KR20090109574A - 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 장치 및 가장자리 검사 방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 장치 및 가장자리 검사 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20090109574A
KR20090109574A KR1020097018744A KR20097018744A KR20090109574A KR 20090109574 A KR20090109574 A KR 20090109574A KR 1020097018744 A KR1020097018744 A KR 1020097018744A KR 20097018744 A KR20097018744 A KR 20097018744A KR 20090109574 A KR20090109574 A KR 20090109574A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
outer circumferential
bevel surface
semiconductor wafer
edge
information indicating
Prior art date
Application number
KR1020097018744A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101099264B1 (ko
Inventor
요시노리 하야시
히데키 모리
Original Assignee
시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤 filed Critical 시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤
Publication of KR20090109574A publication Critical patent/KR20090109574A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101099264B1 publication Critical patent/KR101099264B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G01N21/9503—Wafer edge inspection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
    • G01N2021/8841—Illumination and detection on two sides of object

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

<과제> 결함 유무에 대한 검사와 동일 공정 혹은 동일 장치에서 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분의 형상의 검사를 용이하게 행할 수 있는 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 장치 및 가장자리 검사 방법을 제공하는 것이다.
<해결 수단> 반도체 웨이퍼(100)의 외주 가장자리 부분(101)을 둘레 방향으로 차례차례 촬영하고 화상 신호를 출력하는 CCD 카메라(10)와, CCD 카메라(10)로부터 차례차례 출력되는 화상 신호를 처리하는 화상 처리 유닛(20)을 가지고, 화상 처리 유닛(20)은 상기 화상 신호로부터 반도체 웨이퍼(100)의 외주 가장자리 부분(101)을 나타내는 화상 정보를 생성하는 화상 정보 생성 수단(S2)과, 상기 화상 정보로부터 외주 가장자리 부분(101)의 복수 위치 θ 각각에서의 형상을 나타내는 가장자리 형상 정보 Ap(θ), Ub(θ), Lb(θ)를 생성하는 형상 정보 생성 수단(S13)을 가지고, 상기 가장자리 형상 정보에 기초한 검사 결과를 출력하도록 구성된다.
반도체, 웨이퍼, 화상, 처리, 외주, 가장자리, 형상, 결함, 검출

Description

반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 장치 및 가장자리 검사 방법{APPARATUS AND METHOD FOR INSPECTING EDGE OF SEMICONDUCTOR WAFER}
본 발명은 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분을 검사하는 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 장치 및 가장자리 검사 방법에 관한 것이다.
종래로부터 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분의 단면 형상을 측정하는 측정 장치(검사 장치)가 제안되어 있다(특허 문헌1 참조). 이 측정 장치는 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분에 대해서 당해 반도체 웨이퍼의 면에 평행으로 또한 그 접선 방향으로 광을 조사하고, 당해 외주 가장자리 부분을 통과하여 텔레센트릭(telecentric) 구조로 되는 광학계를 통해 진행하는 광을 수광하는 이미지 센서에 상기 외주 가장자리 부분의 단면 영상을 투영시키고 있다. 그리고 이미지 센서로부터 출력되는 신호에 기초하여 얻어지는 상기 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분의 단면 영상에 대응한 화상으로부터 그 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분의 2차원적 치수가 측정된다.
이러한 측정 장치에 의하면, 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분의 2차원 치수를 측정할 수 있으므로, 그 측정 결과에 기초하여 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분의 형상의 적부를 검사할 수가 있게 된다.
그런데, 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분의 검사는 그 형상뿐만이 아니라 그 외주 가장자리 부분에 크랙(crack)이나 파티클(particle) 등의 결함이 존재하는지 아닌지에 대해서도 행하는 것이 바람직하다. 종래로부터 그러한 검사를 행하는 검사 장치가 제안되어 있다(특허 문헌2 참조). 이 검사 장치는 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분의 외주 단면을 촬영하는 라인 센서(line sensor)와, 반도체 웨이퍼의 일방의 면의 외주 테두리에 있어서 경사진 면을 촬영하는 라인 센서와, 반도체 웨이퍼의 타방의 면의 외주 테두리에 있어서 경사진 면을 촬영하는 라인 센서를 가지고 있다. 그리고 각 라인 센서로부터의 검출 신호에 기초하여 얻어지는 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분의 화상의 농담 분포나 색 분포 등의 상태에 의해, 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분의 외주 단면이나 경사진 각 면에 크랙이나 파티클 등의 결함이 존재하는지 아닌지의 판정이 이루어진다.
이러한 검사 장치에 의하면, 목시 검사에서는 찾아낼 수 없는 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분의 결함까지도 정밀도 좋게 그 유무를 검사할 수가 있게 된다.
특허 문헌 1 : 일본특허공개공보 제2006－145487호
특허 문헌 2 : 일본특허공개공보 제2003－243465호
<발명이 해결하고자 하는 과제>
전술한 바와 같은 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분의 형상을 검사하는 검사 장치는 외주 가장자리 부분에 광을 조사하고, 그의 모습(영상)을 나타내는 화상으로부터 그의 2차원적 치수를 측정하고 있기 때문에 상기 화상으로부터는 크랙이나 파티클 등의 결함을 판단할 수가 없다. 이 때문에 상기 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분의 형상을 검사하는 검사 장치는 그 외주 가장자리 부분의 크랙이나 파티클 등의 결함을 검사하는 검사 장치의 구성 부재(카메라 등)나 처리를 공통화할 수가 없다. 그 결과 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분의 형상의 검사와 크랙이나 파티클 등의 결함 유무의 검사는 동일 공정(동일 장치)으로 행하는 것이 어렵다.
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분에 있어서 크랙이나 파티클 등의 결함 유무에 대한 검사와 동일 공정 혹은 동일 장치에서 당해 외주 가장자리 부분의 형상의 검사를 용이하게 행할 수 있는 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 장치 및 가장자리 검사 방법을 제공하는 것이다.
<과제를 해결하기 위한 수단>
본 발명에 관련되는 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 장치는, 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분에 대향하여 배치되고, 당해 외주 가장자리 부분을 둘레 방향으로 차례차례 촬영하여 화상 신호를 출력하는 촬영 유닛과, 당해 촬영 유닛으로부터 차례차례 출력되는 화상 신호를 처리하는 화상 처리 유닛을 가지고, 상기 화상 처리 유닛은, 상기 화상 신호로부터 상기 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분을 나타내는 화상 정보를 생성하는 화상 정보 생성 수단과, 상기 화상 정보로부터 상기 외주 가장자리 부분의 복수 위치 각각에서의 형상을 나타내는 가장자리 형상 정보를 생성하는 형상 정보 생성 수단을 가지고, 상기 가장자리 형상 정보에 기초한 검사 결과를 출력하도록 구성된다.
이러한 구성에 의해, 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분의 크랙이나 파티클 등의 결함의 상태에 대응하여 변화할 수 있는 촬영 유닛으로부터의 화상 신호로부터 당해 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분을 나타내는 화상 정보가 생성되므로, 그 화상 정보는 상기 결함 등을 포함하는 외주 가장자리 부분을 나타낼 수 있게 된다. 그리고 그러한 화상 정보로부터 상기 외주 가장자리 부분의 복수 위치 각각에서의 형상을 나타내는 가장자리 형상 정보가 생성되고, 그 가장자리 형상 정보에 기초한 검사 결과가 출력된다.
반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분의 상기 가장자리 형상 정보를 생성해야할 위치의 수는 가능한 한 많은 것이 바람직하다. 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분의 전체 둘레에 걸쳐서 보다 많은 위치에서 상기 가장자리 형상 정보를 생성함으로써 그 가장자리 형상 정보에 기초한 검사 결과로부터 당해 외주 가장자리 부분의 사방에 걸친 형상의 평가를 보다 정확하게 행할 수가 있게 된다.
검사 결과는 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분의 각 위치에 대응한 가장자리 형상 정보를 소정의 형식으로 출력되는 것이라도, 상기 외주 가장자리 부분의 복수 위치에서의 가장자리 형상 정보로부터 얻어지는 어떠한 평가 정보라도 좋다.
또, 본 발명에 관련되는 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 장치에 있어서, 상기 촬영 유닛은 상기 반도체 웨이퍼의 외주 단면, 상기 반도체 웨이퍼의 제1 면의 외주 테두리에 있어서 경사진 제1 외주 베벨면(bevel surface) 및 상기 제1 면과 반대측의 제2 면의 외주 테두리에 있어서 경사진 제2 외주 베벨면의 적어도 어느 쪽인가를 상기 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분으로서 촬영하고, 상기 형상 정보 생성 수단은 상기 반도체 웨이퍼의 외주 단면을 나타내는 화상 정보로부터 당해 외주 단면의 복수 위치 각각에서의 형상을 나타내는 정보, 상기 반도체 웨이퍼의 제1 외주 베벨면을 나타내는 화상으로부터 당해 제1 외주 베벨면의 복수 위치 각각에서의 형상을 나타내는 정보 및 상기 반도체 웨이퍼의 제2 외주 베벨면을 나타내는 화상 정보로부터 당해 제2 외주 베벨면의 복수 위치 각각에서의 형상을 나타내는 정보 중의 적어도 어느 쪽인가를 상기 가장자리 형상 정보로서 생성하도록 구성할 수가 있다.
일반적인 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분은, 당해 반도체 웨이퍼의 외주 단면과, 당해 반도체 웨이퍼의 일방의 면(제1 면)의 외주 테두리에 있어서 경사진 제1 외주 베벨면과, 당해 반도체 웨이퍼의 타방의 면(제2 면)의 외주 테두리에 있어서 경사진 제2 외주 베벨면을 가지고 있다. 이 경우, 상기와 같은 구성에 의해 상기 반도체 웨이퍼의 외주 단면, 제1 외주 베벨면 및 제2 외주 베벨면의 적어도 몇 개의 복수 위치에서의 형상을 나타내는 가장자리 형상 정보에 기초한 검사 결과로부터 당해 면의 형상의 평가를 정확하게 행할 수가 있게 된다.
또한, 본 발명에 관련되는 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 장치에 있어서, 상기 형상 정보 생성 수단은, 상기 외주 단면을 나타내는 화상 정보로부터 당해 외주 단면의 복수 위치 각각에서의 둘레 방향을 횡단하는 방향의 길이를 나타내는 외주 단면 길이 정보, 상기 제1 외주 베벨면을 나타내는 화상 정보로부터 당해 제1 외주 베벨면의 복수 위치 각각에서의 둘레 방향을 횡단하는 방향의 길이를 나타내는 제1 외주 베벨면 길이 정보 및 상기 제2 외주 베벨면을 나타내는 화상 정보로부터 당해 제2 외주 베벨면의 복수 위치 각각에서의 둘레 방향을 횡단하는 방향의 길이를 나타내는 제2 외주 베벨면 길이 정보 중의 적어도 어느 쪽인가를 상기 가장자리 형상 정보로서 생성하는 구성으로 할 수가 있다.
이러한 구성에 의해, 반도체 웨이퍼의 외주 단면의 복수 위치에 있어서의 외주 단면 길이 정보에 기초한 검사 결과로부터 당해 외주 단면의 둘레 방향을 횡단하는 방향의 길이 형상의 평가, 반도체 웨이퍼의 제1 외주 베벨면의 복수 위치에 있어서의 제1 외주 베벨면 길이 정보에 기초한 검사 결과로부터 당해 제1 외주 베벨면을 횡단하는 방향의 길이 형상의 평가 및 반도체 웨이퍼의 제2 외주 베벨면의 복수 위치에 있어서의 제2 외주 베벨면 길이 정보에 기초한 검사 결과로부터 당해 제2 외주 베벨면을 횡단하는 방향의 길이 형상의 평가의 어느 쪽인가를 정확하게 행할 수가 있게 된다.
또, 본 발명에 관련되는 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 장치에 있어서, 상기 형상 정보 생성 수단은, 상기 외주 단면을 나타내는 화상 정보로부터 당해 외주 단면의 복수 위치 각각에서의 둘레 방향을 횡단하는 방향의 길이를 나타내는 외주 단면 길이 정보, 상기 제1 외주 베벨면을 나타내는 화상 정보로부터 당해 제1 외주 베벨면의 복수 위치 각각에서의 둘레 방향을 횡단하는 방향의 길이를 나타내는 제1 외주 베벨면 길이 정보 및 상기 제2 외주 베벨면을 나타내는 화상 정보로부터 당해 제2 외주 베벨면의 복수 위치 각각에서의 둘레 방향을 횡단하는 방향의 길이를 나타내는 제2 외주 베벨면 길이 정보를 생성하고, 상기 외주면 길이 정보, 상기 제1 외주 베벨면 길이 정보 및 상기 제2 외주 베벨면 길이 정보에 기초하여, 상기 제1 외주 베벨면의 상기 복수 위치 각각에서의 기울기 각도를 나타내는 제1 외주 베벨면 각도 정보, 상기 제2 외주 베벨면의 상기 복수 위치 각각에서의 기울기 각도를 나타내는 제2 외주 베벨면 각도 정보, 상기 제1 외주 베벨면의 상기 복수 위치 각각에서의 상기 반도체 웨이퍼의 직경 방향에 있어서의 길이 성분을 나타내는 제1 외주 베벨면 직경 방향 성분 길이 정보, 상기 제2 외주 베벨면의 상기 복수 위치 각각에서의 상기 직경 방향에 있어서의 길이 성분을 나타내는 제2 외주 베벨면 직경 방향 성분 길이 정보, 상기 제1 외주 베벨면의 상기 복수 위치 각각에서의 상기 반도체 웨이퍼에 수직인 축방향에 있어서의 길이 성분을 나타내는 제1 외주 베벨면 축방향 성분 길이 정보 및 상기 제2 외주 베벨면의 상기 복수 위치 각각에서의 상기 축방향에 있어서의 길이 성분을 나타내는 제2 외주 베벨면 축방향 성분 길이 정보 중의 적어도 어느 쪽인가를 상기 가장자리 형상 정보로서 생성하도록 구성할 수가 있다.
이러한 구성에 의해, 반도체 웨이퍼의 제1 외주 베벨면의 복수 위치에 있어서 제1 외주 베벨면 각도 정보에 기초한 검사 결과로부터 당해 제1 외주 베벨면의 기울기 각도에 관련되는 형상의 평가, 반도체 웨이퍼의 제2 외주 베벨면의 복수 위치에 있어서의 제2 외주 베벨면 각도 정보에 기초한 검사 결과로부터 당해 제2 외주 베벨면의 기울기 각도에 관련되는 형상의 평가, 상기 제1 외주 베벨면의 복수 위치에 있어서의 제1 외주 베벨면 직경 방향 성분 길이 정보에 기초한 검사 결과로부터 당해 제1 외주 베벨면의 당해 반도체 웨이퍼의 직경 방향에 있어서의 길이 성분에 관련되는 형상, 상기 제2 외주 베벨면의 복수 위치에 있어서의 제2 외주 베벨면 직경 방향 성분 길이 정보에 기초한 검사 결과로부터 당해 제2 외주 베벨면의 당해 반도체 웨이퍼의 직경 방향에 있어서의 길이 성분에 관련되는 형상, 상기 제1 외주 베벨면의 복수 위치에 있어서의 제1 외주 베벨면 축방향 길이 정보에 기초한 검사 결과로부터 당해 제1 외주 베벨면의 축방향에 있어서의 길이 성분에 관련되는 형상, 및 상기 제2 외주 베벨면의 복수 위치에 있어서의 제2 외주 베벨면 축방향 길이 정보에 기초한 검사 결과로부터 당해 제2 외주 베벨면의 축방향에 있어서의 길이 성분에 관련되는 형상의 어느 쪽인가를 정확하게 평가할 수 있게 된다.
또, 본 발명에 관련되는 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 장치에 있어서, 상기 외주 가장자리 부분의 복수 위치 각각에서의 형상을 나타내는 가장자리 형상 정보에 기초하여 상기 복수 위치에 있어서의 가장자리 형상 정보의 값의 최대치, 최소치, 평균치 및 표준 편차의 적어도 어느 쪽인가에 기초한 검사 결과를 출력하도록 구성할 수가 있다.
또, 본 발명에 관련되는 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 장치에 있어서, 상기 외주 가장자리 부분의 복수 위치 각각에서의 상기 외주 단면 길이 정보, 상기 제1 외주 베벨면 길이 정보 및 상기 제2 외주 베벨면 길이 정보 중의 적어도 어느 쪽인가 1개의 값의 최대치, 최소치, 평균치 및 표준 편차의 적어도 어느 쪽인가 1개에 기초한 검사 결과를 출력하도록 구성할 수가 있다.
또한, 본 발명에 관련되는 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 장치에 있어서, 상기 외주 가장자리 부분의 복수 위치 각각에서의 제1 외주 베벨면 각도 정보, 제2 외주 베벨면 각도 정보, 제1 외주 베벨면 직경 방향 성분 길이 정보, 제2 외주 베벨면 직경 방향 성분 길이 정보, 제1 외주 베벨면 축방향 성분 길이 정보 및 제2 외주 베벨면 축방향 성분 길이 정보 중의 적어도 어느 쪽인가 1개의 값의 최대치, 최소치, 평균치 및 표준 편차의 적어도 어느 쪽인가 1개에 기초한 검사 결과를 출력하도록 구성할 수가 있다.
전술한 각 구성에 의해, 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분의 복수 위치에 있어서의 가장자리 형상 정보의 값의 최대치, 최소치, 평균치 및 표준 편차의 적어도 어느 쪽인가 1개에 기초한 검사 결과를 이용하여, 반도체 웨이퍼(100)의 제조 공정에 있어서 그의 외주 가장자리 부분의 형상의 경과 관리를 용이하게 행할 수가 있게 된다.
본 발명에 관련되는 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 방법은, 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분에 대향하여 배치된 촬영 유닛에 의해 상기 외주 가장자리 부분을 촬영하는 가장자리 촬영 스텝과, 상기 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분을 촬영하는 상기 촬영 유닛으로부터 차례차례 출력되는 화상 신호를 처리하는 화상 처리 스텝을 가지고, 상기 화상 처리 스텝은 상기 화상 신호로부터 상기 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분을 나타내는 화상 정보를 생성하는 화상 정보 생성 스텝과, 상기 화상 정보로부터 상기 외주 가장자리 부분의 복수 위치 각각에서의 가장자리 형상을 나타내는 가장자리 형상 정보를 생성하는 형상 정보 생성 스텝을 가지고, 상기 가장자리 형상 정보에 기초한 검사 결과를 얻도록 구성된다.
또, 본 발명에 관련되는 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 방법에 있어서, 상기 가장자리 촬영 스텝은 상기 촬영 유닛에 의해 상기 반도체 웨이퍼의 외주 단면, 상기 반도체 웨이퍼의 제1 면의 외주 테두리에 있어서 경사진 제1 외주 베벨면 및 상기 제1 면과 반대측의 제2 면의 외주 테두리에 있어서 경사진 제2 외주 베벨면의 적어도 어느 쪽인가를 상기 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분으로서 촬영하고, 상기 형상 정보 생성 스텝은 상기 반도체 웨이퍼의 외주 단면을 나타내는 화상 정보로부터 당해 외주 단면의 복수 위치 각각에서의 형상을 나타내는 정보, 상기 반도체 웨이퍼의 제1 외주 베벨면을 나타내는 화상으로부터 당해 제1 외주 베벨면의 복수 위치 각각에서의 형상을 나타내는 정보 및 상기 반도체 웨이퍼의 제2 외주 베벨면을 나타내는 화상 정보로부터 당해 제2 외주 베벨면의 복수 위치 각각에서의 형상을 나타내는 정보 중의 적어도 어느 쪽인가를 상기 가장자리 형상 정보로서 생성하도록 구성할 수가 있다.
또한, 본 발명에 관련되는 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 방법에 있어서, 상기 형상 정보 생성 스텝은 상기 외주 단면을 나타내는 화상 정보로부터 당해 외주 단면의 복수 위치 각각에서의 둘레 방향을 횡단하는 방향의 길이를 나타내는 외주 단면 길이 정보, 상기 제1 외주 베벨면을 나타내는 화상 정보로부터 당해 제1 외주 베벨면의 복수 위치 각각에서의 둘레 방향을 횡단하는 방향의 길이를 나타내는 제1 외주 베벨면 길이 정보 및 상기 제2 외주 베벨면을 나타내는 화상 정보로부터 당해 제2 외주 베벨면의 복수 위치 각각에서의 둘레 방향을 횡단하는 방향의 길이를 나타내는 제2 외주 베벨면 길이 정보 중의 적어도 어느 쪽인가를 상기 가장자리 형상 정보로서 생성하도록 구성할 수가 있다.
<발명의 효과>
본 발명에 관련되는 가장자리 형상 검사 장치 및 가장자리 검사 방법에 의하면, 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분을 촬영하는 촬영 유닛으로부터 출력되는 화상 신호로부터 생성된 화상 정보는 상기 외주 가장자리 부분의 크랙이나 파티클 등의 결함을 나타낼 수 있는 것이고, 그러한 화상 정보로부터 상기 외주 가장자리 부분의 형상을 나타내는 가장자리 형상 정보를 생성하고 있으므로, 상기 화상 정보에 기초한 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분에 있어서 크랙이나 파티클 등의 결함 유무에 대한 검사와 동일 공정 혹은 동일 장치에서 당해 외주 가장자리 부분의 형상의 검사를 용이하게 행할 수 있게 된다.
도 1a는 본 발명의 실시의 일 형태에 관련되는 가장자리 검사 장치에서 검사되어야 할 반도체 웨이퍼의 외관을 나타내는 사시도이다.
도 1b는 도 1a에 있어서의 A－A단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시의 일 형태에 관련되는 가장자리 검사 장치의 촬영계의 주요부를 모식적으로 나타내는 도이다.
도 3은 본 발명의 실시의 일 형태에 관련되는 가장자리 검사 장치의 제어계의 주요부를 모식적으로 나타내는 블록도이다.
도 4는 가장자리 검사 장치의 촬영계의 다른 구성예를 모식적으로 나타내는 도이다.
도 5는 도 3에 나타내는 제어계에 있어서 처리 유닛에서의 처리 순서를 나타내는 플로차트(그의 1)이다.
도 6은 도 3에 나타내는 제어계에 있어서 처리 유닛에서의 처리 순서를 나타내는 플로차트(그의 2)이다.
도 7은 반도체 웨이퍼의 각도 위치를 설명하기 위한 도이다.
도 8은 제1 외주 베벨면의 표시 화상예(a)와 그 화상에 있어서 각도 위치 θ에서의 농담 변화(b)를 나타내는 도이다.
도 9는 외주 단면의 표시 화상예(a)와 그 화상에 있어서 각도 위치 θ에서의 농담 변화(b)를 나타내는 도이다.
도 10은 제2 외주 베벨면의 표시 화상예(a)와 그 화상에 있어서 각도 위치 θ에서의 농담 변화(b)를 나타내는 도이다.
도 11은 제1 외주 베벨면 길이 데이터 Ub(θ)의 검사 결과로서의 출력예를 나타내는 도이다.
도 12는 외주 단면 길이 데이터 Ap(θ)의 검사 결과로서의 출력예를 나타내는 도이다.
도 13은 제2 외주 베벨면 길이 데이터 Lb(θ)의 검사 결과로서의 출력예를 나타내는 도이다.
도 14a는 제1 외주 베벨면 길이 데이터 Ub(θ), 외주 단면 길이 데이터 Ap(θ) 및 제2 외주 베벨면 길이 데이터 Lb(θ)의 검사 결과로서의 출력예를 나타내는 도이다.
도 14b는 제1 외주 베벨면 길이 데이터 Ub(θ), 외주 단면 길이 데이터 Ap(θ) 및 제2 외주 베벨면 길이 데이터 Lb(θ) 각각의 전체 각도 범위에 있어서의 제1 근사치의 최대치(MAX), 최소치(MIN), 평균치(AVE) 및 표준 편차(STD)를 나타내는 도이다.
도 15a는 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분의 단면 형상예를 나타내는 도이다.
도 15b는 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분의 단면 형상의 다른 예를 나타내는 도이다.
도 16은 외주 가장자리 부분의 형상을 나타낼 수 있는 가장자리 형상 정보의 예를 나타내는 도이다.
도 17은 제1 외주 베벨면 각도 데이터 α1(θ)의 검사 결과로서의 출력예를 나타내는 도이다.
도 18은 제2 외주 베벨면 각도 데이터 α2(θ)의 검사 결과로서의 출력예를 나타내는 도이다.
도 19는 제1 외주 베벨면 각도 데이터 α1(θ)의 검사 결과로서의 다른 출력예를 나타내는 도이다.　
도 20은 B1(제1 외주 베벨면 축방향 성분 길이 데이터) 및 B2(제2 외주 베벨면 축방향 성분 길이 데이터)의 각 각도 위치 θ에서의 초기 근사치를 나타내는 도이다.
도 21a는 A1(제1 외주 베벨면 직경 방향 성분 길이 데이터) 및 A2(제2 외주 베벨면 직경 방향 성분 길이 데이터) 각각의 각 각도 위치 θ에서의 제1 근사치를 나타내는 도이다.
도 21b는 A1(제1 외주 베벨면 직경 방향 성분 길이 데이터) 및 A2(제2 외주 베벨면 직경 방향 성분 길이 데이터) 각각의 전체 각도 범위에 있어서의 제1 근사치의 최대치(MAX), 최소치(MIN), 평균치(AVE) 및 표준 편차(STD)를 나타내는 도이다.
도 22a는 α1(제1 외주 베벨면 각도 데이터) 및 α2(제2 외주 베벨면 각도 데이터) 각각의 각 각도 위치 θ에서의 제1 근사치를 나타내는 도이다.
도 22b는 α1(제1 외주 베벨면 각도 데이터) 및 α2(제2 외주 베벨면 각도 데이터) 각각의 전체 각도 범위에 있어서의 제1 근사치의 최대치(MAX), 최소치(MIN), 평균치(AVE) 및 표준 편차(STD)를 나타내는 도이다.
도 23은 α1(제1 외주 베벨면 각도 데이터) 및 α2(제2 외주 베벨면 각도 데이터) 각각의 각 각도 위치 θ에서의 값이 그의 제1 근사치의 평균치인 것으로 가정하는 경우를 나타내는 도이다.
도 24a는 B1(제1 외주 베벨면 축방향 성분 길이 데이터) 및 B2(제2 외주 베벨면 축방향 성분 길이 데이터) 각각의 각 각도 위치 θ에서의 제1 근사치를 나타내는 도이다.
도 24b는 B1(제1 외주 베벨면 축방향 성분 길이 데이터) 및 B2(제2 외주 베벨면 축방향 성분 길이 데이터) 각각의 전체 각도 범위에 있어서의 제1 근사치의 최대치(MAX), 최소치(MIN), 평균치(AVE) 및 표준 편차(STD)를 나타내는 도이다.
도 25a는 A1(제1 외주 베벨면 직경 방향 성분 길이 데이터) 및 A2(제2 외주 베벨면 직경 방향 성분 길이 데이터) 각각의 각 각도 위치 θ에서의 제2 근사치를 나타내는 도이다.
도 25b는 A1(제1 외주 베벨면 직경 방향 성분 길이 데이터) 및 A2(제2 외주 베벨면 직경 방향 성분 길이 데이터) 각각의 전체 각도 범위에 있어서 제2 근사치의 최대치(MAX), 최소치(MIN), 평균치(AVE) 및 표준 편차(STD)를 나타내는 도이다.
도 26은 A1(제1 외주 베벨면 직경 방향 성분 길이 데이터) 및 A2(제2 외주 베벨면 직경 방향 성분 길이 데이터) 각각의 각 각도 위치 θ에서의 값이 그 제2 근사치의 평균치인 것으로 가정하는 경우를 나타내는 도이다.
도 27a는 B1(제1 외주 베벨면 축방향 성분 길이 데이터) 및 B2(제2 외주 베벨면 축방향 성분 길이 데이터) 각각의 각 각도 위치 θ에서의 제2 근사치를 나타내는 도이다.
도 27b는 B1(제1 외주 베벨면 축방향 성분 길이 데이터) 및 B2(제2 외주 베벨면 축방향 성분 길이 데이터) 각각의 전체 각도 범위에 있어서의 제2 근사치의 최대치(MAX), 최소치(MIN), 평균치(AVE) 및 표준 편차(STD)를 나타내는 도이다.
도 28a는 α1(제1 외주 베벨면 각도 데이터) 및 α2(제2 외주 베벨면 각도 데이터) 각각의 각 각도 위치 θ에서의 제2 근사치를 나타내는 도이다.
도 28b는 α1(제1 외주 베벨면 각도 데이터) 및 α2(제2 외주 베벨면 각도 데이터) 각각의 전체 각도 범위에 있어서의 제2 근사치의 최대치(MAX), 최소치(MIN), 평균치(AVE) 및 표준 편차(STD)를 나타내는 도이다.
도 29a는 B1(제1 외주 베벨면 축방향 성분 길이 데이터) 및 B2(제2 외주 베벨면 축방향 성분 길이 데이터) 각각의 각 각도 위치 θ에서의 값이 n차 근사치인 것으로 가정하는 경우에 있어서의 반도체 웨이퍼의 두께 T의 대응하는 각도 위치 θ에서의 값을 나타내는 도이다.
도 29b는 B1(제1 외주 베벨면 축방향 성분 길이 데이터) 및 B2(제2 외주 베벨면 축방향 성분 길이 데이터) 각각의 각 각도 위치 θ에서의 값이 n차 근사치인 것으로 가정하는 경우에 있어서의 반도체 웨이퍼의 두께 T의 전체 각도 범위에 있어서 제2 근사치의 최대치(MAX), 최소치(MIN), 평균치(AVE) 및 표준 편차(STD)를 나타내는 도이다.
<부호의 설명>
10 : CCD 카메라 10a : 제1 CCD 카메라
10b : 제2 CCD 카메라 10c : 제3 CCD 카메라
11 : 카메라 렌즈 12 :　카메라 본체
20 : 처리 유닛 31 : 제1 미러(mirror)
32 : 제2 미러 33 : 보정 렌즈
40 : 표시 유닛 50 : 회전 구동 모터
51 : 턴테이블(turn table) 100 : 반도체 웨이퍼
101 : 외주 가장자리 부분 101a : 외주 단면
101b : 제1 외주 베벨면 101c : 제2 외주 베벨면
102 : 노치(notch)
이하, 본 발명의 실시의 형태에 대해서 도면을 이용하여 설명한다.
본 발명의 실시의 일 형태에 관련되는 가장자리 검사 장치에서 검사되어야 할 실리콘제의 반도체 웨이퍼는 도 1a 및 도 1b에 나타내는 것과 같은 구조로 되어 있다. 또한 도 1a는 반도체 웨이퍼의 사시도이고, 도 1b는 도 1a의 A－A단면도이다. 도 1a 및 도 1b에 나타내듯이 원반 형상의 반도체 웨이퍼(100)의 외주 가장자리 부분(101)은 반도체 웨이퍼(100)의 외주 단면(101a), 반도체 웨이퍼(100)의 일방의 면(제1 면)의 외주 테두리에 있어서 경사진 제1 외주 베벨면(101b) 및 반도체 웨이퍼(100)의 타방의 면(제2 면)의 외주 테두리에 있어서 경사진 제2 외주 베벨면(101c)으로 구성되어 있다. 그 외주 가장자리 부분(101)에는 그 둘레 방향(Ds)의 기준 위치를 나타내는 노치(notch)(절결부)(102)가 형성되어 있다.
본 발명의 실시의 일 형태에 관련되는 가장자리 검사 장치에 있어서의 촬영계의 기본적인 구성은 도 2에 나타내듯이 되어 있다. 또한 이 가장자리 검사 장치의 기구계 전체의 구성은 예를 들면 전술한 특허 문헌 2에 기재된 것과 마찬가지로 할 수가 있다.
도 2에 있어서 전술한 바와 같은 구성으로 되는(도 1a 및 도 1b 참조) 반도체 웨이퍼(100)는 예를 들면 턴테이블(도 2에 있어서 도시 생략)에 세트(set)되고, 그 턴테이블과 아울러 그 회전축 Lc를 중심으로 하여 회전 가능하게 되어 있다. 턴테이블에 세트된 반도체 웨이퍼(100)의 외주 가장자리 부분(101)에 대향하도록 3개의 CCD 카메라, 즉 제1 CCD 카메라(10a), 제2 CCD 카메라(10b) 및 제3 CCD 카메 라(10c)로 구성되는 촬영 유닛이 설치되어 있다. 제1 CCD 카메라(10a)는 반도체 웨이퍼(100)의 외주 단면(101a)에 대향하고, 내부의 CCD 라인 센서(11a)가 외주 단면(101a)을 그의 둘레 방향(Ds：도 2의 지면에 수직인 방향)에 대해서 대략 직각으로 횡단하는 방향(Da)으로 뻗는 것 같은 방향에 설치되어 있다. 제2 CCD 카메라(10b)는 반도체 웨이퍼(100)의 제1 외주 베벨면(101b)에 대향하고, 내부의 CCD 라인 센서(11b)가 제1 외주 베벨면(101b)을 그 둘레 방향(Ds)에 대해서 대략 직각으로 횡단하는 방향(Db)으로 뻗는 것 같은 방향에 설치되어 있다. 제3 CCD 카메라(10c)는 반도체 웨이퍼(100)의 제2 외주 베벨면(101c)에 대향하고, 내부의 CCD 라인 센서(11c)가 제2 외주 베벨면(101c)을 그 둘레 방향(Ds)에 대해서 대략 직각으로 횡단하는 방향(Dc)으로 뻗는 것 같은 방향에 설치되어 있다.
반도체 웨이퍼(100)가 회전하는 과정에서 제1 CCD 카메라(10a)의 CCD 라인 센서(11a)가 그 외주 단면(101a)을 둘레 방향(Ds)으로 차례차례 주사(부주사)한다. 이에 의해 제1 CCD 카메라(10a)가 당해 외주 단면(101a)을 둘레 방향(Ds)으로 차례차례 촬영함으로써 화소 단위의 화상 신호를 출력한다. 또 그 과정에서 제2 CCD 카메라(10b)의 CCD 라인 센서(11b)가 반도체 웨이퍼(100)의 제1 외주 베벨면(101b)을 둘레 방향(Ds)으로 차례차례 주사(부주사)함과 아울러 제3 CCD 카메라(10c)의 CCD 라인 센서(11c)가 제2 외주 베벨면(101c)을 둘레 방향(Ds)으로 차례차례 주사(부주사)한다. 이에 의해 제2 CCD 카메라(10b)가 제1 외주 베벨면(101b)을, 제3 CCD 카메라(10c)가 제2 외주 베벨면(101c)을 각각 둘레 방향(Ds)으로 촬영함으로써 각각 화소 단위의 화상 신호를 출력한다.
본 발명의 실시의 일 형태에 관련되는 가장자리 검사 장치의 제어계는 도 3에 나타내듯이 구성된다.
도 3에 있어서 제1 CCD 카메라(10a), 제2 CCD 카메라(10b) 및 제3 CCD 카메라(10c)는 컴퓨터로 구성되는 처리 유닛(20)에 접속되어 있다. 처리 유닛(20)은 반도체 웨이퍼(100)가 정렬 기구에 의해 수평 상태로 세트된 턴테이블(51)을 소정의 속도로 회전시키도록 회전 구동 모터(50)의 구동 제어를 행함과 아울러 제1 CCD 카메라(10a), 제2 CCD 카메라(10b) 및 제3 CCD 카메라(10c) 각각으로부터 차례차례 출력되는 화상 신호를 처리한다. 또 처리 유닛(20)에는 표시 유닛(40)이 접속되고, 처리 유닛(20)은 상기 화상 신호로부터 생성되는 화상 정보에 기초한 화상이나 상기 화상 정보를 처리하여 얻는 검사 결과를 나타내는 정보 등을 표시 유닛(40)에 표시시킨다.
또한, 반도체 웨이퍼(100)의 외주 가장자리 부분(101)을 촬영하는 촬영 유닛은 3개의 CCD 카메라(10a, 10b, 10c)로 구성되는 것이 아니라도, 예를 들면 도 4에 나타내듯이 단일의 CCD 카메라(10)로 구성되는 것이라도 좋다. 이 경우, 반도체 웨이퍼(100)의 외주 가장자리 부분(101)에 있어서 제1 외주 베벨면(101b)의 근방에는 제1 미러(mirror)(31)가 세트되고, 제2 외주 베벨면(101c)의 근방에는 제2 미러(32)가 세트되어 있다. 제1 미러(31)에서 반사된 제1 외주 베벨면(101b)의 상이 이끌리는 방향과 제2 미러(32)에서 반사된 제2 외주 베벨면(101c)의 상이 이끌리는 방향이 평행하게 되도록 제1 미러(31) 및 제2 미러(32)의 기울기가 설정된다.
CCD 카메라(10)는 카메라 렌즈(11)와 카메라 본체(12)를 가지고 있다. 카메 라 본체(12)는 CCD 라인 센서를 구비하고 카메라 렌즈(11)를 통해 이끌리는 상이 그 CCD 라인 센서에 형성되도록 되어 있다. CCD 카메라(10)는 반도체 웨이퍼(100)의 외주 가장자리 부분(101)을 포함하는 시야 범위를 가지고, 전술한 제1 미러(31) 및 제2 미러(32)에서 이끌리는 제1 외주 베벨면(101b)의 상 및 제2 외주 베벨면(101c)의 상이 상기 CCD 라인 센서의 촬상면에 촛점 맞춤해야할 위치에 배치되어 있다.
반도체 웨이퍼(100)의 외주 단면(101a)의 상이 CCD 카메라(10)의 카메라 렌즈(11)를 통해 카메라 본체(12) 내의 CCD 라인 센서의 촬상면에 형성된다. 이 경우, 제1 외주 베벨면(101b)(제2 외주 베벨면(101c))으로부터 제1 미러(31)(제2 미러(32))를 통한 카메라 유닛(10)까지의 광로 길이와 외주 단면(101a)으로부터 카메라 유닛(10)까지의 광로 길이가 다르기 때문에, 그대로는 외주 단면(101a)의 상이 카메라 본체(12) 내의 촬상면에 촛점 맞춤되지 않는다. 그리고 반도체 웨이퍼(100)의 외주 단면(101a)과 CCD 카메라(10)와의 사이에 보정 렌즈(33)가 설치되어 있다. 이 보정 렌즈(33) 및 카메라 렌즈(11)에 의해 반도체 웨이퍼(100)의 외주 단면(101a)의 상이 카메라 본체(12) 내의 CCD 라인 센서의 촬상면에 촛점 맞춤되도록 이끌리게 된다.
이와 같이, CCD 카메라(10)와 반도체 웨이퍼(100)의 외주 가장자리 부분(101)과의 사이에 설치한 광학계(제1 미러(31), 제2 미러(32) 및 보정 렌즈(33))에 의해, 외주 가장자리 부분(101)에 있어서 외주 단면(101a), 제1 외주 베벨면(101b) 및 제2 외주 베벨면(101c)의 각 상이 CCD 카메라(10)의 CCD 라인 센서의 촬상면에 촛점 맞춤되도록 이끌리게 된다. 이에 의해, CCD 카메라(10)로부터 차례차례 출력되는 화상 신호는 외주 단면(101a), 제1 외주 베벨면(101b) 및 제2 외주 베벨면(101c)의 각 부분을 나타내는 것으로 된다.
처리 유닛(20)은 도 5 및 도 6에 나타내는 순서에 따라서 처리를 실행한다.
도 5에 있어서 처리 유닛(20)은 반도체 웨이퍼(100)에 세트된 턴테이블(51)을 소정의 속도로 회전시킨다(S1). 반도체 웨이퍼(100)가 회전하는 과정에서 처리 유닛(20)은, 제1 CCD 카메라(10a), 제2 CCD 카메라(10b) 및 제3 CCD 카메라(10c)로부터 차례차례 출력되는 화상 신호를 입력하고, 그들 화상 신호로부터 반도체 웨이퍼(100)의 외주 가장자리 부분(101)을 나타내는 화상 정보(예를 들면, 화소마다의 소정 계조의 농담 데이터)를 생성하고, 그 화상 정보(화상 데이터)를 소정의 메모리(도시 생략)에 저장한다(S2). 구체적으로는, 제1 CCD 카메라(10a)로부터의 화상 신호로부터 도 7에 나타내듯이 노치(102)(θ=0°)로부터의 둘레 방향(Ds)의 각 각도 위치 θ(예를 들면 CCD 라인 센서(11a)의 폭에 대응한 각도 분해능)에서의 반도체 웨이퍼(100)의 외주 단면(101a)을 나타내는 화상 데이터 IAP(θ)가 생성되고, 제2 CCD 카메라(10b)로부터의 화상 신호로부터 그 각 각도 위치 θ에서의 반도체 웨이퍼(100)의 제1 외주 베벨면(101b)을 나타내는 화상 데이터 IUb(θ)가 생성되고, 제3 CCD 카메라(10c)로부터의 화상 신호로부터 그 각 각도 위치 θ에서의 반도체 웨이퍼(100)의 제2 외주 베벨면(101c)을 나타내는 화상 데이터 ILb(θ)가 생성되고 그러한 화상 데이터 IAP(θ), IUb(θ), ILb(θ)가 그 각도 위치 θ에 대응하는 상태에 서 상기 메모리에 저장된다.
처리 유닛(20)은 상기 처리의 과정에서 반도체 웨이퍼(100)의 1회전만큼의 화상 데이터의 집어 넣음(메모리에의 저장)이 종료되었는지 아닌지를 판정하고 있고(S3), 반도체 웨이퍼(100)의 1회전 만큼의 화상 데이터의 집어 넣음이 종료되면(S3에서 예), 처리 유닛(20)은 반도체 웨이퍼(100)의 세트된 턴테이블(51)의 회전을 정지시킨다(S4). 그 후 상기 취한 화상 데이터 IAP(θ), IUb(θ), ILb(θ)에 기초하여 화상 표시 처리를 행하고(S5) 일련의 처리를 종료한다.
또한, 도 4에 나타내는 바와 같은 단일의 CCD 카메라(10)를 이용하는 경우, 처리 유닛(20)은 CCD 카메라(10)로부터의 화상 신호로부터 외주 단면(101a)에 대응한 신호 부분, 제1 외주 베벨면(101b)에 대응한 신호 부분 및 제2 외주 베벨면(101c)에 대응한 신호 부분을 잘라내고, 각 신호 부분으로부터 외주 단면(101a), 제1 외주 베벨면(101b) 및 제2 외주 베벨면(101c)을 나타내는 화상 데이터 IAP(θ), IUb(θ), ILb(θ)를 생성한다.
상기 화상 표시 처리(S5)에 의해 반도체 웨이퍼(100)의 1주분(周分)의 제1 외주 베벨면(101b)을 나타내는 화상 데이터 IUb(θ)에 기초하여, 예를 들면 도 8의 (a)에 나타내듯이 제2 CCD 카메라(10b)의 시야 범위 Eb 내에 있는 제1 외주 베벨면(101b)의 화상 I(Ub)가 표시 유닛(40)에 표시된다. 또 반도체 웨이퍼(100)의 1주분의 외주 단면(101a)을 나타내는 화상 데이터 IAP(θ)에 기초하여 예를 들면 도 9 의 (a)에 나타내듯이 제1 CCD 카메라(10a)의 시야 범위 Ea 내에 있는 외주 단면(101a)의 화상 I(Ap)가 표시 유닛(40)에 표시되고, 또한 반도체 웨이퍼(100)의 1주분의 제2 외주 베벨면(101c)을 나타내는 화상 데이터 ILb(θ)에 기초하여 예를 들면 도 10의 (a)에 나타내듯이 제3 CCD 카메라(10c)의 시야 범위 Ec 내에 있는 제2 외주 베벨면의 화상 I(Lb)가 표시 유닛(40)에 표시된다.
또한, 표시 유닛(40)에 제1 외주 베벨면(101b), 외주 단면(101a) 및 제2 외주 베벨면(101c)에 대한 반도체 웨이퍼(100) 1주분 전체의 화상을 일괄하여 표시할 수 없는 경우, 화면을 스크롤(scroll)시킴으로써 표시시킬 수가 있다.
도 8의 (a), 도 9의 (a) 및 도 10의 (a)에 나타내듯이 표시 유닛(40)에 표시되는 제1 외주 베벨면(101b), 외주 단면(101a) 및 제2 외주 베벨면(101c)의 화상 I(Ub), I(AP), I(Lb)에는 크랙이나 파티클 등의 결함 d2, d1, d3가 나타난다. 이러한 표시 유닛(40)에 표시된 각 화상을 관찰함으로써 반도체 웨이퍼(100)의 외주 가장자리 부분(101)(제1 외주 베벨면(101b), 외주 단면(101a), 제2 외주 베벨면(101c))의 어느 위치(노치(102)로부터의 각도 위치 θ)에 결함이 있는지를 검사할 수가 있다.
처리 유닛(20)은 조작 유닛(도시 생략)에서의 소정의 조작에 응답하여 반도체 웨이퍼(100)의 외주 가장자리 부분(101)에 대한 형상 검사에 관련되는 처리를 도 6에 나타내는 순서에 따라서 실행한다.
도 6에 있어서 처리 유닛(20)은 각도 위치 θ를 초기값(예를 들면, θ=0°) 으로 설정하고(S11), 이 각도 위치 θ에 대응하여 전술한 것처럼 메모리에 저장되어 있는 3종류의 화상 데이터 IAP(θ), IUb(θ), ILb(θ)를 읽어낸다(S12). 그리고 처리 유닛(20)은 제1 외주 베벨면(101b)을 나타내는 화상 데이터 IUb(θ)에 기초하여 각도 위치 θ에 있어서의 제1 외주 베벨면(101b)의 형상을 나타내는 가장자리 형상 정보를 생성한다(S13). 구체적으로는 도 8에 나타내듯이 각도 위치 θ에 있어서의 화상 데이터 IUb(θ)의 변화(농담 변화) 상태(도 8의 (b) 참조)에 기초하여, 제1 외주 베벨면(101b)의 화상 I(Ub)의 경계가 검출되고, 그 화상 경계 간의 화소 수(또는 CCD 라인 센서(11b)의 화소 피치(pitch)에서 거리로 환산해도 좋다)로 나타내지는 제1 외주 베벨면 길이 데이터 Ub(θ)가 가장자리 형상 정보로서 생성된다. 이 제1 외주 베벨면 길이 데이터 Ub(θ)는 제1 외주 베벨면(101b)의 각도 위치 θ에서의 둘레 방향(Ds)을 대략 직각으로 횡단하는 방향의 길이를 나타낸다(도 8의 (a) 참조).
처리 유닛(20)은 마찬가지로 하여 외주 단면(101a)의 형상을 나타내는 가장자리 형상 정보 및 제2 외주 베벨면(101c)의 형상을 나타내는 가장자리 형상 정보를 생성한다(S13). 구체적으로는 도 9에 나타내듯이 각도 위치 θ에 있어서의 화상 데이터 IAP(θ)의 변화(농담 변화) 상태(도 9의 (b) 참조)에 기초하여, 외주 단면(101a)의 화상 I(Ap)의 경계가 검출되고, 그 화상 경계 간의 화소 수로 나타내지는 외주 단면 길이 데이터 Ap(θ)가 가장자리 형상 정보로서 생성된다. 이 외주 단면 길이 데이터 Ap(θ)는 외주 단면(101a)의 각도 위치 θ에서의 둘레 방향(Ds)을 대략 직각으로 횡단하는 방향의 길이를 나타낸다(도 9의 (a) 참조). 또 제2 외주 베벨면(101c)의 형상에 대해서는 도 10에 나타내듯이 각도 위치 θ에 있어서의 화상 데이터 ILb(θ)의 변화(농담 변화) 상태(도 10의 (b) 참조)에 기초하여 제2 외주 베벨면(101c)의 화상 I(Lb)의 경계가 검출되고, 그 화상 경계 간의 화소 수로 나타내지는 제2 외주 베벨면 길이 데이터 Lb(θ)가 가장자리 형상 정보로서 생성된다. 이 제2 외주 베벨면 길이 데이터 Lb(θ)는 제2 외주 베벨면(101c)의 각도 위치 θ에서의 둘레 방향(Ds)을 대략 직각으로 횡단하는 방향의 길이를 나타낸다(도 10의 (a) 참조).
도 6으로 돌아가 처리 유닛(20)은 전술한 것처럼 생성한 각도 위치 θ에서의 가장자리 형상 정보로서의 제1 외주 베벨면 길이 데이터 Ub(θ), 외주 단면 길이 데이터 Ap(θ) 및 제2 외주 베벨면 길이 데이터 Lb(θ)를 그 각도 위치 θ에 대응하여 소정의 메모리에 보존한다(S14). 그 후 처리 유닛(20)은 각도 위치 θ가 360°에 이르렀는지(θ=360°) 아닌지를 판정하고(S15), 각도 위치 θ가 360°에 이르고 있지 않으면(S15에서 아니오), 반도체 웨이퍼(100)에 대한 1주분의 처리가 종료되어 있지 않다고 하고, 각도 위치 θ를 소정 각도 Δθ만큼만 증가시킨다(θ=θ＋Δθ：S16). 그리고 처리 유닛(20)은 그 새로운 각도 위치 θ에 대해서 전술한 처리(S12~S16)와 마찬가지의 처리를 재차 실행한다. 이에 의해, 새로운 각도 위치 θ에서의 제1 외주 베벨면 길이 데이터 Ub(θ), 외주 단면 길이 데이터 Ap(θ) 및 제2 외주 베벨면 길이 데이터 Lb(θ)가 그 각도 위치 θ에 대응하여 소정의 메모리에 보존된다(S14).
각도 위치 θ가 360°에 이르렀다는 판정이 이루어지면(S15에서 예), 반도체 웨이퍼(100)에 대한 1주분의 처리가 종료되었다고 하고, 처리 유닛(20)은 출력 처리를 실행하고(S17) 일련의 처리를 종료한다.
상기 출력 처리에서는 예를 들면 전술한 것처럼 생성된 제1 외주 베벨면 길이 데이터 Ub(θ), 외주 단면 길이 데이터 Ap(θ) 및 제2 외주 베벨면 길이 데이터 Lb(θ)가 복수의 각도 위치 θ 각각에 대응하도록 플롯(plot)된 그래프가 검사 결과로서 표시 유닛(40)에 표시된다. 어느 반도체 웨이퍼(100)에 대해서는 제1 외주 베벨면 길이 데이터 Ub(θ)가 각 각도 위치 θ에 대응하도록 플롯된 그래프가 도 11의 꺾은 선 Q11(실선) 또는 꺾은 선 Q21(파선)과 같이 표시되고, 외주 단면 길이 데이터 Ap(θ)가 각 각도 위치 θ에 대응하도록 플롯된 그래프가 도 12의 꺾은 선 Q12(실선) 또는 꺾은 선 Q22(파선)와 같이 표시되고, 또 제2 외주 베벨면 길이 데이터 Lb(θ)가 각 각도 위치 θ에 대응하도록 플롯된 그래프가 도 13의 꺾은 선 Q13(실선) 또는 꺾은 선 Q23(파선)과 같이 표시된다. 예를 들면 꺾은 선 Q11, Q12, Q13으로부터 검사 대상으로 되는 반도체 웨이퍼(100)에서는 외주 단면 길이 Ap(꺾은 선 Q12 참조)는 전체 둘레에 걸쳐서 안정되어 있지만, 제1 외주 베벨면 길이 Ub(꺾은 선 Q11 참조) 및 제2 외주 베벨면 길이 Lb(꺾은 선 Q13)는 각도 위치 범위θ=90°~ 180°에 있어서 비교적 변동이 큰 것을 이해할 수 있다. 이것으로부터 이 검사 대상으로 되는 반도체 웨이퍼(100)는 제1 외주 베벨면(101b) 및 제2 외주 베벨면(101c)이 각도 위치 범위 90°~ 180°에 있어서 다른 각도 위치 범위에 비해 비교적 큰 형상으로 변화하고 있는 것으로 평가할 수 있다. 이 평가 결과는 반도체 웨이퍼(100)의 성막 처리 등의 다음의 처리 공정에 있어서 유용한 정보로서 이용할 수가 있다. 또 반도체 웨이퍼(100)의 외주 가장자리 부분(101)(외주 단면(101a), 제1 외주 베벨면(101b), 제2 외주 베벨면(101c))을 형성하기 위한 전처리 공정에 있어서도 상기 평가 결과를 유용한 정보로서 이용할 수가 있다.
또한, 각 각도 위치 θ에서의 외주 단면 길이 데이터 Ap(θ), 제1 외주 베벨면 길이 데이터 Ub(θ) 및 제2 외주 베벨면 길이 데이터 Lb(θ)를 도 14a에 나타내듯이 일괄적으로 그래프화하여 검사 결과로서 출력할 수가 있다. 또 각 전체 각도 위치 범위(0°~ 360°)에 있어서 상기 Ap, Ub, Lb 각각의 최대치(MAX), 최소치(MIN), 평균치(AVE) 및 표준 편차(STD)를 예를 들면 도 14b에 나타내듯이 표형식으로 하여 검사 결과로서 출력할 수도 있다.
각 각도 위치 θ에 대응한 외주 단면 길이 데이터 Ap(θ), 제1 외주 베벨면 길이 데이터 Ub(θ) 및 제2 외주 베벨면 길이 데이터 Lb(θ)를 일괄적으로 그래프화하여 검사 결과로서 표시(출력)하는 경우, 반도체 웨이퍼(100)의 외주 가장자리 부분(외주 단면(101a), 제1 외주 베벨면(101b) 및 제2 외주 베벨면(101c))의 형상을 그래프의 형상에 기초하여 시각적으로 판단할 수가 있게 된다. 또 각 전체 각도 위치 범위(0°~ 360°)에 있어서 상기 Ap, Ub, Lb 각각의 최대치(MAX), 최소치(MIN), 평균치(AVE) 및 표준 편차(STD)를 표형식으로 하여 검사 결과로서 표시(출력)하는 경우에는, 반도체 웨이퍼(100)의 제조 공정에 있어서 그것들 통계적 수치의 추이에 기초하여 반도체 웨이퍼(100)의 외주 가장자리 부분의 형상의 경과 관 리를 용이하게 행할 수가 있게 된다.
또한, 예를 들면 도 15a 및 도 15b에 나타내듯이 외주 가장자리 부분(101)의 단면 형상이 만곡되어 있는 경우에서도, 파선으로 나타내듯이 외주 단면(101a), 제1 외주 베벨면(101a) 및 제2 외주 베벨면(101c)에 대응한 화상 데이터가 얻어진다. 따라서 이와 같이 외주 가장자리 부분(101)의 단면 형상이 만곡되어 있는 경우도 전술한 것과 마찬가지로 복수의 각도 위치 θ에 있어서의 제1 외주 베벨면 길이 데이터 Ub(θ), 외주 단면 길이 데이터 Ap(θ) 및 제2 외주 베벨면 길이 데이터 Lb(θ)에 의해 그 반도체 웨이퍼(100)의 외주 가장자리 부분(101)의 외형 형상을 평가할 수 있다.
전술한 바와 같은 가장자리 검사 장치는 각 반도체 웨이퍼(100)(개체)에 대한 외주 가장자리 부분(101)의 전체적인 형상의 경향을 알기 때문에 특히 유효한 것이다.
전술한 것처럼 반도체 웨이퍼(100)의 외주 가장자리 부분(101)을 촬영하는 제1 CCD 카메라(10a), 제2 CCD 카메라(10b) 및 제3 CCD 카메라(10b)로부터 출력되는 화상 신호로부터 생성된 화상 데이터 IAP(θ), IUb(θ), ILb(θ)는, 외주 가장자리 부분(101)에 있어서의 외주 단면(101a), 제1 외주 베벨면(101b) 및 제2 외주 베벨면(101c)의 크랙이나 파티클 등의 결함 d1, d2, d3을 나타낼 수 있는 것이다. 따라서 상기 가장자리 검사 장치에서는 그러한 화상 데이터 IAP(θ), IUb(θ), ILb(θ)로부터 외주 가장자리 부분(101)의 형상을 나타내는 가장자리 형상 정보로서 외주 단 면(101a)의 형상을 나타내는 외주 단면 길이 데이터 Ap(θ), 제1 외주 베벨면(101b)의 형상을 나타내는 제1 외주 베벨면 길이 데이터 Up(θ) 및 제2 외주 베벨면(101c)의 형상을 나타내는 제2 외주 베벨면 길이 데이터 Lb(θ)가 생성되므로, 상기 화상 데이터 IAP(θ), IUb(θ), ILb(θ)에 기초한 외주 가장자리 부분(101)에 있어서의 크랙이나 파티클 등의 결함 d1, d2, d3의 유무에 대한 검사(도 8, 도 9, 도 10 참조)와 동일 공정 혹은 동일 장치에서 당해 외주 가장자리 부분(101)의 형상의 검사를 용이하게 행할 수가 있게 된다.
전술한 예에서는 반도체 웨이퍼(100)의 외주 가장자리 부분(101)의 형상을 나타내는 가장자리 형상 정보로서 외주 단면(101a)의 복수의 각도 위치 θ 각각에서의 둘레 방향을 대략 직각으로 횡단하는 방향의 길이를 나타내는 외주 단면 길이 데이터 Ap(θ), 제1 외주 베벨면(101b)의 복수의 각도 위치 θ 각각에서의 둘레 방향을 대략 직각으로 횡단하는 방향의 길이를 나타내는 제1 외주 베벨면 길이 데이터 Up(θ) 및 제2 외주 베벨면(101c)의 복수의 각도 위치 θ 각각에서의 둘레 방향을 대략 직각으로 횡단하는 길이를 나타내는 제2 외주 베벨면 길이 데이터 Lb(θ)를 이용하였지만, 그 가장자리 형상 정보, 그러한 것 중 하나 또는 복수라도 좋고 다른 정보라도 좋다. 예를 들면 도 16에 나타내듯이 제1 외주 베벨면(101b)의 복수의 각도 위치 θ 각각에서의 기울기 각도를 나타내는 제1 외주 베벨면 각도 데이터 α1, 제2 외주 베벨면(101c)의 복수의 각도 위치 θ 각각에서의 기울기 각도를 나타내는 제2 외주 베벨면 각도 데이터 α2, 제1 외주 베벨면(101b)의 복수의 각도 위치 θ 각각에서의 반도체 웨이퍼(100)의 직경 방향에 있어서의 길이 성분을 나타내는 제1 외주 베벨면 직경 방향 성분 길이 데이터 A1, 제2 외주 베벨면(101c)의 복수의 각도 위치 θ 각각에서의 상기 직경 방향에 있어서의 길이 성분을 나타내는 제2 외주 베벨면 직경 방향 성분 길이 데이터 A2, 제1 외주 베벨면(101b)의 복수의 각도 위치 θ 각각에서의 반도체 웨이퍼(100)에 수직인 축방향에 있어서의 길이 성분을 나타내는 제1 외주 베벨면 축방향 성분 길이 데이터 B1 및 제2 외주 베벨면(101c)의 복수의 각도 위치 θ 각각에서의 상기 축방향에 있어서의 길이 성분을 나타내는 제2 외주 베벨면 축방향 성분 길이 데이터 B2 중의 적어도 어느 쪽인가 1개를 상기 가장자리 형상 정보로서 생성할 수도 있다.
상기한 제1 외주 베벨면 각도 데이터 α1, 제2 외주 베벨면 각도 데이터 α2, 제1 외주 베벨면 직경 방향 성분 길이 데이터 A1, 제2 외주 베벨면 직경 방향 성분 길이 데이터 A2, 제1 외주 베벨면 축방향 성분 길이 데이터 B1 및 제2 외주 베벨면 축방향 성분 길이 데이터 B2는 전술한 것처럼 화상 데이터 IAP(θ), IUb(θ), ILb(θ)로부터 생성된 상기 외주면 길이 데이터 Ap(θ), 제1 외주 베벨면 길이 데이터 Ub(θ) 및 제2 외주 베벨면 길이 데이터 Lb(θ)로부터 여러 가지의 수법에 따라서 산출할 수가 있다(도 16 참조).
예를 들면, 도 16에 있어서
　Ub=A1/cosα1　　　·····(1)
　B1=Ub·sinα1　　 ·····(2)
이다.
　여기서,
　B1=B2=(T－Ap)/2　 ·····(3)
인 것으로 가정한다. 또한 T는 반도체 웨이퍼(100)의 두께(예를 들면 T=755μm)이다.
전술한 것처럼 Ap(외주면 길이 데이터), Ub(제1 외주 베벨면 길이 데이터), Lb(제2 외주 베벨면 길이 데이터)가 화상 데이터로부터 이미 생성되어 있는 복수(예를 들면 10매)의 반도체 웨이퍼(100) 각각에 대해 상기 식(3)에 따라 어느 각도 위치 θ에 있어서의 제1 외주 베벨면 축방향 성분 길이 데이터 B1(i)이 산출된다(i는 반도체 웨이퍼(100)를 특정하는 번호로서, i=1,····10).
그리고, 그 B1(1), B1(2),···, B1(10)의 평균치 B1ave가
　　B1ave=｛B1(1)＋B1(2)＋···＋B1(10)｝/10　·····(4)
에 따라 산출된다.
이 평균치 B1ave를 상기 식(2)로 되돌려
　　B1ave=Ub·sinα1
으로부터,
　　α1=sin-1(B1ave/Ub)　·····(5)
에 따라 어느 각도 위치 θ에 있어서의 제1 외주 베벨면 각도 데이터 α1이 산출된다.
또, 상기 식(1)로부터 어느 각도 위치 θ에 있어서의 제1 외주 베벨면 직경 방향 성분 길이 데이터 A1이
　　A1=Ub·cosα1
에 따라 산출된다.
또한, 제2 베벨면 축방향 성분 길이 B2ave, 제2 외주 베벨면 각도 데이터 α2 및 제2 외주 베벨면 직경 방향 성분 길이 데이터 A2도 마찬가지로 하여 산출된다.
예를 들면, 제1 외주 베벨면 각도 데이터 α1 및 제2 외주 베벨면 각도 데이터 α2를 가장자리 형상 정보로서 이용하는 경우, 그 검사 결과로서 제1 외주 베벨면 각도 데이터 α1(θ)이 각 각도 위치 θ에 대응하도록 플롯된 그래프가 도 17의 꺾은 선 Q14(실선) 또는 꺾은 선 Q24(파선)와 같이 표시되고, 제2 외주 베벨면 각도 데이터 α2(θ)가 각 각도 위치 θ에 대응하도록 플롯된 그래프가 도 18의 꺾은 선 Q15(실선) 또는 꺾은 선 Q25(파선)와 같이 표시된다. 이 경우, 예를 들면 도 18의 꺾은 선 Q15로부터 제2 외주 베벨면 각도 데이터 α2(θ)가 각도 위치 범위 90°~ 180°에 있어서 비교적 큰 것을 이해할 수 있다. 이것으로부터 검사 대상으로 되는 반도체 웨이퍼(100)는 제2 외주 베벨면(101c)의 경사 각도가 각도 위치 범위 90°~ 180°에 있어서 다른 각도 위치 범위에 비해 비교적 큰 형상 변화를 하고 있는 것으로 평가할 수 있다.
또한, 예를 들면 제1 외주 베벨면 각도 데이터 α1(θ)(제2 외주 베벨면 데이터 α2(θ)에서도 마찬가지)이 각 각도 위치 θ에 대응하도록 플롯된 그래프가 도 19의 꺾은 선 Q26(파선)으로 되는 경우, 각도 위치 0° ~ 360°의 전체 둘레에 걸쳐서 제1 외주 베벨면 각도 α1이 대략 일정하게 되고 있지만, 같은 그래프가 도 19의 꺾은 선 Q16(파선)으로 되는 경우, 각도 위치 90°~ 270°의 범위에서 제1 외주 베벨면 각도 α1이 크게 저하한다. 반도체 웨이퍼(100)의 외주 가장자리 부분(101)에 꺾은 선 Q16으로 나타나는 것 같은 제1 외주 베벨면 각도 α1의 변동 개소가 있으면 레지스트 막(resist layer)의 코팅(coating) 처리 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(100)의 외주 가장자리 부분(101)의 전체 둘레에 걸쳐서 균일하게 레지스트막을 코팅시키는 것이 어려워진다. 그리고 코팅되는 레지스트막의 막두께가 불균일하게 되면 장래는 그 레지스트막이 부분적으로 박리하여 먼지 발생의 원인으로 되거나 크랙이 발생하거나 할 우려가 있다. 따라서 운용상은 예를 들면 제1 외주 베벨면 각도 데이터 α1이 꺾은 선 Q16과 같은 특성으로 되는 경우, 외주 가장자리 부분(101)을 형성하는 전처리 공정에서의 처리 조건을 제1 외주 베벨면 각도 데이터 α1이 꺾은 선 Q26과 같은 특성으로 되도록 조정함으로써 후처리 공정(성막 처리 공정)에서의 장해 요인을 저감시킬 수가 있게 된다.
또한, 반도체 웨이퍼(100)의 제조 공정에 있어서 다른 가장자리 형상 정보(외주면 길이 데이터 Ap(θ), 제1 외주 베벨면 길이 데이터 Ub(θ), 제2 외주 베벨면 길이 데이터 Lb(θ)：도 11 내지 도 13 참조)에 기초하여, 전술한 α1, α2에 기초한 운용과 마찬가지의 운용을 행할 수가 있다.
다음에 상기 출력 처리(S17)의 더욱 다른 예에 대해서 설명한다.
전술한 것처럼 도 16에 있어서,
　B1=Ub·sinα1　　　　 ·····(6)
　α1=sin-1(B1/Ub)　　 ·····(7)
　B2=Lb·sinα2　　　　 ·····(8)
　α2=sin-1(B2/Lb)　　 　·····(9)
　A1=Ub·cosα1　　　　 ·····(10)
　α1=cos-1(A1/Ub)　 ·····(11)
　A2=Lb·cosα2　　　 　 ·····(12)
　α2=cos-1(A2/Lb)　 ·····(13)
　T=Ap＋B1＋B2 (T는 반도체 웨이퍼(100)의 두께)　·····(14)
의 관계가 성립한다.
상기의 관계로부터 귀납 회귀의 수법에 따라서 각 파라미터 α1(제1 외주 베벨면 각도 데이터), α2(제2 외주 베벨면 각도 데이터), A1(제1 외주 베벨면 직경 방향 성분 길이 데이터), A2(제2 외주 베벨면 직경 방향 성분 길이 데이터), B1(제1 외주 베벨면 축방향 성분 길이 데이터) 및 B2(제2 외주 베벨면 축방향 성분 길이 데이터)의 값을 구할 수가 있다.
구체적으로는 우선 각 각도 위치 θ에 있어서의 B1=B2인 것으로 가정하면 상기 식(14)로부터
　　　B1=B2=(T－Ap)/2　·····(15)
의 관계가 성립된다. 그리고 반도체 웨이퍼(100)의 두께 T의 규격값(예를 들면 755μm)과, 전술한 것처럼 얻어진 각 각도 위치 θ에서의 Ap(외주 단면 길이 데이터)의 값을 상기 식(15)에 대입함으로써 각 각도 위치 θ에서의 B1 및 B2(=B1)의 값이 초기 근사치로서 구해진다. 또한 상기 가정에 기초하는 B1, B2의 초기 근사치는 예를 들면 도 20에 나타내듯이 각 각도 위치 θ에 대해서 Ap(외주 단면 길이 데이터)의 값의 변화에 따라 변화한다.
이 각 각도 위치 θ에서의 B1의 초기 근사치와 전술한 것처럼 얻어진 대응하는 각도 위치 θ에서의 Ub(제1 외주 베벨면 길이 데이터)를 식(7)에 대입하여 각 각도 위치 θ에서의 α1의 값이 구해지고, 각 각도 위치 θ에서의 B2(=B1)의 초기 근사치와 전술한 것처럼 얻어진 대응하는 각도 위치 θ에서의 Lb(제2 외주 베벨면 길이 데이터)를 식(9)에 대입하여 각 각도 위치 θ에서의 α2의 값이 구해진다. 그리고 이 각 각도 위치 θ에서의 α1의 값과 전술한 것처럼 얻어진 대응하는 각도 위치 θ에서의 Ub(제1 외주 베벨면 길이 데이터)를 식(10)에 대입하여 각 각도 위치 θ에서의 A1의 값이 구해지고, 각 각도 위치 θ에서의 α2의 값과 전술한 것처럼 얻어진 대응하는 각도 위치 θ에서의 Lb(제2 외주 베벨면 길이 데이터)를 식(12)에 대입하여 각 각도 위치 θ에서의 A2의 값이 구해진다.
이와 같이 하여 각 각도 위치 θ에서의 B1 및 B2(=B2) 각각의 값이 상기 초기 근사치로 가정하는 경우에 있어서의 α1, α2, A1, A2 각각의 각 각도 위치 θ에서의 근사치가 제1 근사치로서 구해진다. 그 후 검사 대상의 반도체 웨이퍼(100)의 전체 각도 위치 범위(0°~ 360°)에 있어서의 α1, α2, A1, A2 각각의 제1 근 사치의 최대치(MAX), 최소치(MIN), 평균치(AVE) 및 표준 편차(STD)가 구해진다. 또한 상기 가정을 기초로 산출된 각 각도 위치 θ에 대한 A1, A2 각각의 제1 근사치는 예를 들면 도 21a에 나타내듯이 되고 전체 각도 위치 범위(0°~ 360°)에 있어서의 A1, A2 각각의 최대치(MAX), 최소치(MIN), 평균치(AVE) 및 표준 편차(STD)는 예를 들면 도 21b에 나타내듯이 된다. 또 상기 가정을 기초로 산출된 각 각도 위치 θ에 대한 α1, α2 각각의 제1 근사치는 예를 들면 도 22a에 나타내듯이 되고 전체 각도 위치 범위(0°~ 360°)에 있어서의 α1, α2 각각의 최대치(MAX), 최소치(MIN), 평균치(AVE) 및 표준 편차(STD)는 예를 들면 도 22b에 나타내듯이 된다.
다음에, 각 각도 위치 θ에서의 α1의 값이 상기 제1 근사치의 평균치 α1ave(고정값)인 것으로 가정하고 이 평균치 α1ave와 각 각도 위치 θ에서의 Ub(제1 외주 베벨면 길이 데이터)를 식(6)에 대입하여 각 각도 위치 θ에서의 B1의 값이 구해지고, 각 각도 위치 θ에서의 α2의 값이 상기 제1 근사치의 평균치 α2ave인 것으로 가정하고 이 평균치 α2ave와 각 각도 위치 θ에서의 Lb(제2 외주 베벨면 길이 데이터)를 식(8)에 대입하여 각 각도 위치 θ에서의 B2의 값이 구해진다. 또 상기 평균치 α1ave와 각 각도 위치 θ에서의 Ub(제1 외주 베벨면 길이 데이터)를 식(10)에 대입하여 각 각도 위치 θ에서의 A1의 값이 구해지고, 상기 α2의 평균치 α2ave와 각 각도 위치 θ에서의 Lb(제2 외주 베벨면 길이 데이터)를 식(12)에 대입하여 각 각도 위치 θ에서의 A2의 값이 구해진다.
이와 같이 하여 각 각도 위치 θ에 있어서 α1=α1ave, α2=α2ave로 가정하는 경우에 있어서의 B1 및 B2 각각의 각 각도 위치 θ에서의 값이 제1 근사치로서 구해지고, A1 및 A2 각각의 각 각도 위치 θ에서의 값이 제2 근사치로서 구해진다. 그 후 검사 대상의 반도체 웨이퍼(100)의 전체 각도 위치(0°~ 360°)에 있어서의 B1 및 B2 각각의 제1 근사치, A1 및 A2 각각의 제2 근사치의 최대치(MAX), 최소치(MIN), 평균치(AVE) 및 표준 편차값(STD)이 구해진다. 또한 상기 가정에서는 각 각도 위치 θ에 있어서의 α1, α2의 제1 근사치의 평균치 α1ave, α2ave는 예를 들면 도 23에 나타내듯이 일정하고 그 가정을 기초로 산출된 각 각도 위치 θ에 대한 B1, B2 각각의 제1 근사치는 예를 들면 도 24a에 나타내듯이 되고, 전체 각도 위치 범위(0°~ 360°)에 있어서의 B1, B2 각각의 최대치(MAX), 최소치(MIN), 평균치(AVE) 및 표준 편차(STD)는 예를 들면 도 24b에 나타내듯이 된다. 또 상기 가정을 기초로 산출된 각 각도 위치 θ에 대한 A1, A2 각각의 제2 근사치는 예를 들면 도 25a에 나타내듯이 되고 전체 각도 위치 범위(0°~ 360°)에 있어서의 A1, A2 각각의 최대치(MAX), 최소치(MIN), 평균치(AVE) 및 표준 편차(STD)는 예를 들면 도 25b에 나타내듯이 된다.
다음에 각 각도 위치 θ에서의 A1의 값이 상기 제2 근사치의 평균치 A1ave(고정값)인 것으로 가정하고, 이 평균치 A1ave와 각 각도 위치 θ에서의 Ub(제1 외주 베벨면 길이 데이터)를 식(11)에 대입하여 각 각도 위치 θ에서의 α1의 값이 구해지고, 각 각도 위치 θ에서의 A2의 값이 상기 제2 근사치의 평균치 A2ave(고정치)인 것으로 가정하고, 이 평균치 A2ave와 각 각도 위치 θ에서의 Lb(제2 외주 베벨면 길이 데이터)를 식(13)에 대입하여 각 각도 위치 θ에서의 α2의 값이 구해진다. 그리고 이 각 각도 위치 θ에서의 α1의 값과 대응하는 각도 위 치 θ에서의 Ub(제1 외주 베벨면 길이 데이터)를 식(6)에 대입하여 각 각도 위치 θ에서의 B1의 값이 구해지고, 각 각도 위치 θ에서의 α2의 값과 대응하는 각도 위치 θ에서의 Lb(제2 외주 베벨면 길이 데이터)를 식(8)에 대입하여 각 각도 위치 θ에서의 B2의 값이 구해진다.
이와 같이 하여 각 각도 위치 θ에 있어서의 A1=A1ave, A2=A2ave로 가정하는 경우에 있어서의 α1 및 α2 각각의 각 각도 위치 θ에서의 값이 제2 근사치로서 구해지고, B1 및 B2 각각의 각 각도 위치 θ에서의 값이 제2 근사치로서 구해진다. 그 후 검사 대상의 반도체 웨이퍼(100)의 전체 각도 위치(0°~ 360°)에 있어서의 B1 및 B2 각각의 제2 근사치, α1 및 α2 각각의 제2 근사치의 최대치(MAX), 최소치(MIN), 평균치(AVE) 및 표준 편차값(STD)이 구해진다. 또한 상기 가정에서는 각 각도 위치 θ에 있어서의 A1, A2의 제2 근사치의 평균치 A1ave, A2ave는 예를 들면 도 26에 나타내듯이 일정하고, 그 가정을 기초로 산출된 각 각도 위치 θ에 대한 B1, B2 각각의 제2 근사치는 예를 들면 도 27a에 나타내듯이 되고, 전체 각도 위치(0°~ 360°)에 있어서의 B1, B2 각각의 최대치(MAX), 최소치(MIN), 평균치(AVE) 및 표준 편차(STD)는 예를 들면 도 27b에 나타내듯이 된다. 또 상기 가정을 기초로 산출된 각 각도 위치 θ에 대한 α1, α2 각각의 제2 근사치는 예를 들면 도 28a에 나타내듯이 되고, 전체 각도 위치 범위(0°~ 360°)에 있어서의 α1, α2 각각의 최대치(MAX), 최소치(MIN), 평균치(AVE) 및 표준 편차(STD)는 예를 들면 도 28b에 나타내듯이 된다.
이후 파라미터 B1, B2의 조, 파라미터 A1, A2의 조, 파라미터 α1, α2의 조 중의 몇 개의 조를 순환적으로 선택하고, 그 선택된 조의 파라미터의 각 각도 위치 θ에서의 값이 전에 구해진 근사치의 평균치라는 가정을 기초로, 다른 조 각각의 각 파라미터를 연산하는 것을 전술한 것과 마찬가지로 차례차례 반복하여 각 파라미터 B1, B2, A1, A2, α1, α2 각각의 각 각도 위치 θ에서의 n차 근사치가 구해진다(귀납 회귀의 수법). 그리고 당해 연산이 소정 회수 반복하여 얻어진 각 파라미터 B1, B2, A1, A2의 n차 근사치가 가장자리 형상 정보로서 출력된다.
각 각도 위치 θ에 대응하는 가장자리 형상 정보의 값(근사치)을 예를 들면 도 21a, 도 22a, 도 24a, 도 25a, 도 27a, 도 28a에 나타내듯이 그래프화하여 검사 결과로서 표시(출력)시킬 수가 있다. 또 각 각도 위치 θ에서의 상기 가장자리 형상 정보의 값으로부터 구해진 전체 각도 범위(0°~ 360°)에 있어서의 최대치(MAX), 최소치(MIN), 평균치(AVE) 및 표준 편차(STD)의 통계적 수치를 도 21b, 도 22b, 도 24b, 도 25b, 도 27b, 도 28b에 나타내듯이 표형식으로 하여 검사 결과로서 표시(출력)시킬 수도 있다. 또한 검사 결과의 출력 형식은 상기 그래프 형식 및 상기 표 형식에 한정되지 않고 다른 형식이어도 좋다.
검사 대상으로 되는 반도체 웨이퍼(100)의 각 각도 위치 θ에 대응한 가장자리 형상 정보의 값(근사치)을 그래프화하여 검사 결과로서 표시(출력)하는 경우, 반도체 웨이퍼(100)의 외주 가장자리 부분의 형상을 그래프의 형상에 기초하여 시각적으로 판단할 수가 있게 된다. 또 검사 대상으로 되는 반도체 웨이퍼(100)의 가장자리 형상 정보의 값으로부터 구해진 전체 각도 범위(0°~ 360°)에 있어서의 최대치(MAX), 최소치(MIN), 평균치(AVE) 및 표준 편차(STD)의 통계적 수치를 표형식 으로 하여 검사 결과로서 표시(출력)하는 경우에는, 반도체 웨이퍼(100)의 제조 공정에 있어서 그것들 통계적 수치의 추이에 기초하여 반도체 웨이퍼(100)의 외주 가장자리 부분의 형상의 경과 관리를 용이하게 행할 수가 있다.
전술한 예에서는 반도체 웨이퍼(100)의 한 장 한 장마다 상기 파라미터 각 파라미터 B1, B2, A1, A2, α1, α2 각각의 통계적 수치(전체 각도 범위(0°~ 360°)에 있어서의 최대치(MAX), 최소치(MIN), 평균치(AVE) 및 표준 편차(STD))를 얻도록 하였지만 이 통계적 수치는 반도체 웨이퍼(100)가 복수 매 수납되는 카셋트(cassette)마다 혹은 반도체 웨이퍼(100)의 로트(lot)마다 등, 다른 단위마다 얻도록 하여도 좋다. 또 통계적 수치는 최대치(MAX), 최소치(MIN), 평균치(AVE) 및 표준 편차(STD)의 모두가 아니라도 그러한 것 중 하나 또는 복수이면 좋다.
또한 전술한 바와 같은 귀납 회귀의 수법에 기초하여 얻어진 각 각도 위치 θ에서의 제1 외주 베벨면 축방향 성분 길이 데이터 B1 및 제2 외주 베벨면 축방향 성분 길이 B2 각각의 값과, 계측하여 얻어진 대응하는 각도 위치 θ에서의 외주 단면 길이 데이터 Ap의 값을 전술한 식(14)에 대입하여 각 각도 위치 θ에서의 반도체 웨이퍼(100)의 두께 T를 구할 수가 있다. 각 각도 범위θ에서의 반도체 웨이퍼(100)의 두께 T는 예를 들면 도 29a에 나타내듯이 구하고, 또 그 T의 최대치(MAX), 최소치(MIN), 평균치(AVE) 및 표준 편차(STD)는 예를 들면 도 29b에 나타내듯이 구한다.
본 발명에 관련되는 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 장치 및 가장자리 검사 방법은, 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분에 있어서의 크랙이나 파티클 등의 결함 유무에 대한 검사와 동일 공정 혹은 동일 장치에서 당해 외주 가장자리 부분의 형상의 검사를 용이하게 행할 수 있다고 하는 효과를 가지고, 도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분을 검사하는 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 장치 및 가장자리 검사 방법으로서 유용하다.

Claims (10)

  1. 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분에 대향하여 배치되고 당해 외주 가장자리 부분을 둘레 방향으로 차례차례 촬영하여 화상 신호를 출력하는 촬영 유닛과,
    당해 촬영 유닛으로부터 차례차례 출력되는 화상 신호를 처리하는 화상 처리 유닛을 가지고,
    상기 화상 처리 유닛은,
    상기 화상 신호로부터 상기 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분을 나타내는 화상 정보를 생성하는 화상 정보 생성 수단과,
    상기 화상 정보로부터 상기 외주 가장자리 부분의 복수 위치 각각에서의 형상을 나타내는 가장자리 형상 정보를 생성하는 형상 정보 생성 수단을 가지고,
    상기 가장자리 형상 정보에 기초한 검사 결과를 출력하도록 한 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 촬영 유닛은 상기 반도체 웨이퍼의 외주 단면, 상기 반도체 웨이퍼의 제1 면의 외주 테두리에 있어서 경사진 제1 외주 베벨면 및 상기 제1 면과 반대측의 제2 면의 외주 테두리에 있어서 경사진 제2 외주 베벨면의 적어도 어느 쪽인가를 상기 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분으로서 촬영하고,
    상기 형상 정보 생성 수단은, 상기 반도체 웨이퍼의 외주 단면을 나타내는 화상 정보로부터 당해 외주 단면의 복수 위치 각각에서의 형상을 나타내는 정보, 상기 반도체 웨이퍼의 제1 외주 베벨면을 나타내는 화상으로부터 당해 제1 외주 베벨면의 복수 위치 각각에서의 형상을 나타내는 정보, 및 상기 반도체 웨이퍼의 제2 외주 베벨면을 나타내는 화상 정보로부터 당해 제2 외주 베벨면의 복수 위치 각각에서의 형상을 나타내는 정보 중의 적어도 어느 쪽인가를 상기 가장자리 형상 정보로서 생성하는 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 형상 정보 생성 수단은, 상기 외주 단면을 나타내는 화상 정보로부터 당해 외주 단면의 복수 위치 각각에서의 둘레 방향을 횡단하는 방향의 길이를 나타내는 외주 단면 길이 정보, 상기 제1 외주 베벨면을 나타내는 화상 정보로부터 당해 제1 외주 베벨면의 복수 위치 각각에서의 둘레 방향을 횡단하는 방향의 길이를 나타내는 제1 외주 베벨면 길이 정보, 및 상기 제2 외주 베벨면을 나타내는 화상 정보로부터 당해 제2 외주 베벨면의 복수 위치 각각에서의 둘레 방향을 횡단하는 방향의 길이를 나타내는 제2 외주 베벨면 길이 정보 중의 적어도 어느 쪽인가를 상기 가장자리 형상 정보로서 생성하는 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 형상 정보 생성 수단은, 상기 외주 단면을 나타내는 화상 정보로부터 당해 외주 단면의 복수 위치 각각에서의 둘레 방향을 횡단하는 방향의 길이를 나타 내는 외주 단면 길이 정보, 상기 제1 외주 베벨면을 나타내는 화상 정보로부터 당해 제1 외주 베벨면의 복수 위치 각각에서의 둘레 방향을 횡단하는 방향의 길이를 나타내는 제1 외주 베벨면 길이 정보, 및 상기 제2 외주 베벨면을 나타내는 화상 정보로부터 당해 제2 외주 베벨면의 복수 위치 각각에서의 둘레 방향을 횡단하는 방향의 길이를 나타내는 제2 외주 베벨면 길이 정보를 생성하고, 상기 외주면 길이 정보, 상기 제1 외주 베벨면 길이 정보 및 상기 제2 외주 베벨면 길이 정보에 기초하여, 상기 제1 외주 베벨면의 상기 복수 위치 각각에서의 기울기 각도를 나타내는 제1 외주 베벨면 각도 정보, 상기 제2 외주 베벨면의 상기 복수 위치 각각에서의 기울기 각도를 나타내는 제2 외주 베벨면 각도 정보, 상기 제1 외주 베벨면의 상기 복수 위치 각각에서의 상기 반도체 웨이퍼의 직경 방향에 있어서의 길이 성분을 나타내는 제1 외주 베벨면 직경 방향 성분 길이 정보, 상기 제2 외주 베벨면의 상기 복수 위치 각각에서의 상기 직경 방향에 있어서의 길이 성분을 나타내는 제2 외주 베벨면 직경 방향 성분 길이 정보, 상기 제1 외주 베벨면의 상기 복수 위치 각각에서의 상기 반도체 웨이퍼에 수직인 축방향에 있어서의 길이 성분을 나타내는 제1 외주 베벨면 축방향 성분 길이 정보 및 상기 제2 외주 베벨면의 상기 복수 위치 각각에서의 상기 축방향에 있어서의 길이 성분을 나타내는 제2 외주 베벨면 축방향 성분 길이 정보 중의 적어도 어느 쪽인가를 상기 가장자리 형상 정보로서 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 외주 가장자리 부분의 복수 위치 각각에서의 형상을 나타내는 가장자리 형상 정보에 기초하여, 상기 복수 위치에 있어서의 가장자리 형상 정보의 값의 최대치, 최소치, 평균치 및 표준 편차의 적어도 어느 쪽인가 1개에 기초한 검사 결과를 출력하는 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 외주 가장자리 부분의 복수 위치 각각에서의 상기 외주 단면 길이 정보, 상기 제1 외주 베벨면 길이 정보 및 상기 제2 외주 베벨면 길이 정보 중의 적어도 어느 쪽인가 1개의 값의 최대치, 최소치, 평균치 및 표준 편차의 적어도 어느 쪽인가 1개에 기초한 검사 결과를 출력하는 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 외주 가장자리 부분의 복수 위치 각각에서의 제1 외주 베벨면 각도 정보, 제2 외주 베벨면 각도 정보, 제1 외주 베벨면 직경 방향 성분 길이 정보, 제2 외주 베벨면 직경 방향 성분 길이 정보, 제1 외주 베벨면 축방향 성분 길이 정보 및 제2 외주 베벨면 축방향 성분 길이 정보 중의 적어도 어느 쪽인가 1개의 값의 최대치, 최소치, 평균치 및 표준 편차의 적어도 어느 쪽인가 1개에 기초한 검사 결과를 출력하는 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 장치.
  8. 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분에 대향하여 배치된 촬영 유닛에 의해 상기 외주 가장자리 부분을 촬영하는 가장자리 촬영 스텝과,
    상기 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분을 촬영하는 상기 촬영 유닛으로부터 차례차례 출력되는 화상 신호를 처리하는 화상 처리 스텝을 가지고,
    상기 화상 처리 스텝은,
    상기 화상 신호로부터 상기 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분을 나타내는 화상 정보를 생성하는 화상 정보 생성 스텝과,
    상기 화상 정보로부터 상기 외주 가장자리 부분의 복수 위치 각각에서의 형상을 나타내는 가장자리 형상 정보를 생성하는 형상 정보 생성 스텝을 가지고,
    상기 가장자리 형상 정보에 기초한 검사 결과를 얻도록 한 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 가장자리 촬영 스텝은, 상기 촬영 유닛에 의해 상기 반도체 웨이퍼의 외주 단면, 상기 반도체 웨이퍼의 제1 면의 외주 테두리에 있어서 경사진 제1 외주 베벨면 및 상기 제1 면과 반대측의 제2 면의 외주 테두리에 있어서 경사진 제2 외주 베벨면의 적어도 어느 쪽인가를 상기 반도체 웨이퍼의 외주 가장자리 부분으로서 촬영하고,
    상기 형상 정보 생성 스텝은, 상기 반도체 웨이퍼의 외주 단면을 나타내는 화상 정보로부터 당해 외주 단면의 복수 위치 각각에서의 형상을 나타내는 정보, 상기 반도체 웨이퍼의 제1 외주 베벨면을 나타내는 화상으로부터 당해 제1 외주 베 벨면의 복수 위치 각각에서의 형상을 나타내는 정보, 및 상기 반도체 웨이퍼의 제2 외주 베벨면을 나타내는 화상 정보로부터 당해 제2 외주 베벨면의 복수 위치 각각에서의 형상을 나타내는 정보 중의 적어도 어느 쪽인가를 상기 가장자리 형상 정보로서 생성하는 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 형상 정보 생성 스텝은, 상기 외주 단면을 나타내는 화상 정보로부터 당해 외주 단면의 복수 위치 각각에서의 둘레 방향을 횡단하는 방향의 길이를 나타내는 외주 단면 길이 정보, 상기 제1 외주 베벨면을 나타내는 화상 정보로부터 당해 제1 외주 베벨면의 복수 위치 각각에서의 둘레 방향을 횡단하는 방향의 길이를 나타내는 제1 외주 베벨면 길이 정보, 및 상기 제2 외주 베벨면을 나타내는 화상 정보로부터 당해 제2 외주 베벨면의 복수 위치 각각에서의 둘레 방향을 횡단하는 방향의 길이를 나타내는 제2 외주 베벨면 길이 정보 중의 적어도 어느 쪽인가를 상기 가장자리 형상 정보로서 생성하는 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 방법.
KR1020097018744A 2007-03-30 2008-03-28 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 장치 및 가장자리 검사 방법 KR101099264B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007091343 2007-03-30
JPJP-P-2007-091343 2007-03-30
PCT/JP2008/056209 WO2008123459A1 (ja) 2007-03-30 2008-03-28 半導体ウエーハのエッジ検査装置及びエッジ検査方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090109574A true KR20090109574A (ko) 2009-10-20
KR101099264B1 KR101099264B1 (ko) 2011-12-26

Family

ID=39830944

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097018744A KR101099264B1 (ko) 2007-03-30 2008-03-28 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 장치 및 가장자리 검사 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8194241B2 (ko)
JP (1) JP5344699B2 (ko)
KR (1) KR101099264B1 (ko)
DE (1) DE112008000723A5 (ko)
WO (1) WO2008123459A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101249619B1 (ko) * 2010-07-07 2013-04-01 실트로닉 아게 반도체 웨이퍼 검사 방법 및 반도체 웨이퍼 검사 장치
WO2015099251A1 (ko) * 2013-12-24 2015-07-02 주식회사 엘지실트론 웨이퍼의 형상 분석 방법 및 장치

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110317003A1 (en) * 2010-06-02 2011-12-29 Porat Roy Method and system for edge inspection using a tilted illumination
US8768040B2 (en) * 2011-01-14 2014-07-01 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Substrate identification and tracking through surface reflectance
DE102012101301B4 (de) 2012-02-17 2014-11-06 Kocos Automation Gmbh Vorrichtung zur berührungslosen Kantenprofilbestimmung an einem dünnen scheibenförmigen Objekt
US9553034B1 (en) * 2012-03-27 2017-01-24 Kla-Tencor Corporation Combined semiconductor metrology system
JP5633537B2 (ja) * 2012-05-07 2014-12-03 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの評価方法および半導体ウエーハの評価装置
CN108398082B (zh) * 2015-08-24 2020-06-02 江苏理工学院 大齿轮双镜检测仪
US10302598B2 (en) 2016-10-24 2019-05-28 General Electric Company Corrosion and crack detection for fastener nuts
CN107228860B (zh) * 2017-06-28 2020-04-24 北京因时机器人科技有限公司 一种基于图像旋转周期特性的齿轮缺陷检测方法
US10957566B2 (en) * 2018-04-12 2021-03-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer-level inspection using on-valve inspection detectors
JP7067465B2 (ja) * 2018-12-27 2022-05-16 株式会社Sumco 半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハの製造方法
JP7003907B2 (ja) * 2018-12-28 2022-01-21 株式会社Sumco 半導体ウェーハの端面評価方法、半導体ウェーハ収容容器の評価方法、半導体ウェーハ梱包形態の評価方法および半導体ウェーハ輸送形態の評価方法
JP6788089B2 (ja) * 2019-10-23 2020-11-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69800756T2 (de) 1998-10-15 2001-08-09 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren und Vorrichtung zum Detektieren, Überwachung und Charakterisierung von Kantendefekten in Halbleiterscheiben
JP2001004341A (ja) * 1999-06-16 2001-01-12 Toshiba Ceramics Co Ltd ウェーハ形状測定装置
JP3629244B2 (ja) 2002-02-19 2005-03-16 本多エレクトロン株式会社 ウエーハ用検査装置
US7182349B2 (en) * 2003-07-17 2007-02-27 Mind Wurx, Llc Shopping cart with lowered center of gravity and frame therefor
US7280197B1 (en) * 2004-07-27 2007-10-09 Kla-Tehcor Technologies Corporation Wafer edge inspection apparatus
JP4500157B2 (ja) 2004-11-24 2010-07-14 株式会社神戸製鋼所 形状計測装置用光学系
CN101069088B (zh) * 2004-11-30 2010-05-12 芝浦机械电子株式会社 表面检查装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101249619B1 (ko) * 2010-07-07 2013-04-01 실트로닉 아게 반도체 웨이퍼 검사 방법 및 반도체 웨이퍼 검사 장치
WO2015099251A1 (ko) * 2013-12-24 2015-07-02 주식회사 엘지실트론 웨이퍼의 형상 분석 방법 및 장치

Also Published As

Publication number Publication date
DE112008000723A5 (de) 2012-06-14
DE112008000723T5 (de) 2010-01-21
JPWO2008123459A1 (ja) 2010-07-15
KR101099264B1 (ko) 2011-12-26
US20100026997A1 (en) 2010-02-04
WO2008123459A1 (ja) 2008-10-16
JP5344699B2 (ja) 2013-11-20
US8194241B2 (en) 2012-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101099264B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 장치 및 가장자리 검사 방법
KR101016864B1 (ko) 원반 형상 기판의 검사 장치 및 검사 방법
JP5769572B2 (ja) 基板検査装置および基板検査方法
KR102119339B1 (ko) 기판 검사 장치, 기판 처리 장치 및 기판 검사 방법
CN113281343B (zh) 一种对多层透明材料进行缺陷检测的系统及方法
KR20120104944A (ko) 막 두께 불균일 검사 장치 및 방법
EP1703274A1 (en) Defect inspecting method
JP2009222516A (ja) 端部検査装置、及び、端部検査方法
KR101202883B1 (ko) 원반형 기판의 검사 장치
KR20070122363A (ko) 얼룩 검사장치 및 얼룩 검사방법
JP2006292668A (ja) 表面検査装置および表面検査方法
JP2008139065A (ja) 膜評価装置及び膜評価方法
US9965851B2 (en) Method for inspecting pattern and an apparatus for manufacturing a semiconductor device using the same
JPH09210919A (ja) 欠陥検査方法
CN111369509B (zh) 产品的检测补偿方法、装置、产品监测系统和存储介质
TWI692614B (zh) 膜厚測定裝置、基板檢查裝置、膜厚測定方法及基板檢查方法
JP5476069B2 (ja) 塗膜形成ムラ検査装置
JP2004245829A (ja) パターン欠陥検査装置およびパターン欠陥検査方法
JP5183147B2 (ja) 円盤状基板の検査装置
JP2001289789A (ja) 欠陥検出用画像の撮像方法及び欠陥検査装置
JP2024002554A (ja) 表面検査支援装置及び表面検査支援方法
JP2011117856A (ja) 線幅測定装置、線幅測定方法およびカラーフィルター基板の製造方法
JPH11271031A (ja) パッケージ基板の検査装置
JP2005249651A (ja) フラットディスプレイパネルの塗布膜の検査方法
LT5766B (lt) Tikrinimo būdas

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141205

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151118

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161123

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171117

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181115

Year of fee payment: 8