KR20100082793A - 화상 형성 방법, 광 투과성 전자파 차폐재의 제조 방법, 및 광 투과성 전자파 차폐재 - Google Patents

Abstract

본 발명은 단선이 없는 메쉬 형상의 화상을 간이하게 형성하는 것이 가능한 화상 형성 방법을 제공하는 것; 및 단선이 없는 메쉬 형상의 도전층을 갖는, 전자파 차폐성이 우수한 광 투과성 전자파 차폐재를 간이하게 제조하는 방법을 제공하는 것이다. 또한, 표면의 오목부의 패턴이 메쉬 형상인 실린더를 사용하는 오목판 인쇄에 의해, 화상 형성용 잉크를 기판의 표면에 패턴 인쇄하여 메쉬 형상 화상을 형성하는 공정을 포함하는 화상 형성 방법에 있어서, 실린더 표면의 메쉬 형상 패턴의 메쉬의 교점 부분에서의 오목부의 저부의 면적이 감축되어 있는 것을 특징으로 하는 화상 형성 방법; 및 표면의 오목부의 패턴이 메쉬 형상인 실린더를 사용하는 오목판 인쇄에 의해, 무전해 도금 전처리제를 투명 기판의 표면에 패턴 인쇄하여 메쉬 형상 전처리층을 형성하는 공정, 및 전처리층 상에, 무전해 도금 처리에 의해 메쉬 형상의 금속 도전층을 형성하는 공정을 포함하는 광 투과성 전자파 차폐재의 제조 방법이며, 실린더 표면의 메쉬 형상 패턴의 메쉬의 교점 부분에서의 오목부의 저부의 면적이 감축되어 있는 것을 특징으로 하는 제조 방법이다.

Description

화상 형성 방법, 광 투과성 전자파 차폐재의 제조 방법, 및 광 투과성 전자파 차폐재 {METHOD FOR FORMING IMAGE, METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT-TRANSMISSIVE ELECTROMAGNETIC SHIELDING MATERIAL, AND LIGHT-TRANSMISSIVE ELECTROMAGNETIC SHIELDING MATERIAL}

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 전방면 필터나, 병원 등의 전자파 차폐를 필요로 하는 건축물의 창에 사용되는 광 투과성 전자파 차폐재의 도전층의 형성에 유리하게 이용할 수 있는 화상 형성 방법 및 광 투과성 전자파 차폐재의 제조 방법, 및 광 투과성 전자파 차폐재에 관한 것이다.

최근, 디스플레이는 대형 화면 표시가 주류가 되고, 대형 화면 표시 디바이스로서, 액정 디스플레이와 함께 PDP가 일반화되어 오고 있다. PDP는 액정 디스플레이에 비하여 응답 속도가 빠른 등의 이점을 갖는다. 그러나, 이 PDP에서는 화상 표시를 위해 발광부에서 고주파 펄스 방전을 행하고 있기 때문에, 불필요한 전자파의 복사나 적외선 리모콘 등의 오동작의 원인으로도 되는 적외선의 복사 우려가 있으며, 이로 인해, 이것들을 방지할 목적으로 PDP에 대하여 도전성을 갖는 다양한 PDP 필터(전자파 차폐성 광 투과 창 재료)가 제안되어 있다. 이 전자파 차폐성 광 투과 창 재료의 도전층으로서는, 예를 들어 (1) 금속 은을 포함하는 투명 도전 박막, (2) 금속선 또는 도전성 섬유를 망 형상으로 한 도전 메쉬, (3) 투명 필름 상의 동박 등의 층을 망 형상으로 에칭 가공하여 개구부를 형성한 것, (4) 투명 필름 상에 도전성 잉크를 메쉬 형상으로 인쇄한 것 등이 알려져 있다.

그러나, (1)의 투명 도전 박막은 도전성이 충분히 얻어지지 않으며, 또한 (2)의 도전 메쉬는 일반적으로 양호한 광 투과성을 얻을 수 없다는 결점이 있었다. (3)의 에칭 가공 및 (4)의 패턴 인쇄에 의해, 원하는 메쉬 형상의 도전층을 형성할 수 있기 때문에, 선폭이나 간격, 그물코 형상의 자유도는 도전성 메쉬에 비하여 각별히 크고, 선폭 200㎛ 이하, 개구율 75% 이상의 세선이고 개구율이 높은 메쉬 형상의 도전층이라도 형성 가능하다. 단, (3)에서는 에칭 가공에 있어서 설비가 필요하고, 또한 공정이 번잡하여 고비용으로 된다는 불리함이 있다. 한편, (4) 메쉬 형상의 패턴 인쇄는 상기 도전층의 형성이 특히 용이하고 유리하며, 이러한 세선이고 눈이 거친 도전층을 형성한 도전성 인쇄막이라면, 양호한 광 투과성을 얻을 수 있음과 함께, 무아레 현상을 방지할 수 있다.

이러한 도전층의 제조 방법은, 예를 들어 특허문헌 1(일본 특허 제3017988호)에 기재되어 있다. 이 방법에서는 잉크 이형성이 우수한 실린더를 사용한 오목판 오프셋 인쇄에 의해, 금속 분말과 수지를 함유하는 도전성 잉크를 투명 기판의 표면에 인쇄하여 특정한 치수의 패턴을 형성한 후, 이 패턴을 경화시키고, 계속해서 전기 도금에 의해 상기 패턴의 표면에만 금속 피막을 형성하고 있다. 즉, 오목판 오프셋 인쇄한 특정한 치수의 패턴(도전 피막)에 전기 도금을 행함으로써, 종래의 스크린 인쇄법이나 그라비아 인쇄법으로 선폭 50㎛ 이하의 패턴을 인쇄한 경우에 발생하는, 패턴 선폭의 편차나 단선 등의 문제를 해소한다고 하는 것이다.

일본 특허 제3017988호

그러나, 본 발명자의 검토에 따르면, 상기와 같은 오목판 인쇄로 메쉬 형상의 도전성 잉크의 층을 형성한 경우에도, 메쉬의 교점부에 도전성 잉크의 층이 양호하게 형성되지 않는 경우가 있어, 이러한 층 위에 전기 도금을 실시하여도 충분한 도전성을 얻을 수 없는 것이 명확해졌다.

따라서, 본 발명의 목적은, 단선이 없는 메쉬 형상의 화상을 간이하게 형성하는 것이 가능한 화상 형성 방법을 제공하는 데에 있다.

또한, 본 발명의 목적은, 단선이 없는 메쉬 형상의 도전층을 갖는, 전자파 차폐성이 우수한 광 투과성 전자파 차폐재를 간이하게 제조하는 것이 가능한 광 투과성 전자파 차폐재의 제조 방법을 제공하는 데에 있다.

또한, 본 발명의 목적은, 단선이 없는 메쉬 형상의 도전층을 갖고 또한 개구율이 높으며, 따라서 전자파 차폐성, 광 투과성 및 시인성이 우수한 광 투과성 전자파 차폐재를 간이하게 제조하는 것이 가능한 광 투과성 전자파 차폐재의 제조 방법을 제공하는 데에 있다.

또한, 본 발명의 목적은, 상기 단선이 없는 메쉬 형상의 도전층을 갖는, 전자파 차폐성이 우수한 광 투과성 전자파 차폐재를 제공하는 데에 있다.

본 발명은,

표면의 오목부의 패턴이 메쉬 형상인 실린더를 사용하는 오목판 인쇄에 의해, 화상 형성용 재료를 기판의 표면에 패턴 인쇄하여, 메쉬 형상 화상을 형성하는 공정을 포함하는 화상 형성 방법에 있어서,

실린더 표면의 메쉬 형상 패턴의 메쉬의 교점 부분에서의 오목부의 저부의 면적이 감축되어 있는 것을 특징으로 하는 화상 형성 방법에 관한 것이다.

상기 본 발명의 화상 형성 방법의 바람직한 형태를 이하에 열거한다.

(1) 오목부 저부의 면적 감축 전에서의, 메쉬 형상 패턴의 볼록부의 표면 형상이 사각형이며, 또한 사각형의 모서리의 정점이 연장됨으로써, 교점 부분에서의 오목부의 저부의 면적이 감축되어 있다. 이에 의해, 얻어지는 화상의 교점 부분에서의 화상의 결락이 크게 감소 또는 없어진다.

(2) 상기 교점 부분에서의, 마주 대하는 사각형의 모서리의 정점간의 거리(L)가 30㎛ 이하(특히 10 내지 30㎛)이다. 얻어지는 화상의 교점 부분에서의 화상의 결락이 크게 감소 또는 없어지게 하기 위해 특히 유효하다.

(3) 상기 교점 부분에서의, 마주 대하는 사각형의 모서리부가, 예각의 이등변 삼각형의 형상을 갖고, 또한 그의 저변의 길이(a)가 30㎛ 이하(특히 10 내지 30㎛)이다. 얻어지는 화상의 교점 부분에서의 화상의 결락이 크게 감소 또는 없어지게 하기 위해 특히 유효하다.

(4) 오목판 인쇄가 그라비아 인쇄 혹은 그라비아 오프셋 인쇄이다. 정밀도가 높은 인쇄가 가능하다.

또한, 본 발명은,

표면의 오목부의 패턴이 메쉬 형상인 실린더를 사용하는 오목판 인쇄에 의해, 무전해 도금 전처리제를 투명 기판의 표면에 패턴 인쇄하여, 메쉬 형상 전처리층을 형성하는 공정, 및

전처리층 상에, 무전해 도금 처리에 의해 메쉬 형상의 금속 도전층을 형성하는 공정

을 포함하는 광 투과성 전자파 차폐재의 제조 방법이며,

실린더 표면의 메쉬 형상 패턴의 메쉬의 교점 부분에서의 오목부의 저부의 면적이 감축되어 있는 것을 특징으로 하는 제조 방법에 관한 것이기도 하다.

상기 본 발명의 광 투과성 전자파 차폐재의 제조 방법의 바람직한 형태를 이하에 열거한다.

(1) 무전해 도금 전처리제가, 복합 금속 산화물 및/또는 복합 금속 산화물 수화물과 합성 수지를 포함하는 액이다. 상기 방법에 있어서, 특히 적합하다.

(2) 무전해 도금 전처리제가, 실란 커플링제와 아졸계 화합물의 혼합물 또는 반응 생성물, 및 귀금속 화합물을 포함하는 액이다.

(3) 무전해 도금을 행한 후, 또한 전해 도금을 행한다. 우수한 도전성이 얻어진다.

상기 화상 형성 방법의 바람직한 형태 (1) 내지 (4)도, 이 제조 방법에 적용할 수 있다.

