KR20100055474A - 방향족 폴리카보네이트 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 a) 방향족 폴리카보네이트 30 내지 97 중량%, b) 전자기 방사선에 의해 활성화되어 원자 금속 핵을 형성할 수 있는 금속 화합물 0.5 내지 20 중량%, 및 c) 하나 이상의 고무형 중합체 2.5 내지 50 중량%를 함유하며, 이때 a) 내지 c)의 합이 100%인, 중합체 조성물에 관한 것이다.

Description

방향족 폴리카보네이트 조성물{AROMATIC POLYCARBONATE COMPOSITION}
본 발명은 중합체, 특히 방향족 폴리카보네이트, 및 전자기 방사선에 의해 활성화되어 원자 금속 핵을 형성할 수 있는 금속 화합물을 포함하는 중합체 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 또한 상기 조성물, 상기 조성물을 함유하는 성형품, 상기 성형품을 함유하는 회로 캐리어, 및 상기 회로 캐리어를 제조하는 방법에 관한 것이다.
중합체, 및 전자기 방사선에 의해 활성화되어 원자 금속 핵을 형성할 수 있는 금속 화합물을 포함하는 중합체 조성물은 예를 들면 미국 특허 제 7,083,848 호 B2 및 미국 특허 제 7,060,421 호 B2에 기술되어 있다. 이러한 중합체 조성물은 비-전도성 부품을 제조하는 데 유리하게 사용될 수 있으며, 이때 상기 부품상에는, 상기 부품의 영역을 전자기 방사선으로 조사하여 금속 화합물(들)을 파단시키고 금속 핵을 방출시킨 후, 순차적으로 상기 조사된 영역을 금속화하여 상기 영역에 금속을 집적시킴으로써 형성되는 전도성 트랙이 존재한다.
본 발명자들은 방향족 폴리카보네이트에서의 이러한 금속 화합물의 존재가 폴리카보네이트의 열화를 초래하고, 이는 다시 상기 조성물의 용융 안정성을 감소시킴으로써 불안정한 가공에 이른다는 점을 발견하였다.
본 발명의 목적은 상기 단점을 나타내지 않거나 또는 더 적은 정도로 나타내는, 전자기 방사선에 의해 활성화되어 원자 금속 핵을 형성할 수 있는 금속 화합물을 포함하는 폴리카보네이트 조성물을 제공하는 데 있다.
이러한 목적은, a) 방향족 폴리카보네이트 30 내지 97 중량%, b) 전자기 방사선에 의해 활성화되어 원자 금속 핵을 형성할 수 있는 금속 화합물 0.5 내지 20 중량%, 및 c) 하나 이상의 고무형(rubber-like) 중합체 2.5 내지 50 중량%를 함유하며, 이때 a) 내지 c)의 합이 100%인, 중합체 조성물에 의해 달성된다.
놀랍게도, 본 발명에 따른 중합체 조성물에서 방향족 폴리카보네이트의 열화가, 예를 들면 용융 흐름 안정성 및/또는 인성(toughness)의 증가로 명백해지는 바와 같이, 감소되거나 심지어 방지된다는 점을 확인하였다. 본원에 사용된 폴리카보네이트의 열화란 분자량 측면에서의 감소를 지칭한다.
따라서, 본 발명은 또한 전자기 방사선에 의해 활성화되어 원자 금속 핵을 형성할 수 있는 금속 화합물 b)를 함유하는 방향족 폴리카보네이트 조성물에서 방향족 폴리카보네이트의 열화를 감소시키는 방법에 관한 것으로, 상기 방법은 상기 조성물을 하나 이상의 고무형 중합체와 혼합하여, a) 방향족 폴리카보네이트 30 내지 97 중량%, b) 전자기 방사선에 의해 활성화되어 원자 금속 핵을 형성할 수 있는 금속 화합물 0.5 내지 20 중량% 및 c) 하나 이상의 고무형 중합체 2.5 내지 50 중량%를 함유하며, 이때 a) 내지 c)의 합이 100%인, 중합체 조성물을 수득하는 단계를 포함한다. 바람직한 실시양태에서, 상기 중합체 조성물은 a) 방향족 폴리카보네이트 30 내지 95 중량%, b) 전자기 방사선에 의해 활성화되어 원자 금속 핵을 형성할 수 있는 금속 화합물 0.5 내지 20 중량% 및 c) 하나 이상의 고무형 중합체 4.5 내지 50 중량%를 함유하며, 이때 a) 내지 c)의 합은 100%이다.
본 발명에 따른 폴리카보네이트 조성물은 특히 30 내지 97 중량%의 방향족 폴리카보네이트, 바람직하게는 30 내지 96 중량%, 더욱 바람직하게는 30 내지 95 중량%, 더욱더 바람직하게는 15 내지 90 중량%, 더욱더 바람직하게는 50 내지 85 중량%의 방향족 폴리카보네이트를 함유한다. 적합한 방향족 폴리카보네이트는 예를 들면 통상적으로 공지된 계면 중합 공정 또는 용융 중합 방법에 의해 하나 이상의 2가 페놀 및 카보네이트 전구체로부터 제조된 폴리카보네이트이다. 적용될 수 있는 적합한 2가 페놀은, 각각 방향족 고리 부분을 형성하는 탄소 원자에 직접 연결된 2개의 하이드록시 기를 함유하는 하나 이상의 방향족 고리를 갖는 화합물이다. 이러한 화합물의 예로는 하기를 포함한다:
4,4'-다이하이드록시바이페닐,
2,2,-비스(4-하이드록시페닐)프로판 (비스페놀-A),
2,2-비스(4-하이드록시-3-메틸페닐)프로판,
2,2-비스-(3-클로로-4-하이드록시페닐)-프로판,
2,2-비스-(3,5-다이메틸-4-하이드록시페닐)-프로판,
2,4-비스-(4-하이드록시페닐)-2-메틸부탄,
2,4-비스-(3,5-다이메틸-4-하이드록시페닐)-2-메틸부탄,
4,4-비스(4-하이드록시페닐)헵탄,
비스-(3,5-다이메틸-4-하이드록시페닐)-메탄,
1,1-비스-(4-하이드록시페닐)-사이클로헥산,
1,1-비스-(3,5-다이메틸-4-하이드록시페닐)-사이클로헥산,
2,2-(3,5,3',5'-테트라클로로-4,4'-다이하이드록시바이페닐)프로판,
2,2-(3,5,3',5'-테트라브로모-4,4'-다이하이드록시바이페닐)프로판,
(3,3'-다이클로로-4,4'-다이하이드록시페닐)메탄,
비스-(3,5-다이메틸-4-하이드록시페닐)-설폰,
비스-4-하이드록시페닐설폰,
비스-4-하이드록시페닐설파이드.
상기 카보네이트 전구체는 카보닐 할로게나이드, 할로겐 포메이트 또는 카보네이트 에스터일 수 있다. 카보닐 할로게나이드의 예로는 카보닐 클로라이드 및 카보닐 브로마이드가 있다. 적합한 할로겐 포메이트의 예로는 하이드로퀴논과 같은 2가 페놀 또는 에틸렌 글리콜과 같은 글리콜의 비스-할로겐 포메이트가 있다. 적합한 카보네이트 에스터의 예로는 다이페닐 카보네이트, 다이(클로로페닐)카보네이트, 다이(브로모페닐)카보네이트, 다이(알킬페닐)카보네이트, 페닐톨릴 카보네이트 등 및 이들의 혼합물이 포함된다. 다른 카보네이트 전구체가 또한 사용될 수 있으나, 카보닐 할로게나이드, 특히 포스젠으로도 알려져 있는 카보닐 클로라이드를 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 조성물 중의 방향족 폴리카보네이트는 촉매, 산 수용제 및 분자량 조절용 화합물을 사용하여 제조될 수 있다.
촉매의 예로는 3급 아민 예컨대 트라이에틸 아민, 트라이프로필아민 및 N,N-다이메틸아닐린, 4급 암모늄 화합물 예컨대 테트라에틸암모늄브로마이드 및 4급 포스포늄 화합물 예컨대 메틸트라이페닐포스포늄브로마이드가 있다.
유기 산 수용제의 예로는 피리딘, 트라이에틸 아민, 다이메틸아닐린 등이 있다. 무기 산 수용제의 예로는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 하이드록사이드, 카보네이트, 바이카보네이트 및 포스페이트가 있다.
분자량 조절용 화합물의 예로는 1가 페놀 예컨대 페놀, p-알킬페놀 및 파라-브로모페놀 및 2급 아민이 있다.
상기 폴리카보네이트, 이의 제조 방법 및 특성은 예를 들면 문헌[Encycl. Polym. Sci. Eng., 11, p.648-718 (Wiley, New York, 1988)] 및 문헌[Kunststoff Handbuch, 3/1, p. 117-297 (Hanser Verlag, Muenchen, 1992)]에 상세히 기술되어 있다.
본 발명에 따른 조성물은 바람직하게는 비스페놀-A 및 포스젠으로부터 유도된 폴리카보네이트, 및 임의적으로 예를 들면 용융 점도를 조절하기 위한 공단량체로서 하나, 두 개 또는 그보다 많은 반응기를 갖는 소량의 다른 화합물을 함유한다.
방사선에 의해 활성화될 수 있는 성분 b)는 전자기 방사선의 흡수 결과 화학 반응에서 원자 형태의 금속을 유리시키는 금속-함유 (무기 또는 유기) 화합물이다. 또한, 상기 전자기 방사선이 상기 금속-함유 화합물에 의해 직접적으로 흡수되지 않고, 다른 물질에 의해 흡수된 다음, 그 흡수된 에너지를 상기 금속-함유 화합물에 전달함으로써 금속 원자의 유리를 초래할 수도 있다. 상기 전자기 방사선은 자외선(100 내지 400 nm의 파장), 가시광선(400 내지 800 nm의 파장) 또는 적외선(800 내지 25,000 nm의 파장)일 수 있다. 다른 바람직한 형태의 방사선은 X-선, 감마선 및 입자 빔(전자 빔, [알파]-입자 빔 및 [베타]-입자 빔)이 있다.
상기 금속 화합물 b)는 전자기 방사선에 의해 활성화되어 상기 폴리카보네이트 조성물 내에 원자 금속 핵을 형성할 수 있다. 방사선에 의해 활성화될 수 있는 성분 b)는, 바람직하게는 수성 산성 또는 알칼리성 금속화 욕에서 불용성이고 안정한 전기적으로 비-전도성인 고-열-안정성 유기 또는 무기 금속 화합물로 구성된다. 특히 적합한 화합물은 입사 광의 파장에서 대부분의 빛을 흡수하는 것들이다. 이러한 유형의 화합물은 유럽 특허출원 제 1 274 288 호에 기술되어 있다. 바람직하게는 비금속과 함께 원소 주기율표 d 및 f 족 금속의 화합물이 제공된다. 상기 금속-함유 화합물로는 금속 산화물, 특히 원소 주기율표의 d-금속의 산화물이 특히 바람직하다. 두 개 이상의 상이한 종류의 양이온을 함유하고, 스피넬 구조 또는 스피넬-관련 구조를 가지며, 본 발명의 조성물을 함유하는 성형품의 비-조사된 영역에서 불변 상태로 있는 고급 금속 산화물이 특히 적합하다. 본 발명의 특히 바람직한 실시양태에서, 상기 고급 산화물은 스피넬, 특히 구리-함유 스피넬 예컨대 CuCr2O4이다. 적합한 구리-함유 스피넬은 상업적으로 입수가능하며, 예를 들면 페로(Ferro, 독일)로부터의 PK 3095, 또는 존슨 매티(Johnson Matthey, 독일)로부터의 34E23 또는 34E30이다. 또한, 화학식 CuO 또는 Cu2O의 구리 산화물이 특히 적합하고, 바람직하게는 나노입자 예컨대 미국 일리노이주 나노페이스 테크놀로지스 코포레이션(Nanophase Technologies Corporation)으로부터의 나노아크(알) 코퍼 옥사이드(NANOARC(R) Copper Oxide)를 사용한다. 본 발명의 또 다른 특히 바람직한 실시양태에서, 상기 고급 스피넬 옥사이드는 망간-함유 스피넬이다. 당해 분야 숙련자에 의해 이해되는 바와 같이, 스피넬 구조를 갖는 금속 화합물들의 혼합물이 또한 사용될 수 있다.
바람직하게는, 상기 금속 화합물은 화학식 AB2O4 또는 B(AB)O4로 표시된다. 상기 화학식의 A 성분은 2가 금속 양이온이고 카드뮴, 아연, 구리, 코발트, 마그네슘, 주석, 티탄, 철, 알루미늄, 니켈, 망간, 크롬 및 이들 중 두 개 이상의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 상기 화학식의 B 성분은 3가 금속 양이온이고 카드뮴, 망간, 니켈, 아연, 구리, 코발트, 마그네슘, 주석, 티탄, 철, 알루미늄, 크롬 및 이들 중 두 개 이상의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 발명의 중합체 조성물은 그 안에 금속 화합물(들)이 분산되어 있으며, 이때 상기 금속 화합물은 바람직하게는 정의 가능한 결정 형태의 둘 이상의 금속 산화물의 클러스터(cluster) 구조물을 포함한다. 전체 결정 형태는, 이상적인(즉, 비-오염된, 비-유도성) 상태인 경우, 하기 일반 화학식을 갖는다:
AB2O4
상기 식에서,
i. A는 카드뮴, 아연, 구리, 코발트, 마그네슘, 주석, 티탄, 철, 알루미늄, 니켈, 망간, 크롬 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고, 전형적으로 사면체 구조인 제 1 금속 산화물 클러스터("금속 산화물 클러스터 1")의 1차 양이온 성분을 제공하고,
ii. B는 카드뮴, 망간, 니켈, 아연, 구리, 코발트, 마그네슘, 주석, 티탄, 철, 알루미늄, 크롬 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고, 전형적으로 팔면체 구조인 제 2 금속 산화물 클러스터("금속 산화물 클러스터 2")의 1차 양이온 성분을 제공하고, 이때
iii. 상기 A 또는 B 군 내에서, 2가가 가능한 임의의 금속 양이온이 "A"로 사용될 수 있고, 3가가 가능한 임의의 금속 양이온이 "B"로 사용될 수 있고,
iv. "금속 산화물 클러스터 1"(전형적으로 사면체 구조)의 기하 구조는 "금속 산화물 클러스터 2"(전형적으로 팔면체 구조)의 기하 구조와 상이하고,
v. A 및 B로부터의 금속 양이온은, "역" 스피넬-형 결정 구조의 경우에서와 같이, "금속 산화물 클러스터 2"(전형적으로 팔면체 구조)의 금속 양이온으로 사용될 수 있고,
vi. O는 주로 (독점이지 않다면) 산소이고,
vii. 상기 "금속 산화물 클러스터 1" 및 "금속 산화물 클러스터 2"는 함께 전자기 방사선에 고도의 민감성을 갖는 단일의 확인가능한 결정형 구조를 제공한다.
본 발명의 조성물에 존재하는 상기 성분 b)의 농도는 0.5 내지 20 중량%, 바람직하게는 1 내지 20 중량%, 바람직하게는 3 내지 10 중량%, 더욱 바람직하게는 4 내지 10 중량%, 특히 바람직하게는 5 내지 10 중량%이다.
놀랍게도, 전자기 방사선에 의해 활성화되어 원자 금속 핵을 형성할 수 있는 금속 화합물을 포함하는 방향족 폴리카보네이트 조성물 중 고무형 중합체가 2.5 중량% 이상 존재하면, 예를 들면 용융 흐름 안정성 및/또는 인성의 증가로 명백한 바와 같이, 상기 조성물 내의 폴리카보네이트를 덜 열화시키거나 또는 심지어는 상기 열화를 방지한다. 본 발명의 조성물 중 성분 c)는 하나 이상의 고무형 중합체이다. 상기 고무형 중합체는 바람직하게는 약 10℃ 미만, 더욱 구체적으로는 약 -10℃ 미만, 또는 더욱더 구체적으로는 약 -20℃ 내지 -80℃의 Tg를 갖는 엘라스토머성(즉, 고무형) 중합체이거나 또는 이를 함유한다. 엘라스토머성 중합체의 예로는 폴리아이소프렌; 부타다이엔계 고무 예컨대 폴리부타다이엔, 스타이렌-부타다이엔 랜덤 공중합체 및 블록 공중합체, 상기 블록 공중합체의 수소화물, 아크릴로니트릴-부타다이엔 공중합체 및 부타다이엔-아이소프렌 공중합체; 아크릴레이트계 고무 예컨대 에틸렌-메타크릴레이트 및 에틸렌-부틸아크릴레이트, 아크릴레이트 에스터-부타다이엔 공중합체 예컨대 아크릴계 엘라스토머성 중합체 예컨대 부틸아크릴레이트-부타다이엔 공중합체; 실록산계 고무 예컨대 폴리오가노실록산 예컨대 폴리다이다이메틸실록산, 폴리메틸페닐실록산 및 다이메틸-다이페닐실록산 공중합체; 및 그 밖의 엘라스토머성 중합체 예컨대 에틸렌-프로필렌 랜덤 공중합체 및 블록 공중합체, 에틸렌과 α-올레핀의 공중합체, 에틸렌과 지방족 비닐의 공중합체 예컨대 에틸렌-비닐 아세테이트 및 에틸렌-프로필렌 비-공액(conjugated) 다이엔 삼원공중합체 예컨대 에틸렌-프로필렌-헥사다이엔 공중합체, 부틸렌-아이소프렌 공중합체, 및 염화 폴리에틸렌이 포함되며, 이들 물질은 단독으로 또는 두 개 이상의 조합으로 사용될 수 있다. 바람직한 엘라스토머성 중합체로는 예를 들면 공액 다이엔 고무; 공액 다이엔과 약 50 중량% 미만의 공중합가능한 단량체의 공중합체; 올레핀 고무 예컨대 에틸렌 프로필렌 공중합체(EPR) 또는 에틸렌-프로필렌-다이엔 단량체 고무(EPDM); 에틸렌-비닐 아세테이트 고무; 실록산 고무; 엘라스토머성 C1 -8 알킬 (메트)아크릴레이트; C1 -8 알킬 (메트)아크릴레이트와 부타다이엔 및/또는 스타이렌의 엘라스토머성 공중합체; 또는 이들 엘라스토머들 중에서 하나 이상을 포함하는 조합물이 포함된다. 더욱 바람직한 엘라스토머성 중합체로는 부타다이엔계 고무, 아크릴레이트계 고무 및 실록산계 고무가 있다. 특히 바람직한 엘라스토머성 중합체는 실록산 고무 및 부타다이엔계 고무이고, 폴리부타다이엔, 스타이렌-부타다이엔 랜덤 공중합체 및 블록 공중합체, 상기 블록 공중합체의 수소화물이 특히 바람직하다. 하나의 바람직한 실시양태에서, 본 발명에 따른 조성물은 성분 c)로서 하나 이상의 부타다이엔계 고무를 함유한다. 또 다른 바람직한 실시양태에서, 본 발명에 따른 조성물은 성분 c)로서 하나 이상의 실록산계 고무를 함유한다.
본 발명의 한 실시양태에서, 본 발명에 따른 조성물은 하나 이상의 고무형 중합체로서 엘라스토머성 중합체를 함유한다. 엘라스토머성 중합체 및 바람직한 엘라스토머성 중합체의 비-제한적 예는 위에 열거되어 있다. 바람직한 실시양태에서, 상기 조성물은 고무형 중합체로서 부타다이엔계 고무, 아크릴레이트계 고무 또는 실록산계 고무를 함유한다. 부타다이엔계 고무, 아크릴레이트계 고무 또는 실록산계 고무의 비-제한적 예는 상기 기술되어 있다. 특히 바람직한 고무형 중합체는 실록산 고무 및 부타다이엔계 고무이고, 폴리부타다이엔, 스타이렌-부타다이엔 랜덤 공중합체 및 블록 공중합체, 상기 블록 공중합체의 수소화물이 특히 바람직하다.
본 발명의 또 다른 더욱 바람직한 실시양태에서, 본 발명에 따른 조성물은 상기 기술된 바와 같은 엘라스토머성 중합체를 함유하는 성분을 하나 이상의 고무형 중합체로서 함유한다. 엘라스토머성 중합체를 함유하는 성분은 바람직하게는 엘라스토머성 중합체를 함유하는 그래프트 공중합체이다. 더욱 바람직하게는, 엘라스토머성 중합체를 함유하는 성분은 상기 엘라스토머성 중합체를 강성 중합체성 수퍼스트레이트(superstrate)와 그래프팅시킴으로써 수득된다. 공지된 바와 같이, 엘라스토머-개질된 그래프트 공중합체는 먼저 상기 엘라스토머성 중합체를 제공하고, 이어서 상기 엘라스토머의 존재 하에 강성 상(rigid phase)의 상기 구성 단량체(들)를 중합시켜 상기 그래프트 공중합체를 수득함으로써 제조될 수 있다. 상기 그래프트는 엘라스토머 코어에 그래프트 분지 또는 쉘(shell)로서 부착될 수 있다. 상기 쉘은 상기 코어를 단순히 물리적으로 캡슐화하거나, 또는 상기 쉘은 상기 코어에 부분적으로 또는 본질적으로 완전히 그래프팅될 수 있다. 따라서, 본 발명의 조성물에 존재하는 고무형 중합체(들)는 임의적으로 그래프팅된 엘라스토머성 중합체이다. 상기 엘라스토머성 중합체가 그래프팅되는 경우에, 상기 그래프팅된 엘라스토머성 중합체는 바람직하게는, 상기 엘라스토머성 중합체를 강성 중합체성 수퍼스트레이트와 그래프팅시킴으로써 수득되는 그래프트 공중합체이다. 상기 그래프트 공중합체는 바람직하게는, 그래프트 공중합체를 기준으로 95 내지 10 중량부의 상기 엘라스토머성 중합체 입자들의 존재 하에 그래프트 공중합체를 기준으로 5 내지 90 중량부의 하나 이상의 단량체를 중합시킴으로써 제조되는 그래프트 공중합체이다.
바람직한 성분 c)는 c)를 기준으로 95 내지 10 중량부의 상기 엘라스토머성 중합체의 존재 하에 c)를 기준으로 5 내지 90 중량부의 하나 이상의 단량체를 중합시킴으로써 제조되는 그래프트 공중합체인데, 왜냐하면 상기 단량체(들)의 사용으로 상기 고무형 중합체와 상기 폴리카보네이트 매트릭스 간의 상용성이 증가하고, 따라서 성분 c)를 상기 폴리카보네이트 매트릭스 내로 더욱 균일하게 분산시켜, 전자기 방사선에 의해 활성화되어 원자 핵을 형성할 수 있는 금속 성분 b)를 더 함유하는 방향족 폴리카보네이트 조성물에서 상기 방향족 폴리카보네이트의 열화를 추가로 감소시킬 수 있기 때문이다.
상기 엘라스토머성 중합체가 실록산계 고무인 경우에, 성분 c)는 바람직하게는, 예를 들면 US 2005/0143520에 기술된 바와 같이, 40 내지 95 중량부의 폴리오가노실록산 입자(c-II)의 존재 하에 5 내지 60 중량부의 비닐 단량체(c-I)를 중합시킴으로써 제조되는 그래프트 공중합체를 함유하는 폴리오가노실록산이다(이때, (c-I)과 (c-II)의 합은 100 중량부이다). 상기 비닐 단량체 (c-I)의 예로는 예를 들면 방향족 비닐 단량체 예컨대 스타이렌, 알파-메틸스타이렌, p-메틸스타이렌 및 p-부틸스타이렌; 비닐시아나이드 단량체 예컨대 아크릴로니트릴 및 메타크릴로니트릴; (메트)아크릴산 에스터 단량체 예컨대 메틸 아크릴레이트, 에틸 아크릴레이트, 프로필 아크릴레이트, 부틸 아크릴레이트, 2-에틸헥실 아크릴레이트, 글리시딜 아크릴레이트, 하이드록시에틸 아크릴레이트, 하이드록시부틸 아크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트, 에틸 메타크릴레이트, 부틸 메타크릴레이트, 라우릴 메타크릴레이트, 글리시딜 메타크릴레이트 및 하이드록시에틸 메타크릴레이트; 및 카복실-기-함유 비닐 단량체 예컨대 이타콘산, (메트)아크릴산, 푸마르산 및 말레산이 포함된다. 상기 비닐 단량체 (c-I)는 필요한 경우 분자당 두 개 이상의 중합가능한 불포화 결합을 갖는 다작용성 단량체를 포함할 수 있다. 상기 다작용성 단량체의 예로는 알릴 메타크릴레이트, 트라이알릴 시아누레이트, 트라이알릴 아이소시아누레이트, 다이알릴 프탈레이트, 에틸렌 글리콜 다이메타크릴레이트, 1,3-부틸렌 글리콜 다이메타크릴레이트 및 다이비닐벤젠이 포함될 수 있다. 상기 비닐 단량체 (c-I)는 단독으로 또는 조합으로 사용될 수 있다. 상기 폴리오가노실록산 입자 (c-II)는 바람직하게는 상기 구성 성분들의 유화 중합에 의해 제조된다. 통상적인 시드 유화 중합(seeded emulsion polymerization)이 상기 그래프트 공중합에 적용될 수 있고, 이는 상기 폴리오가노실록산 입자 (c-II)의 라텍스에서 상기 비닐 단량체 (c-I)를 라디칼-중합시킴으로써 달성될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시양태에서, 성분 c)는
c.1) c)를 기준으로, 하기 c.1.1)과 c.1.2)의 혼합물 5 내지 90 중량부, 바람직하게는 20 내지 90 중량부:
c.1.1) 스타이렌, α-메틸 스타이렌, 핵-치환된 스타이렌, 메틸 메타크릴레이트 또는 이들의 혼합물 50 내지 95 중량%, 및
c.1.2) (메트)아크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트, n-부틸 아크릴레이트, t-부틸 (메트)아크릴레이트 또는 이들의 혼합물 50 내지 5 중량%; 및
c.2) c)를 기준으로, 부타다이엔계 고무, 에틸렌, 프로필렌 및 비-공액 다이엔의 고무, 및 아크릴레이트계 고무로부터 선택되는 엘라스토머성 중합체 95 내지 10 중량부, 바람직하게는 80 내지 10 중량부
의 하나 이상의 그래프트 공중합체이다.
바람직하게는 c.2)는 부타다이엔계 고무이다. 적합한 부타다이엔계 고무, 에틸렌, 프로필렌 및 비-공액 다이엔의 고무, 및 아크릴레이트계 고무의 예는 상기 제공되어 있다. 유용한 그래프트 공중합체는 예를 들면 EP-A-1007593 및 US-A-5061745에 기술되어 있다. 특히 바람직한 그래프트 공중합체는 ABS 수지(아크릴로니트릴-부타다이엔-스타이렌 공중합체), AES 수지(아크릴로니트릴-에틸렌-프로필렌-스타이렌 공중합체), AAS 수지(아크릴로니트릴-아크릴계 엘라스토머-스타이렌 공중합체) 및 MBS(메틸 메타크릴레이트 부타다이엔 스타이렌 공중합체)이다. 특히 바람직한 그래프트 공중합체는 아크릴로니트릴 부타다이엔 스타이렌 고무(ABS), 메틸메타크릴레이트 부타다이엔 스타이렌 고무(MBS) 또는 이들 공중합체의 혼합물인데, 왜냐하면 상기 폴리카보네이트 매트릭스와 상기 공중합체 간의 높은 상용성으로 상기 공중합체들이 상기 폴리카보네이트 매트릭스 내로 균일하게 분산되어, 전자기 방사선에 의해 활성화되어 원자 핵을 형성할 수 있는 금속 성분 b)를 더 함유하는 방향족 폴리카보네이트 조성물에서 상기 방향족 폴리카보네이트의 열화를 추가로 감소시킬 수 있기 때문이다. 경제적인 이유로 아크릴로니트릴 부타다이엔 스타이렌(ABS)이 더욱더 바람직하다. 임의의 상업적으로 입수가능한 ABS가 적용될 수 있다. 특히 바람직한 아크릴로니트릴 부타다이엔 스타이렌(ABS)은 10 내지 50 중량부, 바람직하게는 10 내지 40 중량부, 더욱더 바람직하게는 10 내지 30 중량부의 고무 함량을 갖는 아크릴로니트릴 부타다이엔 스타이렌이다.
본 발명의 하나의 바람직한 실시양태에서, 상기 조성물은 방향족 폴리카보네이트, 금속 화합물 b), 고무형 중합체로서 실록산계 고무 또는 실록산계 고무 함유 그래프트 공중합체를 포함하며, 이때 상기 실록산계 고무 또는 상기 실록산계 고무 함유 그래프트 공중합체는 금속 화합물 b)를 더 함유하는 방향족 폴리카보네이트 조성물에서 방향족 폴리카보네이트의 열화를 감소시키기 위해 첨가된다. 이 실시양태에서, 상기 고무형 중합체는, 예를 들면 US 2005/0143520에 기술된 바와 같이, 바람직하게는 40 내지 95 중량부의 폴리오가노실록산 입자 (c-II)의 존재 하에 5 내지 60 중량부의 비닐 단량체 (c-I)를 중합시킴으로써 제조된 폴리오가노실록산 함유 그래프트 공중합체이다(이때, (c-I)과 (c-II)의 합은 100 중량부이다). 상기 비닐 단량체 (c-I)의 예는 상기 기술된 바와 같다. 본 발명의 또 다른 바람직한 실시양태에서, 상기 조성물은 방향족 폴리카보네이트, 금속 화합물 b) 및 ABS를 포함하며, 상기 ABS는 금속 화합물 b)를 더 함유하는 방향족 폴리카보네이트 조성물에서 방향족 폴리카보네이트의 열화를 감소시키기 위해 첨가된다.
본 발명의 조성물에 존재하는 상기 성분 c)의 농도는 2.5 내지 50 중량%, 바람직하게는 3 내지 50 중량%, 더욱 바람직하게는 3.5 내지 50 중량%, 더욱더 바람직하게는 4 내지 50 중량%, 더욱더 바람직하게는 4.5 내지 50 중량%이다. 당해 분야 숙련자는 적어도 상기 폴리카보네이트의 열화를 감소시키거나 방지하기 위해 성분 b)를 함유하는 폴리카보네이트 조성물에 존재하는 성분 c)의 양을, 성분 c)의 유형에 따라, 쉽게 결정할 수 있다. 하나 이상의 바람직하게는 염소 및 브롬 부재, 및 포스페이트 에스터계 난연성 화합물을 첨가함으로써 난연성이도록 하는 폴리카보네이트 조성물에 존재하는 상기 성분 c)의 농도는 바람직하게는 2.5 내지 15 중량%, 더욱 바람직하게는 4.5 내지 15 중량%이다. 난연성 화합물을 함유하지 않는 폴리카보네이트 조성물에 존재하는 상기 성분 c)의 농도는 바람직하게는 15 내지 50 중량%, 더욱 바람직하게는 20 내지 50 중량%, 더욱더 바람직하게는 30 내지 50 중량%이다.
본 발명에 따른 폴리카보네이트 조성물은 추가로 d) 0 내지 25 중량%의 하나 이상의 다른 첨가제를 더 함유할 수 있으며, 이때 a) 내지 d)의 합은 100%이다. 이는 통상의 첨가제 예컨대 열 또는 열-산화적 열화에 대한 안정제, 가수분해성 열화에 대한 안정제, 빛, 특히 자외선 열화 및/또는 광-산화적 열화에 대한 안정제, 충격 개질제, 가공 보조제 예컨대 이형제 및 윤활제, 착색제 예컨대 안료 및 염료, 미네랄 함유 충전제 예컨대 월라스토나이트 또는 알루미늄 실리케이트, 또는 난연제를 포함한다. 상기 첨가제 및 이들의 통상적인 양의 적합한 예는 상기 언급된 문헌[Kunststoff Handbuch, 3/1]에 기술되어 있다.
본 발명에 따른 폴리카보네이트 조성물은 추가로 첨가제 d)로서 산 또는 산 염을 더 함유할 수 있다. 하나의 실시양태에서, 상기 산 또는 산 염은 무기 산 또는 무기 산 염이다. 하나의 실시양태에서, 상기 산은 인 함유 옥시-산을 포함하는 산이다. 하나의 실시양태에서, 상기 인 함유 옥시-산은 일반 화학식 HmPtO4를 갖는 다중-양성자성 인 함유 옥시-산이며, 여기서 m 및 n은 각각 2 이상이고, t는 1 이상이다. 상기 산의 예로는 화학식 H3PO4, H3PO3 및 H3PO2로 표시되는 산이 포함되나, 이에 국한되지 않는다. 일부 실시양태에서, 상기 산은 인산, 아인산, 하이포아인산, 하이포인산, 포스핀산, 포스폰산, 메타인산, 헥사메타인산, 티오인산, 플루오로인산, 다이플루오로인산, 플루오로아인산, 다이플루오로아인산, 플루오로하이포아인산 또는 플루오로하이포인산 중 하나를 포함할 것이다. 다르게는, 예를 들면 황산, 설파이트, 모노 아연 포스페이트, 모노 칼슘 포스페이트, 모노 나트륨 포스페이트 등과 같은 산 및 산 염이 사용될 수 있다. 산 또는 산 염의 존재는 금속 화합물 b)를 더 함유하는 방향족 폴리카보네이트 조성물에서 방향족 폴리카보네이트의 열화를 추가로 감소시킬 수 있다. 산 또는 산 염의 존재가, 상기 폴리카보네이트 조성물에서의 성분 c)의 존재에도 불구하고, 여전히 상당한 경우라도 상기 폴리카보네이트의 열화를 감소시키는 데 특히 유리함을 발견하였다. 상기 산 또는 산 염이 본 발명의 조성물에 존재하는 경우에, 상기 산 또는 산 염은 바람직하게는 0.01 내지 1 중량%의 양으로 상기 조성물 중에 존재한다. 당해 분야 숙련자는 상기 폴리카보네이트의 열화를 추가로 감소시키기는 데 사용되는 산 또는 산 염의 최적의 양을, 성분 c)의 양 및 유형에 따라, 찾을 수 있을 것이다. 본 발명의 하나의 실시양태에서, 상기 조성물은 방향족 폴리카보네이트, 금속 화합물 b), 고무형 중합체 c)로서의 MBS, 및 산 또는 산 염을 포함하며, 이때 MBS 및 상기 산 또는 산 염은 금속 화합물 b)를 더 함유하는 방향족 폴리카보네이트 조성물에서 방향족 폴리카보네이트의 열화를 감소시키기 위해 첨가된다.
폴리카보네이트 예컨대 비스페놀-A 폴리카보네이트 자체는 매우 우수한 지연 거동을 갖지만, 폴리카보네이트 조성물은 바람직하게는 하나 이상의 난연성 화합물을 첨가함으로써 난연성이 된다. 난연성 화합물의 적합한 예로는 특정 알칼리 또는 알칼리토 설포네이트, 설폰아마이드 염, 퍼플루오로보레이트, 할로겐화된 화합물, 특히 브롬화된 방향족 화합물, 및 인-함유 유기 화합물, 특히 포스페이트 에스터 예컨대 트라이페닐 포스페이트가 있다. 적합한 인-함유 화합물은 예를 들면 DE 19828535 A1 (성분 E), EP 0640655 A2 (성분 D) 및 EP 0363608 A1 (성분 C)에 기술되어 있다. 난연성 화합물로서, 바람직하게는 적어도 올리고머 포스페이트 에스터 예컨대 레조르시놀 다이페닐포스페이트(RDP), 비스페놀-A 다이페닐포스페이트(BDP) 또는 이들의 혼합물이 사용된다. 이러한 조성물은 기계적 난연 및 가공 특성의 우수한 조합을 나타낸다. 추가로, 상기 조성물은 흔히 플루오로중합체 예컨대 폴리테트라플루오로에틸렌을 함유함으로써 화재 시험에서 그의 드리핑(dripping) 특성을 향상시킨다.
바람직한 실시양태에서, 본 발명의 조성물은 추가로 충전제와 같은 입자상 첨가제를 더 포함한다. 전형적인 충전제는 무기 및/또는 유기 입자 예컨대 이산화 규소(천연, 침강 또는 훈증된 것), 탄산 칼슘, 탄산 마그네슘, 탄산 바륨, 황산 칼슘, 황산 바륨, 인산 리튬, 인산 칼슘, 인산 마그네슘, 이산화 티탄(루타일 또는 아나타제), 카올린(수화 또는 하소된 것), 산화 알루미늄, 규산 알루미늄, 불화 리튬, 상기 사용된 다이카복실산의 칼슘, 바륨, 아연 또는 망간 염, 또는 가교결합된 중합체 입자 예컨대 폴리스타이렌 또는 폴리메틸 메타크릴레이트 입자가 있다. 본 발명의 더욱 바람직한 실시양태에서, 상기 입자상 첨가제는 방향족 폴리카보네이트에 사용하기에 적합한 이산화 티탄이다. 이러한 레이저 흡수성 첨가제의 존재는 상기 조성물로부터 얻어진 성형품의 조사된 영역의 금속화에 의해 수득된 금속의 집적 및/또는 접착의 증가를 초래한다는 점을 발견하였다.
상기 중합체 조성물은 추가로 유리 섬유와 같은 강화제를 더 포함할 수 있다.
상기 성분 b), c) 및 임의적으로는 상기 기술된 바와 같은 다른 첨가제, 및 임의의 다른 입자상 첨가제 및 강화제가 적합한 혼합 장치 예를 들면 단축 압출기 또는 2축 압출기, 바람직하게는 2축 압출기의 사용에 의해 상기 방향족 폴리카보네이트 내로 도입될 수 있다. 바람직하게는, 방향족 폴리카보네이트 펠렛은 적어도 성분 b) 및 c)와 함께 상기 압출기 내로 도입되어 압출된 후, 이어서 수욕(water bath)에서 급냉된 다음, 펠렛화된다. 따라서, 본 발명은 또한 성분 a), b), c) 및 임의적으로는 다른 (입자상) 첨가제, 및 임의의 다른 입자상 첨가제 및 강화제를 용융 혼합함으로써 본 발명에 따른 방향족 폴리카보네이트 조성물을 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 또한 본 발명에 따른 폴리카보네이트 조성물을 함유하는 성형품에 관한 것이다. 본 발명은 특히 본 발명에 따른 조성물의 사출 성형에 의해 제조된 성형품에 관한 것이다. 놀랍게도, 본 발명에 따른 폴리카보네이트 조성물을 함유하는 성형품은 성분 b)를 함유하지 않은 유사 조성물과 동일하거나 또는 거의 같은 수준의 다음과 같은 기계적 특성을 가짐을 발견하였다: 특히 강도 및 강성, 및 인성, 특히 파단신율, 낙하 시험 후의 크랙 형성에 대한 저항성, 및 유기 용매와 같은 특정 화학 성분에 의해 개시되는 크랙 형성에 대한 저항성(즉, 영향 인자별 크랙 저항성 또는 ESCR). 이는 특히 이동전화기(GSM), 개인 정보 단말기(PDA) 등과 같은 작지만 복합적인 제품의 구조적 요소인 성형품에 유리하다. 상기 높은 인성은 성형품들 간의 나사 체결부 또는 '스냅핏(snap fit)' 체결부의 높은 하중을 허용한다.
따라서, 본 발명은 또한 본 발명에 따른 조성물로부터 제조된 성형품을 함유하는 물품, 특히 회로 캐리어에 관한 것이다. 하나의 실시양태에서, 이러한 회로 캐리어는 안테나를 제조하는 데 사용된다.
본 발명은 또한 상기 회로 캐리어를 제조하는 방법에 관한 것으로, 상기 방법은 본 발명에 따른 폴리카보네이트 조성물을 함유하는 성형품을 제공하는 단계; 상부에 전도성 트랙이 형성된 상기 부품의 영역을 전자기 방사선으로 조사하여 금속 화합물 b)를 파단시켜 금속 핵을 방출시키는 단계; 및 순차적으로 상기 조사된 영역을 (화학적 환원 과정에 의해) 금속화하는 단계를 포함한다. 바람직한 실시양태에서, 전자기 방사선은 금속 핵을 방출시킴과 동시에 상기 부품의 연마를 효과적이게 하면서 접착-촉진 표면을 형성하는 데 사용된다. 이는 상기 침착된 금속성 전도체 트랙의 우수한 접착 강도를 달성하는 간편한 수단을 제공한다. 유리하게는, 레이저를 사용하여 상기 전자기 방사선을 발생시킴으로써 상기 금속 핵을 방출시킨다. 따라서, 상기 전자기 방사선은 바람직하게는 레이저 방사선이다. 레이저의 파장은 유리하게는 248 nm, 308 nm, 355 nm, 532 nm, 1064 nm 또는 심지어는 10600 nm이다. 전자기 방사선에 의해 발생된 금속 핵 상으로의 추가 금속의 침착은 바람직하게는 전기도금 (용액-화학특성) 공정에 의한다. 상기 금속화는 바람직하게는 하나 이상의 무전해 도금 욕에 상기 성형품을 침지시켜 상기 성형품의 조사된 영역 상에 전도성 통로를 형성함으로써 수행된다.
이하에서는 본 발명이 하기 실시예 및 비교 실험예를 참조하여 설명된다.
비교 실험예 A 내지 H 및 실시예 1 내지 8
하기 표 1에 주어진 성분들로부터 비교 실험예(CEx) A 내지 H 및 실시예(Ex) 1 내지 8의 조성물을 제조하였다.
하기 표 2 내지 5에 주어진 조성물에 따라 280℃의 온도에서 공-회전 2축 압출기 상에서 모든 샘플을 압출하였다. 압출물을 과립화하였다. 수거된 과립물을 사용하여, 각각 PC-ABS 조성물(표 3)에 대해 (ISO 11443에 따라 30의 L/D 비를 갖는 모세관을 사용하여 모세관 레오그래프(rheograph)에서 결정된) 260℃/5kg 부하(ISO 1133) 및 260℃/1500s-1에서 그리고 다른 조성물(표 4 및 5)에 대해 300℃/1.2kg 부하 및 300℃/1500s-1에서 MFI 및 MV(용융 점도)를 측정하였다. 상기 MFI 및 MV 측정의 온도차의 임의의 부작용을 예시하기 위해, ABS 1(CEx 1 및 Ex 1)을 사용하는 PC-ABS 조성물을 또한 온도 설정값(260℃ 및 300℃) 둘 다에서 측정하였다. 순차적으로, 상기 과립물을, PC-ABS 조성물(표 3)에 대해 260℃의 용융 온도를 사용하고 다른 조성물(표 4 및 5)에 대해 290℃의 용융 온도를 사용하여 아이조드 바(Izod bar) 및 플라크(plaque)(70×50×2 mm) 내로 사출 성형하였다. 아이조드 노치(notched) 충격 강도는 ISO 180/4A에 따라 측정하였다.
도금 성능은 사출 성형된 플라크 상에 레이저를 활성화시키고, 순차적으로 무전해 갈바닉(galvanic) 도금 욕에서 도금 절차를 수행한 후에 판단하였다. 도금 성능은 상기 구리 층의 두께 및 상기 중합체 기재상의 상기 금속 층의 접착 강도에 따라 판단하였다.
폴리카보네이트의 열화 수준은 상기 구리 크로마이트 스피넬 존재 및 부재 샘플의 유동(MFI 및 MV) 및 인성 특성(아이조드 노치 충격)을 비교하여 판단하였다. 또한, 상기 수준은 분자량 열화에 따른 것임을 예시하기 위해, 다이클로로메탄 용매 중의 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 샘플 CEx A, CEx B 및 Ex 1의 분자량을 측정하였다. 선형 폴리스타이렌을 보정시료로 사용하였고, 따라서 보고된 값은 폴리스타이렌에 대한 폴리카보네이트 중량 평균화된 분자량(Mw)이다.
하기 표 2는 조성물들 및 비교 실험예 A 및 B의 결과를 나타낸 것이다. CEx A 및 CEx B의 비교에 의하면, 구리 크로마이트 스피넬을 폴리카보네이트 조성물에 첨가하였더니 MFI가 매우 크게 증가하였고 MV가 매우 크게 감소하였는바, 이는 GPC에 의해 측정된 중량 평균 분자량(Mw)에 의해 확인되는 바와 같이, 폴리카보네이트가 고도로 열화되었음을 나타낸다. 분자량의 감소는 또한 인성(아이조드 노치 충격)의 큰 감소를 초래한다.
하기 표 3 및 4는 조성물들 및 비교 실험예 C 내지 H 및 각각 PC-ABS 블렌드 및 다른 PC-고무 블렌드의 실시예 1 내지 6의 결과를 나타낸 것이다. 구리 크로마이트 스피넬 존재의 실시예 및 구리 크로마이트 스피넬 부재의 비교 실험예의 결과의 비교에 의하면, 놀랍게도 고무형 중합체를 갖는 폴리카보네이트의 블렌드에 구리 크로마이트 스피넬(CuCr2O4)의 존재로 MFI가 전혀 증가하지 않거나 또는 훨씬 더 작은 정도로 증가하고, MV가 전혀 감소하지 않거나 또는 훨씬 더 작은 정도로 감소하며, 인성은 동일한 수준으로 머물거나 또는 비교 실험예 B의 경우와 같이 (CEx A에 비해) 훨씬 더 작은 정도로 감소함을 알 수 있다. 이는 상기 구리 크로마이트 스피넬이 (CEx B에서와 같이) 폴리카보네이트 단독에 첨가되는 경우보다 고무형 중합체를 갖는 폴리카보네이트의 블렌드에 첨가되는 경우에 훨씬 더 작은 정도로 상기 폴리카보네이트를 열화시킴을 나타낸다. 이러한 열화의 감소는 또한 Ex 1에 대해 GPC로 측정되는 바와 같이 중량 평균 분자량(Mw) 결과에 의해 확인되며, 이는 참조 CEx A와 거의 유사한 값을 나타낸다.
하기 표 5는, 실시예 4 및 6에 유사한 블렌드이지만 모노 아연 포스페이트(MZP)가 0.1% 첨가된 조성물들 및 실시예 7 및 8의 결과를 나타낸 것이다. MZP와 같은 산 염의 첨가는 비교 실험예(CEx F 및 CEx H)와 이들의 실시예(Ex 4 및 Ex 6) 간에 가장 큰 차이를 보이는 블렌드에 대한 추가의 안정화(MFI의 감소 및 MV 및 인성의 증가)를 초래할 수 있음을 보여준다.
재료 유형 공급처
폴리카보네이트(PC) LVN(ISO 1628/4)=54.5-59.5 ㎖/g DSM
ABS 1 샌택(Santac) AT-05 독일 미쯔이
ABS 2 샌택 ST-55 독일 미쯔이
ABS 3 DP-611 독일 미쯔이
MBS 케인 에이스(Kane Ace) M511 카네카(Kaneka)
실록산 고무 케인 에이스 MR-02 카네카
모든 아크릴계 고무 파라로이드(Paraloid) XL 3361 롬앤하스(Rohm & Haas)
몰드 이형제(MRA) 록시올(Loxiol) P861/3.5 코그니스(Cognis)
열 안정제 이르가포스(Irgafos) 168 시바(Ciba)
CuCr2O4(구리 크로마이트 스피넬) 블랙(Black) 1G 세퍼드 캄파니(Shepherd Company)
MZP Z 21-82(모노 아연 포스페이트) 부덴하임(Budenheim)
샘플 CEx A CEx B
성분 단위
PC % 99.45 91.45
CuCr2O4 % - 8
MRA + 열 안정제 % 0.55 0.55
특성
MFI(300℃/1.2kg) g/10min 5.5 51.1
MV(300℃/1500s-1) Pa·s 425 101
아이조드 노치 4A(23℃) kJ/㎡ 86 8
Pc의 Mw kg/mol 32 19
샘플 CEx C Ex 1 CEx D Ex 2 CEx E Ex 3
성분 단위
PC % 60.75 56.0 60.75 56.0 60.75 56.0
ABS 1 % 38.7 35.45
ABS 2 % 38.7 35.45
ABS 3 % 38.7 35.45
CuCr2O4 % - 8 - 8 - 8
MRA+열 안정제 % 0.55 0.55 0.55 0.55 0.55 0.55
특성
MFI(260℃/1.2kg) g/10min 23.0 26.0 15.1 17.8 4.8 3.3
MFI(300℃/1.2kg) g/10min 16.5 17.6
MV(260℃/1500s-1) Pa·s 154 157 197 197 365 350
MV(300℃/1500s-1) Pa·s 88 86
아이조드 노치 4A
(23℃)		 kJ/㎡ 65 55 78 58 61 59
PC의 Mw kg/mol 31
도금 성능* - 양호 - 양호 - 양호
* 레이저 활성화 후; 구리 크로마이트 스피넬을 갖는 실시예에 대해서만 측정됨
샘플 CEx F Ex 4 CEx G Ex 5 CEx H Ex 6
성분 단위
PC % 81.45 81.45 81.45 81.45 81.45 81.45
MBS % 10 10
실록산 고무 % 10 10
모든 아크릴계 고무 % 10 10
CuCr2O4 % - 8 - 8 - 8
MRA+열 안정제 % 0.55 0.55 0.55 0.55 0.55 0.55
특성
MFI(300℃/1.2kg) g/10min 3.4 6.7 2 2.1 7 7.6
MV(300℃/1500s-1) Pa·s 367 190 318 302 281 193
아이조드 노치 4A
(23℃)		 kJ/㎡ 63 50 68 59 68 69
도금 성능* - 양호 - 양호 - 양호
* 레이저 활성화 후; 구리 크로마이트 스피넬을 갖는 실시예에 대해서만 측정됨
샘플 Ex 7 Ex 8
성분 단위
PC % 81.35 81.35
MBS % 10
모든 아크릴계 고무 % 10
CuCr2O4 % 8 8
MRA+열 안정제 % 0.55 0.55
MZP % 0.1 0.1
특성
MFI(300℃/1.2kg) g/10min 3.4 6.7
MV(300℃/1500s-1) Pa·s 310 209
아이조드 노치 4A
(23℃)		 kJ/㎡ 58 66
도금 성능* 양호 양호
* 레이저 활성화 후

Claims (18)

  1. a) 방향족 폴리카보네이트 30 내지 97 중량%,
    b) 전자기 방사선에 의해 활성화되어 원자 금속 핵을 형성할 수 있는 금속 화합물 0.5 내지 20 중량%, 및
    c) 하나 이상의 고무형(rubber-like) 중합체 2.5 내지 50 중량%
    를 함유하며, 이때 a) 내지 c)의 합이 100%인, 중합체 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 성분 b)가 스피넬(spinel) 구조를 갖는 금속 산화물인, 중합체 조성물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 성분 b)가 CuCr2O4인, 중합체 조성물.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 조성물이 상기 고무형 중합체로서 엘라스토머성 중합체를 함유하는, 중합체 조성물.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 조성물이 상기 고무형 중합체로서, 엘라스토머성 중합체를 함유하는 그래프트 공중합체를 함유하는, 중합체 조성물.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 엘라스토머성 중합체를 함유하는 그래프트 공중합체가, 그래프트 공중합체를 기준으로 95 내지 10 중량부의 엘라스토머성 중합체의 입자들의 존재 하에, 그래프트 공중합체를 기준으로 5 내지 90 중량부의 하나 이상의 단량체를 중합시킴으로써 제조된 그래프트 공중합체인, 중합체 조성물.
  7. 제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 엘라스토머성 중합체가 부타다이엔계 고무, 아크릴레이트계 고무 또는 실록산계 고무인, 중합체 조성물.
  8. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 성분 c)가 부타다이엔계 고무, 아크릴레이트계 고무 또는 실록산계 고무인, 중합체 조성물.
  9. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 성분 c)가, 성분 c)를 기준으로 95 내지 10 중량부의 엘라스토머성 중합체의 입자들의 존재 하에, 성분 c)를 기준으로 5 내지 90 중량부의 하나 이상의 단량체를 중합시킴으로써 제조된 하나 이상의 그래프트 공중합체인, 중합체 조성물.
  10. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 조성물이 성분 c)로서 하나 이상의 아크릴로니트릴 부타다이엔 스타이렌(ABS)를 함유하는, 중합체 조성물.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 폴리카보네이트 조성물을 함유하는 성형품(moulded part).
  12. 적어도 제 11 항에 따른 성형품을 함유하는 회로 캐리어(circuit carrier).
  13. 제 11 항에 따른 성형품을 제공하는 단계;
    상부에 전도성 트랙이 형성된 상기 성형품의 영역을 전자기 방사선으로 조사하여 금속 화합물 b)를 파단시켜 금속 핵을 방출시키는 단계; 및, 이어서,
    상기 조사된 영역을 금속화(metallizing)하는 단계
    를 포함하는, 제 12 항에 따른 회로 캐리어의 제조 방법.
  14. 전자기 방사선에 의해 활성화되어 원자 금속 핵을 형성할 수 있는 금속 화합물 b)를 더 함유하는 방향족 폴리카보네이트 조성물에서 방향족 폴리카보네이트의 열화를 감소시키는 방법으로서,
    상기 조성물을 하나 이상의 고무형 중합체와 혼합하여 용융 안정성이 증가된 방향족 폴리카보네이트 조성물을 수득하는 단계를 추가로 포함함을 특징으로 하는, 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 용융 안정성 방향족 폴리카보네이트 조성물이
    a) 방향족 폴리카보네이트 30 내지 97 중량%,
    b) 전자기 방사선에 의해 활성화되어 원자 금속 핵을 형성할 수 있는 금속 화합물 0.5 내지 20 중량%, 및
    c) 하나 이상의 고무형 중합체 2.5 내지 50 중량%
    를 함유하며, 이때 a) 내지 c)의 합이 100%인 것을 특징으로 하는, 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 성분 b)가 스피넬 구조를 갖는 금속 산화물인, 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 성분 b)가 CuCr2O4인, 방법.
  18. 제 15 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 고무형 중합체가 아크릴로니트릴 부타다이엔 스타이렌(ABS) 또는 실록산계 고무인, 방법.
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