KR20090092727A - 표면 처리 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따르면, 수지층을 통하여 노출되고, 수지 이물질이 붙어있는 메탈 필름의 표면에 대하여 플라즈마 처리 공정이 수행되고, 이로 인하여 상기 수지층에 실질적으로 데미지를 가하지 않으면서 상기 수지 이물질이 거칠어질 수 있으며; 노즐을 통하여 분사되는 에칭 유체를 이용한 스프레이 에칭 방법을 사용하여, 상기 메탈 필름의 노출된 전체 표면이 에칭되고, 상기 수지 이물질은 상기의 노출된 표면으로부터 제거된다.
Description
본 발명은 표면 처리 방법에 대한 것이며, 특히, 노출된 메탈 필름의 표면에 접착되어 있는 수지 이물질을 쉽게 제거할 수 있는 표면 처리 방법에 대한 것이다.
예를 들어 반도체 장치를 위하여 사용되는 인쇄 회로 기판을 생산하기 위하여 수행되는 공정 동안에, 외부 접속 단자로서 역할을 수행할 솔더 범프(18)를 인쇄 회로 기판(10) 상에 형성하기 위하여, 도 5에 도시된 바와 같은 패드가 상기 인쇄 회로 기판(10)의 일면 상에 마련된다. 특히, 이러한 패드의 구조는, 구리 필름과 같은 것으로서 상기 인쇄 회로 기판(10)의 상기 면 상에 침착되는 메탈 필름(12)과, 솔더 레지스트층과 같은 것으로서 상기 메탈 필름(12)의 주변 에지를 덮는 수지층(14)과, 상기 메탈 필름(12) 상에 형성되고 상기 메탈 필름(12)의 노출된 표면을 덮는 보호 메탈층(16)을 포함한다. 이러한 방법으로 상기 패드를 구성하는 것에 의하여, 어떠한 노출된 표면 상에 옥사이드 필름이 형성되는 것이 방지된다.
게다가, 일반적으로, 이러한 작용이 성공적으로 수행되고 상기 보호 메탈층(16)이 균일하게 침착되도록 하기 위하여, 전기도금 또는 무전해도금이 상기 보호 메탈층(16)을 형성하기 위하여 사용되며, 상기 메탈 필름(12)의 노출된 표면 상에 어떠한 옥사이드 필름이 형성되지 않고, 상기의 노출된 표면에 어떠한 이물질이 달라붙지 않도록 하는 것이 중요하기 때문이다.
따라서, 특허문헌 1에서 제안되었던 방법은 소프트 에칭을 수행하여, 상기 메탈 필름(12)의 노출된 표면을 깨끗이 하고, 형성되었을지도 모르는 옥사이드 필름을 제거하는 것이다.
그러나, 상기 수지층(14)이 침착된 이후에, 도 6에 도시된 바와 같이, 수지 이물질(foreign resin substance)(20)이 상기 메탈 필름(12)의 노출된 표면에 붙게 될 가능성이 존재한다. 그리고, 상기 수지 이물질(20)과 수지층(14)이 함께 열처리되는 경우에는, 상기 수지 이물질(20)이 상기의 노출된 표면에 견고하게 달라붙게 될 수도 있다.
이러한 경우에, 상기 메탈 필름(12)의 노출된 표면에 대한 소프트 에칭을 수행하게 되면, 상기 수지 이물질(20)이 붙어 있는 노출된 표면의 일부가 상기의 에칭에 영향을 받지 않을 수 있으며, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기의 노출된 표면에 붙어있는 수지 이물질(20)이 남게 될 수 있다. 이러한 현상이 나타나면, 상기 보호 메탈층(16)을 형성하기 위한 전기도금 또는 무전해도금을 수행하더라도, 이러한 도금 공정은 성공적으로 수행될 수 없으며, 상기 보호 메탈층(16)은 상기 수지 이물질(20)이 붙어있는 표면 일부 상에 침착되지도 않고, 이러한 표면 일부를 덮을 수도 없게 된다.
이러한 단점을 극복하기 위하여, 특허문헌 2에서 제안되었던 개선 방법은, 상기 메탈 필름(12)의 노출된 표면으로부터 상기 수지 이물질(20)을 제거하기 위하여 플라즈마 처리 공정을 수행하는 것을 제안한다.
