
- 제 3 항에 있어서, 상기 산화물 반도체층에 갈륨(Ga), 인듐(In), 스태늄(Sn), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 은(Ag), 구리(Cu), 게르마늄(Ge), 가돌리늄(Gd) 및 바나듐(V) 중 적어도 하나의 이온이 도핑된 박막 트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서, 상기 티타늄층이 상기 소스 및 드레인 전극의 하부면 전체와 중첩되는 박막 트랜지스터.
- 제 1 도전선과 제 2 도전선에 의해 화소가 정의되고, 각 화소로 공급되는 신호를 제어하는 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터와 연결된 제 1 전극이 형성된 제 1 기판;제 2 전극이 형성된 제 2 기판; 및상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이의 밀봉된 공간에 주입된 액정층을 포함하며,상기 박막 트랜지스터는 상기 제 1 기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극을 포함하는 상부에 형성된 게이트 절연층;상기 게이트 전극을 포함하는 상기 게이트 절연층 상에 형성된 산화물 반도체층;상기 산화물 반도체층의 소스 영역 및 드레인 영역에 형성된 티타늄층; 및상기 티타늄층을 통해 상기 소스 영역 및 드레인 영역과 연결되며, 구리로 이루어진 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 평판 표시 장치.
- 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 기판 상에 형성된 버퍼층을 더 포함하는 평판 표시 장치.
- 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 도전선 또는 상기 제 2 도전선이 구리로 형성된 평판 표시 장치.
- 제 6 항에 있어서, 상기 산화물 반도체층은 산화아연(ZnO)을 포함하는 평판 표시 장치.
- 제 9 항에 있어서, 상기 산화물 반도체층에 갈륨(Ga), 인듐(In), 스태늄(Sn), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 은(Ag), 구리(Cu), 게르마늄(Ge), 가돌리늄(Gd) 및 바나듐(V) 중 적어도 하나의 이온이 도핑된 평판 표시 장치.
- 제 6 항에 있어서, 상기 티타늄층이 상기 소스 및 드레인 전극의 하부면 전체와 중첩되는 평판 표시 장치.
- 제 1 도전선 및 제 2 도전선, 상기 제 1 도전선 및 제 2 도전선 사이에 연결된 박막 트랜지스터, 및 상기 박막 트랜지스터와 연결되며 제 1 전극, 유기 박막층 및 제 2 전극으로 이루어진 유기전계발광 소자가 형성된 제 1 기판; 및상기 제 1 기판에 대향되도록 배치된 제 2 기판을 포함하며,상기 박막 트랜지스터는 상기 제 1 기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극을 포함하는 상부에 형성된 게이트 절연층;상기 게이트 전극을 포함하는 상기 게이트 절연층 상에 형성된 산화물 반도체층;상기 산화물 반도체층의 소스 영역 및 드레인 영역에 형성된 티타늄층; 및상기 티타늄층을 통해 상기 소스 영역 및 드레인 영역과 연결되며, 구리로 이루어진 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 평판 표시 장치.
- 제 12 항에 있어서, 상기 제 1 기판 상에 형성된 버퍼층을 더 포함하는 평판 표시 장치.
- 제 12 항에 있어서, 상기 제 1 도전선 또는 상기 제 2 도전선이 구리로 형성된 평판 표시 장치.
- 제 12 항에 있어서, 상기 산화물 반도체층은 산화아연(ZnO)을 포함하는 평판 표시 장치.
- 제 15 항에 있어서, 상기 산화물 반도체층에 갈륨(Ga), 인듐(In), 스태늄(Sn), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 은(Ag), 구리(Cu), 게르마늄(Ge), 가돌리늄(Gd) 및 바나듐(V) 중 적어도 하나의 이온이 도핑된 평판 표시 장치.
- 제 12 항에 있어서, 상기 티타늄층이 상기 소스 및 드레인 전극의 하부면 전 체와 중첩되는 평판 표시 장치.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090002243A KR101048996B1 (ko) | 2009-01-12 | 2009-01-12 | 박막 트랜지스터 및 그를 구비하는 평판 표시 장치 |
US12/654,939 US20100176394A1 (en) | 2009-01-12 | 2010-01-08 | Thin film transistor and flat panel display device having the same |
US13/922,785 US20130277660A1 (en) | 2009-01-12 | 2013-06-20 | Thin film transistor and flat panel display device having the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090002243A KR101048996B1 (ko) | 2009-01-12 | 2009-01-12 | 박막 트랜지스터 및 그를 구비하는 평판 표시 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100082941A true KR20100082941A (ko) | 2010-07-21 |
KR101048996B1 KR101048996B1 (ko) | 2011-07-12 |
Family
ID=42318415
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090002243A KR101048996B1 (ko) | 2009-01-12 | 2009-01-12 | 박막 트랜지스터 및 그를 구비하는 평판 표시 장치 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20100176394A1 (ko) |
KR (1) | KR101048996B1 (ko) |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100176394A1 (en) | 2010-07-15 |
KR101048996B1 (ko) | 2011-07-12 |
US20130277660A1 (en) | 2013-10-24 |
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---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170704 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180702 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190701 Year of fee payment: 9 |