CN101681844A - 在非平面表面上沉积材料的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种将材料沉积至非平面表面上的方法。该方法通过在非平面衬底沿着加工腔的平移路径移动时旋转该非平面衬底来实施。在非平面衬底沿加工腔旋转并同时移动时，该旋转将该非平面衬底的全部表面区域或任意期望的表面区域部分暴露于沉积加工，从而实现所需的均匀沉积。或者，任意预定的样本均可暴露至非平面衬底的表面上。这种方法可以制造非平面半导体装置，包括但不限于非平面发光二极管、非平面光伏电池等。

Description

在非平面表面上沉积材料的方法
相关申请
本申请依据35U.S.C.§119(e)要求于2007年4月5日提交的名为“在非平面表面上沉积材料的方法(Method of Depositing Materials on a Non-planar Sur-face)”、申请号为60/922,290的共同未决的美国临时专利申请的优先权，在此将其通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及半导体加工装置和技术。具体而言，本发明涉及使用平移和旋转几何学在非平面表面上进行半导体加工。
背景技术
在许多传统半导体加工技术中，具体的加工步骤通常利用平面移动来进行。例如，多数集成电路(IC)典型地由只使用平面移动的机器来制造。这是因为多数传统IC的内含结构几乎总是平面的。因此，必要的沉积、掺杂和划线步骤差不多都是由装置使用平面移动或是由IC在x或y方向上移动来进行。
这样，半导体加工步骤可以在装配线基础上由不同装置和/或衬底移动穿过半导体机器的不同部件来进行。如上所述，这样的半导体加工步骤可以包括例如物理沉积、化学沉积、反应性溅射沉积或分子束外延沉积的沉积步骤。前述沉积类型的所有变体都应被视作这样的半导体加工步骤。
应当理解，在此描述的半导体技术都为人们所知，并且在具有平面特征的半导体装置的共同基础上实施。因此，可以容易并便宜地在平面衬底和/或IC上产生不同层，但这只能在对应的半导体装置实际为平面的情况下。
因而，在当前的传统实践中，半导体制造技术和/或加工步骤，例如沉积、蒸发和划线，虽然为人们所知，但通常限制在那些基本上平面的衬底上操作。例如，图1A显示了实例性现有技术的溅射沉积腔10。溅射沉积是一种通过将一块源材料12溅射在衬底11上而在衬底11上沉积薄膜的方法。溅射沉积通常在真空中进行。喷射在气相中的溅射原子并不处于热力平衡状态，而往往是在真空腔中在所有表面上沉积。在腔中放置的衬底(例如，晶圆)将被涂覆源材料12的薄膜。溅射通常与氩等离子体或等离子状态下的其它惰性气体以及目标材料(即，半导体材料、金属材料、或缓冲材料)一起发生。
如图1B所示，蒸发沉积是另一种薄膜沉积的常规方法。源材料12暴露于高温中，从而材料在真空中蒸发。该真空允许蒸气颗粒直接行进至目标衬底，在衬底上蒸气重新凝结为固体状态。
附图简述
图1A显示将材料沉积在大致平面的半导体衬底上的现有技术溅射腔。
图1B显示现有技术的蒸发沉积腔。
图2显示依据本发明公开内容的非平面衬底的实施例。
图3A显示依据本发明公开内容加载在加工腔中的非平面衬底的实施例。
图3B显示依据本发明公开内容的示例性旋转装置。
图4显示其中非平面衬底沿平移路径旋转移动的加工腔的示例性横截面。
图5A显示非平面衬底的旋转和平移的示例性结合。
图5B显示非平面衬底的旋转和平移的示例性结合。
图6A显示本发明的其它实施方案。
图6B显示图6A的其它实施方案的另一方面。
图7显示在非平面衬底上沉积材料的方法的流程图。
发明详述
在此描述了在制造半导体装置的过程中将半导体材料和其它材料沉积在非平面表面上的装置和装置。一般地，设想将材料沉积在非平面半导体衬底上。在本说明书和权利要求书中，术语“衬底”是指在其上沉积半导体常用制造材料的实际基底，或者具有已经沉积的一种或多种材料的部分完成的装置。在说明书和权利要求书中，术语“非平面”是指结构上基本不是平面的任何衬底(即，在二维的基本相对平坦的面上基本不能平放的衬底)。
非平面表面的实例包括具有弓形特征的表面，或者具有在不同二维平面上连结的多个平面的表面。这样的非平面表面可以包括“打开表面”(即，“片”)或“闭合表面”(即，杆、管、或其它)。这样的闭合表面可以是实心的(即，杆)、空心的(即，管)，以及可以包括具有凹陷(即，圆柱体)的那些表面。所述闭合表面可以具有任意横截面的几何形状，并且这样的横截面可以包括曲线特征、弓形特征、线性特征、或其任何结合。所述横截面几何形状可以包括曲线几何形状(即，圆形和卵形)，或任意线性几何形状(正方形、矩形、三角形、或任意n面几何形状，规则的和不规则的几何形状)。上述非平面几何形状的例子是示例性的，并且读者将认识到许多不同的非平面几何形状也应当被认为是本说明书的一部分。所述形状可以是圆形、卵形、或任意具有平滑曲面特征的形状、或平滑曲面的任何拼接。所述形状也可以实际上是线性的，包括三角形、矩形、五角形、六边形、或者具有任意数量的线性分段表面。或者，横截面可以由线性表面、弓形表面或曲面的任意组合限定形成。
本发明公开内容将以在管状衬底上进行半导体沉积来描述。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明公开内容的教导可以直接应用于将其它类型的有用材料沉积在多种非平面表面上。此外，这里的教导涉及半导体沉积，但对于本领域技术人员而言是显而易见的是，本发明的教导可以直接应用于需要在多种非平面表面上沉积材料的技术，包括但不限于，制造非平面光伏电池、非平面LED、镀金、镀铬等等。本发明的以下详细描述仅是示例性的，而不以任何形式限定本发明。本发明的其它实施方案将使本领域技术人员很容易了解本发明公开内容的优点。
以下将参照附图详细描述本发明的实施。附图可能不是按比例的。在附图以及说明书的以下详细描述中相同或类似的元件将使用相同的附图标记。为了清楚起见，没有示出和描述在此所述的实施中的所有常规特征。当然，可以理解，在任何这样的实际实施的开发中，必须做出许多与具体实施相关的决定，以实现开发者的具体目标，例如依从应用、安全规定和与经营有关的限制，也可以理解，这些具体目标随实施的不同以及开发者的不同而变化。另外，可以理解，对于本领域技术人员而言，在本发明公开的基础上这样的开发努力将是常规操作。
图2显示了在非平面衬底上沉积半导体材料的方法和/或装置的实例。非平面衬底205的特征在于其横截面由多个形状的任意一个来界定。如上所述，仅为了讨论的方便，结合所述发明来描述圆形横截面，但是也可以使用任意非平面几何形状。在本实施方案中，非平面衬底205是中空的，或者具有凹陷。每个非平面衬底205装配有至少一个心轴215。心轴215被插入非平面衬底205的中空部分或者凹陷中。在一些实施方案中，心轴215连结在非平面衬底205的中空部分中，从而使心轴215和非平面衬底205之间的接触点216保持足够的接触并产生足够的扭矩以允许非平面衬底205沿纵轴旋转而不会产生不必要的滑动，该不必要的滑动可能会引起不期望的或计划外的旋转。随着心轴的旋转，衬底205也旋转。心轴的接触表面可以是光滑的。在一种情况下，心轴的中空或凹陷特性可能具有与其相关的结构，并且心轴也可以具有与其相关的“锁定”结构。在这个实例中，衬底和心轴可以是“配合的”。锁定结构的一个实例是与形成该锁定的配合的齿轮齿特性有关的任意数量“齿轮齿”实例。
