CN112133807A - 以雷射开窗形成光学挡墙的方法及光学挡墙结构 - Google Patents
以雷射开窗形成光学挡墙的方法及光学挡墙结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112133807A CN112133807A CN201910547355.5A CN201910547355A CN112133807A CN 112133807 A CN112133807 A CN 112133807A CN 201910547355 A CN201910547355 A CN 201910547355A CN 112133807 A CN112133807 A CN 112133807A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- retaining wall
- film
- window
- layer
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 22
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 8
- 238000010147 laser engraving Methods 0.000 claims description 5
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0025—Processes relating to coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
本发明提供一种光学挡墙结构,其包括一基板、一第一挡墙层、一雷射遮蔽铜层及一第二挡墙层,基板具有一工作面,第一挡墙层形成于工作面上,且第一挡墙层围构一裸露工作面的第一开窗;雷射遮蔽铜层形成于第一挡墙层的一上表面但不形成于围构第一开窗的侧壁;第二挡墙层形成于雷射遮蔽铜层上,且第二挡墙层围构一第二开窗,第二挡墙层的横截面积小于第一挡墙层,第二开窗的轮廓大于第一开窗,且第二开窗裸露雷射遮蔽铜层的一部分。本发明还提供一种以雷射开窗形成光学挡墙的方法。
Description
技术领域
本发明是有关于一种光电机构的制作方法及结构,特别是关于一种在光电机构上形成挡墙的制作方法及其结构。
背景技术
现有的光传感器包括一发光单元及一感光单元,发光单元所发射的光线被侦测物反射后,可由感光单元接收并输出一感测信号。为了避免发光单元所发出的光线直接传递到感光单元,现有的光传感器会在发光单元与感光单元之间设置挡墙,让发光单元只在预定的方向发出光线,并让感光单元只感测来自预定方向的光线,因此增加光传感器的可靠度。
现有光传感器的挡墙多是通过射出成型(injection molding)等模塑方式来形成,但此制程有其不足在于:(1)易有溢胶问题,因而降低良率;(2)易因模塑偏移(moldshift)而影响精度,且不利小型化;(3)需针对不同挡墙造型分别制作模具,因而增加成本。
发明内容
有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种可提高精度并降低成本的光电机构制程。
为了达成上述及其他目的,本发明提供一种以雷射开窗形成光学挡墙的方法,包括:
提供一基板,该基板具有一工作面;
将一第一挡墙膜形成于该工作面,该第一挡墙膜具有一第一挡墙区及一第一非挡墙区;
在该第一挡墙膜进行雷射雕刻前,将一第二挡墙膜形成于该第一挡墙膜上,该第二挡墙膜具有一第二挡墙区及一第二非挡墙区,该第二挡墙区位于该第一挡墙区上,且该第二挡墙区的横截面积不大于该第一挡墙区;
利用激光束将该第一、第二非挡墙区移除,保留该第一、第二挡墙区,其中该第一、第二挡墙区围构一裸露该工作面的开窗。
为了达成上述及其他目的,本发明还提供一种光学挡墙结构,其包括一基板、一第一挡墙层、一雷射遮蔽铜层及一第二挡墙层,基板具有一工作面,第一挡墙层形成于工作面上,且第一挡墙层围构一裸露工作面的第一开窗;雷射遮蔽铜层形成于第一挡墙层的一上表面但不形成于围构第一开窗的侧壁;第二挡墙层形成于雷射遮蔽铜层上,且第二挡墙层围构一第二开窗,第二挡墙层的横截面积小于第一挡墙层,第二开窗的轮廓大于第一开窗,且第二开窗裸露雷射遮蔽铜层的一部分。
经由上述方法所形成的挡墙精度高,加工成本得以下降,且光电机构的电路设计自由度得以提高,即便修改开窗位置或形状,也不须如先前技术般重新制作或修改模具。并且,通过在挡墙层之间形成雷射遮蔽铜层的方法,能够在一次雷射雕刻作业中使多层挡墙层具有不同的轮廓,因此大幅提高设计自由度。
有关本发明的其它功效及实施例的详细内容,配合附图说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1至图12为本发明第一实施例的制作方法示意图;
