DE102017124455A1 - Optoelektronisches Bauteil mit einem Wirkungselement - Google Patents

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Abstract

Es wird ein optoelektronisches Bauteil angegeben, mit- einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1), der zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung ausgebildet ist, und- einem Wirkungselement (2), das zur Änderung eines physikalischen Zustands ausgebildet ist, wobei- das Wirkungselement (2) in eine Komponente (4, 6, 5) des Bauteils eingebettet ist, und- die Änderung des physikalischen Zustands folgendes umfasst: Temperaturänderung, Schallerzeugung, mechanische Bewegung.

Description

  • Es wird ein optoelektronisches Bauteil angegeben.
  • Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Bauteil anzugeben, das besonders platzsparend ist.
  • Es wird ein optoelektronisches Bauteil angegeben. Bei dem optoelektronischen Bauteil handelt es sich zum Beispiel um ein strahlungsemittierendes Bauteil, das im Betrieb elektromagnetische Strahlung, insbesondere sichtbares Licht emittiert. Zum Beispiel handelt es sich bei dem Bauteil um eine Leuchtdiode.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauteil ein oder mehrere strahlungsemittierende Halbleiterchips. Der zumindest eine strahlungsemittierende Halbleiterchip ist zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung ausgebildet, insbesondere zur Erzeugung von sichtbarem Licht. Bei dem zumindest einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip handelt es sich bevorzugt um einen Leuchtdiodenchip, kurz LED-Chip oder um einen Laserdiodenchip. Der zumindest eine strahlungsemittierende Halbleiterchip kann mehrere Bildpunkte oder Pixel aufweisen oder einkanalig sein. Der zumindest eine strahlungsemittierende Halbleiterchip kann im Betrieb zum Beispiel weißes Licht emittieren.
  • Umfasst das optoelektronische Bauteil mehrere Halbleiterchips, können diese zur Erzeugung von Licht verschiedener Wellenlängen, insbesondere verschiedener Farben, ausgelegt sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauteil ein oder mehrere Wirkungselemente, die zur Änderung eines physikalischen Zustands ausgebildet sind. Hierbei ist das zumindest eine Wirkungselement dazu ausgebildet, zum Beispiel ein elektrisches Signal in eine physikalische Größen umzusetzen. Die physikalische Größe gibt hierbei den Zustand eines physikalischen Systems an, der hier der Zustand des zumindest einen Wirkungselements ist. Das elektrische Signal ist zum Beispiel veränderbar ausgebildet und kann zu einer Veränderung der physikalischen Größe und somit zu einer Änderung des physikalischen Zustands führen. Das heißt, dass die Veränderung des elektrischen Signals zu einer Änderung des physikalischen Zustands des zumindest einen Wirkungselements führt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das zumindest eine Wirkungselement in eine Komponente des optoelektronischen Bauteils eingebettet. „Eingebettet“ kann dabei heißen, dass das zumindest eine Wirkungselement an der Komponente anliegt, teilweise innerhalb der Komponente liegt und/oder von der Komponente an zumindest einem Teil seiner Außenfläche umschlossen ist. Hierbei kann das zumindest eine Wirkungselement in direktem unmittelbarem Kontakt mit der Komponente stehen. Die Komponente kann zum Beispiel elektrisch aktiv oder passiv oder isolierend ausgebildet sein. Das heißt, dass die Komponente neben dem Einbetten des zumindest einen Wirkungselements noch andere Funktionen, insbesondere elektrische Funktionen, übernimmt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Änderung des physikalischen Zustands des zumindest einen Wirkungselements zum Beispiel eine Temperaturänderung, eine Schallerzeugung und/oder eine mechanische Bewegung. Die Temperaturänderung ist zum Beispiel durch ein Peltier-Element erreichbar. Das entsprechende Wirkungselement ist dann zum Heizen oder Kühlen des optoelektronischen Bauteils ausgebildet. Die Schallerzeugung ist zum Beispiel durch einen Ultraschallemitter oder einen Lautsprecher erreichbar. Das entsprechende Wirkungselement ist dann zum Beispiel zur Erzeugung von Tönen und Vibrationen ausgebildet. Die mechanische Bewegung ist zum Beispiel durch Piezoaktuatoren oder exzentrische Motoren erreichbar. Das entsprechende Wirkungselement ist dann zum Beispiel zur Erzeugung von Vibrationen ausgebildet.
  • Das zumindest eine Wirkungselement ist durch das Einbetten in die Komponente, mechanisch an die Komponente gekoppelt. Dadurch ist es möglich, dass die Zustandsänderung zumindest zum Teil auf die Komponente übertragen wird. Handelt es sich bei der Zustandsänderung beispielsweise um eine Änderung der Temperatur, so wird aufgrund des Einbettens die Temperaturänderung zumindest zum Teil auch auf die Komponente übertragen.
  • In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauteil zumindest einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung und zumindest ein Wirkungselement, das zur Änderung eines physikalischen Zustands ausgebildet ist. Das zumindest eine Wirkungselement ist in eine Komponente eingebettet. Die Änderung des physikalischen Zustands durch das zumindest eine Wirkungselement kann eine Temperaturänderung, Schallerzeugung und/oder mechanische Bewegung umfassen.
  • Das hier beschriebene optoelektronische Bauteil macht nun unter anderem von der Idee gebrauch, dass das optoelektronische Bauteil mit einem Wirkungselement ausgestattet ist, das eine physikalische Zustandsänderung erzeugen kann. Ferner besteht eine Idee darin, das Wirkungselement in die Komponente einzubetten, wobei sich die Zustandsänderung auf die Komponente übertragen kann. Dadurch ist es vorteilhafterweise möglich, zum Beispiel die Fläche, über welche die Zustandsänderung wahrnehmbar ist zu vergrößern. Auf diese Weise kann die Änderung des physikalischen Zustands durch das Wirkungselement haptisch besonders einfach erkennbar sein. Ferner kann beispielsweise über die Komponente ein Erwärmen des gesamten Bauteils erfolgen. Das Bauteil kann zum Beispiel als Lichtquelle im Außenbereich, zum Beispiel in einer Ampel oder eine Straßenlaterne, eingesetzt werden und mittels des Wirkungselements geheizt und zum Beispiel enteist werden. Dadurch dass das Wirkungselement in das optoelektronische Bauteil integriert ist, ist das Bauteil besonders platzsparend. Dadurch ist es denkbar, dass das Bauteil in Displays für mobile Anwendungen eingesetzt werden kann. Ferner kann das Bauteil aber auch für zum Beispiel Videowall Displays eingesetzt werden. Da die verschiedenen Elemente wie zum Beispiel das Wirkungselement und ein strahlungsemittierender Halbleiterchip auf einem gemeinsamen Träger gefertigt werden können, ergeben sich vorteilhafterweise zum Beispiel auch niedrige Bestückungskosten.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauteil ein oder mehrere Sensorelemente. Dabei ist das zumindest eine Sensorelement zur Detektion zumindest einer der folgenden Größen ausgebildet: Temperatur, Druck, Schall, elektromagnetische Strahlung, elektrische Kapazität. Die Detektion der Temperatur erfolgt zum Beispiel durch ein Peltier-Element. Die Detektion von Schall kann zum Beispiel durch ein Mikrofon erfolgen. Die Detektion von elektromagnetischer Strahlung kann zum Beispiel durch einen Halbleiterdetektorchip wie etwa einen Fotodiodenchip erfolgen. Die Detektion der elektrischen Kapazität kann zum Beispiel durch einen Kondensator erfolgen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das Sensorelement in die Komponente des optoelektronischen Bauteils eingebettet. „Eingebettet“ kann dabei heißen, dass das zumindest eine Sensorelement an der Komponente anliegt, teilweise innerhalb der Komponente liegt und/oder von der Komponente an zumindest einem Teil seiner Außenfläche umschlossen ist. Hierbei kann das zumindest eine Sensorelement in direktem unmittelbarem Kontakt mit der Komponente stehen. Die Komponente kann zum Beispiel elektrisch aktiv oder passiv oder isolierend ausgebildet sein. Das heißt, dass die Komponente neben dem Einbetten des zumindest einen Sensorelements noch andere Funktionen, insbesondere elektrische Funktionen, übernimmt. Über das Einbetten des zumindest einen Sensorelements in die Komponente ist es möglich, dass ein vom zumindest einen Sensorelement zu empfangendes Signal zumindest zum Teil über die Komponente zum zumindest einen Sensorelement geleitet wird. Beispielsweise kann auf diese Weise die Berührung der Komponente vom zumindest einen Sensorelement als Signal wahrgenommen werden, ohne dass das zumindest eine Sensorelement selbst berührt werden müsste. Das Einbetten kann auf diese Weise die Signalempfangsfläche vergrößern.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Änderung des physikalischen Zustands durch das zumindest eine Wirkungselement haptisch erkennbar. Das optoelektronische Bauteil ist dafür vorgesehen, an einem Körperteil anzuliegen oder diesem nahe zu sein. Dies bedeutet insbesondere, dass ein Abstand zwischen dem zumindest einen Wirkungselement und/oder dem zumindest einen Sensorelement zu dem Körperteil im Betrieb des Bauteils so gering sein kann, dass die durch das zumindest eine Wirkungselement hervorgerufen Änderung des physikalischen Zustands durch einen Benutzer des Bauteils haptisch erkennbar ist. Bei dem Körperteil handelt es sich beispielsweise um einen Finger des Benutzers. Insbesondere umfasst das Körperteil Haut. Das zumindest eine Wirkungselement ist dazu ausgebildet, haptische Reize in Form von zum Beispiel Druck, Vibration und/oder Temperatur auf das Körperteil auszuüben. Der Benutzer ist damit in der Lage, zum Beispiel Größe, Konturen und/oder Oberflächentexturen wahrzunehmen. Die optischen Reize können dabei insbesondere auch über die Komponente, in der das zumindest eine Wirkungselement eingebettet ist, übertragen werden. Auf diese Weise kann eine besonders große Fläche für die haptische Wahrnehmung zur Verfügung stehen, was die Wahrnehmung erleichtert.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind zumindest zwei der folgenden Elemente beabstandet in einer lateralen Richtung zueinander angeordnet: strahlungsemittierender Halbleiterchip, Wirkungselement und/oder Sensorelement. Dabei weist das optoelektronische Bauteil eine Haupterstreckungsebene auf. Die lateralen Richtungen sind hierbei parallel zur Haupterstreckungsebene ausgerichtet. Zum Beispiel ist der zumindest eine strahlungsemittierende Halbleiterchip beabstandet in lateralen Richtungen zu dem zumindest einen Wirkungselement und/oder dem zumindest einen Sensorelement. Hierbei können die strahlungsemittierenden Halbleiterchips untereinander voneinander in lateralen Richtungen beabstandet sein. Auch die Wirkungselemente und/oder die Sensorelemente können untereinander voneinander in lateralen Richtungen beabstandet angeordnet sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Komponente des optoelektronischen Bauteils zumindest durch eines der folgenden Bestandteile gebildet: Umhüllungskörper, Reflektorelement, Träger. Der Umhüllungskörper ist durchlässig, zum Beispiel transparent, oder undurchlässig für die von dem zumindest einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip emittierte Strahlung. Der Umhüllungskörper kann reflektierend, insbesondere diffus reflektierend, oder absorbierend gestaltet sein. Der Umhüllungskörper ist insbesondere aus einem Kunststoff wie einem Silikon, einem Epoxid oder einem Epoxidhybridmaterial gebildet. Dem Kunststoff kann ein Färbemittel wie Ruß oder ein Pigment beigegeben sein. Somit kann der Umhüllungskörper schwarz oder auch weiß oder farbig erscheinen. Ein aus Kunststoff gebildeter Umhüllungskörper kann besonders gut geeignet sein, Schall und/oder andere mechanische Bewegungen auf den Umhüllungskörper von dem zumindest einen Wirkungselement und/oder auf das zumindest eine Sensorelement zu übertragen.
  • Dem Umhüllungskörper können weiter Materialien - beispielsweise Metallpartikel - beigemischt sein, welche die thermische Leitfähigkeit des Umhüllungskörpers erhöhen. Auf diese Weise kann der Umhüllungskörper auch besonders gut zur thermischen Ankopplung des zumindest einen Wirkungselements und/oder des zumindest einen Sensorelements ausgebildet sein.
  • Das Reflektorelement ist zur Reflexion von im Betrieb vom zumindest einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip erzeugter elektromagnetischer Strahlung ausgebildet. Das Reflektorelement kann beispielsweise durch einen mit strahlungsstreuenden und/oder strahlungsreflektierenden Partikeln gefüllten Kunststoff gebildet sein. Ferner kann das Reflektorelement zumindest eine Schicht aus einem metallischen Material enthalten.
  • Bei dem Träger kann es sich um einen permanenten Träger des optoelektronischen Bauteils handeln, der die mechanisch tragende Komponente des Bauteils darstellt. Die weiteren Komponenten des Bauteils können beispielsweise permanent direkt oder indirekt mit dem Träger verbunden sein. Der Träger kann aus einem elektrisch isolierenden Basismaterial wie einem Glas oder einer Keramik oder einem Kunststoff sein. Ebenso ist es möglich, dass der Träger aus einem Halbleitermaterial besteht oder dieses enthält.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind das zumindest eine Wirkungselement und der zumindest eine strahlungsemittierende Halbleiterchip in den Umhüllungskörper eingebettet. Durch das Einbetten des zumindest einen Wirkungselements in den Umhüllungskörper kann zum Beispiel die physikalische Zustandsänderung die durch das zumindest eine Wirkungselement hervorgerufen wird auf den Umhüllungskörper übertragen werden. Ist das zumindest eine Wirkungselement zum Beispiel dazu ausgebildet Vibrationen und/oder Temperaturänderungen zu erzeugen, so kann sich die Vibration und/oder die Temperaturänderung auf den Umhüllungskörper, insbesondere eine Deckfläche des Umhüllungskörpers, übertragen. Die Deckfläche des Umhüllungskörpers liegt dabei an einer Abstrahlseite des zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchips. Die Deckfläche des Umhüllungskörpers ist groß gegenüber einer Außenfläche des zumindest einen Wirkungselements. Das heißt, dass das zumindest eine Wirkungselement den erzeugten Reiz auf eine größere Fläche überträgt, sodass der Reiz vom Benutzer besser wahrgenommen werden kann.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das zumindest eine Sensorelement in den Umhüllungskörper eingebettet. Der Umhüllungskörper verbindet dabei zumindest zwei der folgenden Elemente mechanisch miteinander: Halbleiterchip, Wirkungselement, Sensorelement. Es ist möglich, dass der Verbund von Umhüllungskörper und den anderen Elementen mechanisch selbsttragend ist. Der Umhüllungskörper kann damit die mechanisch stabilisierende und tragende Komponente des optoelektronischen Bauteils darstellen. In diesem Fall ist es möglich, dass das Bauteil frei von einem weiteren Träger ist.
  • Eine Unterseite und eine Oberseite des Umhüllungskörpers sind zum Beispiel zumindest stellenweise parallel zur Haupterstreckungsebene des optoelektronischen Bauteils ausgerichtet und können zum Beispiel bündig mit dem zumindest einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip abschließen. Die Oberseite liegt hierbei an der Abstrahlseite und die Unterseite ist die der Abstrahlseite abgewandte Seite. Der zumindest eine strahlungsemittierende Halbleiterchip und das soweit vorhandene zumindest eine Wirkungselement und/oder das soweit vorhandene zumindest eine Sensorelement können zum Beispiel an der Unterseite kontaktierbar sein, indem dort Kontaktstellen frei liegen.
  • Gemäß einer Ausführungsform schließt der Umhüllungskörper in einer vertikalen Richtung bündig mit dem zumindest einen Wirkungselement und/oder dem zumindest einen Sensorelement ab oder wird von diesem überragt. Hierbei ist die vertikale Richtung senkrecht zur Haupterstreckungsebene des optoelektronischen Bauteils. Überragt der Umhüllungskörper das zumindest eine Wirkungselement und/oder das zumindest eine Sensorelement, so ist die Deckfläche des Umhüllungskörpers oberhalb der Deckfläche des zumindest einen Wirkungselements und/oder einer Deckfläche des zumindest einen Sensorelements in vertikaler Richtung an der Abstrahlseite angeordnet. Ist das zumindest eine Wirkungselement dazu ausgebildet zum Beispiel Vibrationen und/oder Temperaturänderungen zu erzeugen, so kann sich die Vibration und/oder die Temperaturänderung auf den Umhüllungskörper, insbesondere die Deckfläche des Umhüllungskörpers, übertragen. Um den Reiz des zumindest einen Wirkungselements mit dem Körperteil wahrzunehmen, ist also kein direkter Kontakt mit dem zumindest einen Wirkungselement notwendig. Wird zum Beispiel Druck durch das Körperteil auf das optoelektronische Bauteil ausgewirkt, kann ein Signal von dem zumindest einen Sensorelement detektiert werden. Hierbei muss sich das Körperteil ebenfalls nicht notwendigerweise im Kontakt mit dem zumindest einen Sensorelement befinden. Hierbei stellt der Umhüllungskörper eine Schutzschicht für das zumindest eine Wirkungselement und/oder das zumindest eine Sensorelement dar.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das zumindest eine Wirkungselement in ein Reflektorelement eingebettet, das den zumindest einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip zumindest stellenweise in lateralen Richtungen seitlich umgibt. Das Reflektorelement umfasst zum Beispiel eine Reflektorwand, die weg vom zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip geneigt ist und schräg zur Haupterstreckungsebene des Bauteils verläuft.
  • Die dem zumindest einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip zugewandte Innenfläche der Reflektorwand ist für die vom strahlungsemittierenden Halbleiterchip abgestrahlte elektromagnetische Strahlung reflektierend ausgebildet. Das zumindest eine Wirkungselement ist zum Beispiel auf der dem zumindest einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip abgewandten Außenfläche des Reflektorelements angeordnet. Das heißt zum Beispiel, dass das Reflektorelement zumindest stellenweise in lateralen Richtungen zwischen dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip und dem zumindest einen Wirkungselement angeordnet ist. Das zumindest eine Wirkungselement kann hierbei mit dem Reflektorelement in vertikaler Richtung bündig abschließen. Durch das Einbetten in das Reflektorelement wird verhindert, dass das emittierte Licht von zumindest einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip das zumindest eine Wirkungselement trifft und somit absorbiert wird. Dadurch bewirkt das Reflektorelement hierbei eine erhöhte Lichtauskopplung.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das zumindest eine Sensorelement in das Reflektorelement eingebettet, das den strahlungsemittierenden Halbleiterchip zumindest stellenweise in lateralen Richtungen seitlich umgibt. Das zumindest eine Sensorelement ist zum Beispiel auf der dem zumindest einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip abgewandten Außenfläche des Reflektorelements angeordnet. Das heißt zum Beispiel, dass das Reflektorelement zumindest stellenweise in lateralen Richtungen zwischen dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip und dem zumindest einen Sensorelement angeordnet ist. Das zumindest eine Sensorelement kann hierbei mit dem Reflektorelement in vertikaler Richtung bündig abschließen. Durch das Einbetten in das Reflektorelement wird verhindert, dass das emittierte Licht von zumindest einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip das zumindest eine Sensorelement trifft und somit absorbiert wird. Dadurch bewirkt das Reflektorelement hierbei eine erhöhte Lichtauskopplung.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauteil einen Träger, wobei zumindest eines der folgenden Elemente am Träger befestigt ist und/oder in den Träger eingebettet ist: strahlungsemittierender Halbleiterchip, Wirkungselement, Sensorelement. Der Träger kann zum Beispiel auf einem Halbleitermaterial basieren und beispielsweise eine Einheit zur Ansteuerung und/oder zum Auslesen der Signale der Elemente bilden. Der Träger umfasst bevorzugt mehrere elektrische Durchkontaktierungen, die in oder an dem Basismaterial oder Halbleitermaterial ausgebildet sind.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der Träger einen integrierten Schaltkreis. Der integrierte Schaltkreis ist zum Beispiel durch einen anwendungsspezifischen integrierten Schaltkreis, kurz ASIC (englisch applicationspecific integrated circuit), gebildet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der integrierte Schaltkreis dazu ausgebildet, zumindest zwei der folgenden Elemente elektrisch miteinander zu verbinden und/oder zumindest eines der folgenden Elemente zu steuern: strahlungsemittierender Halbleiterchip, Wirkungselement, Sensorelement. Hierfür befinden sich alle elektrischen Kontaktflächen des optoelektronischen Bauteils an der Unterseite, die auf der der Abstrahlseite abgewandten Seite angeordnet ist. Das heißt, die Elemente des optoelektronischen Bauteils, die auf dem integrierten Schaltkreis angeordnet sind, sind zum Beispiel über den integrierten Schaltkreis elektrisch und bevorzugt auch mechanisch anschließbar und dadurch untereinander elektrisch verbunden. Hierbei umfasst der integrierte Schaltkreis zum Beispiel eine Kontrolleinheit, eine Auswerteeinheit und/oder eine Ansteuereinheit. Die Kontrolleinheit und die Auswerteeinheit lesen und überprüfen jeweils den Zustand des zumindest einen lichtemittierenden Halbleiterchips, des zumindest einen Wirkungselements und/oder des zumindest einen Sensorelements aus. Die Ansteuereinheit kann zum Beispiel den Zustand des zumindest einen lichtemittierenden Halbleiterchips, des zumindest einen Wirkungselements und/oder des zumindest einen Sensorelements steuern und zum Beispiel die jeweiligen Elemente an oder ausschalten.
  • Alternativ ist es möglich, dass eine solche Einheit zum Kontrollieren, Auswerten und/oder Ansteuern der Elemente außerhalb des optoelektronischen Bauteils liegt und dass das optoelektronische Bauteil beispielsweise elektrisch an eine solche Einheit angebunden ist oder auf eine solche Einheit aufgebracht ist, etwa aufgelötet.
  • Es wird weiter eine Anzeigevorrichtung angegeben. Die Anzeigevorrichtung umfasst zumindest zwei der hier beschriebenen optoelektronischen Bauteile. Das heißt, sämtliche für das optoelektronische Bauteil offenbarten Merkmale sind auch für die Anzeigevorrichtung offenbart und umgekehrt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform bildet eine Vielzahl optoelektronischer Bauteile eine Anzeigevorrichtung, die zur Darstellung von Bildern oder Videosequenzen ausgebildet ist. Das heißt, dass durch eine Vielzahl der optoelektronischen Bauteile zum Beispiel ein Display erzeugt wird. Die optoelektronischen Bauteile sind in lateralen Richtungen nebeneinander angeordnet. Die Anordnung der optoelektronischen Bauteile ist bevorzugt matrixartig, also in Spalten und Zeilen, angeordnet, wobei zwischen benachbarten optoelektronischen Bauteilen ein Begrenzungselement angeordnet ist. Die optoelektronischen Bauteile können zum Beispiel aus Umhüllungskörpern mit eingebetteten Elementen gebildet sein. Das Begrenzungselement ist dabei ein zweiter Umhüllungskörper, in dem die Umhüllungskörper mit eingebetteten Elementen eingebettet sind.
  • Alternativ kann das Begrenzungselement durch das Reflektorelement gebildet sein, das den strahlungsemittierenden Halbleiterchip zumindest stellenweise in lateralen Richtungen seitlich umgibt und das zur Reflexion von im Betrieb vom strahlungsemittierenden Halbleiterchip erzeugter elektromagnetischer Strahlung ausgebildet ist. Das zumindest eine Wirkungselement und/oder das zumindest eine Sensorelement ist hierbei zwischen den benachbarten Bauelementen in die Reflektorelemente eingebettet.
  • Nachfolgend wird ein hier beschriebenes optoelektronisches Bauteil unter Bezugnahme auf die Zeichnungen anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert.
  • Es zeigen:
    • 1A, 1B und 1C eine schematische Draufsicht und schematische Schnittdarstellungen von einem Ausführungsbeispiel von einem hier beschriebenen optoelektronischen Bauteil,
    • 2 und 3 schematische Schnittdarstellungen von Ausführungsbeispielen für ein hier beschriebenes optoelektronisches Bauteil,
    • 4 eine schematische Draufsicht von einem Ausführungsbeispiel für eine Anzeigevorrichtung für eine hier beschriebene Vielzahl von optoelektronischen Bauteilen.
  • Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.
  • In 1A, 1B und 1C ist ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauteils 10 gezeigt, wobei die Draufsicht in 1A sowie die Schnittdarstellungen in 1B und 1C dargestellt sind.
  • Das in 1A gezeigte optoelektronische Bauteil 10 umfasst zumindest einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1, der zur Erzeugung von Strahlung eingerichtet ist. Es ist gezeigt, dass drei strahlungsemittierende Halbleiterchips 1 zur Emission von Strahlung unterschiedlicher Wellenlänge vorhanden sind. Die strahlungsemittierenden Halbleiterchips 1 sind nebeneinander angeordnet, abweichend hiervon ist auch zum Beispiel eine Anordnung im Dreieck möglich. Ferner umfasst das optoelektronische Bauteil 10 ein oder mehrere Wirkungselemente 2 und/oder ein oder mehrere Sensorelemente 3, die beabstandet in einer lateralen Richtung 101 untereinander und zueinander und zu den strahlungsemittierenden Halbleiterchips 1 angeordnet sind. Die Elemente sind in einem für die jeweilige Strahlung lichtundurchlässigen, reflektierenden Umhüllungskörper 4 eingebettet.
  • Die in 1B gezeigte Deckfläche des Umhüllungskörpers 4a schließt dabei bündig mit der Deckfläche des Wirkungselements 2a, der Deckfläche des Sensorelements 3a und der Deckfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips 1a ab. Der Umhüllungskörper 4 mit den eingebetteten Elementen 1, 2, 3 schließt auf der der Abstrahlseite abgewandten Seite mit dem Träger 5 bündig ab. Der Träger 5 kann einen integrierten Schaltkreis 5a umfassen, womit der elektrische Kontakt von strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1, Wirkungselement 2 und/oder Sensorelement 3 hergestellt wird. Weiter kann der integrierte Schaltkreis 5a zum Beispiel die Kontrolleinheit, die Auswerteeinheit und/oder die Ansteuereinheit umfassen (hier nicht gezeigt). Mit diesen Einheiten ist zum Beispiel das Auslesen und/oder Ansteuern von dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 und/oder des zumindest einen Wirkungselements 2 und/oder des zumindest einen Sensorelements 3 möglich.
  • In 1C ist der Betriebszustand gezeigt, bei dem das zumindest eine Wirkungselement 2, hier zum Beispiel Piezoaktuatoren, betrieben wird. Hierbei entsteht die mechanische Bewegung in vertikaler Richtung 100, die durch Pfeile in 1C gekennzeichnet ist. Diese mechanische Bewegung kann zum Beispiel auf den Umhüllungskörper 4, insbesondere auf die Deckfläche des Umhüllungskörpers 4a, übertragen werden. Die Deckfläche des Umhüllungskörpers 4a liegt dabei an der Abstrahlseite. Die Deckfläche des Umhüllungskörpers 4a bildet hierbei zum Beispiel die Fläche, die von dem Körperteil erfasst wird, die groß ist gegenüber der Deckfläche des zumindest einen Wirkungselements 2a.
  • Das heißt, dass das zumindest eine Wirkungselement den erzeugten Reiz, hier zum Beispiel die Vibration, auf eine größere Deckfläche des Umhüllungskörpers 4a überträgt, die durch das Köperteil von dem Benutzer wahrgenommen werden kann. Dieser mechanische Reiz stellt den haptischen Reiz dar, der von einem Körperteil, der hier zum Beispiel im direkten Kontakt zur Deckfläche 1a, 2a, 3a ist, wahrgenommen wird.
  • 2 zeigt ein optoelektronisches Bauteil 10, bei dem das zumindest eine Wirkungselement 2 und/oder das zumindest eine Sensorelement 3 in das Reflektorelement 6 eingebettet ist, das den strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 zumindest stellenweise in lateralen Richtungen 101 seitlich umgibt. Das Reflektorelement 6 umfasst hierbei zum Beispiel eine Reflektorwand, die weg vom zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip geneigt ist und schräg zur Haupterstreckungsebene des Bauteils verläuft. Die Reflektorwand bildet mit der vertikalen Richtung 100 einen spitzen Winkel. Die dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 zugewandte Innenfläche der Reflektorwand ist für die vom strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 abgestrahlte elektromagnetische Strahlung reflektierend ausgebildet. Das zumindest eine Wirkungselement 2 und/oder das zumindest eine Sensorelement 3 ist zum Beispiel auf der dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 abgewandten Außenfläche des Reflektorelements 6 eingebettet. Hierbei ist das Reflektorelement 6 zumindest stellenweise in lateralen Richtungen 101 zwischen dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 und dem zumindest einen Wirkungselement 2 und/oder dem zumindest einen Sensorelement 3 angeordnet. Das zumindest eine Wirkungselement 2 und/oder das zumindest eine Sensorelement 3 kann hierbei mit dem Reflektorelement in vertikaler Richtung 100 bündig abschließen.
  • Der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 ist hierbei zum Beispiel in den Umhüllungskörper 4 eingebettet, der lichtdurchlässig, zum Beispiel transparent, ist. Der Umhüllungskörper 4 überragt dabei den strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 in vertikaler Richtung 100 auf der Abstrahlseite. Der Umhüllungskörper 4 umgibt den strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 in lateralen Richtungen 101 komplett und reicht in lateralen Richtungen 101 bis zu dem Reflektorelement 6. Das Reflektorelement 6 überragt den Umhüllungskörper 4 in vertikaler Richtung 100 in Richtung der Abstrahlseite. Auf der der Abstrahlseite abgewandten Seite schließt der Träger mit den eingebetteten Elementen 1, 2, 3 bündig ab.
  • 3 zeigt ein optoelektronisches Bauteil 10, bei dem der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 direkt auf den Träger 5 montiert ist. Dabei umgibt der Träger 5 das zumindest eine Sensorelement 3 vollständig. Bei Draufsicht ist der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 über dem zumindest einen Sensorelement 3. Diese Anordnung ist daher besonders platzsparend. Das zumindest eine Wirkungselement 2 kann dabei in lateralen Richtungen 101 beabstandet zum strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 auf den Träger 5 aufgebracht sein und mit dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 in den Umhüllungskörper 4 eingebettet sein.
  • 4 zeigt eine Anzeigevorrichtung mit einer Vielzahl von optoelektronischen Bauteilen 10, die zur Darstellung von Bildern oder Videosequenzen ausgebildet ist. Die Anordnung der optoelektronischen Bauteile 10 ist hierbei bevorzugt matrixartig angeordnet, wobei zwischen benachbarten optoelektronischen Bauteilen 10 ein Begrenzungselement 7 angeordnet ist. Die optoelektronischen Bauteile 10 sind hierbei zum Beispiel in lateralen Richtungen 101 nebeneinander in einen zweiten Umhüllungskörper eingebettet, der das Begrenzungselement 7 bildet. Die optoelektronischen Bauteile 10 umfassen jeweils den Umhüllungskörper 4 in die die strahlungsemittierenden Halbleiterchips 1, das zumindest eine Wirkungselement 2 und das zumindest eine Sensorelement 3 eingebettet sind und beabstandet in lateralen Richtungen 101 zueinander angeordnet sind. Die strahlungsemittierenden Halbleiterchips 1 sind linear angeordnet. Abweichend hiervon ist auch eine Anordnung im Dreieck möglich.
  • Alternativ kann das Begrenzungselement 7 durch das Reflektorelement 6 gebildet sein, das den strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 zumindest stellenweise in lateralen Richtungen 101 seitlich umgibt und das zur Reflexion von im Betrieb vom strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 erzeugter elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist. Das zumindest eine Wirkungselement 2 und/oder das zumindest eine Sensorelement 3 ist hierbei zwischen den benachbarten Reflektorelementen 6 eingebettet.
  • Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt.
  • Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    strahlungsemittierender Halbleiterchip
    1a
    Deckfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips
    2
    Wirkungselement
    2a
    Deckfläche des Wirkungselements
    3
    Sensorelement
    3a
    Deckfläche des Sensorelements
    4
    Umhüllungskörper
    4a
    Deckfläche des Umhüllungskörpers
    5
    Träger
    5a
    integrierter Schaltkreis
    6
    Reflektorelement
    7
    Begrenzungselement
    10
    optoelektronisches Bauteil
    100
    vertikale Richtung
    101
    laterale Richtungen

Claims (15)

  1. Optoelektronisches Bauteil mit - einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1), der zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung ausgebildet ist, und - einem Wirkungselement (2), das zur Änderung eines physikalischen Zustands ausgebildet ist, wobei - das Wirkungselement (2) in eine Komponente (4, 6, 5) des Bauteils eingebettet ist, und - die Änderung des physikalischen Zustands folgendes umfasst: Temperaturänderung, Schallerzeugung, mechanische Bewegung.
  2. Optoelektronisches Bauteil nach dem vorherigen Anspruch mit einem Sensorelement (3), das zur Detektion zumindest einer der folgenden Größen ausgebildet ist: Temperatur, Druck, Schall, elektromagnetische Strahlung, elektrische Kapazität.
  3. Optoelektronisches Bauteil nach dem vorherigen Anspruch, bei dem das Sensorelement (3) in eine Komponente (4, 6, 5) des Bauteils eingebettet ist.
  4. Optoelektronisches Bauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die Änderung des physikalischen Zustands durch das Wirkungselement (2) haptisch erkennbar ist.
  5. Optoelektronisches Bauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem zumindest zwei der folgenden Elemente beabstandet in einer lateralen Richtung (101) zueinander angeordnet sind: strahlungsemittierender Halbleiterchip (1), Wirkungselement (2), Sensorelement (3).
  6. Optoelektronisches Bauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die Komponente (4, 6, 5) des Bauteils zumindest durch eines der folgenden Bestandteile gebildet ist: Umhüllungskörper (4), Reflektorelement (6), Träger (5).
  7. Optoelektronisches Bauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem das Wirkungselement (2) und der strahlungsemittierende Halbleiterchip (1) in den Umhüllungskörper (4) eingebettet sind.
  8. Optoelektronisches Bauteil nach einem der beiden vorherigen Ansprüche, bei dem das Sensorelement (3) in den Umhüllungskörper (4) eingebettet ist.
  9. Optoelektronisches Bauteil nach einem der beiden vorherigen Ansprüche, bei dem der Umhüllungskörper in einer vertikalen Richtung (100) bündig mit dem Sensorelement (3) und/oder dem Wirkungselement (2) abschließt oder von diesen überragt wird.
  10. Optoelektronisches Bauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem das Wirkungselement (2) in ein Reflektorelement (6) eingebettet ist, das den strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1) zumindest stellenweise in lateralen Richtungen (101) seitlich umgibt und das zur Reflexion von im Betrieb vom strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1) erzeugter elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist.
  11. Optoelektronisches Bauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem das Sensorelement (3) in das Reflektorelement (6) eingebettet ist.
  12. Optoelektronisches Bauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, mit einem Träger (5) wobei zumindest eines der folgenden Elemente am Träger (5) befestigt ist und/oder in den Träger (5) eingebettet ist: strahlungsemittierender Halbleiterchip (1), Wirkungselement (2), Sensorelement (3).
  13. Optoelektronisches Bauteil nach dem vorherigen Anspruch, bei dem der Träger (5) einen integrierten Schaltkreis (5a) umfasst.
  14. Optoelektronisches Bauteil nach dem vorherigen Anspruch, bei dem der integrierte Schaltkreis (5a) zumindest zwei der folgenden Elemente elektrisch verbindet und/oder zumindest eines der folgenden Elemente steuert: strahlungsemittierender Halbleiterchip (1), Wirkungselement (2), Sensorelement (3).
  15. Anzeigevorrichtung mit einer Vielzahl optoelektronischer Bauteile nach einem der vorherigen Ansprüche, die zur Darstellung von Bildern oder Videosequenzen ausgebildet ist.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020131346A1 (de) * 2020-11-26 2022-06-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches bauelement, verfahren zum ansteuern zumindest eines segments eines optoelektronischen bauelements und verfahren zur ermittlung einer anordnung von zumindest zwei optoelektronischen bauelementen

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19932051A1 (de) * 1999-07-09 2001-01-11 Hella Kg Hueck & Co Fahrzeugleuchte
US20120211766A1 (en) * 1997-05-16 2012-08-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Image display device and light emission device
US20170040306A1 (en) * 2015-06-30 2017-02-09 Apple Inc. Electronic Devices With Soft Input-Output Components

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4082031B2 (ja) * 2002-01-17 2008-04-30 ソニー株式会社 素子の配列方法、及び表示装置
DE102007001706A1 (de) * 2007-01-11 2008-07-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für optoelektronisches Bauelement und Anordnung eines optoelektronischen Bauelementes in einem Gehäuse
DE102009003936B4 (de) * 2009-01-05 2011-02-24 Siemens Aktiengesellschaft Licht emittierendes Bauelement mit einer Konverterkeramik und einer Kühleinrichtung
US8957435B2 (en) * 2009-04-28 2015-02-17 Cree, Inc. Lighting device
US20110084612A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 General Led, Inc., A Delaware Corporation Hybrid chip-on-heatsink device and methods
US8395312B2 (en) * 2010-04-19 2013-03-12 Bridgelux, Inc. Phosphor converted light source having an additional LED to provide long wavelength light
FI20106001A0 (fi) * 2010-09-28 2010-09-28 Kruunutekniikka Oy Menetelmä sähköisen toimilaitteen valmistukseen
US8461513B2 (en) * 2010-09-28 2013-06-11 Texas Advanced Optoelectronic Solutions, Inc. Method and apparatus for device with minimized optical cross-talk
DE102012103161A1 (de) * 2012-04-12 2013-10-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
JP2016105377A (ja) * 2014-12-01 2016-06-09 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US20180275757A1 (en) * 2017-03-23 2018-09-27 Immersion Corporation Systems and methods for in-cell haptics

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120211766A1 (en) * 1997-05-16 2012-08-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Image display device and light emission device
DE19932051A1 (de) * 1999-07-09 2001-01-11 Hella Kg Hueck & Co Fahrzeugleuchte
US20170040306A1 (en) * 2015-06-30 2017-02-09 Apple Inc. Electronic Devices With Soft Input-Output Components

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