[특허문헌 1] JP-A-2004-124110
[특허문헌 2] JP-A-2007-336321
상기 메탈 필름(12)의 노출된 표면으로부터 수지 이물질(20)을 제거하기 위하여 플라즈마 처리 공정을 수행하는 특허문헌 2에서 제안되었던 표면 처리 방법을 수행함으로써, 수지 이물질(20)이 완전히 제거될 수는 있다.
그러나, 상기 수지 이물질(20)을 완전히 제거하기 위하여 상기 플라즈마 처리 공정이 진행되는 동안에, 이러한 공정의 수행이 계속 진행됨에 따라 광범위하게 상기 수지층(14)에 데미지가 가해진다.
따라서, 본 발명은, 붙어있는 수지 이물질을 상기 수지층을 통하여 노출되는 메탈 필름 표면으로부터 완전히 제거하기 위한 상기 플라즈마 처리 공정이 수행되는 동안에, 수지층에 광범위하게 데미지가 가해지는 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 수지층에 실질적으로 데미지를 가하지 않으면서 수지 이물질과 옥사이드 필름이 상기 수지층을 통하여 노출되는 메탈 필름의 표면으로부터 제거될 수 있도록 하는 표면 처리 방법을 제안하는 것을 목적으로 한다.
상기의 문제점을 해결하기 위한 끊임없는 연구에 의해서, 본 발명자들은, 상기 수지 이물질이 상기 플라즈마 처리 공정에 의하여 단지 거칠어졌을 때에, 실질적으로, 상기 수지층이 광범위한 데미지를 받지 않는다는 것을 밝혀냈다.
게다가, 본 발명자들은 상기 메탈 필름의 표면에 대한 에칭이, 노즐이 메탈 필름 상으로 에칭 유체를 분사하도록 사용될 때에 붙어있는 수지 이물질의 에지 주변을 따라 이루어지고, 상기 수지 이물질은 쉽게 제거될 수 있다는 것을 밝혀냈다. 따라서, 본 발명자들은 본 발명을 준비하기 위한 공정을 착수하도록 장려된다.
즉, 본 발명의 제 1 양태에 따르면, 표면 처리 방법은,
수지층을 통하여 노출되고, 수지 이물질이 붙어있는 메탈 필름의 표면을 준비하는 단계;
상기 수지층에 실질적으로 데미지를 가하지 않으면서 상기 수지 이물질을 거칠게 하기 위하여, 상기 표면에 대한 플라즈마 처리 공정을 수행하는 단계; 및
상기의 노출된 표면으로부터 상기 수지 이물질을 제거하기 위하여 노즐을 통하여 분사되는 에칭 유체를 이용한 스프레이 에칭 방법을 사용하여, 상기 메탈 필름의 노출된 전체 표면을 에칭하는 단계;를 포함한다.
본 발명의 제 2 양태에 따르면, 제 1 양태에 따르는 표면 처리 방법이,
상기 메탈 필름은 인쇄 회로 기판의 적어도 일면 상에 침착되고,
상기 수지층을 통하여 노출되는 상기 메탈 필름의 표면은 패드인 상기 회로 기판 상에서 외부 접속 단자가 형성되는 쪽과 동일한 쪽에 위치한다.
본 발명의 제 3 양태에 따르면, 제 1 양태에 따르는 표면 처리 방법이,
상기 메탈 필름으로서 구리 필름이 침착되고,
상기 스프레이 에칭 방법으로, 상기 구리 필름의 노출된 표면으로부터 옥사이드 필름을 제거하기 위한 소프트 에칭이 수행된다.
본 발명의 제 4 양태에 따르면, 제 1 양태에 따르는 표면 처리 방법이,
상기 메탈 필름으로서, 도금을 이용한 메탈 도금 필름이 침착된다.
본 발명의 제 5 양태에 따르면, 제 1 양태에 따르는 표면 처리 방법이,
상기 노즐을 통하여 상기 에칭 유체를 분사하기 위하여 설정된 압력은 0.1 내지 0.3 MPa 범위이다.
본 발명의 제 6 양태에 따르면, 표면 처리 방법은,
수지층을 통하여 노출되고, 스크래치가 형성되어 있는 메탈 필름의 표면을 준비하는 단계; 및
상기의 노출된 표면으로부터 상기 스크래치를 제거하기 위하여 노즐을 통하여 분사되는 에칭 유체를 이용한 스프레이 에칭 방법을 사용하여, 상기 메탈 필름의 노출된 전체 표면을 에칭하는 단계;를 포함한다.
