CN101802976B - 基板载置机构、基板处理装置、和抑制在基板载置机构上堆积膜的方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 125
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 title claims abstract description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title abstract description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 59
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 17
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 15
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 7
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 claims description 4
- 230000028016 temperature homeostasis Effects 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 4
- 229910000905 alloy phase Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 25
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 9
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 4
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 229910018134 Al-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018467 Al—Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018464 Al—Mg—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
本发明提供一种基板载置机构、基板处理装置、抑制在基板载置机构上堆积膜的方法和存储介质。基板载置机构载置被处理基板，包括：加热器板21，其具有被处理基板载置面21a，并且埋设有将被处理基板W加热至堆积形成膜的成膜温度的加热体21b；和调温护套22，其以至少覆盖加热器板21的被处理基板载置面21a以外的表面的方式形成，并且其温度为低于成膜温度的非成膜温度。
Description
技术领域
本发明涉及一种基板载置机构、具备该基板载置机构的基板处理装置、抑制在基板载置机构上堆积膜的方法以及存储介质。上述基板载置机构具有在成膜装置等的基板处理装置中，在处理容器内载置半导体晶片等被处理基板并进行加热的加热体。
背景技术
在半导体器件的制造中，存在对作为被处理基板的半导体晶片实施CVD成膜处理的工序。在进行该处理时，将作为被处理基板的半导体晶片加热至规定的温度，在该加热时，一般使用兼用作基板载置台的加热器板(又称为台(stage)加热器)。这种一般的加热器板，在日本特开平10-326788号公报中被公开。
理想的CVD成膜处理，仅在半导体晶片上堆积形成膜。然而，在实践中，在加热半导体晶片的加热器板上也堆积形成膜。这是因为加热器板本身的温度在成膜温度以上。堆积于加热器板上的膜受到腔室和加热器的升温降温的影响，反复进行热膨胀和收缩。由于这种反复，会导致在被堆积的膜积蓄热应力，最终发生膜剥落而成为产生微粒的原因。腔室内的微粒的产生，是造成半导体器件的制造成品率恶化的一个原因。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够抑制膜的堆积的基板载置机构、具备该基板载置机构的基板处理装置、抑制基板载置机构上的膜堆积的方法、和使具备上述基板载置机构的基板处理装置动作的存储介质。