图13为本发明光学挡墙结构的另一实施例。
符号说明
10 基板 11 工作面
20 第一挡墙膜 20A 第一挡墙层
201 上表面 21 第一挡墙区
22 第一非挡墙区 30、35 雷射遮蔽铜层
31 光阻层 40 第二挡墙膜
40A 第二挡墙层 41 第二挡墙区
42 第二非挡墙区 50A 第三挡墙层
60 开窗 601 第一开窗
602 第二开窗 603 第三开窗
70 光电单元 80 胶体
具体实施方式
本发明是一种以雷射开窗形成光学挡墙的方法及其光学挡墙结构,所述光学挡墙结构可应用于发光设备、感光设备或同时具有发光与感光功能的设备,例如先前技术所述的光传感器,所述光传感器可应用于但不限于遥控器、侧距仪。
以下通过图1至图12说明以雷射开窗形成光学挡墙的方法的其中一实施方式。
请参考图1,首先提供一基板10,其具有一工作面11,该基板10可以是预制有电路的电路板或LED用的导线架,举例而言,基板10具有绝缘基材及形成于绝缘基材的电路结构及电接点,所述绝缘基材例如是环氧树脂、玻璃布(woven glass)、聚酯或其他常用于制作电路板基材的材质。
接着,请参考图2,利用层合机将一光可固化或热可固化的第一挡墙膜20层合于工作面11,图式中所绘示的虚线表现第一挡墙膜20一第一挡墙区21及一第一非挡墙区22之间的边界,第一挡墙区21例如成环状,第一非挡墙区22至少一部分被包围在第一挡墙区21之间。在第1图所绘示的状态中,第一挡墙膜20处于尚未完全固化的状态,此时第一挡墙区21及第一非挡墙区22在化学结构上尚无实质差异;第一挡墙膜20形成于工作面11后,可被进一步光固化或热固化。在层合于工作面11前,所述第一挡墙膜20例如是预先形成于一乘载膜上,乘载膜在第一挡墙膜20层合于工作面11后被移除,所述承载膜可为聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)或其他聚酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、聚酰胺酰亚胺薄膜、聚丙烯薄膜、聚苯乙烯薄膜。在可能的实施方式中,第一挡墙膜20为黑色而可吸收大部分的光线。在其他可能的实施方式中,第一挡墙膜也可以通过将未固化的挡墙浆料通过网版印刷或其他涂布方式涂布在工作面上,而后进行固化而形成。
如图3所示,以化学镀、溅镀或其他方式在第一挡墙膜20的上表面201形成一雷射遮蔽铜层30。
接着,如图4所示,在雷射遮蔽铜层30上形成一光阻层31,并对光阻层31选择性照射、曝光。
再接着,如图5所示,以显影液将对正对第一非挡墙区22的光阻层31的部分选择性移除,裸露底下的雷射遮蔽铜层30。
然后,如图6所示,以蚀刻液将正对第一非挡墙区22的雷射遮蔽铜层30的部分选择性移除,裸露底下的第一挡墙层20,特别是裸露底下的第一非挡墙区22。
如图7所示,移除光阻层。
如图8所示,在第一挡墙膜20进行雷射雕刻前且已经被预先固化后,将一光可固化或热可固化的第二挡墙膜40形成于第一挡墙膜20上,其中第二挡墙膜40的一部分还覆盖雷射遮蔽铜层30。与第一挡墙膜20相似,第二挡墙膜40同样具有一第二挡墙区41及一第二非挡墙区42,第二挡墙区41位于第一挡墙区21上方,且第二挡墙区41的横截面积不大于第一挡墙区21,亦即,第二挡墙区41的轮廓相当于或小于第一挡墙区21。相似地,在层合于第二挡墙膜20前,未完全固化的第二挡墙膜40也例如是预先形成于一乘载膜上,第二挡墙膜40形成于第一挡墙膜20后,可被进一步光固化或热固化,乘载膜可在第二挡墙膜40层合于第一挡墙膜20后被移除,所述承载膜可为聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)或其他聚酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、聚酰胺酰亚胺薄膜、聚丙烯薄膜、聚苯乙烯薄膜。在可能的实施方式中,第二挡墙膜40同样为黑色而可吸收大部分的光线。在其他可能的实施方式中,第二挡墙膜也可以通过将未固化的挡墙浆料通过网版印刷或其他涂布方式涂布在第一挡墙膜上,而后进行固化而形成。
如图9所示,利用雷射雕刻机发射激光束,选择性地将第一、第二非挡墙区22、42移除,其中,部分激光束虽然穿透了第二非挡墙区42,但因为被雷射遮蔽铜层30遮蔽,而无法再继续深入,因此保留雷射遮蔽铜层30底下的第一挡墙区21,形成图10所示的状态,留下来的第一、第二挡墙区21、41分别作为第一、第二挡墙层20A、40A,第一挡墙层20A围构一第一开窗601,第二挡墙层40A围构一第二开窗602,第一、第二开窗601、602的组合为一个可裸露工作面11的开窗60。本实施例中,第二挡墙层40A的横截面积小于第一挡墙层20A,且第二开窗602的轮廓大于第一开窗601,这样的渐扩型开窗有助于机械手臂或其他机构作业。
接着,如图11所示,在开窗60内的工作面11上形成光电单元70,光电单元70的数量可视需求而定,且光电单元70为发光单元及感光单元其中一者,且第一、第二挡墙层20A、40A及雷射遮蔽铜层30的组合所形成的挡墙高于光电单元70,而用以阻挡光线。光电单元70可与基板10上的电路结构或电接点形成电性连接,所述电性连接例如是通过打线接合(wire bonding)实现;在光电单元为覆晶LED的场合或其他适当的情形中,可以省略打线接合步骤。发光单元例如为LED,感光单元例如为CCD或CMOS,发光单元用以发射光线,感光单元用以感测光线,所述光线可为可见光或不可见光,例如红外线。
接着,如图12所示,于开窗60内点胶,所点的胶体80为可透光胶体,例如透明胶或荧光胶,用以保护所述光电单元70及/或用以发出预选波长的光线,亦即,所制得的光学挡墙结构具有一基板10、一具有第一开窗601的第一挡墙层20A、一形成于第一挡墙层20A的上表面但不形成于围构第一开窗601的侧壁的雷射遮蔽铜层30、一具有第二开窗602的第二挡墙层40A、一形成于工作面11上且位于开窗60内的光电单元70、以及一形成于开窗60内的胶体80。
需说明的是,前述实施例仅以两层挡墙层为例进行说明,在本发明其他可能的实施方式中,也可以通过类似的多层层叠方法形成更多层的挡墙层,例如在图13所示的实施例中,所制得的光学挡墙结构具有一基板10、一具有第一开窗601的第一挡墙层20A、一形成于第一挡墙层20A的上表面但不形成于围构第一开窗601的侧壁的雷射遮蔽铜层30、一具有第二开窗602的第二挡墙层40A、一形成于第二挡墙层40A的上表面但不形成于围构第二开窗602的侧壁的雷射遮蔽铜层35、一具有第三开窗603的第三挡墙层50A、一形成于工作面11上且位于开窗60内的光电单元70、以及一形成于开窗60内的胶体80。
综合上述,通过在挡墙层之间形成雷射遮蔽铜层的方法,能够在一次雷射雕刻作业中使多层挡墙层具有不同的轮廓,因此大幅提高设计自由度。
在其他可能的实施方式中,可以通过调整激光束中心区及外围区的雷射强度,使得激光束中心区具有较强的穿透能力,因此在不设置雷射遮蔽铜层的情况下,也能形成阶梯状或渐扩状的开窗。
以上所述的实施例及/或实施方式,仅是用以说明实现本发明技术的较佳实施例及/或实施方式,并非对本发明技术的实施方式作任何形式上的限制,任何本领域技术人员,在不脱离本发明内容所公开的技术手段的范围,当可作些许的更动或修改为其它等效的实施例,但仍应视为与本发明实质相同的技术或实施例。
Claims (8)
1.一种以雷射开窗形成光学挡墙的方法,其特征在于,包括:
提供一基板,该基板具有一工作面;
将一第一挡墙膜形成于该工作面,该第一挡墙膜具有一第一挡墙区及一第一非挡墙区;
在该第一挡墙膜进行雷射雕刻前,将一第二挡墙膜形成于该第一挡墙膜上,该第二挡墙膜具有一第二挡墙区及一第二非挡墙区,该第二挡墙区位于该第一挡墙区上,且该第二挡墙区的横截面积不大于该第一挡墙区;
利用激光束将该第一、第二非挡墙区移除,保留该第一、第二挡墙区,其中该第一、第二挡墙区围构一裸露该工作面的开窗。
2.如权利要求1所述以雷射开窗形成光学挡墙的方法,其特征在于,该第二挡墙区的横截面积小于该第一挡墙区。
3.如权利要求1所述以雷射开窗形成光学挡墙的方法,其特征在于,更包括:在该第一、第二非挡墙区被移除后,在该开窗内的工作面上形成至少一光电单元,该光电单元为发光单元及感光单元其中一者。
4.如权利要求3所述以雷射开窗形成光学挡墙的方法,其特征在于,更包括:在该开窗内设置该至少一光电单元之后,更在该开窗内点胶。
5.如权利要求1所述以雷射开窗形成光学挡墙的方法,其特征在于,该第一挡墙膜形成于该工作面时尚未完全固化,该第二挡墙膜形成于该第一挡墙膜前,该第一挡墙膜被完全固化。
6.如权利要求1至5中任一项所述以雷射开窗形成光学挡墙的方法,其特征在于,该第一挡墙膜形成于该工作面后,更在该第一挡墙膜上形成一裸露该第一非挡墙区但覆盖该第一挡墙区的雷射遮蔽铜层,该第二挡墙膜形成于该第一挡墙膜时,该第二挡墙膜的一部分是覆盖于该雷射遮蔽铜层。
7.一种光学挡墙结构,其特征在于,包括:
一基板,具有一工作面;
一形成于该工作面上的第一挡墙层,该第一挡墙层围构一第一开窗,该工作面在该第一开窗中裸露;
一雷射遮蔽铜层,形成于该第一挡墙层的一上表面但不形成于围构该第一开窗的侧壁;以及
一形成于该雷射遮蔽铜层上的第二挡墙层,该第二挡墙层围构一第二开窗,该第二挡墙层的横截面积小于该第一挡墙层,该第二开窗的轮廓大于该第一开窗,且该第二开窗裸露该雷射遮蔽铜层的一部分。
8.如权利要求7所述的光学挡墙结构,其特征在于,更包括至少一光电单元形成于该第一、第二开窗内的工作面上。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910547355.5A CN112133807A (zh) | 2019-06-24 | 2019-06-24 | 以雷射开窗形成光学挡墙的方法及光学挡墙结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910547355.5A CN112133807A (zh) | 2019-06-24 | 2019-06-24 | 以雷射开窗形成光学挡墙的方法及光学挡墙结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112133807A true CN112133807A (zh) | 2020-12-25 |
Family
ID=73849090
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910547355.5A Pending CN112133807A (zh) | 2019-06-24 | 2019-06-24 | 以雷射开窗形成光学挡墙的方法及光学挡墙结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112133807A (zh) |
-
2019
- 2019-06-24 CN CN201910547355.5A patent/CN112133807A/zh active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7235431B2 (en) | Methods for packaging a plurality of semiconductor dice using a flowable dielectric material | |
TWI691044B (zh) | 半導體封裝裝置及製造半導體封裝裝置之方法 | |
CN114121922A (zh) | 半导体封装装置及制造半导体封装装置的方法 | |
TW202103335A (zh) | 光學裝置及其製造方法 | |
JP7060835B2 (ja) | 回路基板、電子機器、および回路基板の製造方法 | |
CN209963083U (zh) | 光学挡墙结构 | |
CN111180346B (zh) | 具有挡墙的光电机构的制作方法 | |
CN112133807A (zh) | 以雷射开窗形成光学挡墙的方法及光学挡墙结构 | |
CN112216599A (zh) | 多次光固化一次蚀刻形成光学挡墙的方法及光学挡墙结构 | |
US11520074B2 (en) | Proximity sensor with light blocking barrier comprising a gap having a cross-section with parallel walls between emitter and detector | |
TWM588205U (zh) | 光學擋牆結構 | |
TWI784175B (zh) | 以雷射開窗形成光學擋牆的方法及光學擋牆結構 | |
JP2007150038A (ja) | 光学半導体装置及びその製造方法 | |
KR102236505B1 (ko) | 차단벽을 갖는 광전소자의 제조 방법 | |
CN209963020U (zh) | 光学挡墙结构 | |
TWM590214U (zh) | 光學擋牆結構 | |
US11169266B2 (en) | Substrate embedded time of flight sensor packaging | |
TWI699568B (zh) | 以多次光固化一次蝕刻形成光學擋牆的方法 | |
JPH0983011A (ja) | 光半導体装置 | |
KR102195081B1 (ko) | 지문인식 센서 패키지 | |
US11567198B2 (en) | Proximity sensor with light inhibiting barrier comprising a gap having a cross-section with parallel walls substantially perpendicular to the top surface of an optically transmissive material | |
CN219959006U (zh) | 光学感测装置 | |
KR102241215B1 (ko) | 지문인식 센서 패키지 | |
KR102195079B1 (ko) | 지문인식 센서 패키지 | |
US20220246592A1 (en) | Optical package structure and method for manufacturing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |