KR20100016224A - 비평면형 표면 상에 재료를 증착시키는 방법 - Google Patents

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Abstract

비평면형 표면 상에 재료를 증착시키는 방법이 개시된다. 상기 방법은 비평면형 기판이 처리 챔버의 병진 운동 경로를 따라 이동해 갈 때 비평면형 기판을 회전시킴으로써 달성된다. 비평면형 기판이 동시적으로 회전하고 처리 챔버를 따라 병진할 때, 회전은 필요에 따라 상기 비평면형 기판의 표면 영역 전체 또는 임의의 필요한 부분이 균일하게 증착될 수 있도록 하는 증착 처리에 노출된다. 대안적으로, 임의의 비평면형 기판의 표면 상에 노출될 수 있다. 이러한 방법은 비평면형 발광 다이오드, 비평면형 광전지 등을 포함하며 이에 제한되지 않는 비평면형 반도체 장비의 제조를 가능하게 한다.
Figure P1020097023068
증착, 증착 챔버, 반도체 처리, 스퍼터, 비평면형 반도체

Description

비평면형 표면 상에 재료를 증착시키는 방법 {METHOD OF DEPOSITING MATERIALS ON A NON-PLANAR SURFACE}
본 출원은 35 U.S.C.§119(e)에 따라 2007년 4월 5일에 출원되어 동시 계류 중이고 발명의 명칭이 "비평면형 표면 상에 재료를 증착시키는 방법 (METHOD OF DEPOSITING MATERIALS ON A NON-PLANAR SURFACE)"인 미국 가출원 제60/922,290호를 기초로 우선권을 주장하며, 그 개시 내용은 본 명세서에 통합되어 전체로서 참조된다.
본 발명은 반도체 처리 장치 및 기술에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 병진 및 회전 구조가 모두 사용되는 비평면형 표면 상의 반도체 처리에 관한 것이다.
종래의 많은 반도체 처리 기술에서, 구체적인 처리 단계는 전형적으로 평면 운동을 사용하여 수행된다. 예컨대, 대부분의 집적 회로(IC)는 전형적으로 평면 운동만을 사용하는 기계 장치로 제조된다. 이는 사실상 거의 항상 평면인 대부분의 종래 IC의 내재적 구조(implicit structure) 때문이다. 따라서, 필요한 증착, 도핑(doping) 및 스크라이빙(scribing) 단계는 거의 항상 장비 또는 IC가 x 또는 y 방향으로 움직이는 평면 운동을 통하여 수행된다.
이러한 방식으로, 반도체 처리 단계는 여러 장비 및/또는 기판이 반도체 기계 장치의 여러 부품을 통하여 이동하는 조립 라인 베이시스(assembly line basis)에서 수행될 수 있다. 본 명세서에 기술된 바와 같이, 이러한 반도체 처리 단계는 물리 증착, 화학 증착, 반응 스퍼터링 증착(reactive sputtering deposition) 또는 분자 빔 에피텍시 증착(molecular beam epitaxy deposition)과 같은 증착 단계를 포함할 수 있다. 전술한 증착 계열(families)의 다양한 변형이 이러한 반도체 처리 단계에 고려되어야 한다.
기술된 반도체 기술은 널리 알려져 있으며, 평면 형상부를 구비한 반도체 장비에 대한 공통 베이시스에서 수행된다. 따라서, 평면 기판 및/또는 IC 상에 생성되는 다양한 층은 대응하는 반도체 장비가 사실상 평면인 경우에만 쉽고 저렴하게 수행될 수 있다.
따라서, 현재 사용되는 종래 방법의 경우, 반도체 제조 기술 및/또는 증착, 기화, 스크라이빙 등의 처리 단계는 전형적으로 이러한 실질적으로 평면인 기판 상에 작동되어야 한다는 제한이 있다. 예를 들어, 도 1A에 예시적인 종래 기술의 스퍼터 증착 챔버(10)가 도시되어 있다. 스퍼터 증착은 기판(11) 상에 소스 재료(12)의 블록을 스퍼터링함으로써 박막을 기판(11) 상에 증착시키는 방법이다. 스퍼터 증착은 전형적으로 진공에서 일어난다. 기체 상태로 방출되는 스퍼터링된 원자는 열역학적 평형 상태가 아니고, 진공 챔버 내의 모든 표면 상에 증착되는 경향이 있다. 챔버 내에 위치되는 (웨이퍼와 같은) 기판은 소스 재료(12)의 박막으로 코팅될 것이다. 스퍼터링은 전형적으로 타켓 재료(즉, 반도체 재료, 금속 재 료, 또는 완충 재료) 뿐만 아니라 아르곤 플라즈마 또는 플라즈마 상태의 다른 비활성 기체를 사용하여 일어난다.
도 1B에 도시된 기화 증착법(evaporation deposition)은 박막 증착의 또다른 통상적 방법이다. 소스 재료(12)는 재료가 진공에서 증발되도록 고온에 노출된다. 진공 상태에서 증기 입자는 타겟 기판에 직접 이동한 뒤 고체 상태로 다시 응축될 수 있다.
비평면형 표면 상에 재료를 증착시키는 방법이 개시된다. 상기 방법은 비평면형 표면이 처리 챔버의 병진 운동 경로를 따라 이동해 갈 때 비평면형 기판을 회전시킴으로써 달성된다. 비평면형 기판이 동시적으로 처리 챔버를 따라 회전하고 병진운동할 때, 필요에 따라 회전 단계는 상기 비평면형 기판의 표면 영역 전체 또는 임의의 필요한 부분이 균일하게 증착될 수 있도록 하는 증착 처리에 노출된다. 대안적으로, 미리 결정된 임의의 패턴이 비평면형 기판의 표면 상에 노출될 수 있다. 이러한 방법은 비평면형 발광 다이오드, 비평면형 광전지 등을 포함하며 이에 제한되지 않는 비평면형 반도체 장비의 제조를 가능하게 한다.
본 발명의 제1 태양에서, 기판 상에 가해지는 반도체 처리 방법은 하나 이상의 기판이 통과할 수 있는 입구와 출구를 구비한 반도체 처리 챔버를 제공하는 단계와, 상기 반도체 처리 챔버를 통해 병진 운동 경로를 따라 하나 이상의 기판을 이동시키는 단계와, 상기 하나 이상의 기판이 반도체 처리 챔버를 통해 병진 운동 경로를 따라 이동해 갈 때 상기 하나 이상의 기판을 회전시키는 단계와, 상기 하나 이상의 기판 표면 영역의 적어도 일부가 반도체 처리에 노출되도록 병진 운동 경로를 따르는 상기 하나 이상의 기판을 회전시킴과 동시에 상기 하나 이상의 기판 상에 반도체 처리를 수행하는 단계를 포함한다. 몇몇 실시예에서, 상기 기판은 비평면형이다. 입구와 출구 사이의 경로는 병진 운동 경로이다. 상기 하나 이상의 기판은 증가된 스루풋(throughput)을 위하여 복수개의 다른 기판과 함께 트레이 상에 적재된다. 회전 속도는 유형 및 처리 온도, 증착 재료, 필요한 증착 두께, 처리 챔버 내부의 대기 온도, 처리 챔버 내부의 진공 조건의 품질 및 필요한 증착 영역으로 구성된 리스트 중의 변수에 대한 함수로서 결정된다. 병진 운동 속도는 유형 및 처리 온도, 증착 재료, 필요한 증착 두께, 처리 챔버 내부의 대기 온도, 처리 챔버 내부의 진공 조건의 품질 및 필요한 증착 영역으로 구성된 리스트 중의 변수에 대한 함수로서 결정된다. 반도체 처리는 스퍼터 증착, 반응 스퍼터 증착 및 기화 증착을 포함하나 이에 제한되지 않는 리스트 중 어떤 것도 포함한다. 몇몇 실시예에서, 반도체 처리 챔버는 증착 챔버를 포함한다. 몇몇 실시예에서, 회전은 하나 이상의 기판을 길이 방향의 축 둘레로 회전시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에서, 반도체 장비를 형성하는 방법은 하나 이상의 비평면형 기판이 통과할 수 있는 입구와 출구를 구비한 반도체 처리 챔버를 제공하는 단계와, 상기 하나 이상의 비평면형 기판을 회전시키는 이동과; 상기 하나 이상의 비평면형 기판을 상기 반도체 처리 챔버를 통해 병진 운동 경로를 따라 병진 운동시키는 이동을 포함하며 상기 하나 이상의 비평면형 기판을 반도체 처리 챔버를 통해 이동시키는 단계와, 상기 하나 이상의 비평면형 기판이 상기 반도체 처리 챔버를 통과하여 이동함과 동시에 상기 비평면형 기판 상의 반도체 재료 층을 증착시키는 단계를 포함하고, 상기 층은 하나 이상의 비평면형 기판의 영역의 75% 이상을 둘러싼다. 입구와 출구 사이의 경로는 병진 운동 경로이다. 하나 이상의 비평면형 기판은 증가된 스루풋을 위하여 복수개의 다른 기판과 함께 트레이 상에 적재된다. 회전 속도는 유형 및 처리 온도, 증착 재료, 필요한 증착 두께, 처리 챔버 내부의 대기 온도, 처리 챔버 내부의 진공 조건의 품질 및 필요한 증착 영역으로 구성된 리스트 중의 변수에 대한 함수로서 결정된다. 병진 운동 속도는 유형 및 처리 온도, 증착 재료, 필요한 증착 두께, 처리 챔버 내부의 대기 온도, 처리 챔버 내부의 진공 조건의 품질 및 필요한 증착 영역으로 구성된 리스트 중의 변수에 대한 함수로서 결정된다. 반도체 처리는 스퍼터 증착, 반응 스퍼터 증착 및 기화 증착을 포함하나 이에 제한되지 않는 리스트 중 어떤 것도 포함한다. 몇몇 실시예에서, 반도체 처리 챔버는 증착 챔버를 포함한다. 몇몇 실시예에서, 회전은 하나 이상의 비평면형 기판을 길이 방향의 축 둘레로 회전시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 태양에서, 비평면형 표면 상에 재료를 증착시키는 방법은 하나 이상의 비평면형 기판이 통과할 수 있는 입구와 출구를 구비한 증착 챔버를 제공하는 단계와, 하나 이상의 비평면형 기판을 상기 증착 챔버를 통해 병진 운동 경로를 따라 이동시키는 단계와, 상기 비평면형 기판이 상기 증착 챔버를 통해 병진 운동 경로를 따라 이동해 갈 때 하나 이상의 기판을 회전시키는 단계와, 하나 이상의 비평면형 기판 표면 영역의 적어도 일부가 반도체 처리에 노출되도록 병진 운동 경로를 따르는 상기 하나 이상의 기판을 회전시킴과 동시에 상기 하나 이상의 비평면형 기판 상에 반도체 처리를 수행하는 단계를 포함한다. 상기 입구와 출구 사이의 경로는 병진 운동 경로이다. 상기 하나 이상의 비평면형 기판은 증가된 스루풋을 위하여 복수개의 다른 비평면형 기판과 함께 트레이 상에 적재된다. 회전 속도는 유형 및 처리 온도, 증착 재료, 필요한 증착 두께, 처리 챔버 내부의 대기 온도, 처리 챔버 내부의 진공 조건의 품질 및 필요한 증착 영역으로 구성된 리스트 중의 변수에 대한 함수로서 결정된다. 병진 운동 속도는 유형 및 처리 온도, 증착 재료, 필요한 증착 두께, 처리 챔버 내부의 대기 온도, 처리 챔버 내부의 진공 조건의 품질 및 필요한 증착 영역으로 구성된 리스트 중의 변수에 대한 함수로서 결정된다. 몇몇 실시예에서, 회전은 하나 이상의 기판을 길이 방향의 축 둘레로 회전시키는 단계를 포함한다.
다른 태양에서, 비평면형 기판 상에 가해지는 반도체 처리 장치는 하나 이상의 기판이 통과할 수 있는 입구와 출구를 구비한 반도체 처리 챔버와, 상기 반도체 처리 챔버를 통해 병진 운동 경로를 따라 하나 이상의 비평면형 기판을 이동시키는 수단과, 상기 하나 이상의 비평면형 기판이 상기 반도체 처리 챔버를 통해 병진 운동 경로를 따라 이동해 갈 때 상기 하나 이상의 비평면형 기판을 회전시키는 수단과, 상기 하나 이상의 비평면형 기판 표면 영역의 적어도 일부가 반도체 처리에 노출되도록 상기 병진 운동 경로를 따르는 상기 하나 이상의 비평면형 기판을 회전시킴과 동시에 상기 하나 이상의 기판 상에 반도체 처리를 수행하는 수단을 포함한다. 상기 입구와 출구 사이의 경로는 병진 운동 경로이다. 상기 하나 이상의 기판은 증가된 스루풋을 위하여 복수개의 다른 기판과 함께 트레이 상에 적재된다. 회전 속도는 유형 및 처리 온도, 증착 재료, 필요한 증착 두께, 처리 챔버 내부의 대기 온도, 처리 챔버 내부의 진공 조건의 품질 및 필요한 증착 영역으로 구성된 리스트 중의 변수에 대한 함수로서 결정된다. 병진 운동 속도는 유형 및 처리 온도, 증착 재료, 필요한 증착 두께, 처리 챔버 내부의 대기 온도, 처리 챔버 내부의 진공 조건의 품질 및 필요한 증착 영역으로 구성된 리스트 중의 변수에 대한 함수로서 결정된다. 반도체 처리는 스퍼터 증착, 반응 스퍼터 증착 및 기화 증착을 포함하는 리스트 중 하나이다. 몇몇 실시예에서, 반도체 처리 챔버는 증착 챔버를 포함한다. 몇몇 실시예에서, 회전은 하나 이상의 기판을 길이 방향의 축 둘레로 회전시키는 단계를 포함한다.
다른 태양에서, 반도체 처리 챔버는 하나 이상의 기판을 병진 방향으로 이동시키는 수단과, 하나 이상의 기판이 이동해 갈 때 동시적으로 상기 하나 이상의 기판을 회전시키는 수단을 포함한다.
본 출원은 비평면형 기판 상에 재료를 증착시키는 원리에 대하여 용이하게 이해될 수 있도록 상세하게 통합된 구체적인 실시예로 기술하였다. 다양한 도면에 도시되고 기술된 많은 구성들은 필수적인 결과를 달성하기 위하여 교체될 수 있고, 이러한 기재 내용은 마찬가지로 이러한 교체를 포함하는 것으로 읽힐 수 있다. 이와 같이, 본원에서 상세한 설명 및 특정한 실시예에 대한 참조 부호는 본원에 첨부된 청구 범위를 제한하지 않는다.
도 1A에는 실질적으로 평면인 반도체 기판 상에 재료를 증착시키 위한 종래 기술의 스퍼터 챔버가 도시된다.
도 1B에는 종래 기술의 증착 챔버가 도시된다.
도 2에는 본 개시 내용에 따른 비평면형 기판의 실시예가 도시된다.
도 3A에는 본 개시 내용에 따른 비평면형 기판이 처리 챔버(processing chamber) 안으로 설치되는 실시예가 도시된다.
도 3B에는 본 개시 내용에 따른 예시적인 회전 수단이 도시된다.
도 4에는 병진 운동 경로를 따라 회전해 가는 비평면형 기판을 구비한 처리 챔버의 예시적인 단면이 도시된다.
도 5A에는 비평면형 기판의 회전 및 병진에 대한 예시적인 조합이 도시된다.
도 5B에는 비평면형 기판의 회전 및 병진에 대한 예시적인 조합이 도시된다.
도 6A에는 본 발명의 대안적인 실시예가 도시된다.
도 6B에는 도 6A의 대안적인 실시예의 다른 태양이 도시된다.
도 7에는 비평면형 기판 상에 재료를 증착시키는 방법의 블록도가 도시된다.
반도체 장비의 제작에 있어서 비평면형 표면 상에 반도체 재료 및 다른 재료를 증착시키는 방법 및 장치가 본 명세서에 기술된다. 대개, 비평면형 반도체 기판 상에 재료를 증착시키는 것을 계획할 수 있다. 본 명세서와 청구범위에서 "기판"이라는 용어는 반도체 제작에 일반적으로 사용되는 재료가 그 위에 증착되는 실제 기저부를 지칭하거나 부분적으로 이미 증착된 재료를 하나 이상 구비하는 빌트업(built-up) 장비를 지칭한다. 본원의 명세서와 청구범위에서, "비평면형"이라는 용어는 구조가 실질적으로 평면이 아닌 임의의 기판(즉, 2차원의, 실질적으로 비교적 평평한 표면 상에 놓일 수 없는 것)을 지칭한다.
비평면형 표면의 예로 아치 형상부를 구비한 표면 또는 연결되는 하나 이상의 평평한 표면이 서로 다른 2차원 평면 좌표계에 존재하는 표면이 포함된다. 이러한 비평면형 표면은 "개방 표면"(즉, "시트") 또는 "폐쇄 표면"(즉, 특히, 로드, 튜브)을 포함할 수 있다. 이러한 폐쇄 표면은 사실상 속이 꽉찬 것(solid)[즉, 로드(rod)], 중공형(즉, 튜브)일 수 있고, 오목부를 갖는 표면을 포함할 수 있다(즉, 실린더). 폐쇄 표면은 임의의 단면 형상일 수 있고, 이러한 단면은 곡선형, 아치형, 선형 또는 이러한 것들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 단면 형상은 곡선 형상(즉, 원형 및 타원) 또는 임의의 직선 형상(사각형, 직사각형, 삼각형 도는 임의의 n-각형, 정다면체와 정다면체가 아닌 것)을 포함할 수 있다. 비평면형 형상체에 대한 앞선 예시들은 사실상 예시적인 것이고, 본 명세서를 읽는 독자라면 많은 상이한 비평면형 형상체가 가능함을 알 수 있으며, 이들은 본 명세서의 일부로 고려되어야 한다. 상기 형상은 원형, 타원형, 또는 매끄러운 곡선형 표면을 특징으로 하는 임의의 모양, 또는 매끄러운 곡선형 표면의 임의의 스플라이스(splice)일 수 있다. 상기 형상은 또한 삼각형, 직사각형, 오각형, 육각형 또는 임의의 개수의 선형 분할면을 갖는 다각형을 포함하는, 사실상 선형일 수 있다. 또는, 단면은 임의의 선형 표면, 아치형 표면 또는 곡선형 표면의 임의의 조합으로 경계지어 지는 것일 수 있다.
본 개시 내용은 튜브형 기판 상에 반도체를 증착시키는 것에 관하여 기술될 것이다. 그러나, 본 개시 내용의 교시가 광범위한 비평면형 표면 상에 유용한 재료를 증착시키는 다른 유형에도 직접적으로 적용될 수 있다는 것이 통상의 기술자에게 자명하다. 또한, 본 명세서의 교시는 반도체 증착에 관한 것이지만, 통상의 기술자라면 본 발명의 교시가 비평면형 광전지, 비평면형 LED, 금 도금, 크롬 도금 등의 제작을 포함하며 이에 제한되지 않는 다양한 비평면형 표면 상에 재료를 증착시키는 것이 필요한 기술에 직접적으로 적용될 수 있다는 것이 통상의 기술자에게 자명하다. 이하 본 발명의 상세한 설명은 단지 예시적인 것이고 권리범위를 제한하려는 의도로 작성된 것이 아니다. 본 개시 내용의 이점을 아는 통상의 기술자는 본 발명의 여러 실시예들을 쉽게 제안할 수 있을 것이다.
이하에서, 첨부 도면에 예시된 본 발명의 기구가 상세히 기술된다. 도면은 일정한 비례로 그려진 것이 아닐 수 있다. 동일 또는 유사한 구성 요소를 지시하는데에 동일한 도면 부호 표시가 도면 및 이하의 상세한 설명에 걸쳐 사용된다. 명료성을 위하여, 본원에 기술된 기구의 관례적으로 사용되는 형상부 모두를 도시하거나 기술하지는 않았다. 물론, 이러한 임의의 실제 기구를 개발하는데 있어서, 응용에의 유연성, 안전 규제 및 사업 관련 제약과 같은 개발자의 특정 목표를 달성하기 위하여 수많은 기구마다 구체적으로 결정되어야 할 것이며, 이러한 구체적인 목표는 기구마다, 개발자마다 다를 것이다. 또한, 이러한 개발 노력은 본 개시 내용의 이점을 갖는 기술에 있어서 통상의 기술자의 일상적인 책임 범위일 것이다.
도 2에는 비평면형 기판 상에 반도체 재료를 증착시키는 방법 및/또는 장치의 실시예가 도시된다. 비평면형 기판(205)은 수많은 모양 중 임의의 하나에 의하 여 경계지어진 단면을 특징으로 한다. 본원에 기술된 바와 같이, 원형 단면이 본 발명과 관련하여 기술되지만, 이는 단지 논의를 용이하게 하기 위한 것이고 어떤 비평면형 형상이라도 사용될 수 있다. 이 실시예에서, 비평면형 기판(205)은 그 몸체 내부가 중공이거나 오목부를 구비하는 것이다. 각각의 비평면형 기판(205)에 하나 이상의 주축(215)이 끼워진다. 주축(215)은 비평면형 기판(205)의 중공부 또는 오목부에 삽입된다. 몇몇 실시예에서, 주축(215)은 비평면형 기판(205)의 중공부 내에 결합됨으로써, 주축(215)과 비평면형 기판(205) 사이의 접촉 궤적(216)이 충분한 접촉을 유지하고, 바람직하지 않거나 계획되지 않은 회전을 유발할 수 있는 불필요한 미끄러짐 없이 세로축을 따라 비평면형 기판(205)의 회전을 가능하게 하는 충분한 토크가 달성되도록 한다. 주축이 회전할 때, 기판(205) 또한 회전한다. 주축의 접촉면은 매끄러울 수 있다. 어떤 경우, 주축의 중공 또는 오목한 형상부는 결합될 부품에 대응하는 패턴을 가질 수 있고, 주축은 결합될 부품에 대응하는 "잠금" 패턴을 가질 수 있다. 이 실시예에서, 기판 및 주축은 "짝지어 질(mated)" 수 있다. 잠금 패턴의 일 실시예는 이러한 잠금을 달성하는 결합하여 짝지어질 기어-티스(gear-teeth) 형상부에 대응하는 임의의 수의 "기어-티스"의 예시일다.
도 3A에는 비평면형 기판(205)이 처리를 위하여 트레이(210)에 적재된 것으로 도시된다. 트레이(210)는 챔버형 증착 시스템의 예시적인 챔버(300) 안에 적재될 비평면형 기판(205)을 운반하는 것으로 도시된다. 몇몇 실시예에서, 비평면형 기판(205)은 비평면형 기판의 표면이 트레이(210)의 상부면으로부터 상승되어 있도록 트레이(210)에 고정된다. 물론, 상기 기판의 상부면이 상기 트레이의 상부면 위로 상승되어 있을 필요는 없다. 상기 트레이의 상부면은 임의의 기판의 상부면 위에 있을 수 있고, 임의의 기판의 상부면 아래에 있을 수 있고, 또는 임의의 기판의 상부면과 일치할 수 있다. 물론, 기판은 또한 상기 트레이의 상부 높이에 대하여 어떤 방향으로든 여러 가지수의 방향으로 놓일 수 있다.
이 실시예의 예시적인 증착 챔버(300)는 스퍼터 증착 시스템, 반응성 스퍼터 증착 시스템, 기화 증착 시스템 또는 이들의 임의의 조합일 수 있고, 상기 시스템은 재료가 기판 상에 증착되는 하나 이상의 챔버와 하나 이상의 타겟 증착 재료를 구비한다. 대안적으로, 예시적인 증착 챔버(300)는 기판 상에 박막을 증착시키거나 성장시키는데 유용한 어떤 챔버라도 될 수 있다. 상기 챔버 내의 대기(atmospheres)는 (실제의 진공 챔버 내에서 통상적으로 일어나는 대기의 부족 상태를 포함하여) 광범위한 온도, 광범위한 압력 및 광범위한 화학 성질을 포함하는 반도체 처리를 가능케 하는 어떤 종류도 될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 챔버형 증착 시스템은 입구와 출구를 구비하고, 입구와 출구 사이의 경로는 비평면형 기판(205)이 이동해 가는 병진 운동 경로를 결정한다. 트레이(210)는 기술자에 의하여 수동으로 적재되거나 자동화 시스템 또는 임의의 다른 편리한 운행체에 의하여 적재될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 트레이(210)가 챔버(300)에 진입하고 상기 챔버(300)를 통과하여 병진할 때, 주축(215)이 세로축을 따라 비평면형 기판(205)을 회전시키기 시작한다. 챔버를 통한 병진 운동을 위하여 처리 시스템을 통하여 기판(들)을 병진 운동시키는 임의의 수단이 사용될 수 있지만, 예컨대, 선형 구동 기구(212)에 의하여 달성될 수 있다.
일 실시예에서, 트레이(210)는 선형 구동 기구(212)에 자성으로 결합될 수 있다. 이러한 경우, 트레이(210)는 챔버(300)와 물리적으로 접촉하지 않고, 이로써 개선된 균일한 증착을 달성할 수 있다.
도 3B는 비평면형 기판(205)이 챔버(300) 아래로 또는 챔버(300)를 통해 병진해가는 동안 비평면형 기판(205)을 회전시키는 회전 기구의 예시적인 실시예를 도시한다. 이 예시적인 실시예에서, 기어 및 풀리 시스템(220)은 주축(215)에 작동적으로 결합된다. 몇몇 실시예에서, 기어 및 풀리 시스템은 티스(221)를 포함한다. 선형 구동 기구(212)는 티스(221)에 대응되는 매칭 티스(213)(도 3A)를 구비한다. 몇몇 실시예에서, 트레이가 병진 방향으로 진행할 때, 기어 및 풀리 시스템(220) 상의 티스(221)가 선형 구동 기구(212) 내의 매칭 티스(213)에 맞물려, 기어 및 풀리 시스템(220)이 진행 경로를 따라 비평면형 기판(205)이 회전되게 한다. 이러한 회전은 비평면형 기판(205)의 전체 표면 상에 반도체 재료가 증착될 수 있도록 한다. 대안적으로, 비평면형 기판(205) 표면 중 미리 결정된 임의의 부분이 증착을 위해 노출될 수 있다. 대안적인 실시예에서, 미리 결정된 임의의 패턴이 표면 영역 상에 증착될 수 있다. 또한, 예시를 위한 다른 실시예에서 티스(220)가 주축(215)에 부착될 수 있다.
다른 실시예에서, 기어 풀리 시스템의 이중 세트가 사용될 수 있고, 단지 단일 추축을 구동시키는 것이 아니라 동시에 수많은 주축을 구동시키는데 사용될 수 있다. 또는, 회전을 달성하기 위하여 자성 시스템이 사용될 수 있다. 이 실시예에서, 회전 기구를 동력으로 가동시키는데 사용되는 힘은 기술된 기어 풀리 시스템 과 같이 물리적으로 연결된 동력원으로부터 발생된 것이 아니다. 주축은 물리적으로 자성 재료에 연결될 수 있다. 외부 자석이 제공되어 회전될 수 있고, 이에 따라 관련된 자장을 통하여 자성 재료에 외부 자석을 회전시키고, 주축과 기판을 물리적으로 회전시킨다.
다른 실시예에서, 기판은 구동 기구에 결합된 슬리브(sleeve) 내부에 끼워질 수 있다. 슬리브는 기판의 외부에 회전력을 부여한다.
다른 실시예에서, 기판의 단부는 롤러들 사이에 위치될 수 있다. 롤러는 기판 외부의 기판의 단부에서 기판에 회전을 부여한다. 앞선 두 개의 실시예에서, 롤러의 상호작용으로 인하여 기판의 단부가 반드시 증착되는 것은 아니다. 일부 용도에서, 단부에서 이러한 증착 재료가 결핍되어 있음으로써 필연적으로 증착의 목적이 완전히 달성되지 못하는 것은 아니며, 기판의 외부면에 힘을 가함으로써 기판을 회전시키는 것이 전체적으로 적합할 수 있다.
따라서, 통상의 기술자는 비평면형 기판(205)이 챔버(300)를 통과하여 병진 운동하는 동안 회전되는 최종적인 결과를 달성하기 위하여 다른 대안적인 수단 또는 회전 방법, 많은 대안적인 수단 또는 병진 방법이 본 명세서에 통합될 수 있음을 알 수 있다. 본 개시 내용은 상기 기판에 회전을 부여하는 다양한 유형의 기구를 포함한다고 해석되어야 한다.
도 4는 챔버(300)와 같은 제1 증착 챔버의 예시적인 단면을 도시한다. 예시를 위하여, 챔버(300)는 구리 이디움 갈륨 셀레나이드(Copper Indium Gallium Selenide, CIGS) 스퍼터 시스템의 제1 챔버이다. 아르곤과 같은 비활성 플라즈마 기체(305)가 흡기부(310)를 경유하여 챔버(300) 안에서 연소될 수 있다. 챔버에 들어가면, 플라즈마 기체 분자(305)가 스퍼터링 타겟(315)과 충돌한다. 예시적으로, 스퍼터 타겟(315, 316, 317)은 각각 셀레니움(Selenium), 구리 및 갈륨이다. 비활성 기체(305)가 타겟(315, 316, 317)에 충격을 가할 때, 타겟 재료의 분자를 열평형 상태가 되게 하고, 챔버(300) 내부의 모든 표면이 코팅되게 한다. 몇몇 실시예에서, 챔버(300)를 통과하여 병진할 때 비평면형 기판(205)이 그들의 세로축 주위를 계속해서 회전하여, 그들의 외부 표면 영역 전체가 스퍼터링 타켓(315, 316, 317)의 분자들에 의하여 코팅될 것이다. 챔버(300)를 통과하는 병진 운동 속도 뿐만 아니라 회전 속도도 다른 요인들 중에서 특히 대기 온도, 플라즈마 기체(305)의 온도와 운동 에너지 및 비평면형 기판(205) 위의 바람직한 코팅 두께, 스퍼터링 타겟 재료의 함수로서 미리 결정될 수 있다.
병진 및 회전 속도를 관리하고 제어하는데 제어 및 측정 시스템이 사용될 수 있다. 속도는 일정하거나 동적일 수 있다. 병진 운동 속도와 회전 속도 사이의 관계는 기어-풀리 시스템을 이용하는 시스템에 도시된 바와 같이 고정될 수 있다. 병진 운동 속도와 회전 속도 사이의 관계는, 자성으로 결합된 시스템에서 회전 속도를 변화시키는 것과 같이, 변할 수 있고 그리고/또는 제어될 수 있다. 병진 운동 속도 및 회전 속도는 결합적일 수 있고 또는 독립적일 수 있다. 각 기판이 개별적으로 회전할 때, 서로 다른 기판들 사이의 속도가 동일할 수 있다. 회전은 사실상 아날로그식일 수 있고, 또는 개별 단계에서 일어날 수 있다. 병진은 사실상 아날로그식일 수 있고, 또는 개별 단계에서 일어날 수 있다. 또한, 회전과 병진 모두가 아날로그식으로 개별적으로, 개별 단계로서 개별적으로, 또는 다양한 조합으로 일어날 수 있다.
도 5A 및 도 5B는 비평면형 기판(205)이 챔버(300)에 들어가서 통과하며 이동해 갈 때의 비평면형 기판(205)의 예시적인 회전과 병진의 조합을 도시한다. 몇몇 실시예에서, 비평면형 기판(205)은 트레이(210)에 고정된 주축(215)을 경유하는 세로축 둘레를 회전한다. 도 5A에서, 비평면형 기판(205)은 회전하면서 챔버(300)를 길이 방향으로 통과하며 병진한다. 예시적인 실시예 둘 다에서, 비평면형 기판(205)은 챔버(300)를 통과하여 병진하면서 동시적으로 및/또는 동시에 회전한다.
도 6A는 본 발명의 추가 실시예를 도시한다. 비평면형 기판(205)이 처리 챔버(300) 안에 개별적으로 적재된다. 이 실시예에서, 챔버(300)는 밀폐식으로 밀봉될 수 있는 도어(302)를 포함한다. 예시로서, 처리 챔버(300)는 CIGS 스퍼터 증착 챔버이다. 대안적으로, 처리 챔버(300)는 필요한 용도에 대한 처리 요건에 적합한 어떤 편리한 챔버라도 될 수 있다. 이 예시적인 실시예에서, 비평면형 기판(205)이 비평면형 기판(205) 몸체의 중공 부분 내부에서 주축(215)에 부착된다. 몇몇 실시예에서, 주축(215)은, 주축(215)과 비평면형 기판(205) 사이의 접촉이 충분한 접촉을 유지하여 바람직하지 않거나 계획되지 않은 회전을 유발할 수 있는 불필요한 미끄러짐 없이 비평면형 기판(205)의 회전을 가능하게 하는 충분한 토크가 달성되도록 비평면형 기판(205)의 중공 부분 내부에서 결합한다. 주축(215)은 비평면형 기판(205)으로부터 외부로 돌출한다. 이 대안적인 실시예에서, 챔버(300)의 입 구(610)는 챔버(300)의 길이를 따르는 트랙(620)에 개방된 인입구(615)를 포함한다. 인입구(615)는 비평면형 기판(205)에 부착된 주축(215)을 수납하도록 구성되는 것이 바람직하다. 주축(215)이 인입구(615) 안에 삽입될 때, 선형 구동 기구는 챔버(300)의 길이를 따라 병진을 수행한다. 몇몇 실시예에서, 선형 구동 기구는 또한 스퍼터 타겟의 분자들이 비평면형 기판(205)의 표면 전체에 노출되도록 세로축 둘레로 비평면형 기판(205)을 회전시킬 수 있다. 위에 기재된 바와 같이, 비평면형 기판(205)의 회전 속도 뿐만 아니라 병진 운동 속도는 비평면형 기판(205)의 표면 상의 바람직한 증착 두께, 챔버(300)의 대기 온도, 스퍼터링 기체의 운동 에너지 또는 타켓 물질의 물리적 성질의 함수일 수 있다. 도 6B는 챔버(300)의 병진 운동 경로를 따라 회전하는 비평면형 기판(205)을 도시한다.
도 7은 비평면형 기판 상에 재료를 증착시키는 방법에 대한 블록도이다. 단계(601)는 처리 챔버를 제공하는 단계를 포함한다. 처리 챔버는 스퍼터 증착 챔저, 반응 증착 챔버 또는 주어진 용도에 따라 요구되는 임의의 증착 챔버일 수 있다. 단계(602)는 비평면형 기판을 세로축 둘레로 회전시키는 수단을 제공하는 단계를 포함한다. 몇몇 실시예에서, 단계(602)는 단계(603)와 동시에 일어난다. 단계(603)는 비평면형 기판을 병진 운동 경로를 따라 이동시키는 단계를 포함한다. 병진 운동 경로는 처리 챔버의 입구와 출구 사이의 경로로 한정된다. 비평면형 기판은 길이 방향 또는 폭 방향 중 하나의 경로를 따라 병진할 수 있다. 단계(604)는 하나 이상의 반도체 처리 단계를 수행하는 단계를 포함한다. 몇몇 실시예에서, 하나 이상의 반도체 처리 단계(604)를 수행하는 단계는 단계(602) 및 단계(603)와 동시적으로 행해진다.
