CN102400088B - 柔性金属基底辉光大束流低电压等离子体活化工艺 - Google Patents

柔性金属基底辉光大束流低电压等离子体活化工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN102400088B
CN102400088B CN 201110354717 CN201110354717A CN102400088B CN 102400088 B CN102400088 B CN 102400088B CN 201110354717 CN201110354717 CN 201110354717 CN 201110354717 A CN201110354717 A CN 201110354717A CN 102400088 B CN102400088 B CN 102400088B
Authority
CN
China
Prior art keywords
flexible metal
vacuum chamber
voltage
metal substrate
roll
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN 201110354717
Other languages
English (en)
Other versions
CN102400088A (zh
Inventor
赵慨
冯煜东
王艺
王志民
速小梅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
510 Research Institute of 5th Academy of CASC
Original Assignee
510 Research Institute of 5th Academy of CASC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 510 Research Institute of 5th Academy of CASC filed Critical 510 Research Institute of 5th Academy of CASC
Priority to CN 201110354717 priority Critical patent/CN102400088B/zh
Publication of CN102400088A publication Critical patent/CN102400088A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102400088B publication Critical patent/CN102400088B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Abstract

一种柔性金属基底辉光大束流低电压等离子体活化工艺，将柔性金属基底卷绕在卷绕机构上，该卷绕机构放置在真空室内；打开真空泵组，将真空室抽真空至3x10-3Pa，调节Ar气流量为10～15sccm，使真空室真空度为2x10-1～3x10-1Pa；打开辉光电源，将电压施加在辉光源和真空室之间，待起辉后调节电源电压为250～350V、电流为1～3A和功率为300～800W，之后打开档板，控制卷绕辊的线速度从而通过镀膜辊带动绕在所述放卷辊上的柔性金属基底移动并进行活化。本发明对柔性金属基底采用大束流低电压等离子体连续活化工艺，不但使镀制的膜层附着力好，而且速度快，利于进行大面积连续活化和批量镀膜生产。

Description

柔性金属基底辉光大束流低电压等离子体活化工艺
技术领域
本发明涉及一种等离子体活化工艺，具体指一种大束流低电压等离子体活化工艺，为柔性金属基底镀膜前表面大面积连续活化工艺，属于表面工程技术领域。
背景技术
目前，柔性金属基底（如铜、铝、不锈钢等）镀膜材料被广泛应用于太阳能热利用的高效吸热材料，但使用环境复杂，柔性金属基底材料表面如果不进行有效的表面活化处理，则其上镀制的膜层很容易脱落。为了使柔性金属基底镀膜材料能长期安全工作，柔性金属基底镀膜前进行表面大面积连续活化是十分必要的。
发明内容
　　本发明的目的是对柔性金属基底进行有效的镀膜前预处理，使镀制的膜层附着力好，利于进行大面积连续活化和批量镀膜生产。
本发明是通过下述技术方案实现的：一种柔性金属基底辉光大束流低电压等离子体活化工艺，将柔性金属基底卷绕在卷绕机构上，该卷绕机构放置在真空室内，将与卷绕机构放卷辊同轴连接的磁粉离合器的张力调节为1～1.5N，调节辉光源和卷绕机构镀膜辊的距离为10cm，调节该镀膜辊温度为15～20℃。
打开真空泵组，将真空室抽真空至3x10-3Pa，打开质量流量计，调节Ar气流量为10～15sccm，使真空室真空度为2x10-1～3x10-1Pa。
打开辉光电源，将电压施加在辉光源和真空室之间，待起辉后调节电源电压为250～350V、电流为1～3A和功率为300～800W，等电源各项参数稳定后打开不锈钢档板，控制卷绕机构卷绕辊的线速度为3～10mm/s，从而通过镀膜辊带动绕在所述放卷辊上的柔性金属基底移动并进行活化。
柔性金属基底在辉光等离子体环境中活化时采用的放电电压越小，对基底的损伤越小，活化效果也越好；本发明对柔性金属基底采用大束流低电压等离子体连续活化工艺，不但使镀制的膜层附着力好，而且速度快，利于进行大面积连续活化和批量镀膜生产。
本发明适用于民用各个领域柔性金属基底高效吸热材料的镀制，如太阳能热利用的柔性金属基底高效吸热材料的镀制等。
附图说明
图1为本发明活化装置示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明及其有益效果作进一步详细说明。
本发明所述柔性金属基底包括铜、铝、不锈钢等材料，对其施用本发明，均有相同的效果。下述实施例以柔性铝基底为例。
[0012] 参照图1，一种柔性金属基底辉光大束流低电压等离子体活化工艺，工艺装置包含真空室、卷绕机构等，所述真空室和卷绕机构均为不锈钢制造，该卷绕机构放置在真空室内且其包括放卷辊1、镀膜辊4、卷绕辊5，所述收卷辊5由直流电机通过减速机构减速后带动旋转，该收卷辊5卷绕速度由速度控制装置精确控制，放卷辊1同轴联接磁粉离合器对柔性铝基底2提供一定的张力。柔性铝基底2一端卷绕在放卷辊1上，通过镀膜辊4由卷绕辊5进行卷绕带动移动。镀膜辊4的下方依次为不锈钢挡板3和辉光源，辉光源与真空室电绝缘。
工艺过程为：将与所述放卷辊1同轴连接的磁粉离合器的张力调节为1～1.5N，调节辉光源和所述镀膜辊4的距离为10cm，通过温度控制装置调节该镀膜辊温度为15～20℃；
打开真空泵组，真空泵组为旋片式机械泵与低温泵组成，将真空室本底真空抽至3x10-3Pa左右，打开质量流量计，调节Ar气流量为10～15sccm，微调低温泵翻板阀开口，使真空室真空度为2x10-1～3x10-1Pa；
打开辉光电源，将电压施加在辉光源和真空室之间，待起辉后调节电源电压为250 V、300 V或350V、电流为1A、2A或3A和功率为300 W、400 W、500 W、600 W、700 W或800W，等电源各项参数稳定后打开不锈钢档板3，通过速度控制装置控制卷绕机构卷绕辊5的线速度为3～10mm/s，从而通过镀膜辊4带动绕在所述放卷辊1上的柔性铝基底2移动并进行活化。
然后在活化后的柔性铝基底上应用磁控溅射镀制金属Al膜，并对Al膜与柔性金属基底附着力以及光学性能（太阳吸收率）进行测试，测试结果见表1。
表1 辉光等离子体活化
Figure 2011103547172100002DEST_PATH_IMAGE001
从测试结果可以看出，柔性铝基底在大束流低电压等离子活化后镀制Al膜， Al膜在柔性铝基底上的附着力以及Al膜面太阳吸收率性能和指标都较好，且达到使用性能要求。

Claims (1)

1.一种柔性金属基底辉光大束流低电压等离子体活化工艺，其特征在于：将柔性金属基底（2）卷绕在卷绕机构上，该卷绕机构放置在真空室内，将与卷绕机构放卷辊（1）同轴连接的磁粉离合器的张力调节为1～1.5N，调节辉光源和卷绕机构镀膜辊（4）的距离为10cm，调节该镀膜辊温度为15～20℃；
打开真空泵组，将真空室抽真空至3x10-3Pa，打开质量流量计，调节Ar气流量为10～15sccm，使真空室真空度为2x10-1～3x10-1Pa；
打开辉光电源，将电压施加在辉光源和真空室之间，待起辉后调节电源电压为250～350V、电流为1～3A和功率为300～800W，等电源各项参数稳定后打开不锈钢档板（3），控制卷绕机构收卷辊（5）的线速度为3～10mm/s，从而通过镀膜辊（4）带动绕在所述放卷辊（1）上的柔性金属基底（2）移动并进行活化。
CN 201110354717 2011-11-10 2011-11-10 柔性金属基底辉光大束流低电压等离子体活化工艺 Expired - Fee Related CN102400088B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201110354717 CN102400088B (zh) 2011-11-10 2011-11-10 柔性金属基底辉光大束流低电压等离子体活化工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201110354717 CN102400088B (zh) 2011-11-10 2011-11-10 柔性金属基底辉光大束流低电压等离子体活化工艺

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102400088A CN102400088A (zh) 2012-04-04
CN102400088B true CN102400088B (zh) 2013-10-16

Family

ID=45882725

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201110354717 Expired - Fee Related CN102400088B (zh) 2011-11-10 2011-11-10 柔性金属基底辉光大束流低电压等离子体活化工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102400088B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019105533A1 (en) * 2017-11-28 2019-06-06 Applied Materials, Inc. Deposition apparatus for coating a flexible substrate, method of coating a flexible substrate and flexible substrate having a coating
US20200318233A1 (en) * 2017-11-28 2020-10-08 Edgar Haberkorn Deposition apparatus, method of coating a flexible substrate and flexible substrate having a coating
CN110257792B (zh) * 2019-06-20 2021-11-23 上海超导科技股份有限公司 生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜机构及装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101403093A (zh) * 2008-09-10 2009-04-08 兰州大成自动化工程有限公司 钕铁硼磁体表面真空复合镀膜的制备方法
CN101696490A (zh) * 2009-11-02 2010-04-21 河南理工大学 一种纯铜表面磁控溅射制备耐磨抗电蚀合金层的方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101403093A (zh) * 2008-09-10 2009-04-08 兰州大成自动化工程有限公司 钕铁硼磁体表面真空复合镀膜的制备方法
CN101696490A (zh) * 2009-11-02 2010-04-21 河南理工大学 一种纯铜表面磁控溅射制备耐磨抗电蚀合金层的方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
冯煜东.柔性基底薄膜太阳能电池研究与试制.《工程科技Ⅱ辑》.2010,
柔性基底薄膜太阳能电池研究与试制;冯煜东;《工程科技Ⅱ辑》;20101031;10-14,67-70 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN102400088A (zh) 2012-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102400088B (zh) 柔性金属基底辉光大束流低电压等离子体活化工艺
EP3412794B1 (en) Coating device with moving target and coating method
CN204385288U (zh) 柔性基材磁控溅射卷绕镀膜机
CN208762573U (zh) 一种真空低温磁控溅射镀膜机
CN105821391A (zh) 一种垂直基底生长硒化钨纳米片薄膜材料的可控快速制备方法
CN103436844A (zh) 一种低温沉积柔性基材ito膜镀膜装置及方法
CN107794510B (zh) 柔性薄膜立式真空镀膜生产线
CN105161558A (zh) 一种太阳能电池封装薄膜
CN103924191A (zh) 在基片上镀制ito薄膜的方法
CN203487223U (zh) 一种低温沉积柔性基材ito膜镀膜装置
CN202152366U (zh) 柔性ito磁控镀膜装置
CN104131260A (zh) 金属Pd纳米颗粒阵列的制备方法
CN201746583U (zh) 一种潘宁放电离子源柔性材料真空镀膜电极
CN203754797U (zh) 一种真空蒸发镀膜装置
CN103985783A (zh) 利用磁控溅射法在柔性衬底上制备铜锌锡硫薄膜的方法
CN201857424U (zh) 一种新型真空镀膜机
CN102358937A (zh) 大面积柔性金属基底高吸热金属陶瓷复合膜连续制备方法
CN105132875B (zh) 一种扩散法制备高浓度梯度azo单晶导电薄膜的方法
CN104505462A (zh) 一种有机金属卤化物薄膜及其制备方法与应用
CN109972111A (zh) 一种高掺杂MoOx基光热转换涂层及其制备方法
CN202705450U (zh) 镀膜静电消除装置
CN106653565A (zh) 硫化法在金属箔片衬底上制备ZnS薄膜的方法
Hua et al. Influence of target substrate distance on the properties of transparent conductive Si doped ZnO thin films
CN103074586B (zh) 一种低温低损伤多功能复合镀膜的装置和方法
CN103981497B (zh) 一种柔性衬底ZnS薄膜的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20131016

Termination date: 20151110

EXPY Termination of patent right or utility model