JP2022105278A - コーティング装置およびそのキャリヤ受座 - Google Patents

コーティング装置およびそのキャリヤ受座 Download PDF

Info

Publication number
JP2022105278A
JP2022105278A JP2021203430A JP2021203430A JP2022105278A JP 2022105278 A JP2022105278 A JP 2022105278A JP 2021203430 A JP2021203430 A JP 2021203430A JP 2021203430 A JP2021203430 A JP 2021203430A JP 2022105278 A JP2022105278 A JP 2022105278A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
shell
space
plate
carrier seat
carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2021203430A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7329034B2 (ja
Inventor
月 郭
Yue Guo
春 劉
Chun Liu
子優 劉
Ziyou Liu
卓 王
Zhuo Wang
景舒 李
Jingshu Li
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Piotech Inc
Original Assignee
Piotech Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Piotech Inc filed Critical Piotech Inc
Publication of JP2022105278A publication Critical patent/JP2022105278A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7329034B2 publication Critical patent/JP7329034B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4409Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber characterised by sealing means
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45519Inert gas curtains
    • C23C16/45521Inert gas curtains the gas, other than thermal contact gas, being introduced the rear of the substrate to flow around its periphery
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4581Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52Controlling or regulating the coating process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

Figure 2022105278000001
【課題】コーティング装置を用いて例えばレンズのような塊状物をコーティングする際にその裏面が成膜されないようにするとともに処理キャビティが塊状物を収容するのに十分な空間を有するようにする。
【解決手段】本発明は、コーティング装置であって、頂部分(102)および側部分(103)を備えた第1のシェル(101)と、第1のシェルの頂部分から少なくとも部分的に下方に末広がりに延びる状態で第1のシェル内に収容された第2のシェル(109)とを有し、第1のシェルと第2のシェルとの間には第1の空間が画定され、第2のシェルは、第2の空間を画定し、第1の空間は、第2の空間を包囲し、第1のシェルと第2のシェルは、互いに流体連通していない。
【選択図】図1

