JPH11345997A - 半導体装置およびフォトインタラプタ - Google Patents

半導体装置およびフォトインタラプタ

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JPH11345997A
JPH11345997A JP14957998A JP14957998A JPH11345997A JP H11345997 A JPH11345997 A JP H11345997A JP 14957998 A JP14957998 A JP 14957998A JP 14957998 A JP14957998 A JP 14957998A JP H11345997 A JPH11345997 A JP H11345997A
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JP
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light
resin portion
resin
white
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JP14957998A
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English (en)
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Masashi Sano
正志 佐野
Nobuaki Suzuki
伸明 鈴木
Shinichi Suzuki
慎一 鈴木
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Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

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  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光素子から発せられる光を有効に利用でき
る半導体装置およびフォトインタラプタを提供する。 【解決手段】 発光素子31が埋設された第1樹脂部2
1と、受光素子32が埋設された第2樹脂部22と、第
1および第2樹脂部21,22のそれぞれの側面21
b,22bを覆って第1および第2樹脂部21,22の
双方を保持する外殻樹脂部25と、を備えたフォトイン
タラプタ1において、第1樹脂部21の側面21bおよ
び/または底面21cに密着するとともに、第1樹脂部
21内を進行して第1樹脂部21の側面21bまたは底
面21cに到達した光を反射する第1光反射手段25を
設けた。好ましくは、第2樹脂部22の側面22bおよ
び/または底面22cに密着するとともに、第2樹脂部
22内を進行して第2樹脂部22の側面22bまたは底
面22cに到達した光を反射する第2光反射手段25を
さらに設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本願発明は、発光用あるいは
受光用として構成された個々の半導体装置、および発光
部と受光部が一体化されたフォトインタラプタに関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年においては、物体検出センサとし
て、マイクロスイッチなどの接触型のセンサに代え、フ
ォトインタラプタなどの非接触型の光学センサが各分野
において多用されている。上記フォトインタラプタは、
発光部と受光部とを有するものであり、発光部と受光部
とが横並び状に配置された反射型センサと、発光部と受
光部とが対向状に配置された透過型センサとがある。
【0003】反射型センサとして構成された従来のフォ
トインタラプタとしては、図15ないし図17に示した
ようなものがある。この反射型センサ1は、平面視矩形
状をした樹脂パッケージ2内に発光素子31と受光素子
32とが埋設された形態をもっている。上記樹脂パッケ
ージ2は、各素子31,32と対応して樹脂パッケージ
2の上面に臨む第1および第2透明樹脂部21,22を
備えており、これらの透明樹脂部21,22に各素子3
1,32が埋設されている。各透明樹脂部21,22の
上面21a,22aを除く4つの側面21b,22bお
よび底面21c,22cは、たとえば黒色などとされた
不透明な樹脂で覆われており、この不透明樹脂部25が
反射型センサ1の外殻をなしている。そして、この不透
明外殻樹脂部25によって、上記各透明樹脂部21,2
2の上面21a,22aを除く領域が光学的に遮断され
ている。なお、上記各透明樹脂部21,22は、たとえ
ば透明エポキシ樹脂で、不透明樹脂部25はたとえば黒
色PPS(ポリフェニレンサルファイド)で形成されて
いる。
【0004】このように構成された反射型センサ1で
は、第1透明樹脂部21の上面21aが外部に臨むよう
にして不透明外殻部25によって覆われていることか
ら、発光素子31からの光が上記第1透明樹脂部21の
上面21aから出射されて検知対象となる物体に照射さ
れる。一方、第2透明樹脂22の上面22aが外部に臨
むようにして不透明外殻部25によって覆われているこ
とから、物体からの反射光が受光素子32において受光
される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記反
射型センサ1では、第1透明樹脂部21の上面21aの
みが外部に臨むようにして不透明外殻部25によって覆
われていることから、上記発光素子31から発せられた
光のうち、上記第1透明樹脂部21の側面21bまたは
底面21cに到達した光は、不透明外殻部25によって
大部分が吸収されてしまう。このため、上記透明樹脂部
21の側面21bまたは底面21cに到達した光の大部
分は、上記透明樹脂部21の露出面21a(上面)から
出射することができず、実質的には、上記発光素子31
から直接的に透明樹脂部21の露出面21aに達した光
のみが出射されこととなる。このように、上記構成の反
射型センサ1においては、発光素子31から発せられる
光を有効に活用することができないといった欠点があっ
た。
【0006】本願発明は、上記した事情のもとで考え出
されたものであって、発光素子から発せられる光を有効
に利用できる半導体装置およびフォトインタラプタを提
供することをその課題としている。
【0007】
【発明の開示】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。
【0008】すなわち、本願発明の第1の側面により提
供される半導体装置は、樹脂パッケージ内に発光素子ま
たは受光素子が埋設された半導体装置であって、上記樹
脂パッケージの側面および/または底面に密着するとと
もに、上記樹脂パッケージ内を進行して上記樹脂パッケ
ージの側面または底面に到達した光を反射する光反射手
段が設けられていることを特徴としている。なお、上記
光反射手段は、たとえば白色系の樹脂によってモールド
することによって、白色系の塗料によって塗装膜を形成
することによって、あるいは白色系のシート材を貼着す
ることなどによって設けられるが、好ましくは白色系の
モールド樹脂によって構成される。
【0009】上記半導体装置では、発光素子から発せら
れた光の多くは上記樹脂パッケージ内を進行して上記樹
脂パッケージの上面(光出射面)に達するが、そのうち
の一部は上記樹脂パッケージの側面および底面に達す
る。本願発明では、上記樹脂パッケージの側面および/
または底面には、上記光反射手段が設けられていること
から、上記側面および/または底面に達した光の大部分
は上記光反射手段によって反射させられて再び上記樹脂
パッケージ内を進行することになる。上記光反射手段に
よって反射させられた光は、その光路が変えられるた
め、その一部は上記光出射面に向かって進行することに
なる。また、一回の反射によっては上記光出射面に向け
て進行しなかった場合であっても、大部分は複数回の反
射によって上記光出射面に向けて進行する。このよう
に、上記半導体装置では、発光素子から発せられた光が
直接的に上記光出射面に到達しなったとしても、上記光
出射面から出射させることができ、発光素子からの光を
有効に利用することができる。
【0010】一方、受光素子が上記樹脂パッケージ内に
埋設された半導体装置では、上記樹脂パッケージ内に入
射され、上記受光素子によって直接的に受光されなかっ
た光であっても、上記光反射手段によって反射されて上
記受光素子において受光させることができるといった利
点が得られる。
【0011】本願発明の第2の側面により提供されるフ
ォトインタラプタは、発光素子が埋設された第1樹脂部
と、受光素子が埋設された第2樹脂部と、上記第1樹脂
部および第2樹脂部のそれぞれの側面を覆って上記第1
樹脂部および第2樹脂部の双方を保持する外殻樹脂部
と、を備えたフォトインタラプタであって、上記第1樹
脂部の側面および/または底面に密着するとともに、上
記第1樹脂部内を進行して上記第1樹脂部の側面または
底面に到達した光を反射する第1光反射手段が設けられ
ていることを特徴としている。
【0012】上記反射型センサにおいては、発光素子か
ら発せられた光の多くは第1樹脂部内を進行して上記第
1樹脂部の上面(光出射面)に達するが、そのうちの一
部は上記第1樹脂部の側面および底面に達する。上記第
1樹脂部の側面および/または底面には、上記第1光反
射手段が設けられていることから、上記側面および/ま
たは底面に達した光の大部分が上記第1光反射手段によ
って反射させられるため、従来のように上記側面または
底面に達した光の大部分が吸収されることはない。しか
も、上記第1反射手段によって反射された光は、その光
路が変えられて上記第1樹脂部内を再び進行することに
なる。このため、反射光の一部は上記光出射面に向かっ
て進行することになり、また、一回の反射によっては上
記光出射面に向けて進行しなかった場合であっても、大
部分は複数回の反射によって上記光出射面に向けて進行
する。このように、上記反射型センサでは、発光素子か
ら発せられた光が直接的に上記光出射面に到達しなった
としても、上記光出射面から出射させることができ、発
光素子からの光を有効に利用することができる。
【0013】好ましい実施の形態においては、上記第2
樹脂部の側面および/または底面に密着するとともに、
上記第2樹脂部内を進行して上記第2樹脂部の側面また
は底面に到達した光を反射する第2光反射手段がさらに
設けられている。
【0014】上記構成では、上記第2樹脂部内には、そ
の上面(光入射面)から物体からの反射光が入射されて
上記受光素によって受光される。このとき、上記受光素
子によって直接的に受光されなかった光であっても、上
記第2樹脂部に達した光は上記第2光反射手段によって
反射されて上記受光素子において受光される。このよう
に、上記反射型センサでは、上記第2光反射手段を設け
ることによって上記受光素子における受光感度を高める
ことができる。
【0015】なお、上記第1光反射手段および/または
第2光反射手段は、たとえば上記第1樹脂部および/ま
たは第2樹脂部を白色系の樹脂によってモールドするこ
とによって、各樹脂部の側面または底面に白色系の塗料
によって塗装膜を形成し、あるいは白色系のシート材を
貼着することなどによって設けられるが、好ましくは白
色系のモールド樹脂によって構成される。すなわち、上
記外殻樹脂部を白色系の樹脂によって形成し、この外殻
樹脂部によって上記第1光反射手段および第2光反射手
段を構成してもよい。この場合、上記白色系の樹脂とし
ては、白色ポリフェニレンサルファイド、あるいは白色
液晶ポリマーなどが使用される。
【0016】本願発明のその他の特徴および利点は、添
付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より
明らかとなろう。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態を、図面を参照して具体的に説明する。
【0018】図1は、本願発明の一実施形態に係るフォ
トインタラプタの全体構成を示す斜視図、図2は、図1
のII−II線に沿う断面図、図3は、図1のIII −III 線
に沿う断面図である。なお、これらの図において、図1
2〜図14に示した従来例と同一または同等の部材およ
び部分などには、同一の符号を付してある。また、本願
発明においては、面実装可能な反射型センサとして構成
されたフォトインタラプタについて説明する。
【0019】これらの図に示されるように、反射型セン
サ1は、発光素子31と受光素子32を内蔵する樹脂パ
ッケージ2と、各素子31,32と電気的に導通して樹
脂パッケージ2の外部に導出させられているリード5と
を備える。樹脂パッケージ2は、全体として所定厚みを
もつとともに略矩形の平面視形状をした箱状をしてい
る。上記リード5は、所定幅の金属板で形成されてい
て、樹脂パッケージ2の側面から外部に導出させられて
いるとともに略L字状に屈曲させられ、外端に樹脂パッ
ケージ2の底面と略同一高さ位置に配置された水平部5
1が形成されてこれが基板に対する接続端子部51とし
て機能する。そして、このリード5は、各素子31,3
2に対応して樹脂パッケージ2の両側から2本ずつ、合
計4本延出させられているので、この反射型センサ1を
基板などの水平面上に安定して載置することができる。
【0020】上記樹脂パッケージ2は、発光素子31を
内蔵する第1透明樹脂部21と、受光素子32を内蔵す
る第2透明樹脂部22と、これらの各透明樹脂部21,
22を水平方向に所定間隔隔てた状態において、各透明
樹脂部21,22間を埋め、かつ各透明樹脂部21,2
2の上面を残して覆う白色外殻樹脂部25とを備えてい
る。その結果、各透明樹脂部21,22は、樹脂パッケ
ージ2の上面が露出させられた恰好とされている。上記
各透明樹脂部21,22は、たとえば透明エポキシ樹脂
によって形成され、上記白色外殻樹脂部25は、たとえ
ば白色PPS(ポリフェニレンサルファイド)あるいは
白色液晶ポリマーなどによって形成されている。すなわ
ち、上記白色外殻樹脂部25によって第1光反射手段お
よび第2光反射手段が構成されている。なお、上記白色
外殻樹脂部25は、白色透明(半透明)とされていても
光を反射する効果はあるが、より光反射率を高めるべく
不透明な白色に形成するのが好ましい。
【0021】各透明樹脂部21,22のそれぞれの内部
には、その高さ方向の中間位置において、発光素子31
あるいは受光素子32が、細幅板状の内部リード52上
にボンディングされた恰好で内蔵されている。そして、
各素子31,32の上面電極ともう一方の内部リード5
3間は、ワイヤ4によって結線されている。発光素子3
1としては、たとえば発光ダイオード(LED)などが
採用され、受光素子32としては、フォトトランジスタ
やフォトダイオードなどが採用され、いずれもチップの
状態で内蔵されている。ワイヤ4は、各素子31,32
の上面電極に対していわゆるボールボンディングによっ
て接続され、内部リード53に対してはいわゆるステッ
チボンディングによって接続されている。
【0022】上記構成を備える反射型センサ1は、図4
に示すような製造用フレーム6を用い、以下に説明する
工程を経て製造される。製造用フレーム6は、金属薄板
材料を打ち抜きプレスして形成されるものであって、長
手方向両側のサイドフレーム61,61部と、両サイド
フレーム部61,61から内方に延出するリード部65
と、必要に応じてクロスフレーム部66を備えており、
図4に符号Aで示す区間の構成がフレーム6の長手方向
に連続して形成されている。リード部65の先端は、そ
れぞれチップボンディング部あるいはワイヤボンディン
グ部として機能する。
【0023】図5に示すように、上記製造用フレーム6
の各リード部65の各内端部に対し、発光素子31およ
び受光素子32をそれぞれボンディングするチップボン
ディング工程、および各素子31,32の上面電極と他
方のリードのワイヤボンディング部間をワイヤ4によっ
て結線するワイヤボンディング工程が施される。
【0024】次に、図6に示すように、各素子31,3
2およびその周辺のワイヤボンディング部を透明樹脂で
モールドする一次モールド工程が施される。なお、ここ
で、発光素子31と受光素子32とは、それぞれ別個に
透明樹脂でモールドされており、こうしてモールドされ
た部分が、最終的に上記の第1および第2透明樹脂部2
1,22を構成する。この透明樹脂としては、前述した
ように、透明エポキシ樹脂が好適に採用され、モールド
法としては、いわゆるトランスファモールド法が好適に
採用される。
【0025】次に、図7に示すように、上記第1および
第2透明樹脂部21,22の間を埋め、かつ各透明樹脂
部21,22の上面を残してこれらの透明樹脂部21,
22を白色樹脂によって覆う二次モールド工程が行われ
る。この白色樹脂は、前述したように、白色外殻樹脂部
25を形成するためのものであるので、耐熱性および機
的強度に白色PPSあるいは白色液晶ポリマーなどによ
って形成される。モールド法としては、一次モールド工
程と同様、トランスファモールド法が好適に採用され
る。
【0026】続いて、製造用フレーム6にリードカット
工程を施すとともに、リードを略L字状に屈曲させるリ
ードフォーミング工程を施して最終的には図1〜図3に
示した個々の反射型センサ1が得られる。
【0027】このように構成された反射型センサ1は、
面実装可能とされており、たとえばハンダリフローによ
る面実装によって、図8に示した姿勢で基板S上に実装
することができる。すなわち、基板Sの導体パッドP上
にクリームハンダHを印刷などによって塗布しておき、
各導体パッドPと各リード5の接続端子部51とが対応
するように位置決めしつつ反射型センサ1を基板S上に
載置する。そうして、この状態の基板Sを加熱炉に導入
し、かつ冷却を行う。ハンダをリフローさせるために、
加熱炉の温度はたとえば250℃程度とされる。加熱炉
における熱により、クリームハンダ中のハンダ成分が溶
融するとともに、溶剤成分が消散する。溶融ハンダは導
体パッドPとリード5の接続端子部51の双方に濡れた
状態となる。そうして、冷却固化されると、反射型セン
サ1は、基板Sに対して電気的かつ機械的に接続され、
実装が完了する。
【0028】上記のようにして基板Sに実装された反射
型センサ1では、基板Sから発光素子31に電気に供給
して発光させて検知対象物に光を照射し、その反射光を
受光素子32において受光するようになされている。す
なわち、上記受光素子32における反射光の受光の有無
やその受光量を検出することによって物体の検知が行わ
れる。
【0029】上記反射型センサ1においては、図9に良
く表れているように、発光素子31から発せられた光の
多くは第1透明樹脂部21内を進行してその上面21a
(光出射面)に達するが、発せられた光の一部は上記第
1透明樹脂部21の側面21bおよび底面21cに達す
る。上記第1透明樹脂部21の側面21bおよび底面2
1cには、上記白色外殻樹脂部25によって構成された
上記第1光反射手段が設けられていることから、上記側
面21bおよび底面21cに達した光の大部分が上記第
1光反射手段によって反射させられるため、従来のよう
に上記側面21bまたは底面21cに達した光の大部分
が吸収されることはない。しかも、上記第1反射手段に
よって反射された光は、その光路が変えられて上記第1
透明樹脂部21内を再び進行することになる。このた
め、反射光の一部は上記光出射面21aに向かって進行
することになり、また、一回の反射によっては上記光出
射面21aに向けて進行しなかった場合であっても、大
部分は複数回の反射によって上記光出射面21aに向け
て進行する。このように、上記反射型センサ1では、発
光素子31から発せられた光が直接的に上記光出射面2
1aに到達しなったとしても、上記光出射面21aから
出射させることができ、発光素子31からの光を有効に
利用することができる。
【0030】一方、上記第2透明樹脂部22内には、そ
の上面22a(光入射面)から物体からの反射光が入射
され、上記受光素子32によって受光される。このと
き、上記受光素子32によってて直接的に受光されなか
った光であっても、上記第2透明樹脂部22の側面22
bまたは底面22cに達した光は、上記白色外殻樹脂部
25によって構成された上記第2光反射手段によって反
射されて上記受光素子32において受光させる。このよ
うに、上記第2光反射手段を設けることによって、上記
受光素子32における受光感度が高められている。
【0031】なお、上記反射型センサ1は、接続端子部
51が水平状とされて基板などに面実装可能なように構
成されていたが、接続端子部51の形状や構成は適宜設
計すればよい。すなわち、上記反射型センサ1を必ずし
も面実装可能なように構成する必要はなく、これ以外の
実装方法によって基板などに電気的に導通可能なように
構成されたものであってもよい。
【0032】また、上記反射型センサ1では、上記各透
明樹脂部21,22の側面21a,22aおよび底面2
1b,22bのそれぞれに光反射手段が設けられていた
が、上記各透明樹脂部21,22の底面21b,22b
には必ずしも光反射手段を設ける必要はない。すなわ
ち、図10および図11に示したように、上記各透明樹
脂部21,22の底面21b,22bが上記白色外殻樹
脂部25によって覆われずに露出させられたものも本願
発明の適用範囲である。
【0033】さらに、本実施形態においては、第1およ
び第2光反射手段が上記白色外殻樹脂部25によって構
成されていたが、その他の手段によって各透明樹脂部2
1,22に光反射手段を構成することもできる。たとえ
ば、図12および図13に示したように、上記各透明樹
脂部21,22の周りを白色系の塗料によって塗膜21
A,22Aを形成した後に、あるいは白色系のシート材
21A,22Aを形成した後に、上記各透明樹脂部2
1,22に二次モールドを施したものであってもよい。
この場合には、白色系の塗膜21A,22Aあるいはシ
ート材によって上記第1および第2光反射手段が構成さ
れていることから、必ずしも上記各樹脂部21,22を
透明樹脂によって形成する必要はなく、従来のように黒
色樹脂によって形成してもよい。また、上記受光素子3
2が赤外光を受光するように構成されたものである場合
にも、上記各樹脂部21,22を赤外光を選択的に透過
させる黒色樹脂によって形成してもよい。
【0034】その他、本実施形態においては、面実装可
能な反射型センサ1として構成されたフォトインタラプ
タについて説明したが、透過型として構成されたフォト
インタラプタについても本願発明を適用することができ
る。すなわち、図14に示したように、発光素子31が
埋設された第1透明樹脂部21と、受光素子32が埋設
された第2透明樹脂部22とが対向状とされ、上記発光
素子31からの光が直線的に上記受光素子32において
受光されるように構成されたフォトインタラプタに対し
ても第1光反射手段および/または第2反射手段を設け
てもよい。この場合にも、上記白色外殻樹脂部25によ
ってこれらの各手段を構成してもよく、また白色系の塗
膜やシート材によって構成してもよい。
【0035】もちろん、上記実施形態において説明した
技術的思想を発光素子あるいは受光素子のみを有する半
導体装置に適用することができる。すなわち、樹脂パッ
ケージ内に発光素子または受光素子が埋設された半導体
装置において、上記樹脂パッケージの側面および/また
は底面に密着する上記した光反射手段を設けたものも本
願発明の適用範囲である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本願発明の一実施形態に係るフォトインタラプ
タの全体構成を示す斜視図である。
【図2】図1のII−II線に沿う断面図である。
【図3】図1のIII −III 線に沿う断面図である。
【図4】上記反射型センサの製造工程の説明図である。
【図5】上記反射型センサの製造工程の説明図である。
【図6】上記反射型センサの製造工程の説明図である。
【図7】上記反射型センサの製造工程の説明図である。
【図8】上記反射型センサの基板への実装状態を示す断
面図である。
【図9】上記反射型センサの動作を示す断面図である。
【図10】上記反射型センサの変形例を示す断面図であ
る。
【図11】上記変形例を示すそのその他の断面図であ
る。
【図12】本願発明のその他の実施形態に係る反射型セ
ンサの断面図である。
【図13】上記反射型センサのその他の断面図である。
【図14】本願発明のさらにその他の実施形態に係る反
射型センサの断面図である。
【図15】従来の反射型センサの全体構成を示す斜視図
である。
【図16】図14のXVI −XVI に沿う断面図である。
【図17】図14のXVII−XVIIに沿う断面図である。
【符号の説明】
1 反射型センサ 2 樹脂パッケージ 21 第1透明樹脂部 21a 上面(光出射面としての第1透明樹脂部の) 21b 側面(第1透明樹脂部の) 21c 底面(第1透明樹脂部の) 22 第2透明部 22a 上面(光入射面としての第2透明樹脂部の) 22b 側面(第2透明樹脂部の) 22c 底面(第2透明樹脂部の) 25 白色外殻樹脂部(第1および第2光反射手段とし
ての) 25A 塗膜,シート材(変形例における第1光反射手
段としての) 25B 塗膜,シート材(変形例における第2光反射手
段としての) 31 発光素子 32 受光素子

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 樹脂パッケージ内に発光素子または受光
    素子が埋設された半導体装置であって、 上記樹脂パッケージの側面および/または底面に密着す
    るとともに、上記樹脂パッケージ内を進行して上記樹脂
    パッケージの側面または底面に到達した光を反射する光
    反射手段が設けられていることを特徴とする、半導体装
    置。
  2. 【請求項2】 上記光反射手段は、白色系のモールド樹
    脂である、請求項1に記載の半導体装置。
  3. 【請求項3】 発光素子が埋設された第1樹脂部と、受
    光素子が埋設された第2樹脂部と、上記第1樹脂部およ
    び第2樹脂部のそれぞれの側面を覆って上記第1樹脂部
    および第2樹脂部の双方を保持する外殻樹脂部と、を備
    えたフォトインタラプタであって、 上記第1樹脂部の側面および/または底面に密着すると
    ともに、上記第1樹脂部内を進行して上記第1樹脂部の
    側面または底面に到達した光を反射する第1光反射手段
    が設けられていることを特徴とする、フォトインタラプ
    タ。
  4. 【請求項4】 上記第2樹脂部の側面および/または底
    面に密着するとともに、上記第2樹脂部内を進行して上
    記第2樹脂部の側面または底面に到達した光を反射する
    第2光反射手段がさらに設けられている、請求項3に記
    載のフォトインタラプタ。
  5. 【請求項5】 上記外殻樹脂部は、白色系の樹脂によっ
    て形成されており、この外殻樹脂部によって上記第1光
    反射手段および第2光反射手段が構成されている、請求
    項4に記載のフォトインタラプタ。
  6. 【請求項6】 上記白色系の樹脂は、白色ポリフェニレ
    ンサルファイド、あるいは白色液晶ポリマーである、請
    求項5に記載のフォトインタラプタ。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011142180A (ja) * 2010-01-06 2011-07-21 Sharp Corp 光結合検出装置および電子機器
JP2014220312A (ja) * 2013-05-07 2014-11-20 三菱電機株式会社 Led表示素子および映像表示装置
WO2015174117A1 (ja) * 2014-05-12 2015-11-19 シャープ株式会社 光検出装置

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