本发明的第一方式的基板载置机构包括：加热器板，其具有被处理基板载置面并且埋设有将上述被处理基板加热至堆积形成膜的成膜温度的加热体；和调温护套，其以至少覆盖上述加热器板的被处理基板载置面以外的表面的方式形成，并且其温度为低于上述成膜温度的非成膜温度。
本发明的第二方式的基板处理装置包括：基板载置机构；收纳上述基板载置机构的腔室；和对上述被处理基板实施成膜处理的成膜处理部，其中上述基板载置机构包括：加热器板，其具有被处理基板载置面并且埋设有将上述被处理基板加热至堆积形成膜的成膜温度的加热体；和调温护套，其以至少覆盖上述加热器板的被处理基板载置面以外的表面的方式形成，并且其温度为低于上述成膜温度的非成膜温度。
本发明的第三方式的抑制膜堆积的方法，其抑制膜在基板载置机构上的堆积，上述基板载置机构具备加热器板，上述加热器板具有被处理基板载置面，并且埋设有将上述被处理基板加热至堆积形成膜的成膜温度的加热体，上述抑制膜堆积的方法，用调温护套至少覆盖上述加热器板的被处理基板载置面以外的表面，通过埋设于上述加热器板的加热体将上述加热器板的被处理基板载置面加热至堆积形成膜的成膜温度，使上述调温护套的温度为低于上述成膜温度的非成膜温度。
本发明的第四方式的存储介质，其存储有在计算机上动作，对基板处理装置进行控制的程序，该基板处理装置包括：加热器板，其埋设有将上述被处理基板加热至堆积形成膜的成膜温度的加热体；和调温护套，其以至少覆盖上述加热器板的被处理基板载置面以外的表面的方式形成，并且具有温度调节装置，上述程序在执行时，使计算机对上述基板处理装置进行控制，使得通过埋设于上述加热器板的加热体将上述加热器板的被处理基板载置面加热至堆积形成膜的成膜温度，而使上述调温护套成为低于上述成膜温度的非成膜温度。
附图说明
图1概略地表示本发明的第一实施方式的基板处理装置的一个例子的截面图。
图2是表示调温护套的变形例的截面图。
图3是表示调温护套的变形例的截面图。
图4是表示调温护套的变形例的截面图。
图5是表示绝热件的变形例的截面图。
图6是表示被处理基板的温度与堆积率的关系的图。
图7A是表示比较例的截面图。
图7B是表示比较例的截面图。
图8A是表示实施方式的截面图。
图8B是表示实施方式的截面图。
图9是概略地表示本发明的第二实施方式的基板处理装置的一个例子的截面图。
图10是概略地表示本发明的第三实施方式的基板处理装置的一个例子的截面图。
图11是放大地表示加热器板与绝热件的接合部附近的截面图。
图12是放大地表示加热器板与绝热件的接合部附近的截面图。
图13是放大地表示本发明的第四实施方式的基板处理装置的加热器板与绝热件的接合部附近的截面图。
图14是概略地表示本发明的第五实施方式的基板处理机构的一个例子的截面图。
图15是图14所示的基板载置机构的分解图。
图16是图14所示的绝热件的平面图。
图17是图14所示的绝热件的平面图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式具体地说明。
(第一实施方式)
图1概略地表示本发明的第一实施方式的基板处理装置的一个例子的截面图。
如图1所示，本例的基板处理装置是对被处理基板W、即本例中的半导体晶片实施例如成膜处理的CVD装置1。CVD装置1包括：基板载置机构2、收纳基板载置机构2的腔室3、对被处理基板即本例中的被处理基板实施成膜处理的成膜处理部4、和控制CVD装置1的控制部5。
基板载置机构2包括加热器板21、调温护套22、绝热件23、和被 处理基板升降机构24。
加热器板21具有被处理基板载置面21a，在其内部埋设有加热被处理基板W的加热体(以下，称为加热器电极)21b。加热器电极21b将被处理基板W的温度加热至例如堆积形成膜的成膜温度。被处理基板W仅与加热器板21接触。本例的加热器电极21b是在加热器板21的内部引绕的加热电阻体。加热器板21的材质例如是金属或者陶瓷。作为金属的例子，能够列举例如铝或铝合金，作为陶瓷的例子，能够列举例如氮化铝。在本例中，使加热器板21的材质为铝、特别是纯铝。作为纯铝的例子，能够列举例如纯度为99.00％以上的铝。
