CN101802257B - 基板载置机构和基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种载置有被处理基板的基板载置机构，具备：加热板(21)，其具有被处理基板载置面(21a)，埋设有将被处理基板(W)加热至膜堆积的成膜温度的加热体，并具备具有宽径部(94b)和窄径部(94a)的第一升降销插通孔(81a)；调温套，其被形成为至少覆盖被处理基板载置面(21a)以外的表面的，温度为不足成膜温度的非成膜温度，具备具有宽径部(92b)和窄径部(92a)的第二升降销插通孔(81c)；具备能够插通宽径部(94b)的盖部(93b)和能够插通宽径部(94b)和窄径部(94a)双方的轴部(93a)的第一升降销(24b-1)；具备能够插通宽径部(92b)的盖部(91b)和能够插通宽径部(92b)和窄径部(92a)双方的轴部(91a)的第二升降销(24b-2)。

Description

基板载置机构和基板处理装置
技术领域
本发明涉及在成膜装置等的基板处理装置中，在处理容器内载置半导体晶片等的基板、具有进行加热的加热体的基板载置机构，具备该基板载置机构的基板处理装置。
背景技术
在半导体器件的制造中，存在对作为被处理基板的半导体晶片实施CVD成膜处理的工序。在该处理时，作为被处理基板的半导体晶片被加热至规定的温度，但该加热一般使用兼做基板载置台的加热板(也称为台式加热器)。这样的一般的加热板记载于日本特开平10-326788号公报中。
对于CVD成膜处理，理想情况是仅在半导体晶片上堆积膜。但是，在现实中，膜也会被堆叠在对半导体晶片加热的加热板上。这是因为加热板自身达到成膜温度以上。堆叠在加热板上的膜，受到腔室、加热器升降温的影响，反复进行热膨胀和收缩。由于这种反复，在堆积的膜蓄积热应力，于是发生膜剥离，成为微粒产生的原因。腔室内的微粒的产生，成为半导体器件的制造成品率恶化的原因之一。
发明内容
本发明的目的在于，提供能够抑制膜堆叠的基板载置机构，以及具备该基板载置机构的基板处理装置。
本发明的第一实施方式的基板载置机构，具备：加热板，该加热板具有被处理基板载置面，埋设有将上述被处理基板加热至膜堆积的成膜温度的加热体，并具备第一升降销插通孔，该第一升降销插通孔在上述被处理基板载置面侧具有宽径部，在上述被处理基板载置面的相反侧，具有直径比上述宽径部小的窄径部；调温套，该调温套被形成为至少覆盖上述加热板的被处理基板载置面以外的表面，温度为不足上述成膜温度的非成膜温度，并具备第二升降销插通孔，该第二升降销插通孔在上述被处理基板载置面侧具有宽径部，在上述被处理基板载置面的相反侧，具有直径比上述宽径部小的窄径部；第一升降销，该第一升降销插通于上述第一升降销插通孔，具备能够插通上述第一升降销插通孔的宽径部的盖部，和与该盖部连接的、能够插通上述第一升降销插通孔的宽径部和窄径部双方的轴部；和第二升降销，该第二升降销插通于上述第二升降销插通孔，具备能够插通上述第二升降销插通孔的宽径部的盖部，和与该盖部连接的、能够插通上述第二升降销插通孔的宽径部和窄径部双方的轴部。
本发明的第二实施方式的基板处理装置，具备：基板载置机构、收容上述基板载置机构的腔室和对被处理基板实施成膜处理的成膜处理部，其中，上述基板载置机构具备：加热板，该加热板具有被处理基板载置面，埋设有将上述被处理基板加热至膜堆积的成膜温度的加热体，并具备第一升降销插通孔，该第一升降销插通孔在上述被处理基板载置面侧具有宽径部，在上述被处理基板载置面的相反侧，具有直径比上述宽径部小的窄径部；调温套，该调温套被形成为至少覆盖上述加热板的被处理基板载置面以外的表面，温度为不足上述成膜温度的非成膜温度，并具备第二升降销插通孔，该第二升降销插通孔在上述被处理基板载置面侧具有宽径部，在上述被处理基板载置面的相反侧，具有直径比上述宽径部小的窄径部；第一升降销，该第一升降销插通于上述第一升降销插通孔，具备能够插通上述第一升降销插通孔的宽径部的盖部，和与该盖部连接的、能够插通上述第一升降销插通孔的宽径部和窄径部双方的轴部；和第二升降销，该第二升降销插通于上述第二升降销插通孔，具备能够插通上述第二升降销插通孔的宽径部的盖部，和与该盖部连接的、能够插通上述第二升降销插通孔的宽径部和窄径部双方的轴部。