Description

本発明は、コーティング装置、特に立体サンプルに適した蒸着装置に関する。
蒸着処理装置は、特に塊状物(レンズ)上に膜(例えば、原子堆積層(ALD))を形成するために利用される場合、幾つかの問題、例えば塊状物の裏面上に望ましくない膜が形成されるという問題に直面するのが通例である。その理由は、塊状物の非蒸着裏面が必ずしも平面ではなく、塊状物とキャリヤ表面との間に隙間が生じ、その結果、堆積ガスが隙間を通って塊状物の裏面まで流れるようになることにある。さらに、塊状物がある特定の体積を有することに起因して、必要とされる処理空所またはキャビティもまた、塊状物を収容するのに十分な空間を有する必要があり、それゆえに処理キャビティをクリーニングする能力を強化する必要がある。加うるに、処理キャビティの空間が増大するにつれ、キャビティのための温度制御、例えば温度分布の一様性および熱消散速度もまた、課題となっている。
したがって、上述の問題を解決する蒸着装置が要望されている。
本発明の目的は、コーティング装置であって、頂部分および側部分を備えた第1のシェルと、第1のシェルの頂部分から少なくとも部分的に下方に末広がりに延びる状態で第1のシェル内に収容された第2のシェルとを有することを特徴とするコーティング装置を提供する。第1のシェルと第2のシェルとの間には第1の空間が画定され、第2のシェルは、第2の空間を画定し、第1の空間は、第2の空間を包囲し、第1のシェルと第2のシェルは、互いに流体連通していないことを特徴とするコーティング装置を提供する。
特定の実施形態では、第2のシェルは、頂部分および底部分を有し、第2のシェルの頂部分は、直径を有し、第2のシェルの底部分は、直径を有し、第2のシェルの直径は、頂部分から底部分に向かう方向に増大している。
特定の実施形態では、第1のシェルの側部分は、壁マウントを有し、第2のシェルの底部分は、壁マウント上に載っている。
特定の実施形態では、第1の空間は、大気温度に維持され、第2の空間は、コーティングのために用いられる反応領域である。
特定の実施形態では、第2のシェルの頂部分は、ガスチャネルを有し、ガスチャネルの下流側は、ガスを分散させるためのガスバリヤプレートを備えている。
本発明の別の目的は、コーティングされる物体を担持するキャリヤ受座であって、キャリヤ受座は、第1のシェル内で昇降するよう構成されていることを特徴とするキャリヤ受座を提供する。キャリヤ受座は、頂部分を備えていてこの頂部分からガスを提供するよう構成された支持ポストと、支持ポストの頂部分に連結されたキャリヤプレートとを有し、キャリヤプレートは、上方に向いた表面および上方に向いた表面から上方に延びていて物体を支持する支持部分を有し、上方に向いた表面は、ガスを供給するよう構成された少なくとも1つの空気入口およびキャリヤプレートの上方に向いた表面から外側まで延びる複数のベントを有する。上方に向いた表面と支持部分と物体との間には、排気経路が画定される。ガスは、排気経路を通って空気入口から複数のベントまで流れる。
特定の実施形態では、支持部分は、ガスケットを有し、ガスケットの内側は、物体に接触する傾斜面を備えている。
特定の実施形態では、傾斜面が支持部分と上方に向いた表面との間に形成されている。
特定の実施形態では、支持部分は、プレートであり、プレートには、複数の物体を受け入れる複数の中空部が形成されている。
特定の実施形態では、支持ポストは、封止プレートを有し、第1のシェルの第1の側部分は、壁マウントを備え、封止プレートは、キャリヤ受座が封止プレートによって封止されている反応領域に入るような高さに支持ポストが配置されたときに壁マウントに接触するよう構成されている。
本発明の上記特徴および利点ならびに他の特徴および他の利点は、以下の添付の図面を参照して説明する実施形態において明らかになろう。
本発明のコーティング装置の略図である。 本発明の一実施形態に係るキャリヤ受座を示す図である。 本発明の別の実施形態に係るキャリヤ受座を示す図である。 本発明のさらに別の実施形態に係るキャリヤ受座を示す図である。 本発明の一実施形態に係る反応領域を示す図である。 本発明の別の実施形態に係る反応領域を示す図である。 本発明のさらに別の実施形態に係る反応領域を示す図である。
図中、101は第1のシェル、102は頂部分、103は側部分、104は底部分、105は開口部、106は入口ユニット、107は排気ユニット、108は排気ユニット、109は第2のシェル、110は頂部分、111は底部分、112,113は加熱ユニット、114はチャネル受座、115は底部プレート、116は穴、117は加熱ユニット、200はキャリヤ受座、201は支持ポスト、202はキャリヤプレート、203は上方に向いた表面、204は支持部分、205はガスケット、206はベント、300はキャリヤ受座、304は支持部分、400はキャリヤ受座、403は上方に向いた表面、404は支持部分、405はプレート、500は第2のシェル、501はガスキャリヤプレート、600は第2のシェル、700は第2のシェル、Lは物体、Dは直径を示している。
