JP2021195595A - シャワープレート及び成膜装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】シャワープレート内にガスを貯留することが可能な技術を提供する。【解決手段】処理容器の上部に設けられた板状部材を有するシャワープレートであって、前記シャワープレート内の第１の流路に連通する複数の第１の孔部と、複数の前記第１の孔部に設けられた複数の第１のチャンババルブと、前記シャワープレート内の第２の流路に連通する複数の第２の孔部と、複数の前記第２の孔部に設けられた複数の第２のチャンババルブと、複数の前記第１の孔部及び複数の前記第２の孔部に対応して前記板状部材に設けられた複数の第３の孔部と、複数の前記第３の孔部に設けられた複数の第３のチャンババルブと、を有し、複数の前記第１のチャンババルブ、複数の前記第２のチャンババルブ及び複数の前記第３のチャンババルブは、圧電素子である、シャワープレートが提供される。【選択図】図２

Description

本開示は、シャワープレート及び成膜装置に関する。
例えば、特許文献１は、シャワープレートに複数の圧電バルブを設け、複数の圧電バルブを通じて反応物種を含むガスを反応処理容器に供給することを提案している。
例えば、特許文献２は、シャワープレート直上のバッファ室にピエゾバルブを設置することを提案している。
特表２００２−５１０８７７号公報 特開２０１１−０８６７７６号公報
本開示は、シャワープレート内にガスを貯留することが可能な技術を提供する。
本開示の一の態様によれば、処理容器の上部に設けられた板状部材を有するシャワープレートであって、前記シャワープレート内の第１の流路に連通する複数の第１の孔部と、複数の前記第１の孔部に設けられた複数の第１のチャンババルブと、前記シャワープレート内の第２の流路に連通する複数の第２の孔部と、複数の前記第２の孔部に設けられた複数の第２のチャンババルブと、複数の前記第１の孔部及び複数の前記第２の孔部に対応して前記板状部材に設けられた複数の第３の孔部と、複数の前記第３の孔部に設けられた複数の第３のチャンババルブと、を有し、複数の前記第１のチャンババルブ、複数の前記第２のチャンババルブ及び複数の前記第３のチャンババルブは、圧電素子である、シャワープレートが提供される。
一の側面によれば、シャワープレート内にガスを貯留することができる。
実施形態に係る成膜装置を示す断面模式図である。 図１の成膜装置に配置されたシャワープレート３を拡大して示した図である。 実施形態に係る成膜方法の各工程の流れを示すフローチャートである。
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
[成膜装置]
まず、実施形態に係る成膜装置１０の構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、実施形態に係る成膜装置１０を示す断面模式図である。実施形態に係る成膜装置１０は、減圧状態の処理容器内でＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法又はＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によりＴｉＮ膜を形成する成膜装置１０の一例である。ただし、実施形態に係る成膜装置１０は、ＴｉＮ膜を形成することに限られず、供給する処理ガスに応じて所望の膜を形成できる。
成膜装置１０は、処理容器１、載置台２、シャワープレート３、排気部４、及び制御部５を有する。処理容器１は、アルミニウム等の金属により構成され、略円筒状を有する。処理容器１は、基板Ｗを収容する。処理容器１の側壁には、基板Ｗを搬入又は搬出するための搬入出口１１が形成され、搬入出口１１はゲートバルブ１２により開閉される。
載置台２は、処理容器１内で基板Ｗを水平に支持する。載置台２は、基板Ｗに対応した大きさの円板状に形成されている。載置台２は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックス材料や、アルミニウムやニッケル合金等の金属材料で形成されている。載置台２の内部には、基板Ｗを加熱するためのヒータ２１が埋め込まれている。ヒータ２１は、ヒータ電源から給電されて発熱する。そして、載置台２の上面の近傍に設けられた熱電対の温度信号によりヒータ２１の出力を制御することで、基板Ｗが所定の温度に制御される。載置台２には、上面の外周領域及び側面を覆うようにアルミナ等のセラミックスにより形成されたカバー部材２２が設けられている。