또한, 본 발명은,

표면의 오목부의 패턴이 메쉬 형상인 실린더를 사용하는 오목판 인쇄에 의해, 금속 미립자 및 결합제 수지를 포함하는 도전성 잉크를 투명 기판의 표면에 패턴 인쇄하여 메쉬 형상 도전층을 형성하는 공정을 포함하는 광 투과성 전자파 차폐재의 제조 방법에 있어서,

실린더 표면의 메쉬 형상 패턴의 메쉬의 교점 부분에서의 오목부의 저부의 면적이 감축되어 있는 것을 특징으로 하는 제조 방법에 관한 것이기도 하다.

상기 본 발명의 광 투과성 전자파 차폐재의 제조 방법의 바람직한 형태를 이하에 열거한다.

(1) 상기 메쉬 형상 도전층 상에 전해 도금을 행한다.

상기 화상 형성 방법의 바람직한 형태 (1) 내지 (4)도, 이 제조 방법에 적용할 수 있다.

또한, 본 발명은,

투명 기판, 및 그 위에 형성된 메쉬 형상의 금속 도전층을 갖고,

메쉬 형상 패턴의 메쉬의 교점 부분에서의 면적이 감축되어 있는 것을 특징으로 하는 광 투과성 전자파 차폐재에 관한 것이기도 하다.

상기 본 발명의 광 투과성 전자파 차폐재의 바람직한 형태를 이하에 열거한다.

(1) 투명 기판과 금속 도전층 사이에 메쉬 형상의 전처리층이 형성되어 있다.

(2) 메쉬의 교점 부분에서의 형상이 사각형이며, 또한 사각형의 모서리가 오목해짐으로써, 교점 부분에서의 오목부의 저부의 면적이 감축되어 있다.

본 발명의 광 투과성 전자파 차폐재 및 상기 본 발명의 제조 방법에 의해 얻어지는 광 투과성 전자파 차폐재는 디스플레이용 필터, 특히 플라즈마 디스플레이 패널용 필터에 유리하게 사용할 수 있다.

본 발명의 화상 형성 방법에서는, 오목판 인쇄에서 사용하는 실린더 표면의 오목부의 패턴(모양)이 메쉬 형상이며, 그 메쉬의 교점 부분에서의 오목부의 저부의 면적이 감축되어 있다. 이에 의해, 인쇄된 메쉬 형상의 화상에 있어서, 그 교점 부분에 화상의 결손이 거의 없어지기 때문에, 선명한 메쉬 화상이 얻어진다.

본 발명의 광 투과성 전자파 차폐재의 제조 방법은, 상기 화상 형성 방법을 이용하고 있기 때문에, 이에 의해 형성되는 메쉬 형상 도전층은, 그 교점 부분에 도전층의 결손이 거의 없어지기 때문에, 메쉬 형상 도전층의 교점부의 단선이 거의 없다. 따라서, 이와 같이 하여 얻어지는 광 투과성 전자파 차폐재는, 우수한 도전성이 얻어짐과 함께, 양호한 외관도 가져온다. 또한, 단선이 없어지기 때문에, 메쉬의 선폭을 작게 하는 것이 가능해지므로, 우수한 전자파 차폐성을 갖고, 개구율이 높은, 즉 투명성이 우수한 광 투과성 전자파 차폐재도 얻을 수 있다.

따라서, 본 발명의 제조 방법에 의해 얻어지는 광 투과성 전자파 차폐재는, 우수한 전자파 차폐성을 갖고, 개구율이 높은, 즉 투명성이 우수한 것이라고 할 수 있다.

도 1은, 본 발명의 광 투과성 전자파 차폐재의 제조 방법의 일례를 설명하기 위한 개략 단면도.
도 2는, 실린더(11) 표면의 오목부의 패턴을 도시하는 도면.
도 3은, 도 2의 오목부의 패턴의 부분 확대도.
도 4는, 본 발명의 광 투과성 전자파 차폐재의 제조 방법의 대표적인 일례를 도시하는 개략 단면도.
도 5는, 본 발명의 광 투과성 전자파 차폐재의 제조 방법의 다른 일례를 도시하는 개략 단면도.
도 6은, 본 발명의 광 투과성 전자파 차폐재의 제조 방법의 다른 일례를 도시하는 개략 단면도.

본 발명의 화상 형성 방법, 광 투과성 전자파 차폐재의 제조 방법 및 광 투과성 전자파 차폐재에 대하여, 도면을 참조하면서 설명한다.

도 1에, 본 발명의 광 투과성 전자파 차폐재의 제조 방법의 대표적인 일례를 설명하기 위한 개략 단면도를 도시한다.

도 1에는, 오목판 인쇄의 1종인 그라비아 인쇄에 의해, 무전해 도금 전처리제를 투명 기판의 표면에 인쇄하여 메쉬 형상의 전처리층을 형성하는 공정이 도시되어 있다. 표면에 새겨 넣어진 메쉬 패턴을 갖는 실린더(11)를 화살표 방향으로 회전시키고, 그의 메쉬 패턴면에, 무전해 도금 전처리제(12)를 닥터 블레이드(15)에 의해 부여하고, 이에 의해 무전해 도금 전처리제(12)는 새겨 넣어진 메쉬 패턴의 오목부에 유지된다. 회전하는 무전해 도금 전처리제(12)를 갖는 실린더(11)는, 롤(16)에 의해 반송된 투명 기판(14)과 접함으로써, 새겨 넣어진 메쉬 형상의 오목부의 무전해 도금 전처리제(12)가, 투명 기판(14)의 표면에 전사되고, 전처리제층(건조 후, 전처리층으로 됨)이 형성된다.

상기 공정에 있어서, 무전해 도금 전처리제 대신에 도전성 잉크를 사용하면, 도전층을 형성할 수 있다. 상기 공정은, 상기의 전처리제, 도전성 잉크뿐만 아니라, 화상 형성용 잉크 등의 화상 형성 재료를 사용하여 화상 형성에 이용할 수 있다.

상기 형성된 전처리제층을 건조시키고(용이하게 용제가 증발하는 경우에는 하지 않아도 됨), 얻어진 전처리층 상에는 무전해 도금이 실시된다. 이에 의해 메쉬 형상 금속 도전층이 얻어진다. 또한, 도전성 잉크를 사용한 경우에는, 도전층이 형성되고, 필요에 따라 전기 도금 등이 실시된다.

본 발명에서는 실린더(11) 표면의 오목부의 패턴이 메쉬 형상이며, 그 메쉬의 교점 부분에서의 오목부의 저부의 면적이 감축되어 있다. 이에 의해, 전처리제층을 건조시킴으로써 얻어지는 전처리층의 교점부는, 단선이 거의 보이지 않고, 이로 인해 메쉬의 선폭을 작게 하는 것이 가능해진다. 오목부의 저부의 면적이 감축되어 있지 않은 실린더를 사용하면, 교점부의 중앙 부근에 전처리층의 결손 부분이 발생하기 쉽고, 얻어지는 도전층도 결손 부분이 발생한다. 따라서, 본 발명의 제조 방법에 의해 얻어지는 광 투과성 전자파 차폐재는, 상기 결손이 없기 때문에, 양호한 도전성을 가짐과 함께 외관도 양호하다.

실린더(11) 표면의 볼록부 표면 형상은, 일반적으로 각각 다각형이며, 삼각형, 사각형, 오각형, 육각형 등, 어떠한 다각형이어도 되지만, 메쉬 형성이 용이하기 때문에 사각형이 바람직하다.

바람직한 실린더(11) 표면의 오목부의 패턴을 도 2에 도시한다. 도 2는, 실린더(11) 표면을 위에서 본 평면도이며, 다수의 볼록부 표면(17)이 규칙적으로 배열되어 있고, 이들의 간극(오목부)(18)에 의해 메쉬가 형성되고, 그리고 이 간극(오목부)(18)의 교점 부분(18')의 면적이 감축되어 있다. 볼록부 표면(17)의 형상은, 그의 표면적이 증대하기 전에 있어서는 사각형이다. 화살표는 실린더의 회전 방향(즉, 인쇄 방향)이고, 도 2에 도시한 바와 같이 사각형의 모든 모서리가 증대되어 있지만, 적어도 실린더의 회전 방향(즉, 닥터 블레이드(15)의 긁어냄 방향에 대하여 수직 방향)에 있어서 대향하는 2개의 모서리의 면적이 증대되어 있으면 된다.

도 2의 오목부의 패턴의 부분 확대도를 도 3에 도시한다(화살표는 실린더의 회전 방향(즉, 인쇄 방향)임). 여기에서는 교점 부분의 오목부 면적의 감축을 어느 정도 행하는 것이 바람직한지가 도시되어 있다. 즉, 볼록부 표면(17)의 형상은 그의 표면적이 증대하기 전에는 사각형이며, 점선부로 나타내어진 모서리부를 갖는다. 오목부의 교점 부분에서, 마주 대하는 볼록부의 사각형의 모서리의 정점이 연장되어 있고(이에 의해 교점 부분의 오목부 면적이 감축됨), 그리고 그 정점간의 거리(L)가 32㎛ 이하, 또한 30㎛ 이하, 특히 10 내지 30㎛인 것이 바람직하다. 이에 의해, 얻어지는 화상의 교점 부분에서의 화상의 결락이 크게 감소 또는 없어지기 쉽다. 또한, 교점 부분에서의, 마주 대하는 볼록부의 사각형의 모서리부가, 도 3에 도시한 바와 같이 예각의 이등변 삼각형의 형상을 갖고 있는 것이 바람직하다. 이 이등변 삼각형의 저변의 길이(a)도 32㎛ 이하, 또한 30㎛ 이하, 특히 10 내지 30㎛인 것이 바람직하다. 이에 의해, 얻어지는 화상의 교점 부분에서의 화상의 결락이 크게 감소 또는 없어지기 쉬워진다. 상기 이등변 삼각형의 형상은, 거의 이등변 삼각형이면 되며, 예를 들어 예각의 각도는 90도 미만 20도 이상이고, 이등변의 두변은 거의 동등하며, 예를 들어 10:8 내지 8:10이다. 또한, 모서리부의 증대 부분의 형상은, 이등변 삼각형에 가까운 타원 형상이어도 된다.

상기 오목판 인쇄는 그라비아 인쇄 혹은 그라비아 오프셋 인쇄인 것이 바람직하며, 이에 의해 정밀도가 높은 인쇄가 가능하다.