调温护套22以至少覆盖加热器板21的被处理基板载置面21a以外的表面的方式设置。在调温护套22的内部埋设有温度调节装置25。温度调节装置25在成膜处理时将调温护套22的温度调节为低于上述成膜温度的非成膜温度。本例的温度调节装置25作为调节调温护套的温度的装置，包括用于升温或降温的调温流体循环机构25a、和用于升温的加热体25b。调温流体循环机构25a在本例中使用冷却水作为调温流体。在调温护套22的内部引绕有使冷却水循环的水冷管。加热体(加热器电极)25b具有同样在调温护套22的内部引绕的加热电阻体。在本例中，交替地配设有冷却管和加热电阻体。
另外，作为温度调节装置25，也可以仅设置调温流体循环机构25a和加热体25b中的一方。调温护套22的材质例如是金属或者陶瓷。作为金属的例子，例如能够列举铝或铝合金，作为陶瓷的例子，能够列举例如氮化铝。在本例中，使调温护套22的材质为铝、特别是铝合金。作为铝合金的例子，能够列举与纯铝相比富于加工性和强度的铝合金，例如添加有镁的Al-Mg类铝合金、添加有镁和硅的Al-Mg-Si类铝等。将这样的铝合金用于调温护套22，并且，将与调温护套22相比添加物少的铝合金或基本上没有添加物、杂质的纯铝用于加热器板21。这样构成时，既能够防止被处理基板W的金属污染，又能够对调温护套22提供例如适当的加工容易度和强度。
加热器板21和调温护套22固定在支承部件26的上端上，支承部件26的下端固定在腔室3的底部3a。此外，支承部件26和底部3a的固定部分通过密封部件26a密封。
冷却水供给管101a、冷却水排出管101b、调温护套22的加热器电极线102、加热器板21的加热器电极线103、气体净化管104(purgeline)、加热器板21的温度控制用热电偶线105、和调温护套22的温度控制用热电偶线106等在支承部件26的内部穿过。
冷却水供给管101a向调温流体循环机构25a供给调温护套冷却水，冷却水排出管101b从调温流体循环机构25a将上述冷却水排出。
加热器电极线102向调温护套22的加热器电极25b供给电力。同样，加热器电极线103向加热器板21的加热器电极21b供给电力。
热电偶线105、106与在加热器板21和调温护套22设置的热电偶21c、和25c连接。这些热电偶用于加热器板21和调温护套22的温度控制。
另外，在后述的实施方式中对气体净化管104进行说明。
图1表示支承部件26和调温护套22一体地形成的方式，在图2中，则如所示那样，表示支承部件26和调温护套22分体地形成的方式。
此外，虽然调温护套22自身也可以以单一体形成，但是也能够以分割体形成。作为分割品的例子，能够列举如图3所示那样分割为覆盖加热器板21的底部的盘状的底板部22a、和覆盖加热器板21的侧部的环状的侧壁部22b，从而形成调温护套22的情况。
此外，也可以如图4所示那样，使支承部件26和调温护套22分体，并且，将调温护套22分割为底板部22a和侧壁部22b。
像这样，当使支承部件26和调温护套22分体、或将调温护套22分割时，能够得到以下优点，即，无需对调温护套22实施复杂的加工即可，能够降低调温护套22的制造成本。
在本发明的第一实施方式中，将绝热件23配置于加热器板21和调温护套22之间。绝热件23抑制加热器板21和调温护套22相互之间的传热。通过抑制加热器板21和调温护套22相互之间的传热，加热器板21不易受到调温护套22的温度的影响，同样，调温护套22不易受到加热器板21的温度的影响。由此，能够更精确地进行加热器板21的温度控制和调温护套22的温度控制、例如均热性的控制。绝热件的材质例如是与构成加热器板21和调温护套22的材料相比热传导率 低的材料，能够列举例如金属、陶瓷、或石英。作为金属的例子，能够列举例如不锈钢(SUS)，作为陶瓷的例子，能够列举例如氧化铝。在本例中，使绝热件23的材质为不锈钢。
此外，绝热件23也与调温护套22同样地，可以以单一体形成，但是也能够以分割体形成。作为分割品的例子，能够列举如图5所示那样与调温护套22同样地，分割为覆盖加热器板21的底部的盘状的底板部23a、和覆盖加热器板21的侧部的环状的侧壁部23b，从而形成绝热件23的情况。
这样，通过分割绝热件23，也能够得到以下优点，即，无需对绝热件23施加复杂的加工即可，能够降低绝热件23的制造成本。
被处理基板升降机构24具有升降臂24a、安装于升降臂24a的升降销24b、和使升降臂24a上下驱动的轴24c。升降销24b插入形成于调温护套22、绝热件23、和加热器板21的升降销插通孔。以推举被处理基板W的方式在Z方向上驱动轴24c时，升降臂24a上升，安装于其上的升降销24b顶住被处理基板W的背面，将被处理基板W推举至被处理基板载置面21a的上方。相反地，以使被处理基板W下降的方式驱动轴24c时，升降臂24a下降，升降销24b立即离开被处理基板W的背面，被处理基板W被载置于被处理基板载置面21a上。
