CN111180346B - 具有挡墙的光电机构的制作方法 - Google Patents
具有挡墙的光电机构的制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111180346B CN111180346B CN201811382321.7A CN201811382321A CN111180346B CN 111180346 B CN111180346 B CN 111180346B CN 201811382321 A CN201811382321 A CN 201811382321A CN 111180346 B CN111180346 B CN 111180346B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- retaining wall
- wall film
- working surface
- light
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 title claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- -1 for example Substances 0.000 description 3
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/165—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Abstract
本发明提供一种可增加挡墙的加工精度并降低加工成本的光电机构的制作方法,包括:提供一基板;将一挡墙膜层合于该基板的一工作面,该挡墙膜具有至少一开窗以露出该工作面;以及于该至少一开窗内设置至少一光电单元,该光电单元为发光单元及感光单元其中一者,且该挡墙膜高于该光电单元。
Description
技术领域
本发明是关于一种光电机构的制作方法,特别是关于一种在光电机构上形成挡墙的制作方法。
背景技术
现有的光传感器包括一发光单元及一感光单元,发光单元所发射的光线被侦测物反射后,可由感光单元接收并输出一感测信号。为了避免发光单元所发出的光线直接传递到感光单元,现有的光传感器会在发光单元与感光单元之间设置挡墙,让发光单元只在预定的方向发出光线,并让感光单元只感测来自预定方向的光线,藉此增加光传感器的可靠度。
现有光传感器的挡墙多是通过射出成型(injection molding)等模塑方式来形成,但此制程有其不足在于:(1)易有溢胶问题,因而降低良率;(2)易因模塑偏移(moldshift)而影响精度,且不利小型化;(3)需针对不同挡墙造型分别制作模具,因而增加成本。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种可提高精度并降低成本的光电机构制程。
为了达成上述的目的,本发明提供一种具有挡墙的光电机构的制作方法,包括:提供一基板;将一挡墙膜层合于该基板的一工作面,该挡墙膜具有至少一开窗以露出该工作面;以及于该工作面设置至少一光电单元,该至少一光电单元位于该至少一开窗内,该光电单元为发光单元及感光单元其中一者,且该挡墙膜高于该光电单元。
经由上述方法所形成的挡墙精度高,加工成本得以下降,且光电机构的电路设计自由度得以提高,即便修改开窗位置或形状,也不须如先前技术般重新制作或修改模具。
有关本发明的其它功效及实施例的详细内容,配合图式说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1至图5为本发明第一实施例的制作方法示意图。
图6至图9为本发明第二实施例的制作方法示意图。
图10为本发明第二实施例所制得的光电机构的俯视图。
符号说明
10基板 11工作面
20挡墙膜 21开窗
22完全固化态的部分 23部分固化态的部分
30光电单元 40胶体
具体实施方式
在下文的实施方式中所述的位置关系,包括:上,下,左和右,若无特别指明,皆是以图式中组件绘示的方向为基准。
本发明是一种具有挡墙的光电机构的制作方法,所述光电机构可能是发光设备、感光设备或同时具有发光与感光功能的设备,例如先前技术所述的光传感器,所述光传感器可应用于但不限于遥控器、侧距仪。
请参考图1至图3,在本发明的其中一实施例中,所述制作方法包括:提供一基板10,所述基板10可以是预制有电路的电路板或LED用的导线架,举例而言,基板10具有绝缘基材及形成于绝缘基材的电路结构及电接点,所述绝缘基材例如是环氧树脂、玻璃布(woven glass)、聚酯或其它常用于制作电路板基材的材质。接着,将一挡墙膜20层合于基板10的一工作面11,该挡墙膜20具有至少一开窗21(本实施例的开窗数为二),开窗21是在挡墙膜20层合于基板10后,以雷射切割方式形成,工作面11可经由开窗21裸露,开窗21内可以涵盖前述电路结构或电接点。在可能的实施方式中,挡墙膜20的主要成分为环氧树脂,且挡墙膜20在层合于基板10前,全部为部分固化态(partial curing stage),亦即挡墙膜20中的高分子局部但未完全交联,而在挡墙膜20层合于基板10后,才通过热硬化、光硬化将挡墙膜20转化为完全固化态(full curing stage),使挡墙膜20内的高分子实质上完全交联,完全固化态的挡墙膜具有类似于先前所述的光传感器的挡墙的遮挡光线的功能。在可能的实施方式中,部分固化态的挡墙膜20在层合于基板10前,是形成于一承载膜上,承载膜在挡墙膜20层合于基板10后被移除,所述承载膜可为聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)或其它聚酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、聚酰胺酰亚胺薄膜、聚丙烯薄膜、聚苯乙烯薄膜。在可能的实施方式中,挡墙膜20为黑色而可吸收大部分的光线。