以下の種々の例示の実施形態の詳細な説明において、本発明の要部をなす添付の図面を参照する。理解されるべきこととして、実施形態は、例示として与えられており、これら特定の実施形態の具体化を実施例の説明に基づいて実施できる。かくして、特定の実施形態を実施するために当業者には十分な細部が与えられている。さらに、理解されるべきこととして、他の特定の実施形態を用いることができ、他の改造例を特定の実施形態の精神または範囲から逸脱することなく構成することができる。加うるに、「特定の実施形態」と言った場合、これは、同一またはかかる単一の特定の実施形態に限られる必要はない。かくして、以下の詳細な説明は、本発明の限定として解されるべきではなく、説明する特定の実施形態の範囲または本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載に基づいて定められる。
本願および特許請求の範囲全体を通じて、文脈上明示の指定がなければ、以下で用いられる用語は、以下に与えられる説明と関連した意味を持つ。使用にあたり、別段の明示の指定がなければ、用語「または」は、「または」を含むために用いられ、この用語は、「および/または」と同じである。文脈上、別段の明示の指定がなければ、語句「~に係る」は、非網羅的であり、かつ本明細書には記載されていない多くの他の要因との一致を可能にする。さらに、本願の原文明細書全体を通じて、“a”、“an”、および“the”は、意味上、複数形を含む。「~内(の、に)」は、意味上「~内(の、に)」および「~上(の、に)」を含む。
以下の説明は、ある特定の具体化例にとって基本的な理解を提供するよう革新的な主題、すなわち本発明の概要を提供する。与えられる概要は、包括的な概観に役立つことが見込まれていない。さらに、この発明の概要は、主要または重要な要素を識別しまたは範囲を説明しまたは絞るのに役立つようにはなってない。発明の概要の目的は、ある特定の技術的思想を概要の形式で提供し、以下のより詳細な説明の序文として働く。
図1は、本発明の実施形態に係るコーティング装置を示している。コーティング装置は、頂部分102、側部分103および底部分104を備えた第1のシェル101を有する。第1のシェル101の側部分103は、開口部105を備え、この開口部は、コーティングされるべき物体を受け入れまたは処理済み物体を取り出すために可動弁(図示せず)経由で通過キャビティに結合されている。化学蒸着または化学気相成長が第1のシェル101内で実施される。第1のシェル101の頂部分102は、第1のシェル101に反応性ガスまたはクリーニング用ガスを提供するために入口ユニット106を備えている。第1のシェル101の底部分104は、複数の排気ユニット107,108に連結され、排気ユニット107,108は、それぞれ、第1のシェル101内の互いに異なる空間中の空気圧を制御する。
第2のシェル109が第1のシェル101内に固定的に収容されている。第2のシェル109は、頂部分110および底部分111を有する。第2のシェル109の頂部分110は、第1のシェル101の頂部分102に連結され、第2のシェル109は、頂部分110から底部分111まで末広がりに延び、すなわち、第2のシェル109の頂部分110は、直径を有し、第2のシェル109の底部分111は、直径を有し、かくして、第2のシェル109の直径Dは、頂部分110から底部分111に向かう方向に増大している。換言すると、第2のシェル109は、上半分が狭くまたは細くかつ下半分が広いまたは太い形になっている。一実施形態では、第2のシェル109の底部分111は、第1のシェル101の側部分103に連結されている。第2のシェル109の頂部分110は、第1のシェル101の頂部分102を貫通したガスチャネルを有し、このガスチャネルの上流側は、入口ユニット106に結合されている。図示の実施形態の側部分103は、壁マウント112を備え、第2のシェル109の底部分111は、壁マウント112の上面に連結されている。第2のシェル109と第1のシェル101との連結部は、封止連結部である。例えば、Oリングが第1のシェル101の頂部分102と第2のシェル109の頂部分110との間に設けられ、別のOリングが第1のシェル101の壁マウント112と第2のシェル109の底部分111との間に設けられている。かくして、第1のシェル101と第2のシェル109との間には第1の空間が画定され、この空間は、大気圧に維持されている。第1の空間内において、第2のシェル109を加熱する1つ以上の加熱ユニット113がこの第1の空間内に設けられるのが良い。