載置台２は支持部材２３により支持されている。支持部材２３は、載置台２の底面の中央から処理容器１の底壁に形成された孔部を貫通して処理容器１の下方に延び、その下端が昇降機構２４に接続されている。昇降機構２４により載置台２が支持部材２３を介して、図１で示す処理位置と、その下方の二点鎖線で示す基板Ｗの搬送が可能な搬送位置との間で昇降する。支持部材２３の処理容器１の下方には、鍔部２５が取り付けられている。処理容器１の底面と鍔部２５の間には、成膜装置１０内の雰囲気を外気と区画し、載置台２の昇降動作にともなって伸縮するベローズ２６が設けられている。
処理容器１の底面の近傍には、昇降板２７ａから上方に突出するように複数の支持ピン２７が設けられている。支持ピン２７は、処理容器１の下方に設けられた昇降機構２８により昇降板２７ａを介して昇降する。支持ピン２７は、搬送位置にある載置台２に設けられた貫通孔２ａに挿通されて載置台２の上面に対して突没可能となっている。支持ピン２７を昇降させることにより、図示しない搬送機構と載置台２との間で基板Ｗの受け渡しが行われる。
シャワープレート３は、処理容器１の上部に設けられ、処理容器１内に処理ガス（原料ガス、還元ガス）及びパージガスをシャワー状に供給する。シャワープレート３は、載置台２に対向する板状部材３０を有する。板状部材３０は、載置台２の直径よりも大きい直径を有し、円盤状の金属製若しくはセラミックス製のプレートである。板状部材３０はシャワープレート３の一部であるとともに、処理容器１の天壁としても機能する。
シャワープレート３は、板状部材３０の直上に積層され、中空板状であって気化室が組み込まれた第１のバッファタンクプレート３１を有する。更に、シャワープレート３は、第１のバッファタンクプレート３１の直上に積層され、中空板状の第２のバッファタンクプレート３２と、第２のバッファタンクプレート３２の直上に積層された上部部材３３とを有する。
上部部材３３の内部には、原料ガスライン３４、還元ガスライン３５、パージガスライン３６の各流路が形成されている。板状部材３０、第１のバッファタンクプレート３１、第２のバッファタンクプレート３２、上部部材３３は同心円状に配置された同一直径の円盤状のプレートである。
第１のバッファタンクプレート３１には、原料ガスライン３４を介して原料ガス供給源５１からＴｉＣｌ４とＮ２ガスとが供給される。ＴｉＣｌ４は液体である。
第２のバッファタンクプレート３２には、還元ガスライン３５を介して還元ガス供給源５２からＮＨ３ガスが供給される。上部部材３３、第１のバッファタンクプレート３１の側壁、及び第２のバッファタンクプレート３２の側壁を通り、パージガスライン３６を介してパージガス供給源５３からパージガスとしてのＮ２ガスが処理容器１内に供給される。
排気部４は、処理容器１の内部を排気する。排気口１３は処理容器１の底部に形成され、排気部４は、排気口１３に接続された排気配管１４と、排気配管１４に接続された真空ポンプや圧力制御バルブ等を有する排気装置１５とを有する。処理に際しては、処理容器１内のガスが排気口１３に接続された排気配管１４を通って排気装置１５により排気される。
上記のように構成された成膜装置１０は、制御部５によって、動作が統括的に制御される。制御部５は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、補助記憶装置等を備える。ＣＰＵは、ＲＯＭ又は補助記憶装置に格納されたプログラムに基づいて動作し、装置全体の動作を制御する。制御部５は、成膜装置１０の内部に設けられていてもよく、外部に設けられていてもよい。制御部５が外部に設けられている場合、制御部５は、有線又は無線等の通信手段によって、成膜装置１０を制御することができる。
[シャワープレート]
次に、シャワープレート３の構成について、図２を参照しながらさらに説明する。図２は、図１の成膜装置１０に配置されたシャワープレート３を拡大して示した図である。
シャワープレート３は、上部部材３３内の流路である原料ガスライン３４の水平ライン３４ａから垂直方向に分岐する複数の垂直ライン３４ｂに連通する複数の第１の孔部３７を有する。複数の第１の孔部３７は、第１のバッファタンクプレート３１の上部に形成されている。原料ガスライン３４は、シャワープレート３内の第１の流路の一例である。複数の第１の孔部３７に一対一に複数の第１のチャンババルブ３８が配置されている。複数の第１のチャンババルブ３８は、第１のバッファタンクプレート３１に設けられている。
