CN102080210B - 蒸镀装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种蒸镀装置，其用于对基材进行镀膜；该蒸镀装置包括外壳及反应装置；外壳包括内侧壁及底壁，内侧壁设置有用于承载基材的工作区，底壁上开设有轴孔；反应装置容置在外壳内并通过转轴转动连接在轴孔内；反应装置包括外筒及容置在外筒中的内筒，外筒与内筒之间形成第一空间，内筒围成第二空间；第一空间内设置有放置膜料的坩埚及轰击膜料的电子枪，第二空间内设置有一离子源；外筒的外侧设置有多个与第一空间连通的第一喷口及与第二空间连通的第二喷口，从第一喷口喷出的气态膜料被从第二喷口喷出的氧化性离子气体氧化后附着于基材上。从反应装置喷射出的气态膜料与氧化性离子气体混合均匀，从而使膜料能完全氧化，有效提高镀膜质量。

Description

蒸镀装置
技术领域
本发明涉及一种蒸镀装置，特别涉及一种离子辅助镀膜的蒸镀装置。
背景技术
蒸镀是一种物理气相沉积技术，即以物理的方式进行薄膜沉积。具体地，其通过离子束或电子束对膜料进行加热，使膜料变成气态，而沉积在待镀基材表面以形成一蒸镀膜层。蒸镀技术因成膜过程简单，工艺易控制而得到广泛应用，例如光学元件表面反射膜层、装饰件表面膜层等。
蒸镀过程需要在一蒸镀装置中进行，所述蒸镀装置通常包括一蒸镀腔室、一用于承载待镀膜基材的传统的伞架、一位于伞架正下方的用于承载膜料的坩埚及一释放出氧化性气体的离子源。传统的蒸镀方法是将待镀膜基材放置于伞架上，在释放出气态膜料的同时也释放出氧化性气体，使气态膜料与氧化性气体反应后沉积于待镀膜基材上表面。然而，一般蒸镀装置内释放氧化性气体的离子源的位置与待镀膜基材的位置相对固定，当采用处于不同位置的不同膜料进行镀膜时，很可能由于离子源与膜料的位置关系，使得气态的膜料还未完全氧化就沉积于待镀膜基材上，从而影响镀膜质量及效果。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种可有效提高镀膜质量的蒸镀装置。
一种蒸镀装置，其用于对待镀膜基材进行镀膜；该蒸镀装置包括一外壳及一反应装置；所述外壳包括一内侧壁及一底壁，所述内侧壁设置有至少一工作区用于承载所述基材，所述底壁上开设有一轴孔；所述反应装置容置在外壳内并通过一转轴转动连接在轴孔内；反应装置包括外筒及容置在外筒中的内筒，外筒与内筒之间形成第一空间，内筒围成第二空间；所述第一空间内设置有用于放置膜料的坩埚及用于轰击膜料的电子枪，所述第二空间内设置有一离子源；所述外筒的外侧设置有多个与第一空间连通的第一喷口及与第二空间连通的第二喷口，从第一喷口喷出的气态膜料被从第二喷口喷出的氧化性离子气体氧化后附着于基材上。
本发明提供的蒸镀装置通过在使用电子枪轰击后的气态膜料进行镀膜的过程中，同时向待镀膜基材上喷射出氧化性离子，使得气态的膜料与氧化性离子混合均匀，使得在膜料附着于基材上之前能被完全氧化，从而有效提高镀膜质量。
附图说明
图1是本发明实施方式提供的蒸镀装置的分解示意图。
图2是图1中的蒸镀装置的反应装置的分解示意图。
图3是图1中的蒸镀装置的半剖示意图。
主要元件符号说明
Figure G200910310613420091130D000031
具体实施方式
以下将结合附图对本发明作进一步的详细说明。
如图1至3所示，为本发明实施方式提供的一种蒸镀装置100，其用于对待镀膜基材进行镀膜；所述蒸镀装置100包括一外壳10、一反应装置20、一遮挡装置30及一驱动装置40。
所述外壳10为一半封闭六棱柱套筒，该外壳10包括一个内侧壁11及一底壁12。所述内侧壁11垂直固设在所述底壁12的边缘，所述底壁12的中心处开设有一轴孔121。所述外壳10还包括一固设于内侧壁11上的承载板13，所述承载板13为条状薄板，且所述承载板13上开设有多个用于承载待镀膜基材的承载座131。本实施方式中，六个承载板13分别通过螺钉可拆卸的固设在外壳10的内侧壁11上；可以理解，将承载板13固定到外壳10的方式有很多种，例如，磁铁相互吸引，卡扣卡合等等。
所述反应装置20包括一外筒21、一内筒22、用于封闭外筒21的第一盖体23及用于封闭内筒22的第二盖体24。所述反应装置20一端由一底板201封闭且从该底板201的外侧垂直延伸出一转轴202。所述反应装置20收容于外壳10内，且所述转轴202从所述轴孔121伸出，所述反应装置20与外壳10通过转轴202与轴孔121转动连接。
所述外筒21呈近似六棱柱体，其固设于底板201上且与底板201形成一半封闭的空间。所述外筒21包括依次相连的第一侧壁212、第二侧壁213及第三侧壁214。所述第一侧壁212上设置有多个第一喷口212a，所述第二侧壁213上设置有多个第二喷口213a，且所述多个第一喷口212a及多个第二喷口213a分别沿外筒21轴线方向排列。所述内筒22呈环柱体，其容置于外筒21内，且一端被底板201所封闭。所述内筒22与外筒21之间形成一第一空间25，所述内筒22内形成一第二空间26，且所述第一喷口212a与所述第一空间25相连通，所述第二喷口213a与所述第二空间26相连通。所述第二盖体24固设于内筒22上相对于底板201所在的另一端，用于将第二空间26封闭。所述第一盖体23固设于外筒21上相对于底板201所在的另一端，用于将第一空间25封闭。在所述第一空间25的底板201上固设有多个用于承载膜料的坩埚251，所述第一盖体23上设置有多个用于轰击膜料的电子枪231，且所述电子枪231朝向于坩埚251。所述第二空间26内设置有一离子源261，所述离子源261用于释放出氧化性离子气体。
所述遮挡装置30包括一连接杆31、一步进马达32、一设有外螺纹的作动杆33、一设有内螺纹的轴套34及一挡板35；所述连接杆31一端固定于外筒21的第三侧壁214上，所述另一端与步进马达32相固定。所述步进马达32与所述作动杆33相固定并带动所述作动杆33转动，所述轴套34与作动杆33相螺接，所述挡板35与轴套34相固定，且所述挡板35与第一侧壁212或第二侧壁213相平行。所述步进马达32带动作动杆33转动，从而使套设在作动杆33上轴套34沿作动杆33线性移动，从而实现挡板35的移动。可以理解，所述挡板35也可通过其它驱动连接方式实现挡板35平行于第一侧壁212或第二侧壁213的移动，例如伸缩装置。
所述驱动装置40包括一驱动部41及一传动部42，所述驱动部41固设于一工作平台(图未示)上，所述传动部42与反应装置20的转轴202相固定连接。所述驱动装置40带动反应装置20相对外壳10转动。
在镀膜开始前，操作者将待镀膜基材放置于承载板13的承载座131上，再将每个承载板13固设于外壳10的内侧壁11上，最后将外壳10密封。操作者然后控制遮挡装置30中的步进马达32带动遮挡板35移动，使遮挡板35封闭第一喷口212a与第二喷口213a，再开启固设于第一盖体23上电子枪231，所述电子枪231对位于第一空间25的坩埚251中的膜料进行轰击，使所述膜料蒸发成气态膜料并充满于第一空间25内，同时开启位于第二空间26内的离子源261，使所述离子源261释放出的氧化性离子气体充满于第二空间26内。当第一空间25与第二空间26内的的气体压力达到预设压力后，先控制驱动装置40带动反应装置20匀速转动，再控制步进马达32带动挡板35移动，使遮挡板35从第一喷口212a与第二喷口213a上移开。位于第一空间25内气态膜料和位于第二空间26内氧化性离子气体分别从第一喷口212a和第二喷口213a喷射出来，所述气态膜料与氧化性离子气体充分结合，从而使气态膜料迅速被完全氧化。所述氧化后的气态膜料在冲击力的作用下附着于待镀膜基材上，从而完成对待镀膜基材的镀膜。
本发明提供的蒸镀装置通过在使用电子枪轰击后的气态膜料进行镀膜的过程中，同时向待镀膜基材上喷射出氧化性离子，使得气态的膜料与氧化性离子混合均匀，使得在膜料附着于基材上之前能被完全氧化，从而有效提高镀膜质量。
可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种像应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (7)