キャリヤ受座114が第1のシェル101内で昇降するよう構成されている。図示のように、キャリヤ受座114は、最も高い位置と最も低い位置(後者は点線で示されている)との間で動くことができる。キャリヤ受座114は、底部プレート115を有し、この底部プレートは、キャリヤ受座114が昇降しているときに動く。キャリヤ受座114は、最も高い位置まで上昇し、底部プレート115は、壁マウント112の底面に密接する。Oリングが壁マウント112と底部プレート115との間に設けられ、その結果、壁マウント112と底部プレート115もまた、封止接触状態にある。この時点で、第2のシェル109と底部プレート115は、第2の空間を画定する。
図示のように、壁マウント112と底部プレート115との封止接触部は、第1のシェル101を上半部と第1の空間および第2の空間を含む下半部に分割している。下半部の空間は、物体が一時的に留まるようにするための過渡的な空間である。底部プレート115が壁マウント112と封止接触関係をなすような仕方でキャリヤ受座114が上昇すると、第2の空間は、底部プレート115の下の過渡的空間と連通関係をなさず、第2の空間と過渡的空間は、互いに独立した圧力を有する。封止状態の第2の空間は、主として、コーティングプロセスのための反応領域として用いられる。キャリヤ受座114が最も低い位置まで下降すると、底部プレート115は、壁マウント112を出、その結果、第2の空間は、下に位置する過渡的空間と連通関係をなすようになり、第2の空間は、この時点で、反応領域としての役目を果たす条件を満たすことはない。
図示していないが、理解されるべきこととして、他の実施形態では、上昇した底部プレート115は、反応領域を形成するよう第2のシェル109と封止接触関係をなすよう構成されているのが良い。変形例として、上昇した底部プレート115はまた、反応領域を形成するよう第1の領域101の側部分103と封止接触関係をなすよう構成されても良い。すなわち、適当な封止手段を用いることによって、壁マウント112がなくても反応領域を構成して実現することができる。
第1のシェル101の材料は、セラミック(例えば、Al23)であっても良く、あるいは、膨張率の小さな他の材料であっても良く、その結果、第1のシェル101は、反応領域または加熱ユニット113からの高温に耐えるよう断熱層としての役目を果たすことができるようになっている。第1のシェル101の外側は、熱伝導率の高い材料によって被覆されるのが良く、それにより加熱ユニット113によって生じた熱を第2のシェル109に容易に伝達することができる。第1のシェル101と第2のシェル109によって画定された第1の空間は、大気圧に維持される。第2のシェル109と壁マウント112と底部プレート115によって画定された反応領域は、コーティングを実施するのに適した真空環境であるよう制御される。壁マウント112と上昇した底部プレート115と第1のシェル101の底部分104によって画定された過渡的空間は、コーティングされた物体の汚染を阻止するよう真空環境であるよう制御される。過渡的空間の圧力は、排気ユニット107によって制御され、反応領域の圧力は、別の排気ユニット108によって制御される。図示のように、底部プレート115は、穴116を有し、反応キャビティ内に残留ガスがあればこれは穴116を通って排気ユニット108に排出される。別の加熱ユニット117が反応領域の下の温度を制御するよう底部プレート115の上に設けられるのが良い。
本発明のコーティング装置では、第2のシェルが漏斗と同様な拡大形状になっているので、第2のシェルによって画定された反応領域の空間を相対的に狭くすることができ、これは、コーティングプロセス後におけるクリーニング効率の向上に役立つ。さらに、第1のシェルと第2のシェルとの間に画定された第1の空間が大気圧に維持されるので、この第1の空間内に収容されている加熱ユニットにより生じた熱の反応領域への伝導効率は、真空環境内における熱伝導効率よりも良好であり、これは、反応領域の温度制御を助ける。
図2は、本発明の一実施形態に係るキャリヤ受座を示している。キャリヤ受座200は、支持ポスト201およびキャリヤプレート202を有する。支持ポスト201は、第1のシェル101の底部分104から垂直に延びて図1に示されているように底部プレート115に連結されている。支持ポスト201の底部分は、駆動ユニット(図示せず)に連結されている。支持ポスト201は、底部分と反対側の頂部分を有し、頂部分は、キャリヤプレート202の底部分と封止連結関係をなしている。例えば、支持ポスト201の頂部分は、平坦面と傾斜面の組み合わせを有するのが良い。封止連結関係を具体化するために少なくとも1つのOリングが支持ポスト201の頂部分とキャリヤプレート202の底部分との間に設けられるのが良い。キャリヤプレート202は、上方に向いた表面203を有し、この上方に向いた表面は、実質的に平らな表面である。キャリヤプレート202は、コーティングされるべき物体Lを支持する1つ以上の支持部分204をさらに有し、支持部分は、上方に向いた表面203から上方に延びている。図面に示されているように、支持部分204は、支持部分204と上方に向いた表面203が凹み空間を画定するよう上方に向いた表面203の周囲を包囲している。他の考えられる実施形態では、キャリヤプレート202は、コーティングされるべき物体の形状に合致するよう互いに異なる高さを備えた複数の支持部分204を有するのが良い。
