JP5415401B2 - 非平面的形状の表面に材料を成膜する方法 - Google Patents
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Description
Claims (39)
- 中空部分である陥凹部を有する非平面的形状サブストレートに半導体処理を施す方法において、
a.搬入部及び搬出部を備え、それら搬入部及び搬出部は前記少なくとも1つの非平面的形状サブストレートを通過させることができるように構成された半導体処理チャンバを用意し、
b.前記半導体処理チャンバ内を通る搬送経路に沿って前記少なくとも1つの非平面的形状サブストレートを搬送し、
c.前記半導体処理チャンバ内を通る前記搬送経路に沿って前記少なくとも1つの非平面的形状サブストレートを搬送しているときに、当該非平面的形状サブストレートの中空部分である陥凹部と接触面積を有するようにして、当該非平面的形状サブストレートを回転させ、
d.前記少なくとも1つの非平面的形状サブストレートを前記搬送経路に沿って搬送しつつ回転させるのと並行して当該非平面的形状サブストレートに半導体処理を施すことで、当該非平面的形状サブストレートの表面領域の少なくとも一部に当該半導体処理が施されるようにする、
各処理を備える、方法。 - 前記搬入部と前記搬出部との間をつなぐ経路が前記搬送経路である、請求項1記載の方法。
- 前記少なくとも1つの非平面的形状サブストレートをその他の複数の非平面的形状サブストレートと共に1つのトレイ上に載置することで処理能力の増大を図る、請求項1記載の方法。
- 種別及び処理温度、成膜材料、成膜目標厚さ、前記処理チャンバ内の雰囲気温度、前記処理チャンバ内の真空状態の品質、及び成膜目標領域から成るリストに含まれる変数に応じて回転速度を設定する、請求項1記載の方法。
- 種別及び処理温度、成膜材料、成膜目標厚さ、前記処理チャンバ内の雰囲気温度、前記処理チャンバ内の真空状態の品質、及び成膜目標領域から成るリストに含まれる変数に応じて搬送速度を設定する、請求項1記載の方法。
- 前記半導体処理は、スパッタ成膜、反応性スパッタ成膜、及び蒸着成膜から成るリストに含まれる処理である、請求項1記載の方法。
- 前記半導体処理チャンバは、成膜チャンバから成る、請求項1記載の方法。
- 前記回転は、前記少なくとも1つの非平面的形状サブストレートを長手軸心を中心として回転させることから成る、請求項1記載の方法。
- 半導体デバイスを製作する方法において、
a.搬入部及び搬出部を備え、それら搬入部及び搬出部は少なくとも1つの非平面的形状サブストレートを通過させることができるように構成された半導体処理チャンバを用意し、前記非平面的形状サブストレートは、中空部分である陥凹部を有し、
b.前記半導体処理チャンバ内を通過させるべく前記少なくとも1つの非平面的形状サブストレートを搬送し、その際に、
i.前記非平面的形状サブストレートの中空部分である陥凹部と接触面積を有するようにして、前記少なくとも1つの非平面的形状サブストレートを回転させると共に、
ii.前記半導体処理チャンバ内を通る搬送経路に沿って前記少なくとも1つの非平面的形状サブストレートを搬送し、
c.前記半導体処理チャンバ内を通過させて前記少なくとも1つの非平面的形状サブストレートを搬送するのと並行して当該非平面的形状サブストレートに半導体材料の薄膜を成膜し、当該薄膜は当該非平面的形状サブストレートの周面の少なくとも75%を包含するものとする、
各処理を備える、方法。 - 前記搬入部と前記搬出部との間をつなぐ経路が前記搬送経路である、請求項9記載の方法。
- 前記少なくとも1つの非平面的形状サブストレートをその他の複数の非平面的形状サブストレートと共に1つのトレイ上に載置することで処理能力の増大を図る、請求項9記載の方法。
- 種別及び処理温度、成膜材料、成膜目標厚さ、前記処理チャンバ内の雰囲気温度、前記処理チャンバ内の真空状態の品質、及び成膜目標領域から成るリストに含まれる変数に応じて回転速度を設定する、請求項9記載の方法。