1.一种蒸镀装置，其用于对待镀膜基材进行镀膜；该蒸镀装置包括一外壳及一反应装置；所述外壳包括一内侧壁及一底壁，所述内侧壁设置有至少一工作区用于承载所述基材，所述底壁上开设有一轴孔；所述反应装置容置在外壳内并通过一转轴转动连接在轴孔内；反应装置包括外筒及容置在外筒中的内筒，外筒与内筒之间形成第一空间，内筒围成第二空间；所述第一空间内设置有用于放置膜料的坩埚及用于轰击膜料的电子枪，所述第二空间内设置有一离子源；所述外筒的外侧设置有多个与第一空间连通的第一喷口及与第二空间连通的第二喷口，从第一喷口喷出的气态膜料被从第二喷口喷出的氧化性离子气体氧化后附着于基材上。
2.如权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于：所述反应装置还包括一第一盖体及一第二盖体，所述第一盖体将内筒密封，所述第二盖体将外筒密封。
3.如权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于：所述坩埚收容在所述第一空间内且设置于所述第一空间的底板上，所述电子枪固设于第二盖体上，且所述电子枪朝向于所述坩埚。
4.如权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于：所述蒸镀装置还包括一驱动装置，所述驱动装置与所述转轴相连接。
5.如权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于：所述外筒包括依次相连的第一侧壁及第二侧壁；所述第一喷口位于第一侧壁上，所述第二喷口位于第二侧壁上。
6.如权利要求5所述的蒸镀装置，其特征在于：所述蒸镀装置还包括分别用于遮盖第一喷口和第二喷口的遮挡装置。
7.如权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于：所述外壳还包括一固设于内侧壁上的承载板，所述承载板上开设有多个用于承载待镀膜基材的承载座。
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