腔室3收纳上述基板载置机构2。如上所述，在腔室3的底部3a固定有支承部件26，还连接有排气管27。排气管27与未图示的真空排气机构连接，腔室3的内部根据需要能够进行真空排气。在腔室3的上部3b上安装有上盖3c。
成膜处理部4具有成膜气体供给部41和喷淋头42。
成膜气体供给部41通过成膜气体供给管41a向腔室3内供给规定的成膜气体。成膜气体供给管41a与喷淋头42的扩散空间42a连接。喷淋头42安装于上盖3c，在扩散空间42a的与被处理基板W相对的面形成有多个气体吐出孔42b。在扩散空间42a中扩散的成膜气体从气体吐出孔42b向腔室3内吐出。将吐出的成膜气体供给到达到成膜温度的被处理基板W时，膜在被处理基板W的表面上成长。
控制部5具备：由微处理器(计算机)构成的处理控制器51；用户接口52，该用户接口52包括操作者为了管理CVD装置1而进行指 令的输入操作等的键盘、和将基板处理系统的运行状况可视化地显示的显示器等；存储部53，该存储部53存储有用于通过处理控制器51的控制实现由CVD装置1所执行的各种处理的控制程序、根据各种数据和处理条件而使CVD装置1执行处理的程序、即处理方案。
处理方案被存储于存储部53中的存储介质。存储介质可以是硬盘，也可以是CD-ROM、DVD、闪存(Flash Memory)等具有可移动性的部件。此外，也可以通过例如专用线路从其他装置适当地传输处理方案。根据需要，通过来自用户接口52的指示等将任意的处理方案从存储部53调出，并使处理控制器51执行，由此，在处理控制器51的控制下，进行由CVD装置1执行的所期望的处理。
进而，在本例中，在上述处理方案编入与加热器板21的温度控制和调温护套22的温度控制有关的程序。存储有与这些温度控制有关的程序的存储介质，例如在成膜处理时加热控制加热器板21的加热器电极21b使得被处理基板W的温度为例如堆积形成膜的成膜温度，并且调节控制温度调节装置25使得调温护套22的温度为低于上述成膜温度的非成膜温度。
图6表示被处理基板的温度(Wafer temp.)和堆积率(Dep.rate)的关系。图6所示的例子是利用CVD法堆积钌(Ru)的例子。
如图6所示，当被处理基板W的温度在150℃以上时，钌开始堆积。相反地，低于150℃时，钌不堆积。特别是，在120℃以下，几乎不堆积。关于钌的情况，150℃以上是成膜温度，低于150℃是非成膜温度。在本例中，利用这样的温度和堆积率的关系，进行温度调节，使得在被处理基板W上使钌堆积，并且在被处理基板W以外不堆积钌。作为一个例子，在成膜处理时加热控制加热器板21的加热器电极21b使得被处理基板W的温度成为例如堆积钌的成膜温度150℃以上，并且调节控制温度调节装置25使得调温护套22成为非成膜温度即低于150℃。
另外，在如图6所示的例子中，作为钌的原料气体，使用Ru3(CO) 12(钌的配位化合物)。成膜处理是Ru3(CO)12的热分解，Ru和CO通过热分解而分离，由此，在被处理基板W上形成Ru膜。
根据第一实施方式的CVD装置1，使加热器板21的加热器电极 21b为成膜温度，使至少覆盖加热器板21的基板载置面21a以外的调温护套22为非成膜温度。由此，能够在载置于基板载置面21a上的被处理基板W上堆积形成膜，同时抑制在被处理基板W以外的部位堆积形成膜。由于能够抑制在被处理基板W以外的部位堆积形成膜，因此，能够消除腔室3内的微粒的产生源，能够提高所制造的半导体装置等的品质和成品率。
图7A、图7B表示比较例。
如图7A所示，在没有调温护套22的情况下，加热器板21的大致整个面被加热至成膜温度。其结果是，如图7B所示，膜62不仅在被处理基板W上，而且在加热器板21的大致整个面上堆积。
与此相对，根据第一实施方式的CVD装置1，如图8A所示，由于具备至少覆盖加热器板21的被处理基板载置面21a以外的调温护套22，因此，能够例如仅使被处理基板载置面21a为成膜温度，而被调温护套22覆盖的部分为非成膜温度。其结果是，如图8B所示，膜62能够仅在被处理基板W上选择性地堆积。由于在调温护套22上没有堆积形成膜62，因此能够消除腔室3内的微粒的产生源。
此外，根据第一实施方式的CVD装置1，由于能够仅在被处理基板W上堆积形成膜，因此能够减少腔室3内的清洗频率，例如也能够使其无需清洗。
如果能够减少腔室3的清洗的频率，则能够减少CVD装置1的成膜处理以外的所需时间，例如清洗、维修所需的时间，还能够提高所制造的半导体装置等的生产量。
(第二实施方式)
图9是概略地表示本发明的第二实施方式的基板处理装置的一个例子的截面图。在图9中，对与图1相同的部分标注相同的参照符号，仅对不同的部分进行说明。
如图9所示，第二实施方式的CVD装置1a与第一实施方式的CVD装置1不同之处在于，从调温护套22中省略了温度调节装置25。
在加热器板21和调温护套22之间，存在绝热件23。当设置有绝热件23时，由于抑制从加热器板21向调温护套22的传热，因此，即使不调节调温护套22自身的温度，也能够使调温护套22的温度为比 加热器板21的温度即成膜温度低的非成膜温度。在这种情况下，可以不设置温度调节装置25。
即使在没有温度调节装置25的情况下，如果能够使调温护套22的温度为非成膜温度，则也能够抑制膜堆积在调温护套22上，因此，在第二实施方式中，也能够得到与第一实施方式同样的效果。
如第二实施方式那样，为了使调温护套22的温度为非成膜温度时，能够无需设置温度调节装置25，仅通过绝热件23进行处理。
(第三实施方式)
图10是概略地表示本发明的第三实施方式的基板处理装置的一个例子的截面图。在图10中，对与图1相同的部分标注相同的参照符号，仅对不同的部分进行说明。
如图10所示，第三实施方式的CVD装置1b与第一实施方式的CVD装置1的不同之处在于，从加热器板21和调温护套22之间省略绝热件23。
CVD装置1b的调温护套22与第一实施方式同样具有温度调节装置25。像这样，在调温护套22具有温度调节装置25的情况下，即使没有绝热件23，也能够控制调温护套22的温度为非成膜温度。在这种情况下，可以不设置绝热件23。
即使在没有绝热件23的情况下，如果能够使调温护套22的温度为非成膜温度，则也能够抑制膜堆积到调温护套22上。因此，在第三实施方式中，也能够得到与第一实施方式同样的效果。
如第三实施方式那样，为了使调温护套22的温度为非成膜温度时，能够无需设置绝热件23，而仅通过温度调节装置25进行处理。
此外，也可以使用绝热件形成调温护套22自身。在该情况下，也能够省略绝热件23。
进而，在使用绝热件形成调温护套22自身的情况下，调温护套22自身能够抑制来自加热器板21的传热，因此，也能够如第二实施方式那样省略温度调节机构25。
(第四实施方式)
图11至图13是放大地表示加热器板21与绝热件23的接合部附近的截面图。
加热器板21与绝热件23是相接合而形成，仔细地观察时，如图11所示，在加热器板21与绝热件23之间产生有微细的间隙60。在成膜处理期间，如箭头A所示那样成膜气体61进入间隙60。
由于加热器板21达到了成膜温度，因此当成膜气体接触到加热器板21时，在加热器板21上膜堆积成长。图12表示通过进入间隙60的成膜气体61在加热器板21上堆积成长有膜62的截面。在加热器板21的面向间隙60的部分上堆积成长的膜62也是产生微粒的原因之一。
因此，在第四实施方式中，如图13所示，从净化气体供给机构71，净化气体70在加热器板21与绝热件23之间的间隙60内从间隙60流向外部。另外，净化气体70的供给路径，在上述图1、图9、和图10中也表示为“气体净化管”。
通过使净化气体70在间隙60中流通，成膜气体61难以进入间隙60内。其结果是，能够抑制在加热器板21的面向间隙60的部分上堆积成长膜62的情况。
此外，在图13中，使净化气体70在加热器板21与绝热件23之间流通，但是，在例如如第三实施方式那样没有绝热件23的情况下，使净化气体70在加热器板21与调温护套22之间的间隙中，从该间隙流向外部即可。
另外，净化气体70根据需要流通即可。
(第五实施方式)
接着，将更具体的一个例子作为第五实施方式进行说明。
图14是概略地表示本发明的第五实施方式的基板载置机构的一个例子的截面图，图15是图14所示的基板载置机构的分解图。另外，在图14和图15中，仅表示出基板载置机构，而省略了腔室等的图示。
如图14和图15所示，在第五实施方式中，将调温护套22分割为底板部22a和侧壁部22b，使绝热件23仅为底板部23a。底板部22a和侧壁部22b例如由螺栓22c固定。此外，加热器板22通过调温护套22的侧壁部22b在本例中通过前端为圆弧的螺栓22d被压住，使得加热器板21在热膨胀时能够滑动。在螺栓22d的前端与加热器板21的接触部分，设置例如比加热器板21硬的部件21b，抑制磨损。
