CN103866249A - 一种磁控溅射装置及其应用 - Google Patents
一种磁控溅射装置及其应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103866249A CN103866249A CN201210539031.5A CN201210539031A CN103866249A CN 103866249 A CN103866249 A CN 103866249A CN 201210539031 A CN201210539031 A CN 201210539031A CN 103866249 A CN103866249 A CN 103866249A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- rotation axis
- cavity
- sputtering
- magnetron sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 15
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 claims description 12
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 2
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 claims 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 4
- 229910000636 Ce alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000612 Sm alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000748 Gd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000946 Y alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001093 Zr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910001938 gadolinium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075613 gadolinium oxide Drugs 0.000 description 1
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
一种磁控溅射装置及其应用，能够使管型或圆柱状基底在轴向上连续旋转，轴向转速与基底温度可调可控，且在加热的条件下能够保持基底温度均匀一致，能够在管型及圆柱状基底上沉积制备出均匀的固体薄膜，扩展了磁控溅射方法的使用范围。
Description
技术领域
本发明涉及磁控溅射装置，具体说是一种能够用磁控溅射的方法在管型或者圆柱状基底上沉积薄膜的基底旋转、固定与加热装置。
背景技术
磁控溅射技术是物理气相沉积技术中的一种，广泛的应用于固体薄膜的制备领域之中，具有沉积速率快、固体薄膜与基底结合力好、厚度均匀且可调可控、制备工艺重复性好等特点，适用于制备大面积均匀薄膜。但是，目前磁控溅射技术主要应用于在平板型基底上制备薄膜，而在实际生产过程中，有需要在管型、圆柱状基底上制备均匀一致的薄膜，如何采用磁控溅射的方法在其上制备均匀一致的薄膜，如在固体氧化物燃料电池管型电极基底上溅射电解质薄膜或者电解质隔层薄膜，需要采用特殊的磁控溅射装置，以达到在特定的工艺条件之下制备出均匀致密薄膜的效果。
因此，通过改进磁控溅射装置来实现在管型或圆柱状基底上制备均匀的固体薄膜具有现实意义，能够扩展磁控溅射技术的应用领域，同时在管型或圆柱状基底上制备出的均匀固体薄膜能够有效的改进在具体应用领域的应用效果。
发明内容
为了能够采用磁控溅射技术在管型或圆柱状基底上制备一致性良好的均匀薄膜，本发明的目的在于提供一种能够在管型或圆柱状基底上溅射制备出一致性良好薄膜的基底旋转、固定与加热装置。该装置能够在10℃-900℃的温度范围内控制基底温度，可调可控，能够在不同的靶基距、溅射气压、气体流量、溅射功率下在管型基底上制备一致性良好的薄膜，溅射靶为矩形状，靶与基片台所处平面平行或有0-45°的夹角，且中心连线与基片台所处平面垂直，靶的形状与基片台形状相似，靶与基片台相对应的边平行，边长比在0.1-2的范围之内。磁控溅射电源可是是直流电源或交流电源，可以采用金属靶材或陶瓷靶材进行金属薄膜或者化合物薄膜的制备。
本发明的优良效果在于：
通过设计磁控溅射装置的基底旋转、固定与加热装置，能够使管型或圆柱状基底实现轴向连续旋转，且管型基底温度可调可控，能够在一定的基底温度范围之内进行溅射，从而实现在管型或圆柱状基底上制备出一致性 良好的均匀薄膜。
1、本发明所设计的磁控溅射装置，管型或者圆柱状基底能够在轴向上连续匀速旋转。
2、本发明所设计的磁控溅射装置，管型或者圆柱状基底在加热的情况下受热均匀，温度一致性好。
3、本发明所设计的磁控溅射装置，能够在不同形状的管型或圆柱状基底上制备一致性良好的均匀固体薄膜。
4、本发明所设计的磁控溅射装置，可以采用直流电源或者交流电源作为磁控溅射电源。
5、本发明所设计的磁控溅射装置，可以采用金属靶材或者陶瓷靶材，可以进行金属薄膜的制备，也可以进行化合物薄膜的制备。
附图说明
图1为磁控溅射基底安装装置的剖面图。
图2为磁控溅射装置腔室的剖面图。
图中：1为齿轮，2为密封磁流体，3为转动轴，4为夹具，5为管状或圆柱状基底，6为热电偶，7为电加热器，8为导线，9为溅射靶，10为循环冷却水。
具体实施方式
如图1-2所示，一种磁控溅射装置，包括一个密闭的长方型腔体，于腔体内的底部设有用于放置溅射靶靶材的基片台，于腔体内、基片台的下方设有磁钢；于腔体内的顶部设有样品台；
于样品台下方、腔体的左右侧壁上相对对称设有用于固定镀件的夹具，相对设置于左右侧壁上的夹具一端端面相对应，夹具的另一端为设有转动轴，转动轴穿过侧壁面与电动机传动连接。
于转动轴与长方型腔体的侧壁间设有水冷磁流体，通过水冷磁流体密封转动轴，水冷磁流体固定于长方型腔体的侧壁上；
于长方型腔体的外侧壁上设有冷却水夹套，冷却水夹套上的进出水口分别与外界水源相连；
水冷磁流体上的进出水口分别经冷却水夹套与外界水源相连；水冷磁流体转动轴所处腔室壁内部有循环冷却水流动，以保证在溅射过程中器壁处于冷却状态。
所述溅射靶采用的磁控溅射电源采用直流电源或者交流电源；
于所述长方型腔体侧壁上设有抽气口，抽气口通过管路与一真空泵相连。
所述夹具为2对以上，每对均于腔体左右侧壁上相对对称。
靶材的形状与基片台的形状均为矩形，对应边平行放置，且边长比在0.1-2之间。
夹具远离转动轴的一端为圆形，在圆形的圆周处均匀分布的三个或者四 个弹簧片，圆形的大小可以根据基底的直径或者长度进行调节。
图1为磁控溅射基底安装装置的剖面图，采用水冷磁流体密封转动轴，转动轴由外置电机带动进行转动，电机具有调速功能，夹具固定在转动轴的前端，由在圆周均匀分布的三个或者四个弹簧片构成，可以根据基底的直径或者长度进行适当的调节，管型或圆柱状基底由两个夹具所固定，样品台可以安装1-20组（轴中心在一条直线上的两个转动轴及所带夹具为一组）转动轴设备，从而一次可以溅射多根管型或圆柱状基底。
图2为磁控溅射装置腔室的剖面图，加热电阻丝置于样品台内部，热电偶从样品台的上部伸入溅射腔室之内，接近于基底外壁，通过外电路控制基片台升降温速率与基底温度，在基底轴向转动的情况下，实现基底受热均匀，温度一致，从而得到均匀一致的固体薄膜；水冷磁流体转动轴所处腔室壁内部有循环冷却水流动，以保证在溅射过程中器壁处于冷却状态。
实施例1
如图1所示，磁控溅射仪的基底安装装置上共有5组转动轴及夹具，在5根外径为3cm、长度为1.5m的NiO+YSZ/YSZ（YSZ为氧化钇掺杂的氧化锆）管型固体氧化物燃料的膜电极上制备GDC（氧化钆掺杂的氧化铈）薄膜隔层，在基底温度为400℃的温度下进行溅射，以Ce/Gd合金材料为靶材进行反应溅射，靶为矩形，长为1m，宽为0.5m，靶基距为9cm，溅射完成后，在管型基底两端与中间部位的隔层厚度相当，在基底任一径向截面的圆周上的薄膜厚度相当，且微观结构一致，致密性良好，制备出了均匀一致的GDC电解质隔层薄膜。
实施例2
如图1所示，磁控溅射仪的基底安装装置上共有4组转动轴及夹具，在4根外径为2.0cm、长度为1.0m的NiO+YSZ/YSZ管型固体氧化物燃料的膜电极上制备SDC（氧化钐掺杂的氧化铈）薄膜隔层，在基底温度为800℃的温度下进行溅射，以Ce/Sm合金材料为靶材进行反应溅射，靶为矩形，长为0.8m，宽为0.3m，靶基距为8cm，溅射完成后，在管型基底两端与中间部位的隔层厚度相当，在基底任一径向截面的圆周上的薄膜厚度相当，且微观结构一致，致密性良好，制备出了均匀一致的SDC电解质隔层薄膜。
实施例3
如图1所示，磁控溅射仪的基底安装装置上共有4组转动轴及夹具，在4根外径为0.8cm、长度为10cm的NiO+YSZ管型固体氧化物燃料的阳极基底上制备YSZ（氧化钇掺杂的氧化锆）电解质薄膜，在基底温度为800℃的温度下进行溅射，以Y/Zr合金材料为靶材进行反应溅射，靶为矩形，长为8cm，宽为4cm，靶基距为6cm，溅射完成后，在管型基底两端与中间部位的隔层厚度相当，在基底任一径向截面的圆周上的薄膜厚度相当，且微观结构一致，致密性良好，制备出了均匀一致的YSZ电解质薄膜。
实施例4
如图1所示，磁控溅射仪的基底安装装置上共有4组转动轴及夹具，在4根长度为1.0m、外横截面及尺寸如热电偶6所示的椭圆管形的NiO+YSZ/YSZ固体氧化物燃料的膜电极上制备SDC（氧化钐掺杂的氧化铈）薄膜隔层，在基底温度为800℃的温度下进行溅射，以Sm/Ce 合金材料为靶材进行反应溅射，靶为矩形，长为0.8m，宽为0.3m，靶基距为8cm，溅射完成后，在管型基底两端与中间部位的隔层厚度相当，在基底任一径向截面的圆周上的薄膜厚度相当，且微观结构一致，致密性良好，制备出了均匀一致的SDC电解质隔层薄膜。
Claims (10)
1.一种磁控溅射装置，其特征在于：
包括一个密闭的长方型腔体，于腔体内的底部设有用于放置溅射靶靶材的基片台，于腔体内、基片台的下方设有磁钢；于腔体内的顶部设有样品台；
于样品台下方、腔体的左右侧壁上相对对称设有用于固定镀件的夹具，相对设置于左右侧壁上的夹具一端端面相对应，夹具的另一端为设有转动轴，转动轴穿过侧壁面与电动机传动连接。
2.按照权利要求1所述溅射装置，其特征在于：
于转动轴与长方型腔体的侧壁间设有水冷磁流体，通过水冷磁流体密封转动轴，水冷磁流体固定于长方型腔体的侧壁上；
于长方型腔体的外侧壁上设有冷却水夹套，冷却水夹套上的进出水口分别与外界水源相连；
水冷磁流体上的进出水口分别经冷却水夹套与外界水源相连；水冷磁流体转动轴所处腔室壁内部有循环冷却水流动，以保证在溅射过程中器壁处于冷却状态。
3.按照权利要求1或2所述溅射装置，其特征在于：
所述溅射靶采用的磁控溅射电源采用直流电源或者交流电源；
于所述长方型腔体侧壁上设有抽气口，抽气口通过管路与一真空泵相连。
4.按照权利要求1所述溅射装置，其特征在于：所述夹具为2对以上，每对均于腔体左右侧壁上相对对称。
5.按照权利要求1所述溅射装置，其特征在于：
靶材的形状与基片台的形状均为矩形，对应边平行放置，且边长比在0.1-2之间。
6.按照权利要求1所述溅射装置，其特征在于：
夹具远离转动轴的一端为圆形，在圆形的圆周处均匀分布的三个或者四个弹簧片，圆形的大小可以根据基底的直径或者长度进行调节。
7.按照权利要求1所述溅射装置，其特征在于：
样品台内部设有加热电阻丝，一热电偶从样品台的上部伸入溅射腔室之内，加热电阻丝与外界电源相连，通过外电路控制基片台升降温速率与基底温度，在基底轴向转动的情况下，实现基底受热均匀，温度一致，从而得到均匀一致的固体薄膜；
转动轴由外置电机带动进行转动，电机具有调速功能，夹具固定在转动轴的前端。
8.一种权利要求1所述溅射装置的应用，其特征在于：
所述溅射装置用于管型或圆柱状基底磁控溅射镀膜，能够在管型或圆柱状基底上沉积制备均匀一致的固体薄膜；
管型或圆柱状基底在加热的条件下能够保持基底温度均匀一致，且基底温度可调可控；
磁控溅射可以采用金属靶材或者陶瓷靶材，进行金属薄膜的制备或进行化合物薄膜的制备。
9.按照权利要求8所述的应用，其特征在于：对于化合物薄膜的制备，可以采用金属靶材进行反应溅射，也可以采用陶瓷靶材进行溅射。
10.按照权利要求8所述的应用，其特征在于：
管型或圆柱状基底能够在轴向上连续旋转，转速可调可控；管型或圆柱状基底由两个夹具所固定，样品台下方安装1-20组带夹具的转动轴，转动轴的轴中心在一条直线上的两个转动轴及所带夹具为一组，从而一次可以溅射1-20根管型或圆柱状基底。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210539031.5A CN103866249A (zh) | 2012-12-13 | 2012-12-13 | 一种磁控溅射装置及其应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210539031.5A CN103866249A (zh) | 2012-12-13 | 2012-12-13 | 一种磁控溅射装置及其应用 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103866249A true CN103866249A (zh) | 2014-06-18 |
Family
ID=50905245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210539031.5A Pending CN103866249A (zh) | 2012-12-13 | 2012-12-13 | 一种磁控溅射装置及其应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103866249A (zh) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105112879A (zh) * | 2015-09-11 | 2015-12-02 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种磁控溅射镀膜工件台 |
| CN105316627A (zh) * | 2015-11-20 | 2016-02-10 | 苏州赛森电子科技有限公司 | 半导体加工用蒸发台的自清洁装置 |
| CN107475677A (zh) * | 2017-08-18 | 2017-12-15 | 嘉兴申宁精密科技有限公司 | 一种采用物理气相沉积工艺溅镀涂层的装置 |
| CN109306463A (zh) * | 2018-12-19 | 2019-02-05 | 浙江工业大学 | 一种适用于磁控溅射仪的自动式圆棒试样镀膜夹持装置 |
| CN109306462A (zh) * | 2018-12-19 | 2019-02-05 | 浙江工业大学 | 一种适用于磁控溅射仪的圆棒试样高通量镀膜夹持装置 |
| WO2020191999A1 (zh) * | 2019-03-22 | 2020-10-01 | 清华大学 | 一种氢燃料电池电堆磁流体密封装置 |
| CN112452322A (zh) * | 2020-11-06 | 2021-03-09 | 淮阴工学院 | 一种高性能光阳极BiVO4薄膜催化剂的制备方法 |
| CN116864760A (zh) * | 2023-09-04 | 2023-10-10 | 中石油深圳新能源研究院有限公司 | 电池的制备方法和电池 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6277103A (ja) * | 1985-10-01 | 1987-04-09 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 硬質膜表面被覆ロ−ル |
| US6063200A (en) * | 1998-02-10 | 2000-05-16 | Sarcos L.C. | Three-dimensional micro fabrication device for filamentary substrates |
| US20030059526A1 (en) * | 2001-09-12 | 2003-03-27 | Benson Martin H. | Apparatus and method for the design and manufacture of patterned multilayer thin films and devices on fibrous or ribbon-like substrates |
| CN1995448A (zh) * | 2006-12-29 | 2007-07-11 | 上海工程技术大学 | 旋转镀膜辅助装置 |
| CN200981893Y (zh) * | 2006-08-28 | 2007-11-28 | 深圳豪威真空光电子股份有限公司 | 基片处理装置 |
| CN101681844A (zh) * | 2007-04-05 | 2010-03-24 | 索林塔有限公司 | 在非平面表面上沉积材料的方法 |
-
2012
- 2012-12-13 CN CN201210539031.5A patent/CN103866249A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6277103A (ja) * | 1985-10-01 | 1987-04-09 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 硬質膜表面被覆ロ−ル |
| US6063200A (en) * | 1998-02-10 | 2000-05-16 | Sarcos L.C. | Three-dimensional micro fabrication device for filamentary substrates |
| US20030059526A1 (en) * | 2001-09-12 | 2003-03-27 | Benson Martin H. | Apparatus and method for the design and manufacture of patterned multilayer thin films and devices on fibrous or ribbon-like substrates |
| CN200981893Y (zh) * | 2006-08-28 | 2007-11-28 | 深圳豪威真空光电子股份有限公司 | 基片处理装置 |
| CN1995448A (zh) * | 2006-12-29 | 2007-07-11 | 上海工程技术大学 | 旋转镀膜辅助装置 |
| CN101681844A (zh) * | 2007-04-05 | 2010-03-24 | 索林塔有限公司 | 在非平面表面上沉积材料的方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 王成彪等: "《摩擦学材料及表面工程》", 29 February 2012 * |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105112879A (zh) * | 2015-09-11 | 2015-12-02 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种磁控溅射镀膜工件台 |
| CN105316627A (zh) * | 2015-11-20 | 2016-02-10 | 苏州赛森电子科技有限公司 | 半导体加工用蒸发台的自清洁装置 |
| CN107475677A (zh) * | 2017-08-18 | 2017-12-15 | 嘉兴申宁精密科技有限公司 | 一种采用物理气相沉积工艺溅镀涂层的装置 |
| CN109306463A (zh) * | 2018-12-19 | 2019-02-05 | 浙江工业大学 | 一种适用于磁控溅射仪的自动式圆棒试样镀膜夹持装置 |
| CN109306462A (zh) * | 2018-12-19 | 2019-02-05 | 浙江工业大学 | 一种适用于磁控溅射仪的圆棒试样高通量镀膜夹持装置 |
| WO2020191999A1 (zh) * | 2019-03-22 | 2020-10-01 | 清华大学 | 一种氢燃料电池电堆磁流体密封装置 |
| CN112452322A (zh) * | 2020-11-06 | 2021-03-09 | 淮阴工学院 | 一种高性能光阳极BiVO4薄膜催化剂的制备方法 |
| CN116864760A (zh) * | 2023-09-04 | 2023-10-10 | 中石油深圳新能源研究院有限公司 | 电池的制备方法和电池 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103866249A (zh) | 一种磁控溅射装置及其应用 | |
| CN103668092A (zh) | 一种等离子体辅助磁控溅射沉积方法 | |
| CN104109841B (zh) | 磁控溅射倾斜沉积镀膜装置 | |
| CN107058970B (zh) | 一种燃料电池金属极板真空镀膜流水线设备及其镀膜方法 | |
| CN105714256A (zh) | 一种磁控溅射低温制备dlc薄膜的方法 | |
| CN110128022A (zh) | 一种大型曲面玻璃真空溅射镀膜装置 | |
| CN100575540C (zh) | 批量化制备双面高温超导薄膜装置 | |
| CN104711527A (zh) | 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法 | |
| CN101245441A (zh) | 一种高温加热的真空蒸发镀膜装置 | |
| CN108286036B (zh) | 一种原位补氧型扫描式电子束气相沉积(ioc-sevd)装置及其方法 | |
| CN100392147C (zh) | 一种对靶孪生磁控溅射离子镀沉积装置 | |
| CN115852316B (zh) | 一种高真空多源热蒸发镀膜设备 | |
| CN106676491A (zh) | 圆柱面磁控溅射装置 | |
| CN110592550A (zh) | 一种磁控溅射和电子束蒸镀双腔镀膜装置及其使用方法 | |
| CN100398693C (zh) | 多功能复合磁控等离子体溅射装置 | |
| CN210065900U (zh) | 一种中频反应磁控溅射镀膜设备 | |
| CN113817999A (zh) | 一种用于制备压电陶瓷的真空镀膜设备 | |
| CN102400088B (zh) | 柔性金属基底辉光大束流低电压等离子体活化工艺 | |
| CN1948546A (zh) | 一种冷却金属镓靶中频孪生磁控溅射装置 | |
| CN106119795A (zh) | 利用真空磁控溅射镀膜技术制备锂电池C‑Si负极涂层的方法 | |
| CN216639626U (zh) | 一种同步热处理/磁控溅射TiO2薄膜沉积装置 | |
| CN204174271U (zh) | 一种高效散热的旋转平面靶 | |
| CN204385286U (zh) | 掠角反应沉积设备 | |
| CN108866501A (zh) | 一种四靶双离子束溅射镀膜装置 | |
| CN109023276A (zh) | 一种基于中频溅射制备同质外延双面MgO薄膜的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20140618 |