原料のＴｉＣｌ４及びキャリアガスのＮ２ガスは原料ガスライン３４で運ばれ、複数の第１のチャンババルブ３８が開かれると、複数の第１の孔部３７から複数に区画された第１のバッファタンクプレート３１内に供給される。
第１のバッファタンクプレート３１には、液体のＴｉＣｌ４を気化させるためのヒータ６２と、気化したＴｉＣｌ４ガスの圧力を測定する圧力計Ｐ１とが設けられている。ＴｉＣｌ４を第１のバッファタンクプレート３１内でヒータ６２により加熱して気化させることにより一定の圧力のＴｉＣｌ４ガスを第１のバッファタンクプレート３１内に貯留する。このように、第１のバッファタンクプレート３１は、ＴｉＣｌ４を気化させる気化室が組み込まれ、かつＴｉＣｌ４ガスを貯留するタンクとしての機能を有する。
なお、第１のバッファタンクプレート３１に気化室が組み込まれていなくてもよい。この場合、シャワープレート３の外部でＴｉＣＬ４をガスの状態にしてから第１のバッファタンクプレート３１に供給する必要がある。よって、本実施形態に示すように、第１のバッファタンクプレート３１は中空板状であって気化室が組み込まれたタンクである方が好ましい。
シャワープレート３は、上部部材３３内の流路である還元ガスライン３５の水平ライン３５ａから垂直方向に分岐する複数の垂直ライン３５ｂに連通する、複数の第２の孔部３９を有する。複数の第２の孔部３９は、第２のバッファタンクプレート３２の上部に形成されている。還元ガスライン３５は、シャワープレート３内の第２の流路の一例である。複数の第２の孔部３９に一対一に複数の第２のチャンババルブ４０が配置されている。複数の第２のチャンババルブ４０は、第２のバッファタンクプレート３２に設けられている。
還元ガスのＮＨ３ガスは還元ガスライン３５で運ばれ、複数の第２のチャンババルブ４０が開かれると、複数の第２の孔部３９から複数に区画された第２のバッファタンクプレート３２内に供給される。
第１のバッファタンクプレート３１と第２のバッファタンクプレート３２との間には、断熱シート６３が設けられている。断熱シート６３により、ヒータ６２で加熱された第１のバッファタンクプレート３１、ヒータ６１で加熱された板状部材３０、及びヒータ６０で加熱された処理容器１から第２のバッファタンクプレート３２への熱の授受が抑制される。これにより、第２のバッファタンクプレート３２の温度上昇を抑制でき、ＮＨ３ガスが加熱されることを回避できる。ただし、シャワープレート３は、断熱シート６３を有しなくてもよい。
第１のバッファタンクプレート３１のＴｉＣｌ４ガスの出口側には、複数の第１の孔部３７に対応して板状部材３０に複数の第３の孔部４１ａが形成されている。第１の孔部３７毎に第１のチャンババルブ３８が設けられているのと同様に、複数の第３の孔部４１ａに一対一に複数の第３のチャンババルブ４２ａが配置されている。複数の第３のチャンババルブ４２ａは、板状部材３０に設けられている。
第１のバッファタンクプレート３１は、第１のチャンババルブ３８の開閉により複数の第１の孔部３７を介して原料ガスライン３４から供給されたＴｉＣｌ４を気化し、気化したＴｉＣｌ４ガスを貯留する。第１のバッファタンクプレート３１内に貯留されたＴｉＣｌ４ガスは、第３のチャンババルブ４２ａの開閉により複数の第３の孔部４１ａから処理容器1内に供給される。
第２のバッファタンクプレート３２のＮＨ３ガスの出口側には、複数の第２の孔部３９に対応して板状部材３０に複数の第３の孔部４１ｂが形成されている。第２の孔部３９毎に第２のチャンババルブ４０が設けられているのと同様に、複数の第３の孔部４１ｂに一対一に複数の第３のチャンババルブ４２ｂが配置されている。複数の第３のチャンババルブ４２ｂは、板状部材３０に設けられている。
第３の孔部４１ａ及び第３の孔部４１ｂを総称して第３の孔部４１とも表記する。また、第３のチャンババルブ４２ａ及び第３のチャンババルブ４２ｂを総称して第３のチャンババルブ４２とも表記する。複数の第１のチャンババルブ３８、複数の第２のチャンババルブ４０、及び複数の第３のチャンババルブ４２は、圧電素子であり、各チャンババルブの開閉及び開度を調整できる。
第２のバッファタンクプレート３２は、第２のチャンババルブ４０の開閉により複数の第２の孔部３９を介して還元ガスライン３５から供給されたＮＨ３ガスを貯留する。第２のバッファタンクプレート３２内に貯留されたＮＨ３ガスは、第３のチャンババルブ４２ｂの開閉により複数の第３の孔部４１ｂから処理容器1内に供給される。
第１のバッファタンクプレート３１は、複数の第１のタンク３１ａに区画されている。複数の第１のタンク３１ａのそれぞれは、複数の第１の孔部３７の少なくともいずれか、及び複数の第３の孔部４１ａの少なくともいずれかに連通する。ＴｉＣｌ４ガスは、各第１のタンク３１ａに連通する第１の孔部３７に設けられた第１のチャンババルブ３８及び第３の孔部４１ａに設けられた第３のチャンババルブ４２ａの開閉のタイミングと開度差に応じた流量に制御され、処理容器１内に供給される。
つまり、各第１のタンク３１ａのイン側の第１のチャンババルブ３８及びアウト側の第３のチャンババルブ４２ａが、差圧式マスフローコントローラの役目を果たす。制御部５が、イン側の第１のチャンババルブ３８とアウト側の第３のチャンババルブ４２ａのオン・オフ（開閉）のタイミングと各チャンババルブの開度差とによって各第１のタンク３１ａから処理容器１に供給するＴｉＣｌ４ガスの流量の積分値を制御する。これにより、第１のタンク３１ａ毎に、各第１のタンク３１ａから処理容器１内に所望の流量のＴｉＣｌ４ガスが供給される。言い換えると、各第１のタンク３１ａのイン側の第１のチャンババルブ３８及びアウト側の第３のチャンババルブ４２ａにより、ガスの突出量が制御される。
このように各第１のタンク３１ａは、原料を気化する気化室としても機能しつつ、気化した原料ガスであるＴｉＣｌ４ガスを一旦貯留することで、比較的大きい流量で安定的にＴｉＣｌ４ガスを処理容器１内に供給することができる。
第２のバッファタンクプレート３２は、複数の第２のタンク３２ａに区画されている。複数の第２のタンク３２ａのそれぞれは、第２の孔部３９の少なくともいずれか、及び第３の孔部４１ｂの少なくともいずれかに連通する。ＮＨ３ガスは、各第２のタンク３２ａに連通する第２の孔部３９に設けられた第２のチャンババルブ４０及び第３の孔部４１ｂに設けられた第３のチャンババルブ４２ｂの開閉のタイミングと開度差に応じた流量に制御され、処理容器１内に供給される。
つまり、各第２のタンク３２ａのイン側の第２のチャンババルブ４０及びアウト側の第３のチャンババルブ４２ｂが、差圧式マスフローコントローラの役目を果たす。制御部５が、イン側の第２のチャンババルブ４０とアウト側の第３のチャンババルブ４２ｂのオン・オフ（開閉）のタイミングと各チャンババルブの開度差とによって各第２のタンク３２ａから処理容器１に供給するＮＨ３ガスの流量の積分値を制御する。これにより、第２のタンク３２ａ毎に、各第２のタンク３２ａから処理容器１内に所望の流量のＮＨ３ガスが供給される。言い換えると、各第２のタンク３２ａのイン側の第２のチャンババルブ４０及びアウト側の第３のチャンババルブ４２ｂによって、ガスの突出量が制御される。
このように各第２のタンク３２ａは、還元ガスであるＮＨ３ガスを一旦貯留することで、比較的大きい流量で安定的にＮＨ３ガスを処理容器１内に供給することができる。
なお、本実施形態では、一つのタンクにイン側のバルブとアウト側のバルブとが一つずつ設けられた例を挙げたが、これに限られない。例えば、一つのタンクにイン側のバルブが複数設けられてもよいし、アウト側のバルブが複数設けられてもよい。この場合にも制御部５は、イン側の１以上のチャンババルブとアウト側の１以上のチャンババルブのオン・オフのタイミングと各チャンババルブの開度差とをタンク毎に制御する。これにより、各タンクから処理容器１に供給する原料ガス及び還元ガスの流量を制御することができる。
上部部材３３内に形成されたパージガスライン３６の水平ライン３６ａは、上部部材３３の外周にて垂直方向に曲がり、第２のバッファタンクプレート３２及び第１のバッファタンクプレート３１の側壁に形成された垂直ライン３６ｂに繋がる。垂直ライン３６ｂは、板状部材３０の外周に形成された複数の第４の孔部４３に連通する。複数の第４の孔部４３には、複数の第４の孔部４３に一対一に複数の第４のチャンババルブ４４が配置されている。複数の第４のチャンババルブ４４は、板状部材３０に設けられている。
Ｎ２ガスは、パージガスライン３６から処理容器１の内部に供給され、処理容器１内のガスをＮ２ガスで置換（パージ）する。制御部５によって複数の第４のチャンババルブ４４が開閉し、これにより、Ｎ２ガスの処理容器1内への供給及び供給停止が制御される。
本実施形態では、Ｎ２ガスは、パージガスライン３６から処理容器１内に供給されるが、これに限られない。例えば、Ｎ２ガスは、第１のバッファタンクプレート３１及び／又は第２のバッファタンクプレート３２を介して処理容器１内に供給されてもよい。第１のバッファタンクプレート３１及び第２のバッファタンクプレート３２を経由するルートと経由しないルートとの２系統のルートを設け、２系統のルートの少なくともいずれかのルートを使用してＮ２ガスを処理容器１内に供給してもよい。ただし、本実施形態に係るパージガスライン３６を設けることで、原料ガス及び還元ガスの供給と独立してＮ２ガスを処理容器１内に供給することができる。
以上に説明したシャワープレート３では、第１のバッファタンクプレート３１及び第２のバッファタンクプレート３２を処理容器１の直上にこの順で積層し、第１のタンク３１ａ及び第２のタンク３２ａと処理容器１との距離を最短にする。これにより、各ガスの供給タイミングに対して高速で応答でき、第１のタンク３１ａに貯留されたＴｉＣｌ４ガス及び第２のタンク３２ａに貯留されたＮＨ３ガスを処理容器１内にて高速に置換できる。また、シャワープレート３では、板状部材３０、第１のバッファタンクプレート３１及び第２のバッファタンクプレート３２のそれぞれに設けられた各チャンババルブから基板Ｗまでの距離を最も短縮できる構造となっている。これにより、各タンクからＴｉＣｌ４ガス及びＮＨ３ガスを処理容器１に供給するための各ガスラインの配管長を最短にでき、これにより各ガスラインの配管内の残留ガスの影響を最小限に抑えることができる。
原料ガスライン３４の配管及び第１のバッファタンクプレート３１はヒータで加熱されている。よって、本実施形態のように、原料ガスライン３４の配管を短くすることでヒータの設置個所を少なくでき、コストが削減される。また、本実施形態では、タンク及び気化室はすべてシャワープレート３内に集約され、成膜装置１０の外部に設ける必要がない。この点においてもコスト削減に寄与し、更には装置フットプリント低減に寄与する。
また、第１のチャンババルブ３８、第２のチャンババルブ４０及び第３のチャンババルブ４２もすべてシャワープレート３内に集約されている。これにより、制御部５の制御に対する各チャンババルブの動作範囲を小さくし、機械的な動作を迅速に行うことでガスの供給遅延を削減でき、所望のガスの供給タイミングに対して処理容器1内へのガス供給を高速で実行できる。
更に、複数の第１のタンク３１ａ及び複数の第２のタンク３２ａのそれぞれに貯留されたＴｉＣｌ４ガス及びＮＨ３ガスの供給タイミング及び流量をタンク毎に個別に制御できる。これにより、ＴｉＣｌ４ガス及びＮＨ３ガスの流れの分布を精度良く制御できる。これにより基板Ｗ上に成膜するＴｉＮ膜の面内均一性を高めることができる。
更に、各タンクのイン側のチャンババルブとアウト側のチャンババルブのオン・オフのタイミングと各チャンババルブの開度差とによって各タンクから処理容器１に供給するＴｉＣｌ４ガスの流量及びＮＨ３ガスの流量を制御できる。
なお、特定のゾーン内のタンク毎にイン側のチャンババルブとアウト側のチャンババルブのオン・オフのタイミングと各チャンババルブの開度差を独立して制御するチャンババルブのゾーン制御も可能である。例えば、シャワープレート３内の第１のチャンババルブ３８、第２のチャンババルブ４０、第３のチャンババルブ４２ａ、４２ｂのオン・オフのタイミングと各チャンババルブの開度差を同心円状に配置されたチャンババルブ毎にゾーン化して制御してもよい。例えばエッジ側（エッジゾーン）に含まれるチャンババルブはセンタ側（センタゾーン）に含まれるチャンババルブよりも長めに、或いは短めにバルブを開けておく等の制御が可能になる。例えば排気装置１５による処理容器１内の排気の偏りに応じて各チャンババルブの開閉をゾーン制御してもよい。
［成膜方法］
次に、係る構成のシャワープレート３を備えた成膜装置１０を用いて、ＡＬＤ法によりＴｉＮ膜を成膜する方法の一例について、図２及び図３を参照して説明する。図３は、実施形態に係る成膜方法の各工程の流れを示すフローチャートである。なお、図３に示す成膜方法の制御は、制御部５により実行される。また、成膜装置１０の初期状態では、シャワープレート３内の第１のチャンババルブ３８、第２のチャンババルブ４０、第３のチャンババルブ４２ａ、４２ｂ、第４のチャンババルブ４４はすべて閉状態である。
（第１の工程）
第１の工程前に、制御部５は、すべての第１のチャンババルブ３８を開き、原料ガスライン３４を介してＴｉＣｌ４、若しくはＴｉＣｌ４及びＮ２ガスを第１のタンク３１ａに供給し、第１のタンク３１ａ内でＴｉＣｌ４を気化させて、ＴｉＣｌ４ガスを貯留しておく。
つまり、ＴｉＣｌ４とＮ２ガスは、複数の第１の孔部３７から第１のタンク３１ａに供給される。ＴｉＣｌ４は、ヒータ６２により加熱されて気化し、ＴｉＣｌ４ガスとして一旦第１のタンク３１ａに貯留され、第１のタンク３１ａ内で所定の圧力に昇圧される。
第１のタンク３１ａから処理容器１へのＴｉＣｌ４ガスの供給及び供給停止は、第３のチャンババルブ４２ａの開閉により制御される。また、処理容器１へのＴｉＣｌ４ガスの流量は、第１のタンク３１ａ毎に設けられた第１のチャンババルブ３８と第３のチャンババルブ４２ａの開度差により制御される。
このように第１のタンク３１ａへＴｉＣｌ４ガスを一旦貯留し、所望の時間（例えば０．１〜１０秒）が経過した後、すべての第３のチャンババルブ４２ａを開く。また、このとき、第1のタンク３１ａの一次側と二次側の差圧によりＴｉＣｌ４ガスの流量を制御する。これにより、第１のタンク３１ａから比較的大きく、かつ所望の流量に制御されたＴｉＣｌ４ガスを安定的に処理容器１内に供給することができる。これにより、ＴｉＣｌ４ガスが基板Ｗに曝され、基板Ｗの表面にＴｉＣｌ４ガスが吸着する。
このとき、第４のチャンババルブ４４は閉じた状態にしてもよいし、開いた状態にしてもよい。開いた状態にした場合、パージガスライン３６から所望の流量（例えば１００〜１００００ｓｃｃｍ）のＮ２ガスが供給される。本実施形態では、第１の工程において第４のチャンババルブ４４は閉じた状態に制御される。
（第２の工程）
制御部５は、第１の工程においてすべての第３のチャンババルブ４２ａを開いてから所望の時間（例えば０．１〜１０秒）が経過した後、第１の工程から第２の工程に移行する制御を行う。すなわち、制御部５は、すべての第３のチャンババルブ４２ａを閉じ、処理容器１内へのＴｉＣｌ４及びＮ２ガスの供給を停止する。すべての第３のチャンババルブ４２ａが閉じられたことにより、原料ガス供給源５１から原料ガスライン３４を介して供給されるＴｉＣｌ４及びＮ２ガスが第１のタンク３１ａに貯留され、第１のタンク３１ａ内が昇圧される。
また、制御部５は、すべての第４のチャンババルブ４４を開く。これにより、パージガスライン３６から所望の流量（例えば１００〜１００００ｓｃｃｍ）のＮ２ガスが処理容器１内にパージガスとして供給され、処理容器１内から余分なＴｉＣｌ４ガスが排気される。
（第３の工程）
第３の工程前に、制御部５は、すべての第２のチャンババルブ４０を開き、還元ガスライン３５を介してＮＨ３ガスを第２のタンク３２ａに供給し、第２のタンク３２ａ内にＮＨ３ガスを貯留しておく。つまり、ＮＨ３ガスは、複数の第２の孔部３９から第２のタンク３２ａに供給される。ＮＨ３ガスは、一旦第２のタンク３２ａに貯留され、第２のタンク３２ａ内で所定の圧力に昇圧される。
制御部５は、第２の工程においてすべての第４のチャンババルブ４４を開いてから所望の時間（例えば０．１〜１０秒）が経過した後、第２の工程から第３の工程に移行する制御を行う。すなわち、制御部５は、すべての第３のチャンババルブ４２ｂを開き、第２のタンク３２ａの一次側と二次側の差圧によりＮＨ３ガスの流量を制御する。これにより、第２のタンク３２ａに貯留されたＮＨ３ガスを処理容器１内に供給し、基板Ｗの表面に吸着したＴｉＣｌ４ガスを還元する。このとき、すべての第４のチャンババルブ４４は閉じた状態にしてもよいし、開いた状態にしてもよい。開いた状態にした場合、引き続きパージガスライン３６から所望の流量（例えば１００〜１００００ｓｃｃｍ）のＮ２ガスが処理容器１内に供給される。本実施形態では、第３の工程において第４のチャンババルブ４４は閉じた状態に制御される。
（第４の工程）
制御部５は、第３の工程においてすべての第３のチャンババルブ４２ｂを開いてから所望の時間（例えば０．１〜１０秒）が経過した後、第３の工程から第４の工程に移行する制御を行う。すなわち、制御部５は、すべての第３のチャンババルブ４２ｂを閉じ、処理容器１内へのＮＨ３ガスの供給を停止する。すべての第３のチャンババルブ４２ｂが閉じられたことにより、還元ガス供給源５２から還元ガスライン３５を介して供給されるＮＨ３ガスが第２のタンク３２ａに貯留され、第２のタンク３２ａ内が昇圧される。
また、制御部５は、すべての第４のチャンババルブ４４を開く。これにより、パージガスライン３６から所望の流量（例えば１００〜１００００ｓｃｃｍ）のＮ２ガスが処理容器１内に供給され、処理容器１内から余分なＮＨ３ガスが排気される。
制御部５は、第１の工程〜第４の工程を複数サイクル（例えば１０〜１０００サイクル）繰り返すことにより所望の膜厚のＴｉＮ膜を成膜する。なお、図３に示した、ＴｉＮ膜を成膜する際のガス供給シーケンス及びプロセスガスの条件は、一例であり、これに限定されるものではない。ＴｉＮ膜の成膜は、他のガス供給シーケンス及びプロセスガスの条件を用いてもよい。
以上に説明したように、本実施形態のシャワープレート３及びシャワープレート３を搭載した成膜装置１０によれば、シャワープレート３内の第１のタンク３１ａ及び第２のタンク３２ａに原料ガス及び還元ガスを貯留することができる。これにより、シャワープレート３内に貯留した原料ガス及び還元ガスを処理容器１内に高速に供給することができる。
また、シャワープレート３内の各チャンババルブから基板Ｗまでの距離を最短にすることによって、各タンクから原料ガス及び還元ガスを処理容器１に供給するためのガスの配管長を短くすることができる。これにより各ガスラインの配管内の残留ガスの影響を最小限に抑え、ガス供給の応答性を高めることができる。
今回開示された実施形態に係るシャワープレート及び成膜装置は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
本開示の成膜装置は、ＴｉＮ膜を成膜するＡＬＤ装置である場合を例に説明したが、これに限られるものではない。例えば、本開示の成膜装置は、熱ＡＬＤ装置、プラズマＡＬＤ装置、熱ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置、プラズマＣＶＤ装置等であってもよい。また、本開示の成膜装置は、成膜装置に限られず、エッチング装置であってもよい。
１ 処理容器
２ 載置台
３ シャワープレート
５ 制御部
１０ 成膜装置
３０ 板状部材
３１ 第１のバッファタンクプレート
３１ａ 第１のタンク
３２ 第２のバッファタンクプレート
３２ａ 第２のタンク
３４ 原料ガスライン
３５ 還元ガスライン
３６ パージガスライン
３７ 第１の孔部
３８ 第１のチャンババルブ
３９ 第２の孔部
４０ 第２のチャンババルブ
４１ａ、４１ｂ 第３の孔部
４２ａ、４２ｂ 第３のチャンババルブ

Claims (10)

  1. 処理容器の上部に設けられた板状部材を有するシャワープレートであって、
    前記シャワープレート内の第１の流路に連通する複数の第１の孔部と、
    複数の前記第１の孔部に設けられた複数の第１のチャンババルブと、
    前記シャワープレート内の第２の流路に連通する複数の第２の孔部と、
    複数の前記第２の孔部に設けられた複数の第２のチャンババルブと、
    複数の前記第１の孔部及び複数の前記第２の孔部に対応して前記板状部材に設けられた複数の第３の孔部と、
    複数の前記第３の孔部に設けられた複数の第３のチャンババルブと、を有し、
    複数の前記第１のチャンババルブ、複数の前記第２のチャンババルブ及び複数の前記第３のチャンババルブは、圧電素子である、シャワープレート。
  2. 前記板状部材の直上に積層された、中空板状であって気化室が組み込まれた第１のバッファタンクプレートを更に有する、
    請求項１に記載のシャワープレート。
  3. 前記第１のバッファタンクプレートの直上に積層された、中空板状の第２のバッファタンクプレートを更に有する、
    請求項２に記載のシャワープレート。
  4. 前記第２のバッファタンクプレートは、複数の前記第２の孔部に連通し、
    複数の前記第２の孔部を介して前記第２の流路から供給された還元ガスを貯留する、
    請求項３に記載のシャワープレート。
  5. 前記第２のバッファタンクプレートは、複数の前記第３の孔部に連通し、
    複数の前記第２の孔部に設けられた複数の第２のチャンババルブと複数の前記第３の孔部に設けられた複数の前記第３のチャンババルブとの開度差に応じた流量の還元ガスを複数の前記第３の孔部を介して前記処理容器内に供給する、
    請求項３又は４に記載のシャワープレート。
  6. 前記第２のバッファタンクプレートは、複数の第２のタンクに区画され、
    複数の前記第２のタンクのそれぞれは、複数の前記第２の孔部の少なくともいずれか、及び複数の前記第３の孔部の少なくともいずれかに連通する、
    請求項３〜５のいずれか一項に記載のシャワープレート。
  7. 前記第１のバッファタンクプレートは、複数の前記第１の孔部に連通し、
    前記気化室は、加熱手段を有し、
    複数の前記第１の孔部を介して前記第１の流路から供給された原料を前記加熱手段により気化し、気化した原料ガスを貯留する、
    請求項２〜６のいずれか一項に記載のシャワープレート。
  8. 前記第１のバッファタンクプレートは、複数の前記第３の孔部に連通し、
    複数の前記第１の孔部に設けられた複数の第１のチャンババルブと複数の前記第３の孔部に設けられた複数の前記第３のチャンババルブとの開度差に応じた流量の原料ガスを複数の前記第３の孔部を介して前記処理容器内に供給する、
    請求項２〜７のいずれか一項に記載のシャワープレート。
  9. 前記第１のバッファタンクプレートは、複数の第１のタンクに区画され、
    複数の前記第１のタンクのそれぞれは、複数の前記第１の孔部の少なくともいずれか、及び複数の前記第３の孔部の少なくともいずれかに連通する、
    請求項２〜８のいずれか一項に記載のシャワープレート。
  10. 処理容器と、前記処理容器の上部に設けられた板状部材を有するシャワープレートと、を備える成膜装置であって、
    前記シャワープレートは、
    前記シャワープレート内の第１の流路に連通する複数の第１の孔部と、
    複数の前記第１の孔部に設けられた複数の第１のチャンババルブと、
    前記シャワープレート内の第２の流路に連通する複数の第２の孔部と、
    複数の前記第２の孔部に設けられた複数の第２のチャンババルブと、
    複数の前記第１の孔部及び複数の前記第２の孔部に対応して前記板状部材に設けられた複数の第３の孔部と、
    複数の前記第３の孔部に設けられた複数の第３のチャンババルブと、を有し、
    複数の前記第１のチャンババルブ、複数の前記第２のチャンババルブ及び複数の前記第３のチャンババルブは、圧電素子である、成膜装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6033921A (en) 1998-04-06 2000-03-07 Advanced Micro Devices, Inc. Method for depositing a material of controlled, variable thickness across a surface for planarization of that surface
AU2001242363A1 (en) * 2000-02-04 2001-08-14 Aixtron Ag Device and method for depositing one or more layers onto a substrate
US20040040503A1 (en) * 2002-08-29 2004-03-04 Micron Technology, Inc. Micromachines for delivering precursors and gases for film deposition
JP2004091874A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Tokyo Electron Ltd 成膜方法
JP4816616B2 (ja) * 2007-10-15 2011-11-16 東京エレクトロン株式会社 ガスシャワーヘッド、処理装置、処理方法及び処理装置のメンテナンス方法
JP5520455B2 (ja) * 2008-06-11 2014-06-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5089669B2 (ja) * 2009-10-15 2012-12-05 三菱電機株式会社 薄膜形成装置
JP6054695B2 (ja) * 2011-11-25 2016-12-27 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US9490149B2 (en) * 2013-07-03 2016-11-08 Lam Research Corporation Chemical deposition apparatus having conductance control
JP6615544B2 (ja) * 2015-09-14 2019-12-04 株式会社東芝 流量調整装置及び処理装置

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