CN104505462A - 一种有机金属卤化物薄膜及其制备方法与应用 - Google Patents

一种有机金属卤化物薄膜及其制备方法与应用 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种有机金属卤化物薄膜及其制备方法与应用，其中，所述制备方法包括步骤：将有机金属卤化物前驱体晶体研磨至粉末，把研磨好的晶体粉末作为蒸镀粉末原料放入镀膜室的蒸发舟或坩埚中待蒸发；将基片放于镀膜室的样品架上待沉积有机金属卤化物薄膜；对镀膜室抽气，开启蒸发源电源，在基片上形成有机金属卤化物薄膜。采用本发明方法既避免了氧气和水气对薄膜质量的影响且制备薄膜的重复性稳定性较高，又无需考虑同时控制有机和无机材料蒸发源的困难，制备的薄膜晶体结构和薄膜成分同源性高且分布均匀。本发明方法操作简单、成本低廉和节约原材料。本发明有机金属卤化物薄膜应用于太阳电池时，具有强的吸收能力，符合太阳电池的要求。

Description

一种有机金属卤化物薄膜及其制备方法与应用
技术领域
本发明涉及新型薄膜太阳电池功能材料领域，尤其涉及一种有机金属卤化物薄膜及其制备方法与应用。
背景技术
近年来，基于CH3NH3PbY3（Y=I、Br和Cl）作为吸收层材料的钙钛矿太阳电池得到了广泛的关注和高速发展，器件效率从2009年的3.8%飞跃至2014年最高效率19.3%，甚至被预测未来转换效率会很快超过晶体硅太阳电池最高效率25%。但是，目前制备CH3NH3PbY3（Y=I、Br和Cl）薄膜的方法主要是非真空溶液法，该法在实际产业化应用中面临不少挑战。实验室制备的太阳电池仅几平方厘米大小，相比于硅板太阳电池直径能达数米还有很大的差距，这主要是因为采用非真空溶液法难以实现大面积钙钛矿连续膜生长，且钙钛矿电池对氧气非常敏感，会与其发生化学反应进而破坏晶体结构，并产生水蒸气和溶解盐状钙钛矿，以致电池失效。为此，利于大规模产业化的基于真空蒸发沉积技术的制备方法获得了广泛重视。其中一种是采用真空蒸气辅助沉积法制备CH3NH3PbI3薄膜，该方法制备薄膜的质量较高，但是其反应过程需要的时间较长且反应不充分，一般需要在TiO2介孔或者Al2O3支架材料以增加反应面积，流程复杂且难以控制薄膜生长过程；另一种是采用双源热蒸发沉积法制备CH3NH3PbI3薄膜，该方法采用全真空制备技术，获得薄膜结晶度较高，但是采用双源热蒸发沉积技术需要同时精确控制有机和无机材料蒸发源且需要有效控制薄膜化合过程是非常困难的，由于有机和无机材料本身物性差异甚远，难以同时匹配化合条件，成分容易偏离化学计量比直接导致薄膜质量和重复性降低。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种有机金属卤化物薄膜及其制备方法与应用，旨在解决现有技术中存在的薄膜制备工艺复杂、重复性低及薄膜质量低的问题。
本发明的技术方案如下：
一种有机金属卤化物薄膜的制备方法，其中，包括步骤：
A、将有机金属卤化物前驱体晶体研磨至粉末，所述有机金属卤化物中有机部分为CH3NH3， 金属为Ge、Sn、Pb中的一种，卤素为I、Cl、Br中的一种；把研磨好的晶体粉末作为蒸镀粉末原料放入镀膜室的蒸发舟或坩埚中待蒸发；
B、将基片放于镀膜室的样品架上待沉积有机金属卤化物薄膜；
C、对镀膜室抽气，开启蒸发源电源，并控制蒸发源蒸发参数，在基片上形成有机金属卤化物薄膜。
所述有机金属卤化物薄膜的制备方法，其中，所述步骤A中，所述有机金属卤化物中有机部分为CH3NH3，金属为Ge、Sn或Pb中的两种或三种元素的掺杂金属，卤素为I、Cl或Br中的两种或三种元素的掺杂卤素。
所述有机金属卤化物薄膜的制备方法，其中，所述步骤A中，所述有机金属卤化物为CH3NH3（GeaSnbPbc）（IeClfBrg）3， 控制a+b+c=1和e+f+g=1。
所述有机金属卤化物薄膜的制备方法，其中，所述步骤B中，所述基片包括刚性基片和柔性基片。
所述有机金属卤化物薄膜的制备方法，其中，所述步骤B中，所述刚性基片为玻璃基片。
所述有机金属卤化物薄膜的制备方法，其中，所述步骤C中，镀膜室压强抽至0.1Pa以下。
所述有机金属卤化物薄膜的制备方法，其中，所述步骤C中，所述蒸发源蒸发参数包括：蒸镀电流、功率、设计膜料加热程序和周期。
所述有机金属卤化物薄膜的制备方法，其中，所述步骤C之后还包括：对形成的有机金属卤化物薄膜进行原位30-800℃热处理。
一种有机金属卤化物薄膜，其中，应用如上任一所述有机金属卤化物薄膜制备方法制备而成。
一种如上所述有机金属卤化物薄膜的应用，其中，将所述有机金属卤化物薄膜应用于太阳电池中。
有益效果：本发明采用真空单源蒸发沉积技术，通过控制蒸发沉积参数，直接蒸发有机金属卤化物前驱体粉末材料，实现同一真空环境下原位完成高质量有机金属卤化物薄膜制备。采用全真空制备工艺避免了氧气和水气对薄膜质量的影响且制备薄膜的重复性稳定性较高；且无需考虑同时控制有机和无机材料蒸发源的困难，通过直接蒸发有机金属卤化物前驱体粉末材料即可制备晶体结构和薄膜成分同源性高且分布均匀的有机金属卤化物薄膜。本发明制备方法操作简单、成本低廉和节约原材料。
附图说明
图1为本发明一处有机金属卤化物薄膜制备方法实施例中的镀膜室的结构示意图。
图2为本发明较佳实施例的单源热蒸发沉积CH3NH3XY3薄膜的流程图。
图3为本发明实施例1自制的CH3NH3PbI3前驱体晶体的SEM图。
图4为本发明自制的CH3NH3PbI3粉末、实施例1室温下制备和实施例2热处理后的CH3NH3PbI3薄膜的XRD图。
图5为本发明实施例1室温下制备的CH3NH3PbI3薄膜的SEM图。
图6 为本发明实施例1室温下制备和实施例2热处理后的CH3NH3PbI3薄膜的透射光谱图。
图7为本发明实施例2热处理后的CH3NH3PbI3薄膜的SEM图。
具体实施方式
本发明提供一种有机金属卤化物薄膜及其制备方法与应用，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
图1为本发明一处有机金属卤化物薄膜制备方法实施例中的镀膜室的结构示意图。如图所示，本发明单源热蒸发沉积有机金属卤化物镀膜室9包括：真空抽取口1、加热器2、蒸发舟（或坩埚）3、有机金属卤化物蒸发原料4、探头5、样品架自转器6、基片加热器7和基片架8。其中，将所述真空抽取口与真空抽取装置（图中未示出）进行封闭连接，真空抽取装置对镀膜室9进行抽气。
图2为本发明较佳实施例的单源热蒸发沉积CH3NH3XY3薄膜的流程图。本发明的一种有机金属卤化物薄膜的制备方法较佳实施例，如图2所示，其包括步骤：
S1、将有机金属卤化物前驱体晶体研磨至粉末，所述有机金属卤化物中有机部分为CH3NH3I， 金属为Ge、Sn或Pb中的一种，卤素为I、Cl或Br中的一种；把研磨好的晶体粉末作为蒸镀粉末原料放入蒸发舟或坩埚中待蒸发；
S2、将基片放于样品架上待沉积有机金属卤化物薄膜；
S3、对镀膜室抽气，开启蒸发源电源，并控制蒸发源蒸发参数，在基片上形成有机金属卤化物薄膜。
本发明对现有技术进行了改进，采用真空单源蒸发沉积技术，直接蒸发有机金属卤化物前驱体晶体粉末，实现在真空环境下完成有机金属卤化物薄膜的制备。所述真空单源蒸发沉积技术是一种将待镀膜的基片置于高真空室内，通过加热使蒸发材料气化而沉积到基片表面上，从而形成一层薄膜的工艺技术。本发明制备方法解决了现有技术中存在的氧气和水气对薄膜质量的影响及制备薄膜重复性稳定性低的问题，且本发明制备方法无需考虑同时控制有机和无机材料蒸发源的困难，通过直接蒸发有机金属卤化物前驱体粉末原料，即可制备出晶体结构和薄膜成分同源性高且分布均匀的有机金属卤化物薄膜。
本发明所述步骤S1中，所述有机金属卤化物中有机部分为CH3NH3I， 金属元素为IVA族金属元素锗（Ge）、锡（Sn）或铅（Pb）中的一种，卤素元素为VIIA族卤素元素碘（I）、氯（Cl）或者溴（Br）中的一种，换句话说，所述有机金属卤化物用分子式可表示为CH3NH3XY3。进一步地，所述金属也可以为IVA族金属元素锗（Ge）、锡（Sn）或铅（Pb）中的两种或三种元素的掺杂金属，卤素也可以为VIIA族卤素元素碘（I）、氯（Cl）或者溴（Br）中的两种或三种元素的掺杂卤素，则所述有机金属卤化物用分子式也可表示为CH3NH3（GeaSnbPbc）（IeClfBrg）3，这是由于这类掺杂材料作为吸收层材料应用于太阳电池中时，具有带隙可调，吸光系数高及优异的载流子产生和分离的能力。在所述有机金属卤化物为CH3NH3（GeaSnbPbc）（IeClfBrg）3时， 控制蒸发原料成分配比，使得a+b+c=1和e+f+g=1。本发明通过改变蒸发原料成分配比，就可通过单源热蒸发沉积技术有效控制金属含量掺杂或卤素含量掺杂来制得所需的CH3NH3（GeaSnbPbc）（IeClfBrg）3薄膜。
本发明所述步骤S1中，将有机金属卤化物前驱体晶体研磨至粉末，把研磨好的晶体粉末作为蒸镀粉末原料放入蒸发舟中待蒸发，其中，所述蒸发舟包括钼舟、钨舟等各种材料制备而成的蒸发舟。所述蒸镀粉末原料也可放在坩埚中待蒸发，其中，所述坩埚包括石英、石墨和金属等各种材料制作而成的坩埚。所述蒸发舟和坩埚都为难熔材料，因而可避免蒸发舟和坩埚容器材料的蒸发，以及避免容器材料与蒸镀粉末原料之间的反应，以提高有机金属卤化物薄膜的纯度。
本发明所述步骤S2中，所述基片包括刚性基片和柔性基片。所述刚性基片可选玻璃或不锈钢等刚性材料，所述柔性基片可选柔性塑料或柔性金属等柔性材料。由于玻璃材料具有较好的耐高温和抗腐蚀性能，所以本发明优选玻璃材料作为沉积有机金属卤化物薄膜的基片材料。在所述基片放于样品架前，本发明还采用有机溶剂对基片进行超声波清洗，并用干燥惰性气体吹干，以确保有机金属卤化物薄膜均匀地分布于基片上。所述惰性气体可以为氮气或氩气。
本发明所述步骤S3中，具体包括：将镀膜室抽至真空状态，控制镀膜室压强在0.1Pa以下，然后开启蒸发源电源，并精确控制蒸发源蒸发参数，就可在基片上形成CH3NH3XY3薄膜。所述蒸发源蒸发参数包括：蒸镀电流、功率、设计膜料加热程序和周期，通过精确控制上述参数，即可较容易的获得所需膜层厚度和微结构性能的有机金属卤化物薄膜。具体地，在镀膜室压强达到0.1Pa以下时，开启蒸发源电源，控制蒸镀电流的范围在10-1000A，调节功率在100-10000W之间，对放有蒸镀粉末原料的蒸发舟加热，通过加热使蒸镀粉末原料熔化，并在获得足够的能量时气化，当气化至基片表面时，便沉积而形成薄膜。所述蒸镀粉末原料熔化至气化的转化过程是一个电流连续变化的过程，电流由小向大连续变化，电流控制在10-1000A之间。开启蒸发源电源时，可将功率调至500W，这时功率每1分钟升100W，蒸镀大致15分钟，蒸发功率在100-10000W间变化。其中，设计膜料加热程序包括阶梯步进加热和时间，在真空室内用设置的基片加热器加热基片，使用加热器加热蒸镀粉末原料，并控制加热器对蒸镀粉末原料的加热温度和时间，控制基片加热器对基片的加热温度和时间，使得获得所需微结构性能的有机金属卤化物薄膜。并通过设置膜料加料周期，以控制薄膜的厚度。
另外，本发明采用的全真空单源热蒸发沉积方法，工艺成熟，操作简单且可控性强，通过控制蒸发源蒸发参数，就可获得所需膜层厚度和微结构性能的有机金属卤化物薄膜，此外本发明方法还解决了低熔点和高饱和蒸汽压难以直接利用直流、射频磁控溅射或控制蒸镀有机材料的困难。
进一步地，本发明所述步骤S4之后还包括对形成的有机金属卤化物薄膜进行原位热处理，所述热处理温度在30-800℃间，该原位热处理可通过真空进行热处理，亦可在惰性气氛（如Ar或N2气氛下）进行热处理，且有机金属卤化物薄膜热处理时间在1-600分钟。经热处理后，有机金属卤化物薄膜的结晶度可进一步提高，薄膜表面颗粒生长更明显，且热处理后的有机金属卤化物薄膜在可见光范围内具有较强的吸收能力，符合太阳电池器件对吸收层光吸收性能要求。
本发明还提供一种有机金属卤化物薄膜，本发明有机金属卤化物薄膜应用如上所述有机金属卤化物薄膜的制备方法制备而成。本发明有机金属卤化物CH3NH3XY3薄膜具有单一的钙钛矿四方晶体结构，无杂质出现，薄膜的晶体结构和薄膜成分同源性高，且薄膜分布均匀，薄膜质量高。
另外，本发明还提供一种如上所述有机金属卤化物薄膜的应用，将所述有机金属卤化物薄膜应用于太阳电池中。本发明有机金属卤化物薄膜作为吸收层用于制备太阳电池中时，有机金属卤化物薄膜吸收层表现出较强的吸收能力，符合太阳电池器件对吸收层光吸收性能的要求。
下面以具体实施例对本发明做详细说明：
实施例1
以BK7光学玻璃为基片材料，采用有机溶剂进行超声波清洗，干燥氮气吹干，放置于样品架上。通过研磨有机金属卤化物CH3NH3PbI3前驱体晶体形成蒸镀粉末原料，称取蒸镀粉末原料约500毫克放置于钨蒸发舟上；镀膜室真空抽至1.0×10-3 Pa；开启蒸发源电源，调节蒸发功率至500W（每1分钟升100W），蒸镀15分钟，生成厚度约为200nm的CH3NH3PbI3薄膜。
本实施例制备的CH3NH3PbI3薄膜结构与性能如下：
1）、如图3的SEM图显示，CH3NH3PbI3前驱体晶体呈现亮黑色且形状规则；
2）、 如图4的XRD图显示，室温下制备的CH3NH3PbI3薄膜与CH3NH3PbI3蒸镀粉末原料均具有单一的钙钛矿四方晶体结构，无杂质相出现，证明前驱体晶体粉末与单源热蒸发制备的薄膜晶体结构同源性高；
3）、如图5的SEM图显示，室温下制备的CH3NH3PbI3薄膜致密且分布均匀；
4）、如图6的透射光谱图显示，室温下制备的CH3NH3PbI3薄膜在可见光范围内具有较强的吸收能力，吸收带隙为1.58 eV，符合太阳电池器件对吸收层光吸收性能要求。
实施例2
本实施例的CH3NH3PbI3薄膜的制备方法，除下述特征外，其他特征与实施例1相同：
对实施例1中室温下制备的CH3NH3PbI3薄膜进行原位100℃热处理20分钟。
本实施例制备的CH3NH3PbI3薄膜结构与性能如下：
1）、如表1的EDS测量显示，经过原位热处理制备的CH3NH3PbI3薄膜中Pb和I的成分比例接近化学计量比，且与CH3NH3PbI3前驱体晶体和蒸镀粉末原料成分接近，证明单源热蒸发制备的薄膜与前驱体晶体和蒸镀粉末原料成分同源性高；
2）、如图4的XRD图显示，热处理后的CH3NH3PbI3薄膜同样具有单一的钙钛矿四方晶体结构，薄膜择优取向和结晶度得到进一步提高；
3）、如图6的透射光谱图显示，热处理后的CH3NH3PbI3薄膜在可见光范围内同样具有较强的吸收能力，吸收带隙为1.58 eV，符合太阳电池器件对吸收层光吸收性能要求；
4）、如图7的SEM图显示，热处理后的CH3NH3PbI3薄膜表面颗粒生长更明显，颗粒平均尺寸约为300 nm，薄膜致密且分布均匀。
表1 :CH3NH3PbI3前驱体晶体、蒸镀粉末和热处理后薄膜Pb和I成分分析
样品 Pb (at%) I (at%) Pb/I
前驱体晶体 27.49 72.51 0.37
蒸镀粉末 25.82 74.18 0.34
热处理后薄膜 27.91 72.09 0.38
通过上述实施例可知，本发明采用真空单源蒸发沉积技术，通过控制蒸发源蒸发沉积参数，直接蒸发CH3NH3XY3前驱体粉末材料，实现同一真空环境下原位完成高质量CH3NH3XY3薄膜制备。采用本发明的制备方法既避免了氧气和水气对薄膜质量的影响且制备薄膜的重复性稳定性较高，又无需考虑同时控制有机和无机材料蒸发源的困难，通过直接蒸发CH3NH3XY3前驱体粉末材料即可制备出晶体结构和薄膜成分同源性高且分布均匀的CH3NH3XY3薄膜。本发明制备方法操作简单、成本低廉和节约原材料。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种有机金属卤化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：
A、将有机金属卤化物前驱体晶体研磨至粉末，所述有机金属卤化物中有机部分为CH3NH3， 金属为Ge、Sn、Pb中的一种，卤素为I、Cl、Br中的一种；把研磨好的晶体粉末作为蒸镀粉末原料放入镀膜室的蒸发舟或坩埚中待蒸发；
B、将基片放于镀膜室的样品架上待沉积有机金属卤化物薄膜；
C、对镀膜室抽气，开启蒸发源电源，并控制蒸发源蒸发参数，在基片上形成有机金属卤化物薄膜。
2.根据权利要求1所述有机金属卤化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤A中，所述有机金属卤化物中有机部分为CH3NH3，金属为Ge、Sn或Pb中的两种或三种元素的掺杂金属，卤素为I、Cl或Br中的两种或三种元素的掺杂卤素。
3.根据权利要求2所述有机金属卤化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤A中，所述有机金属卤化物为CH3NH3（GeaSnbPbc）（IeClfBrg）3， 控制a+b+c=1和e+f+g=1。
4.根据权利要求1所述有机金属卤化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤B中，所述基片包括刚性基片和柔性基片。
5.根据权利要求4所述有机金属卤化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤B中，所述刚性基片为玻璃基片。
6.根据权利要求1所述有机金属卤化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤C中，镀膜室压强抽至0.1Pa以下。
7.根据权利要求1所述有机金属卤化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤C中，所述蒸发源蒸发参数包括：蒸镀电流、功率、设计膜料加热程序和周期。
8.根据权利要求1所述有机金属卤化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤C之后还包括：对形成的有机金属卤化物薄膜进行原位30-800℃热处理。
9.一种有机金属卤化物薄膜，其特征在于，应用如权利要求1-8任一所述有机金属卤化物薄膜制备方法制备而成。
10.一种如权利要求9所述有机金属卤化物薄膜的应用，其特征在于，将所述有机金属卤化物薄膜应用于太阳电池中。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108832005A (zh) * 2018-06-25 2018-11-16 陕西师范大学 利用单源热蒸发法制备高效率CsPbBr3无机钙钛矿电池的方法
CN110047774A (zh) * 2018-01-17 2019-07-23 杭州纤纳光电科技有限公司 一种沉浸式制备钙钛矿薄膜的设备及使用方法和应用
CN112739798A (zh) * 2018-07-13 2021-04-30 牛津大学科技创新有限公司 A/m/x材料的制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104134720A (zh) * 2014-07-10 2014-11-05 上海大学 单源闪蒸法生长有机无机杂化钙钛矿材料及其平面型太阳能电池的制备方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104134720A (zh) * 2014-07-10 2014-11-05 上海大学 单源闪蒸法生长有机无机杂化钙钛矿材料及其平面型太阳能电池的制备方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110047774A (zh) * 2018-01-17 2019-07-23 杭州纤纳光电科技有限公司 一种沉浸式制备钙钛矿薄膜的设备及使用方法和应用
JP2021507542A (ja) * 2018-01-17 2021-02-22 杭州繊納光電科技有限公司Ｈａｎｇｚｈｏｕ Ｍｉｃｒｏｑｕａｎｔａ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｃｏ．，Ｌｔｄ ペロブスカイトフィルムを製造する浸漬式装置、使用方法およびその使用
CN110047774B (zh) * 2018-01-17 2021-08-27 杭州纤纳光电科技有限公司 一种沉浸式制备钙钛矿薄膜的设备及使用方法和应用
JP7037838B2 (ja) 2018-01-17 2022-03-17 杭州繊納光電科技有限公司 ペロブスカイトフィルムを製造する蒸着装置、その使用方法およびペロブスカイト太陽電池の製造方法
JP7037838B6 (ja) 2018-01-17 2022-04-01 杭州繊納光電科技有限公司 ペロブスカイトフィルムを製造する蒸着装置、その使用方法およびペロブスカイト太陽電池の製造方法
CN108832005A (zh) * 2018-06-25 2018-11-16 陕西师范大学 利用单源热蒸发法制备高效率CsPbBr3无机钙钛矿电池的方法
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CN112739798A (zh) * 2018-07-13 2021-04-30 牛津大学科技创新有限公司 A/m/x材料的制备方法
US11976227B2 (en) 2018-07-13 2024-05-07 Oxford University Innovation Limited Fabrication process for A/M/X materials

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