본 발명은, 광 투과성 전자파 차폐재의 제조 방법은, 바람직하게는 하기의 3가지 방법:

(A) 무전해 도금 전처리제로서, 복합 금속 산화물 및/또는 복합 금속 산화물 수화물과 합성 수지를 포함하는 액을 사용하여 패턴 인쇄하여 메쉬 형상 전처리층을 형성하는 공정, 및

전처리층 상에, 무전해 도금 처리에 의해 메쉬 형상의 금속 도전층을 형성하는 공정

을 포함하는 제조 방법;

(B) 무전해 도금 전처리제로서, 실란 커플링제와 아졸계 화합물의 혼합물 또는 반응 생성물, 및 귀금속 화합물을 포함하는 액을 사용하여 패턴 인쇄하여 메쉬 형상 전처리층을 형성하는 공정, 및

전처리층 상에, 무전해 도금 처리에 의해 메쉬 형상의 금속 도전층을 형성하는 공정

을 포함하는 제조 방법; 및

(C) 금속 미립자 및 결합제 수지를 포함하는 도전성 잉크를 투명 기판의 표면에 패턴 인쇄하여 메쉬 형상 도전층을 형성하는 공정을 포함하는 광 투과성 전자파 차폐재의 제조 방법

을 이용하는 것이 바람직하다. 각 방법에 대하여, 이하에 상세하게 설명한다.

우선, 상기 (A)의 본 발명의 전자파 차폐성 광 투과 창 재료의 제조 방법을, 도면을 참조하여 설명한다.

도 4에 본 발명에서 적합한 메쉬 형상의 금속 도전층의 형성 방법 (A)를 설명하는 개략 단면도를 도시한다. 우선, (A1), (A2)에 도시한 바와 같이 투명 필름 등의 투명 기판(41) 상에, 복합 금속 산화물 및/또는 복합 금속 산화물 수화물과 합성 수지를 포함하는 무전해 도금 전처리제를 본 발명의 방법에 따라 메쉬 형상으로 인쇄하고, 건조 후, 투명 기판(41) 상에 메쉬 형상의 전처리층(42)을 형성한다. 그리고, 전처리층(42)에 무전해 도금을 행함으로써, 상기 전처리층(42) 상에 금속 등의 도전 재료로 이루어지는 메쉬 형상의 금속 도전층(43)을 형성한다.

복합 금속 산화물 및/또는 복합 금속 산화물 수화물과 합성 수지를 포함하는 무전해 도금 전처리제는 상기와 같이 특정한 형상의 오목판을 사용한 오목판 인쇄에 의해 인쇄되기 때문에, 무전해 도금 전처리제를 거의 설계대로의 치수의 형상으로 인쇄하는 것이 가능해진다(일반적으로, 메쉬의 교점의 형상의 면적이 약간 작아지는 경향이 있음). 따라서, 줄무늬나 흐려짐의 발생이 없는, 미세한 패턴을 갖는 메쉬 형상의 전처리층을 고정밀하게 형성하는 것이 가능해진다. 이러한 메쉬 형상의 전처리층 상에 무전해 도금 처리를 행함으로써, 선폭이 작은 미세한 메쉬 형상의 금속 도전층을 형성하는 것이 가능해진다.

상기 무전해 도금 전처리제에 사용되는 복합 금속 산화물 및 복합 금속 산화물 수화물로서는, Pd, Ag, Si, Ti 및 Zr로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 2종의 금속 원소를 포함하는 것이 바람직하게 사용된다. 보다 바람직하게는, Pd 또는 Ag의 금속 원소와, Si, Ti 또는 Zr의 금속 원소를 포함하는 것을 들 수 있다. 이러한 복합 금속 산화물 및 복합 금속 산화물 수화물은, 높은 도금 금속 석출 능력을 갖고, 또한 전처리제 중에서의 안정성 및 분산성이 우수한 특성을 갖는다.

그 중에서도 상기 특성이 특히 우수하다는 점에서, 하기 화학식 I로 표시되는 복합 금속 산화물 수화물을 사용하는 것이 특히 바람직하다.

<화학식 I>

M¹ _XㆍM²O₂ㆍn(H₂O)

식 중, M¹은 Pd 또는 Ag를 나타내고, M²는 Si, Ti 또는 Zr을 나타내고, M¹이 Pd인 경우, x는 1이고, M¹이 Ag인 경우, x는 2이며, n은 1 내지 20의 정수이다.

상기 화학식 I에 있어서, M¹은 Pd 또는 Ag이지만, Pd인 것이 바람직하다. 또한, M²는 Si, Ti 또는 Zr이지만, Ti인 것이 바람직하다. 이에 의해, 높은 도금 석출 능력을 갖는 복합 금속 산화물 수화물이 얻어진다.

상기 복합 금속 산화물 수화물로서는, 예를 들어 PdSiO₃, Ag₂SiO₃, PdTiO₃, Ag₂TiO₃, PdZrO₃ 및 Ag₂TiO₃ 등의 수화물을 들 수 있다.

상술한 복합 금속 산화물 수화물은, 각각의 상당하는 금속염, 예를 들어 염산염, 황산염, 질산염, 할로겐화물, 옥시할로겐화물, 상당하는 금속 산화물의 수화물 등을 원료로 하고, 이것들을 가열하여 가수분해하는 방법 등을 이용함으로써 얻을 수 있다.

또한, 복합 금속 산화물로서는 M¹ _XㆍM²O₂(여기에서, M¹, M² 및 X에 대해서는, 상기 화학식 I과 동일함)로 표시되는 것이 바람직하게 사용된다.

무전해 도금 전처리제에 사용되는 복합 금속 산화물 및 복합 금속 산화물 수화물의 평균 입경은 0.01 내지 10㎛, 특히 0.05 내지 3㎛인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 응집이 억제된 높은 분산성 및 촉매 활성을 갖는 복합 금속 산화물 및 상기 복합 금속 산화물 수화물로 할 수 있다.

또한, 본 발명에 있어서, 복합 금속 산화물 및 복합 금속 산화물 수화물의 평균 입경은, 복합 금속 산화물 및/또는 복합 금속 산화물 수화물을 전자 현미경(바람직하게는 투과형 전자 현미경)에 의해 배율 100만배 정도로 관측하고, 적어도 100개의 입자의 면적 원 상당 직경을 구한 수평균값으로 한다.

복합 금속 산화물 및/또는 복합 금속 산화물 수화물의 함유량은, 합성 수지100질량부에 대하여 10 내지 60질량부, 특히 10 내지 40질량부로 하는 것이 바람직하다. 함유량이 10질량부 미만에서는 충분한 도금 석출 능력이 얻어지지 못할 우려가 있고, 60질량부를 초과하면 이들 복합 금속 산화물의 응집에 기초하는 줄무늬나 흐려짐이 형성될 우려가 있다.

무전해 도금 전처리제는, 합성 수지를 포함함으로써, 투명 기판 및 도전층과의 밀착성을 향상시킬 수 있고, 전처리층이 박리되기 어려워져, 도전층을 보다 고정밀하게 형성하는 것이 가능해진다.

합성 수지는, 투명 기판 및 도전층의 밀착성을 확보할 수 있는 것이면, 특별히 제한되지 않는다. 바람직한 예로서는 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 염화비닐 수지, 및 에틸렌아세트산 비닐 공중합체 수지 등을 들 수 있다. 이들을 사용함으로써, 투명 기판 및 도전층과의 높은 밀착성이 얻어지고, 전처리층 상에 도전층을 고정밀하게 형성할 수 있다. 또한, 이들 합성 수지는, 1종 단독으로 사용되어도 되는 것 외에, 2종 이상을 혼합하여 사용하여도 된다.

아크릴 수지로서는, 예를 들어 아크릴산 메틸, 아크릴산 에틸, 아크릴산 부틸, 아크릴산 헥실 등의 아크릴산 알킬에스테르류, 메타크릴산 메틸, 메타크릴산 에틸, 메타크릴산 부틸, 메타크릴산 헥실 등의 메타크릴산 알킬에스테르류의 단독중합체, 공중합체를 사용할 수 있지만, 특히 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트 또는 부틸메타크릴레이트 등의 단독중합체, 공중합체가 바람직하다.

폴리에스테르 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리트리메틸렌테레프탈레이트, 2,6-폴리에틸렌나프탈레이트 등을 들 수 있다.

폴리우레탄 수지로서는, 예를 들어 폴리에스테르계 우레탄 수지, 폴리에테르계 우레탄 수지, 폴리카르보네이트계 우레탄 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도 폴리에스테르계 우레탄 수지가 바람직하다.

상기 폴리우레탄 수지로서, 예를 들어 폴리에스테르계 폴리올과 폴리이소시아네이트 화합물의 반응 생성물로 이루어지는 폴리에스테르계 우레탄 수지를 사용할 수 있다. 폴리에스테르계 우레탄 수지의 평균 분자량은, 일반적으로 1만 내지 50만이다.

폴리에스테르계 폴리올로서는, 예를 들어 저분자 디올과 디카르복실산을 반응시켜 얻어지는 축합 폴리에스테르디올이나, 락톤의 개환 중합에 의해 얻어지는 폴리락톤디올, 폴리카르보네이트디올 등을 들 수 있다. 또한, 저분자 디올로서는, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 부틸렌글리콜 등의 디올, 트리메틸올프로판, 트리메틸올에탄, 헥산트리올, 글리세린 등의 트리올, 소르비톨 등의 헥산올을 들 수 있다. 상기 디카르복실산으로서는, 숙신산, 아디프산, 세박산, 글루타르산, 아젤라산, 말레산, 푸마르산 등의 지방족 디카르복실산류, 테레프탈산, 이소프탈산 등의 방향족 디카르복실산류 등이 단독 사용 또는 2종 이상으로 사용된다. 또한, 상기 락톤에는 ε-카프로락톤 등이 사용된다.

그리고, 폴리에스테르계 폴리올로서는, 예를 들어 폴리에틸렌아디페이트, 폴리부틸렌아디페이트, 폴리헥사메틸렌아디페이트, 폴리네오펜틸아디페이트, 폴리에틸렌부틸렌아디페이트, 폴리부틸렌헥사부틸렌아디페이트, 폴리디에틸렌아디페이트, 폴리(폴리테트라메틸렌에테르)아디페이트, 폴리에틸렌아젤레이트, 폴리에틸렌세바케이트, 폴리부틸렌아젤레이트, 폴리부틸렌세바케이트, 폴리헥사메틸렌카르보네이트디올 등을 들 수 있고, 이것들이 단독 사용 또는 2종 이상으로 사용된다.

폴리이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 방향족 디이소시아네이트(예를 들어, 4,4'-디페닐메탄 디이소시아네이트, 2,4-톨릴렌 디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌 디이소시아네이트, n-이소시아네이토페닐술포닐 이소시아네이트, m- 혹은 p-이소시아네이토페닐술포닐 이소시아네이트 등); 지방족 디이소시아네이트(예를 들어, 1,6-헥사메틸렌 디이소시아네이트 등); 지환식 디이소시아네이트(예를 들어, 이소포론 디이소시아네이트, 수소 첨가 크실릴렌 디이소시아네이트, 수소 첨가 디페닐메탄 디이소시아네이트 등)의 폴리이소시아네이트, 혹은 이들 각종 이소시아네이트의 부가체 또는 다량체 등이 단독 사용 또는 2종 이상으로 사용된다.

폴리에스테르계 폴리올과 폴리이소시아네이트 화합물의 사용 비율은 특별히 한정되지 않지만, 통상은 폴리에스테르계 폴리올:폴리이소시아네이트 화합물=1:0.01~0.5 정도(몰비)의 범위 내에서, 사용하는 화합물의 종류 등에 따라 적절하게 결정하면 된다.

폴리에스테르계 우레탄 수지를 사용하는 경우, 무전해 도금 전처리제는 폴리이소시아네이트 경화제를 더 포함하는 것이 바람직하다. 폴리이소시아네이트 경화제로서는, 상술한 폴리이소시아네이트 화합물이 사용된다. 경화제의 함유량은, 폴리에스테르계 우레탄 수지 100질량부에 대하여 0.1 내지 5질량부, 특히 0.1 내지 1.0질량부로 하는 것이 바람직하다.

염화비닐 수지는, 종래 공지의 염화비닐의 단독중합물인 단독중합체 수지, 또는 종래 공지의 각종 공중합체 수지이며, 특별히 한정되는 것이 아니다. 공중합체 수지로서는, 종래 공지의 공중합체 수지를 사용할 수 있고, 염화비닐-아세트산 비닐 공중합체 수지, 염화비닐-프로피온산 비닐 공중합체 수지 등의 염화비닐과 비닐 에스테르류의 공중합체 수지, 염화비닐-아크릴산 부틸 공중합체 수지, 염화비닐-아크릴산 2-에틸헥실 공중합체 수지 등의 염화비닐과 아크릴산 에스테르류의 공중합체 수지, 염화비닐-에틸렌 공중합체 수지, 염화비닐-프로필렌 공중합체 수지 등의 염화비닐과 올레핀류의 공중합체 수지, 염화비닐-아크릴로니트릴 공중합체 수지 등을 들 수 있다. 특히, 염화비닐 단독 수지, 에틸렌-염화비닐 공중합체 수지, 아세트산 비닐-염화비닐 공중합체 수지 등을 사용하는 것이 바람직하다.

합성 수지로서는, 높은 밀착성이 얻어진다는 점에서, 활성 수소를 함유하는 관능기를 분자 말단에 갖는 것이 바람직하다. 활성 수소를 함유하는 관능기로서는 활성 수소를 갖고 있으면 특별히 제한되지 않으며, 1급 아미노기, 2급 아미노기, 이미노기, 아미드기, 히드라지드기, 아미디노기, 히드록실기, 히드로퍼옥시기, 카르복실기, 포르밀기, 카르바모일기, 술폰산기, 술핀산기, 술펜산기, 티올기, 티오포르밀기, 피롤릴기, 이미다졸릴기, 피페리딜기, 인다졸릴기, 카르바졸릴기 등을 들 수 있다. 1급 아미노기, 2급 아미노기, 이미노기, 아미드기, 이미드기, 히드록실기, 포르밀기, 카르복실기, 술폰산기 또는 티올기가 바람직하다. 특히, 1급 아미노기, 2급 아미노기, 아미드기 또는 히드록실기가 바람직하다. 또한, 이들 기는 할로겐 원자나 탄소 원자수 1 내지 20의 탄화수소기로 치환되어 있어도 된다. 그 중에서도 히드록실기, 카르보닐기 및 아미노기가 바람직하다.

무전해 도금 전처리제에서의 합성 수지의 함유량은, 무전해 도금 전처리제의 전량에 대하여 40 내지 90질량%, 특히 60 내지 80질량%로 하는 것이 바람직하다. 이에 의해 높은 밀착성을 갖는 전처리층을 형성하는 것이 가능해진다.

또한, 무전해 도금 전처리제는, 무기 미립자를 더 포함하여도 된다. 무기 미립자를 함유함으로써, 인쇄 정밀도를 향상시킬 수 있고, 보다 정밀도가 높은 도전층을 형성하는 것이 가능해진다. 바람직한 무기 미립자로서는 실리카, 탄산칼슘, 알루미나, 탈크, 운모, 유리 조각, 금속 위스커, 세라믹 위스커, 황산칼슘 위스커, 스멕타이트 등을 들 수 있다. 이것들은 1종 단독으로 사용하여도 되고, 2종 이상 혼합하여 사용하여도 된다.

무기 미립자의 평균 입경은 0.01 내지 5㎛, 특히 0.1 내지 3㎛인 것이 바람직하다. 무기 미립자의 평균 입경이 0.01㎛ 미만이면 무기 미립자의 첨가에 의해 원하는 만큼의 인쇄 정밀도의 향상이 얻어지지 못할 우려가 있고, 5㎛를 초과하면 줄무늬나 흐려짐이 발생하기 쉬워질 우려가 있다.

무전해 도금 전처리제에서의 무기 미립자의 함유량은, 합성 수지 100질량부에 대하여 0.01 내지 10질량부, 특히 1 내지 5질량부로 하는 것이 바람직하다. 이에 의해 높은 인쇄 적성을 가진 전처리제로 할 수 있다.

또한, 무전해 도금 전처리제는, 틱소트로픽제를 더 함유하여도 된다. 상기 틱소트로픽제를 사용하면, 전처리제의 유동성을 조정함으로써 인쇄 정밀도를 향상시킬 수 있고, 보다 정밀도가 높은 도전층을 형성하는 것이 가능해진다. 틱소트로픽제로서는, 종래 공지의 것이면 사용할 수 있다. 바람직하게는 아미드 왁스, 경화 피마자유, 밀랍, 카르나우바 왁스, 스테아르산 아미드, 히드록시스테아르산 에틸렌 비스아미드 등을 사용할 수 있다.

무전해 도금 전처리제에서의 틱소트로픽제의 함유량은, 상기 합성 수지 100질량부에 대하여 0.1 내지 10질량부, 특히 1 내지 5질량부로 하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 높은 인쇄 적성을 가진 전처리제로 할 수 있다.

본 발명의 무전해 도금 전처리제는, 흑색 착색제를 더 함유하여도 된다. 이에 의해, 인쇄 정밀도의 향상과 함께, 얻어지는 광 투과성 전자파 차폐재에 있어서 투명 기판측에서 보았을 때의 방현 효과를 부여할 수 있다.

바람직한 흑색 착색제로서는, 카본 블랙, 티타늄 블랙, 흑색 산화철, 흑연, 및 활성탄 등을 들 수 있다. 이것들은 1종 단독으로 사용되어도 되고, 2종 이상을 혼합하여 사용하여도 된다. 그 중에서도 카본 블랙이 바람직하다. 카본 블랙으로서는 아세틸렌 블랙, 채널 블랙, 퍼니스 블랙 등을 들 수 있다. 카본 블랙의 평균 입경은, 바람직하게는 0.1 내지 1,000nm, 특히 바람직하게는 5 내지 500nm이다.

무전해 도금 전처리제에서의 흑색 착색제의 함유량은, 합성 수지 100질량부에 대하여 0.1 내지 10질량부, 특히 1 내지 5질량부로 하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 방현 효과를 갖는 전처리층을 고정밀하게 형성하는 것이 가능해진다.

흑색 착색제를 사용하는 경우, 시판되고 있는 먹 잉크를 사용하여 무전해 도금 전처리제를 제조하는 것이 바람직하다. 이러한 먹 잉크로서는, 도요 잉끼 세조 가부시끼가이샤제 SS8911, 주조 케미컬 가부시끼가이샤제 EXG-3590, 다이니찌 세까 고교 가부시끼가이샤제 NT 하이라믹 795R 먹 등이 있다. 예를 들어, 도요 잉끼 세조 가부시끼가이샤제 SS8911의 경우, 용제 중에 카본 블랙 외에, 추가로 염화비닐 및 아크릴 수지 등을 포함하고 있다. 따라서, 상기한 시판품이라면, 합성 수지 및 흑색 착색제를 포함하는 무전해 도금 전처리제의 제조를 용이하게 행할 수 있다.

또한, 무전해 도금 전처리제는, 적당한 용매를 포함하여도 된다. 용매로서는 물, 메틸알코올, 에틸알코올, 2-프로판올, 아세톤, 톨루엔, 에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 디메틸포름아미드, 디메틸술폭시드, 디옥산 등을 들 수 있다. 이것들은 1종 단독으로 사용하여도 되고, 2종 이상을 혼합하여 사용하여도 된다.

무전해 도금 전처리제는, 필요에 따라 체질 안료, 계면 활성제 등의 각종 첨가제를 더 함유하여도 된다.

본 발명의 방법에서는, 상술한 무전해 도금 전처리제를, 투명 기판 상에 특정한 메쉬 패턴을 갖는 오목판 인쇄에 의해, 메쉬 형상으로 인쇄함으로써, 투명 기판 상에 메쉬 형상의 전처리층을 형성한다. 이에 의해, 간이한 방법으로 원하는 미세한 패턴을 갖는 전처리층을 형성할 수 있다.

무전해 도금 전처리제의 점도는, 인쇄에 의해 단선이 없는 미세한 선폭 및 간극(피치)을 갖는 전처리층을 얻기 위해서는, 25℃에 있어서, 바람직하게는 500 내지 5000cps, 보다 바람직하게는 1000 내지 3000cps로 하는 것이 바람직하다.

이와 같이 무전해 도금 전처리제를 인쇄한 후, 바람직하게는 80 내지 160℃, 보다 바람직하게는 90 내지 130℃에서 가열함으로써 건조시키는 것이 바람직하다. 건조 온도가 80℃ 미만이면, 용매의 증발 속도가 느려 충분한 성막성이 얻어지지 못할 우려가 있고, 160℃를 초과하면 화합물의 열 분해가 발생할 우려가 있다. 도포 후에 열 건조시키는 경우의 건조 시간은 5초 내지 5분이 바람직하다.

전처리층의 두께는, 일반적으로 0.01 내지 5㎛, 바람직하게는 0.1 내지 2㎛로 하는 것이 좋다. 이에 의해, 투명 기판 및 도전층과의 높은 밀착성을 확보할 수 있다.

본 발명의 방법에서는, 상술한 바와 같이 하여 투명 기판 상에 메쉬 형상의 전처리층을 형성하는 공정 후, 메쉬 형상의 금속 도전층을 형성하는 공정 전에, 전처리층(42)에 환원 처리를 행하는 것이 바람직하다. 환원 처리함으로써, 전처리층(42)에 포함되는 무전해 도금 촉매인 복합 금속 산화물 및 복합 금속 산화물 수화물에 포함되는 금속종을 환원시키고, 활성 성분인 금속종만을 초미립자 형상으로 균일하게 석출시킬 수 있다. 이와 같이 환원 석출한 금속종은, 높은 촉매 활성을 갖고 또한 안정하므로, 전처리층(42)과 투명 기판의 밀착성 및 무전해 도금의 석출 속도를 향상시키고, 나아가 복합 금속 산화물 및 복합 금속 산화물 수화물의 사용량을 적게 하는 것이 가능해진다.

환원 처리는, 전처리층에 포함되는 복합 금속 산화물 및 상기 복합 금속 산화물 수화물을 환원시켜 금속화할 수 있는 방법이면 특별히 제한되지 않는다. 구체적으로는, (i) 상기 전처리층이 형성된 투명 기판을, 환원제를 포함하는 용액을 사용하여 처리하는 액상 환원법, (ii) 상기 전처리층이 형성된 투명 기판을, 환원성 가스와 접촉시키는 기상 환원법 등을 이용하는 것이 바람직하다.

액상 환원법에 있어서 환원제를 포함하는 용액을 사용하여 처리하는 방법으로서, 예를 들어 전처리층이 형성된 투명 기판을 환원제를 포함하는 용액 중에 침지시키는 방법, 투명 기판의 전처리층이 형성된 면에 환원제를 포함하는 용액을 스프레이하는 방법 등을 이용할 수 있다.

환원제를 포함하는 용액은, 소정의 환원제를 물 등의 용매에 분산 또는 용해시켜 제조되는 것이다. 상기 환원제로서는, 특별히 제한되지 않지만, 포름아미드, 디메틸포름아미드, 디에틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, 디메틸아크릴아미드, 수소화붕소나트륨, 수소화붕소칼륨, 포도당, 아미노보란, 디메틸아민보란(DMAB), 트리메틸아민보란(TMAB), 히드라진, 디에틸아민보란, 포름알데히드, 글리옥실산, 이미다졸, 아스코르브산, 히드록실아민, 황산히드록실아민, 염산히드록실아민, 차아인산, 차아인산나트륨 등의 차아인산염, 황산히드록실아민, 아황산나트륨 등의 아황산염, 히드로술파이트(Na₂S₂O₄: 아디티온산나트륨이라고도 함) 등을 들 수 있다. 환원제는, 후공정에서 사용하는 무전해 도금욕 중에 포함되는 환원제와 동일한 것을 사용하면, 환원 처리 후의 상기 투명 기판을 수세 처리하지 않고 무전해 도금을 행할 수 있고, 또한 무전해 도금욕의 조성을 변화시킬 우려도 적다.

환원제로서는, 높은 환원성이 얻어진다는 점에서, 아미노보란, 디메틸아민보란, 차아인산나트륨, 황산히드록실아민, 히드로술파이트 및 포르말린을 사용하는 것이 바람직하다.

환원제를 포함하는 용액에서의 환원제의 함유량은, 0.01 내지 200g/L, 특히 0.1 내지 100g/L로 하는 것이 바람직하다. 환원제의 농도가 지나치게 낮은 경우에는 충분히 환원 처리를 행하는 데에 소요 시간이 길어질 우려가 있고, 환원제의 농도가 지나치게 높은 경우에는 석출시킨 도금 촉매가 탈락할 우려가 있다.

액상 환원법에 있어서 환원제를 포함하는 용액을 사용하여 처리하는 방법으로서는, 전처리층에 포함되는 복합 금속 산화물 및 상기 복합 금속 산화물 수화물의 높은 환원성이 얻어진다는 점에서, 전처리층이 형성된 투명 기판을 환원제를 포함하는 용액 중에 침지시키는 방법을 이용하는 것이 바람직하다.

투명 기판을 침지시키는 경우, 상기 환원제를 포함하는 용액의 온도는 20 내지 90℃, 특히 40 내지 80℃로 하는 것이 바람직하다. 또한, 침지 시간은, 적어도 1분 이상, 바람직하게는 1 내지 10분 정도로 하면 된다.

한편, 기상 환원법을 이용하여 환원 처리를 행하는 경우, 환원성 가스로서는 수소 가스, 디보란 가스 등, 환원성을 갖는 기체이면 특별히 제한되지 않는다. 환원 가스를 사용한 환원 처리시의 반응 온도 및 반응 시간은, 사용하는 환원 가스의 종류 등에 따라 적절하게 결정하면 된다.

다음으로, 본 발명의 방법에서는, 상기와 같이 하여 얻어진 전처리층 상에 무전해 도금 처리를 행함으로써, 메쉬 형상의 금속 도전층을 형성하는 공정을 실시한다. 무전해 도금 처리를 행함으로써, 미세한 금속 입자가 농밀한 연속 피막으로서 침적 형성되어, 전처리층 상에만 선택적으로 금속 도전층을 얻는 것이 가능해진다.

도금 금속은, 도전성을 갖고 도금 가능한 금속이면 사용할 수 있으며, 금속 단체, 합금, 도전성 금속 산화물 등이어도 되고, 균일한 금속 박막 또는 균일하게 도포된 미세한 미립자 등으로 이루어지는 것이어도 된다.

무전해 도금에서의 도금 금속으로서는, 알루미늄, 니켈, 인듐, 크롬, 금, 바나듐, 주석, 카드뮴, 은, 백금, 구리, 티타늄, 코발트, 납 등을 사용할 수 있다. 특히, 높은 전자파 차폐성이 얻어지는 도전층이 얻어진다는 점에서, 바람직하게는 은, 구리 또는 알루미늄이 바람직하게 사용된다. 이들 도금 금속을 사용하여 형성되는 도전층은, 전처리층과의 밀착성이 우수한 데다가, 광 투과성과 전자파 차폐성의 양립에 적합하다.

무전해 도금은, 무전해 도금욕을 사용하여 통상의 방법에 따라 상온 또는 가온하에서 행할 수 있다. 즉, 도금 금속염, 킬레이트제, pH 조정제, 환원제 등을 기본 조성으로서 포함하는 도금액을 건욕(建浴)한 것에 도금 기재를 침지하여 행하거나, 구성 도금액을 2액 이상으로 나누어 첨가 방식으로 도금 처리를 실시하는 등 적절하게 선택하면 된다.

무전해 도금으로서 일례를 들면, Cu로 이루어지는 도전층을 형성하는 경우, 황산구리 등의 수용성 구리염 1 내지 100g/L, 특히 5 내지 50g/L, 포름알데히드 등의 환원제 0.5 내지 10g/L, 특히 1 내지 5g/L, EDTA 등의 착화제 20 내지 100g/L, 특히 30 내지 70g/L을 포함하고, pH12 내지 13.5, 특히 12.5 내지 13으로 조정한 용액에, 전처리층 및 앵커 코팅층을 갖는 투명 기판을 50 내지 90℃에서 30초 내지 60분간 침지하는 방법을 채용할 수 있다.

무전해 도금을 행할 때에, 도금되는 기판을 요동, 회전시키거나, 그 근방을 공기 교반시키거나 하여도 된다.

메쉬 형상(격자 형상)의 금속 도전층의 선폭은, 일반적으로 20㎛ 이하, 바람직하게는 5 내지 15㎛이고, 특히 5 내지 12㎛를 갖는다. 선의 피치는 200㎛ 이하가 바람직하다. 또한, 개구율은 75 내지 95%인 것이 바람직하고, 특히 80 내지 95%이다.

도전층의 선으로 둘러싸여진 개구부의 형상은, 원, 타원, 각형(사각형, 육각형) 등 임의의 형상으로 할 수 있지만, 일반적으로 각형이고, 특히 정사각형인 것이 바람직하다.

상기 (A)의 방법에서는, 메쉬 형상의 도전층 상에 전기 도금 처리(후술함)를 행하여 금속 도금층을 형성하여도 된다. 또한, 이 금속 도금층에 흑화 처리(후술함)를 행하여도 되고, 예를 들어 금속막의 산화 처리, 크롬 합금 등의 흑색 도금, 흑색 또는 암색계 잉크의 도포 등을 행할 수 있다.

다음으로, 상기 (B)의 본 발명의 전자파 차폐성 광 투과 창 재료의 제조 방법을 도면을 참조하여 설명한다.

도 5에 본 발명에서 적합한 전자파 차폐성 광 투과 창 재료의 제조 방법 (B)를 설명하는 개략도를 도시한다. (B1), (B2)에 도시한 바와 같이 투명 필름 등의 투명 기판(51) 상에, 실란 커플링제와 아졸계 화합물의 혼합물 또는 반응 생성물, 및 귀금속 화합물을 포함하는 무전해 도금 전처리제를, 본 발명의 방법에 따라 메쉬 형상으로 인쇄하고, 투명 기판(51) 상에 메쉬 형상의 전처리층(52)을 형성한다. 그리고, 무전해 도금을 행함으로써, 전처리층(52) 상에 금속 등의 도전 재료로 이루어지는 메쉬 형상의 금속 도전층(53)을 형성한다.

상기 방법에 있어서, 무전해 도금 전처리제를, 본 발명의 특정한 형상의 오목판 표면을 갖는 오목판 인쇄에 의해 투명 기판(51)에 인쇄하므로, 거의 설계대로의 치수의 형상으로 전처리제를 형성하는 것이 가능해지고, 따라서 거의 설계대로의 치수의, 선폭이 작은 미세한 메쉬 형상의 금속 도전층(53)을 형성하는 것이 가능해진다(일반적으로, 메쉬의 교점의 형상의 면적이 약간 작아지는 경향이 있음). 또한, 상기 무전해 도금 전처리제를 사용함으로써, 실란 커플링제, 아졸계 화합물, 및 귀금속 화합물을 전처리층에 원자 레벨로 분산시키고 있으므로, 줄무늬나 흐려짐의 발생이 없는, 미세한 패턴을 갖는 메쉬 형상의 전처리층을 고정밀하게 형성하는 것이 가능해진다. 이러한 메쉬 형상의 전처리층 상에 무전해 도금 처리를 행함으로써, 선폭이 작은 미세한 메쉬 형상의 금속 도전층을 형성하는 것이 가능해진다.

본 발명의 방법 (B)에서 무전해 도금 전처리제로서 사용되는 상기 실란 커플링제는, 1분자 중에 금속 보충능을 갖는 관능기를 갖는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 무전해 도금 촉매인 귀금속 화합물의 활성을 효과적으로 발현시키는 전자 상태, 배향 상태로 하는 것이 가능해지고, 피도금재와의 높은 밀착성이 얻어진다.

실란 커플링제로서, 에폭시기 함유 실란 화합물을 들 수 있다. 에폭시기 함유 실란 화합물로서는, 예를 들어 γ-글리시독시프로필 트리알콕시실란, 3-글리시독시프로필 트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸 디메톡시실란, 3-글리시독시프로필 트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸 디에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸 트리메톡시실란 등을 들 수 있다. 이것들은 단독으로 사용하여도 되고, 2종 이상 병용하여도 된다. 특히, 얻어지는 전처리층이 투명 기판 및 도전층과 높은 밀착성을 나타낸다는 점에서, γ-글리시독시프로필 트리알콕시실란이 바람직하다.

다음으로, 무전해 도금 전처리제에 사용되는 아졸계 화합물로서는, 이미다졸, 옥사졸, 티아졸, 셀레나졸, 피라졸, 이소옥사졸, 이소티아졸, 트리아졸, 옥사디아졸, 티아디아졸, 테트라졸, 옥사트리아졸, 티아트리아졸, 벤다졸, 인다졸, 벤즈이미다졸, 벤조트리아졸, 인다졸 등을 들 수 있다. 이것들에 제한되는 것은 아니지만, 실란 커플링제가 갖는 에폭시기 등의 관능기 및 귀금속 화합물과의 반응성이 우수하다는 점에서, 이미다졸이 특히 바람직하다.

무전해 도금 전처리제에 있어서, 실란 커플링제 및 아졸계 화합물은 단순히 혼합되어 있는 것만이어도 되지만, 이것들을 미리 반응시켜 반응 생성물을 형성하여도 된다. 이에 의해, 귀금속 화합물을 전처리층 중에 원자 레벨로 보다 고분산시킬 수 있음과 함께, 얻어지는 전처리층의 광 투과성을 향상시킬 수 있다.

실란 커플링제와 아졸계 화합물을 반응시키기 위해서는, 예를 들어 80 내지 200℃에서 아졸계 화합물 1몰에 대하여 0.1 내지 10몰의 실란 커플링제를 혼합하여 5분 내지 2시간 반응시키는 것이 바람직하다. 그 때, 용매는 일반적으로 불필요하지만, 물 외에 클로로포름, 디옥산메탄올, 에탄올 등의 유기 용매를 사용하여도 된다. 이와 같이 하여 얻어진 상기 실란 커플링제와 상기 아졸계 화합물의 반응 생성물에 귀금속 화합물을 혼합함으로써, 무전해 도금 전처리제가 얻어진다.

다음으로, 무전해 도금 전처리제에 사용되는 귀금속 화합물은, 무전해 도금 처리에 있어서 구리나 알루미늄 등의 금속을 선택적으로 석출ㆍ성장시킬 수 있는 촉매 효과를 나타내는 것이다. 예를 들어, 높은 촉매 활성이 얻어진다는 점에서, 팔라듐, 은, 백금, 및 금 등의 금속 원자를 포함하는 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 화합물로서는, 상기 금속 원자의 염화물, 수산화물, 산화물, 황산염, 암모늄염 등의 암민(ammine) 착체 등이 사용되지만, 특히 팔라듐 화합물, 그 중에서도 염화팔라듐이 바람직하다.

무전해 도금 전처리제는, 아졸계 화합물 및 상기 실란 커플링제에 대하여, 귀금속 화합물을 바람직하게는 0.001 내지 50몰%, 보다 바람직하게는 0.1 내지 20몰% 포함하는 것이 좋다. 귀금속 화합물의 농도는, 0.001몰% 미만에서는 충분한 촉매 활성이 얻어지지 않고 원하는 두께를 갖는 도전층을 형성하지 못할 우려가 있으며, 50몰%를 초과하면 첨가량의 증가에 걸맞는 귀금속 화합물에 의한 촉매 효과를 얻지 못할 우려가 있다.

또한, 무전해 도금 전처리제는, 적당한 용매를 포함하여도 된다. 용매로서는 물, 메틸알코올, 에틸알코올, 2-프로판올, 아세톤, 톨루엔, 에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 디메틸포름아미드, 디메틸술폭시드, 디옥산 등을 들 수 있다. 이것들은 1종 단독으로 사용되어도 되고, 2종 이상을 혼합하여 사용하여도 된다.

무전해 도금 전처리제에는, 필요에 따라 체질 안료, 계면 활성제, 착색제 등의 각종 첨가제를 더 함유시켜도 된다.

무전해 도금 전처리제 (B)의 점도는, 인쇄에 의해 미세한 선폭 및 간극(피치)을 갖는 전처리층을 얻기 위해서는, 25℃에서, 바람직하게는 500 내지 5000cps, 보다 바람직하게는 1000 내지 3000cps로 하는 것이 좋다.

무전해 도금 전처리제를 인쇄하기 위해서는, 그라비아 인쇄 등의 오목판 인쇄가 사용된다. 인쇄 속도는 5 내지 50m/분으로 하는 것이 바람직하다.

이와 같이 무전해 도금 전처리제를 인쇄한 후, 바람직하게는 80 내지 160℃, 보다 바람직하게는 90 내지 130℃에서 가열함으로써 건조시키는 것이 좋다. 건조 온도가 80℃ 미만이면 용매의 증발 속도가 느려 충분한 성막성을 얻지 못할 우려가 있고, 160℃를 초과하면 화합물의 열 분해가 발생할 우려가 있다. 도포 후에 열 건조시키는 경우의 건조 시간은 5초 내지 5분이 바람직하다.

본 발명의 (B)의 방법에서는, 본 발명의 (A)의 방법과 마찬가지로 하여, 전처리층 상에 무전해 도금 처리가 행하여진다. 얻어진 메쉬 형상의 금속 도전층 상에, 전기 도금 처리를 행하여 금속 도금층을 더 형성하여도 된다. 또한, 이 금속 도금층에 흑화 처리를 행하여도 되고, 예를 들어 금속막의 산화 처리, 크롬 합금 등의 흑색 도금, 흑색 또는 암색계 잉크의 도포 등을 행할 수 있다.

메쉬 형상의 금속 도전층의 선폭은, 일반적으로 20㎛ 이하, 바람직하게는 5 내지 15㎛이고, 특히 5 내지 12㎛를 갖는다. 선의 피치는 200㎛ 이하가 바람직하다. 또한, 개구율은 75 내지 95%인 것이 바람직하고, 특히 80 내지 95%이다.

도전층의 선으로 둘러싸여진 개구부의 형상은, 원, 타원, 각형(사각형, 육각형) 등 임의의 형상으로 할 수 있지만, 일반적으로 각형이고, 특히 정사각형인 것이 바람직하다.

상기 (C)의 본 발명의 전자파 차폐성 광 투과 창 재료의 제조 방법을 도면을 참조하여 설명한다.

도 6에 본 발명에서 적합한 광 투과성 전자파 차폐성 창 재료의 형성 방법 (C)를 설명하는 개략도를 도시한다. (C1)에 도시한 바와 같이, 투명 기판(61) 상에 도전성 입자 및 결합제 수지를 포함하는 도전성 잉크를 본 발명의 방법에 따라 메쉬 형상으로 인쇄함으로써, 메쉬 형상의 도전층(63)을 형성한다.

도전성 잉크는, 상기와 같이 특정한 형상의 오목판을 사용한 오목판 인쇄에 의해 인쇄되기 때문에, 메쉬 형상의 도전층을 거의 설계대로의 치수의 형상으로 인쇄하는 것이 가능해진다(일반적으로, 메쉬의 교점의 형상의 면적이 약간 작아지는 경향이 있음). 따라서, 줄무늬나 흐려짐의 발생이 없는, 미세한 패턴을 갖는 메쉬 형상의 도전층을 고정밀하게 형성하는 것이 가능해진다.

상기 도전성 잉크에 사용되는 도전성 입자로서는, 알루미늄, 니켈, 인듐, 크롬, 금, 바나듐, 주석, 카드뮴, 은, 플라티나, 구리, 티타늄, 코발트, 납 등의 금속, 합금; 혹은 ITO, 산화인듐, 산화주석, 산화아연, 산화인듐-산화주석(ITO, 소위 인듐 도프 산화주석), 산화주석-산화안티몬(ATO, 소위 안티몬 도프 산화주석), 산화아연-산화알루미늄(ZAO; 소위 알루미늄 도프 산화아연) 등의 도전성 산화물 등을 들 수 있다. 이것들은 1종 단독으로 사용되어도 되는 것 외에, 2종 이상을 혼합하여 사용하여도 된다.

그 중에서도, 상기 도전성 입자로서는 은, 구리, 금, 니켈, 인듐 및 주석을 바람직하게 들 수 있다. 이들 도전성 입자이면, 얻어지는 메쉬 형상 도전층의 도전성을 향상시키는 것이 가능해진다.

도전성 입자의 평균 입자 직경은 10nm 내지 10㎛, 특히 10nm 내지 5㎛인 것이 바람직하다.

도전성 잉크에서의 도전성 입자의 함유량은, 결합제 수지의 100질량부에 대하여 400 내지 1000질량부, 특히 400 내지 800질량부로 하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 도전성 입자끼리의 접촉성이 우수한 도전층을 형성할 수 있다.

도전성 잉크에 사용되는 결합제 수지로서는, 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 우레탄 수지, 페놀 수지, 말레산 수지, 멜라민 수지, 우레아 수지, 폴리이미드 수지, 규소 함유 수지 등을 들 수 있다. 또한, 이들 수지 중 열경화성 수지인 것이 바람직하다.

도전성 잉크에는, 적당한 점도로 조정하기 위해, 용제를 더 포함하여도 된다. 용제로서는 헥산올, 옥탄올, 노난올, 데칸올, 운데칸올, 도데칸올, 트리데칸올, 테트라데칸올, 펜타데칸올, 스테아릴알코올, 세릴알코올, 시클로헥산올, 테르피네올 등의 알코올; 에틸렌글리콜 모노부틸에테르(부틸셀로솔브), 에틸렌글리콜 모노페닐에테르, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르(부틸카르비톨), 셀로솔브 아세테이트, 부틸셀로솔브 아세테이트, 카르비톨 아세테이트, 부틸카르비톨 아세테이트 등의 알킬에테르를 들 수 있다.

도전성 잉크는, 흑색 착색제를 더 함유하여도 된다. 이에 의해, 인쇄 정밀도의 향상과 함께, 얻어지는 전자파 차폐성 광 투과 창 재료에 있어서 투명 기판측에서 보았을 때의 방현 효과를 부여할 수 있다.

흑색 착색제로서는, 카본 블랙, 티타늄 블랙, 흑색 산화철, 흑연, 및 활성탄 등도 사용하는 것이 바람직하다. 이것들은 1종 단독으로 사용되어도 되고, 2종 이상을 혼합하여 사용하여도 된다. 그 중에서도 카본 블랙이 바람직하다. 카본 블랙으로서는 아세틸렌 블랙, 채널 블랙, 퍼니스 블랙 등을 들 수 있다. 카본 블랙의 평균 입경은, 바람직하게는 0.1 내지 1,000nm, 특히 바람직하게는 5 내지 500nm이다.

도전성 잉크에서의 흑색 착색제의 함유량은, 결합제 수지 100질량부에 대하여 0.1 내지 10질량부, 특히 1 내지 5질량부로 하는 것이 바람직하다.

도전성 잉크는, 계면 활성제 등의 분산제, 가소제, 소포제, 경화제 등, 종래 공지의 보조제를 더 포함하여도 된다.

상술한 도전성 잉크를 투명 기판 상에 메쉬 형상으로 인쇄하는 경우, 도전성 잉크의 점도는, 단선의 발생을 억제하기 위해, 또한 인쇄에 의해 미세한 선폭 및 간극(피치)을 갖기 위해, 25℃에서, 바람직하게는 100 내지 10000cps, 보다 바람직하게는 500 내지 5000cps로 하는 것이 바람직하다.

메쉬 형상의 도전층의 선폭은, 일반적으로 20㎛ 이하, 바람직하게는 5 내지 15㎛이고, 특히 5 내지 12㎛이다. 선의 피치는 200㎛ 이하가 바람직하다. 또한, 개구율은 75 내지 95%인 것이 바람직하고, 특히 80 내지 95%이다. 또한, 개구율이란 메쉬의 선폭과 1인치 폭에 존재하는 선의 수로부터 계산하여 구한 것이다.

도전층의 선으로 둘러싸여진 개구부의 형상은, 원, 타원, 각형(사각형, 육각형) 등 임의의 형상으로 할 수 있지만, 일반적으로 각형이고, 특히 정사각형인 것이 바람직하다.

본 발명의 방법(상기 (A) 내지 (C)를 포함함)에 의해 얻어지는 메쉬 형상의 (금속) 도전층 상에는, 또한 전기 도금 처리((C)의 경우에는 무전해 도금 처리 또는 전기 도금 처리)를 행하여 도전층 상에 금속 도금층을 형성하여도 된다. 또한, 이 도금층 상에 상기 방현층을 형성하여도 되고, 하기의 흑화 처리를 행하여도 된다.

도금 처리에 사용하는 재질로서는, 금속 도금층이 우수한 전자파 차폐 효과를 갖는 것이면 되며 특별히 제한은 없지만, 예를 들어 구리, 니켈, 크롬, 아연, 주석, 은 및 금 등의 금속을 들 수 있다. 이것들은 1종 단독으로 사용하여도 되고, 2종 이상의 합금으로서 사용하여도 된다.

금속 도금층의 두께는, 0.1 내지 10㎛가 바람직하고, 2 내지 5㎛가 보다 바람직하다. 상기 두께가 0.1㎛ 미만이면, 충분한 전자파 차폐 효과를 부여할 수 없는 경우가 있는 한편, 10㎛를 초과하면, 도금은 도금층 형성시에 폭 방향으로도 넓혀지므로, 선폭이 굵어지고, 도전층의 개구율이 낮아지게 되는 경우가 있다.

금속 도금층에서의 표면 저항률로서는, 3Ω/□ 이하가 바람직하고, 1Ω/□ 이하가 보다 바람직하다. 도금층의 표면 저항률이 3Ω/□를 초과하면, 도전성이 불충분하고, 전자파 차폐 효과가 불충분해지는 경우가 있다.

금속 도금층을 형성한 후, 방현성을 부여하여도 된다. 이 방현화 처리를 행하는 경우, 메쉬 형상 도전층의 표면에 흑화 처리를 행하여도 된다. 예를 들어, 도전층 또는 도금층의 산화 처리, 황화 처리, 크롬 합금 등의 흑색 도금, 흑색 또는 암색계의 잉크의 도포 등을 행할 수 있다.

흑화 처리는, 도전층 또는 도금층 금속의 산화 처리 또는 황화 처리에 의해 행하는 것이 바람직하다. 특히 산화 처리는, 보다 우수한 방현 효과를 얻을 수 있고, 또한 폐액 처리의 간이성 및 환경 안전성의 점에서도 바람직하다.

흑화 처리로서 산화 처리를 행하는 경우에는, 흑화 처리액으로서, 일반적으로는 차아염소산염과 수산화나트륨의 혼합 수용액, 아염소산염과 수산화나트륨의 혼합 수용액, 퍼옥소이황산과 수산화나트륨의 혼합 수용액 등을 사용하는 것이 가능하고, 특히 경제성 면에서 차아염소산염과 수산화나트륨의 혼합 수용액, 또는 아염소산염과 수산화나트륨의 혼합 수용액을 사용하는 것이 바람직하다.

상기 흑화 처리로서 황화 처리를 행하는 경우에는, 흑화 처리액으로서, 일반적으로는 황화칼륨, 황화바륨 및 황화암모늄 등의 수용액을 사용하는 것이 가능하며, 바람직하게는 황화칼륨 및 황화암모늄이고, 특히 저온에서 사용 가능한 점에서 황화암모늄을 사용하는 것이 바람직하다.

흑화 처리층의 두께는, 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로 0.01 내지 1㎛, 바람직하게는 0.01 내지 0.5㎛이다. 상기 두께가 0.01㎛ 미만이면 광의 방현 효과가 충분하지 못할 우려가 있고, 1㎛를 초과하면 비스듬하게 보았을 때의 외관상의 개구율이 저하할 우려가 있다.

본 발명의 방법에 있어서, 전처리제 또는 도전성 잉크를 도포하는 투명 기판으로서는, 투명성 및 가요성을 구비하고, 그 후의 처리에 견디는 것이면 특별히 제한되지 않는다. 투명 기판의 재질로서는, 예를 들어 유리, 폴리에스테르(예, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트), 아크릴 수지(예, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)), 폴리카르보네이트(PC), 폴리스티렌, 셀룰로오스 트리아세테이트, 폴리비닐알코올, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리에틸렌, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 폴리비닐부티랄, 금속 이온 가교 에틸렌-메타크릴산 공중합체, 폴리우레탄, 셀로판 등을 들 수 있고, 이들 중에서 가공 처리(가열, 용제, 절곡)에 의한 열화가 적고, 투명성이 높은 재료인 PET, PC, PMMA가 바람직하다. 또한, 투명 기판은 이들 재질로 이루어지는 시트, 필름 또는 판으로서 사용된다.

투명 기판의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 광 투과성 전자파 차폐재의 광 투과성을 유지한다고 하는 관점에서 보면 얇을수록 바람직하고, 통상은 사용시의 형태나 필요하게 되는 기계적 강도에 따라 0.05 내지 5mm의 범위에서 적절하게 두께가 설정된다.

본 발명의 투명 기판으로서 긴 형상 플라스틱 필름을 사용하여, 롤ㆍ투ㆍ롤 방식으로 긴 형상 플라스틱 필름을 연속적으로 반송시키면서, 전처리층의 인쇄, 건조, 그리고 무전해 도금 처리 등을 연속적으로 행함으로써, 혹은 도전성 잉크의 인쇄, 건조, 그리고 희망에 따라 도금 처리 등을 연속적으로 행함으로써, 간편하게 광 투과성 전자파 차폐재를 얻는 것이 바람직하다.

이와 같이 하여 얻어지는 광 투과성 전자파 차폐재는, 접착제층 외에 하드 코팅층, 반사 방지층, 색조 보정 필터층, 근적외선 흡수층 등을 더 가져도 된다. 이들 각 층의 적층 순서는 목적에 따라 결정된다. 또한, 디스플레이용 필터에는, 전자파 차폐 기능을 높이기 위해 PDP 본체의 접지 전극과 접속하기 위한 전극을 설치하여도 된다.

바람직한 광 투과성 전자파 차폐재로서는, 얻어진 메쉬 형상 도전층의 표면에 예를 들어 하드 코팅층 및 저굴절률층 등의 반사 방지층이 형성되고, 이면에 근적외선 흡수층이 형성된 것, 혹은 메쉬 형상 도전층의 표면에 점착제층을 개재하거나 혹은 직접 근적외선 흡수층이 형성되고, 이면에 하드 코팅층 및 저굴절률층 등의 반사 방지층이 형성된 것을 들 수 있다.

본 발명의 광 투과성 전자파 차폐재는, 광 투과성이 요구되는 용도, 예를 들어 전자파를 발생하는 각종 전기 기기의 LCD, PDP, CRT 등의 디스플레이 장치의 디스플레이면, 또는 시설이나 가옥의 투명 유리면이나 투명 패널면에 적절하게 적용된다. 본 발명의 광 투과성 전자파 차폐재는, 높은 광 투과성 및 전자파 차폐성을 갖고 있으므로, 전술한 디스플레이 장치의 디스플레이용 필터, 특히 PDP용 필터에 적절하게 사용된다.

<실시예>

이하, 본 발명을 실시예에 의해 설명한다. 본 발명은, 이하의 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.

[실시예 1]

(1) 전처리제의 제조

복합 금속 산화물 수화물 입자(PdTiO₃ㆍ6H₂O, 평균 입자 직경 0.5㎛)를, 2액 경화형 폴리에스테르계 우레탄 수지 용액에, 폴리에스테르계 우레탄 수지 100질량부에 대하여 복합 금속 산화물 수화물 입자를 30질량부로 하여 배합하여 전처리제(점도: 2000cps, 25℃)를 제조하였다.

또한, 상기 2액 경화형 폴리에스테르계 우레탄 수지 용액은, 폴리에스테르 수지(도요 모톤 가부시끼가이샤제 AD-335A, Tg: 10℃)와 지환족 이소시아네이트(도요 모톤 가부시끼가이샤제 CAT-10L)를 질량비 100:0.5로 포함하고, 고형분 농도가 10질량%인 것을 사용하였다.

2. 메쉬 형상의 전처리층의 제작

다음으로, 상기 전처리제를 PET 필름(두께 100㎛) 상에 그라비아 인쇄에 의해 패터닝한 후, 120℃에서 5분간 건조시킴으로써, 상기 PET 필름 상에 메쉬 형상의 전처리층을 형성하였다. 또한, 그라비아 인쇄의 오목판의 메쉬 형상은, 볼록부의 한변(선 간격)이 254㎛인 정사각형이고, 정사각형간의 거리(선폭)가 20㎛, 도 3의 정사각형의 대향하는 모서리 사이 거리(L)가 29㎛, 도 3의 정사각형의 대향하는 모서리의 이등변 삼각형의 (a)가 29㎛였다. 얻어진 메쉬 형상의 전처리층은, 선 간격이 254㎛, 선폭이 20㎛, 개구율이 85%, 두께가 0.5㎛였다.

3. 전처리층의 환원 처리

다음으로, 상기에서 얻어진 전처리층이 형성된 PET 필름을 60℃의 차아인산나트륨 용액(NaH₂PO₂ 농도: 30g/L)에 3분간 침지시키고, 전처리층의 환원 처리를 행하였다.

4. 금속 도전층의 제작

상기에서 환원 처리된 전처리층이 형성된 PET 필름을, 무전해 구리 도금액(멜텍스 가부시끼가이샤제 멜플레이트 CU-5100)에 침지하고, 50℃에서 20분간 무전해 구리 도금 처리를 행하여, 메쉬 형상의 금속 도전층을 얻었다. 상기 금속 도전층의 선폭은 25㎛, 선 간격은 254㎛, 개구율은 81%, 두께는 4㎛였다.

5. 금속 도전층의 흑화 처리

또한, 상기에서 얻어진 금속 도전층이 형성된 PET 필름에 대하여, 하기 조성의 흑화 처리를 행하였다.

흑화 처리액 조성(수용액)

아염소산나트륨: 10질량%

수산화나트륨: 4질량%

흑화 처리 조건

욕온: 약 60℃

시간: 5분간

이 흑화 처리에 의해, 금속 도전층의 표면이 흑화 처리된 광 투과성 전자파 차폐재를 얻었다. 얻어진 광 투과성 전자파 차폐재의 표면의 흑화 처리된 두께는 평균 0.5㎛였다. 다른 치수는 변화가 없었다.

[실시예 2]

실시예 1에 있어서, 그라비아 인쇄의 오목판의 메쉬 형상에서의 도 3의 정사각형의 대향하는 모서리 사이 거리(L)를 30㎛, 도 3의 정사각형의 대향하는 모서리의 이등변 삼각형의 (a)를 30㎛로 한 것 이외는 마찬가지로 하여 광 투과성 전자파 차폐재를 제작하였다.

얻어진 메쉬 형상의 전처리층은, 선 간격이 254㎛, 선폭이 20㎛, 개구율이 85%, 두께가 0.5㎛였다. 또한, 상기 금속 도전층의 선폭은 25㎛, 선 간격은 254㎛, 개구율은 81%, 두께는 4㎛, 흑화 처리층은 평균 0.5㎛였다.

[실시예 3]

실시예 1에 있어서, 그라비아 인쇄의 오목판의 메쉬 형상에서의 도 3의 정사각형의 대향하는 모서리 사이 거리(L)를 31㎛, 도 3의 정사각형의 대향하는 모서리의 이등변 삼각형의 (a)를 31㎛로 한 것 이외는 마찬가지로 하여 광 투과성 전자파 차폐재를 제작하였다.

얻어진 메쉬 형상의 전처리층은, 선 간격이 254㎛, 선폭이 20㎛, 개구율이 85%, 두께가 0.5㎛였다. 또한, 상기 금속 도전층의 선폭은 25㎛, 선 간격은 254㎛, 개구율은 81%, 두께는 4㎛, 흑화 처리층은 평균 0.5㎛였다.

[실시예 4]

실시예 1에 있어서, 그라비아 인쇄의 오목판의 메쉬 형상에서의 도 3의 정사각형의 대향하는 모서리 사이 거리(L)를 32㎛, 도 3의 정사각형의 대향하는 모서리의 이등변 삼각형의 (a)를 32㎛로 한 것 이외는 마찬가지로 하여 광 투과성 전자파 차폐재를 제작하였다.

얻어진 메쉬 형상의 전처리층은, 선 간격이 254㎛, 선폭이 20㎛, 개구율이 85%, 두께가 0.5㎛였다. 또한, 상기 금속 도전층의 선폭은 25㎛, 선 간격은 254㎛, 개구율은 81%, 두께는 4㎛, 흑화 처리층은 평균 0.5㎛였다.

[참고예 1]

실시예 1에 있어서, 그라비아 인쇄의 오목판의 메쉬 형상에서의 도 3의 정사각형의 대향하는 모서리 사이 거리(L)를 35㎛, 도 3의 정사각형의 대향하는 모서리의 이등변 삼각형의 (a)를 35㎛로 한 것 이외는 마찬가지로 하여 광 투과성 전자파 차폐재를 제작하였다.

얻어진 메쉬 형상의 전처리층은, 선 간격이 254㎛, 선폭이 20㎛, 개구율이 85%, 두께가 0.5㎛였다. 또한, 상기 금속 도전층의 선폭은 25㎛, 선 간격은 254㎛, 개구율은 81%, 두께는 4㎛, 흑화 처리층은 평균 0.5㎛였다.

[광 투과성 전자파 차폐재의 평가]

1) 교점부의 단선

도전층 형성 후의 도전층 표면을 현미경(형식 번호 LHX-500, 기엔스(주)제)으로 관찰하고, 하기와 같이 평가한다.

◎: 교점의 단선이 교점 100개당 3개 이하

○: 교점의 단선이 교점 100개당 3개 초과 10개 이하

△: 교점의 단선이 교점 100개당 10개 초과 20개 이하

×: 교점의 단선이 교점 100개당 20개 초과

2) 표면 저항(Ω/□)

도금층 형성 후, 그의 표면 저항을 JIS-C-2141에 준거하여 측정한다.

3) 외관

도금층 형성 후, 그의 외관을 육안으로 관찰하고, 하기와 같이 평가한다.

○: 외관 불량(얼룩, 그을음)이 보이지 않음

△: 일부 외관 불량(얼룩, 그을음)이 보임

4) 전자파 차폐성

도금층 형성 후, 전자파 차폐성을 KEC법에 의해 측정하고, 하기와 같이 평가한다.

○: 40dB 이상

△: 20dB 이상 40dB 미만

결과를 표 1에 나타낸다.

참고예 1에서 얻어진 광 투과성 전자파 차폐재는, 단선이 많기 때문에 인쇄 후의 표면 저항이 높고(3×10⁴Ω/□), 전기 도금으로 도금 얼룩이 발생하고, 외관 불량이 보였다. 또한, 표면 저항도 떨어지지 않기 때문에(2×10²Ω/□), 전자기 차폐성도 불충분하였다.

또한, 실시예 1 내지 4에서 얻어진 광 투과성 전자파 차폐재의 메쉬의 교점 부분의 사각형의 형상은, 상기 현미경으로부터 모서리부가 약간 오목해져 있는(메쉬가 없는 정사각형 부분의 모서리가 나와 있음) 것이 관찰되었다.

<산업상 이용가능성>

본 발명의 단선이 없는 메쉬 형상의 화상을 간이하게 형성할 수 있는 화상 형성 방법을 이용하여, 단선이 없는 메쉬 형상의 도전층을 갖는, 전자파 차폐성이 우수한 광 투과성 전자파 차폐재를 간이하게 제조할 수 있다. 이와 같이 하여 얻어지는 광 투과성 전자파 차폐재는, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 전방면 필터나, 병원 등의 전자파 차폐를 필요로 하는 건축물의 창에 유용하다.

11: 실린더
12: 전처리제
14: 투명 기판
15: 닥터 블레이드
16: 롤
17: 볼록부 표면
18: 간극(오목부)
41, 51, 61: 투명 기판
42, 52: 전처리제
63: 도전성 잉크
43, 53: 금속 도전층

Claims (15)

1. 표면의 오목부의 패턴이 메쉬 형상인 실린더를 사용하는 오목판 인쇄에 의해, 화상 형성용 재료를 기판의 표면에 패턴 인쇄하여, 메쉬 형상 화상을 형성하는 공정을 포함하는 화상 형성 방법에 있어서,
   실린더 표면의 메쉬 형상 패턴의 메쉬의 교점 부분에서의 오목부의 저부의 면적이 감축되어 있는 것을 특징으로 하는 화상 형성 방법.
2. 제1항에 있어서, 오목부 저부의 면적 감축 전에서의, 메쉬 형상 패턴의 볼록부의 표면 형상이 사각형이고, 또한 사각형의 모서리의 정점이 연장됨으로써, 교점 부분에서의 오목부의 저부의 면적이 감축되어 있는 화상 형성 방법.
3. 제2항에 있어서, 교점 부분에서의 마주 대하는 사각형의 모서리의 정점간의 거리(L)가 30㎛ 이하인 화상 형성 방법.
4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 교점 부분에서의 마주 대하는 사각형의 모서리부가, 예각의 이등변 삼각형의 형상을 갖고, 또한 그의 저변의 길이(a)가 30㎛ 이하인 화상 형성 방법.
5. 표면의 오목부의 패턴이 메쉬 형상인 실린더를 사용하는 오목판 인쇄에 의해, 무전해 도금 전처리제를 투명 기판의 표면에 패턴 인쇄하여, 메쉬 형상 전처리층을 형성하는 공정, 및
   전처리층 상에, 무전해 도금 처리에 의해 메쉬 형상의 금속 도전층을 형성하는 공정
   을 포함하는 광 투과성 전자파 차폐재의 제조 방법이며,
   실린더 표면의 메쉬 형상 패턴의 메쉬의 교점 부분에서의 오목부의 저부의 면적이 감축되어 있는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
6. 제5항에 있어서, 무전해 도금 전처리제가, 복합 금속 산화물 및/또는 복합 금속 산화물 수화물과 합성 수지를 포함하는 액인 제조 방법.
7. 제5항에 있어서, 무전해 도금 전처리제가, 실란 커플링제와 아졸계 화합물의 혼합물 또는 반응 생성물, 및 귀금속 화합물을 포함하는 액인 제조 방법.
8. 표면의 오목부의 패턴이 메쉬 형상인 실린더를 사용하는 오목판 인쇄에 의해, 금속 미립자 및 결합제 수지를 포함하는 도전성 잉크를 투명 기판의 표면에 패턴 인쇄하여 메쉬 형상 도전층을 형성하는 공정을 포함하는 광 투과성 전자파 차폐재의 제조 방법에 있어서,
   실린더 표면의 메쉬 형상 패턴의 메쉬의 교점 부분에서의 오목부의 저부의 면적이 감축되어 있는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
9. 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 오목부 저부의 면적 감축 전에서의, 메쉬 형상 패턴의 볼록부의 표면 형상이 사각형이고, 또한 사각형의 모서리의 정점이 연장됨으로써, 교점 부분에서의 오목부의 저부의 면적이 감축되어 있는 제조 방법.
10. 제5항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 교점 부분에서의 마주 대하는 사각형의 모서리의 정점간의 거리(L)가 30㎛ 이하인 제조 방법.
11. 제5항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 교점 부분에서의 마주 대하는 사각형의 모서리부가, 예각의 이등변 삼각형의 형상을 갖고, 또한 그의 저변의 길이(a)가 30㎛ 이하인 제조 방법.
12. 제5항 내지 제7항 및 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 무전해 도금을 행한 후, 또한 전해 도금을 행하는 광 투과성 전자파 차폐재의 제조 방법.
13. 투명 기판, 및 그 위에 형성된 메쉬 형상의 금속 도전층을 갖고,
    메쉬 형상 패턴의 메쉬의 교점 부분에서의 면적이 감축되어 있는 것을 특징으로 하는 광 투과성 전자파 차폐재.
14. 제13항에 있어서, 투명 기판과 금속 도전층 사이에 메쉬 형상의 전처리층이 형성되어 있는 광 투과성 전자파 차폐재.
15. 제13항 또는 제14항에 있어서, 메쉬의 교점 부분에서의 형상이 사각형이고, 또한 사각형의 모서리가 오목해짐으로써, 교점 부분에서의 오목부의 저부의 면적이 감축되어 있는 광 투과성 전자파 차폐재.

Images