接着,请参考图4,于各开窗21内设置一光电单元30,光电单元30为发光单元及感光单元其中一者,本实施例中,位于第4图右侧的光电单元为发光单元,位于第4图左侧的光电单元为感光单元,且挡墙膜20高于光电单元以阻挡光线,必要时,光电单元30与基板10上的电路结构或电接点形成电性连接,所述电性连接例如是通过打线接合(wire bonding)实现;在光电单元为覆晶LED的场合或其它适当的情形中,可以省略打线接合步骤。发光单元例如为LED,感光单元例如为CCD或CMOS,发光单元用以发射光线,感光单元用以感测光线,所述光线可为可见光或不可见光,例如红外线。
接着,请参考图5,于开窗内点胶,所点的胶体40为可透光胶体,例如透明胶或荧光胶,用以保护所述光电单元及/或用以发出预选波长的光线,亦即,所制得的光电机构具有一基板10、一具有至少一开窗21的挡墙膜20层合于基板10的工作面11、至少一形成于工作面11上并位于开窗21内的光电单元30、及一形成于开窗21内的胶体40。
请参考图6至图10,在本发明的另一实施例中,与前述制作方法不同之处在于,挡墙膜20在层合于基板10前,具有完全固化态的部分22与部分固化态的部分23,完全固化态的部分22后续并不接触工作面11,部分固化态的部分23则会在层合后接触工作面11;并且,本实施例的挡墙膜20在层合于基板10前,更利用钻孔或其它方式形成所述开窗21,开窗21贯穿完全固化态的部分22及部分固化态的部分23;当挡墙膜20层合于基板10后,才通过热硬化、光硬化将部分固化态的部分23转化为完全固化态(full curing stage)。本实施例中,部分固化态的部分具有如同黏胶的功能,用以在热硬化、光硬化过程中使挡墙膜20固定于基板10上。在可能的实施方式中,完全固化态的部分22、部分固化态的部分23及基板10的绝缘基材由相同的材质制成,藉此让基板10与挡墙膜20具有相同的热膨胀系数,有助于后续热处理时避免产生裂纹(cracking),提高制程的信赖性。
以上所述的实施例及/或实施方式,仅是用以说明实现本发明技术的较佳实施例及/或实施方式,并非对本发明技术的实施方式作任何形式上的限制,任何本领域技术人员,在不脱离本发明内容所公开的技术手段的范围,当可作些许的更动或修饰为其它等效的实施例,但仍应视为与本发明实质相同的技术或实施例。
Claims (4)
1.一种具有挡墙的光电机构的制作方法,其特征在于,包括:
提供一基板;
将一挡墙膜层合于该基板的一工作面,该挡墙膜具有至少一开窗以露出该工作面;以及
于该工作面设置至少一光电单元,该至少一光电单元位于该至少一开窗内,该光电单元为发光单元及感光单元其中一者,且该挡墙膜高于该光电单元,
其中在该挡墙膜层合于该工作面时,该挡墙膜的至少一部份为部分固化态,且该挡墙膜的该 部分固化态的部分接触该工作面,
其中在该挡墙膜层合于该工作面时,该挡墙膜的一部份为完全固化态,且该挡墙膜的该完全固化态的部分不接触该工作面,
其中该挡墙膜的该部分固化态的部分与该挡墙膜的该完全固化态的部分由相同的材质制成。
2.如权利要求1所述的具有挡墙的光电机构的制作方法,其特征在于,该至少一开窗是在该挡墙膜层合于该工作面之前形成。
3.如权利要求1所述的具有挡墙的光电机构的制作方法,其特征在于,该至少一开窗是在该挡墙膜层合于该工作面之后形成。
4.如权利要求1所述的具有挡墙的光电机构的制作方法,其特征在于,在该至少一开窗内设置该光电单元之后,更在该至少一开窗内点胶。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW107215387 | 2018-11-13 | ||
TW107215387U TWM574336U (zh) | 2018-11-13 | 2018-11-13 | 具有擋牆的光電機構 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111180346A CN111180346A (zh) | 2020-05-19 |
CN111180346B true CN111180346B (zh) | 2021-11-16 |
Family
ID=66214482
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811382321.7A Active CN111180346B (zh) | 2018-11-13 | 2018-11-20 | 具有挡墙的光电机构的制作方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111180346B (zh) |
TW (1) | TWM574336U (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI784175B (zh) * | 2019-06-14 | 2022-11-21 | 培英半導體有限公司 | 以雷射開窗形成光學擋牆的方法及光學擋牆結構 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200816420A (en) * | 2006-09-28 | 2008-04-01 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Sensor-type package structure and fabrication method thereof |
TWM548360U (zh) * | 2017-01-13 | 2017-09-01 | 李玟慧 | 高導熱發光二極體封裝結構 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101021686A (zh) * | 2006-02-15 | 2007-08-22 | 虹创科技股份有限公司 | 薄膜图案层的制造方法 |
CN101139079B (zh) * | 2006-09-08 | 2010-07-21 | 财团法人工业技术研究院 | 微机电感测元件的塑料构装方法及其结构 |
JP5545970B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2014-07-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
CN102244179B (zh) * | 2010-05-13 | 2014-07-02 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制造方法 |
KR102107962B1 (ko) * | 2012-11-28 | 2020-05-07 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 네거티브형 감광성 수지 조성물, 수지 경화막, 격벽 및 광학 소자 |
-
2018
- 2018-11-13 TW TW107215387U patent/TWM574336U/zh unknown
- 2018-11-20 CN CN201811382321.7A patent/CN111180346B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200816420A (en) * | 2006-09-28 | 2008-04-01 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Sensor-type package structure and fabrication method thereof |
TWM548360U (zh) * | 2017-01-13 | 2017-09-01 | 李玟慧 | 高導熱發光二極體封裝結構 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111180346A (zh) | 2020-05-19 |
TWM574336U (zh) | 2019-02-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI584452B (zh) | 可回焊之光電模組 | |
US8716665B2 (en) | Compact optical proximity sensor with ball grid array and windowed substrate | |
US20110024627A1 (en) | Proximity Sensor with Ceramic Housing and Light Barrier | |
TWI452672B (zh) | 層疊封裝(package-on-package)光學近接感測器 | |
WO1992010856A1 (en) | Optoelectronic device component package and method of making the same | |
CN106653742B (zh) | 邻近传感器、电子设备以及制造邻近传感器的方法 | |
CN111180346B (zh) | 具有挡墙的光电机构的制作方法 | |
KR102068161B1 (ko) | 광학 센서 패키지 및 그 제조 방법 | |
KR101457500B1 (ko) | 근접 조도 센서의 제작 방법 | |
US5216805A (en) | Method of manufacturing an optoelectronic device package | |
KR102236505B1 (ko) | 차단벽을 갖는 광전소자의 제조 방법 | |
CN112216599A (zh) | 多次光固化一次蚀刻形成光学挡墙的方法及光学挡墙结构 | |
CN209963020U (zh) | 光学挡墙结构 | |
CN209963083U (zh) | 光学挡墙结构 | |
TWI699568B (zh) | 以多次光固化一次蝕刻形成光學擋牆的方法 | |
JP2009016698A (ja) | フォトリフレクタ | |
TWI784175B (zh) | 以雷射開窗形成光學擋牆的方法及光學擋牆結構 | |
TWM588205U (zh) | 光學擋牆結構 | |
CN112133807A (zh) | 以雷射开窗形成光学挡墙的方法及光学挡墙结构 | |
JP2010045107A (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
TWI634648B (zh) | 光感測器的製造方法 | |
JP2009152447A (ja) | 光結合装置およびその製造方法 | |
TWM590214U (zh) | 光學擋牆結構 | |
CN112054063B (zh) | 芯片级封装方法、芯片级封装结构及光电装置 | |
CN109273474B (zh) | 一种感光芯片封装结构及其封装方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |