JPH11345912A - 面実装型半導体装置 - Google Patents
面実装型半導体装置Info
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- JPH11345912A JPH11345912A JP10149580A JP14958098A JPH11345912A JP H11345912 A JPH11345912 A JP H11345912A JP 10149580 A JP10149580 A JP 10149580A JP 14958098 A JP14958098 A JP 14958098A JP H11345912 A JPH11345912 A JP H11345912A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】製造用フレームを利用した生産効率の良い製造
が行えるとともに、面実装型光源装置として構成する場
合には高い発光効率を得ることができる面実装型半導体
装置を提供する。 【解決手段】半導体チップ１を埋設した樹脂パッケージ
２と、半導体チップ１と電気的に導通した導体３ａ，３
ｂとを具備し、これら導体３ａ，３ｂの一部が樹脂パッ
ケージ２の外部に露出した面実装用の端子部５ａ，５ｂ
とされている面実装型半導体装置であって、樹脂パッケ
ージ２内には、半導体チップ１の全体または一部を囲む
凹面状の内壁面４３を有する補助部４が埋設されてい
る。好ましくは、半導体チップ１は発光機能を有してい
るとともに、樹脂パッケージ２には透光性が具備されて
いることにより、全体が面実装型光源装置として構成さ
れており、補助部４の内壁面４３は、受けた光を反射す
る光反射面とされている。
が行えるとともに、面実装型光源装置として構成する場
合には高い発光効率を得ることができる面実装型半導体
装置を提供する。 【解決手段】半導体チップ１を埋設した樹脂パッケージ
２と、半導体チップ１と電気的に導通した導体３ａ，３
ｂとを具備し、これら導体３ａ，３ｂの一部が樹脂パッ
ケージ２の外部に露出した面実装用の端子部５ａ，５ｂ
とされている面実装型半導体装置であって、樹脂パッケ
ージ２内には、半導体チップ１の全体または一部を囲む
凹面状の内壁面４３を有する補助部４が埋設されてい
る。好ましくは、半導体チップ１は発光機能を有してい
るとともに、樹脂パッケージ２には透光性が具備されて
いることにより、全体が面実装型光源装置として構成さ
れており、補助部４の内壁面４３は、受けた光を反射す
る光反射面とされている。
Description
【０００１】
【技術分野】本願発明は、回路基板などの所望部分にハ
ンダリフロー法を用いて面実装できるように構成された
面実装型半導体装置に関する。
ンダリフロー法を用いて面実装できるように構成された
面実装型半導体装置に関する。
【０００２】
【背景技術および発明が解決しようとする課題】従来の
半導体装置の一例としては、図９に示すように、ＬＥＤ
チップ１ｆを用いた光源装置として構成されたものがあ
る。この光源装置は、チップ状の基板９６の上面部にＬ
ＥＤチップ１ｆおよびこれに導通するワイヤＷをボンデ
ィングし、それらをエポキシ樹脂などの透明樹脂９７に
よって被覆した構造である。
半導体装置の一例としては、図９に示すように、ＬＥＤ
チップ１ｆを用いた光源装置として構成されたものがあ
る。この光源装置は、チップ状の基板９６の上面部にＬ
ＥＤチップ１ｆおよびこれに導通するワイヤＷをボンデ
ィングし、それらをエポキシ樹脂などの透明樹脂９７に
よって被覆した構造である。
【０００３】ところが、このような構成の光源装置は、
チップ状の基板９６の外面に面実装用の端子部やそれに
導通した導電配線部（図示略）を形成しなければなら
ず、そのための作業が非常に煩雑である。したがって、
上記構成の光源装置では、金属板を打ち抜きプレスした
製造用フレーム（リードフレーム）から製造されるいわ
ゆるフレームタイプの半導体装置と比較すると、その生
産性はかなり悪く、その製造コストが高価になるという
難点がある。
チップ状の基板９６の外面に面実装用の端子部やそれに
導通した導電配線部（図示略）を形成しなければなら
ず、そのための作業が非常に煩雑である。したがって、
上記構成の光源装置では、金属板を打ち抜きプレスした
製造用フレーム（リードフレーム）から製造されるいわ
ゆるフレームタイプの半導体装置と比較すると、その生
産性はかなり悪く、その製造コストが高価になるという
難点がある。
【０００４】そこで、本願発明者らは、ＬＥＤチップを
用いた光源装置についても、図８に示すように、いわゆ
るフレームタイプの面実装型半導体装置として構成する
ことを、本願発明に先立って着想した。すなわち、この
面実装型半導体装置Ｂは、透明な樹脂パッケージ９０内
にＬＥＤチップ１ｅが埋設されたものである。ＬＥＤチ
ップ１ｅと電気的に接続された一対のリード９１ａ，９
１ｂのそれぞれの一部は、上記樹脂パッケージ９０の外
部に露出しており、それら露出部分の先端部分は上記樹
脂パッケージ９０の底面と略同等高さで、かつその底面
と略平行な水平状に形成されており、これらの部分が面
実装用の端子部９２ａ，９２ｂとされている。
用いた光源装置についても、図８に示すように、いわゆ
るフレームタイプの面実装型半導体装置として構成する
ことを、本願発明に先立って着想した。すなわち、この
面実装型半導体装置Ｂは、透明な樹脂パッケージ９０内
にＬＥＤチップ１ｅが埋設されたものである。ＬＥＤチ
ップ１ｅと電気的に接続された一対のリード９１ａ，９
１ｂのそれぞれの一部は、上記樹脂パッケージ９０の外
部に露出しており、それら露出部分の先端部分は上記樹
脂パッケージ９０の底面と略同等高さで、かつその底面
と略平行な水平状に形成されており、これらの部分が面
実装用の端子部９２ａ，９２ｂとされている。
【０００５】このような構成の面実装型半導体装置Ｂで
は、一対のリード９１ａ，９１ｂの原型となる部分を備
えた製造用フレームを利用して能率良く製造することが
できる。したがって、先の図９に示したものと比較する
と、その生産能率をかなり高めることができる。
は、一対のリード９１ａ，９１ｂの原型となる部分を備
えた製造用フレームを利用して能率良く製造することが
できる。したがって、先の図９に示したものと比較する
と、その生産能率をかなり高めることができる。
【０００６】しかしながら、上記面実装型半導体装置Ｂ
では、樹脂パッケージ９０の上面部９０ａから外部に向
けて光を照射させる場合に、その光の照射効率はさほど
高くはない。すなわち、ＬＥＤチップ１ｅから発生する
光は、上方に限らず、このＬＥＤチップ１ｅの下方や側
面などの種々の方向にも向けて進行するが、上記面実装
型半導体装置Ｂでは、それらの光の大部分は樹脂パッケ
ージ９０の底面や側面を通過していた。したがって、上
記面実装型半導体装置Ｂにおいては、樹脂パッケージ９
０の上方への出射光量をさほど多くすることはできず、
樹脂パッケージ９０の上面部分の輝度が低いものとなっ
ていた。
では、樹脂パッケージ９０の上面部９０ａから外部に向
けて光を照射させる場合に、その光の照射効率はさほど
高くはない。すなわち、ＬＥＤチップ１ｅから発生する
光は、上方に限らず、このＬＥＤチップ１ｅの下方や側
面などの種々の方向にも向けて進行するが、上記面実装
型半導体装置Ｂでは、それらの光の大部分は樹脂パッケ
ージ９０の底面や側面を通過していた。したがって、上
記面実装型半導体装置Ｂにおいては、樹脂パッケージ９
０の上方への出射光量をさほど多くすることはできず、
樹脂パッケージ９０の上面部分の輝度が低いものとなっ
ていた。
【０００７】本願発明は、このような事情のもとで考え
出されたものであって、製造用フレームを利用した生産
効率の良い製造が行えるとともに、面実装型光源装置と
して構成する場合には高い発光効率を得ることができる
面実装型半導体装置を提供することをその課題としてい
る。
出されたものであって、製造用フレームを利用した生産
効率の良い製造が行えるとともに、面実装型光源装置と
して構成する場合には高い発光効率を得ることができる
面実装型半導体装置を提供することをその課題としてい
る。
【０００８】
【発明の開示】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。
は、次の技術的手段を講じている。
【０００９】本願発明によって提供される面実装型半導
体装置は、半導体チップを埋設した樹脂パッケージと、
上記半導体チップと電気的に導通した複数の導体とを具
備しており、かつこの導体の一部が上記樹脂パッケージ
の外部に露出した面実装用端子部とされている、面実装
型半導体装置であって、上記樹脂パッケージ内には、上
記半導体チップの全体または一部を囲む凹面状の内壁面
を有する補助部が埋設されていることに特徴づけられ
る。
体装置は、半導体チップを埋設した樹脂パッケージと、
上記半導体チップと電気的に導通した複数の導体とを具
備しており、かつこの導体の一部が上記樹脂パッケージ
の外部に露出した面実装用端子部とされている、面実装
型半導体装置であって、上記樹脂パッケージ内には、上
記半導体チップの全体または一部を囲む凹面状の内壁面
を有する補助部が埋設されていることに特徴づけられ
る。
【００１０】本願発明は、上記半導体チップは発光機能
を有しているとともに、上記樹脂パッケージには透光性
が具備されていることにより、全体が面実装型光源装置
として構成されており、かつ上記補助部の内壁面は、受
けた光を反射可能な光反射面とされている構成とするこ
とができる。
を有しているとともに、上記樹脂パッケージには透光性
が具備されていることにより、全体が面実装型光源装置
として構成されており、かつ上記補助部の内壁面は、受
けた光を反射可能な光反射面とされている構成とするこ
とができる。
【００１１】本願発明は、上記補助部の内壁面によって
形成されている凹部には、上記半導体チップを被覆する
被覆材が充填されている構成とすることもできる。
形成されている凹部には、上記半導体チップを被覆する
被覆材が充填されている構成とすることもできる。
【００１２】本願発明は、半導体チップの全体または一
部を囲む凹面状の内壁面を有する補助部を樹脂パッケー
ジ内に埋設した構成としている。このため、本願発明に
係る面実装型半導体装置を面実装型光源装置として構成
する場合には、発光機能を有する半導体チップから種々
の方向に発せられた光の多くを、上記補助部の凹面状の
内壁面を利用して一定方向または略一定方向に向けて反
射させることが可能となる。したがって、半導体チップ
から発せられる光の多くが樹脂パッケージの各所から分
散して外部へ出射することを抑制し、樹脂パッケージの
所定部分の輝度を高め、光源装置としての発光効率を高
めることができるという効果が得られる。むろん、本願
発明によって提供される面実装型半導体装置は、製造用
フレームを利用して製造することが可能ないわゆるフレ
ームタイプの半導体装置の構造を有しており、その生産
性も高いものにできる。また、上記補助部は、樹脂パッ
ケージ内に埋設されているために、この補助部の存在が
半導体装置全体の厚みを大きくするといったこともな
い。
部を囲む凹面状の内壁面を有する補助部を樹脂パッケー
ジ内に埋設した構成としている。このため、本願発明に
係る面実装型半導体装置を面実装型光源装置として構成
する場合には、発光機能を有する半導体チップから種々
の方向に発せられた光の多くを、上記補助部の凹面状の
内壁面を利用して一定方向または略一定方向に向けて反
射させることが可能となる。したがって、半導体チップ
から発せられる光の多くが樹脂パッケージの各所から分
散して外部へ出射することを抑制し、樹脂パッケージの
所定部分の輝度を高め、光源装置としての発光効率を高
めることができるという効果が得られる。むろん、本願
発明によって提供される面実装型半導体装置は、製造用
フレームを利用して製造することが可能ないわゆるフレ
ームタイプの半導体装置の構造を有しており、その生産
性も高いものにできる。また、上記補助部は、樹脂パッ
ケージ内に埋設されているために、この補助部の存在が
半導体装置全体の厚みを大きくするといったこともな
い。
【００１３】さらに、本願発明においては、半導体チッ
プを被覆材によって被覆する場合には、補助部の内壁面
によって形成されている凹部に被覆材を充填させた構成
とすることもできる。このようにすれば、被覆材によっ
て半導体チップを保護することができるのに加え、次に
述べるように、半導体チップを被覆材によって被覆する
処理が簡単に行えることとなる。すなわち、流動性をも
たせた被覆材を半導体チップ上に滴下してこの半導体チ
ップを被覆する場合に、その被覆材を補助部の内壁面に
よって形成されている凹部に充填させれば、その被覆材
が上記補助部の凹部外に流れ落ちないようにでき、その
凹部に充填された被覆材によって半導体チップを適切に
被覆できることとなる。したがって、その被覆処理が容
易となり、また被覆材の使用量を少なくすることもでき
る。
プを被覆材によって被覆する場合には、補助部の内壁面
によって形成されている凹部に被覆材を充填させた構成
とすることもできる。このようにすれば、被覆材によっ
て半導体チップを保護することができるのに加え、次に
述べるように、半導体チップを被覆材によって被覆する
処理が簡単に行えることとなる。すなわち、流動性をも
たせた被覆材を半導体チップ上に滴下してこの半導体チ
ップを被覆する場合に、その被覆材を補助部の内壁面に
よって形成されている凹部に充填させれば、その被覆材
が上記補助部の凹部外に流れ落ちないようにでき、その
凹部に充填された被覆材によって半導体チップを適切に
被覆できることとなる。したがって、その被覆処理が容
易となり、また被覆材の使用量を少なくすることもでき
る。
【００１４】本願発明の好ましい実施の形態では、上記
導体としては、上記半導体チップを搭載した第１の導体
と、上記半導体チップとワイヤ接続された第２の導体と
があり、かつ上記補助部は、上記第１の導体によって形
成されている構成とすることができる。また、本願発明
の他の好ましい実施の形態では、上記第１の導体と上記
第２の導体とは、薄肉金属部材を加工して形成されてお
り、かつ上記補助部は、上記第１の導体の上記半導体チ
ップが搭載された部分の周囲を立ち上がらせることによ
って上記第１の導体の一部を略カップ状または略受け皿
状に形成した部分である構成とすることができる。
導体としては、上記半導体チップを搭載した第１の導体
と、上記半導体チップとワイヤ接続された第２の導体と
があり、かつ上記補助部は、上記第１の導体によって形
成されている構成とすることができる。また、本願発明
の他の好ましい実施の形態では、上記第１の導体と上記
第２の導体とは、薄肉金属部材を加工して形成されてお
り、かつ上記補助部は、上記第１の導体の上記半導体チ
ップが搭載された部分の周囲を立ち上がらせることによ
って上記第１の導体の一部を略カップ状または略受け皿
状に形成した部分である構成とすることができる。
【００１５】このような構成によれば、補助部を第１の
導体によって形成しているために、全体の部品点数を増
加させるようなことがなく、その製造作業の煩雑化を極
力回避することが可能となる。とくに、薄肉金属部材か
らなる第１の導体の一部を略カップ状または略受け皿状
に形成することによって上記補助部を形成する場合に
は、第１の導体を構成する薄肉金属部材にプレス加工を
施すなどして上記補助部をより簡易に形成することがで
きる。
導体によって形成しているために、全体の部品点数を増
加させるようなことがなく、その製造作業の煩雑化を極
力回避することが可能となる。とくに、薄肉金属部材か
らなる第１の導体の一部を略カップ状または略受け皿状
に形成することによって上記補助部を形成する場合に
は、第１の導体を構成する薄肉金属部材にプレス加工を
施すなどして上記補助部をより簡易に形成することがで
きる。
【００１６】また、第１の導体の一部を略カップ状また
は略受け皿状に形成すれば、本願発明によって提供され
る面実装型半導体装置をハンダリフロー法によって回路
基板などに面実装するときに、ワイヤの断線を防止する
効果も期待できることとなる。すなわち、ハンダリフロ
ー法を用いた面実装工程では、ハンダリフローを行うと
きに樹脂パッケージがその加熱によって膨張し、その後
の冷却時において収縮を行うこととなるが、その樹脂パ
ッケージの収縮は、ハンダが固化して面実装用の端子部
の固定が図られた後においても継続する。このため、第
１の導体と第２の導体とにはこれらを樹脂パッケージの
外方へ引き抜く方向の力が働く。この引き抜き力によっ
て第１の導体と第２の導体が互いに離反する方向に大き
く移動すると、それらの間に繋がっているワイヤが断線
する。ところが、上記第１の導体の補助部が略カップ状
または略受け皿状に形成されていれば、その部分が上記
引き抜き力に対する大きな抵抗力を発揮する。したがっ
て、少なくとも上記補助部が設けられている第１の導体
については第２の導体から離反する方向に大きく移動し
ないようにでき、ワイヤの断線が防止できるのである。
は略受け皿状に形成すれば、本願発明によって提供され
る面実装型半導体装置をハンダリフロー法によって回路
基板などに面実装するときに、ワイヤの断線を防止する
効果も期待できることとなる。すなわち、ハンダリフロ
ー法を用いた面実装工程では、ハンダリフローを行うと
きに樹脂パッケージがその加熱によって膨張し、その後
の冷却時において収縮を行うこととなるが、その樹脂パ
ッケージの収縮は、ハンダが固化して面実装用の端子部
の固定が図られた後においても継続する。このため、第
１の導体と第２の導体とにはこれらを樹脂パッケージの
外方へ引き抜く方向の力が働く。この引き抜き力によっ
て第１の導体と第２の導体が互いに離反する方向に大き
く移動すると、それらの間に繋がっているワイヤが断線
する。ところが、上記第１の導体の補助部が略カップ状
または略受け皿状に形成されていれば、その部分が上記
引き抜き力に対する大きな抵抗力を発揮する。したがっ
て、少なくとも上記補助部が設けられている第１の導体
については第２の導体から離反する方向に大きく移動し
ないようにでき、ワイヤの断線が防止できるのである。
【００１７】本願発明の他の好ましい実施の形態では、
上記補助部の底部は、上記樹脂パッケージの底面からそ
の外部に露出した面実装用の端子部とされている構成と
することができる。
上記補助部の底部は、上記樹脂パッケージの底面からそ
の外部に露出した面実装用の端子部とされている構成と
することができる。
【００１８】このような構成によれば、第１の導体に別
の面実装用の端子部を設ける必要がなくなるため、第１
の導体に面実装用の端子部を形成するためのフォーミン
グ加工を施す工程を省略することができる。また、上記
補助部によって構成された面実装用の端子部は、樹脂パ
ッケージの幅方向側方にはみ出さない恰好にできるため
に、面実装型半導体装置全体の幅寸法を小さくするのに
有利となる。
の面実装用の端子部を設ける必要がなくなるため、第１
の導体に面実装用の端子部を形成するためのフォーミン
グ加工を施す工程を省略することができる。また、上記
補助部によって構成された面実装用の端子部は、樹脂パ
ッケージの幅方向側方にはみ出さない恰好にできるため
に、面実装型半導体装置全体の幅寸法を小さくするのに
有利となる。
【００１９】さらに、上記構成では、この面実装型半導
体装置をハンダリフロー法によって回路基板などに面実
装するときに、ワイヤの断線をさらに防止する効果も期
待できる。すなわち、ハンダリフロー法を用いた面実装
工程では、ハンダリフローを行うときに樹脂パッケージ
がその加熱によって膨張するのに伴って第１の導体や第
２の導体が互いに離反する方向に大きく移動すると、そ
れらの間に繋がっているワイヤに大きな引張力が作用す
るため、このワイヤが断線することとなる。樹脂パッケ
ージが熱膨張するときの各部の変位量は樹脂パッケージ
の幅方向端部になるほど大きくなり、樹脂パッケージの
幅方向中央部になるほど小さい。これに対し、上記構成
のように、第１の導体に一体形成された補助部の底部を
面実装用の端子部とすれば、第１の導体のうちのサイズ
が嵩張る部分を樹脂パッケージの中央部に接近させるこ
とができ、変位量が最大となる樹脂パッケージの幅方向
端部の応力が第１の導体に大きく及ばないようにでき
る。したがって、上記補助部およびこの補助部に搭載さ
れている半導体チップが樹脂パッケージの熱膨張の影響
を受けて第２の導体から離反する方向に大きく移動しな
いようにすることができ、ワイヤの断線を一層生じ難く
することができるのである。
体装置をハンダリフロー法によって回路基板などに面実
装するときに、ワイヤの断線をさらに防止する効果も期
待できる。すなわち、ハンダリフロー法を用いた面実装
工程では、ハンダリフローを行うときに樹脂パッケージ
がその加熱によって膨張するのに伴って第１の導体や第
２の導体が互いに離反する方向に大きく移動すると、そ
れらの間に繋がっているワイヤに大きな引張力が作用す
るため、このワイヤが断線することとなる。樹脂パッケ
ージが熱膨張するときの各部の変位量は樹脂パッケージ
の幅方向端部になるほど大きくなり、樹脂パッケージの
幅方向中央部になるほど小さい。これに対し、上記構成
のように、第１の導体に一体形成された補助部の底部を
面実装用の端子部とすれば、第１の導体のうちのサイズ
が嵩張る部分を樹脂パッケージの中央部に接近させるこ
とができ、変位量が最大となる樹脂パッケージの幅方向
端部の応力が第１の導体に大きく及ばないようにでき
る。したがって、上記補助部およびこの補助部に搭載さ
れている半導体チップが樹脂パッケージの熱膨張の影響
を受けて第２の導体から離反する方向に大きく移動しな
いようにすることができ、ワイヤの断線を一層生じ難く
することができるのである。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。
形態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。
【００２１】図１は、本願発明が適用された面実装型半
導体装置の一例を示す斜視図である。図２は、図１のII
−II断面図である。図３ないし図５は、図１に示す面実
装型半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。
導体装置の一例を示す斜視図である。図２は、図１のII
−II断面図である。図３ないし図５は、図１に示す面実
装型半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。
【００２２】図１および図２において、この面実装型半
導体装置Ａは、面実装型光源装置として構成されてい
る。この面実装型半導体装置Ａは、光半導体チップとし
てのＬＥＤチップ１、このＬＥＤチップ１を埋設した樹
脂パッケージ２、上記ＬＥＤチップ１と導通した第１の
リード３ａ、第２のリード３ｂ、および補助部４を具備
して構成されている。上記２本のリード３ａ，３ｂは、
本願発明でいう導体に相当する。
導体装置Ａは、面実装型光源装置として構成されてい
る。この面実装型半導体装置Ａは、光半導体チップとし
てのＬＥＤチップ１、このＬＥＤチップ１を埋設した樹
脂パッケージ２、上記ＬＥＤチップ１と導通した第１の
リード３ａ、第２のリード３ｂ、および補助部４を具備
して構成されている。上記２本のリード３ａ，３ｂは、
本願発明でいう導体に相当する。
【００２３】上記樹脂パッケージ２は、全体の形状が略
直方体状であり、たとえばフィラを含有しない透明なエ
ポキシ樹脂製である。この樹脂パッケージ２の上面２ａ
には、その一定領域を上方に膨出させた凸レンズとして
のレンズ部２９が一体的に形成されている。
直方体状であり、たとえばフィラを含有しない透明なエ
ポキシ樹脂製である。この樹脂パッケージ２の上面２ａ
には、その一定領域を上方に膨出させた凸レンズとして
のレンズ部２９が一体的に形成されている。
【００２４】上記第１のリード３ａと第２のリード３ｂ
とのそれぞれは、たとえば銅板などの薄肉金属板を加工
して構成されたものであり、上記樹脂パッケージ２内に
埋没した内部リード３１ａ，３１ｂと、上記樹脂パッケ
ージ２の外部に延出した外部リード３２ａ，３２ｂとを
有している。上記外部リード３２ａ，３２ｂのそれぞれ
の先端部は、面実装用の端子部５ａ，５ｂとされてお
り、これらの端子部５ａ，５ｂは樹脂パッケージ２の底
面２ｂと略同一高さに位置し、かつその底面２ｂと略平
行である。
とのそれぞれは、たとえば銅板などの薄肉金属板を加工
して構成されたものであり、上記樹脂パッケージ２内に
埋没した内部リード３１ａ，３１ｂと、上記樹脂パッケ
ージ２の外部に延出した外部リード３２ａ，３２ｂとを
有している。上記外部リード３２ａ，３２ｂのそれぞれ
の先端部は、面実装用の端子部５ａ，５ｂとされてお
り、これらの端子部５ａ，５ｂは樹脂パッケージ２の底
面２ｂと略同一高さに位置し、かつその底面２ｂと略平
行である。
【００２５】上記補助部４は、上記第１のリード３ａの
内部リード３１ａに一体的に設けられており、上記樹脂
パッケージ２内に埋設されている。この補助部４は、上
向き開口状の凹部４０を形成するようにその全体形状が
略カップ状または略受け皿状に形成されており、平面視
略円形状の底部４１の全周囲に起立状の周壁部４２が連
設された構造を有している。
内部リード３１ａに一体的に設けられており、上記樹脂
パッケージ２内に埋設されている。この補助部４は、上
向き開口状の凹部４０を形成するようにその全体形状が
略カップ状または略受け皿状に形成されており、平面視
略円形状の底部４１の全周囲に起立状の周壁部４２が連
設された構造を有している。
【００２６】上記ＬＥＤチップ１は、上記補助部４の凹
部４０内に配置され、上記底部４１の上面の略中央部に
導電接着剤などを用いてボンディングされている。これ
により、上記凹部４０の内壁面４３は、上記ＬＥＤチッ
プ１の底面部分と周側面の全周とのそれぞれに対向して
おり、上記ＬＥＤチップ１から発せられた光を上方に向
けて反射可能な凹面状の光反射面とされている。なお、
上記内壁面４３の光の反射率を高めることを目的とし
て、この内壁面４３に白色塗装を施したり、あるいは補
助部４の外表面よりも光沢のある金属膜を形成するとい
った手段を採用してもかまわない。
部４０内に配置され、上記底部４１の上面の略中央部に
導電接着剤などを用いてボンディングされている。これ
により、上記凹部４０の内壁面４３は、上記ＬＥＤチッ
プ１の底面部分と周側面の全周とのそれぞれに対向して
おり、上記ＬＥＤチップ１から発せられた光を上方に向
けて反射可能な凹面状の光反射面とされている。なお、
上記内壁面４３の光の反射率を高めることを目的とし
て、この内壁面４３に白色塗装を施したり、あるいは補
助部４の外表面よりも光沢のある金属膜を形成するとい
った手段を採用してもかまわない。
【００２７】上記ＬＥＤチップ１は、その上面の電極が
ワイヤＷを介して第２のリード３ｂの内部リード３１ｂ
と導通接続されている。上記補助部４の凹部４０には、
透明な被覆材６が充填されており、この被覆材６によっ
てＬＥＤチップ１の全体およびこのＬＥＤチップ１とワ
イヤＷとのファーストボンディング部分とが被覆されて
いる。上記被覆材６は、たとえばシリコーン樹脂であ
り、流動性を有する状態で上記凹部４０内に充填された
後に加熱などによってゴム状にされたものであり、その
弾性率は上記樹脂パッケージ２よりも小さい。
ワイヤＷを介して第２のリード３ｂの内部リード３１ｂ
と導通接続されている。上記補助部４の凹部４０には、
透明な被覆材６が充填されており、この被覆材６によっ
てＬＥＤチップ１の全体およびこのＬＥＤチップ１とワ
イヤＷとのファーストボンディング部分とが被覆されて
いる。上記被覆材６は、たとえばシリコーン樹脂であ
り、流動性を有する状態で上記凹部４０内に充填された
後に加熱などによってゴム状にされたものであり、その
弾性率は上記樹脂パッケージ２よりも小さい。
【００２８】上記面実装型半導体装置Ａは、図３に示す
ような製造用フレーム７を用いることにより、以下のよ
うな工程を経て製造される。
ような製造用フレーム７を用いることにより、以下のよ
うな工程を経て製造される。
【００２９】上記製造用フレーム７は、銅板などの薄肉
金属板を打ち抜きプレスして形成されたものであり、一
定方向に延びる一対のサイドフレーム７１，７１、これ
ら一対のサイドフレーム７１，７１からそれらの内方に
延出して対をなすリード部７２ａ，７２ｂ、および上記
サイドフレーム７１，７１どうしを繋ぐクロスフレーム
７２を具備している。上記製造用フレーム７は、図３の
符号Ｌで示す区間の構成をその長手方向に連続して繰り
返し有するものである。上記リード部７２ａは、その先
端部に上記補助部４を一体形成したものである。この補
助部４は、上記製造用フレーム７を成形するときのプレ
ス加工によって形成することが可能である。
金属板を打ち抜きプレスして形成されたものであり、一
定方向に延びる一対のサイドフレーム７１，７１、これ
ら一対のサイドフレーム７１，７１からそれらの内方に
延出して対をなすリード部７２ａ，７２ｂ、および上記
サイドフレーム７１，７１どうしを繋ぐクロスフレーム
７２を具備している。上記製造用フレーム７は、図３の
符号Ｌで示す区間の構成をその長手方向に連続して繰り
返し有するものである。上記リード部７２ａは、その先
端部に上記補助部４を一体形成したものである。この補
助部４は、上記製造用フレーム７を成形するときのプレ
ス加工によって形成することが可能である。
【００３０】図４に示すように、上記製造用フレーム７
の補助部４にはＬＥＤチップ１をボンディングした後
に、このＬＥＤチップ１とリード部７２ｂとをワイヤＷ
を用いて結線するワイヤボンディング作業を行う。その
後は、図５に示すように、上記ＬＥＤチップ１の上方か
ら流動性をもたせた被覆材６を滴下し、この被覆材６に
よってＬＥＤチップ１の被覆作業を行う。その際、上記
被覆材６は、補助部４の凹部４０内に充填することがで
きる。したがって、この被覆材６がリード部７２ａの下
方に不用意に垂れ落ちないようにすることができる。ま
た、被覆材６を上記凹部４０内に充填させれば、ＬＥＤ
チップ１の全体または略全体をその被覆材６中に浸漬さ
せた状態にすることができ、さほど多量の被覆材６を用
いなくてもＬＥＤチップ１の被覆処理が効率良く行え
る。
の補助部４にはＬＥＤチップ１をボンディングした後
に、このＬＥＤチップ１とリード部７２ｂとをワイヤＷ
を用いて結線するワイヤボンディング作業を行う。その
後は、図５に示すように、上記ＬＥＤチップ１の上方か
ら流動性をもたせた被覆材６を滴下し、この被覆材６に
よってＬＥＤチップ１の被覆作業を行う。その際、上記
被覆材６は、補助部４の凹部４０内に充填することがで
きる。したがって、この被覆材６がリード部７２ａの下
方に不用意に垂れ落ちないようにすることができる。ま
た、被覆材６を上記凹部４０内に充填させれば、ＬＥＤ
チップ１の全体または略全体をその被覆材６中に浸漬さ
せた状態にすることができ、さほど多量の被覆材６を用
いなくてもＬＥＤチップ１の被覆処理が効率良く行え
る。
【００３１】次いで、上記被覆材６を硬化させた後に
は、図５の符号Ｎで示す仮想線の部分を透明樹脂でモー
ルドする。このモールド工程は、いわゆるトランスファ
モールド法によって好適に行うことができるが、この工
程によってレンズ部２９を有する樹脂パッケージ２が成
形される。その後は、一般の半導体装置製造工程と同様
に、製造用フレーム７にいわゆるリードカット作業を施
すとともに、そのリードを略Ｌ字状に屈曲させるリード
フォーミング加工を施す。これにより、上記図１および
図２に示した面実装型光源装置としての面実装型半導体
装置Ａを得ることができる。
は、図５の符号Ｎで示す仮想線の部分を透明樹脂でモー
ルドする。このモールド工程は、いわゆるトランスファ
モールド法によって好適に行うことができるが、この工
程によってレンズ部２９を有する樹脂パッケージ２が成
形される。その後は、一般の半導体装置製造工程と同様
に、製造用フレーム７にいわゆるリードカット作業を施
すとともに、そのリードを略Ｌ字状に屈曲させるリード
フォーミング加工を施す。これにより、上記図１および
図２に示した面実装型光源装置としての面実装型半導体
装置Ａを得ることができる。
【００３２】次に、上記面実装型半導体装置Ａの作用に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００３３】まず、上記面実装型半導体装置Ａでは、Ｌ
ＥＤチップ１を発光させた場合に、このＬＥＤチップ１
の上面部から上方に向けて光が発せられるだけではな
く、実際には、それ以外の部分からも種々の方向に光が
発せられる。ところが、上記ＬＥＤチップ１の横方向や
下方に向けて発せられた光は、補助部４の内壁面４３に
よってその上方に向けて反射される。したがって、樹脂
パッケージ２の上面２ａから外部に出射する光の量を多
くすることができる。また、レンズ部２９を通過した光
については、このレンズ部２９の集光効果により、大き
な角度で広がらないように進行させることができるた
め、それらの光に指向性をもたせ、所定部分に対して光
を集中的に照射させるようなことも可能となる。さら
に、上記補助部４の内壁面４３を放物面とすれば、この
内壁面４３による集光効果をより高めることが可能であ
るが、上記内壁面４３がそのような形状を有しない場合
であっても、ＬＥＤチップ１からその横方向や下方向に
進行する光がそのまま樹脂パッケージ２の周囲の側面な
どを通過して外部へ出射することを回避することがで
き、樹脂パッケージ２の上面２ａからの出射光量を多く
することが可能である。したがって、本願発明では、凹
面状に形成される内壁面４３の具体的な形状は問わな
い。
ＥＤチップ１を発光させた場合に、このＬＥＤチップ１
の上面部から上方に向けて光が発せられるだけではな
く、実際には、それ以外の部分からも種々の方向に光が
発せられる。ところが、上記ＬＥＤチップ１の横方向や
下方に向けて発せられた光は、補助部４の内壁面４３に
よってその上方に向けて反射される。したがって、樹脂
パッケージ２の上面２ａから外部に出射する光の量を多
くすることができる。また、レンズ部２９を通過した光
については、このレンズ部２９の集光効果により、大き
な角度で広がらないように進行させることができるた
め、それらの光に指向性をもたせ、所定部分に対して光
を集中的に照射させるようなことも可能となる。さら
に、上記補助部４の内壁面４３を放物面とすれば、この
内壁面４３による集光効果をより高めることが可能であ
るが、上記内壁面４３がそのような形状を有しない場合
であっても、ＬＥＤチップ１からその横方向や下方向に
進行する光がそのまま樹脂パッケージ２の周囲の側面な
どを通過して外部へ出射することを回避することがで
き、樹脂パッケージ２の上面２ａからの出射光量を多く
することが可能である。したがって、本願発明では、凹
面状に形成される内壁面４３の具体的な形状は問わな
い。
【００３４】上記面実装型半導体装置Ａでは、ＬＥＤチ
ップ１を樹脂パッケージ２よりも弾性率の小さい被覆材
６によって被覆している。したがって、樹脂パッケージ
２に対してその外部から機械的な力が生じても、それに
よって樹脂パッケージ２の内部に発生する応力がＬＥＤ
チップ１に直接作用しないようにすることができ、ＬＥ
Ｄチップ１の保護も図れる。
ップ１を樹脂パッケージ２よりも弾性率の小さい被覆材
６によって被覆している。したがって、樹脂パッケージ
２に対してその外部から機械的な力が生じても、それに
よって樹脂パッケージ２の内部に発生する応力がＬＥＤ
チップ１に直接作用しないようにすることができ、ＬＥ
Ｄチップ１の保護も図れる。
【００３５】また、上記面実装型半導体装置Ａでは、こ
の面実装型半導体装置Ａをハンダリフロー法を用いて所
望の基板表面などに実装するときに、次に述べるよう
に、ワイヤＷに断線を生じ難くすることがてきる。すな
わち、ワイヤＷが断線する現象について、図２を参照し
て説明する。まず、ハンダリフロー法では、既述したと
おり、実装対象となる基板８の導体パッド８０，８０に
クリームハンダ８１を印刷などによって塗布した後に、
上記導体パッド８０，８０と面実装用の端子部５ａ，５
ｂとを対向させるように面実装型半導体装置Ａを基板８
上に載置し、その状態で上記基板８をハンダリフロー炉
内に搬入して加熱する。この加熱処理は、クリームハン
ダ８１を再溶融させる処理であるため、たとえば２５０
°程度の加熱温度とされるが、その際の加熱によって樹
脂パッケージ２が熱膨張する。樹脂パッケージ２がフィ
ラを含有しない透明なエポキシ樹脂の場合には、その熱
膨張率はかなり大きい。このため、第１のリード３ａと
第２のリード３ｂとは、上記樹脂の熱膨張の影響を受け
て互いに離反する方向に移動する。次いで、上記基板８
がハンダリフロー炉から取り出されて冷却される工程で
は、上記樹脂パッケージ２が収縮を開始し、第１の端子
部５ａと第２の端子部５ｂとが固化したハンダによって
基板８の導体パッド８０，８０に固定された後において
も、その冷却段階においては上記樹脂パッケージ２の収
縮はなおも継続して行われる。その際、第１のリード３
ａと第２のリード３ｂとには、これらを樹脂パッケージ
２に対して互いに離反させる方向に移動させようとする
力、すなわち樹脂パッケージ２から第１のリード３ａや
第２のリード３ｂを引き抜く方向の力が働く。この力が
非常に大きいと、ワイヤＷは断線するのである。
の面実装型半導体装置Ａをハンダリフロー法を用いて所
望の基板表面などに実装するときに、次に述べるよう
に、ワイヤＷに断線を生じ難くすることがてきる。すな
わち、ワイヤＷが断線する現象について、図２を参照し
て説明する。まず、ハンダリフロー法では、既述したと
おり、実装対象となる基板８の導体パッド８０，８０に
クリームハンダ８１を印刷などによって塗布した後に、
上記導体パッド８０，８０と面実装用の端子部５ａ，５
ｂとを対向させるように面実装型半導体装置Ａを基板８
上に載置し、その状態で上記基板８をハンダリフロー炉
内に搬入して加熱する。この加熱処理は、クリームハン
ダ８１を再溶融させる処理であるため、たとえば２５０
°程度の加熱温度とされるが、その際の加熱によって樹
脂パッケージ２が熱膨張する。樹脂パッケージ２がフィ
ラを含有しない透明なエポキシ樹脂の場合には、その熱
膨張率はかなり大きい。このため、第１のリード３ａと
第２のリード３ｂとは、上記樹脂の熱膨張の影響を受け
て互いに離反する方向に移動する。次いで、上記基板８
がハンダリフロー炉から取り出されて冷却される工程で
は、上記樹脂パッケージ２が収縮を開始し、第１の端子
部５ａと第２の端子部５ｂとが固化したハンダによって
基板８の導体パッド８０，８０に固定された後において
も、その冷却段階においては上記樹脂パッケージ２の収
縮はなおも継続して行われる。その際、第１のリード３
ａと第２のリード３ｂとには、これらを樹脂パッケージ
２に対して互いに離反させる方向に移動させようとする
力、すなわち樹脂パッケージ２から第１のリード３ａや
第２のリード３ｂを引き抜く方向の力が働く。この力が
非常に大きいと、ワイヤＷは断線するのである。
【００３６】ところが、上記面実装型半導体装置Ａで
は、第１のリード３ａには略カップ状または略受け皿状
の補助部４が設けられており、第１のリード３ａのう
ち、樹脂パッケージ２内に埋没している内部リード部３
１ａには、クランク形状部分が設けられた構成となって
いる。このため、樹脂パッケージ２の収縮時において、
第１のリード３ａを引き抜こうとする力が作用しても、
上記クランク形状部分が第１のリード３ａの相対的な引
き抜きを阻止しようとする。したがって、第１のリード
３ａが第２のリード３ａから離反する方向に引き抜かれ
ることが阻止される。したがって、ワイヤＷに作用する
引張応力が軽減され、ワイヤＷの断線が防止できるので
ある。加えて、第１のリード３ａの内部リード部３１ａ
にクランク形状部分を設けておけば、樹脂パッケージ２
に相対した第１のリード３ａの引き抜き動作が仮に生じ
たとしても、この第１のリード３ａの内部リード部３１
ａには、そのクランク形状部分の折曲部を支点として、
段下げ状となっている補助部４の底部４１を上動、また
は下動させる回動変位を生じさせることが可能となる。
この回動変位は、上記底部４１が単に樹脂パッケージ２
の厚み方向へ上昇または下降するのではなく、水平方向
の変位をも伴う動作である。このため、第１のリード３
ａが実際に樹脂パッケージ２に相対して引き抜かれる動
作を生じても、上記補助部４の底部４１が上記回動変位
を行うことによって、樹脂パッケージ２の水平方向に対
してはその引き抜き方向とは逆方向の変位を生じさせる
ことが可能となって、この底部４１が樹脂パッケージ２
の幅方向に実質的に移動しないようにし、またはその移
動量を少なくすることが可能となる。その結果、上記底
部４１にボンディングされているＬＥＤチップ１とワイ
ヤＷとの間に作用するストレスを軽減し、ワイヤＷが断
線しないようにできるのである。
は、第１のリード３ａには略カップ状または略受け皿状
の補助部４が設けられており、第１のリード３ａのう
ち、樹脂パッケージ２内に埋没している内部リード部３
１ａには、クランク形状部分が設けられた構成となって
いる。このため、樹脂パッケージ２の収縮時において、
第１のリード３ａを引き抜こうとする力が作用しても、
上記クランク形状部分が第１のリード３ａの相対的な引
き抜きを阻止しようとする。したがって、第１のリード
３ａが第２のリード３ａから離反する方向に引き抜かれ
ることが阻止される。したがって、ワイヤＷに作用する
引張応力が軽減され、ワイヤＷの断線が防止できるので
ある。加えて、第１のリード３ａの内部リード部３１ａ
にクランク形状部分を設けておけば、樹脂パッケージ２
に相対した第１のリード３ａの引き抜き動作が仮に生じ
たとしても、この第１のリード３ａの内部リード部３１
ａには、そのクランク形状部分の折曲部を支点として、
段下げ状となっている補助部４の底部４１を上動、また
は下動させる回動変位を生じさせることが可能となる。
この回動変位は、上記底部４１が単に樹脂パッケージ２
の厚み方向へ上昇または下降するのではなく、水平方向
の変位をも伴う動作である。このため、第１のリード３
ａが実際に樹脂パッケージ２に相対して引き抜かれる動
作を生じても、上記補助部４の底部４１が上記回動変位
を行うことによって、樹脂パッケージ２の水平方向に対
してはその引き抜き方向とは逆方向の変位を生じさせる
ことが可能となって、この底部４１が樹脂パッケージ２
の幅方向に実質的に移動しないようにし、またはその移
動量を少なくすることが可能となる。その結果、上記底
部４１にボンディングされているＬＥＤチップ１とワイ
ヤＷとの間に作用するストレスを軽減し、ワイヤＷが断
線しないようにできるのである。
【００３７】図６および図７は、本願発明に係る面実装
型半導体装置の他の例をそれぞれ示す断面図である。な
お、先の実施形態と同一部分は、同一符号で示し、その
説明は省略する。
型半導体装置の他の例をそれぞれ示す断面図である。な
お、先の実施形態と同一部分は、同一符号で示し、その
説明は省略する。
【００３８】図６および図７に示す面実装型半導体装置
Ａａ，Ａｂは、いずれも先の実施形態と同様に、半導体
チップとしてＬＥＤチップ１を用いた面実装型光源装置
として構成されたものである。ただし、それらの樹脂パ
ッケージ２Ａには、レンズ部２９を設けていない構成と
している。これらの面実装型半導体装置Ａａ，Ａｂは、
いずれも第１のリード３ｃに一体形成された補助部４の
底部４１を樹脂パッケージ２Ａの底面２ｂの下方に露出
させており、この露出部分を面実装用の第１の端子部５
ｃとしている。上記第１のリード３ｃは、先の実施形態
の面実装型半導体装置Ａの外部リード３２ａに相当する
部分を有しない構成とされている。また、上記面実装型
半導体装置Ａａ，Ａｂは、第２のリード３ｄ，３ｅによ
って形成された面実装用の第２の端子部５ｄ，５ｅを樹
脂パッケージ２Ａの底面２ｂと重なる位置に配置してい
る。より具体的には、面実装型半導体装置Ａａの第２の
端子部５ｄは、第２のリード３ｄのうち樹脂パッケージ
２Ａの側面２ｃから外部に延出した部分を樹脂パッケー
ジ２Ａの底部近傍においてその内側方向に向けて折り返
すことによって形成されている。これに対し、面実装型
半導体装置Ａｂの第２の端子部５ｅは、第２のリード３
ｅの内部リード部分の先端部に樹脂パッケージ２Ａの底
面２ｂに向けて延伸する部分５ｅ’を設けることによっ
て形成されている。
Ａａ，Ａｂは、いずれも先の実施形態と同様に、半導体
チップとしてＬＥＤチップ１を用いた面実装型光源装置
として構成されたものである。ただし、それらの樹脂パ
ッケージ２Ａには、レンズ部２９を設けていない構成と
している。これらの面実装型半導体装置Ａａ，Ａｂは、
いずれも第１のリード３ｃに一体形成された補助部４の
底部４１を樹脂パッケージ２Ａの底面２ｂの下方に露出
させており、この露出部分を面実装用の第１の端子部５
ｃとしている。上記第１のリード３ｃは、先の実施形態
の面実装型半導体装置Ａの外部リード３２ａに相当する
部分を有しない構成とされている。また、上記面実装型
半導体装置Ａａ，Ａｂは、第２のリード３ｄ，３ｅによ
って形成された面実装用の第２の端子部５ｄ，５ｅを樹
脂パッケージ２Ａの底面２ｂと重なる位置に配置してい
る。より具体的には、面実装型半導体装置Ａａの第２の
端子部５ｄは、第２のリード３ｄのうち樹脂パッケージ
２Ａの側面２ｃから外部に延出した部分を樹脂パッケー
ジ２Ａの底部近傍においてその内側方向に向けて折り返
すことによって形成されている。これに対し、面実装型
半導体装置Ａｂの第２の端子部５ｅは、第２のリード３
ｅの内部リード部分の先端部に樹脂パッケージ２Ａの底
面２ｂに向けて延伸する部分５ｅ’を設けることによっ
て形成されている。
【００３９】上記２つの面実装型半導体装置Ａａ，Ａｂ
では、いずれも第１のリード３ｃに一体形成された補助
部４の一部をそのまま面実装用の第１の端子部５ｃとし
ているために、上記第１のリード３ｃに面実装用の端子
部を別途形成するためのフォーミング加工を施す必要は
なく、樹脂モールド作業後のリードフォーミング作業工
程を簡易にできる。また、第１の端子部５ｃと第２の端
子部５ｄ、または第１の端子部５ｃと第２の端子部５ｅ
とは、樹脂パッケージ２Ａの左右幅方向の外方に大きく
突出しない構成、あるいは全く突出しない構成にできる
ために、面実装型半導体装置Ａａ，Ａｂの幅方向のサイ
ズも小さくできる。さらには、樹脂パッケージ２Ａは、
補助部４の底部を外部に露出させるように薄肉に形成す
ればよいから、その分だけ面実装型半導体装置Ａａ，Ａ
ｂの全体の厚み寸法についてもより小さくすることも可
能となる。
では、いずれも第１のリード３ｃに一体形成された補助
部４の一部をそのまま面実装用の第１の端子部５ｃとし
ているために、上記第１のリード３ｃに面実装用の端子
部を別途形成するためのフォーミング加工を施す必要は
なく、樹脂モールド作業後のリードフォーミング作業工
程を簡易にできる。また、第１の端子部５ｃと第２の端
子部５ｄ、または第１の端子部５ｃと第２の端子部５ｅ
とは、樹脂パッケージ２Ａの左右幅方向の外方に大きく
突出しない構成、あるいは全く突出しない構成にできる
ために、面実装型半導体装置Ａａ，Ａｂの幅方向のサイ
ズも小さくできる。さらには、樹脂パッケージ２Ａは、
補助部４の底部を外部に露出させるように薄肉に形成す
ればよいから、その分だけ面実装型半導体装置Ａａ，Ａ
ｂの全体の厚み寸法についてもより小さくすることも可
能となる。
【００４０】さらに、上記面実装型半導体装置Ａａ，Ａ
ｂでは、これらの面実装型半導体装置Ａａ，Ａｂをハン
ダリフロー法を用いて所望の基板表面などに面実装する
ときに、次に述べるように、ワイヤＷに断線を生じ難く
することもできる。この作用を図７を参照して説明す
る。まず、ハンダリフロー法では、既述したとおり、実
装対象となる基板８の導体パッド８０，８０と面実装用
の端子部５ｃ，５ｅとを対向させて加熱するが、この加
熱時には、樹脂パッケージ２Ａが同図の符号Ｎ１で示す
仮想線のように熱膨張する。この熱膨張に伴って第１の
リード３ｃと第２のリード３ｅとが互いに離反する方向
に大きく移動し、ワイヤＷに大きな引張力が作用すると
断線する。ところが、この面実装型半導体装置Ａｂで
は、リード３ｃ，３ｅの主要部分、すなわち端子部５
ｃ，５ｅを形成する部分が樹脂パッケージ２Ａの中央部
分寄りに位置しているために、リード３ｃ，３ｅが樹脂
パッケージ２Ａの全体の熱膨張の影響を受け難いものに
できる。より具体的には、樹脂パッケージ２Ａが熱膨張
するときには、その幅方向端部領域の変位量が最大とな
るが、リード３ｃ，３ｅにはその部分の影響が大きく及
ばないようにすることができる。したがって、樹脂パッ
ケージ２Ａの膨張に伴ってリード３ｃ，３ｅが互いに離
反する方向に大きく移動しないようにでき、ワイヤＷの
断線を防止できるのである。また、このようにして、リ
ード３ｃ，３ｅが互いに離反する方向に大きく極力移動
しないようにできれば、樹脂パッケージ２Ａのその後の
収縮時においても、その変位量が最も大きな樹脂パッケ
ージ２Ａの幅方向端部の影響を受け難いものにでき、ワ
イヤＷに大きなストレスが作用しないようにでき、その
断線を防止することができるのである。
ｂでは、これらの面実装型半導体装置Ａａ，Ａｂをハン
ダリフロー法を用いて所望の基板表面などに面実装する
ときに、次に述べるように、ワイヤＷに断線を生じ難く
することもできる。この作用を図７を参照して説明す
る。まず、ハンダリフロー法では、既述したとおり、実
装対象となる基板８の導体パッド８０，８０と面実装用
の端子部５ｃ，５ｅとを対向させて加熱するが、この加
熱時には、樹脂パッケージ２Ａが同図の符号Ｎ１で示す
仮想線のように熱膨張する。この熱膨張に伴って第１の
リード３ｃと第２のリード３ｅとが互いに離反する方向
に大きく移動し、ワイヤＷに大きな引張力が作用すると
断線する。ところが、この面実装型半導体装置Ａｂで
は、リード３ｃ，３ｅの主要部分、すなわち端子部５
ｃ，５ｅを形成する部分が樹脂パッケージ２Ａの中央部
分寄りに位置しているために、リード３ｃ，３ｅが樹脂
パッケージ２Ａの全体の熱膨張の影響を受け難いものに
できる。より具体的には、樹脂パッケージ２Ａが熱膨張
するときには、その幅方向端部領域の変位量が最大とな
るが、リード３ｃ，３ｅにはその部分の影響が大きく及
ばないようにすることができる。したがって、樹脂パッ
ケージ２Ａの膨張に伴ってリード３ｃ，３ｅが互いに離
反する方向に大きく移動しないようにでき、ワイヤＷの
断線を防止できるのである。また、このようにして、リ
ード３ｃ，３ｅが互いに離反する方向に大きく極力移動
しないようにできれば、樹脂パッケージ２Ａのその後の
収縮時においても、その変位量が最も大きな樹脂パッケ
ージ２Ａの幅方向端部の影響を受け難いものにでき、ワ
イヤＷに大きなストレスが作用しないようにでき、その
断線を防止することができるのである。
【００４１】図６に示す面実装型半導体装置Ａａでは、
第２のリード３ｄの一部が樹脂パッケージ２Ａの側面２
ｃからその外部に露出してはいるものの、第１のリード
３ｃについては、その主要部をなす補助部４が樹脂パッ
ケージ２Ａの中央部寄りの位置に設けられている。した
がって、この面実装型半導体装置Ａａにおいても、上述
したのと同様な理由により、やはりＬＥＤチップ１やワ
イヤＷが樹脂パッケージ２Ａの全体の熱膨張やその熱収
縮の影響を受け難くし、ワイヤＷに断線を生じないよう
にすることができる。
第２のリード３ｄの一部が樹脂パッケージ２Ａの側面２
ｃからその外部に露出してはいるものの、第１のリード
３ｃについては、その主要部をなす補助部４が樹脂パッ
ケージ２Ａの中央部寄りの位置に設けられている。した
がって、この面実装型半導体装置Ａａにおいても、上述
したのと同様な理由により、やはりＬＥＤチップ１やワ
イヤＷが樹脂パッケージ２Ａの全体の熱膨張やその熱収
縮の影響を受け難くし、ワイヤＷに断線を生じないよう
にすることができる。
【００４２】本願発明に係る面実装型半導体装置の具体
的な構成は、上述した実施形態に限定されない。
的な構成は、上述した実施形態に限定されない。
【００４３】上述の実施形態では、半導体チップとして
ＬＥＤチップが使用されているともに、樹脂パッケージ
の全体が透明とされた面実装型光源装置を構成した場合
を具体例として説明しているが、本願発明はこれに限定
されない。たとえば、本願発明では、樹脂パッケージを
２重の樹脂パッケージ構造とし、その２重の樹脂パッケ
ージは、半導体チップを埋設した透光性を有する第１の
樹脂パッケージ部と、この第１の樹脂パッケージ部の上
面部を除くその側面部や底面部などを覆う透光性を有し
ない第２の樹脂パッケージ部とを有するものとしてもか
まわない。
ＬＥＤチップが使用されているともに、樹脂パッケージ
の全体が透明とされた面実装型光源装置を構成した場合
を具体例として説明しているが、本願発明はこれに限定
されない。たとえば、本願発明では、樹脂パッケージを
２重の樹脂パッケージ構造とし、その２重の樹脂パッケ
ージは、半導体チップを埋設した透光性を有する第１の
樹脂パッケージ部と、この第１の樹脂パッケージ部の上
面部を除くその側面部や底面部などを覆う透光性を有し
ない第２の樹脂パッケージ部とを有するものとしてもか
まわない。
【００４４】また、本願発明では、たとえば半導体チッ
プとして、フォトダイオードまたはフォトトランジスタ
などの半導体チップを用いることによって、可視光ある
いは赤外光などの特定波長領域の光の感知を行うための
受光センサとして構成することもできる。さらに、本願
発明では、発光素子としての機能を発揮する半導体チッ
プと、受光素子としての機能を発揮する半導体チップと
を、互いに共通する１つの樹脂パッケージ内に埋設した
フォトインタラプタとして構成することもできる。さら
には、発光機能や受光機能とは異なる機能を発揮する半
導体チップを用いた半導体装置として構成することもで
き、この場合には必ずしも樹脂パッケージに透光性を具
備させる必要もない。本願発明では、面実装型光源装置
として構成しない場合であっても、樹脂パッケージに埋
設されている補助部４を被覆材６を充填するための受け
部材として利用することができるので便利である。
プとして、フォトダイオードまたはフォトトランジスタ
などの半導体チップを用いることによって、可視光ある
いは赤外光などの特定波長領域の光の感知を行うための
受光センサとして構成することもできる。さらに、本願
発明では、発光素子としての機能を発揮する半導体チッ
プと、受光素子としての機能を発揮する半導体チップと
を、互いに共通する１つの樹脂パッケージ内に埋設した
フォトインタラプタとして構成することもできる。さら
には、発光機能や受光機能とは異なる機能を発揮する半
導体チップを用いた半導体装置として構成することもで
き、この場合には必ずしも樹脂パッケージに透光性を具
備させる必要もない。本願発明では、面実装型光源装置
として構成しない場合であっても、樹脂パッケージに埋
設されている補助部４を被覆材６を充填するための受け
部材として利用することができるので便利である。
【００４５】その他、本願発明に係る面実装型半導体装
置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在であ
る。本願発明では、凹面状の壁面部を有する補助部を、
半導体チップと導通する導体（実施形態における第１の
リード）と一体的に形成することが好ましいが、やはり
これに限定されず、たとえば上記導体とは別体に形成さ
れた補助部を導体に支持させるような構成にしてもかま
わない。また、本願発明でいう補助部の内壁面は、必ず
しも半導体チップの全体を囲んでいる必要もなく、たと
えば半導体チップの厚み方向底部のみを囲み、半導体チ
ップの上部が囲まれていない状態にあってもよい。
置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在であ
る。本願発明では、凹面状の壁面部を有する補助部を、
半導体チップと導通する導体（実施形態における第１の
リード）と一体的に形成することが好ましいが、やはり
これに限定されず、たとえば上記導体とは別体に形成さ
れた補助部を導体に支持させるような構成にしてもかま
わない。また、本願発明でいう補助部の内壁面は、必ず
しも半導体チップの全体を囲んでいる必要もなく、たと
えば半導体チップの厚み方向底部のみを囲み、半導体チ
ップの上部が囲まれていない状態にあってもよい。
【図１】本願発明が適用された面実装型半導体装置の一
例を示す斜視図である。
例を示す斜視図である。
【図２】図１のII−II断面図である。
【図３】図１に示す面実装型半導体装置の製造工程の一
例を示す説明図である。
例を示す説明図である。
【図４】図１に示す面実装型半導体装置の製造工程の一
例を示す説明図である。
例を示す説明図である。
【図５】図１に示す面実装型半導体装置の製造工程の一
例を示す説明図である。
例を示す説明図である。
【図６】本願発明に係る面実装型半導体装置の他の例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図７】本願発明に係る面実装型半導体装置の他の例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図８】面実装型半導体装置の一例を示す断面図であ
る。
る。
【図９】従来の面実装型半導体装置の一例を示す断面図
である。
である。
１ ＬＥＤチップ（半導体チップ） ２，２Ａ 樹脂パッケージ ３ａ，３ｃ 第１のリード（導体） ３ｂ ３ｄ，３ｅ 第２のリード（導体） ４ 補助部 ５ａ〜５ｅ 面実装用の端子部 ４０ 凹部 ４３ 内壁面 Ａ，Ａａ，Ａｂ 面実装型半導体装置
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体チップを埋設した樹脂パッケージ
と、上記半導体チップと電気的に導通した導体とを具備
しており、かつこの導体の一部が上記樹脂パッケージの
外部に露出した面実装用の端子部とされている、面実装
型半導体装置であって、 上記樹脂パッケージ内には、上記半導体チップの全体ま
たは一部を囲む凹面状の内壁面を有する補助部が埋設さ
れていることを特徴とする、面実装型半導体装置。 - 【請求項２】 上記半導体チップは発光機能を有してい
るとともに、上記樹脂パッケージには透光性が具備され
ていることにより、全体が面実装型光源装置として構成
されており、かつ、 上記補助部の内壁面は、受けた光を反射可能な光反射面
とされている、請求項１に記載の面実装型半導体装置。 - 【請求項３】 上記補助部の内壁面によって形成されて
いる凹部には、上記半導体チップを被覆する被覆材が充
填されている、請求項１または２に記載の面実装型半導
体装置。 - 【請求項４】 上記導体としては、上記半導体チップを
搭載した第１の導体と、上記半導体チップとワイヤ接続
された第２の導体とがあり、かつ上記補助部は、上記第
１の導体によって形成されている、請求項１ないし３の
いずれかに記載の面実装型半導体装置。 - 【請求項５】 上記第１の導体と上記第２の導体とは、
薄肉金属部材を加工して形成されており、かつ上記補助
部は、上記第１の導体の上記半導体チップが搭載された
部分の周囲を立ち上がらせることにより上記第１の導体
の一部を略カップ状または略受け皿状に形成した部分で
ある、請求項４に記載の面実装型半導体装置。 - 【請求項６】 上記補助部の底部は、上記樹脂パッケー
ジの底面からその外部に露出した面実装用の端子部とさ
れている、請求項４または５に記載の面実装型半導体装
置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14958098A JP3808627B2 (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 面実装型半導体装置 |
| TW088105730A TW414924B (en) | 1998-05-29 | 1999-04-12 | Semiconductor device of resin package |
| PCT/JP1999/002356 WO1999063594A1 (fr) | 1998-05-29 | 1999-04-30 | Dispositif a semi-conducteurs |
| CNB998067652A CN1233039C (zh) | 1998-05-29 | 1999-04-30 | 半导体器件 |
| EP99918313A EP1081761A4 (en) | 1998-05-29 | 1999-04-30 | SEMICONDUCTOR DEVICE |
| US09/701,239 US6603148B1 (en) | 1998-05-29 | 1999-04-30 | Semiconductor device |
| KR10-2000-7013195A KR100372945B1 (ko) | 1998-05-29 | 1999-04-30 | 반도체장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14958098A JP3808627B2 (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 面実装型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11345912A true JPH11345912A (ja) | 1999-12-14 |
| JP3808627B2 JP3808627B2 (ja) | 2006-08-16 |
Family
ID=15478313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14958098A Expired - Fee Related JP3808627B2 (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 面実装型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3808627B2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100459347B1 (ko) * | 1998-04-16 | 2004-12-03 | 산요덴키가부시키가이샤 | 광 반도체 장치 및 이것을 실장한 광 반도체 모듈 |
| JP2006114671A (ja) * | 2004-10-14 | 2006-04-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 樹脂封止型発光装置 |
| US7098485B2 (en) | 2003-06-03 | 2006-08-29 | Rohm Co., Ltd. | Optical semiconductor unit |
| JP2006287267A (ja) * | 2006-07-25 | 2006-10-19 | Nippon Leiz Co Ltd | 光源装置の製造方法 |
| JP2006310887A (ja) * | 2006-07-25 | 2006-11-09 | Nippon Leiz Co Ltd | 光源装置の製造方法 |
| JP2007184642A (ja) * | 2007-03-28 | 2007-07-19 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 光半導体パッケージ |
| JP2007184643A (ja) * | 2007-03-28 | 2007-07-19 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 光半導体パッケージ |
| JP2007194579A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Everlight Electronics Co Ltd | Ｌｅｄ実装構造及びその製造方法 |
| JP2010003877A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Panasonic Corp | リードフレームおよび光半導体パッケージおよび光半導体装置および光半導体パッケージの製造方法 |
| US7771093B2 (en) | 2006-09-08 | 2010-08-10 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| JP2010287914A (ja) * | 2010-09-14 | 2010-12-24 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 光半導体パッケージ |
| JP2014042079A (ja) * | 2013-12-02 | 2014-03-06 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 光半導体パッケージ |
| WO2015039808A1 (de) * | 2013-09-19 | 2015-03-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches, licht-emittierendes bauteil und leiterrahmenverbund |
| JP2020115588A (ja) * | 2020-04-27 | 2020-07-30 | 日亜化学工業株式会社 | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 |
| US11631790B2 (en) | 2006-05-18 | 2023-04-18 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
-
1998
- 1998-05-29 JP JP14958098A patent/JP3808627B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100459347B1 (ko) * | 1998-04-16 | 2004-12-03 | 산요덴키가부시키가이샤 | 광 반도체 장치 및 이것을 실장한 광 반도체 모듈 |
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| US10333032B2 (en) | 2013-09-19 | 2019-06-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic light-emitting component and leadframe assemblage |
| JP2014042079A (ja) * | 2013-12-02 | 2014-03-06 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 光半導体パッケージ |
| JP2020115588A (ja) * | 2020-04-27 | 2020-07-30 | 日亜化学工業株式会社 | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 |
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