如图3A所示，所示的非平面衬底205加载在托盘210上以用于加工。所示的托盘210承载着将加载到腔室沉积系统的示例性腔300中的非平面衬底205。在一些实施方案中，非平面衬底205被固定到托盘210上，从而使非平面衬底的表面高于托盘210的顶面。当然，衬底的顶面不一定必须高于托盘顶面。托盘的顶面可以高于任意衬底的顶面、低于任意衬底的顶面、或者与任意衬底的顶面重合。当然，衬底也可以具有相对于托盘顶水平面的任意数量的定向，和相对于托盘顶水平面的任意数量的其它定向。
在这个实例中的示例性沉积腔300可以是溅射沉积系统、反应性溅射沉积系统、蒸发沉积系统，或上述系统的任意组合，其中所述系统具有至少一个腔，在该腔中材料沉积在衬底上；和至少一个目标沉积材料。可选地，示例性沉积腔300可以是任意用于在衬底上沉积或长出薄膜的腔。腔中的空气可以是利于半导体加工的任何类型，包括宽范围的温度、宽范围的压力、和宽范围的化学特性(包括缺少空气，如在真正的真空腔中常见的)。
在一些实施方案中，有腔的沉积系统具有入口和出口，其中入口和出口之间的路径确定非平面衬底205行进的平移路径。托盘210能够由技术人员手动加载，或由自动系统加载，或由任意其它的便利工具加载。在一些实施方案中，因为托盘210进入腔300并平移通过该腔，心轴215开始沿它们的纵轴旋转非平面衬底205。穿过腔的平移移动可由，例如，线性驱动机构212实施，虽然任何装置可用于将衬底平移穿过处理系统。
在一个实施方案中，托盘210能够磁耦合线性驱动机构212。在这种情况下，托盘不会物理性接触腔300，这可以导致更均匀的沉积。
图3B显示了用于在非平面衬底205平移或穿过腔300时旋转非平面衬底205的旋转机构的示例性实施方案。在这个示例性实施方式中，齿轮和滑轮系统可操作地连接心轴215。在一些实施方案中，齿轮和滑轮系统包括齿221。对应于齿221，线性驱动机构212具有匹配齿213(图3A)。在一些实施方案中，当托盘在平移方向上连续移动时，齿轮和滑轮系统220上的齿221啮合线性驱动机构212中的匹配齿213，使得齿轮和滑轮系统220能沿着平移路径旋转非平面衬底205。这样的旋转使得半导体材料沉积在非平面衬底205的整个表面区域。可选地，非平面衬底205表面区域的任意预定部分能够暴露于沉积。在另一可选实施方案中，任意预定的样本均能够沉积至表面区域上。进一步示例，在另一个实施方案中，齿220能够固定于心轴215。
在另一实施方案中，可以使用两套齿轮滑轮系统，并且该两套齿轮滑轮系统不仅仅用于驱动单个心轴，而是可以同时驱动多个心轴。或者，可以用磁性系统实现该旋转。在这个实施方案中，用于为旋转机构供能的力不是来自物理性连接源(例如，所述的齿轮滑轮系统)。心轴可以物理性连接到磁性材料。可以设置并旋转外磁，从而将外磁的旋转通过有关的磁场传给磁性材料，在磁场中旋转被物理性地传给心轴和衬底。
在又一实施方案中，衬底可以装入与驱动机构连接的套筒。所述套筒将旋转力传递给衬底的外部。
在再一实施方案中，衬底的末端可以放置在滚轮之间。滚轮在衬底的末端在衬底的外部将旋转传递给衬底。在前面两个实施方案中，由于滚轮的相互作用衬底的末端不一定被沉积。在一些应用中，在这些末端缺乏沉积材料并不必然使衬底不能实现目的，通过将力施加于衬底外表面，衬底的旋转可以是完全合适的。
因此，本领域技术人员可以理解，其它可选的旋转装置或旋转方法可以在此应用，并且许多可选平移装置或平移方法也可以在此应用，以获得在穿过腔300的平移过程中旋转非平面衬底205的最终结果。本发明公开内容应被理解为包括那些使衬底旋转的机构类型。
图4显示了第一沉积腔(例如腔300)的示例性横截面。通过示例，腔300是硒化铜铟镓(CIGS)溅射系统的第一腔。惰性等离子气体(例如，氩305)通过进口310在腔300中点燃。在进入该腔时，等离子气体分子305与溅射目标315碰撞。通过示例，溅射目标315、316和317分别是硒、铜和镓。当惰性等离子气体305轰击目标315、316和317时，目标材料分子偏离热平衡并开始涂覆腔300中的所有表面。在一些实施方案中，非平面衬底205在其平移穿过腔300时继续围绕其纵轴旋转，从而使它们的整个外表面区域都被溅射目标315、316和317的分子涂覆。穿过腔300的旋转速率和平移速率可以作为溅射目标材料、环境温度、等离子气体305的温度和动能、以及非平面衬底205上的期望涂覆厚度、及其它因素的函数而预先确定。
控制和测量系统可以被用于管理和控制平移速率和旋转速率。这些速率可以是恒定的，或是动态变化的。平移速率和旋转速率之间的关系可以是固定的，例如使用齿轮滑轮系统的系统所示。平移速率和旋转速率的关系可以是可变的和/或受控的，例如在磁性耦合系统中改变旋转速率。平移速率和旋转速率可以是关联的或者可以是独立的。当每个衬底单独旋转时，不同衬底之间的速率可以相同或不同。旋转可以是连续的(analog)，或在分开的步骤中发生。平移可以是连续的，或在分开的步骤中发生。此外，旋转和平移可以各自是连续的、各自作为单独的步骤、或以各种组合发生。
图5A和5B显示了当非平面衬底205进入和移动穿过腔300时的示例性旋转和平移的组合。在一些实施方案中，非平面衬底205通过固定到托盘210的心轴215围绕它们的纵轴旋转。在图5A中，非平面衬底205在其旋转时纵向地平移穿过腔300。在图5B中，非平面衬底205横向地平移穿过腔300。在两个示例性实施方案中，非平面衬底205在其平移穿过腔300的同时旋转。
图6A显示了本发明的又一实施方案。非平面衬底205单独加载在加工腔300中。在这个实例中，腔300包括能够真空密封的门302。通过示例，加工腔300是CIGS溅射沉积腔。可选地，加工腔300可以是任一便利腔，以满足给定应用的加工需要。在这个示例性实施方案中，非平面衬底205在其主体的中空部分固定有心轴215。在一些实施方案中，心轴215连接在非平面衬底205的中空部分，使得心轴215和非平面衬底205之间保持足够的接触并产生足够的扭矩，以允许非平面衬底205旋转而不产生不必要的滑动，该不必要的滑动会引起不期望的或计划外的旋转。心轴215从非平面衬底205向外突出。在这个可选实施方案中，腔300的入口610包括进口615，其在腔300的长度方向上开口朝向轨道620。该进口615优选地被构造成接受装配在非平面衬底205的心轴215。当心轴215插入进口615时，线性驱动机构实现沿腔300长度的平移。在一些实施方案中，线性驱动机构进一步使非平面衬底205沿它们的纵向轴旋转，从而使溅射目标的分子暴露于非平面衬底205的整个表面。如上所述，非平面衬底205的平移速率和旋转速率可以是非平面衬底205表面上期望的沉积厚度、腔300的环境温度、溅射气体的动能或目标材料的物理特性的函数。图6B显示了在腔300的平移路径上旋转的非平面衬底205。
图7显示了在非平面衬底上沉积材料的方法的流程图。步骤601包括提供加工腔。加工腔可以是溅射沉积腔、反应性沉积腔、或为期望应用所需的任意沉积腔。步骤602包括提供围绕纵轴旋转非平面衬底的装置。在一些实施方案中，步骤602与步骤603同时发生。步骤603包括使非平面衬底沿着平移路径移动。平移路径被定义为加工腔的入口和出口之间的路径。非平面衬底可以纵向或横向在该路径中向前平移。步骤604包括执行至少一个半导体加工步骤。在一些实施方案中，执行至少一个半导体加工步骤的步骤604与步骤602和603同时进行。
在操作中，本发明可用于通过在非平面衬底沿着加工腔的平移路径移动时旋转该非平面衬底来制作非平面半导体装置。旋转和平移可以由任何已知或便利的装置进行，包括但不限于线性驱动机构和齿轮滑轮机构。旋转和平移移动的组合使得材料在加工过程中沉积在非平面衬底的外表面。可选地，这样的旋转和平移加工系统可以被用于粉末涂覆、镀铬或电镀其它金属。在与半导体有关的应用中，管状衬底可以被加工成管状非平面发光二极管(LED)。进一步通过示例，管状衬底可以被加工成非平面光伏电池。这样的光伏电池可以具有允许太阳射线入射的更大表面区域，从而产生更大的电流。
本发明公开了在非平面表面上沉积材料的方法。该方法通过在非平面衬底沿着加工腔的平移路径移动时旋转该非平面衬底来实施。当非平面衬底同时在加工腔中进行旋转和平移时，该旋转将非平面衬底的整个表面区域或任意期望的表面区域部分暴露于沉积加工，从而允许形成所需的均匀沉积。可选地，任何预定的样本均可暴露至非平面衬底的表面上。这种方法能够制造非平面半导体装置，包括但不限于非平面发光二极管、非平面光伏电池，等等。
在本发明的第一方面，将半导体加工到衬底上的方法包括提供具有入口和出口的半导体加工腔，其中所述入口和出口可操作地允许至少一个衬底从中穿过，该至少一个衬底沿着平移路径移动穿过半导体加工腔，在该衬底沿着平移路径移动穿过半导体加工腔时旋转该至少一个衬底，并在该至少一个衬底沿着平移路径旋转的同时在该至少一个衬底上进行半导体加工，从而使该至少一个衬底的表面区域的至少一部分暴露于该半导体加工。在一些实施方案中，所述衬底是非平面的。入口和出口之间的路径是平移路径。所述至少一个衬底与多个其它衬底一同加载在托盘上，以提高通量。旋转速率作为以下变量的函数来确定，所述变量包括类型和处理温度、沉积的材料、期望的沉积厚度、加工腔中的环境温度、加工腔中真空条件的质量和期望的沉积面积。平移速率作为以下变量的函数来确定，所述变量包括类型和处理温度、沉积的材料、期望的沉积厚度、加工腔中的环境温度、加工腔中真空条件的质量和期望的沉积面积。所述半导体加工包括但不限于溅射沉积、反应性溅射沉积和蒸发沉积。在一些实施方案中，所述半导体加工腔包括沉积腔。在一些实施方案中，所述旋转包括围绕纵向轴旋转所述至少一个衬底。
在本发明的另一方面，形成半导体装置的方法包括提供具有入口和出口的半导体加工腔，其中所述入口和所述出口可操作地允许至少一个非平面衬底穿过，使所述至少一个非平面衬底移动穿过所述半导体加工腔，其中所述移动包括旋转所述至少一个非平面衬底和使所述非平面衬底沿平移路径平移穿过所述半导体加工腔，和在移动所述至少一个非平面衬底穿过所述半导体加工腔时的同时将半导体材料层沉积到所述非平面衬底上，所述层包括所述至少一个非平面衬底的至少75％的圆周。所述入口和所述出口之间的路径是所述平移路径。所述至少一个非平面衬底与多个其它非平面衬底一起加载在托盘上以提高通量。旋转速率作为以下变量的函数来确定，所述变量包括类型和处理温度、沉积的材料、期望的沉积厚度、加工腔中的环境温度、加工腔中真空条件的质量和期望的沉积面积。平移速率作为以下变量的函数来确定，所述变量包括类型和处理温度、沉积的材料、期望的沉积厚度、加工腔中的环境温度、加工腔中真空条件的质量和期望的沉积面积。在一些实施方案中，所述半导体加工腔包括沉积腔。在一些实施方案中，所述旋转包括围绕纵向轴旋转所述至少一个非平面衬底。
在本发明的又一方面，在非平面表面上沉积材料的方法包括提供具有入口和出口的沉积腔，其中所述入口和所述出口可操作地允许至少一个非平面衬底穿过，使所述至少一个非平面衬底沿平移路径移动穿过所述沉积腔，和在所述至少一个非平面衬底沿平移路径移动穿过所述沉积腔时旋转所述非平面衬底，和在所述至少一个非平面衬底沿平移路径旋转的同时在所述至少一个非平面衬底上进行至少一次半导体沉积，从而使所述至少一个非平面衬底的表面区域的至少一部分暴露于该半导体沉积。所述入口和所述出口之间的路径是所述平移路径。所述至少一个非平面衬底与多个其它非平面衬底一起加载在托盘上以提高通量。旋转速率作为以下变量的函数来确定，所述变量包括类型和处理温度、沉积的材料、期望的沉积厚度、加工腔中的环境温度、加工腔中真空条件的质量和期望的沉积面积。平移速率作为以下变量的函数来确定，所述变量包括类型和处理温度、沉积的材料、期望的沉积厚度、加工腔中的环境温度、加工腔中真空条件的质量和期望的沉积面积。在一些实施方案中，所述旋转包括围绕纵向轴旋转所述至少一个非平面衬底。
在本发明的又一方面，在非平面衬底上进行半导体加工的装置包括具有入口和出口的半导体加工腔，其中所述入口和所述出口可操作地允许至少一个非平面衬底穿过；使所述至少一个非平面衬底沿平移路径移动穿过所述半导体加工腔的装置；当所述至少一个非平面衬底沿平移路径移动穿过所述半导体加工腔时旋转所述非平面衬底的装置；以及在所述至少一个非平面衬底在平移路径上旋转的同时在所述至少一个非平面衬底上进行半导体加工，从而使所述至少一个衬底的表面区域的至少一部分暴露于所述半导体加工的装置。所述入口和所述出口之间的路径是所述平移路径。所述至少一个非平面衬底与多个其它非平面衬底一起加载在托盘上以提高通量。旋转速率作为以下变量的函数来确定，所述变量包括类型和处理温度、沉积的材料、期望的沉积厚度、加工腔中的环境温度、加工腔中真空条件的质量和期望的沉积面积。平移速率作为以下变量的函数来确定，所述变量包括类型和处理温度、沉积的材料、期望的沉积厚度、加工腔中的环境温度、加工腔中真空条件的质量和期望的沉积面积。所述半导体加工包括溅射沉积、反应性溅射沉积和蒸发沉积。在一些实施方案中，所述半导体加工腔包括沉积腔。在一些实施方案中，所述旋转包括围绕纵向轴旋转所述至少一个非平面衬底。
在本发明的另一方面，在非平面衬底上进行半导体加工的装置包括具有入口和出口的半导体加工腔，其中所述入口和所述出口可操作地允许至少一个非平面衬底穿过；使所述至少一个非平面衬底沿平移路径移动穿过所述半导体加工腔的移动机构；当所述至少一个非平面衬底沿所述平移路径移动穿过所述半导体加工腔时旋转所述非平面衬底的旋转机构；以及连接到所述半导体加工腔的半导体加工模块，其在所述至少一个非平面衬底在平移路径上旋转的同时在所述至少一个非平面衬底上进行半导体加工，从而使所述至少一个非平面衬底的表面区域的至少一部分暴露于该半导体加工。所述入口和所述出口之间的路径是所述平移路径。所述至少一个非平面衬底与多个其它非平面衬底一起加载在托盘上以提高通量。旋转速率作为以下变量的函数来确定，所述变量包括类型和处理温度、沉积的材料、期望的沉积厚度、加工腔中的环境温度、加工腔中真空条件的质量和期望的沉积面积。平移速率作为以下变量的函数来确定，所述变量包括类型和处理温度、沉积的材料、期望的沉积厚度、加工腔中的环境温度、加工腔中真空条件的质量和期望的沉积面积。所述半导体加工是包括溅射沉积、反应性溅射沉积和蒸发沉积的列表中的任意一个。在一些实施方案中，所述半导体加工腔包括沉积腔。在一些实施方案中，所述旋转包括围绕纵向轴旋转所述至少一个非平面衬底。
在本发明的又一方面，半导体加工腔包括在平移方向上移动通过其中的至少一个衬底的装置，以及在所述至少一个衬底移动的同时旋转所述至少一个衬底的装置。
结合具体实施方案对本申请进行了描述，实施方案中包含的细节利于理解在非平面衬底上沉积材料的原理。各附图中所显示和描述的许多组分可以互换以实现必要的结果，这种描述应被理解为也包括这样的互换。因此，这里对具体实施方案和细节的引用不限制所附权利要求的范围。

Claims (39)

1、一种将半导体加工到衬底上的方法，该方法包括：
a.提供具有入口和出口的半导体加工腔，其中所述入口和所述出口可操作地允许至少一个衬底穿过；
b.使所述至少一个衬底沿所述平移路径移动穿过所述半导体加工腔；
c.当所述至少一个衬底沿所述平移路径移动穿过所述半导体加工腔时旋转所述衬底；以及
d.当所述至少一个衬底沿所述平移路径旋转的同时在所述至少一个衬底上进行半导体加工，从而使所述至少一个衬底的至少一部分表面区域暴露于所述半导体加工。
2、如权利要求1所述的方法，其中所述衬底是非平面的。
3、如权利要求1所述的方法，其中在所述入口和所述出口之间的路径是所述平移路径。
4、如权利要求1所述的方法，其中所述至少一个衬底与多个其它衬底一起加载在托盘上以提高通量。
5、如权利要求1所述的方法，其中旋转速率作为以下变量的函数来确定，所述变量包括类型和加工温度、沉积的材料、期望的沉积厚度、所述加工腔中的环境温度、所述加工腔中真空条件的质量和期望的沉积面积。
6、如权利要求1所述的方法，其中平移速率作为以下变量的函数来确定，所述变量包括类型和加工温度、沉积的材料、期望的沉积厚度、所述加工腔中的环境温度、所述加工腔中真空条件的质量和期望的沉积面积。
7、如权利要求1所述的方法，其中所述半导体加工是溅射沉积、反应性溅射沉积或蒸发沉积。
8、如权利要求1所述的方法，其中所述半导体加工腔包括沉积腔
9、如权利要求1所述的方法，其中所述旋转包括围绕纵向轴旋转所述至少一个衬底。
10、一种形成半导体装置的方法，该方法包括：
a.提供具有入口和出口的半导体加工腔，其中所述入口和所述出口可操作地允许至少一个非平面衬底穿过；
b.使所述至少一个非平面衬底移动穿过所述半导体加工腔，其中所述移动包括：
i.旋转所述至少一个非平面衬底；和
ii.使所述非平面衬底沿平移路径平移穿过所述半导体加工腔；以及
c.在移动所述至少一个非平面衬底穿过所述半导体加工腔的同时，将半导体材料层沉积到所述非平面衬底上，所述层包括所述至少一个非平面衬底的至少75％圆周。
11、如权利要求10所述的方法，其中所述入口和所述出口之间的路径是所述平移路径。
12、如权利要求10所述的方法，其中所述至少一个非平面衬底与多个其它非平面衬底一起加载在托盘上以提高通量。
13、如权利要求10所述的方法，其中旋转速率作为以下变量的函数来确定，所述变量包括类型和处理温度、沉积的材料、期望的沉积厚度、加工腔中的环境温度、加工腔中真空条件的质量和期望的沉积面积。
14、如权利要求10所述的方法，其中平移速率作为以下变量的函数来确定，所述变量包括类型和处理温度、沉积的材料、期望的沉积厚度、加工腔中的环境温度、加工腔中真空条件的质量和期望的沉积面积。
15、如权利要求10所述的方法，其中所述半导体加工腔包括沉积腔。
16、如权利要求10所述的方法，其中所述旋转包括围绕纵向轴旋转所述至少一个非平面衬底。
17、一种在非平面表面上沉积材料的方法，该方法包括：
a.提供具有入口和出口的沉积腔，其中所述入口和所述出口可操作地允许至少一个非平面衬底穿过；
b.使所述至少一个非平面衬底沿平移路径移动穿过所述沉积腔，
c.当所述至少一个非平面衬底沿平移路径移动穿过所述沉积腔时，旋转所述非平面衬底；以及
d.当所述至少一个非平面衬底沿所述平移路径旋转的同时，在所述至少一个非平面衬底上进行至少一次半导体沉积，从而使得所述至少一个非平面衬底的表面区域的至少一部分暴露于所述半导体沉积。
18、如权利要求17所述的方法，其中在所述入口和所述出口之间的路径是所述平移路径。
19、如权利要求17所述的方法，其中所述至少一个非平面衬底与多个其它非平面衬底一起加载在托盘上以提高通量。
20、如权利要求17所述的方法，其中旋转速率作为以下变量的函数来确定，所述变量包括类型和处理温度、沉积的材料、期望的沉积厚度、加工腔中的环境温度、加工腔中真空条件的质量和期望的沉积面积。
21、如权利要求17所述的方法，其中平移速率作为以下变量的函数来确定，所述变量包括类型和处理温度、沉积的材料、期望的沉积厚度、加工腔中的环境温度、加工腔中真空条件的质量和期望的沉积面积。
22、如权利要求17所述的方法，其中所述旋转包括围绕纵向轴旋转所述至少一个非平面衬底。
23、一种将半导体加工至非平面衬底上的装置，该装置包括：
a.具有入口和出口的半导体加工腔，其中所述入口和所述出口可操作地允许至少一个非平面衬底穿过；
b.使所述至少一个非平面衬底沿平移路径移动穿过所述半导体加工腔的装置；
c.当所述至少一个非平面衬底沿所述平移路径移动穿过所述半导体加工腔时旋转所述非平面衬底的装置；以及
d.在所述至少一个非平面衬底沿所述平移路径旋转的同时在所述至少一个非平面衬底上进行半导体加工从而使所述至少一个衬底的表面区域的至少一部分暴露于所述半导体加工的装置。
24、如权利要求23所述的装置，其中在所述入口和所述出口之间的路径是所述平移路径。
25、如权利要求23所述的装置，其中所述至少一个非平面衬底与多个其它非平面衬底一起加载在托盘上以提高通量。
26、如权利要求23所述的装置，其中旋转速率作为以下变量的函数来确定，所述变量包括类型和处理温度、沉积的材料、期望的沉积厚度、加工腔中的环境温度、加工腔中真空条件的质量和期望的沉积面积。
27、如权利要求23所述的装置，其中平移速率作为以下变量的函数来确定，所述变量包括类型和处理温度、沉积的材料、期望的沉积厚度、加工腔中的环境温度、加工腔中真空条件的质量和期望的沉积面积。
28、如权利要求23所述的装置，其中所述半导体加工是溅射沉积、反应性溅射沉积或蒸发沉积。
29、如权利要求23所述的装置，其中所述半导体加工腔包括沉积腔。
30、如权利要求23所述的装置，其中所述旋转包括围绕纵向轴旋转所述至少一个非平面衬底。
31、一种将半导体加工到非平面衬底上的装置，该装置包括：
a.具有入口和出口的半导体加工腔，其中所述入口和所述出口可操作地允许至少一个非平面衬底穿过；
b.使所述至少一个非平面衬底沿平移路径移动穿过所述半导体加工腔的移动机构；
c.当所述至少一个非平面衬底沿所述移路径移动穿过所述半导体加工腔时旋转所述非平面衬底的旋转机构；以及
d.连接所述半导体加工腔的半导体加工模块，其在所述至少一个非平面衬底沿所述平移路径旋转的同时在所述至少一个非平面衬底上进行半导体加工从而使得所述至少一个非平面衬底的表面区域的至少一部分暴露于所述半导体加工。
32、如权利要求31所述的装置，其中在所述入口和所述出口之间的路径是所述平移路径。
33、如权利要求31所述的装置，其中所述至少一个非平面衬底与多个其它非平面衬底一起加载在托盘上以提高通量。
34、如权利要求31所述的装置，其中旋转速率作为以下变量的函数来确定，所述变量包括类型和处理温度、沉积的材料、期望的沉积厚度、加工腔中的环境温度、加工腔中真空条件的质量和期望的沉积面积。
35、如权利要求31所述的装置，其中平移速率作为以下变量的函数来确定，所述变量包括类型和处理温度、沉积的材料、期望的沉积厚度、加工腔中的环境温度、加工腔中真空条件的质量和期望的沉积面积。
36、如权利要求31所述的装置，其中所述半导体加工是溅射沉积、反应性溅射沉积或蒸发沉积。
37、如权利要求31所述的装置，其中所述半导体加工腔包括沉积腔。
38、如权利要求31所述的装置，其中所述旋转包括围绕纵向轴旋转所述至少一个非平面衬底。
39、一种半导体加工腔，该腔包括：
a.使至少一个衬底沿平移方向移动穿过其中的装置；以及
b.在所述至少一个衬底移动时旋转所述至少一个衬底的装置。
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