并且，在第五实施方式中，在底板部22a仅设置有使调温流体循 环的调温流体循环机构25a作为调节调温护套22的温度的温度调节装置25。调温流体循环机构25a在本例中构成为，在底板部22a设置槽25d，利用盖部件25e进行遮盖。调温流体在槽25d的内部流通。
以贯通绝热件23的底板部23a、调温护套22的底板部22a、和支承部件26的方式设置的孔28，是用于使未图示的调温流体用配管、加热器电极线、气体净化管、和热电偶线等穿过的孔。
进而，在绝热件23(本例中的底板部23a)的与加热器板21相对的面23c、和底板部23a的与调温护套22(本例中的底板部22a)相对的面23d分别具有凹凸。凹凸通过将圆周状的突起23e和点状的突起23f中的至少任一个设置于上述面23c和23d中的至少任一个而形成。通过在上述面23c和23d设置凹凸，绝热件23(本例中的底板部23a)和加热器板21、以及绝热件23(本例中的底板部23a)和调温护套22(本例中的底板部22a)分别局部地接触。图16表示上述面23c(与加热器板21相对的面)的平面图，图17表示上述面23d(与调温护套22相对的面)的平面图。
如图16和图17所示，在本例中，将圆周状的突起23e沿绝热件23的底板部23a的外周、外周附近、孔28、和升降销插通孔配置，将点状的突起23f配置于在外周、或外周附近设置的圆周状的突起23e的内侧。
这样，通过使绝热件23与加热器板21、以及绝热件23和调温护套22局部地接触，能够使来自加热器板21的热更难以传递到调温护套22。来自加热器板21的热难以传递到调温护套22的结果是，能够使调温护套22的温度更高效地降低至非成膜温度。
另外，在本例中，虽然使绝热件23与加热器板21、以及绝热件23与调温护套22的双方局部地接触，但是也可以仅使任一方局部地接触。
在这样的第五实施方式中，也能够得到与上述实施方式同样的效果。
以上，基于实施方式对本发明进行了说明，但是，本发明不限定于上述实施方式而能够具有各种变形。
例如，在上述实施方式中，对将本发明应用于CVD装置的例子进 行了说明，但是，并不限定于CVD装置，只要是堆积形成膜的装置均能够应用。例如，也能够应用于等离子CVD装置、ALD装置。
此外，虽然以钌作为被堆积的膜举例说明，但是被堆积的膜也不限于钌。
Claims (19)
1.一种基板载置机构，其特征在于，包括：
加热器板，其具有被处理基板载置面并且埋设有将所述被处理基板加热至堆积形成膜的成膜温度的加热体；和
调温护套，其以至少覆盖所述加热器板的被处理基板载置面以外的表面的方式形成，并且其温度为低于所述成膜温度的非成膜温度，
所述调温护套具有温度调节装置，
所述温度调节装置具有使调温流体循环的调温流体循环机构，该调温流体调节所述调温护套的温度。
2.如权利要求1所述的基板载置机构，其特征在于：
所述温度调节装置具备调节所述调温护套的温度的加热体。
3.一种基板载置机构，其特征在于，包括：
加热器板，其具有被处理基板载置面并且埋设有将所述被处理基板加热至堆积形成膜的成膜温度的加热体；和
调温护套，其以至少覆盖所述加热器板的被处理基板载置面以外的表面的方式形成，并且其温度为低于所述成膜温度的非成膜温度，
所述调温护套使用绝热件形成。
4.一种基板载置机构，其特征在于，包括：
加热器板，其具有被处理基板载置面并且埋设有将所述被处理基板加热至堆积形成膜的成膜温度的加热体；和
调温护套，其以至少覆盖所述加热器板的被处理基板载置面以外的表面的方式形成，并且其温度为低于所述成膜温度的非成膜温度，
所述调温护套为合金制品，所述加热器板为与构成所述调温护套的合金相比添加物少的合金制品或纯金属制品。
5.一种基板载置机构，其特征在于，包括：
加热器板，其具有被处理基板载置面并且埋设有将所述被处理基板加热至堆积形成膜的成膜温度的加热体；和
调温护套，其以至少覆盖所述加热器板的被处理基板载置面以外的表面的方式形成，并且其温度为低于所述成膜温度的非成膜温度，
在所述加热器板和所述调温护套之间，还具备供给净化气体的净化气体供给机构。
6.一种基板载置机构，其特征在于，包括：
加热器板，其具有被处理基板载置面并且埋设有将所述被处理基板加热至堆积形成膜的成膜温度的加热体；和
调温护套，其以至少覆盖所述加热器板的被处理基板载置面以外的表面的方式形成，并且其温度为低于所述成膜温度的非成膜温度，
还具备在所述加热器板和所述调温护套之间设置的绝热件，
所述绝热件的与所述加热器板相对的面、和所述绝热件的与所述调温护套相对的面中的至少任一个面具有凹凸，
所述绝热件与所述加热器板、和所述绝热件与所述调温护套中的至少一方局部地接触。
7.一种基板载置机构，其特征在于，包括：
加热器板，其具有被处理基板载置面并且埋设有将所述被处理基板加热至堆积形成膜的成膜温度的加热体；
调温护套，其以至少覆盖所述加热器板的被处理基板载置面以外的表面的方式形成，并且其温度为低于所述成膜温度的非成膜温度；
在所述加热器板和所述调温护套之间设置的绝热件；和
在所述加热器板和所述绝热件之间，还具备供给净化气体的净化气体供给机构。
8.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
基板载置机构；
收纳所述基板载置机构的腔室；和
对所述被处理基板实施成膜处理的成膜处理部，其中
所述基板载置机构包括：加热器板，其具有被处理基板载置面并且埋设有将所述被处理基板加热至堆积形成膜的成膜温度的加热体；和
调温护套，其以至少覆盖所述加热器板的被处理基板载置面以外的表面的方式形成，并且其温度为低于所述成膜温度的非成膜温度。
9.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于：
所述调温护套具有温度调节装置。
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于：
所述温度调节装置具有使调温流体循环的调温流体循环机构，该调温流体调节所述调温护套的温度。
11.如权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于：
所述温度调节装置具备调节所述调温护套的温度的加热体。
12.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于：
所述调温护套使用绝热件形成。
13.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于：
所述调温护套为合金制品，所述加热器板为与构成所述调温护套的合金相比添加物少的合金制品或纯金属制品。
14.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于：
在所述加热器板和所述调温护套之间，还具备供给净化气体的净化气体供给机构。
15.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于：
还具备在所述加热器板和所述调温护套之间设置的绝热件。
16.如权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于：
所述绝热件的与所述加热器板相对的面、和所述绝热件的与所述调温护套相对的面中的至少任一个面具有凹凸，
所述绝热件与所述加热器板、和所述绝热件与所述调温护套中的至少一方局部地接触。
17.如权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于：
在所述加热器板和所述绝热件之间，还具备供给净化气体的净化气体供给机构。
18.一种抑制膜堆积的方法，其抑制膜在基板载置机构上的堆积，所述基板载置机构具备加热器板，所述加热器板具有被处理基板载置面并且埋设有将所述被处理基板加热至堆积形成膜的成膜温度的加热体，所述抑制膜堆积的方法的特征在于：
用调温护套至少覆盖所述加热器板的被处理基板载置面以外的表面，
通过埋设于所述加热器板的加热体将所述加热器板的被处理基板载置面加热至堆积形成膜的成膜温度，
使所述调温护套的温度为低于所述成膜温度的非成膜温度。
19.如权利要求18所述的抑制膜堆积的方法，其特征在于：
所述调温护套具有温度调节装置，使用所述温度调节机构使所述调温护套成为低于所述成膜温度的非成膜温度。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007234852 | 2007-09-11 | ||
| JP2007-234852 | 2007-09-11 | ||
| JP2008-216970 | 2008-08-26 | ||
| JP2008216970A JP2009084686A (ja) | 2007-09-11 | 2008-08-26 | 基板載置機構、基板処理装置、基板載置機構上への膜堆積抑制方法及び記憶媒体 |
| PCT/JP2008/065874 WO2009034893A1 (ja) | 2007-09-11 | 2008-09-03 | 基板載置機構、基板処理装置、基板載置機構上への膜堆積抑制方法及び記憶媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101802976A CN101802976A (zh) | 2010-08-11 |
| CN101802976B true CN101802976B (zh) | 2012-05-23 |
Family
ID=40658480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008801066390A Active CN101802976B (zh) | 2007-09-11 | 2008-09-03 | 基板载置机构、基板处理装置、和抑制在基板载置机构上堆积膜的方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20100210115A1 (zh) |
| JP (1) | JP2009084686A (zh) |
| KR (1) | KR101287225B1 (zh) |
| CN (1) | CN101802976B (zh) |
| TW (1) | TW200935541A (zh) |
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| JP5417338B2 (ja) | 2007-10-31 | 2014-02-12 | ラム リサーチ コーポレーション | 冷却液と構成部品本体との間の熱伝導性を制御するためにガス圧を使用する温度制御モジュール及び温度制御方法 |
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| NL2009858A (en) | 2011-12-27 | 2013-07-01 | Asml Netherlands Bv | Substrate holder, lithographic apparatus, and device manufacturing method. |
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- 2008-08-26 JP JP2008216970A patent/JP2009084686A/ja active Pending
- 2008-09-03 KR KR1020107005339A patent/KR101287225B1/ko active IP Right Grant
- 2008-09-03 CN CN2008801066390A patent/CN101802976B/zh active Active
- 2008-09-10 TW TW097134709A patent/TW200935541A/zh unknown
-
2010
- 2010-03-11 US US12/722,193 patent/US20100210115A1/en not_active Abandoned
-
2012
- 2012-04-20 US US13/452,488 patent/US9202728B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2009084686A (ja) | 2009-04-23 |
| KR101287225B1 (ko) | 2013-07-17 |
| CN101802976A (zh) | 2010-08-11 |
| US9202728B2 (en) | 2015-12-01 |
| US20100210115A1 (en) | 2010-08-19 |
| US20120199573A1 (en) | 2012-08-09 |
| TW200935541A (en) | 2009-08-16 |
| KR20100071979A (ko) | 2010-06-29 |
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