KR20100072180A - 기판 탑재 기구 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

피처리 기판이 탑재되는 기판 탑재 기구로서, 피처리 기판 탑재면(21a)을 갖고, 피처리 기판 W를, 막이 퇴적되는 성막 온도로 가열하는 가열체가 매설되고, 대직경부(94b)와 소직경부(94a)를 갖는 제 1 리프터핀 삽입 통과 구멍(81a)을 구비한 히터 플레이트(21)와, 적어도 피러치 기판 탑재면(21a) 이외의 표면을 덮도록 형성되고, 온도가 성막온도 미만의 비성막 온도로 되고, 대직경부(92b)와 소직경부(92a)를 갖는 제 2 리프터핀 삽입 통과 구멍(81c)을 구비한 온도 조절 재킷과, 대직경부(94b)에 삽입 통과 가능한 덮개부(93b)와, 대직경부(94b) 및 소직경부(94a) 모두에 삽입 통과 가능한 축부(93a)를 구비한 제 1 리프터핀(24b-1)과, 대직경부(92b)에 삽입통과 가능한 덮개부(91b)와, 대직경부(92b) 및 소직경부(92a) 모두에 삽입통과 가능한 축부(91a)를 구비한 제 2 리프터핀(24b-2)를 구비한다.

Description

기판 탑재 기구 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE PLACING MECHANISM AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 성막 장치 등의 기판 처리 장치에 있어서, 처리 용기내에서 반도체 웨이퍼 등의 기판을 탑재해서 가열하는 가열체를 갖는 기판 탑재 기구 및 이 기판 탑재 기구를 구비한 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조에 있어서는 피처리 기판인 반도체 웨이퍼에 대해, CVD 성막 처리를 실시하는 공정이 존재한다. 이 처리시에는 피처리 기판인 반도체 웨이퍼를 소정의 온도로 가열하는데, 이러한 가열에는 기판 탑재대를 겸한 히터 플레이트(스테이지 히터라고도 함)를 이용하는 것이 일반적이다. 이와 같은 일반적인 히터 플레이트가 일본 특허 공개 공보 평성10-326788호에 기재되어 있다.
CVD 성막 처리는 반도체 웨이퍼상에만 막을 퇴적되는 것이 이상적이다. 그러나, 현실적으로는 반도체 웨이퍼를 가열하는 히터 플레이트상에도 막이 퇴적된다. 히터 플레이트 자체가 성막 온도 이상으로 되어 있기 때문이다. 히터 플레이트상에 퇴적된 막은 챔버나 히터의 승강온의 영향을 받으며, 열팽창과 수축을 반복한다. 이 반복 때문에, 퇴적된 막에는 열스트레스가 축적되고, 결국에는 막 박리를 일으켜 파티클 발생의 원인으로 된다. 챔버내에 있어서의 파티클의 발생은 반도체 디바이스의 제조 양품률 악화의 하나의 원인으로 된다.
본 발명은 막의 퇴적을 억제하는 것이 가능한 기판 탑재 기구, 및 이 기판 탑재 기구를 구비한 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제 1 태양에 따른 기판 탑재 기구는, 피처리 기판 탑재면을 갖고, 상기 피처리 기판을, 막이 퇴적되는 성막 온도로 가열하는 가열체가 매설되고, 상기 피처리 기판 탑재면측에 대직경부(大直俓部)를 갖고, 상기 피처리 기판 탑재면의 반대측에 상기 대직경부보다 직경이 작은 소직경부(小直俓部)를 갖는 제 1 리프트 핀 삽입 통과 구멍을 구비한 히터 플레이트와, 적어도 상기 히터 플레이트의 피처리 기판 탑재면 이외의 표면을 덮도록 형성되고, 온도가 상기 성막 온도 미만의 비성막 온도로 되고, 상기 피처리 기판 탑재면측에 대직경부를 갖고, 상기 피처리 기판 탑재면의 반대측에 상기 대직경부보다 직경이 작은 소직경부를 갖는 제 2 리프트 핀 삽입 통과 구멍을 구비한 온도 조절 재킷과, 상기 제 1 리프트 핀 삽입 통과 구멍에 삽입 통과되고, 상기 제 1 리프트 핀 삽입 통과 구멍의 대직경부에 삽입통과 가능한 덮개부와, 이 덮개부에 접속되고 상기 제 1 리프트 핀 삽입 통과 구멍의 대직경부 및 소직경부의 쌍방에 삽입통과 가능한 축부를 구비한 제 1 리프트 핀과, 상기 제 2 리프트 핀 삽입 통과 구멍에 삽입통과되고, 상기 제 2 리프트 핀 삽입 통과 구멍의 대직경부에 삽입통과 가능한 덮개부와, 이 덮개부에 접속되고 상기 제 2 리프트 핀 삽입 통과 구멍의 대직경부 및 소직경부의 쌍방에 삽입통과 가능한 축부를 구비한 제 2 리프트 핀을 구비한다.
본 발명의 제 2 태양에 따른 기판 처리 장치는, 피처리 기판 탑재면을 갖고, 상기 피처리 기판을, 막이 퇴적되는 성막 온도로 가열하는 가열체가 매설되고, 상기 피처리 기판 탑재면측에 대직경부를 갖고, 상기 피처리 기판 탑재면의 반대측에 상기 대직경부보다 직경이 작은 소직경부를 갖는 제 1 리프트 핀 삽입통과구멍을 구비한 히터 플레이트와, 적어도 상기 히터 플레이트의 피처리 기판 탑재면 이외의 표면을 덮도록 형성되고, 온도가 상기 성막 온도 미만의 비성막 온도로 되고, 상기 피처리 기판 탑재면측에 대직경부를 갖고, 상기 피처리 기판 탑재면의 반대측에 상기 대직경부보다 직경이 작은 소직경부를 갖는 제 2 리프트 핀 삽입 통과 구멍을 구비한 온도 조절 재킷과, 상기 제 1 리프트 핀 삽입 통과 구멍에 삽입통과되고 상기 제 1 리프트 핀 삽입 통과 구멍의 대직경부에 삽입통과 가능한 덮개부와, 이 덮개부에 접속되고 상기 제 1 리프트 핀 삽입 통과 구멍의 대직경부 및 소직경부의 쌍방에 삽입통과 가능한 축부를 구비한 제 1 리프트 핀과, 상기 제 2 리프트 핀 삽입 통과 구멍에 삽입통과되고, 상기 제 2 리프트 핀 삽입 통과 구멍의 대직경부에 삽입통과 가능한 덮개부와, 이 덮개부에 접속되고 상기 제 2 리프트 핀 삽입 통과 구멍의 대직경부 및 소직경부의 쌍방에 삽입통과 가능한 축부를 구비한 제 2 리프트 핀을 구비한 기판 탑재 기구와, 상기 기판 탑재 기구를 수용하는 챔버와, 상기 피처리 기판에 성막 처리를 실시하는 성막 처리부를 구비한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 일예를 개략적으로 나타내는 단면도,
도 2는 피처리 기판의 온도와 퇴적율의 관계를 나타내는 도면,
도 3a는 비교예를 나타내는 단면도,
도 3b는 비교예를 나타내는 단면도,
도 4a는 실시형태를 나타내는 단면도,
도 4b는 실시형태를 나타내는 단면도,
도 5a는 참조예를 나타내는 단면도,
도 5b는 참조예를 나타내는 단면도,
도 5c는 참조예를 나타내는 단면도,
도 6은 도 1 중의 점선 타원 A 부분의 확대 단면도,
도 7a는 도 6중의 점선 직사각형 B 부분의 확대 단면도,
도 7b는 도 7a에 나타내는 단면의 온도 분포를 나타내는 도면,
도 8은 리프트 핀 상승시의 일예를 나타내는 단면도,
도 9는 리프트 핀 상승시의 다른 예를 나타내는 단면도,
도 10은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 일예를 개략적으로 나타내는 단면도,
도 11은 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 일예를 개략적으로 나타내는 단면도,
도 12는 히터 플레이트와 단열재의 접합부 근방을 확대해서 나타내는 단면도,
도 13은 히터 플레이트와 단열재의 접합부 근방을 확대해서 나타내는 단면도,
도 14는 본 발명의 제 4 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 히터 플레이트와 단열재의 접합부 근방을 확대해서 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부 도면을 참조해서 본 발명의 실시형태에 대해 구체적으로 설명한다.
(제 1 실시형태)
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 일예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 본 예의 기판 처리 장치는 피처리 기판 W, 본 예에서는 반도체 웨이퍼에, 예를 들면, 성막 처리를 실시하는 CVD 장치(1)이다. CVD 장치(1)는 기판 탑재 기구(2)와, 기판 탑재 기구(2)를 수용하는 챔버(3)와, 피처리 기판, 본 예에서는 반도체 웨이퍼 W에 성막 처리를 실시하는 성막 처리부(4)와, CVD 장치(1)를 제어하는 제어부(5)를 구비한다.
기판 탑재 기구(2)는 히터 플레이트(21)와, 온도 조절 재킷(22)과, 단열재(23)와, 피처리 기판 승강기구(24)를 포함한다.
히터 플레이트(21)는 피처리 기판 탑재면(21a)을 갖고, 그 내부에는 피처리 기판 W를 가열하는 가열체(이하, 히터 전극이라 함)(21b)가 매설되어 있다. 히터 전극(21b)은 피처리 기판 W의 온도를, 예를 들면, 막이 퇴적되는 성막 온도로 가열한다. 피처리 기판 W는 히터 플레이트(21)에만 접촉한다. 본 예의 히터 전극(21b)은 히터 플레이트(21)의 내부에 마련된 가열 저항체이다. 히터 플레이트(21)의 재질의 예는 금속 또는 세라믹스이다. 금속의 예로서는 알루미늄을 들 수 있으며, 세라믹스의 예로서는 질화 알루미늄을 들 수 있다. 본 예에서는 히터 플레이트(21)의 재질을 알루미늄으로 하였다.
온도 조절 재킷(22)은 적어도 히터 플레이트(21)의 피처리 기판 탑재면(21a) 이외의 표면을 덮도록 마련된다. 온도 조절 재킷(22)의 내부에는 온도 조절 장치(25)가 매설되어 있다. 온도 조절 장치(25)는 온도 조절 재킷(22)의 온도를, 성막 처리시에, 상기 성막 온도 미만의 비성막 온도로 조절한다. 본 예의 온도 조절 장치(25)는 온도 조절 재킷의 온도를 조절하는 장치로서, 승온 또는 강온시키기 위한 온도 조절 유체 순환 기구(25a)와, 승온시키기 위한 가열체(25b)를 구비한다. 온도 조절 유체 순환 기구(25a)는 본 예에서는 온도 조절 유체로서 냉각수를 이용한다. 온도 조절 재킷(22)의 내부에는 냉각수를 순환시키는 수냉관이 마련되어 있다. 가열체(히터 전극)(25b)는 마찬가지로 온도 조절 재킷(22)의 내부에 마련된 가열 저항체를 갖는다. 본 예에서는 냉각관과 가열 저항체가 교대로 배치되어 있다. 또한, 온도 조절 장치(25)로서는 온도 조절 유체 순환 기구(25a)와 가열체(25b) 중 어느 한쪽만을 마련해도 좋다. 온도 조절 재킷(22)의 재질의 예는 금속 또는 세라믹스이다. 금속의 예로서는 알루미늄을 들 수 있으며, 세라믹스의 예로서는 질화 알루미늄을 들 수 있다. 본 예에서는 온도조절 재킷(22)의 재질을 알루미늄으로 하였다.
히터 플레이트(21) 및 온도 조절 재킷(22)은 지지 부재(26)의 상단 위에 고정되고, 지지 부재(26)의 하단은 챔버(3)의 바닥부(3a)에 고정되어 있다. 또, 지지 부재(26)와 바닥부(3a)의 고정 부분은 시일 부재(26a)에 의해서 밀봉되어 있다.
지지 부재(26)의 내부에는 냉각수 공급관(101a), 냉각수 배출관(101b), 온도 조절 재킷(22)의 히터 전극선(102), 히터 플레이트(21)의 히터 전극선(103), 가스 퍼지 라인(104), 히터 플레이트(21)의 온도제어용 열전쌍 선(105) 및 온도 조절 재킷(22)의 온도제어용 열전쌍 선(106) 등이 통과된다.
냉각수 공급관(101a)은 온도 조절 유체 순환 기구(25a)에 온도 조절 재킷 냉각수를 공급하고, 냉각수 배출관(101b)은 온도 조절 유체 순환 기구(25a)로부터 상기 냉각수를 배출한다.
히터 전극선(102)은 온도 조절 재킷(22)의 히터 전극(25b)에 전력을 공급한다. 마찬가지로, 히터 전극선(103)은 히터 플레이트(21)의 히터 전극(21b)에 전력을 공급한다.
열전쌍 선(105, 106)은 히터 플레이트(21) 및 온도 조절 재킷(22)에 마련된 열전쌍(21c 및 25c)에 접속되어 있다. 이들 열전쌍은 히터 플레이트(21) 및 온도조절 재킷(22)의 온도 제어에 사용된다.
또한, 가스 퍼지 라인(104)에 대해서는 후술하는 실시형태에 있어서 설명한다.
도 1에는 지지 부재(26)와 온도 조절 재킷(22)이 일체로 형성된 것이 도시되어 있지만, 지지 부재(26)와 온도 조절 재킷(22)은 별체로 형성되어도 좋다.
또, 온도 조절 재킷(22) 자체도 단품으로 형성되어도 좋지만, 분할품으로 하는 것도 가능하다. 분할품의 예로서는 히터 플레이트(21)의 바닥부를 덮는 부분과, 히터 플레이트(21)의 측부를 덮는 부분으로 나누어, 온도 조절 재킷(22)을 형성하는 것을 들 수 있다.
본 제 1 실시형태에서는 단열재(23)를, 히터 플레이트(21)와 온도 조절 재킷(22)의 사이에 배치하고 있다. 단열재(23)는 히터 플레이트(21)와 온도 조절 재킷(22)의 상호간의 전열을 억제한다. 히터 플레이트(21)와 온도 조절 재킷(22)의 상호간의 전열을 억제함으로써, 히터 플레이트(21)는 온도 조절 재킷(22)의 온도의 영향을 받기 어려워지고, 마찬가지로, 온도 조절 재킷(22)은 히터 플레이트(21)의 온도의 영향을 받기 어려워진다. 이것에 의해, 히터 플레이트(21)의 온도 제어 및 온도 조절 재킷(22)의 온도 제어, 예를 들면, 균열성의 제어를 더욱 정확하게 실행하는 것이 가능하게 된다. 단열재의 재질의 예로서는 히터 플레이트(21) 및 온도 조절 재킷(22)을 구성하는 재료보다 열전도율이 낮은 재료로서, 금속이나 세라믹스, 혹은 석영을 들 수 있다. 금속의 예로서는 스테인리스강(SUS)을 들 수 있으며, 세라믹스의 예로서는 알루미나를 들 수 있다. 본 예에서는 히터 플레이트(21)의 재질을 스테인리스강으로 하였다.
단열재(23)도 또한, 온도 조절 재킷(22)과 마찬가지로 단품으로 형성되어도 좋지만, 분할품으로 하는 것도 가능하다. 분할품의 예로서는 온도 조절 재킷(22)과 마찬가지로, 히터 플레이트(21)의 바닥부를 덮는 부분과, 히터 플레이트(21)의 측부를 덮는 부분으로 나누어, 단열재(23)를 형성하는 것을 들 수 있다.
피처리 기판 승강기구(24)는 리프터 암(24a), 리프터 암(24a)에 부착된 리프트 핀(24b), 리프터 암(24a)을 상하 구동시키는 샤프트(24c)를 갖는다. 리프트 핀(24b)은 온도 조절 재킷(22), 단열재(23) 및 히터 플레이트(21)에 형성된 리프트 핀 삽입 통과 구멍에 삽입된다. 샤프트(24c)를, 피처리 기판 W를 밀어 올리도록 Z방향으로 구동하면 리프터 암(24a)이 상승하고, 이것에 부착된 리프트 핀(24b)이 피처리 기판 W의 이면을 밀어서, 피처리 기판 W를 피처리 기판 탑재면(21a)의 위쪽으로 밀어 올린다. 반대로, 샤프트(24c)를, 피처리 기판 W를 내리도록 구동하면 리프터 암(24a)이 하강해서, 결국 리프트 핀(24b)이 피처리 기판 W의 이면으로부터 멀어지고, 피처리 기판 W는 피처리 기판 탑재면(21a)의 위에 탑재된다.
챔버(3)는 상기 기판 탑재 기구(2)를 수용한다. 챔버(3)의 바닥부(3a)에는 상술한 바와 같이, 지지 부재(26)가 고정되는 것 이외에, 배기관(27)에 접속되어 있다. 배기관(27)은 도시하지 않은 진공 배기 기구에 접속되어 있으며, 챔버(3)의 내부는 필요에 따라 진공 배기 가능하게 되어 있다. 챔버(3)의 상부(3b) 위에는 상부 덮개(3c)가 부착되어 있다.
성막 처리부(4)는 성막 가스 공급부(41)와 샤워 헤드(42)를 갖는다.
성막 가스 공급부(41)는 챔버(3)내에, 성막 가스 공급관(41a)을 거쳐서 소정의 성막 가스를 공급한다. 성막 가스 공급관(41a)은 샤워 헤드(42)의 확산 공간(42a)에 접속된다. 샤워 헤드(42)는 상부 덮개(3c)에 부착되어 있으며, 샤워 헤드(42)의 피처리 기판 W와 대향하는 면에는 복수의 가스 토출 구멍(42b)이 형성되어 있다. 확산 공간(42a)에 있어서 확산된 성막 가스는 가스 토출 구멍(42b)으로부터 챔버(3)내에 토출된다. 토출된 성막 가스가 성막 온도에 도달해 있는 피처리 기판 W에 공급되면, 피처리 기판 W의 표면상에 막이 성장한다.
제어부(5)는 마이크로 프로세서(컴퓨터)로 이루어지는 프로세스 콘트롤러(51)와, 오퍼레이터가 CVD 장치(1)를 관리하기 위해 커멘드의 입력 조작 등을 실행하는 키보드나, 기판 처리 시스템의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등을 포함하는 유저 인터페이스(52)와, CVD 장치(1)에서 실행되는 각종 처리를 프로세스 콘트롤러(51)의 제어로 실현하기 위한 제어 프로그램이나, 각종 데이터 및 처리 조건에 따라 CVD 장치(1)에 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 즉, 레시피가 저장된 기억부(53)를 구비하고 있다.
레시피는 기억부(53)내의 기억 매체에 기억되어 있다. 기억 매체는 하드 디스크라도 좋고, CD-ROM, DVD, 플래쉬 메모리 등의 휴대가능한 것이어도 좋다. 또, 다른 장치로부터, 예를 들면 전용회선을 거쳐서 레시피를 적절히 전송시키도록 해도 좋다. 필요에 따라, 임의의 레시피를, 유저 인터페이스(52)로부터의 지시 등에 의해 기억부(53)로부터 호출하여, 프로세스 콘트롤러(51)에게 실행시킴으로써, 프로세스 콘트롤러(51)의 제어하에서, CVD 장치(1)에서의 원하는 처리가 실행된다.
또한, 본 예에서는 상기 레시피에, 히터 플레이트(21)의 온도 제어 및 온도조절 재킷(22)의 온도 제어에 관한 프로그램이 포함된다. 이들 온도 제어에 관한 프로그램을 저장한 기억 매체는, 예를 들면, 성막 처리시에, 피처리 기판 W의 온도가, 예를 들면, 막이 퇴적되는 성막 온도로 되도록, 히터 플레이트(21)의 히터 전극(21b)을 가열 제어하는 동시에, 온도 조절 재킷(22)의 온도가 상기 성막 온도 미만의 비성막 온도로 되도록, 온도 조절 장치(25)를 조절 제어한다.
도 2는 피처리 기판의 온도와 퇴적율의 관계를 나타내는 도면이다. 도 2에 나타내는 예는 루테늄(Ru)을 CVD법을 이용해서 퇴적한 예이다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 루테늄은 피처리 기판 W의 온도가 약 150℃ 이상이 되면 퇴적하기 시작한다. 반대로 150℃ 미만이면 루테늄은 퇴적하지 않는다. 특히, 120℃ 이하에서는 거의 퇴적하지 않는다. 루테늄의 경우에는 150℃ 이상이 성막 온도이고, 150℃ 미만이 비성막 온도이다. 본 예에서는 이러한 온도와 퇴적율의 관계를 이용해서, 피처리 기판 W상에 루테늄을 퇴적시키면서, 피처리 기판 W 이외에는 루테늄이 퇴적되지 않도록 온도 조절을 한다. 일예로서는 성막 처리시에, 피처리 기판 W의 온도가, 예를 들면, 루테늄이 퇴적되는 성막 온도 150℃ 이상으로 되도록 히터 플레이트(21)의 히터 전극(21b)을 가열 제어하고, 온도 조절 재킷(22)은 비성막 온도 150℃ 미만이 되도록 온도 조절 장치(25)를 조절 제어한다.
또한, 도 2에 나타내는 예에서는 루테늄의 원료 가스로서 Ru3(CO)12(루테늄의 화합물 착체)를 이용하였다. 성막 프로세스는 Ru3(CO)12의 열분해이며, Ru와 CO가 열분해에 의해 분리함으로써, 피처리 기판 W상에 Ru가 성막된다.
제 1 실시형태에 따른 CVD 장치(1)에 의하면, 히터 플레이트(21)의 히터 전극(21b)을 성막 온도로 하고, 히터 플레이트(21)의 기판 탑재면(21a) 이외를 적어도 덮는 온도 조절 재킷(22)을 비성막 온도로 한다. 이것에 의해, 기판 탑재면(21a)상에 탑재된 피처리 기판 W상에 막을 퇴적하면서, 피처리 기판 W 이외의 개소에는 막의 퇴적을 억제할 수 있다. 피처리 기판 W 이외의 개소에 막의 퇴적을 억제할 수 있는 것에 의해, 챔버(3)내에 있어서의 파티클의 발생원을 해소할 수 있고, 제조되는 반도체 장치 등의 품질이나 양품률을 향상시킬 수 있다.
도 3a 및 도 3b에 비교예를 나타낸다.
도 3a에 나타내는 바와 같이, 온도 조절 재킷(22)이 없는 경우에는 히터 플레이트(21)의 대략 전면이 성막 온도로 가열된다. 그 결과, 도 3b에 나타내는 바와 같이, 막(62)은 피처리 기판 W 위뿐만 아니라, 히터 플레이트(21)의 대략 전면상에 퇴적되어 버린다.
이에 대해, 제 1 실시형태에 따른 CVD 장치(1)에 의하면, 도 4a에 나타내는 바와 같이, 적어도 히터 플레이트(21)의 피처리 기판 탑재면(21a) 이외를 덮는 온도 조절 재킷(22)을 구비하고 있으므로, 예를 들면, 피처리 기판 탑재면(21a)만을 성막 온도로 할 수 있고, 온도 조절 재킷(22)으로 덮인 부분에 대해서는 비성막 온도로 할 수 있다. 이 결과, 도 4b에 나타내는 바와 같이, 막(62)은 피처리 기판 W상에만 선택적으로 퇴적할 수 있다. 온도 조절 재킷(22)상에는 막(62)이 퇴적되지 않기 때문에, 챔버(3)내에 있어서의 파티클의 발생원을 해소할 수 있다.
또, 제 1 실시형태에 따른 CVD 장치(1)에 의하면, 피처리 기판 W상에만 막을 퇴적할 수 있기 때문에, 챔버(3)내의 세척 회수를 줄일 수 있고, 예를 들면, 세척을 행하지 않는 것도 가능하다.
챔버(3)의 세척 회수를 경감할 수 있으면, CVD 장치(1)의 성막 처리 이외에 소요되는 시간, 예를 들면, 세척이나 유지보수에 소요되는 시간을 삭감할 수 있게 되며, 제조되는 반도체 장치 등의 스루풋을 향상시키는 것도 가능하게 된다.
그런데, 상술한 바와 같이, 리프트 핀(24b)은 리프트 핀 삽입 통과 구멍에 삽입통과된다. 리프트 핀(24b)은 피처리 기판 W를 상승시키거나 하강시키기 때문에, 리프트 핀(24b)은 삽입 통과 구멍내를 상하 이동한다. 원활하게 상하이동을 시키기 위해, 리프트 핀(24b)과 리프트 핀 삽입 통과 구멍의 사이에는 약간의 간극, 즉, 클리어런스(clearance)가 설정된다. 클리어런스가 설정된 리프트 핀 삽입 통과 구멍의 일예를 참조예로서 도 5a에 나타낸다.
도 5a에 나타내는 바와 같이, 리프트 핀(24b)은 리프트 핀 삽입 통과 구멍(81)에 삽입통과되어 있다. 리프트 핀(24b)과 삽입 통과 구멍(81)의 사이에는 클리어런스(82)가 설정되어 있다. 성막 처리시, 성막 가스(83)는 피처리 기판 W의 표면뿐만 아니라, 히터 플레이트(21)의 이면에도 돌아 들어간다. 성막 가스(83)가 히터 플레이트(21)의 이면에 돌아 들어가면, 성막 가스(83)가 클리어런스(82)를 통해 리프트 핀 삽입 통과 구멍(81)내로 들어가 버리는 경우가 있다. 리프트 핀 삽입 통과 구멍(81)은 히터 플레이트(21)에 형성되어 있기 때문에, 성막 가스(83)는 리프트 핀 삽입 통과 구멍(81)내에 있어서, 퇴적 온도 이상으로 되어 있는 히터 플레이트(21)에 접촉하게 된다.
또한, 리프트 핀(24b)의 상단부, 즉 피처리 기판 W와의 접촉부는, 피처리 기판 W가 히터 플레이트(21)의 피처리 기판 탑재면(21a)상에 탑재되어 있을 때, 피처리 기판 W와 멀어지는 경우가 있다. 이 때문에, 성막 가스(83)는 리프트 핀 삽입 통과 구멍(81)내에서, 히터 플레이트(21)뿐만 아니라, 피처리 기판 W의 이면에도 접촉하게 된다. 피처리 기판 W는 성막 처리시에는 당연히 퇴적 온도 이상으로 되어 있다. 비록, 리프트 핀(24b)의 상단부가 피처리 기판 W와 접촉하고 있었다고 해도 클리어런스(82)가 설정되어 있기 때문에, 리프트 핀(24b)은 피처리 기판 W의 이면을 완전히 덮어 가릴 수 없다. 피처리 기판 W의 이면은 클리어런스(82)를 거쳐서 성막 가스(83)에 접촉해 버린다.
이와 같이 성막 가스(83)는 리프트 핀 삽입 통과 구멍(81)내에서, 퇴적 온도 이상의 온도로 되어 있는 히터 플레이트(21)나 피처리 기판 W의 이면에 접촉해 버릴 가능성을 갖는다. 만약, 성막 가스(83)가 퇴적 온도 이상의 온도로 되어 있는 히터 플레이트(21)나 피처리 기판 W의 이면에 접촉하게 되면, 도 5b에 나타내는 바와 같이, 히터 플레이트(21)의 리프트 핀 삽입 통과 구멍(81)내에 노출되어 있는 면(21d)상이나, 피처리 기판 W의 리프트 핀 삽입통과구멍(81)내에 노출되어 있는 면 Wa상에 막(84a 및 84b)이 퇴적 형성되어 버린다.
리프트 핀(24b)도, 리프트 핀 삽입 통과 구멍(81)에 있는 부분에 있어서는 히터 플레이트(21)로부터의 열을 받아서 가열되기 때문에, 퇴적 온도 이상으로 되는 경우도 있다. 리프트 핀(24b)이 퇴적 온도 이상으로 되어 있으면, 특별히 도시하지는 않았지만, 리프트 핀(24b)상에도 막이 퇴적 형성되어 버린다.
면(21c)상에 형성된 막(84a)은 챔버(3)내로의 파티클 발생원으로 된다. 또, 막(84b)에 대해서는 챔버(3)내로의 파티클 발생원으로 되는 것 이외에, 도 5c에 나타내는 바와 같이, 피처리 기판 W에 형성된 채로 챔버(3) 이외의 챔버로 운반되는 경우도 있으므로, 챔버간의 오염, 소위 크로스콘터미네이션(cross-contamination)의 원인으로도 된다.
이와 같은 사정을 해소하기 위해, 제 1 실시형태에 따른 CVD 장치(1)는 리프트 핀 삽입 통과 구멍(81)에 이하와 같은 연구를 실시하였다.
도 6은 제 1 실시형태에 따른 CVD 장치(1)의 리프트 핀 구조를 나타내는 단면도이다. 도 6은 도 1 중의 점선 타원 A부분의 확대도에 상당한다. 또, 도 7a 및 도 7b는 도 6 중의 점선 직사각형 B 부분의 확대도이다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 제 1 실시형태에 따른 CVD 장치(1)는 리프트 핀(24b)을 분할형으로 하였다. 본 예에서는, 상부 리프트 핀(24b-1)과 하부 리프트 핀(24b-2)의 2분할형으로 하였다. 상부 리프트 핀(24b-1)은 히터 플레이트(21)에 형성된 리프트 핀 삽입 통과 구멍(81a)내 및 단열재(23)에 형성된 리프트 핀 삽입 통과 구멍(81b)내에 삽입통과된다. 하부 리프트 핀(24b-2)은 온도 조절 재킷(22)에 형성된 리프트 핀 삽입 통과 구멍(81c)내에 삽입통과된다.
도 7a에 나타내는 바와 같이, 하부 리프트 핀(24b-2)은 축부(91a)와 덮개부(91b)를 갖는다. 덮개부(91b)는 축부(91a)의 상단부에 마련되고, 축부(91a)의 직경(d91a)보다 큰 직경(d91b)을 갖는다. 온도 조절 재킷(22)에 형성된 리프트 핀 삽입 통과 구멍(81c)은 직경이 다른 부위를 복수 가진 하부 리프트 핀(24b-2)을 삽입통과시키기 위해, 직경이 다른 부위를 복수 가진 다단의 구멍으로 된다. 본 예에서는 축부(91a)만이 삽입통과 가능한 직경으로 된 소직경부(92a)와, 축부(91a) 및 덮개부(91b)의 쌍방이 삽입통과 가능한 직경으로 된 대직경부(92b)를 가진 2단 구멍으로 된다. 2단 구멍으로 된 리프트 핀 삽입 통과 구멍(81c)에서는 하부 리프트 핀(24b-2)이 하강하고 있을 때, 덮개부(91b)가 소직경부(92a)와 대직경부(92b)의 경계부(92c)에 걸린다. 이 때문에, 덮개부(91b)가 소직경부(92a)에 설정된 클리어런스(82a)를 막는다. 덮개부(91b)가 클리어런스(82a)를 막기 때문에, 성막 가스(83)가 히터 플레이트(21)에 형성된 삽입 통과 구멍(81a)에 돌아 들어가지 않게 된다.
또한, 삽입 통과 구멍(81c)에는 성막 가스(83)가 클리어런스(82a)를 거쳐서 돌아 들어가지만, 도 7b에 나타내는 바와 같이, 온도 조절 재킷(22)은 성막 온도 미만의 비성막 온도로 되어 있기 때문에, 막이 퇴적 형성되는 일은 없다.
또한, 본 예에서는 상부 리프트 핀(24b-1)도 하부 리프트 핀(24b-2)과 마찬가지로, 축부(93a)와, 축부(93a)의 상단부에 설치된 덮개부(93b)를 갖는 구성으로 하였다. 덮개부(93b)는 축부(93a)의 직경(d93a)보다 큰 직경(d93b)을 갖는다. 히터 플레이트(21)에 형성된 리프트 핀 삽입 통과 구멍(81a)도 마찬가지로, 축부(93a)만이 삽입통과 가능한 직경으로 된 소직경부(94 a)와, 축부(93a) 및 덮개부(93b)의 쌍방이 삽입통과 가능한 직경으로 된 대직경부(94b)를 가진 2단 구멍으로 된다. 리프트 핀(24b)이 상승하고 있을 때의 단면도를 도 8에 나타낸다.
도 8에 나타내는 바와 같이, 본 예의 하부 리프트 핀(24b-2)의 덮개부(91b)는 단열재(23)에 형성된 리프트 핀 삽입 통과 구멍(81b)을 관통해서, 히터 플레이트(21)에 형성된 리프트 핀 삽입 통과 구멍(81a)의 일부까지 상승한다. 이 때문에, 삽입 통과 구멍(81b)은 덮개부(91b)가 삽입통과 가능하게 되는 직경으로 되고, 삽입 통과 구멍(81a)의 하부는 덮개부(91b)가 삽입통과 가능하게 되는 직경으로 된 대직경부(94d)로 된다. 단, 리프트 핀(24b)이 상승하고 있을 때, 덮개부(91b)가 단열재(23)나 히터 플레이트(21)에 도달하지 않는 경우에는 도 9에 나타내는 바와 같이, 삽입 통과 구멍(81b)은 축부(93a)가 삽입통과 가능한 직경으로 되어도 좋고, 삽입 통과 구멍(81a)은 소직경부(94a)와 대직경부(94b)의 2단으로 형성되어도 좋다.
상기 리프트 핀 삽입통과구멍(81a)에서는 도 7A에 나타내는 바와 같이, 상부 리프트 핀(24b-1)이 하강하고 있을 때, 덮개부(93b)가 소직경부(94a)와 대직경부(94b)의 경계부(94c)에 걸린다. 이 때문에, 덮개부(93b)가 소직경부(94a)에 설정된 클리어런스(82b)를 막는다. 이와 함께, 덮개부(93b)가 경계부(94c)에 걸리는 것에 의해, 상부 리프트 핀(24b-1)이 하강하지 않는다. 이것을 이용해서, 본 예에서는 도 7a의 파선 원 C로 나타내는 바와 같이, 리프트 핀(24b)이 하강한 상태에서 하부 리프트 핀(24b-2)을 상부 리프트 핀(24b-1)으로부터 분리하여, 비접촉으로 한다. 적어도 성막 처리시에는 하부 리프트 핀(24b-2)과 상부 리프트 핀(24b-1)을 서로 비접촉으로 한다.
상부 리프트 핀(24b-1)은 그 덮개부(93b)가 경계부(94c)를 거쳐서 히터 플레이트(21)에 접촉한다. 상부 리프트 핀(24b-1)은 히터 플레이트(21)와 접촉하므로, 온도가 상승하기 쉽다. 상부 리프트 핀(24b-1)의 온도는 도 7b에 나타내는 바와 같이, 성막 온도 이상으로 상승하는 경우도 있을 수 있다. 성막 온도 이상으로 온도가 상승한 상부 리프트 핀(24b-1)에 하부 리프트 핀(24b-2)이 접촉하고 있으면, 상부 리프트 핀(24b-1)으로부터 하부 리프트 핀(24b-2)에 열이 전달되고, 하부 리프트 핀(24b-2)의 온도가 성막 온도 이상으로 상승할 수 밖에 없다. 하부 리프트 핀(24b-2)은 소직경부(92a)에 설정된 클리어런스(82a)를 거쳐서 성막 가스에 닿는다. 만약, 하부 리프트 핀(24b-2)의 온도가 성막 온도 이상으로 상승해 버리면, 하부 리프트 핀(24b-2)상에 막이 퇴적 형성되어 버린다.
이와 같은 사정은 적어도 성막 처리시에 있어서, 하부 리프트 핀(24b-2)과 상부 리프트 핀(24b-1)을 서로 비접촉으로 하du, 상부 리프트 핀(24b-1)으로부터 하부 리프트 핀(24b-2)으로의 전열을 억제함으로써 해소할 수 있다.
또한, 본 예의 하부 리프트 핀(24b-2)은 덮개부(91b)를, 경계부(92c)를 사이에 두고 온도 조절 재킷(22)에 접촉시킨다. 이 때문에, 도 7b에 나타내는 바와 같이, 열이 온도 조절 재킷(22)으로부터 하부 리프트 핀(24b-2)에 전달되기 쉬운 구조로 된다. 이와 같이, 온도 조절 재킷(22)으로부터 적극적으로 하부 리프트 핀(24b-2)에 열을 전달하기 쉬운 구조로 함으로써, 하부 리프트 핀(24b-2)이 온도 조절 재킷(22)에 접촉하고 있지 않은 경우에 비해, 하부 리프트 핀(24b-2)의 온도를 적극적으로 비성막 온도로 할 수 있다. 하부 리프트 핀(24b-2)의 온도를 비성막 온도로 하면, 가령 성막 가스에 닿았다고 해도, 막이 퇴적 형성되는 일은 없다.
이와 같은 제 1 실시형태에 따른 CVD 장치(1)에서는, 히터 플레이트(21)의 히터 전극(21b)을 성막 온도로 하고, 히터 플레이트(21)의 기판 탑재면(21a) 이외를 적어도 덮는 온도 조절 재킷(22)을 비성막 온도로 하기 때문에, 피처리 기판 W 이외의 부분으로의 막의 퇴적을 억제할 수 있다. 피처리 기판 W 이외의 부분에 막의 퇴적을 억제할 수 있는 것에 의해, 챔버(3)내에 있어서의 파티클의 발생원을 해소할 수 있고, 제조되는 반도체 장치 등의 품질이나 양품률을 향상시킬 수 있다.
또한, 제 1 실시형태에서는 리프트 핀(24b)을 분할형으로 하고, 하부 리프트 핀(24b-2)의 상단부에 축부(91a)보다 직경이 넓은 덮개부(91b)를 마련하며, 이 덮개부(91b)를 온도 조절 재킷(22)에 형성된 삽입 통과 구멍(81c)내에 걸리도록 한다. 덮개부(91b)가 삽입 통과 구멍(81a)내에 걸리는 것에 의해, 리프트 핀(24b-2)이 하강하고 있을 때에는 덮개부(91b)에 의해서 클리어런스(82a)를 막을 수 있다. 클리어런스(82a)를 막음으로써, 성막 가스가 클리어런스(82a)를 거쳐서 히터 플레이트(21)에 형성된 삽입 통과 구멍(81a) 등으로 돌아 들어가는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 리프트 핀 삽입 통과 구멍(81a)의 내벽이나 피처리 기판의 이면에의 막의 퇴적을 억제할 수 있다.
또한, 제 1 실시형태에서는 상부 리프트 핀(24b-1)도 하부 리프트 핀(24b-2)과 마찬가지로, 덮개부를 갖는 것에 의해, 상부 리프트 핀(24b-1)을 히터 플레이트(21)에 형성된 삽입 통과 구멍(81a)내에 걸리게 한다. 걸린 상부 리프트 핀(24b-1)은 더 이상 하강하지 않는다. 이것에 의해, 적어도 성막 처리시에는 하부 리프트 핀(24b-2)은 상부 리프트 핀(24b-1)으로부터 분리된다. 하부 리프트 핀(24b-2)을 상부 리프트 핀(24b-1)으로부터 분리하는 것에 의해, 하부 리프트 핀(24b-2)의 온도 상승을 억제할 수 있다. 하부 리프트 핀(24b-2)의 온도 상승이 억제되는 결과, 이 하부 리프트 핀(24b-2)에 막이 퇴적되어 버리는 것도 억제할 수 있다.
이와 같이 제 1 실시형태에 의하면, 리프트 핀 삽입 통과 구멍을 갖는 기판 탑재 기구라도, 챔버(3)내에 있어서의 파티클의 발생원을 해소할 수 있고, 제조되는 반도체 장치 등의 품질이나 양품률을 향상시킬 수 있다.
(제 2 실시형태)
도 10은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 일예를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 도 10에 있어서, 도 1과 동일한 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고, 다른 부분만 설명한다.
도 10에 나타내는 바와 같이, 제 2 실시형태에 따른 CVD 장치(1a)가 제 1 실시형태에 따른 CVD 장치(1)와 다른 점은 온도 조절 재킷(22)으로부터 온도 조절 장치(25)를 생략한 것이다.
히터 플레이트(21)와 온도 조절 재킷(22)의 사이에는 단열재(23)가 개재한다. 단열재(23)를 마련하면, 히터 플레이트(21)로부터 온도 조절 재킷(22)으로의 전열이 억제되므로, 온도 조절 재킷(22) 자체의 온도 조절을 하지 않아도, 온도 조절 재킷(22)의 온도를 히터 플레이트(21)의 온도, 즉, 성막 온도보다 낮은 비성막 온도로 하는 것이 가능하다. 이와 같은 경우에는 온도 조절 장치(25)는 마련하지 않아도 좋다.
온도 조절 장치(25)가 없는 경우에도, 온도 조절 재킷(22)의 온도를 비성막 온도로 할 수 있으면, 온도 조절 재킷(22)상에의 막의 퇴적을 억제할 수 있기 때문에, 제 2 실시형태에 있어서도, 제 1 실시형태와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
제 2 실시형태와 같이, 온도 조절 재킷(22)의 온도를 비성막 온도로 하기 위해서 온도 조절 장치(25)를 마련하지 않고, 단열재(23)만으로 대처하는 것도 가능하다.
(제 3 실시형태)
도 11은 본 발명의 제 3 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 일예를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 도 11에 있어서, 도 1과 동일한 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고, 다른 부분만 설명한다.
도 11에 나타내는 바와 같이, 제 3 실시형태에 따른 CVD 장치(1b)가 제 1 실시형태에 따른 CVD 장치(1)와 다른 점은 히터 플레이트(21)와 온도 조절 재킷(22)의 사이로부터 단열재(23)를 생략한 것이다.
CVD 장치(1b)의 온도 조절 재킷(22)은 제 1 실시형태와 마찬가지로, 온도 조절 장치(25)를 갖는다. 이와 같이, 온도 조절 재킷(22)이 온도 조절 장치(25)를 갖고 있는 경우에는 단열재(23)가 없어도, 온도 조절 재킷(22)의 온도를 비성막 온도로 제어하는 것이 가능하다. 이와 같은 경우에는 단열재(23)는 마련하지 않아도 좋다.
단열재(23)가 없는 경우에도, 온도 조절 재킷(22)의 온도를 비성막 온도로 할 수 있으면, 온도 조절 재킷(22)상에의 막의 퇴적을 억제할 수 있다. 따라서, 제 3 실시형태에 있어서도, 제 1 실시형태와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
제 3 실시형태와 같이, 온도 조절 재킷(22)의 온도를 비성막 온도로 하기 위해서 단열재(23)를 마련하지 않고, 온도 조절 장치(25)만으로 대처하는 것도 가능하다.
또, 온도 조절 재킷(22) 자체를 단열재를 이용해서 형성해도 좋다. 이 경우에도, 단열재(23)는 생략하는 것이 가능하다.
또한, 온도 조절 재킷(22) 자체를 단열재를 이용해서 형성한 경우에는 온도조절 재킷(22) 자체로 히터 플레이트(21)로부터의 전열을 억제할 수 있기 때문에, 제 2 실시형태와 마찬가지로 온도 조절 기구(25)를 생략하는 것도 가능하다.
(제 4 실시형태)
도 12 내지 도 14는 히터 플레이트(21)와 단열재(23)의 접합부 근방을 확대해서 나타내는 단면도이다.
히터 플레이트(21)와 단열재(23)는 접합되는 것이지만, 미시적으로 보면, 도 12에 나타내는 바와 같이, 히터 플레이트(21)와 단열재(23)의 사이에는 미세한 간극(60)이 형성되어 있다. 성막 처리 동안, 간극(60)에는 화살표 A로 나타내는 바와 같이 성막 가스(61)가 들어간다.
히터 플레이트(21)는 성막 온도에 도달하고 있기 때문에, 히터 플레이트(21)에 성막 가스가 접촉하면 히터 플레이트(21)상에 막이 퇴적 성장한다. 도 13에, 간극(60)에 들어간 성막 가스(61)에 의해서 막(62)이 히터 플레이트(21)상에 퇴적 성장한 단면을 나타낸다. 히터 플레이트(21)의, 간극(60)으로 향한 부분의 위에 퇴적 성장한 막(62)도, 파티클의 발생 원인의 하나로 된다.
그래서, 제 4 실시형태에서는 도 14에 나타내는 바와 같이, 퍼지 가스 공급 기구(71)로부터, 히터 플레이트(21)와 단열재(23)의 사이의 간극(60)내에, 간극(60)으로부터 외부를 향해 퍼지 가스(70)를 흘린다. 또한, 퍼지 가스(70)의 공급 경로는 상기 도 1, 도 10 및 도 11에도 “가스 퍼지 라인”으로서 나타나 있다.
퍼지 가스(70)를 간극(60)에 흘리는 것에 의해서, 성막 가스(61)는 간극(60)내로 들어가기 어려워진다. 그 결과, 히터 플레이트(21)의, 간극(60)으로 향한 부분의 위에, 막(62)이 퇴적 성장해 버리는 것을 억제할 수 있다.
또, 도 14에 있어서는 히터 플레이트(21)와 단열재(23)의 사이에 퍼지 가스(70)를 흘리도록 하고 있지만, 예를 들면, 제 3 실시형태와 같이 단열재(23)가 없는 경우에는 퍼지 가스(70)는 히터 플레이트(21)와 온도 조절 재킷(22) 사이의 간극에, 이 간극으로부터 외부를 향해 흘리도록 하면 좋다.
또한, 퍼지 가스(70)는 필요에 따라 흘릴 수 있다.
이상, 본 발명을 실시형태에 의거하여 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고 각종 변형 가능하다.
예를 들면, 상기 실시형태에서는 본 발명을 CVD 장치에 적용한 예를 설명했지만, CVD 장치에 한정되지 않고, 막을 퇴적하는 장치이면 적용할 수 있다. 예를 들면, 플라즈마 CVD 장치나, ALD 장치에도 적용할 수 있다.
또, 퇴적되는 막으로서 루테늄을 예시했지만, 퇴적되는 막도 루테늄에 한정되는 것은 아니다.

Claims (20)

  1. 피처리 기판 탑재면을 갖고, 상기 피처리 기판을, 막이 퇴적되는 성막 온도로 가열하는 가열체가 매설되고, 상기 피처리 기판 탑재면측에 대직경부를 갖고, 상기 피처리 기판 탑재면의 반대측에 상기 대직경부보다 직경이 작은 소직경부를 갖는 제 1 리프트 핀 삽입 통과 구멍을 구비한 히터 플레이트와,
    적어도 상기 히터 플레이트의 피처리 기판 탑재면 이외의 표면을 덮도록 형성되고, 온도가 상기 성막 온도 미만의 비성막 온도로 되고, 상기 피처리 기판 탑재면측에 대직경부를 갖고, 상기 피처리 기판 탑재면의 반대측에 상기 대직경부보다 직경이 작은 소직경부를 갖는 제 2 리프트 핀 삽입 통과 구멍을 구비한 온도 조절 재킷과,
    상기 제 1 리프트 핀 삽입 통과 구멍에 삽입통과되고, 상기 제 1 리프트 핀 삽입 통과 구멍의 대직경부에 삽입통과 가능한 덮개부와, 이 덮개부에 접속되고 상기 제 1 리프트 핀 삽입 통과 구멍의 대직경부 및 소직경부의 쌍방에 삽입통과 가능한 축부를 구비한 제 1 리프트 핀과,
    상기 제 2 리프트 핀 삽입 통과 구멍에 삽입통과되고, 상기 제 2 리프트 핀 삽입 통과 구멍의 대직경부에 삽입통과 가능한 덮개부와, 이 덮개부에 접속되고 상기 제 2 리프트 핀 삽입 통과 구멍의 대직경부 및 소직경부의 쌍방에 삽입통과 가능한 축부를 구비한 제 2 리프트 핀
    을 구비하는 기판 탑재 기구.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 리프트 핀과 상기 제 2 리프트 핀은 적어도 성막 처리시에 있어서 서로 비접촉으로 되는 기판 탑재 기구.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 리프트 핀은 적어도 성막 처리시에 있어서 상기 온도 조절 재킷에 접촉되는 기판 탑재 기구.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 온도 조절 재킷이 온도 조절 장치를 갖는 기판 탑재 기구.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 온도 조절 장치가 상기 온도 조절 재킷의 온도를 조절하는 냉각체를 순환시키는 냉각체 순환 기구를 갖는 기판 탑재 기구.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 온도 조절 장치가 상기 온도 조절 재킷의 온도를 조절하는 가열체를 구비하는 기판 탑재 기구.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 온도 조절 재킷이 단열재를 이용해서 형성되어 있는 기판 탑재 기구.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 히터 플레이트와 상기 온도 조절 재킷 사이에 퍼지 가스를 공급하는 퍼지 가스 공급 기구를 더 구비하는 기판 탑재 기구.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 히터 플레이트와 상기 온도 조절 재킷 사이에 배치된 단열재를 더 구비하는 기판 탑재 기구.

  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 히터 플레이트와 상기 단열재 사이에 퍼지 가스를 공급하는 퍼지 가스 공급 기구를 더 구비하는 기판 탑재 기구.
  11. 피처리 기판 탑재면을 갖고, 상기 피처리 기판을, 막이 퇴적되는 성막 온도로 가열하는 가열체가 매설되고, 상기 피처리 기판 탑재면측에 대직경부를 갖고, 상기 피처리 기판 탑재면의 반대측에 상기 대직경부보다 직경이 작은 소직경부를 갖는 제 1 리프트 핀 삽입 통과 구멍을 구비한 히터 플레이트와,
    적어도 상기 히터 플레이트의 피처리 기판 탑재면 이외의 표면을 덮도록 형성되고, 온도가 상기 성막 온도 미만의 비성막 온도로 되며, 상기 피처리 기판 탑재면측에 대직경부를 갖고, 상기 피처리 기판 탑재면의 반대측에 상기 대직경부보다 직경이 작은 소직경부를 갖는 제 2 리프트 핀 삽입 통과 구멍을 구비한 온도 조절 재킷과,
    상기 제 1 리프트 핀 삽입 통과 구멍에 삽입통과되고, 상기 제 1 리프트 핀 삽입 통과 구멍의 대직경부에 삽입통과 가능한 덮개부와, 이 덮개부에 접속되고 상기 제 1 리프트 핀 삽입 통과 구멍의 대직경부 및 소직경부의 쌍방에 삽입통과 가능한 축부를 구비한 제 1 리프트 핀과,
    상기 제 2 리프트 핀 삽입 통과 구멍에 삽입통과되고, 상기 제 2 리프트 핀 삽입 통과 구멍의 대직경부에 삽입통과 가능한 덮개부와, 이 덮개부에 접속되고 상기 제 2 리프트 핀 삽입 통과 구멍의 대직경부 및 소직경부의 쌍방에 삽입통과 가능한 축부를 구비한 제 2 리프트 핀을 구비한 기판 탑재 기구와,
    상기 기판 탑재 기구를 수용하는 챔버와,
    상기 피처리 기판에 성막 처리를 실시하는 성막 처리부
    를 구비하는 기판 처리 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 리프트 핀과 상기 제 2 리프트 핀은 적어도 성막 처리시에 있어서 서로 비접촉으로 되는 기판 처리 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 2 리프트 핀은 적어도 성막 처리시에 있어서 상기 온도 조절 재킷에 접촉되는 기판 처리 장치.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 온도 조절 재킷이 온도 조절 장치를 갖는 기판 처리 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 온도 조절 장치가 상기 온도 조절 재킷의 온도를 조절하는 냉각체를 순환시키는 냉각체 순환 기구를 갖는 기판 처리 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 온도 조절 장치가 상기 온도 조절 재킷의 온도를 조절하는 가열체를 구비하는 기판 처리 장치.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 온도 조절 재킷이 단열재를 이용해서 형성되어 있는 기판 처리 장치.
  18. 제 11 항에 있어서,
    상기 히터 플레이트와 상기 온도 조절 재킷 사이에 퍼지 가스를 공급하는 퍼지 가스 공급 기구를 더 구비하는 기판 처리 장치.
  19. 제 11 항에 있어서,
    상기 히터 플레이트와 상기 온도 조절 재킷 사이에 배치된 단열재를 더 구비하는 기판 처리 장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 히터 플레이트와 상기 단열재 사이에 퍼지 가스를 공급하는 퍼지 가스 공급 기구를 더 구비하는 기판 처리 장치.
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