작동시, 본 발명은 비평면형 기판이 처리 챔버의 병진 운동 경로를 따라 이동해 갈 때 비평면형 기판을 회전시킴으로써 비평면형 반도체 장비를 제작하는데 사용될 수 있다. 회전 및 병진은 선형 구동 기구와 기어 및 풀리 기구를 포함하나 이에 제한되지 않고 임의의 공지된 수단 또는 편리한 수단에 의하여 달성될 수 있다. 회전 및 병진 운동의 조합은 처리되는 동안 비평면형 기판의 외부면 상에 재료를 증착시키는데 제공된다. 대안적으로, 이러한 회전 및 병진 처리 시스템은 파우더코팅(powdercoating), 크롬 도금 또는 다른 금속 도금에 적용될 수 있다. 반도체 관련 응용에 있어서, 튜브형 기판은 관형, 비평면형 발광 다이오드(LED) 안에서 처리될 수 있다. 또한, 예시로서, 관형 기판은 비평면형 광전지 안에서 처리될 수 있다. 이러한 광전지는 더 많은 전류의 발생을 위하여 태양 광선의 입사를 위한 대형 표면적을 가질 수 있다.

Claims (39)

  1. 기판 상에 가해지는 반도체 처리 방법이며,
    하나 이상의 기판이 통과할 수 있는 입구와 출구를 구비한 반도체 처리 챔버를 제공하는 단계와,
    상기 반도체 처리 챔버를 통해 병진 운동 경로를 따라 하나 이상의 기판을 이동시키는 단계와,
    상기 하나 이상의 기판이 상기 반도체 처리 챔버를 통해 병진 운동 경로를 따라 이동해 갈 때 상기 하나 이상의 기판을 회전시키는 단계와,
    상기 하나 이상의 기판 표면 영역의 적어도 일부가 반도체 처리에 노출되도록 병진 운동 경로를 따르는 상기 하나 이상의 기판을 회전시킴과 동시에 상기 하나 이상의 기판 상에 반도체 처리를 수행하는 단계를 포함하는, 기판 상에 가해지는 반도체 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판은 비평면형인, 기판 상에 가해지는 반도체 처리 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 입구와 출구 사이의 경로는 상기 병진 운동 경로인, 기판 상에 가해지는 반도체 처리 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 기판은 증가된 스루풋을 위하여 복수개의 다른 기판과 함께 트레이 상에 적재되는, 기판 상에 가해지는 반도체 처리 방법.
  5. 제1항에 있어서, 회전 속도는 유형 및 처리 온도, 증착 재료, 필요한 증착 두께, 처리 챔버 내부의 대기 온도, 처리 챔버 내부의 진공 조건의 품질 및 필요한 증착 영역으로 구성된 리스트 중의 변수에 대한 함수로서 결정되는, 기판 상에 가해지는 반도체 처리 방법.
  6. 제1항에 있어서, 병진 운동 속도는 유형 및 처리 온도, 증착 재료, 필요한 증착 두께, 처리 챔버 내부의 대기 온도, 처리 챔버 내부의 진공 조건의 품질 및 필요한 증착 영역을 포함하는 리스트 중의 변수에 대한 함수로서 결정되는, 기판 상에 가해지는 반도체 처리 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 반도체 처리는 스퍼터 증착, 반응 스퍼터 증착 및 기화 증착을 포함하는 리스트 중 하나인, 기판 상에 가해지는 반도체 처리 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 반도체 처리 챔버는 증착 챔버를 포함하는, 기판 상에 가해지는 반도체 처리 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 회전은 하나 이상의 기판을 길이 방향의 축 둘레로 회 전시키는 단계를 포함하는, 기판 상에 가해지는 반도체 처리 방법.
  10. 반도체 장비를 형성하는 방법이며,
    하나 이상의 비평면형 기판이 통과할 수 있는 입구와 출구를 구비한 반도체 처리 챔버를 제공하는 단계와,
    ⅰ) 상기 하나 이상의 비평면형 기판을 회전시키는 이동과; ⅱ) 상기 하나 이상의 비평면형 기판을 상기 반도체 처리 챔버를 통해 병진 운동 경로를 따라 병진 운동시키는 이동을 포함하여 상기 하나 이상의 비평면형 기판을 반도체 처리 챔버를 통해 이동시키는 단계와,
    상기 하나 이상의 비평면형 기판이 상기 반도체 처리 챔버를 통과하여 이동함과 동시에 상기 비평면형 기판 상에 반도체 재료의 층을 증착시키는 단계를 포함하고,
    상기 층은 상기 하나 이상의 비평면형 기판의 영역의 75% 이상을 둘러싸는, 반도체 장비를 형성하는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 입구와 출구 사이의 경로는 상기 병진 운동 경로인, 반도체 장비를 형성하는 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 하나 이상의 비평면형 기판은 증가된 스루풋을 위하여 복수개의 다른 기판과 함께 트레이 상에 적재되는, 반도체 장비를 형성하는 방 법.
  13. 제10항에 있어서, 회전 속도는 유형 및 처리 온도, 증착 재료, 필요한 증착 두께, 처리 챔버 내부의 대기 온도, 처리 챔버 내부의 진공 조건의 품질 및 필요한 증착 영역으로 구성된 리스트 중의 변수에 대한 함수로서 결정되는, 반도체 장비를 형성하는 방법.
  14. 제10항에 있어서, 병진 운동 속도는 유형 및 처리 온도, 증착 재료, 필요한 증착 두께, 처리 챔버 내부의 대기 온도, 처리 챔버 내부의 진공 조건의 품질 및 필요한 증착 영역을 포함하는 리스트 중의 변수에 대한 함수로서 결정되는, 반도체 장비를 형성하는 방법.
  15. 제10항에 있어서, 상기 반도체 처리 챔버는 증착 챔버를 포함하는, 반도체 장비를 형성하는 방법.
  16. 제10항에 있어서, 상기 회전은 상기 하나 이상의 기판을 길이 방향의 축둘레로 회전시키는 단계를 포함하는, 반도체 장비를 형성하는 방법.
  17. 비평면형 표면 상에 재료를 증착시키는 방법이며,
    하나 이상의 비형면형 기판이 통과할 수 있는 입구와 출구를 구비한 증착 챔 버를 제공하는 단계와,
    하나 이상의 비평면형 기판을 상기 증착 챔버를 통해 병진 운동 경로를 따라 이동시키는 단계와,
    상기 하나 이상의 기판이 상기 증착 챔버를 통해 병진 운동 경로를 따라 이동해 갈 때 상기 하나 이상의 비평면형 기판을 회전시키는 단계와,
    상기 하나 이상의 비평면형 기판 표면 영역의 적어도 일부가 반도체 처리에 노출되도록 병진 운동 경로를 따르는 하나 이상의 비평면형 기판을 회전시킴과 동시에 상기 하나 이상의 기판 상에 반도체 처리를 수행하는 단계를 포함하는, 비평면형 표면 상에 재료를 증착시키는 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 입구와 출구 사이의 경로는 상기 병진 운동 경로인, 비평면형 표면 상에 재료를 증착시키는 방법.
  19. 제17항에 있어서, 상기 하나 이상의 비평면형 기판은 상기 하나 이상의 기판은 증가된 스루풋을 위하여 복수개의 다른 기판과 함께 트레이 상에 적재되는, 비평면형 표면 상에 재료를 증착시키는 방법.
  20. 제17항에 있어서, 회전 속도는 유형 및 처리 온도, 증착 재료, 필요한 증착 두께, 처리 챔버 내부의 대기 온도, 처리 챔버 내부의 진공 조건의 품질 및 필요한 증착 영역으로 구성된 리스트 중의 변수에 대한 함수로서 결정되는, 비평면형 표면 상에 재료를 증착시키는 방법.
  21. 제17항에 있어서, 병진 운동 속도는 유형 및 처리 온도, 증착 재료, 필요한 증착 두께, 처리 챔버 내부의 대기 온도, 처리 챔버 내부의 진공 조건의 품질 및 필요한 증착 영역을 포함하는 리스트 중의 변수에 대한 함수로서 결정되는, 비평면형 표면 상에 재료를 증착시키는 방법.
  22. 제17항에 있어서, 상기 회전은 하나 이상의 기판을 길이 방향의 축 둘레로 회전시키는 단계를 포함하는, 비평면형 표면 상에 재료를 증착시키는 방법.
  23. 비평면형 기판 상에 가해지는 반도체 처리 장치이며,
    하나 이상의 기판이 통과할 수 있는 입구와 출구를 구비한 반도체 처리 챔버와,
    상기 반도체 처리 챔버를 통해 병진 운동 경로를 따라 하나 이상의 비평면형 기판을 이동시키는 수단과,
    상기 하나 이상의 비평면형 기판이 상기 반도체 처리 챔버를 통해 병진 운동 경로를 이동해 갈 때 상기 하나 이상의 비평면형 기판을 회전시키는 수단과,
    상기 하나 이상의 비평면형 기판 표면 영역의 적어도 일부가 반도체 처리에 노출되도록 상기 병진 운동 경로를 따르는 상기 하나 이상의 비평면형 기판을 회전시킴과 동시에 상기 하나 이상의 기판 상에 반도체 처리를 수행하는 수단을 포함하 는, 비평면형 기판 상에 가해지는 반도체 처리 장치.
  24. 제23항에 있어서, 상기 입구와 출구 사이의 경로는 상기 병진 운동 경로인, 비평면형 기판 상에 가해지는 반도체 처리 장치.
  25. 제23항에 있어서, 상기 하나 이상의 기판은 증가된 스루풋을 위하여 복수개의 다른 기판과 함께 트레이 상에 적재되는, 비평면형 기판 상에 가해지는 반도체 처리 장치.
  26. 제23항에 있어서, 회전 속도는 유형 및 처리 온도, 증착 재료, 필요한 증착 두께, 처리 챔버 내부의 대기 온도, 처리 챔버 내부의 진공 조건의 품질 및 필요한 증착 영역으로 구성된 리스트 중의 변수에 대한 함수로서 결정되는, 비평면형 기판 상에 가해지는 반도체 처리 장치.
  27. 제23항에 있어서, 병진 운동 속도는 유형 및 처리 온도, 증착 재료, 필요한 증착 두께, 처리 챔버 내부의 대기 온도, 처리 챔버 내부의 진공 조건의 품질 및 필요한 증착 영역을 포함하는 리스트 중의 변수에 대한 함수로서 결정되는, 비평면형 기판 상에 가해지는 반도체 처리 장치.
  28. 제23항에 있어서, 상기 반도체 처리는 스퍼터 증착, 반응 스퍼터 증착 및 기 화 증착을 포함하는 리스트 중 하나인, 비평면형 기판 상에 가해지는 반도체 처리 장치.
  29. 제23항에 있어서, 상기 반도체 처리 챔버는 증착 챔버를 포함하는, 비평면형 기판 상에 가해지는 반도체 처리 장치.
  30. 제23항에 있어서, 상기 회전은 하나 이상의 기판을 길이 방향의 축 둘레로 회전시키는 단계를 포함하는, 비평면형 기판 상에 가해지는 반도체 처리 장치.
  31. 비평면형 기판 상에 가해지는 반도체 처리 장치이며,
    하나 이상의 기판이 통과할 수 있는 입구와 출구를 구비한 반도체 처리 챔버와,
    상기 반도체 처리 챔버를 통해 병진 운동 경로를 따라 하나 이상의 비평면형 기판을 이동시키는 이동 기구와,
    상기 하나 이상의 비평면형 기판이 상기 반도체 처리 챔버를 통해 병진 운동 경로를 이동해 갈 때 상기 하나 이상의 비평면형 기판을 회전시키는 회전 기구와,
    상기 하나 이상의 비평면형 기판 표면 영역의 적어도 일부가 반도체 처리에 노출되도록 상기 병진 운동 경로를 따르는 상기 하나 이상의 비평면형 기판을 회전시킴과 동시에 상기 하나 이상의 기판 상에 반도체 처리를 수행하기 위한 상기 반도체 처리 챔버에 결합된 반도체 처리 모듈을 포함하는, 비평면형 기판 상에 가해 지는 반도체 처리 장치.
  32. 제31항에 있어서, 상기 입구와 출구 사이의 경로는 상기 병진 운동 경로인, 비평면형 기판 상에 가해지는 반도체 처리 장치.
  33. 제31항에 있어서, 상기 하나 이상의 기판은 증가된 스루풋을 위하여 복수개의 다른 기판과 함께 트레이 상에 적재되는, 비평면형 기판 상에 가해지는 반도체 처리 장치.
  34. 제31항에 있어서, 회전 속도는 유형 및 처리 온도, 증착 재료, 필요한 증착 두께, 처리 챔버 내부의 대기 온도, 처리 챔버 내부의 진공 조건의 품질 및 필요한 증착 영역으로 구성된 리스트 중의 변수에 대한 함수로서 결정되는, 비평면형 기판 상에 가해지는 반도체 처리 장치.
  35. 제31항에 있어서, 병진 운동 속도는 유형 및 처리 온도, 증착 재료, 필요한 증착 두께, 처리 챔버 내부의 대기 온도, 처리 챔버 내부의 진공 조건의 품질 및 필요한 증착 영역을 포함하는 리스트 중의 변수에 대한 함수로서 결정되는, 비평면형 기판 상에 가해지는 반도체 처리 장치.
  36. 제31항에 있어서, 상기 반도체 처리는 스퍼터 증착, 반응 스퍼터 증착 및 기 화 증착을 포함하는 리스트 중 하나인, 비평면형 기판 상에 가해지는 반도체 처리 장치.
  37. 제31항에 있어서, 상기 반도체 처리 챔버는 증착 챔버를 포함하는, 비평면형 기판 상에 가해지는 반도체 처리 장치.
  38. 제31항에 있어서, 상기 회전은 하나 이상의 기판을 길이 방향의 축 둘레로 회전시키는 단계를 포함하는, 비평면형 기판 상에 가해지는 반도체 처리 장치.
  39. 반도체 처리 챔버이며,
    하나 이상의 기판을 병진 방향으로 이동시키는 수단과,
    하나 이상의 기판이 이동해 갈 때 동시에 상기 하나 이상의 기판을 회전시키는 수단을 포함하는, 반도체 처리 챔버.
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090011573A1 (en) * 2007-07-02 2009-01-08 Solyndra, Inc. Carrier used for deposition of materials on a non-planar surface
US20090084219A1 (en) * 2007-09-10 2009-04-02 Ross-Hime Designs, Inc. Robotic manipulator
CN102598286A (zh) * 2009-09-06 2012-07-18 张晗钟 管状光伏器件和制造方法
US8087380B2 (en) * 2009-10-30 2012-01-03 Intevac, Inc. Evaporative system for solar cell fabrication
TW201200628A (en) * 2010-06-29 2012-01-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Coating apparatus
US9178093B2 (en) 2011-07-06 2015-11-03 Flextronics Ap, Llc Solar cell module on molded lead-frame and method of manufacture
CN103866249A (zh) * 2012-12-13 2014-06-18 中国科学院大连化学物理研究所 一种磁控溅射装置及其应用
CN104213094A (zh) * 2013-06-04 2014-12-17 金弼 一种真空镀膜装置
US9300169B1 (en) 2013-06-26 2016-03-29 Cameron M. D. Bardy Automotive roof rack with integral solar cell array
BE1022358B1 (nl) 2014-07-09 2016-03-24 Soleras Advanced Coatings Bvba Sputterinrichting met bewegend doelwit
JP6451030B2 (ja) * 2015-01-26 2019-01-16 株式会社昭和真空 成膜装置
US9963778B2 (en) 2015-05-07 2018-05-08 International Business Machines Corporation Functionally graded material by in-situ gradient alloy sputter deposition management
KR102651054B1 (ko) * 2016-02-22 2024-03-26 삼성디스플레이 주식회사 전사 장치, 이를 이용한 전사 방법 및 표시 장치
CN108385068B (zh) * 2018-02-05 2019-12-31 信利光电股份有限公司 一种曲面盖板的镀膜装置、镀膜方法和可读存储介质
CN110007539B (zh) * 2019-05-22 2021-09-21 江苏铁锚玻璃股份有限公司 高效均匀变色的曲面电致变色透明器件及其制备方法
BE1027427B1 (nl) * 2019-07-14 2021-02-08 Soleras Advanced Coatings Bv Bewegingssystemen voor sputter coaten van niet-vlakke substraten

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5022840A (ko) * 1973-06-28 1975-03-11
US3990914A (en) * 1974-09-03 1976-11-09 Sensor Technology, Inc. Tubular solar cell
US4114330A (en) * 1976-11-04 1978-09-19 Kawneer Company, Inc. Skylight system
FR2401290A1 (fr) 1977-08-25 1979-03-23 Saint Gobain Dispositif de montage de capteurs solaires sur les batiments
US4225638A (en) * 1979-04-16 1980-09-30 The D. L. Auld Company Method and apparatus for flow coating with suck-back control
US4451507A (en) * 1982-10-29 1984-05-29 Rca Corporation Automatic liquid dispensing apparatus for spinning surface of uniform thickness
DE3306870A1 (de) * 1983-02-26 1984-08-30 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Vorrichtung zum herstellen von schichten mit rotationssymmetrischem dickenprofil durch katodenzerstaeubung
JPH06102829B2 (ja) * 1984-03-28 1994-12-14 日電アネルバ株式会社 放電反応処理装置
US4620985A (en) * 1985-03-22 1986-11-04 The D. L. Auld Company Circumferential groove coating method for protecting a glass bottle
JPH0791642B2 (ja) * 1986-10-15 1995-10-04 石川島播磨重工業株式会社 表面処理装置
US4851095A (en) * 1988-02-08 1989-07-25 Optical Coating Laboratory, Inc. Magnetron sputtering apparatus and process
US5174881A (en) * 1988-05-12 1992-12-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Apparatus for forming a thin film on surface of semiconductor substrate
US5055036A (en) 1991-02-26 1991-10-08 Tokyo Electron Sagami Limited Method of loading and unloading wafer boat
US5215420A (en) * 1991-09-20 1993-06-01 Intevac, Inc. Substrate handling and processing system
JP3322912B2 (ja) 1992-08-17 2002-09-09 東京エレクトロン株式会社 ウエハボート回転装置及びこれを用いた熱処理装置
US5705321A (en) 1993-09-30 1998-01-06 The University Of New Mexico Method for manufacture of quantum sized periodic structures in Si materials
US5373839A (en) 1994-01-05 1994-12-20 Hoang; Shao-Kuang Solar collector assembly for a solar heating system
US5588996A (en) * 1994-04-01 1996-12-31 Argus International Apparatus for spray coating flat surfaces
JP2665202B2 (ja) 1995-05-31 1997-10-22 九州日本電気株式会社 半導体ウェハ処理装置
US5626207A (en) 1995-10-23 1997-05-06 Micron Technology, Inc. Manual wafer lift
US6018383A (en) * 1997-08-20 2000-01-25 Anvik Corporation Very large area patterning system for flexible substrates
US6086362A (en) 1998-05-20 2000-07-11 Applied Komatsu Technology, Inc. Multi-function chamber for a substrate processing system
US6079693A (en) 1998-05-20 2000-06-27 Applied Komatsu Technology, Inc. Isolation valves
US6530340B2 (en) 1998-11-12 2003-03-11 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus for manufacturing planar spin-on films
US6662673B1 (en) 1999-04-08 2003-12-16 Applied Materials, Inc. Linear motion apparatus and associated method
US6460369B2 (en) 1999-11-03 2002-10-08 Applied Materials, Inc. Consecutive deposition system
US6499426B1 (en) 1999-12-10 2002-12-31 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. System and method for coating non-planar surfaces of objects with diamond film
US20020083739A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-04 Pandelisev Kiril A. Hot substrate deposition fiber optic preforms and preform components process and apparatus
US6732551B2 (en) * 2001-05-04 2004-05-11 Corning Incorporated Method and feedstock for making silica
US7415844B2 (en) * 2001-06-25 2008-08-26 Prysmian Cavi E Sistemi Energia S.R.L. Device for manufacturing a preform for optical fibres through chemical deposition
JPWO2003003441A1 (ja) 2001-06-28 2004-10-21 信越半導体株式会社 アニールウェーハの製造方法及びアニールウェーハ
US6681716B2 (en) 2001-11-27 2004-01-27 General Electric Company Apparatus and method for depositing large area coatings on non-planar surfaces
US20030154923A1 (en) * 2002-02-19 2003-08-21 Innovative Technology Licensing, Llc Mechanical translator with ultra low friction ferrofluid bearings
US7600349B2 (en) * 2003-02-26 2009-10-13 Unirac, Inc. Low profile mounting system
US7441379B2 (en) * 2003-06-27 2008-10-28 Konvin Associates Limited Partnership Light transmission panels, retaining clip and a combination thereof
US7313893B2 (en) * 2003-11-13 2008-01-01 Extech/Exterior Technologies, Inc. Panel clip assembly for use with roof or wall panels
US20060201074A1 (en) 2004-06-02 2006-09-14 Shinichi Kurita Electronic device manufacturing chamber and methods of forming the same
GB2417251A (en) * 2004-08-18 2006-02-22 Nanofilm Technologies Int Removing material from a substrate surface using plasma
US7661234B2 (en) * 2005-08-10 2010-02-16 Extech/Exterior Technologies, Inc. Reduced friction fastening clip assembly for use with standing seam roof or wall panel systems
JP2007077478A (ja) * 2005-09-16 2007-03-29 Sony Corp 成膜方法及び成膜装置

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