CN105112879A - 一种磁控溅射镀膜工件台 - Google Patents
一种磁控溅射镀膜工件台 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105112879A CN105112879A CN201510576683.XA CN201510576683A CN105112879A CN 105112879 A CN105112879 A CN 105112879A CN 201510576683 A CN201510576683 A CN 201510576683A CN 105112879 A CN105112879 A CN 105112879A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- magnetron sputtering
- mounting flange
- work stage
- chip bench
- thermocouple
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
本发明公开了一种磁控溅射镀膜工件台,包括基片台、安装法兰、加热体、热偶和调速电机,所述基片台用来安装基片,所述调速电机的输出端通过联轴器、磁流体与基片台相连并可带着基片台旋转;所述安装法兰安装在真空腔体上,所述加热体和热偶固定于安装法兰上。本发明具有自动化程度高、基于基片台旋转且速度和温度可控的、能提高镀膜均匀性和膜黏附力等优点。
Description
技术领域
本发明主要涉及到半导体设备领域,特指一种磁控溅射镀膜工件台。
背景技术
磁控溅射技术(MS)作为一种十分有效的薄膜沉积方法,被普遍和成功地应用于许多领域,特别是在微电子、光学薄膜和材料表面处理领域中,用于薄膜沉积和表面覆盖层制备。与热蒸发和电弧镀相比较,MS技术沉积薄膜过程稳定、控制方便,可以根据不同的需要来设计靶材,容易获得较大范围的薄膜均匀性。同时,MS成膜离子的能量一般高于热蒸发、低于电弧镀,因此容易获得附着力好、致密度高、内应力小的薄膜。现有的工艺设备当中,对于工件台而言,均存在自动化程度较低、生产效率较低等不足。
发明内容
本发明要解决的技术问题就在于:针对现有技术存在的技术问题,本发明提供一种自动化程度高、基于基片台旋转且速度和温度可控的、能提高镀膜均匀性和膜黏附力的磁控溅射镀膜工件台。
为解决上述技术问题,本发明采用以下技术方案:
一种磁控溅射镀膜工件台,包括基片台、安装法兰、加热体、热偶和调速电机,所述基片台用来安装基片,所述调速电机的输出端通过联轴器、磁流体与基片台相连并可带着基片台旋转;所述安装法兰安装在真空腔体上,所述加热体和热偶固定于安装法兰上。
作为本发明的进一步改进:所述加热体和热偶通过支撑杆固定于安装法兰上。
作为本发明的进一步改进:所述调速电机安装于电机安装支架上。
作为本发明的进一步改进:在所述联轴器的位置处设置有隔热柱,所述隔热柱通过支撑杆安装于安装法兰上。
作为本发明的进一步改进:所述安装法兰上设置有把手。
作为本发明的进一步改进:所述调速电机的调速范围为:3~12rpm。
作为本发明的进一步改进:所述加热体和热偶对基片台上基片的温度调节范围为:室温~400℃。
与现有技术相比,本发明的优点在于:本发明的磁控溅射镀膜工件台,结构简单、操作简便,工件一次装夹定位,通过在旋转基片台上直接加入加热功能,且温度可控可调,改善了半导体器件工艺中磁控溅射镀膜机的镀膜均匀性,提高了膜的黏附力;另外,对基片台增加了离子束溅射清洗功能,实现了工件离子束溅射清洗与镀膜工艺,从而大大提高了设备自动化程度和生产效率。
附图说明
图1是本发明的结构原理示意图。
图例说明:
1、调速电机;2、电机安装支架;3、联轴器;4、磁流体;5、安装法兰;6、K型热偶;7、隔热柱;8、基片台;9、加热体;10、支撑杆;11、把手。
具体实施方式
以下将结合说明书附图和具体实施例对本发明做进一步详细说明。
如图1所示,本发明的磁控溅射镀膜工件台,包括基片台8、安装法兰5、加热体9、热偶6(如:K型热偶)和调速电机1,基片台8用来安装基片,调速电机1的输出端通过联轴器3、磁流体4与基片台8相连并可带着基片台8旋转,通过控制调速电机1的速度可以对基片台8的旋转速度进行调节。这样,基片台8就能够转动且速度可调(如:转速调节范围为3~12rpm),从而保证了基片上溅射的金属膜均匀性,提高了台阶覆盖率,消除了自掩蔽效应。基片的镀膜面向下,可通过考夫曼离子源溅射清洗。安装法兰5安装在真空腔体上,加热体9和热偶6(K型热偶)通过支撑杆10固定于安装法兰5上,通过给热偶6通电,采用电阻加热炉加热方式对加热体9加热,从而达到对基片台8上基片的温度进行调节的效果。这样,基片台8的温度实现了可调(如:温度调节范围为室温~400℃),控制精度为±3℃。由于温度可控可调,增加了基片表面的迁移率,提高了台阶覆盖能力。
本实施例中,调速电机1安装于电机安装支架2上。
本实施例中,在联轴器3的位置处设置有隔热柱7,隔热柱7通过支撑杆10安装于安装法兰5上。
本实施例中,在安装法兰5的位置处设置有把手11。
工作原理:在进行磁控溅射镀膜工艺时,先将基片在基片台8上装夹定位,将定位完成的基片台8安装在工件台上。启动调速电机1,基片台8开始旋转,启动离子源,对基片台8上的基片进行离子束溅射清洗。待清洗完成,对基片台8进行加热,达到一定温度时进行镀膜工艺。通过上述结构,就可以通过不断调节基片台8旋转速度与温度,找到磁控溅射镀膜的最佳工艺参数,使基片所镀膜的均匀性和膜的黏附力都处于最佳值。
以上仅是本发明的优选实施方式,本发明的保护范围并不仅局限于上述实施例,凡属于本发明思路下的技术方案均属于本发明的保护范围。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理前提下的若干改进和润饰,应视为本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种磁控溅射镀膜工件台,其特征在于,包括基片台(8)、安装法兰(5)、加热体(9)、热偶(6)和调速电机(1),所述基片台(8)用来安装基片,所述调速电机(1)的输出端通过联轴器(3)、磁流体(4)与基片台(8)相连并可带着基片台(8)旋转;所述安装法兰(5)安装在真空腔体上,所述加热体(9)和热偶(6)固定于安装法兰(5)上。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜工件台,其特征在于,所述加热体(9)和热偶(6)通过支撑杆(10)固定于安装法兰(5)上。
3.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜工件台,其特征在于,所述调速电机(1)安装于电机安装支架(2)上。
4.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜工件台,其特征在于,在所述联轴器(3)的位置处设置有隔热柱(7),所述隔热柱(7)通过支撑杆(10)安装于安装法兰(5)上。
5.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜工件台,其特征在于,所述安装法兰(5)上设置有把手(11)。
6.根据权利要求1~5中任意一项所述的磁控溅射镀膜工件台,其特征在于,所述调速电机(1)的调速范围为:3~12rpm。
7.根据权利要求1~5中任意一项所述的磁控溅射镀膜工件台,其特征在于,所述加热体(9)和热偶(6)对基片台(8)上基片的温度调节范围为:室温~400℃。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510576683.XA CN105112879A (zh) | 2015-09-11 | 2015-09-11 | 一种磁控溅射镀膜工件台 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510576683.XA CN105112879A (zh) | 2015-09-11 | 2015-09-11 | 一种磁控溅射镀膜工件台 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105112879A true CN105112879A (zh) | 2015-12-02 |
Family
ID=54660976
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510576683.XA Pending CN105112879A (zh) | 2015-09-11 | 2015-09-11 | 一种磁控溅射镀膜工件台 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105112879A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109252143A (zh) * | 2017-07-13 | 2019-01-22 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种基片台 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN201128756Y (zh) * | 2007-11-21 | 2008-10-08 | 合肥皖仪科技有限公司 | 用于真空镀膜气相沉积过程基片装夹的基片架 |
CN103103486A (zh) * | 2011-11-11 | 2013-05-15 | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 | 一种磁控溅射系统 |
CN103866249A (zh) * | 2012-12-13 | 2014-06-18 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种磁控溅射装置及其应用 |
-
2015
- 2015-09-11 CN CN201510576683.XA patent/CN105112879A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN201128756Y (zh) * | 2007-11-21 | 2008-10-08 | 合肥皖仪科技有限公司 | 用于真空镀膜气相沉积过程基片装夹的基片架 |
CN103103486A (zh) * | 2011-11-11 | 2013-05-15 | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 | 一种磁控溅射系统 |
CN103866249A (zh) * | 2012-12-13 | 2014-06-18 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种磁控溅射装置及其应用 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109252143A (zh) * | 2017-07-13 | 2019-01-22 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种基片台 |
CN109252143B (zh) * | 2017-07-13 | 2020-12-11 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种基片台 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105543792A (zh) | 磁控溅射装置及磁控溅射方法 | |
KR20080059304A (ko) | 막 형성장치 및 막 형성방법 | |
CN104919542B (zh) | 透明导电性薄膜及其制造方法 | |
CN105336562A (zh) | 热处理腔室和热处理方法、涂布设备 | |
CN105714256A (zh) | 一种磁控溅射低温制备dlc薄膜的方法 | |
CN108728810A (zh) | 一种真空低温磁控溅射镀膜机 | |
CN108570651A (zh) | 一种多腔室卧式磁控溅射镀膜生产线及其镀膜方法 | |
US20130134036A1 (en) | Equipment for Making IC Shielding Coating Layer and Metal Shielding Layer of IC | |
CN208762573U (zh) | 一种真空低温磁控溅射镀膜机 | |
CN103866249A (zh) | 一种磁控溅射装置及其应用 | |
CN101640233B (zh) | 用磁控溅射法生产CdS/CdTe太阳能电池的装置 | |
CN101624694B (zh) | 靶材热处理方法 | |
CN105112879A (zh) | 一种磁控溅射镀膜工件台 | |
CN104746031B (zh) | 一种溅射系统 | |
CN108315704B (zh) | 一种磁控溅射光学镀膜设备及镀膜方法 | |
CN112575299A (zh) | 一种适用于红外钝化膜层的磁控溅射系统 | |
CN104020193B (zh) | 一种p‑n结型ZnO‑CoTiO3室温气敏薄膜的制备方法 | |
CN101613858B (zh) | 一种有机电热膜自动镀膜设备 | |
CN114318243B (zh) | 一种无掩膜版的图案化薄膜及其制备方法和应用 | |
CN104746028B (zh) | 可实时监控晶片温度的压环系统及磁控溅射设备 | |
CN104451569A (zh) | 一种离子注入提高大尺寸磁控溅射膜质量的方法 | |
CN114823307A (zh) | 一种半导体退火方法、退火装置及退火系统 | |
TWI768014B (zh) | 磁控管濺射方法、磁控管濺射裝置及其磁鐵控制系統 | |
JPH1187245A (ja) | スパッタリング装置 | |
CN102400088A (zh) | 柔性金属基底辉光大束流低电压等离子体活化工艺 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20151202 |