- 種別及び処理温度、成膜材料、成膜目標厚さ、前記処理チャンバ内の雰囲気温度、前記処理チャンバ内の真空状態の品質、及び成膜目標領域から成るリストに含まれる変数に応じて搬送速度を設定する、請求項9記載の方法。
- 前記半導体処理チャンバは、成膜チャンバから成る、請求項9記載の方法。
- 前記回転は、前記少なくとも1つの非平面的形状サブストレートを長手軸心を中心として回転させることから成る、請求項9記載の方法。
- 中空部分である陥凹部を有する非平面的形状の表面に材料を成膜する方法において、
a.搬入部及び搬出部を備え、それら搬入部及び搬出部は少なくとも1つの非平面的形状サブストレートを通過させることができるように構成された成膜チャンバを用意し、
b.前記成膜チャンバ内を通る搬送経路に沿って前記少なくとも1つの非平面的形状サブストレートを搬送し、
c.前記成膜チャンバ内を通る前記搬送経路に沿って前記少なくとも1つの非平面的形状サブストレートを搬送しているときに、当該非平面的形状サブストレートの中空部分である陥凹部と接触面積を有するようにして、当該非平面的形状サブストレートを回転させ、
d.前記少なくとも1つの非平面的形状サブストレートを前記搬送経路に沿って搬送しつつ回転させるのと並行して当該非平面的形状サブストレートに少なくとも1つの半導体材料成膜処理を施すことで、当該非平面的形状サブストレートの表面領域の少なくとも一部に当該半導体材料成膜処理が施されるようにする、
各処理を備える、方法。 - 前記搬入部と前記搬出部との間をつなぐ経路が前記搬送経路である、請求項16記載の方法。
- 前記少なくとも1つの非平面的形状サブストレートをその他の複数の非平面的形状サブストレートと共に1つのトレイ上に載置することで処理能力の増大を図る、請求項16記載の方法。
- 種別及び処理温度、成膜材料、成膜目標厚さ、前記処理チャンバ内の雰囲気温度、前記処理チャンバ内の真空状態の品質、及び成膜目標領域から成るリストに含まれる変数に応じて回転速度を設定する、請求項16記載の方法。
- 種別及び処理温度、成膜材料、成膜目標厚さ、前記処理チャンバ内の雰囲気温度、前記処理チャンバ内の真空状態の品質、及び成膜目標領域から成るリストに含まれる変数に応じて搬送速度を設定する、請求項16記載の方法。
- 前記回転は、前記少なくとも1つの非平面的形状サブストレートを長手軸心を中心として回転させることから成る、請求項16記載の方法。
- 中空部分である陥凹部を有する非平面的形状サブストレートに半導体処理を施すための装置において、
a.搬入部及び搬出部を備え、それら搬入部及び搬出部は少なくとも1つの非平面的形状サブストレートを通過させることができるように構成された半導体処理チャンバと、
b.前記半導体処理チャンバ内を通る搬送経路に沿って前記少なくとも1つの非平面的形状サブストレートを搬送するように適合されて構成される手段と、
c.前記半導体処理チャンバ内を通る前記搬送経路に沿って前記少なくとも1つの非平面的形状サブストレートが搬送されているときに、前記非平面的形状サブストレートの中空部分である陥凹部と接触面積を有するようにして、当該非平面的形状サブストレートを回転させる手段と、
d.前記少なくとも1つの非平面的形状サブストレートが前記搬送経路に沿って搬送されつつ回転させられるのと並行して当該非平面的形状サブストレートに半導体処理を施すことで、当該非平面的形状サブストレートの表面領域の少なくとも一部に当該半導体処理が施されるようにする手段と、
を備えた装置。 - 前記搬入部と前記搬出部との間をつなぐ経路が前記搬送経路である、請求項22記載の装置。
- 前記少なくとも1つの非平面的形状サブストレートがその他の複数の非平面的形状サブストレートと共に載置される1つのトレイをさらに備え、
前記搬入部は、前記トレイを通過させることができるように構成され、前記少なくとも1つの非平面的形状サブストレートを搬送する手段は、前記トレイを搬送経路に沿って搬送するように適合されて構成される、請求項22記載の装置。 - 種別及び処理温度、成膜材料、成膜目標厚さ、前記処理チャンバ内の雰囲気温度、前記処理チャンバ内の真空状態の品質、及び成膜目標領域から成るリストに含まれる変数に応じて回転速度が設定されている、請求項22記載の装置。
- 種別及び処理温度、成膜材料、成膜目標厚さ、前記処理チャンバ内の雰囲気温度、前記処理チャンバ内の真空状態の品質、及び成膜目標領域から成るリストに含まれる変数に応じて搬送速度が設定されている、請求項22記載の装置。
- 前記半導体処理は、スパッタ成膜、反応性スパッタ成膜、及び蒸着成膜から成るリストに含まれる処理である、請求項22記載の装置。
- 前記半導体処理チャンバは、成膜チャンバから成る、請求項22記載の装置。
- 前記回転させる手段は、前記少なくとも1つの非平面的形状サブストレートを長手軸心を中心として回転させるように構成される、請求項22記載の装置。
- 中空部分である陥凹部を有する非平面的形状サブストレートに半導体処理を施すための装置において、
a.搬入部及び搬出部を備え、それら搬入部及び搬出部は少なくとも1つの非平面的形状サブストレートを通過させることができるように構成された半導体処理チャンバと、
b.前記半導体処理チャンバ内を通る搬送経路に沿って前記少なくとも1つの非平面的形状サブストレートを搬送する搬送機構と、
c.前記半導体処理チャンバ内を通る前記搬送経路に沿って前記少なくとも1つの非平面的形状サブストレートが搬送されているときに、前記非平面的形状サブストレートの中空部分である陥凹部と接触面積を有するようにして、当該非平面的形状サブストレートを回転させる回転機構と、
d.前記少なくとも1つの非平面的形状サブストレートが前記搬送経路に沿って搬送されつつ回転させられるのと並行して当該非平面的形状サブストレートに半導体処理を施すことで、当該非平面的形状サブストレートの表面領域の少なくとも一部に当該半導体処理が施されるようにする、前記半導体処理チャンバに装備された半導体処理モジュールと、
を備えた装置。 - 前記搬入部と前記搬出部との間をつなぐ経路が前記搬送経路である、請求項30記載の装置。
- 前記少なくとも1つの非平面的形状サブストレートがその他の複数の非平面的形状サブストレートと共に1つのトレイ上に載置されることで処理量の増大が図られている、請求項30記載の装置。
- 種別及び処理温度、成膜材料、成膜目標厚さ、前記処理チャンバ内の雰囲気温度、前記処理チャンバ内の真空状態の品質、及び成膜目標領域から成るリストに含まれる変数に応じて回転速度が設定されている、請求項30記載の装置。
- 種別及び処理温度、成膜材料、成膜目標厚さ、前記処理チャンバ内の雰囲気温度、前記処理チャンバ内の真空状態の品質、及び成膜目標領域から成るリストに含まれる変数に応じて搬送速度が設定されている、請求項30記載の装置。
- 前記半導体処理は、スパッタ成膜、反応性スパッタ成膜、及び蒸着成膜から成るリストに含まれる処理である、請求項30記載の装置。
- 前記半導体処理チャンバは、成膜チャンバから成る、請求項30記載の装置。
- 前記回転機構は、前記少なくとも1つの非平面的形状サブストレートを長手軸心を中心として回転させるように構成される、請求項30記載の装置。
- 前記非平面的形状サブストレートは、中空部分である陥凹部を含み、
前記非平面的形状サブストレートの中空部分である陥凹部と接触面積を有するようにして、当該非平面的形状サブストレートを回転させる手段は、前記中空部分である陥凹部に挿入されるマンドレルを備える、請求項22記載の装置。 - 前記非平面的形状サブストレートは、中空部分である陥凹部を含み、
前記非平面的形状サブストレートの中空部分である陥凹部と接触面積を有するようにして、当該非平面的形状サブストレートを回転させる回転機構は、前記中空部分である陥凹部に挿入されるマンドレルを備える、請求項30記載の装置。
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