支持部分204の頂面または一平面は、ガスケット205を備えるのが良く、ガスケット205をキャリヤプレート202の材料と同種のまたはこれとは異種の材料、例えばセラミックで作ることができる。ガスケット205の内側は、物体Lとの接触面として役立つ傾斜面として形成されるのが良い。ガスケット205のサイズは、物体Lのコーティングされるべき上面を少なくとも遮蔽することがないよう適切に選択される。図示のように、配置された物体Lと支持部分204と上方に向いた表面203は、反応性ガスをすんなりとは流入させない隙間を画定する。
支持ポスト201の本体は、不活性ガスのための入口管を備え、この入口管は、支持ポスト201の頂部分に設けられたベントまで延び、その結果、支持ポスト201の頂部分は、不活性ガスを提供することができるようになっている。キャリヤプレート202は、支持ポスト201に対応した位置に設けられていて不活性ガスがキャリヤプレート202の上方に向いた表面203を通過して隙間中に放出されてこの隙間を満たすようにするための空気入口を備えている。キャリヤプレート202は、複数のベント206をさらに有し、ベント206は、上方に向いた表面203からキャリヤプレート202の外側に向かって延びまたは支持部材204の内側から外方に延びている。かくして、キャリヤ受座204を反応キャビティ内に封止すると、反応キャビティの真空環境によりキャリヤ受座204に提供された不活性ガスがベント206を通って反応領域に流れ、そして反応領域から排気ユニット108によってさらに放出されるようになっている。かくして、物体Lの下側部分は、少なくとも、上方に向いた表面203と支持部分204と物体Lとによって画定された排気経路を有する。実際には、コーティングプロセス中、幾分かの堆積粒子が物体Lと支持部分204との間から物体の下部に入って物体Lの下面上に堆積する恐れが依然としてある。排気経路は、裏面上への望ましくない堆積を阻止することができる。通過した粒子は、不活性ガスによって上方に向いた表面203の縁まで吹き飛ばされるのが良く、そしてベント206を通って反応領域に戻るのが良い。かくして、物体の裏面の清浄度を維持することができ、かかる作用効果は、レンズの生産収率を向上させるのに特に役立つ。
図3は、別の実施形態に係るキャリヤプレートを示している。キャリヤ受座300は、特定の物体Lの形状を満足させるために比較的高い支持部分304を有する。図4は、別の実施形態に係るキャリヤプレートを示している。コーティングプロセスが複数の小さなサイズの物体Lに施す場合、キャリヤ受座400の支持部分404の頂部分がプレート405を備え、このプレートは、複数の物体Lを配置するための複数の中空部を有する。プレート405の下面と上側で見た表面403は、排気経路を画定し、この排気経路は、望ましくない堆積粒子を吹き払うようこれら物体Lの下を通る。
図5は、一実施形態に係る反応領域を示している。反応領域を画定している第2のシェル500の頂端部に設けられたガスチャネルの下流側は、ガスを分散させるとともに堆積ガスの流れ方向を定める1枚以上のガスバリヤプレート501を備えている。一実施形態では、ガスバリヤプレート501に代えて多孔シャワーヘッド形プレートを用いることができる。図6は、別の実施形態に係る反応領域を示している。反応領域を画定する第2のシェル600が湾曲した物体Lの形状に合致する湾曲構造体として構成されている。図7は、本発明のさらに別の実施形態に係る反応領域を示している。反応領域を画定している第2のシェル700が物体Lのアレイに合致する平らな頂部分を有するよう構成され、これは、物体Lの体積を最小限に抑えるのを助けまたは一様な堆積を生じさせるのを助ける。
上述の開示は、特定の実施形態の組み合わせの製作および使用に関する包括的な説明を提供している。種々の他の実施形態を上述の開示内容の精神および範囲から逸脱することなく構成することができ、したがって、これら実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲に含まれる。
101 第1のシェル
102 頂部分
103 側部分
104 底
105 開口部
106 入口ユニット
107 排気ユニット
108 排気ユニット
109 第2のシェル
110 頂部分
111 底部分
112,113 加熱ユニット
114 チャネル受座
115 底部プレート
116 穴
117 加熱ユニット
200 キャリヤ受座
201 支持ポスト
202 キャリヤプレート
203 上方に向いた表面
204 支持部分
205 ガスケット
206 ベント
300 キャリヤ受座
304 支持部分
400 キャリヤ受座
403 上方に向いた表面
404 支持部分
405 プレート
500 第2のシェル
501 ガスキャリヤプレート
600 第2のシェル
700 第2のシェル
L 物体
D 直径

Claims (10)

  1. コーティング装置であって、
    頂部分および側部分を備えた第1のシェルと、
    前記第1のシェルの前記頂部分から少なくとも部分的に下方に末広がりに延びる状態で前記第1のシェル内に収容された第2のシェルとを有し、
    前記第1のシェルと前記第2のシェルとの間には第1の空間が画定され、前記第2のシェルは、第2の空間を画定し、前記第1の空間は、前記第2の空間を包囲し、前記第1のシェルと前記第2のシェルは、互いに流体連通していない、コーティング装置。
  2. 前記第2のシェルは、頂部分および底部分を有し、前記第2のシェルの前記頂部分は、直径を有し、前記第2のシェルの前記底部分は、直径を有し、前記第2のシェルの直径は、前記頂部分から前記底部分に向かう方向に増大している、請求項1記載のコーティング装置。
  3. 前記第1のシェルの前記側部分は、壁マウントを有し、前記第2のシェルの前記底部分は、前記壁マウント上に載っている、請求項1記載のコーティング装置。
  4. 前記第1の空間は、大気温度に維持され、前記第2の空間は、コーティングのために用いられる反応領域である、請求項1記載のコーティング装置。
  5. 前記第2のシェルの前記頂部分は、ガスチャネルを有し、前記ガスチャネルの下流側は、ガスを分散させるためのガスバリヤプレートを備えている、請求項1記載のコーティング装置。
  6. コーティングされる物体を担持するキャリヤ受座であって、前記キャリヤ受座は、第1のシェル内で昇降するよう構成され、前記キャリヤ受座は、
    頂部分を備えていて該頂部分からガスを提供するよう構成された支持ポストと、
    前記支持ポストの前記頂部分に連結されたキャリヤプレートとを有し、前記キャリヤプレートは、上方に向いた表面および前記上方に向いた表面から上方に延びていて前記物体を支持する支持部分を有し、前記上方に向いた表面は、前記ガスを供給するよう構成された少なくとも1つの空気入口および前記キャリヤプレートの前記上方に向いた表面から外側まで延びる複数のベントを有し、
    前記上方に向いた表面と前記支持部分と前記物体との間には、排気経路が画定され、前記ガスは、前記排気経路を通って前記空気入口から前記複数のベントまで流れる、キャリヤ受座。
  7. 前記支持部分は、ガスケットを有し、前記ガスケットの内側は、前記物体に接触する傾斜面を備えている、請求項6記載のキャリヤ受座。
  8. 傾斜面が前記支持部分と前記上方に向いた表面との間に形成されている、請求項6記載のキャリヤ受座。
  9. 前記支持部分は、プレートであり、前記プレートには、複数の物体を受け入れる複数の中空部が形成されている、請求項6記載のキャリヤ受座。
  10. 前記支持ポストは、封止プレートを有し、前記第1のシェルの第1の側部分は、壁マウントを備え、前記封止プレートは、前記キャリヤ受座が前記封止プレートによって封止されている反応領域に入るような高さに支持ポストが配置されたときに前記壁マウントに接触するよう構成されている、請求項6記載のキャリヤ受座。
JP2021203430A 2020-12-31 2021-12-15 コーティング装置 Active JP7329034B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011627010.X 2020-12-31
CN202011627010.XA CN112853316B (zh) 2020-12-31 2020-12-31 镀膜装置及其承载座

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022105278A true JP2022105278A (ja) 2022-07-13
JP7329034B2 JP7329034B2 (ja) 2023-08-17

Family

ID=75999547

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021203430A Active JP7329034B2 (ja) 2020-12-31 2021-12-15 コーティング装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US12043897B2 (ja)
JP (1) JP7329034B2 (ja)
KR (1) KR20220097237A (ja)
CN (1) CN112853316B (ja)
TW (1) TWI796823B (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116288269A (zh) * 2023-02-20 2023-06-23 拓荆科技(上海)有限公司 一种薄膜沉积设备和一种薄膜沉积方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07245298A (ja) * 1991-10-23 1995-09-19 F T L:Kk 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
JP2003045808A (ja) * 2001-07-30 2003-02-14 Tokyo Electron Ltd 縦型熱処理装置および縦型熱処理方法
JP2004006794A (ja) * 2002-04-12 2004-01-08 Asm Japan Kk 枚葉式cvd装置及び方法
JP2005347772A (ja) * 2005-08-05 2005-12-15 Ftl:Kk 半導体装置の製造方法
JP2007522681A (ja) * 2004-02-13 2007-08-09 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド オートドーピングおよび裏面堆積を減少させるための基板支持システム
JP2011144091A (ja) * 2010-01-18 2011-07-28 Shin Etsu Handotai Co Ltd 気相成長用サセプタ及び気相成長方法
JP2017183393A (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP2018165395A (ja) * 2017-03-28 2018-10-25 昭和電工株式会社 熱化学蒸着装置の基板ホルダー
WO2020260742A1 (en) * 2019-06-25 2020-12-30 Picosun Oy Substrate backside protection

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5558717A (en) * 1994-11-30 1996-09-24 Applied Materials CVD Processing chamber
JP3556804B2 (ja) * 1997-05-20 2004-08-25 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US6462310B1 (en) * 1998-08-12 2002-10-08 Asml Us, Inc Hot wall rapid thermal processor
JP2003203868A (ja) * 2002-01-07 2003-07-18 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
US20070137794A1 (en) * 2003-09-24 2007-06-21 Aviza Technology, Inc. Thermal processing system with across-flow liner
US7408225B2 (en) * 2003-10-09 2008-08-05 Asm Japan K.K. Apparatus and method for forming thin film using upstream and downstream exhaust mechanisms
US7419702B2 (en) * 2004-03-31 2008-09-02 Tokyo Electron Limited Method for processing a substrate
US20070187386A1 (en) * 2006-02-10 2007-08-16 Poongsan Microtec Corporation Methods and apparatuses for high pressure gas annealing
CN101772833B (zh) * 2008-02-20 2012-04-18 东京毅力科创株式会社 气体供给装置
JP4564570B2 (ja) * 2009-03-10 2010-10-20 三井造船株式会社 原子層堆積装置
CN102080210B (zh) * 2009-11-30 2013-04-10 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 蒸镀装置
US20120312234A1 (en) * 2011-06-11 2012-12-13 Tokyo Electron Limited Process gas diffuser assembly for vapor deposition system
DE102012100927A1 (de) * 2012-02-06 2013-08-08 Roth & Rau Ag Prozessmodul
JP6107327B2 (ja) * 2013-03-29 2017-04-05 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及びガス供給装置並びに成膜方法
US20160010207A1 (en) * 2013-04-03 2016-01-14 Dongjun Wang Plasma-Enhanced Atomic-Layer Deposition System and Method
JP2015137416A (ja) * 2014-01-24 2015-07-30 富士フイルム株式会社 蒸着用タブレットおよび有機材料の蒸着装置
US10253412B2 (en) * 2015-05-22 2019-04-09 Lam Research Corporation Deposition apparatus including edge plenum showerhead assembly
US10851457B2 (en) * 2017-08-31 2020-12-01 Lam Research Corporation PECVD deposition system for deposition on selective side of the substrate
CN110828271A (zh) * 2018-08-07 2020-02-21 北京北方华创微电子装备有限公司 反应腔室及半导体加工设备
TWI685059B (zh) * 2018-12-11 2020-02-11 財團法人國家實驗研究院 半導體反應裝置與方法
KR102269348B1 (ko) * 2019-04-04 2021-06-28 (주)아이작리서치 후면 증착 방지용 서셉터 및 이를 구비하는 증착 장치

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07245298A (ja) * 1991-10-23 1995-09-19 F T L:Kk 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
JP2003045808A (ja) * 2001-07-30 2003-02-14 Tokyo Electron Ltd 縦型熱処理装置および縦型熱処理方法
JP2004006794A (ja) * 2002-04-12 2004-01-08 Asm Japan Kk 枚葉式cvd装置及び方法
JP2007522681A (ja) * 2004-02-13 2007-08-09 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド オートドーピングおよび裏面堆積を減少させるための基板支持システム
JP2005347772A (ja) * 2005-08-05 2005-12-15 Ftl:Kk 半導体装置の製造方法
JP2011144091A (ja) * 2010-01-18 2011-07-28 Shin Etsu Handotai Co Ltd 気相成長用サセプタ及び気相成長方法
JP2017183393A (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP2018165395A (ja) * 2017-03-28 2018-10-25 昭和電工株式会社 熱化学蒸着装置の基板ホルダー
WO2020260742A1 (en) * 2019-06-25 2020-12-30 Picosun Oy Substrate backside protection

Also Published As

Publication number Publication date
CN112853316B (zh) 2023-03-14
TW202227662A (zh) 2022-07-16
US20220205092A1 (en) 2022-06-30
US12043897B2 (en) 2024-07-23
KR20220097237A (ko) 2022-07-07
TWI796823B (zh) 2023-03-21
JP7329034B2 (ja) 2023-08-17
CN112853316A (zh) 2021-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102222947B1 (ko) 화학 증착 장치
US10570508B2 (en) Film forming apparatus, film forming method and heat insulating member
KR102312248B1 (ko) 화학 증착 장치
KR101645262B1 (ko) 가스 분산 장치
TWI404818B (zh) 反應室蓋板可降低之cvd反應器
TW201945580A (zh) 基材製程裝置及方法
US6849241B2 (en) Device and method for depositing one or more layers on a substrate
KR101204614B1 (ko) 가스 공급 장치, 성막 장치, 및 성막 방법
US6599367B1 (en) Vacuum processing apparatus
TWI482205B (zh) 具圓柱形進氣機構之mocvd反應器
JP2013543932A (ja) 温度勾配を高めた化学気相成長(tge−cvd)
KR20100072180A (ko) 기판 탑재 기구 및 기판 처리 장치
JP2011500961A (ja) 化学気相成長反応器
JP2009088473A (ja) 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
US20050045100A1 (en) Reactors, systems with reaction chambers, and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
CN105861991A (zh) 一种线性加热源
JP2022105278A (ja) コーティング装置およびそのキャリヤ受座
WO2012153591A1 (ja) 成膜装置
TWI461568B (zh) 熱梯度加強化學氣相沈積
TW201341586A (zh) 具有遮擋板裝置的反應器
KR101523357B1 (ko) 반도체 소자 형성 장치 및 반도체 소자 형성 방법
CN115928050A (zh) 一种横流式薄膜沉积反应器
KR20120122516A (ko) 수평 흐름 원자층 증착 장치
TWI837843B (zh) 加熱裝置、化學氣相沉積設備及吹掃方法
KR100749632B1 (ko) 반도체 제조용 웨이퍼박막 형성장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220125

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230113

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230125

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20230421

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230512

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230706

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230804

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7329034

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150