KR20090104020A - 광전자 장치용 하우징 및 하우징 내의 광전자 장치의 배치 - Google Patents
광전자 장치용 하우징 및 하우징 내의 광전자 장치의 배치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20090104020A KR20090104020A KR1020097014208A KR20097014208A KR20090104020A KR 20090104020 A KR20090104020 A KR 20090104020A KR 1020097014208 A KR1020097014208 A KR 1020097014208A KR 20097014208 A KR20097014208 A KR 20097014208A KR 20090104020 A KR20090104020 A KR 20090104020A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- housing
- optoelectronic device
- recess
- support element
- optoelectronic
- Prior art date
Links
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 69
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 52
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 50
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 239000004638 Duroplast Substances 0.000 claims description 2
- 238000007786 electrostatic charging Methods 0.000 claims description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000965 Duroplast Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48464—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
플라스틱 하우징(2)은 지지 소자(1) 상에 배치되고, 광전자 장치(12)가 배치된 오목부(3)를 포함한다. 상기 오목부(3)에는 상기 지지 소자(1)로부터 이격된 측 상에 외부로 향한 개방부(9)가 구비되고, 상기 개방부(9)에는 투명한 덮개가 구비될 수 있다. 하나 이상의 구조부들(5,6)은 광전자 소자에 관련된 덮개 및/또는 광학 소자를 배치하기 위해 플라스틱 하우징(2)에서 구비될 수 있다.
플라스틱 하우징, 지지 소자, 광전자 장치, 오목부, 개방부
Description
본 특허는 독일 특허 출원 10 2007 001 706.7의 우선권을 주장하며, 이 개시내용은 본문에서 반복적으로 포함된다.
본 발명은 광전자 장치용 하우징에 관한 것으로서, 특히 발광 다이오드용 렌즈 장치로서 사용될 수 있는 광전자 장치용 하우징에 관한 것이다.
전자 장치에 있어서, 다양한 다수의 하우징이 사용된다. 반도체 칩은 종종 구비된 금속 지지대 상에서, 즉 리드 프레임에서 실장되고, 포팅 화합물(potting compound)내로 주입된다. 즉, QFN-장치들(Quad Flat No Lead)에서 불투명하고 평평한 정사각형 듀로플라스트(Duroplast) 몸체가 하우징으로서 사용된다. 광전자 장치에 있어서, 투명한 하우징은 열가소성 재료를 이용하여 사용될 수 있다. 복사된 광의 변화를 위해 구비된 전환 소자는, 이와 같은 종류의 하우징이 사용되는 경우, 광전자 장치, 예를 들면 발광 다이오드(LED) 칩 상에 직접 실장된다.
본 발명의 과제는 광학 부품을 지닌 지금까지의 하우징보다 더 우수하게 결합될 수 있는 광전자 장치용 하우징을 제시함에 있다. 특히 상기 하우징 내에서 조립된 발광 다이오드는 낮은 온도저항 및 높은 열 안정성을 나타내고 전환 요소를 편리한 방법으로 제공할 수 있다.
상기 과제는 청구항 1의 특징을 지닌 하우징으로 내지 청구항 11의 특징을 지닌 하우징의 광전자 장치의 배치로 해결된다. 실시예들은 각각의 종속된 청구항들로부터 비롯된다.
상기 하우징은 지지 소자를 포함하는데, 상기 지지 소자 상에 플라스틱 하우징이 배치되되, 이때에 상기 플라스틱 하우징은 특히 듀로플라스트이고 불투명할 수 있다. 상기 플라스틱 하우징은 광전자 장치의 수용을 위해 구비된 오목부를 가지고, 상기 지지 소자로부터 외부로 향한 반대 측 상의 개방부를 포함한다. 광전자 장치는, 광 방출 또는 광 수용을 위하여 구비된 영역을 지닌, 개방부로 향한 오목부 내에 배치된다. 상기 오목부에는 특히 광전자 장치를 조립한 후에 투명한 충진 재료가 채워질 수 있다. 상기 오목부의 투명한 덮개는 개방부 영역에서, 특히 오목부 내에 배치된 광전자 장치에 이격되어 배치할 수 있다. 상기 덮개는 예를 들면 유리나 플라스틱 재료로 된 투명한 뚜껑일 수 있지만, 렌즈 또는 다양한 여러 가지 광학 부품의 배치도 포함할 수 있다.
상기 오목부에 있어서, 전환 소자는 특히 발광 다이오드가 적용된 상태에서 광 변환을 위하여, 배치될 수 있다. 하우징의 형태는 전환 소자가 발광 장치의 상면으로 적합하게 이격되어 배치될 수 있게 한다. 상기 전환 소자는 광의 색을 변화하기 위하여 구비할 수 있다. 이는 바람직하게도 가능한 얇고, 오목부의 개방부를 통해서 일정한 입체각(solid angle) 영역 전체를 바람직하게 펼칠 수 있고, 또한 바람직하게는 광전자 장치에 직접 접촉되지 않게 배치된다. 이로 인한 점은, 방출된 광이 여러 방향으로 전환 소자를 관통하는 경우, 관통된 후에 나가는 진행 길이와 동일하게 나갈 수 있게 하고, 결과적으로 반사 방향에 종속되지 않고 유사한 색 온도를 제시할 수 있게 한다는 점이다.
플라스틱 하우징에 관련된 덮개 또는 광학 부품의 배치를 정하는 특별히 구비된 구조물들 및 실장 개방부들은 플라스틱 하우징에 구비되어, 상기 플라스틱 하우징에 덮개 또는 광학 부품을 간단하게 조립할 수 있게 하고 그들이 배치되는 것을 비교적 정확하게 한다. 광전자 장치의 조립을 위하여, 특히 발광 다이오드의 조립을 위하여, 칩 영역 또는 그와 유사한 것들이 오목부의 측면 상의 지지 소자에서 구비될 수 있다. 추가적인 구조 소자들은 광전자 장치의 배치를 위하여 지지 소자 상에서 구비될 수 있다.
상기 광전자 장치 전기 연결은 바람직하게도 금속으로 된 지지 소자의 사용과 상기 지지 소자의 적합한 패턴닝(patterning)을 통해서 구비된다. 상기 지지 소자는 예를 들면 잘 알려진 리드 프레임 등의 구조화된 금속 층인데, 상기 금속층은 전기적으로 서로 절연되어 분할 분리된 부분들이다. 이러한 지지 소자는, 예를 들면 동으로 구성된다. 상기 광전자 장치는, 예를 들면 지지 소자의 칩 영역에서 후면 접촉한다. 다른 전기 연결에 있어서, 예를 들면 본딩 와이어가 구비되는데, 상기 본딩 와이어는 광전자 장치에 대응하는 연결 접촉을 연결하고, 이때 지지 소자의 다른 부분은 전기 전도성을 갖게 된다. 이로써, 상기 하우징에서, 금속으로 이루어진 지지 소자의 여러 가지 부분들은 외부 전기 연결을 형성한다. 상기 하우징은 실시예에서 외부로 향한 스트립 형상의 연결 리더들을 가지고 설치될 필요는 없다. 지지 소자의 후면 접촉 판들은 외부 전기 연결을 위하여, 예를 들면 기판 상에서 또는 이와 유사한 것 상에서 납땜될 수 있다.
플라스틱 하우징의 재료는 열 팽창 계수 및 접착 특성을 고려하여 지지 소자의 재료에 적합한 것이 바람직하다. 적합한 재료로 만들어진 플라스틱 하우징은 지지 소자로서의 평평한 금속 리드 프레임을 사용하여 연결될 수 있는데, 이때 상기 지지 소자는 다만 천공되거나 에칭되더라도, 높은 기계적 안정성으로 플라스틱 하우징과 연결된다. 플라스틱 하우징 내에는, 예를 들면 플라스틱 하우징의 플라스틱 재료로 주입된 플라스틱 하우징 내에는, 특히 ESD-보호이거나 구동 장치로서 다른 전자 장치들이 배치될 수 있다.
상기 하우징 형태는, 하우징 내에서, 기계 및 온도적으로 안정하게 광전자 장치가 배치되는 것, 이외에 다양한 다른 광학 부품 및/또는 전기 부품이 구비되는 것을 실현시킬 수 있다.
첨부된 도면들과 관련하여 하우징의 예들에 관한 상세한 기술은 다음과 같다.
도 1은 하우징의 한 실시예를 제시한다.
도 2는 후면에서 바라본 것으로서, 도 1에 따른 실시예를 제시한다.
도 3은 도 1에서 표시된 횡단면을 제시한다.
도 4는 다른 실시예를 제시한 것으로서, 도 3에 대응하는 횡단면을 제시한다.
도 5는 다른 실시예를 제시한 것으로서, 도 1에서 표시된 다른 횡단면을 제시한다.
도 6은 다른 실시예를 제시한 것으로서, 도 5에 대응하는 횡단면을 제시한다.
도 7은 하우징의 다른 실시예를 제시한다.
도 8은 후면에서 바라본 것으로서, 도 7에 따른 실시예를 제시한다.
도 1은 하우징의 실시예에 관한 것을 제시한다. 지지 소자(1) 상에서는 오목부를 포함하는 플라스틱 하우징(2)이 실장되는데, 이때, 도 1에 제시된 방향으로 보았을 때, 위로부터 있는 지지 소자(1)의 부분들은 더 잘 보일 수 있다. 오목부들은 광전자 장치의 수용을 위하여 구비되지 않는 한, 또한 단지 조립 보조로 도시될 수 있는 한, 생략할 수 있다; 또한 오목부들은 지지 소자(1)의 하부부터 상부까지 이르지 않아야 한다. 플라스틱 하우징(2)은, 예를 들면, 흑색이고, 불투명하고, 통상적인 QFN-하우징에서 사용된 바와 같이, 특히 듀로플라스트가 사용될 수 있다. 플라스틱 하우징(2)은 오목부를 포함하는데, 상기 오목부는, 제시된 실시예에서, 적어도 거의 대칭적으로 나타난 원통 형태를 바람직하게도 제시하지만, 기본적으로 임의의 기하학적 형태를 제시할 수도 있다. 지지 소자(1)로부터 반대 방향의 측면 상에 있는 오목부는 개방부(9)를 외부에서 포함하고, 이를 통해서 광은 통 과할 수 있다.
오목부(3)의 내부에 있어서, 광전자 장치(12)는 지지 소자(1) 상에 배치된다. 광전자 장치(12)는, 예를 들면, 지지 소자(1)의 칩 영역 상에 직접 배치될 수 있다. 이 경우에 있어서, 전기 연결 중 제 1 연결은 광전자 장치(12)의 후면 접촉 및 지지 소자(1)가 함께 이루어지는 것이 바람직하다. 다른 전기 연결은 도 1에서 제시된 일례에서 본딩 와이어(13)에 의해 이루어지고, 상기 본딩 와이어는 광전자 장치(12)의 연결 접촉을 지지 소자 다른 부분의 연결면에 연결시킨다. 지지 소자(1)의 부분들은 상기 제시된 일례에서 불필요하게 존재하는 바아(bar)(7)에 의해 서로 전기적으로 절연되고 분리되는데, 이때 상기 바아(7)는 플라스틱 하우징(2)의 일부로 형성된다.
플라스틱 하우징(2)의 구조물(5)은 오목부(3) 상에 덮개 또는 광학 부품, 예를 들면 전환 소자가 플라스틱 하우징(2)으로 비교적 정확하게 배치될 수 있도록, 또는 투명한 포팅 화합물의 접착이 더 잘 이루어지도록 제공된다. 또한, 덮개 내부에 구비된 광학 부품들을 위해서, 플라스틱 하우징(2)에는, 예를 들면 관련된 광학 부품들에 설치된 핀들 또는 그와 유사한 돌기들이 삽입될 수 있는 실장 개구부(6) 또는 작은 홈들이 설치될 수 있다. 광전자 장치(12)는, 예를 들면 발광 다이오드(LED) 또는 다른 발광 장치일 수 있다. 마찬가지로 포토 검출기를 하우징에 배치하는 것도 가능하다.
도 2는 도 1 실시예의 하우징을 배면도로 도시한 것이다. 제시된 간단한 일례에 있어서, 지지 소자(1)는 서로 분리되고, 전기적으로 서로 절연되어 2 개의 부 분으로 이루어진다. 도 2에서 아래에 도시된 큰 부분은 칩 영역을 제시하고, 상기 칩 영역 상에서는 오목부 내에 있는 광전자 장치가 배치된다. 도 2에서 지지 소자(1) 위에 제시된 부분은 다른 전기 연결 기능을 하고, 그리고 도 1에서 도시된 바와 같이, 오목부(3)의 내에서 본딩 와이어(13)가 연결되어 있는 상술된 실시예를 제시한다.
도 3은 단지 개략적으로 제시된 하우징 및 그 안에 배치된 광전자 장치를 통해서 도 1에서 표시된 횡단면(Ⅲ)을 도시한다. 도 3에서는, 지지 소자(1)가 상기 실시예에서 2 개로 분리된 부분을 포함한 것을 잘 식별할 수 있다. 오목부(3)는 필요에 따라 투명한 충진 재료로 채워질 수 있다. 이는 투명한 포팅 화합물일 수 있는데, 예를 들면, 실리콘, 에폭시 수지 또는 하이브리드 재료(실리콘-에폭시)이다. 플라스틱 하우징(2)에서 구비된 구조물(5)은 상기 일례에서 포팅 화합물이 더 잘 접착되게 하는 오목부(3)의 내부 벽 측면 홈으로 이루어진다.
추가적으로 도 3에서는, 지지 소자(1) 상에 실장될 수 있고 광전자 장치(12)의 정확한 위치 선정을 위해 구비된 구조 소자(11)가 제시된다. 실시예에 있어서, 도 1의 일례로서 도시된 바아(7)는 도 3에서 횡단면으로 도시된 바와 같이, 지지 소자(1) 부분의 경계부에 실장된다. 상기 일례의 본딩 와이어(13)는 일단 및 타단을 가지는데, 상기 일단은 광전자 장치(12) 상면의 접촉 표면 상에 고정되고, 상기 타단은 지지 소자(1)의 제 2 부분의 연결면(8) 상에 고정된다. 도시된 배치로 인해, 상기 하우징에서 표면 방출 장치의 조립은 바람직하게 적합해진다. 적합하게 변화시킨 조립에 있어서, 예를 들면, 특히 지지 소자(1)의 표면 쪽으로 향한 직각 부에서는 에지(edge)-방출 장치가 상기 하우징과 연결하여 사용될 수도 있다.
도 4에 제시된 다른 실시예에서는, 오목부(3)의 지지 소자(1)로부터 반대 방향의 측면 상에 있는 개방부(9)의 덮개(4)를 제시한다. 상기 덮개(4)는 상기 일례에서 예를 들면 투명한 플라스틱 소재 또는 유리로 이루어진 기계적으로 강화된 재료로 구현된 투명한 층이고, 그리고 플라스틱 하우징(2)에 측면으로 고정되고, 예를 들면 접착된다. 상기 간단한 투명 뚜껑 대신에 임의의 광학 부품 또는 많은 광학 부품들의 장치는 덮개(4)로서 구비될 수 있다. 이로써, 상기 덮개(4)는 예를 들면 반사 및 회절을 위하여, 또는 서로 결합하여 임의로 잘 알려진 광학 부품(optic)을 포함할 수 있고, 이는 간단한 방법으로 플라스틱 하우징(2)에 고정될 수 있다. 이는 상기 하우징 설계의 특별한 장점이다. 덮개(4)가 구비된다면, 특히 오목부(3)에 충진 재료 없이 행해질 수 있다.
덮개(4)에 있어서, 예를 들면, 투명한 뚜껑, 렌즈 또는 다른 광학 부품들로서, 손상 없이 하우징의 외부 전기 연결들로 준비되는 연이은 납땜 과정에서 요구되는 고온을 견디는 재료가 사용되는 것이 바람직하다. 이로써, 하우징의 이러한 사용에 있어서 상기 덮개(4)에서 사용된 광학 부품들은 특히 리플로우(reflow) 납땜 가능한 재료, 예를 들면 실리콘이거나 유리로 이루어져야 한다.
도 5는 도 1에서 표시된 다른 횡단면(V)을 제시한 실시예로서, 오목부(3)의 개방부(9)가 렌즈(14)로 덮인 것을 제시한다. 상기 렌즈(14)와의 연결에 있어서, 오목부(3)는 적합한 충진 재료로 채워지는 것이 바람직하나, 그러나 상기 충진 재료는 이 실시예에서 생략될 수 있다. 렌즈는 또한 충진 재료의 일부로서 형성될 수도 있다. 대신에 상기 렌즈는 녹여서 붙이거나 성형될 수 있다. 상기 렌즈는 유리이거나 투명한 플라스틱으로도 구성될 수 있다. 도 5에 도시된 렌즈(14)의 가장자리 측면부(15)는 상기 플라스틱 하우징(2) 상에 위치하고, 바람직하게는 도 1에 도시된 실장 개방부(6)에 맞물리는 너브(nub) 또는 핀들이 구비되어, 그 결과 상기 렌즈(14)는 조립될 때 자동적으로 정확하게 조절된 위치에서 배치된다.
도 5에서는, 예를 들면 플라스틱 하우징(2)의 플라스틱 재료를 이용하여 주입 성형된 적어도 하나의 다른 전자 장치(10)가 플라스틱 하우징(2) 내부에 배치될 수 있다는 것을 제시한다. 상기 다른 전자 장치(10)의 전기 연결은, 예를 들면 금속으로 만들어진 지지 소자(1)의 적합한 구조물 상에서 이루어질 수 있고, 그리고/또는 필요시 플라스틱 하우징(2)으로부터 위로 끄집어낼 수 있는 본딩 와이어들로도 이루어질 수 있다. 이 방법으로 상기 다른 전자 장치의 출력 내지 입력은 광전자 장치의 단자에 연결될 수도 있다. 상기 다른 전자 장치(10)는, 예를 들면 정전기 충전에 의한 손상(ESD, 정전기 손상)을 막는 보호 회로를 포함할 수 있다. 대신에 또는 추가적으로 상기 전자 장치는 광전자 장치를 위하여 구동 회로(예를 들면, Asic)를 포함할 수 있다. 또한 여러 다른 전자 장치는 플라스틱 하우징(2)에 배치될 수 있다. 이로 인하여 상기 하우징의 여러 가지 응용 가능성은 충분해진다. 광전자 장치(12)는 플라스틱 하우징(2) 내부에서 하나 이상의 다른 전자 장치의 배치를 통해서 기능적으로 영향을 받지 않거나 또는 전혀 방해받지 않는다. 플라스틱 하우징(2)의 내부에서 전자 장치의 존재를 통해, 특히 복사의 흡수 및 회절에 영향을 받지 않고 상기 오목부(3)의 중심축 대칭 형태와 그로부터 중심축 대칭 광 복사의 결과물은 문제없이 획득될 수 있다.
도 6은 다른 실시예의 도 5에 대응하는 횡단면으로서, 전환 소자(16)가 오목부(3)에 배치된 것을 제시한다. 특히 플라스틱 하우징의 구조물(5)은 전환 소자(16)를 위한 조립체 보조 수단로서, 계단형으로서 형성될 수 있고, 그 결과 상기 전환 소자(16)는 정확하게 플라스틱 하우징(2)에 배치될 수 있고, 광전자 장치(12)에 이격되어 실장될 수 있다. 전환 소자(16)는 바람직하게도 가능한 한 얇고 바람직하게도 전체 오목부(3)를 덮는다. 바람직하게도 이는 광전자 장치(12)의 표면에 직접적으로 연결되지 않고, 광전자 장치의 표면 상에서 간접적으로 실장된다. 광전자 장치(12)로 또는 광전자 장치로부터의 광 확장은 실질적으로 방향에 의존하지 않는 변화로 전환 소자(16)를 통하여 발생하는 것으로 이루어질 수 있다. LED를 위하여 하우징이 구비되었을 때, 전환 소자(16)의 이와 같은 배치를 이용하여, 특히 여러 가지 방향으로 방출된 광은 전환 소자(16)를 적어도 거의 동일한 각도로 관통하고 관통 후에 나가는 진행 길이와 동등하게 나갈 수 있도록 하여, 그 결과, 하우징으로부터 나오는 광은 전체 검출된 입체각 영역을 넘어서 유사한 색 온도를 제시한다. 뿐만 아니라 전환 소자(16)의 간격은 광전자 장치(12)에 의해 최적화될 수 있어서, 특히 의도된 광 번들 또는 복사된 광의 검출된 입체각 영역의 크기는, 경우에 따라서 오목부(3)의 개방부(9) 크기에 의존하지 않고, 소기의 방법으로 설정될 수 있다. 하우징 설계는, 광전자 장치(12) 및 전환 소자(16) 의 배치가 각각의 요구에 대응하여 최적화하도록 한다. 광전자 장치(12)에 이격되는 전환 소자(16) 고정은, 오목부(3)에 채워질 충진 재료를 이용하여, 상기 전환 소자(16)가 충진 재료에 포함되는 방법으로 실행될 수 있는데, 예를 들면, 처음에 충진 재료가 일정 높이까지 오목부(3)로 주입되고, 상기 충진 재료의 부분 상에는 전환 소자(16)가 배치되어, 최종적으로 상기 전환 소자(16) 상에 잔여 충진 재료가 주입되는 방법으로 실행될 수 있다.
도 6에 따른 실시예에서, 도시된 횡단면에서 2 개의 전자 장치(10)는 플라스틱 하우징(2) 내부에 존재한다. 플라스틱 하우징(2) 내부에 있어서, 많은 전자 장치들(10)이 플라스틱 하우징(2)의 동일한 측면 상에 또는 다양한 측면에서도 배치될 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
도 7은 도 1에 대응하는 하우징의 다른 실시예를 제시한다. 상기 실시예에서 지지 소자(1)는 많은 부분으로 분할되고, 그 결과 많은 광전자 장치들(12)은 상기 지지 소자 상에 배치되고 전기적으로 연결될 수 있다. 제시된 실시예에서 3 개의 광전자 장치들(12)은, 예를 들면, 발광 다이오드들은, 오목부(3) 내부에 배치된다. 광전자 장치(12) 각각은 지지 소자(1)의 분리된 부분 상에 배치되고, 각각의 본딩 와이어(13)를 통해 분할된 연결면(8) 상에 연결된다. 개방부(9)의 형태는 많은 전자 장치들(12)이 배치되도록 구성된다. 조립된 광전자 장치(12)의 수는 장치의 크기 및 오목부(3)의 크기에 의해 감소되지만, 이 외에는 임의적이다.
도 8은 도 7에 따른 실시예를 도 2에 대응되게 후면으로 도시한 것으로, 지지 소자(1)의 분할을 분리된 부분으로 인식할 수 있게 도시한 것이다.
하우징과 연결하여 사용된 여러 가지 전자 부품 및 광학 부품들은 간단한 방법으로 실장될 수 있다. 하우징이 예를 들면 기판 상에서 또는 그와 유사한 것 상 에서 실장되고, 그리고 납땜 접촉들이 준비되기 전에, 납땜에 강한 광학부품의 사용으로 인해, 플라스틱 하우징과의 연결은 품질이 우수해진다. 상기 하우징이 아주 작은 크기를 가지기 때문에, 광학 부품도 마찬가지로 작게 형성될 수 있어서, 제조 비용은 절감될 수 있다. 하우징은 거의 임의적인 크기를 가질 수 있어서, 그 결과 특히 하우징의 전체 높이는 광 전자 장치의 크기에 맞도록 구성될 수 있다.
Claims (19)
- 지지 소자(1);상기 지지 소자(1) 상에 배치된 플라스틱 하우징(2); 및상기 플라스틱 하우징(2)의 오목부(3);를 포함하고,상기 오목부(3)는 광전자 장치를 수용할 수 있는 크기를 포함하고, 상기 지지 소자(1)로부터 반대 측을 향한 측면 상에 있는 오목부(3)는 개방부(9)를 구비하는 것을 특징으로 하는 광전자 장치용 하우징.
- 제 1 항에 있어서,상기 오목부(3)의 개방부(9)에는 투명한 덮개(4)가 존재하는 것을 특징으로 하는 광전자 장치용 하우징.
- 제 2 항에 있어서,상기 투명한 덮개는 렌즈(14)를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 장치용 하우징.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 오목부(3)에는 투명한 충진 재료가 존재하는 것을 특징으로 하는 광전 자 장치용 하우징.
- 제 4 항에 있어서,상기 플라스틱 하우징(2)에는 상기 충진 재료를 접착할 수 있는 구조물(5)이 구비된 것을 특징으로 하는 광전자 장치용 하우징.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 지지 소자(1)는 구조화된 금속층인 것을 특징으로 하는 광전자 장치용 하우징.
- 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 플라스틱 하우징(2)은 듀로플라스트인 것을 특징으로 하는 광전자 장치용 하우징.
- 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 플라스틱 하우징(2)에 관련된 덮개(4) 또는 광학 부품의 배치를 정하는 구조물(5) 또는 실장 개방부(6)는 상기 플라스틱 하우징(2)에서 구비된 것을 특징으로 하는 광전자 장치용 하우징.
- 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 플라스틱 하우징(2)은 자신 내부에 배치된 전자 장치(10)를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 장치용 하우징.
- 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 지지 소자(1)는 상기 오목부(3)내에 광전자 장치(12)를 수용하기 위해 구비된 칩 영역 또는 구조 소자(11)를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 장치용 하우징.
- 지지 소자(1);상기 지지 소자(1) 상에 배치되는 플라스틱 하우징(2);상기 플라스틱 하우징(2)의 개방부(9)를 가진 오목부(3); 및광 방출 또는 광 수용을 위해 구비된 영역을 지닌, 개방부(9)로 향한 오목부(3) 내에 배치된 광전자 장치(12)를 포함하는 것을 특징으로 하는 하우징 내의 광전자 장치의 배치.
- 제 11 항에 있어서,상기 광전자 장치(12)는 발광 다이오드인 것을 특징으로 하는 하우징 내의 광전자 장치의 배치.
- 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,상기 오목부(3)의 개방부(9)와 상기 광전자 장치(12) 사이에는 전환 소자(16)가 배치되는 것을 특징으로 하는 하우징 내의 광전자 장치의 배치.
- 제 13 항에 있어서,상기 전환 소자(16)는 상기 오목부(3) 내부에 배치된 광전자 장치(12)에서 또는 광전자 장치로부터 방향에 의존하지 않는 광 분산 변화를 생기게 하는 것을 특징으로 하는 하우징 내의 광전자 장치의 배치.
- 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 플라스틱 하우징(2) 내에는 다른 전자 장치(10)가 배치되는 것을 특징으로 하는 하우징 내의 광전자 장치의 배치.
- 제 15 항에 있어서,상기 다른 전자 장치(10)는 정전기 충전에 의한 손상을 막는 보호 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 하우징 내의 광전자 장치의 배치.
- 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 다른 전자 장치(10)는 상기 광전자 장치(12)를 위하여 구동 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 하우징 내의 광전자 장치의 배치.
- 제 11 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,광 방출 또는 광 수용을 위하여 구비된 영역을 지닌, 상기 개방부(9)로 향한 오목부(3) 내에 배치된 적어도 다른 광전자 장치(12)가 존재하는 것을 특징으로 하는 하우징 내의 광전자 장치의 배치.
- 제 18 항에 있어서,상기 다른 광전자 장치(12) 각각은 발광 다이오드인 것을 특징으로 하는 하우징 내의 광전자 장치의 배치.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE200710001706 DE102007001706A1 (de) | 2007-01-11 | 2007-01-11 | Gehäuse für optoelektronisches Bauelement und Anordnung eines optoelektronischen Bauelementes in einem Gehäuse |
DE102007001706.7 | 2007-01-11 | ||
PCT/DE2008/000029 WO2008083672A2 (de) | 2007-01-11 | 2008-01-09 | Gehäuse für optoelektronisches bauelement und anordnung eines optoelektronischen bauelementes in einem gehäuse |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090104020A true KR20090104020A (ko) | 2009-10-05 |
KR101410569B1 KR101410569B1 (ko) | 2014-06-23 |
Family
ID=39351542
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020097014208A KR101410569B1 (ko) | 2007-01-11 | 2008-01-09 | 광전자 장치용 하우징 및 하우징 내의 광전자 장치의 배치 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9054279B2 (ko) |
EP (1) | EP2062301B1 (ko) |
JP (1) | JP2010516050A (ko) |
KR (1) | KR101410569B1 (ko) |
CN (1) | CN101569023A (ko) |
DE (1) | DE102007001706A1 (ko) |
TW (1) | TWI475715B (ko) |
WO (1) | WO2008083672A2 (ko) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007001706A1 (de) | 2007-01-11 | 2008-07-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für optoelektronisches Bauelement und Anordnung eines optoelektronischen Bauelementes in einem Gehäuse |
DE102007060206A1 (de) | 2007-12-14 | 2009-06-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anordnung mit mindestens einem optoelektronischen Halbleiterbauelement |
US8482191B2 (en) | 2008-08-11 | 2013-07-09 | Osram Gesellschaft Mit Beschraenkter Haftung | Conversion LED |
JP5440010B2 (ja) | 2008-09-09 | 2014-03-12 | 日亜化学工業株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
TWI380433B (en) | 2009-02-25 | 2012-12-21 | Everlight Electronics Co Ltd | Light emitting diode package |
EP2224486A3 (en) * | 2009-02-25 | 2012-09-12 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Quad flat non-leaded chip package structure |
DE102009023854B4 (de) | 2009-06-04 | 2023-11-09 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
JP5493549B2 (ja) * | 2009-07-30 | 2014-05-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
TW201128812A (en) | 2009-12-01 | 2011-08-16 | Lg Innotek Co Ltd | Light emitting device |
US8525213B2 (en) * | 2010-03-30 | 2013-09-03 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device having multiple cavities and light unit having the same |
CN102339940A (zh) * | 2010-07-27 | 2012-02-01 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制造方法 |
DE102010047303A1 (de) * | 2010-10-01 | 2012-04-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Reflektorelement, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Reflektorelements und eines optoelektronischen Bauelements |
DE102010053809A1 (de) * | 2010-12-08 | 2012-06-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und Verwendung eines derartigen Bauelements |
EP2472579A1 (de) | 2010-12-30 | 2012-07-04 | Baumer Innotec AG | Kontaktierung von Bauelementen auf Substraten |
DE102011107895B4 (de) * | 2011-07-18 | 2020-11-05 | Heraeus Noblelight Gmbh | Optoelektronisches Modul mit Linsensystem |
US10224352B2 (en) * | 2012-04-23 | 2019-03-05 | Raytron Co., Ltd. | Integral optical sensor package |
KR101317233B1 (ko) | 2012-05-11 | 2013-10-15 | (주)트라디아 | 엘이디용 방열장치 |
DE102013204862A1 (de) * | 2013-03-20 | 2014-10-09 | Osram Gmbh | Optoelektronische Baugruppe und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe |
DE102013206963A1 (de) * | 2013-04-17 | 2014-11-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
KR102408616B1 (ko) * | 2015-07-15 | 2022-06-14 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광 소자 패키지 |
US10170658B2 (en) * | 2015-11-13 | 2019-01-01 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package structures and method of manufacturing the same |
DE102016114483A1 (de) * | 2016-08-04 | 2018-02-08 | Ic-Haus Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
DE102016116439A1 (de) | 2016-09-02 | 2018-03-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anordnung mit einem Gehäuse mit einem strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelement |
DE102017124455A1 (de) * | 2017-10-19 | 2019-04-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil mit einem Wirkungselement |
Family Cites Families (62)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59132147A (ja) | 1983-01-19 | 1984-07-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の気密封止方法 |
DE8424611U1 (de) | 1984-08-20 | 1989-07-13 | Barlian, Reinhold, Dipl.-Ing. (FH), 6990 Bad Mergentheim | Leuchteinsatz |
JP2966591B2 (ja) | 1991-08-02 | 1999-10-25 | 三洋電機株式会社 | 光半導体装置 |
JP2556821Y2 (ja) | 1991-12-09 | 1997-12-08 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
KR0125137B1 (ko) | 1993-10-14 | 1997-12-01 | 미타라이 하지메 | 밀착형 이미지센서 |
JPH08287719A (ja) | 1995-04-10 | 1996-11-01 | Copal Co Ltd | 発光装置 |
JPH0983018A (ja) | 1995-09-11 | 1997-03-28 | Nippon Denyo Kk | 発光ダイオードユニット |
DE19600678A1 (de) * | 1996-01-10 | 1997-07-24 | Siemens Ag | Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement |
NL1003315C2 (nl) * | 1996-06-11 | 1997-12-17 | Europ Semiconductor Assembly E | Werkwijze voor het inkapselen van een geïntegreerde halfgeleiderschake- ling. |
JP3468018B2 (ja) | 1997-04-10 | 2003-11-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びそれを用いた表示装置 |
DE19755734A1 (de) * | 1997-12-15 | 1999-06-24 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes |
JP3763715B2 (ja) | 2000-01-24 | 2006-04-05 | シャープ株式会社 | 受光素子および半導体レーザ装置 |
JP4066620B2 (ja) | 2000-07-21 | 2008-03-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子、および発光素子を配置した表示装置ならびに表示装置の製造方法 |
JP2002223005A (ja) | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオード及びディスプレイ装置 |
JP2002232014A (ja) | 2001-02-05 | 2002-08-16 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 発光ダイオードランプ |
DE10117889A1 (de) | 2001-04-10 | 2002-10-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leiterrahmen und Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, strahlungsemittierendes Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
JP3771144B2 (ja) * | 2001-06-27 | 2006-04-26 | 豊田合成株式会社 | Ledランプ |
US20020163001A1 (en) | 2001-05-04 | 2002-11-07 | Shaddock David Mulford | Surface mount light emitting device package and fabrication method |
US6603183B1 (en) * | 2001-09-04 | 2003-08-05 | Amkor Technology, Inc. | Quick sealing glass-lidded package |
DE10153259A1 (de) * | 2001-10-31 | 2003-05-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
DE10241989A1 (de) | 2001-11-30 | 2003-06-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
US7021833B2 (en) * | 2002-03-22 | 2006-04-04 | Ban-Poh Loh | Waveguide based optical coupling of a fiber optic cable and an optoelectronic device |
US6907178B2 (en) * | 2002-06-13 | 2005-06-14 | Steve Lerner | Optoelectronic assembly with embedded optical and electrical components |
DE10229067B4 (de) | 2002-06-28 | 2007-08-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP4118742B2 (ja) | 2002-07-17 | 2008-07-16 | シャープ株式会社 | 発光ダイオードランプおよび発光ダイオード表示装置 |
US6879040B2 (en) * | 2002-09-18 | 2005-04-12 | Agilent Technologies, Inc. | Surface mountable electronic device |
TWI237546B (en) | 2003-01-30 | 2005-08-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor-component sending and/or receiving electromagnetic radiation and housing-basebody for such a component |
DE20306928U1 (de) * | 2003-01-30 | 2004-06-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektromagnetische Strahlung aussendendes und/oder empfangendes Halbleiter-Bauelement und Gehäuse-Grundkörper für ein derartiges Bauelement |
JP4504662B2 (ja) | 2003-04-09 | 2010-07-14 | シチズン電子株式会社 | Ledランプ |
US20070001177A1 (en) | 2003-05-08 | 2007-01-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Integrated light-emitting diode system |
DE10324909B4 (de) * | 2003-05-30 | 2017-09-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und strahlungsemittierendes Bauelement |
JP4645071B2 (ja) | 2003-06-20 | 2011-03-09 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置 |
JP4366161B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2009-11-18 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
US7518158B2 (en) * | 2003-12-09 | 2009-04-14 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices and submounts |
JP4480407B2 (ja) | 2004-01-29 | 2010-06-16 | 京セラ株式会社 | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
US7033906B2 (en) * | 2004-02-02 | 2006-04-25 | John Shi Sun Wei | Airdome enclosure for components |
US7165896B2 (en) * | 2004-02-12 | 2007-01-23 | Hymite A/S | Light transmitting modules with optical power monitoring |
DE102004014207A1 (de) | 2004-03-23 | 2005-10-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil mit mehrteiligem Gehäusekörper |
WO2005104248A1 (ja) | 2004-04-19 | 2005-11-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 発光素子駆動用半導体チップ、発光装置及び照明装置 |
JP4398781B2 (ja) | 2004-05-06 | 2010-01-13 | ローム株式会社 | 発光装置 |
DE102004031391B4 (de) | 2004-06-29 | 2009-06-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronisches Bauteil mit Gehäuse zum ESD-Schutz |
US20060006793A1 (en) | 2004-07-12 | 2006-01-12 | Baroky Tajul A | Deep ultraviolet used to produce white light |
EP1622237A1 (de) * | 2004-07-28 | 2006-02-01 | Infineon Technologies Fiber Optics GmbH | Optisches oder elektronisches Modul und Verfahren zu dessen Herstellung |
KR200373718Y1 (ko) * | 2004-09-20 | 2005-01-21 | 주식회사 티씨오 | 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도발광다이오드 |
DE102004045950A1 (de) | 2004-09-22 | 2006-03-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
JP2006216887A (ja) | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Citizen Electronics Co Ltd | オプトデバイス |
JP2006294982A (ja) | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Ichikoh Ind Ltd | 発光ダイオード |
DE602006003087D1 (de) * | 2005-04-20 | 2008-11-20 | Philips Intellectual Property | Beleuchtungssystem mit einem keramischen lumineszenzumwandler |
DE102005036520A1 (de) | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optisches Bauteil, optoelektronisches Bauelement mit dem Bauteil und dessen Herstellung |
KR100650191B1 (ko) | 2005-05-31 | 2006-11-27 | 삼성전기주식회사 | 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광다이오드 |
KR20070000638A (ko) | 2005-06-28 | 2007-01-03 | 삼성전기주식회사 | 고휘도 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법 |
DE102005041064B4 (de) | 2005-08-30 | 2023-01-19 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102006004397A1 (de) | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
KR100637476B1 (ko) | 2005-11-09 | 2006-10-23 | 알티전자 주식회사 | 측면발광 다이오드 및 그 제조방법 |
TWI284433B (en) | 2006-02-23 | 2007-07-21 | Novalite Optronics Corp | Light emitting diode package and fabricating method thereof |
CN101030572A (zh) | 2006-03-01 | 2007-09-05 | 瑞莹光电股份有限公司 | 发光二极管封装及其制造方法 |
US7440098B2 (en) * | 2006-04-04 | 2008-10-21 | Custom Sensors And Technology | Spectroscope and method of performing spectroscopy utilizing a micro mirror array |
JP2007324330A (ja) | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路基板 |
DE102006043404A1 (de) | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbares Gehäuse für einen Halbleiterchip |
DE102006059994A1 (de) | 2006-12-19 | 2008-06-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
DE102007001706A1 (de) | 2007-01-11 | 2008-07-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für optoelektronisches Bauelement und Anordnung eines optoelektronischen Bauelementes in einem Gehäuse |
US8716848B2 (en) | 2008-03-24 | 2014-05-06 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | LED device with conductive wings and tabs |
-
2007
- 2007-01-11 DE DE200710001706 patent/DE102007001706A1/de not_active Withdrawn
-
2008
- 2008-01-07 TW TW097100601A patent/TWI475715B/zh active
- 2008-01-09 EP EP08706734.4A patent/EP2062301B1/de active Active
- 2008-01-09 US US12/521,352 patent/US9054279B2/en active Active
- 2008-01-09 CN CNA2008800011668A patent/CN101569023A/zh active Pending
- 2008-01-09 KR KR1020097014208A patent/KR101410569B1/ko active IP Right Grant
- 2008-01-09 WO PCT/DE2008/000029 patent/WO2008083672A2/de active Application Filing
- 2008-01-09 JP JP2009545060A patent/JP2010516050A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110002587A1 (en) | 2011-01-06 |
US9054279B2 (en) | 2015-06-09 |
EP2062301A2 (de) | 2009-05-27 |
DE102007001706A1 (de) | 2008-07-17 |
JP2010516050A (ja) | 2010-05-13 |
WO2008083672A3 (de) | 2008-12-18 |
TW200841496A (en) | 2008-10-16 |
EP2062301B1 (de) | 2019-04-03 |
CN101569023A (zh) | 2009-10-28 |
WO2008083672A2 (de) | 2008-07-17 |
TWI475715B (zh) | 2015-03-01 |
KR101410569B1 (ko) | 2014-06-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101410569B1 (ko) | 광전자 장치용 하우징 및 하우징 내의 광전자 장치의 배치 | |
JP2559986B2 (ja) | 集積回路の包囲装置 | |
US8735931B2 (en) | Light emitting diode package and fabrication method thereof | |
EP1974381B1 (en) | Package for a light emitting diode with integrated electrostatic discharge protection | |
EP2011149B1 (en) | Surface mount device | |
KR100665117B1 (ko) | Led 하우징 및 그 제조 방법 | |
CN106024772B (zh) | 接近度和测距传感器 | |
KR20120101374A (ko) | 적층 리드리스 캐리어 패키지 및 그 제조방법 | |
EP3410498A1 (en) | Light emitting element package | |
GB2421849A (en) | Optoelectronic Module and Method of Making Such a Module | |
JP5804705B2 (ja) | 少なくとも1つの光電子半導体素子を備えた装置 | |
JP3684305B2 (ja) | 半導体レーザ結合装置および半導体受光装置 | |
JP2007227935A (ja) | 電子モジュールおよび電子モジュールをカプセル化する方法 | |
JP2010114141A (ja) | 受光・発光一体型光半導体装置および電子機器 | |
KR101052967B1 (ko) | 레이저다이오드 소자의 제조 방법, 레이저다이오드 소자의하우징 및 레이저다이오드 소자 | |
US20050124224A1 (en) | Adapter for connecting an optoelectronic transducer module to a printed circuit board, transmitting and/or receiving arrangement with such an adapter, optoelectronic transducer module and method for its production | |
TWI489649B (zh) | 發光二極體總成及其生產之方法 | |
JP2006054457A (ja) | オプトエレクトロニクス部品用ハウジング及び光学アセンブリ | |
JP2012502453A (ja) | オプトエレクトロニクス素子およびオプトエレクトロニクス素子の製造方法 | |
JP2001033668A (ja) | 光電子デバイス | |
JP7569857B2 (ja) | 光装置、および光装置の製造方法 | |
US9025968B2 (en) | Optical communication device | |
US11616176B2 (en) | Optoelectronic component with a housing body and an optical element both including a reflector | |
JP2008003168A (ja) | 光モジュール | |
JPH11345997A (ja) | 半導体装置およびフォトインタラプタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170608 Year of fee payment: 4 |