附图说明
图1为概略地表示本发明的第一实施方式的基板处理装置的一例的截面图。
图2为被处理基板的温度与堆积率的关系的示意图。
图3A为表示比较例的截面图。
图3B为表示比较例的截面图。
图4A为表示实施方式的截面图。
图4B为表示实施方式的截面图。
图5A为表示参考例的截面图。
图5B为表示参考例的截面图。
图5C为表示参考例的截面图。
图6为图1中的椭圆框A的扩大截面图。
图7A为图6中的框B的扩大截面图。
图7B为如图7A所示的截面的温度分布的示意图。
图8为表示升降销上升时的一例的截面图。
图9为表示升降销上升时的其他例子的截面图。
图10为概略地表示本发明的第二实施方式的基板处理装置的一例的截面图。
图11为概略地表示本发明的第三实施方式的基板处理装置的一例的截面图。
图12为扩大表示加热板与隔热材料的接合部附近的截面图。
图13为扩大表示加热板与隔热材料的接合部附近的截面图。
图14为扩大表示本发明的第四实施方式的基板处理装置的加热板与隔热材料的接合部附近的截面图。
具体实施方式
以下，参照附图针对本发明的实施方式具体地进行说明。
(第一实施方式)
图1为概略地表示本发明的第一实施方式的基板处理装置的一例的截面图。
如图1所示，本例的基板处理装置，为对被处理基板W、在本例中为对半导体晶片，实施例如成膜处理的CVD装置1。CVD装置1具备：基板载置机构2，收容基板载置机构2的腔室3，对被处理基板、在本例中为对被处理基板实施成膜处理的成膜处理部4，和对CVD装置1进行控制的控制部5。
基板载置机构2包括加热板21、调温套22、隔热材料23和被处理基板升降机构24。
加热板21具有被处理基板载置面21a，在其内部埋设有加热被处理基板W的加热体(以下称为加热器电极)21b。加热器电极21b将被处理基板W的温度，加热至例如膜堆积的成膜温度。被处理基板W仅接触加热板21。本例的加热器电极21b为在加热板21的内部铺开的加热电阻体。加热板21的材质能够举例为金属或陶瓷。以金属为例时，例如能够例举出铝，以陶瓷为例时，例如能够例举出氮化铝。在本例中，使加热板21的材质为铝。
调温套22被设置为至少覆盖加热板21的被处理基板载置面21a以外的表面。在调温套22的内部埋设有温度调节装置25。温度调节装置25在成膜处理时将调温套22的温度调节至不足上述成膜温度的非成膜温度。本例的温度调节装置25作为对调温套的温度进行调节的装置，具备用于使其升温或降温的调温流体循环机构25a和用于使其升温的加热体25b。调温流体循环机构25a在本例中将冷却水用作调温流体。在调温套22的内部铺设有使冷却水循环的水冷管。加热体(加热器电极)25b具有同样在调温套22的内部铺设的加热电阻体。在本例中，冷却管与加热电阻体交错配置。此外，作为温度调节装置25，也可以仅设置调温流体循环机构25a以及加热体25b中的一方。调温套22的材质的例子为金属或陶瓷。以金属为例，例如能够举出铝，以陶瓷为例，例如能够举出氮化铝。在本例中，使调温套22的材质为铝。
加热板21以及调温套22固定于支撑部件26的上端上，支撑部件26的下端固定于腔室3的底部3a。另外，支撑部件26与底部3a的固定部分，由密封部件26a密封。
在支撑部件26的内部，通过有冷却水供给管101a、冷却水排出管101b、调温套22的加热器电极线102、加热板21的加热器电极线103、气体净化线路104、加热板21的温度控制用热电偶线105、以及调温套22的温度控制用热电偶线106等。
冷却水供给管101a向调温流体循环机构25a供给调温套冷却水，冷却水排出管101b从调温流体循环机构25a将上述冷却水排出。
加热器电极线102向调温套22的加热器电极25b供给电力。同样地，加热器电极线103向加热板21的加热器电极21b供给电力。
热电偶线105、106与加热板21和调温套22中设置的热电偶21c和25c连接。这些热电偶用于加热板21和调温套22的温度控制。
另外，针对气体净化线路104在后述的实施方式中进行说明。
图1表示支撑部件26与调温套22一体地形成的情况，但当然地支撑部件26与调温套22也可以分别形成。
另外，调温套22自身也可以由单独部件形成，也能够为分割部件。以分割部件为例，能够举出分为覆盖加热板21的底部的部分、覆盖加热板21的侧部的部分而形成调温套22的情况。
在本第一实施方式中，隔热材料23配置在加热板21与调温套22之间。隔热材料23抑制加热板21与调温套22相互间的传热。通过抑制加热板21与调温套22相互间的传热，加热板21难以受到调温套22的温度的影响，同样地，调温套22难以受到加热板21的温度的影响。由此，能够更加正确地进行加热板21的温度控制以及调温套22的温度控制，例如均热性的控制。隔热材料的材质的例子，例如为比构成加热板21和调温套22的材料的热传导率低的材料，能够例举出金属、陶瓷、或石英。以金属为例，例如能够举出不锈钢(SUS)，以陶瓷为例，例如能够举出氧化铝。在本例中，使加热板21的材质为不锈钢。
隔热材料23也与调温套22同样地，既能以单独部件形成，也能为不同部件。以不同部件为例，与调温套22同样地，能够例举出分为覆盖加热板21的底部的部分和覆盖加热板21的侧部的部分，形成隔热件23。
被处理基板升降机构24具有升降臂24a、安装于升降臂24a的升降销24b、对升降臂24a进行上下驱动的轴24c。升降销24b插入形成于调温套22、隔热材料23以及加热板21的升降销插通孔。以上推被处理基板W的方式将轴24c向Z方向驱动时，升降臂24a上升，安装于此的升降销24b推动被处理基板W的背面，将被处理基板W向被处理基板载置面21a的上方上推。相反地，以将被处理基板W降下的方式驱动轴24c时，升降臂24a下降，于是升降销24b离开被处理基板W的背面，被处理基板W被载置于被处理基板载置面21a之上。
腔室3容纳上述基板载置机构2。在腔室3的底部3a，如上述那样，支撑部件26被固定，并且与排气管27连接。排气管27与图中未表示的真空排气机构连接，腔室3的内部，根据需要能够进行真空排气。在腔室3的上部3b上，安装有上盖3c。
成膜处理部4具有成膜气体供给部41与喷淋头42。
成膜气体供给部41向腔室3内经由成膜气体供给管41a供给规定的成膜气体。成膜气体供给管41a与喷淋头42的扩散空间42a连接。喷淋头42安装于上盖3c，在扩散空间42a的与被处理基板W相对的面，形成有多个气体喷出孔42b。在扩散空间42a扩散的成膜气体，从气体喷出孔42b向腔室3内喷出。喷出的成膜气体，向达到成膜温度的被处理基板W供给时，膜在被处理基板W的表面上生长。
控制部5具备：微处理器(计算机)形成的工序控制器51；用户接口52，其包括操作员为了管理CVD装置1而进行命令的输入操作等的键盘、将基板处理系统的工作状况可视化显示的显示器等；和存储部53，其存储有用于将在工序控制器51的控制下实现由CVD装置1执行的各种处理的控制程序、用于根据各种数据及处理条件使得CVD装置1执行处理的程序、即方案。
方案存储于存储部53中的存储介质。存储介质可以为硬盘，也可以为CD-ROM、DVD、闪存等可移动性的介质。另外，从其他的装置，也可以通过例如专用线路适当地传送方案。根据需要，按照来自用户接口52的指示等从存储部53调用任意的方案，在工序控制器51实行，使得在工序控制器51的控制下，进行在CVD装置1的所期望的处理。
进而，在本例中，上述方案，组合有涉及加热板21的温度控制以及调温套22的温度控制的程序。容纳涉及这些温度控制的程序的存储介质，例如在成膜处理时，对加热板21的加热器电极21b进行加热控制，例如使被处理基板W的温度达到膜堆积的成膜温度，并且对温度调节装置25进行调节控制，使调温套22的温度达到不足上述成膜温度的非成膜温度。
图2为表示被处理基板的温度(Wafer temp.)与堆积率(Dep.rate)的关系的附图。如图2所示的例子为用CVD法堆积钌(Ru)的例子。
如图2所示，在被处理基板W的温度达到约150℃以上时，钌开始堆积。相反地不足150℃时钌不堆积。特别是，在120℃以下钌几乎完全不堆积。在钌的情况下，150℃以上为成膜温度，不足150℃为非成膜温度。在本例中，利用这样的温度与堆积率的关系，进行温度调节，使得钌在被处理基板W上堆积，并且在被处理基板W以外钌不堆积。作为一个例子，在成膜处理时，对加热板21的加热器电极21b进行加热控制，使得被处理基板W的温度达到例如钌堆积的成膜温度150℃以上，对温度调节装置25进行调节控制，使得调温套22为非成膜温度的不足150℃。
此外，在图2所示的例子中，作为钌的原料气体，使用Ru3(CO)12(钌的化合物络合物)。成膜工序通过Ru3(CO)12的热分解，即Ru与CO的热分解引起分离，使得Ru在被处理基板W上成膜。
根据第一实施方式的CVD装置1，使加热板21的加热器电极21b为成膜温度，使至少覆盖加热板21的基板载置面21a以外的调温套22为非成膜温度。由此，能够使膜在载置于基板载置面21a上的被处理基板W上堆积，并且抑制膜在被处理基板W以外的地方的堆积。通过能够抑制膜在被处理基板W以外的地方的堆积，使得能够消除腔室3内的微粒的发生源，能够使制造的半导体装置等的品质、成品率提高。
图3A、图3B表示比较例。
如图3A所示，在没有调温套22时，加热板21的大致整个面被加热至成膜温度。其结果是，如图3B所示，膜62不仅在被处理基板W上，而且在加热板21的大致整个面上被堆积。
相对地，根据第一实施方式的CVD装置1，如图4A所示，由于至少具备覆盖加热板21的被处理基板载置面21a以外的调温套22，因此例如能够仅使被处理基板载置面21a为成膜温度，对于被调温套22覆盖的部分，能够为非成膜温度。其结果是，如图4B所示，能够使膜62仅选择性地堆积在被处理基板W上。膜62不在调温套22上堆积，因此能够消除腔室3内的微粒的发生源。
另外，根据第一实施方式的CVD装置1，能够仅在被处理基板W 上堆积膜，因此能够减少腔室3内的清洗的频率，例如能够使其为免清洗。
能够减少腔室3的清洗的频率，则能够减少CVD装置1的除成膜处理之外所需的时间，例如能够削减清洗、维护所需的时间，也能够提高所制造的半导体装置等的生产能力。
于是，如上述那样，升降销24b插通于升降销插通孔中。升降销24b使被处理基板W上升、下降，所以升降销24b在插通孔内上下运动。为了使其平稳地上下运动，在升降销24b与升降销插通孔之间，设定微小的缝隙、即间隙。设定有间隙的升降销插通孔的一例作为参考例如图5A所示。
如图5A所示，升降销24b插通于升降销插通孔81中。在升降销24b与插通孔81之间，设定有间隙82。成膜处理时，成膜气体83，不仅向被处理基板W的表面，也向加热板21的背面扩散。成膜气体83向加热板21的背面扩散时，成膜气体83通过间隙82进入升降销插通孔81内的情况是有的。升降销插通孔81形成于加热板21，因此成膜气体83在升降销插通孔81内，与达到堆积温度以上的加热板21接触。
进而，升降销24b的上端部，即与被处理基板W的接触部，将被处理基板W载置于加热板21的被处理基板载置面21a上时，存在与被处理基板W分离的情况。因此，成膜气体83在升降销插通孔81内，不仅与加热板21，而且与被处理基板W的背面接触。被处理基板W在成膜处理时当然为堆积温度以上。即使升降销24b的上端部与被处理基板W接触，由于设定有间隙82，所以升降销24b不能够完全地遮盖被处理基板W的背面。被处理基板W的背面，通过间隙82而与成膜气体83接触。
这样，成膜气体83，具有在升降销插通孔81内与达到堆积温度以上的温度的加热板21、被处理基板W的背面接触的可能性。假使成膜气体83与达到堆积温度以上温度的加热板21、被处理基板W的背面接触，则如图5B所示，在加热板21的露出于升降销插通孔81内的面21c上、在被处理基板W的露出于升降销插通孔81内的面Wa上，堆积形成膜84a和84b。
升降销24b位于升降销插通孔81的部分，也受到来自加热板21的热而被加热，因此存在达到堆积温度以上的情况。升降销24b为堆积温度以上时，图中虽然未特别表示，但膜也在升降销24b上堆积形成。
在面21c上形成的膜84a成为腔室3内的微粒的发生源。另外，对于膜84b，除了成为腔室3内的微粒的发生源之外，如图5C所示，存在保持形成在被处理基板W的状态、被向腔室3以外的腔室搬运的情况，因此也成为腔室间的污染、即所谓交叉污染的原因。
为了消除这样的情况，对于第一实施方式的CVD装置1，针对升降销插通孔81进行了以下这样的研究。
图6是表示第一实施方式的CVD装置1的升降销构造的截面图。图6相当于图1中的椭圆框A内的扩大图。另外，图7A和图7B为图6中的框B内的扩大图。
如图6所示，在第一实施方式的CVD装置1中，升降销24b为分割型。在本例中为分割为上部升降销24b-1与下部升降销24b-2这2部分的形式。上部升降销24b-1插通于在加热板21中形成的升降销插通孔81a内、以及在隔热材料23中形成的升降销插通孔81b内。下部升降销24b-2，插通于在调温套22中形成的升降销插通孔81c内。
如图7A所示，下部升降销24b-2，具有轴部91a和盖部91b。盖部91b设置于轴部91a的上端部，具有比轴部91a的直径d91a大的直径d91b。形成于调温套22的升降销插通孔81c，为了插通具有多个直径不同的部位的下部升降销24b-2，为具有多个直径不同的部位的多级孔。在本例中，为具有仅能够插通轴部91a的直径的窄径部92a、和直径为轴部91a和盖部91b双方都能够插通的宽径部92b的2级孔。在被形成为2级孔的升降销插通孔81c中，在下部升降销24b-2下降时，盖部91b在窄径部92a与宽径部92b的边界部92c被卡止。因此，盖部91b塞住设定于窄径部92a的间隙82a。盖部91b塞住间隙82a，因此成膜气体83不会向形成于加热板21的插通孔81a扩散。
此外，虽然成膜气体83通过间隙82a在插通孔81c中扩散，但如图7B所示，调温套22为不足成膜温度的非成膜温度，因此膜不会堆积形成。
进而，在本例中，上部升降销24b-1也与下部升降销24b-2同样地，具有轴部93a和设置于轴部93a的上端部的盖部93b。盖部93b具有比轴部93a的直径d93a大的直径d93b。形成于加热板21的升降销插通孔81a也同样地，被形成2级孔，具有直径为仅轴部93a能够插通的窄径部94a、和直径为轴部93a和盖部93b双方都能够插通的宽径部94b。升降销24b上升时的截面图如图8所示。
如图8所示，本例的下部升降销24b-2的盖部91b，贯通形成于隔热材料23的升降销插通孔81b，上升至形成于加热板21的升降销插通孔81a的一部分。因此，插通孔81b的直径为盖部91b能够插通的直径，插通孔81a的下部是直径为盖部91b能够插通的宽径部94d。但是，在升降销24b上升时，在盖部91b未到达隔热材料23、加热板21的情况下，如图9所示，插通孔81b的直径优选为轴部93a能够插通的直径、插通孔81a优选以窄径部94a与宽径部94b的2级形成。
在上述升降销插通孔81a中，如图7A所示，上部升降销24b-1下降时，盖部93b挂于窄径部94a与宽径部94b的边界部94c。因此，盖部93b塞住设定于窄径部94a的间隙82b。并且，盖部93b卡止于边界部94c，使得上部升降销24b-1不会下降。利用此点，在本例中，如图7A的虚线圆C所示，在升降销24b下降的状态下，下部升降销24b-1离开上部升降销24b-1，为非接触。至少在成膜处理时，下部升降销24b-1与上部升降销24b-1为相互非接触。
对于上部升降销24b-1，其盖部93b通过边界部94c与加热板21接触。上部升降销24b-1与加热板21接触，因此温度容易上升。上部升降销24b-1的温度如图7B所示，也可能上升至成膜温度以上。当下部升降销24b-2接触温度已上升至成膜温度以上的上部升降销24b-1时，热量从上部升降销24b-1向下部升降销24b-2传递，下部升降销24b-2的温度可能上升至成膜温度以上。下部升降销24b-2通过设定于窄径部92a的间隙82a与成膜气体接触。假使，下部升降销24b-2的温度上升至成膜温度以上，则膜在下部升降销24b-2上堆积形成。
这样的情况，通过至少在成膜处理时，使下部升降销24b-1与上部升降销24b-1为相互非接触，抑制从上部升降销24b-1向下部升降销24b-2的传热而能够消除。
进而，本例的下部升降销24b-2，将盖部91b经由边界部92c与调温套22接触。因此，如图7B所示，成为热量容易从调温套22向下部升降销24b-2传递的构造。通过使其成为热量从调温套22积极地容易向下部升降销24b-2传递的构造，与下部升降销24b-2不与调温套22接触的情况相比，能够使下部升降销24b-2的温度积极地成为非成膜温度。使下部升降销24b-2的温度为非成膜温度时，即使与成膜气体接触，膜也不会堆积形成。
根据这样的第一实施方式的CVD装置1，使加热板21的加热器电极21b为成膜温度，使至少覆盖加热板21的基板载置面21a以外的调温套22为非成膜温度，因此能够抑制膜在被处理基板W以外的地方的堆积。能够抑制膜在被处理基板W以外的地方的堆积，因此能够消除腔室3内的微粒的发生源，能够提高所制造的半导体装置等的品质、成品率。
进而，在第一实施方式中，使升降销24b为分割型，在下部升降销24b-2的上端部设置比轴部91a的直径更宽的盖部91b，使该盖部91b卡止于在调温套22形成的插通孔81c内。盖部91b卡止于插通孔81a内，使得在升降销24b-2下降时，能够以盖部91b塞住间隙82a。通过塞住间隙82a，能够抑制成膜气体通过间隙82a扩散至形成于加热板21的插通孔81a等的情况。于是，能够抑制膜向升降销插通孔、被处理基板的背面的堆积。
但是，在第一实施方式中，上部升降销24b-1与下部升降销24b-2同样地，附加有盖部，使得上部升降销24b-1卡止于形成在加热板21的插通孔81c内。被卡止的上部升降销24b-1，不会继续下降。利用此点，至少在成膜处理时，使下部升降销24b-2离开上部升降销24b-1。通过使下部升降销24b-2离开上部升降销24b-1，能够抑制下部升降销24b-2的温度上升。作为抑制下部升降销24b-2的温度上升的结果，能够抑制膜在该下部升降销24b-2的堆积。
这样，根据第一实施方式，即使是附加有升降销插通孔的基板载置机构，也能够消除腔室3内的微粒的发生源，能够提高所制造的半导体装置等的品质、成品率。
(第二实施方式)
图10是概略地表示本发明的第二实施方式的基板处理装置的一例的截面图。在图10中，对与图1相同的部分附加相同的参照符号，仅对不同的部分进行说明。
如图10所示，第二实施方式的CVD装置1a，与第一实施方式的CVD装置1不同的地方在于，从调温套22省略了温度调节装置25。
在加热板21与调温套22之间，存在隔热材料23。设置隔热材料23时，从加热板21向调温套22的传热被抑制，因此即使不进行调温套22自身的温度调节，调温套22的温度也能够为比加热板21的温度即成膜温度更低的非成膜温度。在这样的情况下，即使不设置温度调节装置25也可以。
即使在无温度调节装置25时，只要能够使调温套22的温度为非成膜温度，就能够抑制膜向调温套22上的堆积，因此即使在第二实施方式中，也能够得到与第一实施方式相同的效果。
如第二实施方式那样，为了使调温套22的温度为非成膜温度，也能够不设置温度调节装置25，仅以隔热材料23应对。
(第三实施方式)
图11为概略地表示本发明的第三实施方式的基板处理装置的一例的截面图。在图11中，对与图1相同的部分附加相同的参照符号，仅对不同的部分进行说明。
如图11所示，第三实施方式的CVD装置1b，与第一实施方式的CVD装置1不同的地方在于，在加热板21与调温套22之间，省略了隔热材料23。
CVD装置1b的调温套22，与第一实施方式同样地，具有温度调节装置25。这样，在调温套22具有温度调节装置25的情况下，即使没有隔热材料23，也能够将调温套22的温度抑制为非成膜温度。在这样的情况下，即使不设置隔热材料23也可以。
即使在没有隔热材料23的情况下，只要能够使调温套22的温度为非成膜温度，就能够抑制膜向调温套22上的堆积。于是，即使在第三实施方式中，也能够得到与第一实施方式相同的效果。
如第三实施方式那样，为了使调温套22的温度为非成膜温度，也能够不设置隔热材料23，仅以温度调节装置25应对。
另外，也可以使用隔热材料形成调温套22自身。在这样的情况下，能够省略隔热材料23。
进而，在用隔热材料形成调温套22自身的情况下，能够以调温套22自身抑制从加热板21的传热，因此，也能够像第二实施方式那样，省略温度调节机构25。
(第四实施方式)
图12至图14为扩大表示加热板21与隔热材料23的接合部附近的截面图。
加热板21与隔热材料23虽然为相互接合的，但从微观角度观察，如图12所示，在加热板21与隔热材料23之间，产生有微小的缝隙60。在成膜处理期间，成膜气体61如箭头A所示进入缝隙60。
加热板21已经达到成膜温度，因此当成膜气体接触加热板21时，膜在加热板21上堆积生长。图13表示进入缝隙60的成膜气体61使得膜62在加热板21上堆积生长的截面。在加热板21的面对缝隙60的部分之上堆积生长的膜62，也成为微粒的发生原因之一。
于是，在第四实施方式中，如图14所示，从净化气体供给机构71，向加热板21与隔热材料23之间的缝隙60内，从缝隙60向外部流过净化气体70。此外，净化气体70的供给路径，在上述图1、图10和图11中也作为“气体净化线路”表示。
通过使净化气体70流过缝隙60，成膜气体61难以向缝隙60内扩散。其结果是，能够抑制在加热板21的面对缝隙60的面的部分上，堆积生长膜60的情况。
另外，在图14中，使净化气体70在加热板21与隔热材料23之间流动，但例如在像第三实施方式那样没有隔热材料23的情况下，净化气体70在加热板21与调温套22之间的缝隙，从该缝隙向外部流动也可以。
此外，净化气体70根据需要流动即可。
以上，基于实施方式对本发明进行了说明，但本发明不局限于上述实施方式，能够有多种变形。
例如，在上述实施方式中，对该发明适用于CVD装置的例子进行了说明，但不仅局限于CVD装置，能够适用于堆积膜的装置。例如也能够适用于等离子体CVD装置、ALD装置。
另外，作为堆积的膜以钌为例进行了表示，但堆积的膜也不局限于钌。

Claims (20)

1.一种基板载置机构，其特征在于，具备：
加热板，该加热板具有被处理基板载置面，埋设有将所述被处理基板加热至膜堆积的成膜温度的加热体，并具备第一升降销插通孔，该第一升降销插通孔在所述被处理基板载置面侧具有宽径部，在所述被处理基板载置面的相反侧，具有直径比所述第一升降销插通孔的宽径部小的窄径部；
调温套，该调温套被形成为至少覆盖所述加热板的被处理基板载置面以外的表面，温度为不足所述成膜温度的非成膜温度，并具备第二升降销插通孔，该第二升降销插通孔在所述被处理基板载置面侧具有宽径部，在所述被处理基板载置面的相反侧，具有直径比所述第二升降销插通孔的宽径部小的窄径部；
第一升降销，该第一升降销插通于所述第一升降销插通孔，具备能够插通所述第一升降销插通孔的宽径部的盖部，和与该盖部连接的、能够插通所述第一升降销插通孔的宽径部和窄径部双方的轴部；和
第二升降销，该第二升降销插通于所述第二升降销插通孔，具备能够插通所述第二升降销插通孔的宽径部的盖部，和与该盖部连接的、能够插通所述第二升降销插通孔的宽径部和窄径部双方的轴部。
2.如权利要求1所述的基板载置机构，其特征在于：
所述第一升降销与所述第二升降销，至少在成膜处理时，为相互非接触。
3.如权利要求1所述的基板载置机构，其特征在于：
所述第二升降销，至少在成膜处理时，与所述调温套接触。
4.如权利要求1所述的基板载置机构，其特征在于：
所述调温套具有温度调节装置。
5.如权利要求4所述的基板载置机构，其特征在于：
所述温度调节装置具有使调节所述调温套的温度的冷却介质循环的冷却介质循环机构。
6.如权利要求5所述的基板载置机构，其特征在于：
所述温度调节装置具备对所述调温套的温度进行调节的加热体。
7.如权利要求1所述的基板载置机构，其特征在于：
所述调温套用隔热材料形成。
8.如权利要求1所述的基板载置机构，其特征在于：
在所述加热板与所述调温套之间，还具备供给净化气体的净化气体供给机构。
9.如权利要求1所述的基板载置机构，其特征在于：
还具备在所述加热板与所述调温套之间配置的隔热材料。
10.如权利要求9所述的基板载置机构，其特征在于：
在所述加热板与所述隔热材料之间，还具备供给净化气体的净化气体供给机构。
11.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
基板载置机构、收容所述基板载置机构的腔室和对被处理基板实施成膜处理的成膜处理部，其中，所述基板载置机构具备：
加热板，该加热板具有被处理基板载置面，埋设有将所述被处理基板加热至膜堆积的成膜温度的加热体，并具备第一升降销插通孔，该第一升降销插通孔在所述被处理基板载置面侧具有宽径部，在所述被处理基板载置面的相反侧，具有直径比所述第一升降销插通孔的宽径部小的窄径部；
调温套，该调温套被形成为至少覆盖所述加热板的被处理基板载置面以外的表面，温度为不足所述成膜温度的非成膜温度，并具备第二升降销插通孔，该第二升降销插通孔在所述被处理基板载置面侧具有宽径部，在所述被处理基板载置面的相反侧，具有直径比所述第二升降销插通孔的宽径部小的窄径部；
第一升降销，该第一升降销插通于所述第一升降销插通孔，具备能够插通所述第一升降销插通孔的宽径部的盖部，和与该盖部连接的、能够插通所述第一升降销插通孔的宽径部和窄径部双方的轴部；和
第二升降销，该第二升降销插通于所述第二升降销插通孔，具备能够插通所述第二升降销插通孔的宽径部的盖部，和与该盖部连接的、能够插通所述第二升降销插通孔的宽径部和窄径部双方的轴部。
12.如权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于：
所述第一升降销与所述第二升降销，至少在成膜处理时，为相互非接触。
13.如权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于：
所述第二升降销，至少在成膜处理时，与所述调温套接触。
14.如权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于：
所述调温套具有温度调节装置。
15.如权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于：
所述温度调节装置具有使调节所述调温套的温度的冷却介质循环的冷却介质循环机构。
16.如权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于：
所述温度调节装置具备对所述调温套的温度进行调节的加热体。
17.如权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于：
所述调温套用隔热材料形成。
18.如权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于：
在所述加热板与所述调温套之间，还具备供给净化气体的净化气体供给机构。
19.如权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于：
还具备在所述加热板与所述调温套之间配置的隔热材料。
20.如权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于：
在所述加热板与所述隔热材料之间，还具备供给净化气体的净化气体供给机构。
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