KR20100049267A - 반도체 패키지를 수지로 몰딩하는데 이용되는 이형필름을 제조하는 방법 및 이 방법에 의해 만들어진 이형필름 - Google Patents

반도체 패키지를 수지로 몰딩하는데 이용되는 이형필름을 제조하는 방법 및 이 방법에 의해 만들어진 이형필름 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 패키지를 수지로 몰딩하는데 이용되는 이형필름을 제조하는 방법 및 이 방법에 의해 만들어진 이형필름에 관한 것으로서, 좀더 상세하게는 금속기재의 일면에 조도를 형성하고, 상기 금속기재의 조도가 형성된 면에 불소계 필름 및 수지필름을 순서대로 적층한 다음, 롤 융착기로 가열 및 압착한 후 상기 가열 및 압착된 적층 필름을 금속기재로부터 분리하여 이형필름을 얻는, 반도체 패키지를 수지로 몰딩하는데 이용되는 이형필름을 제조하는 방법 및 이 방법에 의해 만들어진 이형필름에 관한 것이다.
본 발명에 따른 이형필름 및 이의 제조방법에 따르면, 성형된 반도체 패키지의 수지 표면에 적절한 조도가 형성되어, 얼룩과 긁힘에 의한 외관 불량이 방지되며, 불량품을 쉽게 육안검사가 가능하게 하고, 수지표면의 인쇄성이 향상되는 효과가 있다.
이형필름, 반도체, 수지, 몰드, 성형

Description

반도체 패키지를 수지로 몰딩하는데 이용되는 이형필름을 제조하는 방법 및 이 방법에 의해 만들어진 이형필름{method for manufacturing a release film used to mold a semiconductor with resin, and release film made by the same}
본 발명은 반도체 패키지를 수지로 몰딩하는데 이용되는 이형필름 제조방법에 관한 것으로서, 반도체 패키지 수지 몰딩작업에 적합한 조도 및 물성을 이형필름에 부여하는 동시에 저가로 제작 가능하도록 하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 패키지를 수지로 몰딩하는데 이용되는 이형필름은, 몰딩될 수지와 금형 사이에 개재되어 몰딩 후 금형으로부터 몰딩 수지 성형물의 탈형을 쉽게 하기 위한 목적으로 사용된다.
기존의 반도체 패키지 몰딩방법은, 금형에 조도를 형성하여, 에폭시 수지 몰딩작업을 하기 때문에, 금형 틈에 수지 잔유물이 있고, 수지가 금형에 달라붙어 연속작업에 어려움이 있으며, 반도체 소자의 크기를 축소하는 제조공법에 제약을 준다.
또한, 이형성을 좋게 하기 위해 금형에 테프론을 코팅하여 사용하기도 하지만, 금형에 수지가 달라붙는 것은 개선되더라고, 금형 틈에 수지가 고여, 연속작업 이 어렵고, 소형의 크기를 가지는 제품엔 적용이 곤란하다는 문제점이 있다.
현재 개발되고 있는 파인 피치 볼 그리드 어레이 패키지 또는 칩 스케일 패키지 등과 같은 반도체 패키지는 소형화ㆍ경량화 등의 물리적 이점이 있지만, 아직까지 종래의 플라스틱 패키지와 대등한 신뢰성을 확보하지 못하고 있고, 생산 과정에서 소요되는 원ㆍ부자재 및 공정의 단가가 높아 가격 경쟁력이 떨어지는 단점이 있으며, 또한 마이크로 볼 그리드 어레이 패키지는 파인 피치 볼 그리드 어레이 패키지 또는 칩 스케일 패키지에 비하여 나은 특성이 있지만 신뢰도 및 가격 경쟁력이 떨어지는 단점이 있다.
이런 단점을 극복하기 위해 개발된 패키지의 한 종류로서, 웨이퍼 상에 형성된 반도체 칩들의 본딩 패드의 재배치를 이용한 소위 웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키지가 있다.
상기 패키지는, 서로 인접하는 범프용 솔더 볼들 사이에 적절한 조도가 형성된 이형필름을 개재시켜, 몰딩층에 조도를 형성시키고 이형성을 향상시켜서, 연속작업에 의해 그리고 얇은 두께를 갖게 제조될 수 있다.
이를 위해 이형성이 우수하고, 적절한 조도가 형성되어 있으며, 금형 내에 수지를 주입ㆍ경화시킬 때 찢어지지 않고 균일하게 늘어나, 패키지의 두께나 표면조도를 균일하게 유지시키는 이형필름의 개발이 요구되고 있다.
통상, 반도체 패키지를 수지로 몰딩하는 작업은, 롤에 감긴 이형필름이 일정 장력으로 당겨져 조도가 형성된 면이 반도체 패키지가 위치하는 방향으로 몰딩 금형 내에 삽입되고, 금형내부에 진공을 형성시켜 이형필름을 금형에 밀착시킨 후, 수지가 투입된다. 이때 온도와 압력을 가하여 반도체 패키지를 수지로 성형하기 때문에 필름 인장강도 및 진공 흡착시의 필름 신율 및 두께 등이 요구되며, 또한 구겨지거나 찢어지거나 또는 미세한 구멍 등이 있으면 연속작업이 불가능하고, 제품에 전사되어 외관 불량을 초래한다는 문제점이 있다.
또한, 이형필름의 재료로는 내열성, 내약품성, 비점착성 및 저마찰성 등을 갖고 있는 불소수지가 주로 사용되는데, 불소수지는 비교적 고가의 제품이므로 이의 제작비용을 절감할 수 있는 방법의 개발이 요구되며 본 발명에서는 이를 해결하기 위한 방안들이 제시된다.
본 발명의 목적은, 반도체 패키지를 수지로 몰딩하는 장치에 있어서, 금형과 수지 사이에 위치하여, 몰딩된 수지표면에 적절한 조도를 형성하고 몰딩작업이 연속적으로 진행될 수 있도록 하기 위한 이형필름이 적절한 조도 및 물성을 갖도록 하는 동시에 저렴한 비용으로 제조될 수 있는, 반도체 패키지를 수지로 몰딩하는데 이용되는 이형필름의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 금속기재의 일면에 조도를 형성하는 단계; 상기 금속기재의 조도가 형성된 면에 불소계 필름 및 수지필름을 순서대로 적층하는 단계; 상기 적층된 필름을 롤 융착기로 가열 및 압착하는 단계; 및 상기 가열 및 압착된 적층 필름을 금속기재로부터 분리하여 이형필름을 얻는 단계를 포함하는, 반도체 패키지를 수지로 몰딩하는데 이용되는 이형필름을 제조하는 방법을 제공한다.
이때, 상기 불소계 필름 및 수지필름을 적층하는 단계는, 상기 조도가 형성된 금속기재에, 불소계 수지를 함유한 불소계 분산액을 도포하고 건조 및 소성하여 불소계 필름을 형성한 후, 상기 불소계 필름에 수지필름을 적층하거나, 또는, 불소계 필름 및 수지필름 각각의 일측면에 표면처리한 후, 상기 표면처리면이 겹치도록 적층한 다음, 상기 적층된 필름의 불소계 필름면이, 상기 조도가 형성된 금속기재와 맞닿음되도록 금속기재 위에 적층하는 방법 중 어느 하나의 방법으로 이루어지 는 것이 바람직하다.
또한, 상기 도포된 불소계 분산액은, 130~170℃에서 3~7분 건조된 후 330~370℃에서 3~7분 소성되어 불소계 필름을 형성하는 것이 더욱 바람직하다.
또한, 상기 표면처리는, 화학에칭, 코로나 또는 플라즈마를 이용하여 표면을 개질하는 방법 중 어느 하나의 방법으로 이루어지는 것이 더욱 바람직하다.
또한, 상기 표면처리공정과 상기 표면처리면이 겹치도록 적층하는 공정 사이에는, 상기 표면처리면에 내열접착제를 도포하는 공정이 추가되는 것이 더욱 바람직하다.
또한, 상기 금속기재의 재질은 스테인리스강, 양은, 황동 및 인청동으로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나로 이루어지고, 상기 금속기재의 조도는 엠보싱된 압연, 화학적인 에칭 및 샌드 블라스트로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나의 방법에 의하여 Ra 0.02~7㎛의 조도가 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 불소계 필름의 두께는 2~50㎛인 것이 바람직하다.
또한, 상기 불소계 필름은 폴리테트라플루오로에틸렌, 플루오로에틸렌프로필렌, 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체, 퍼플루오로알콕시, 폴리비닐리덴플루오라이드, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리비닐플루오라이드, 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로프로필비닐에테르 공중합체, 폴리테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로메틸비닐에테르 공중합체 및 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌-비닐리덴플루오라이드 3원 공중합체로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나의 재질로 이루어진 것이 바람직하며, 상기 수지필름은 변성 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리 에틸렌테레프탈레이트, 나일론, 폴리페닐렌설파이드, 폴리옥시메틸렌, 폴리술폰, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리테트라플루오로에틸렌, 플루오로에틸렌프로필렌, 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체, 퍼플루오로알콕시, 폴리비닐리덴플루오라이드, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리비닐플루오라이드, 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로프로필비닐에테르 공중합체, 폴리테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로메틸비닐에테르 공중합체 및 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌-비닐리덴플루오라이드 3원 공중합체로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나의 재질로 이루어진 것이 바람직하다.
또한, 상기 이형필름은 두께 5~800㎛, 신율 200% 초과, 인장강도 200㎏/㎠ 초과 및 길이 및 폭 방향 치수 변화율이 180℃에서 ±20% 미만이고, 상기 수지필름의 융점은 몰딩작업온도보다 20℃를 초과하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 상기의 방법으로 제조되는 이형필름을 제공한다.
본 발명에 따른 이형필름 및 이의 제조방법은, 몰딩될 수지와 금형 사이에 개재되는 이형필름에 적절한 조도 및 물성을 부여함으로써, 성형된 반도체 패키지의 수지 표면에 적절한 조도가 형성되어, 얼룩과 긁힘에 의한 외관 불량이 방지되며, 불량품을 쉽게 육안검사가 가능하게 하고, 수지표면의 인쇄성이 향상된다.
또한, 본 발명에 따른 이형필름은 이형성을 좋게 하여 연속작업과 얇은 두께의 반도체 칩 제조를 가능하게 하며, 금형 내에 수지를 주입ㆍ경화 시킬 때 이형필름이 찢어지지 않고 균일하게 늘어나, 패키지의 두께나 표면조도를 균일하게 유지 할 수 있게 한다.
본 발명에 따른 이형필름은, 다양한 반도체 패키지용 에폭시 몰딩 조건에 응용될 수 있고, 또한 저가로 만들 수 있어, 제조원가 절감에 크게 기여할 수 있다.
이하 본 발명에 따른, 반도체 패키지를 수지로 몰딩하는데 이용되는 이형필름을 제조하는 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1에는 본 발명에 따른 이형필름 제조방법의 바람직한 공정도가 도시되어 있다.
본 발명에 따른 이형필름을 제조하기 위해 먼저 금속기재의 일면에 조도(surface roughness)를 형성시키는데, 상기 금속기재는 스테인리스강(stainless steel), 양은(german silver), 황동(brass), 인청동(phosphor bronze) 재질 중에서 선택되어질 수 있고, 엠보싱타입의 압연, 화학적인 에칭 또는 샌드 블라스트를 이용하여 표면에 조도를 형성할 수 있다.
상기 금속기재의 표면조도는 Ra 0.02~7㎛가 바람직하며, Ra 2~3㎛가 더욱 바람직하다. 상기 금속기재 표면에 형성된 조도는, 후 공정의 불소계 필름 표면에 전사(轉寫)되는데, 불소계 필름 표면의 조도가 Ra 0.02㎛보다 작으면 패키지의 무광(無光)상태가 어려워 긁힘이나 얼룩에 쉽게 노출되며, Ra 7㎛보다 크면 필름이 쉽게 끊어지거나, 불규칙한 조도를 형성시키고, 포장 가공 후 인쇄 마킹시에 잉크가 스며들기 어렵고, 레이져 마킹시에도 잘 써지지 않는다.
다음은 상기 금속기재의 조도가 형성된 면에 불소계 필름 및 수지필름을 순 서대로 적층한 후, 롤 융착기로 가열 및 압착하여 불소계 필름 표면상에 조도가 형성되도록 한다.
조도 형성방법은, 먼저 불소계 필름에 조도를 형성시킨 후 수지필름을 적층하거나, 불소계 필름과 수지필름를 적층한 다음 불소계 필름 면에 조도를 형성시키는 방법이 있다.
불소계 필름에 조도를 형성시킨 후 수지필름을 적층하는 방법은, 상기 조도가 형성된 금속기재에, 불소계 수지를 함유한 불소계 분산액을 도포하고 130~170℃에서 3~7분 건조시킨 후 330~370℃에서 3~7분 소성하여 불소계 필름을 제조한 후 그 위에 수지필름을 적층한다.
또한, 불소계 필름과 수지필름를 적층한 다음 불소계 필름 면에 조도를 형성시키는 방법은, 먼저 불소계 필름 및 수지필름 각각의 일측면에 표면처리를 하는데, 상기 표면처리 방법은 화학에칭, 코로나 또는 플라즈마를 이용하여 표면을 개질하는 방법 등이 있다.
다음은 상기 표면처리된 불소계 필름 및 수지필름의 표면처리면이 서로 겹치도록 적층하는데, 이때 접착력을 향상시키기 위하여 상기 표면처리된 면에 내열성 접착제를 도포하여 적층하는 것도 가능하다.
다음은 상기 적층된 필름의 불소계 필름면이, 상기 조도가 형성된 금속기재와 맞닿음되도록 금속기재 위에 적층한 후, 롤 융착기로 가열 및 압착하여 불소계 필름 표면상에 조도가 형성되도록 한다.
상기 불소계 필름의 재질은 폴리테트라플루오로에틸 렌(polytetrafluoroethylene : PTFE), 플루오로에틸렌프로필렌(fluoroethylenepropylene : FEP), 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체(ethylene-tetrafluoroethylene copolymer : ETFE), 퍼플루오로알콕시(perfluoroalkoxy : PFA), 폴리비닐리덴플루오라이드(Polyvinylidenefluoride : PVDF), 폴리클로로트리플루오로에틸렌(Polychlorotrifluoroethylene : PCTFE), 폴리비닐플루오라이드(polyvinylfluoride : PVF), 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로프로필비닐에테르 공중합체(tetrafluoroethylene-perfluoropropylvinylether copolymer : TFM), 폴리테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로메틸비닐에테르 공중합체(polytetrafluoroethylene-perfluoromethylvinylether copolymer : MFA) 및 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌-비닐리덴플루오라이드 3원 공중합체(tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene-vinylidenefluoride terpolymer : THV) 중에서 선택될 수 있고,
또한, 상기 수지필름의 재질은 변성 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate : PET), 나일론(nylon), 폴리페닐렌설파이드(polyphenylenesulfide : PPS), 폴리옥시메틸렌(polyoxymethylene : POM), 폴리술폰(polysulfone : PSF), 폴리카보네이트(polycarbonate : PC), 폴리이미드(polyimide : PI), 폴리테트라플루오로에틸렌, 플루오로에틸렌프로필렌, 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체, 퍼플루오로알콕시, 폴리비닐리덴플루오라이드, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리비닐플루오라이드, 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로프로필비닐에테르 공중합체, 폴리테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로메틸비닐에 테르 공중합체 및 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌-비닐리덴플루오라이드 3원 공중합체 중에서 선택될 수 있다.
적층된 필름을 가열 및 압착하는 상기 롤 융착기는, 도 2에 도시된 바와 같이 일면에 조도가 형성되어 있는 금속기재(1); 상기 금속기재(1)의 조도가 형성되어 있는 면의 이면(裏面)인 조도가 형성되지 않은 면과 구동 가능하게 접촉되는 가열롤(4); 불소계 필름(2)과 수지필름(3)을 사이에 두고, 상기 금속기재(1)의 조도가 형성된 면과 대향하는 위치에 있는 고무롤(5)을 포함하고 있다.
다음은 상기 가열 및 압착된 적층 필름을 금속기재로부터 분리하여 이형필름을 얻는다.
상기 이형필름의 두께는 5~800㎛가 바람직하고, 25~200㎛가 더욱 바람직하다. 이 중에서 상기 불소계 필름의 두께는 2~50㎛가 바람직하다. 상기 이형필름의 두께가 5㎛ 미만이면, 본 발명에 따른 이형필름을 사용하는 반도체 패키지 몰딩작업 시, 강도가 충분치 않아 진공흡착 공정 중에 쉽게 찢어지고 성형품의 표면에 주름이 발생하기 쉬우며, 800㎛를 초과하면 금형 틈까지 필름이 접근 못해 원하는 제품치수를 얻을 수 없다.
또한, 상기 이형필름의 신율은 200%를 초과하는 것이 바람직한데, 200% 미만이면 상기 반도체 패키지 몰딩작업 시, 진공흡착 공정 중에 이형필름이 늘어나지 않고 끊어져 연속작업이 불가능하다.
또한, 상기 이형필름의 인장강도는 200㎏/㎠를 초과하는 것이 바람직한데, 200㎏/㎠ 미만이면 상기 반도체 패키지 몰딩작업 시, 진공흡착 공정 전단계의, 일 정 장력으로 필름을 펴는 과정에서 늘어나 조도 불균일, 장력에 의한 끊어짐 또는 장력을 덜 주어 주름이 발생하는 등 문제점이 발생한다.
또한, 상기 이형필름의 길이 및 폭 방향 치수 변화율은 180℃에서 ±20% 미만인 것이 바람직하고 ±10% 미만인 것이 더욱 바람직한데, ±20% 이상이면 이형필름에 주름이 발생하여 제품에 전사(轉寫)된다.
또한, 상기 수지필름의 융점은 몰딩작업온도보다 20℃를 초과하는 것이 바람직하고, 50℃를 초과하는 것이 더욱 바람직한데, 20℃ 미만이면 반도체 패키지 몰딩작업 시 이형필름의 변형이 증가하고 강도가 낮아져 이형필름이 찢어질 수 있다.
이하, 본 발명을 하기 실시예, 비교예 및 실험예에 의거하여 좀더 상세하게 설명하고자 한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명은 하기 실시예에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 치환 및 균등한 타 실시예로 변경할 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 명백할 것이다.
<실시예 1>
두께 0.2㎜의 스테인리스강(SUS304) 금속판에 Ra 2.2㎛ 의 조도를 형성시킨 후, 폴리테트라플루오로에틸렌 분산액(고형분 40wt.%, DAIKIN사, 일본)을 그라비아 코터를 이용하여 금속판에 도포하고, 150℃에서 5분 건조한 후 350도에서 5분 소성하여 폴리테트라플루오로에틸렌이 5㎛ 코팅된 금속판을 얻었다.
상기 금속판 상의 폴리테트라플루오로에틸렌 필름 위에, 압축 성형된 변성 폴리테트라플루오로에틸렌 필름 45㎛를 적층하고, 금속판 쪽이 가열롤, 변성 폴리테트라플루오로에틸렌 필름 쪽이 고무롤과 접하도록 하여 롤 융착기로 가열롤 온도 370℃, 압력 110㎏/㎠, 0.5m/min의 속도로 가열ㆍ융착한 후 이형하여 조도가 형성된 이형필름을 얻었다.
<실시예 2>
실시예 1에서 폴리테트라플루오로에틸렌 분산액 대신에 플루오로에틸렌프로필렌 분산액(고형분 40wt.%, DAIKIN사, 일본)을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 이형필름을 제조하였다.
<실시예 3>
실시예 1에서 폴리테트라플루오로에틸렌 분산액 대신에 퍼플루오로알콕시 분산액(고형분 40wt.%, DYNEON사, 독일)을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 이형필름을 제조하였다.
<실시예 4>
12㎛ 두께에 퍼플루오로알콕시 필름(AF0012, DAIKIN사, 일본)과 38㎛ 두께의 변성 폴리테트라플루오로에틸렌 필름을 적층한 후, Ra 2.2㎛의 조도가 형성된 0.2㎜ 두께의 스테인리스강(SUS304) 금속판에 퍼플루오로알콕시 필름이 접하도록 적층 하고, 롤 융착기로 가열롤 온도 370℃, 압력 110㎏/㎠, 0.5m/min의 속도로 가열ㆍ융착한 후 이형하여 조도가 형성된 이형필름을 얻었다.
<실시예 5>
12㎛ 두께의 플루오로에틸렌프로필렌 필름(NF0012, DAIKIN사, 일본)의 일면에 코로나 처리하고 상기 코로나 처리된 면과 겹치도록 40㎛ 두께의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 적층한 후, 플루오로에틸렌프로필렌 필름 면이 Ra 2.2㎛의 조도가 형성된 0.2㎜ 두께의 스테인리스강(SUS304) 금속판의 조도가 형성된 면과 접하도록 적층하고, 롤 융착기로 가열온도 270℃, 압력 80㎏/㎠, 1.0m/min의 속도로 가열ㆍ융착한 후 이형하여 조도가 형성된 이형필름을 얻었다.
<비교예 1>
에틸렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체를 티다이(T-DIE) 압출기를 이용하여 압출온도 350℃, 압출속도 1m/min 및 두께 50㎛로 압출한 후, 즉시 조도가 Ra 2.2㎛인 냉각롤로 가압한 후 이형하여 조도가 형성된 이형필름을 얻었다.
<비교예 2>
에틸렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체를 티다이(T-DIE) 압출기를 이용하여 압출온도 350℃, 압출속도 1m/min 및 두께 25㎛로 압출한 후, 즉시 조도가 Ra 2.2㎛인 냉각롤로 가압한 후 이형하여 조도가 형성된 이형필름을 얻었고, 조도가 형성 되지않은 뒷면을 프라즈마 에칭기로 표면처리한 후 내열성 접착제를 0.5㎛ 두께로 도포한 다음 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 적층하고, 롤 융착기로 가열온도 270℃, 압력 80㎏/㎠, 1.0m/min의 속도로 가열ㆍ융착한 후 이형하여 조도가 형성된 이형필름을 얻었다.
<실험예>
상기 실시예 및 비교예에서 제조된 이형필름의 조도가 형성된 면 위에 에폭시 수지를 놓고, 오븐에서 190℃, 30분 유지 후 50㎏/㎠의 압력으로 프레스 가압한 다음, 이형필름의 물성을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
물성 측정결과
항 목 필름조도(Ra) 에폭시조도(Ra) 필름두께(㎛) 필름신율(%) 필름인장강도 (㎏/㎠)
실시예 1 2.13 1.88 47 576 312
실시예 2 2.18 1.75 51 355 325
실시예 3 2.15 2.03 47 431 435
실시예 4 1.78 1.56 49 341 311
실시예 5 1.63 1.51 55 204 301
비교예 1 1.85 1.77 51 333 483
비료예 2 1.74 1.64 53 209 573
상기 표 1에 나타난 바와 같이 실시예 및 비교예의 조도, 두께, 신율 및 인장강도가 모두 이형필름의 물성조건에 만족하는 것을 알 수 있었다. 즉, 고가의 불소수지만을 사용하지 않고 저가의 내열수지를 함께 이용하여 이형필름에 요구되는 물성을 얻을 수 있었다.
상기에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 따른 이형필름은, 다양한 에폭시 수지 몰드 성형조건에 이형필름으로 응용될 수 있고, 기재를 밸트식으로 만들 수 있어, 코팅과 융착을 연속적으로 수행, 연속생산이 가능하며, 값싼 내열 수지를 이용하여 저가로 만들 수 있어서, 1회 소모성인 제품으로써 제조원가 절감에 크게 기여할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 이형필름의 바람직한 제조공정도이다.
도 2는 본 발명에 사용되는 롤 융착기의 개략적인 모습을 나타낸 도면이다.

Claims (11)

  1. 금속기재의 일면에 조도를 형성하는 단계;
    상기 금속기재의 조도가 형성된 면에 불소계 필름 및 수지필름을 적층하는 단계;
    상기 적층된 필름을 롤 융착기로 가열 및 압착하는 단계; 및
    상기 가열 및 압착된 적층 필름을 금속기재로부터 분리하여 이형필름을 얻는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 패키지를 수지로 몰딩하는데 이용되는 이형필름을 제조하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 불소계 필름 및 수지필름을 적층하는 단계는,
    상기 조도가 형성된 금속기재에, 불소계 수지를 함유한 불소계 분산액을 도포하고 건조 및 소성하여 불소계 필름을 형성한 후, 상기 불소계 필름에 수지필름을 적층하거나,
    또는, 불소계 필름 및 수지필름 각각의 일측면에 표면처리한 후 상기 표면처리면이 겹치도록 적층한 다음, 상기 적층된 필름의 불소계 필름면이, 상기 조도가 형성된 금속기재와 맞닿음되도록 금속기재 위에 적층하는 방법 중 어느 하나의 방법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 반도체 패키지를 수지로 몰딩하는데 이용되는 이형필름을 제조하는 방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 도포된 불소계 분산액은, 130~170℃에서 3~7분 건조된 후 330~370℃에서 3~7분 소성되어 불소계 필름을 형성하는 것을 특징으로 하는, 반도체 패키지를 수지로 몰딩하는데 이용되는 이형필름을 제조하는 방법.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 표면처리는, 화학에칭, 코로나 또는 플라즈마를 이용하여 표면을 개질하는 방법 중 어느 하나의 방법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 반도체 패키지를 수지로 몰딩하는데 이용되는 이형필름을 제조하는 방법.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 표면처리공정과 상기 표면처리면이 겹치도록 적층하는 공정 사이에는, 상기 표면처리면에 내열접착제를 도포하는 공정이 추가되는 것을 특징으로 하는, 반도체 패키지를 수지로 몰딩하는데 이용되는 이형필름을 제조하는 방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 금속기재의 재질은 스테인리스강, 양은, 황동 및 인청동으로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나로 이루어지고,
    상기 금속기재의 조도는 엠보싱타입의 압연, 화학적인 에칭 및 샌드 블라스 트로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나의 방법에 의하여 Ra 0.02~7㎛의 조도가 형성되는 것을 특징으로 하는, 반도체 패키지를 수지로 몰딩하는데 이용되는 이형필름을 제조하는 방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 불소계 필름의 두께는 2~50㎛인 것을 특징으로 하는, 반도체 패키지를 수지로 몰딩하는데 이용되는 이형필름을 제조하는 방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 불소계 필름은 폴리테트라플루오로에틸렌, 플루오로에틸렌프로필렌, 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체, 퍼플루오로알콕시, 폴리비닐리덴플루오라이드, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리비닐플루오라이드, 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로프로필비닐에테르 공중합체, 폴리테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로메틸비닐에테르 공중합체 및 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌-비닐리덴플루오라이드 3원 공중합체로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는, 반도체 패키지를 수지로 몰딩하는데 이용되는 이형필름을 제조하는 방법.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 수지필름은 변성 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리에틸렌테레프탈레이 트, 나일론, 폴리페닐렌설파이드, 폴리옥시메틸렌, 폴리술폰, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리테트라플루오로에틸렌, 플루오로에틸렌프로필렌, 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체, 퍼플루오로알콕시, 폴리비닐리덴플루오라이드, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리비닐플루오라이드, 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로프로필비닐에테르 공중합체, 폴리테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로메틸비닐에테르 공중합체 및 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌-비닐리덴플루오라이드 3원 공중합체로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는, 반도체 패키지를 수지로 몰딩하는데 이용되는 이형필름을 제조하는 방법.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 이형필름은 두께 5~800㎛, 신율 200% 초과, 인장강도 200㎏/㎠ 초과 및 길이 및 폭 방향 치수 변화율이 180℃에서 ±20% 미만이고, 상기 수지필름의 융점은 몰딩작업온도보다 20℃를 초과하는 것을 특징으로 하는, 반도체 패키지를 수지로 몰딩하는데 이용되는 이형필름을 제조하는 방법.
  11. 제 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항의 방법으로 제조되는 이형필름.
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