본 발명의 제 7 양태에 따르면, 제 6 양태에 따른 표면 처리 방법이,
상기 메탈 필름은 인쇄 회로 기판의 적어도 일면 상에 침착되고,
상기 수지층을 통하여 노출되는 상기 메탈 필름의 표면은 패드인 상기 회로 기판 상에서 외부 접속 단자가 형성되는 쪽과 동일한 쪽에 위치한다.
본 발명의 제 8 양태에 따르면, 제 6 양태에 따른 표면 처리 방법이,
상기 메탈 필름으로서 구리 필름이 침착되고,
상기 스프레이 에칭 방법으로, 상기 구리 필름의 노출된 표면으로부터 옥사이드 필름을 제거하기 위한 소프트 에칭이 수행된다.
본 발명의 제 9 양태에 따르면, 제 6 양태에 따른 표면 처리 방법이,
상기 메탈 필름으로서, 도금을 이용한 메탈 도금 필름이 침착된다.
본 발명의 제 10 양태에 따르면, 제 6 양태에 따른 표면 처리 방법이,
상기 노즐을 통하여 상기 에칭 유체를 분사하기 위하여 설정된 압력은 0.1 내지 0.3 MPa 범위이다.
본 발명에 따르면, 상기 메탈 필름은 인쇄 회로 기판의 적어도 일면 상에 침착되고, 상기 수지층을 통하여 노출되는 메탈 필름 표면은 패드인 회로 기판에서 외부 접속 단자가 형성되는 쪽과 동일한 쪽의 회로 기판 상에 위치한다. 이러한 장치를 통하여, 상기 인쇄 회로 기판 상에 상기 외부 접속 단자를 마운트하기 위하여 사용되는 상기의 패드 면은 쉽게 준비될 수 있다.
그리고, 메탈 필름으로서 구리 필름이 침착되고, 상기 구리 필름의 노출된 표면으로부터 옥사이드 필름을 제거하기 위하여 스프레이 에칭 방법을 사용한 소프트 에칭이 수행된다. 이러한 방법에 의하여, 옥사이드 필름이 제거되어 균일하게 노출되는 표면을 갖는 구리 필름이 획득될 수 있다.
그리고, 메탈 필름으로서, 도금에 의하여 침착되는 메탈 도금 필름이 적절하다.
본 발명에 따르면, 먼저, 수지층을 통하여 노출되는 메탈 필름의 표면에 붙어있는 수지 이물질을 거칠게 하기 위하여, 플라즈마 처리 공정이 수행된다. 수지 이물질이 거칠어짐에 따라 메탈 필름의 노출된 표면에 붙어있는 수지 이물질의 접착력이 감소될 수 있다.
일반적으로, 수지 이물질은 수지층보다 훨씬 얇으며, 메탈 필름의 노출된 표면 보다도 상당히 작기 때문에, 상기 플라즈마 처리 공정 동안 상기 수지 이물질이 거칠어지는 동안 상기 수지층은 미미한 정도의 데미지만이 가해지고, 전체적으로 상기 수지층의 상태는 상기 플라즈마 처리가 수행되기 이전과 동일해진다.
그 다음, 상기 메탈 필름의 노출된 표면에 붙어있는 수지 이물질이 거칠어지고, 노즐을 통하여 분사되는 에칭 유체에 의한 스프레이 에칭 방법을 사용하여 상기 노출된 표면은 에칭된다. 상기 에칭 유체는 상기 수지 이물질을 직접적으로 에칭하지는 않는다. 그러나, 점차 거칠어진 수지 이물질로 스며드는 상기 에칭 유체의 경향과 상기 에칭 유체의 분사 압력 때문에, 상기 메탈 필름의 표면에 대한 에칭은 상기 수지 이물질의 주변 에지를 따라 발생한다. 그 결과, 상기 수지 이물질은 완전히 제거될 수 있다.
이러한 스프레이 에칭 공정 동안, 상기 메탈 필름의 노출된 표면은 선택적으로 에칭되고, 그 결과 상기 메탈 필름의 노출된 표면은 상기 메탈 필름의 노출된 표면상의 스크래치와 옥사이드 필름이 제거될 수 있을 만큼 평탄화 및 편평해진다.
그 결과로, 상기 수지층을 통하여 노출되는 메탈 필름의 표면은 평탄해질 수 있고, 옥사이드 필름 형성은 제거될 수 있고, 전기도금 또는 무전해도금은 상기 메탈 필름의 노출된 표면상에서 균일한 보호 메탈층을 형성하기 위하여 채용될 수 있다.
도 1은 메탈 필름의 노출된 표면에 붙어있는 수지 이물질이 스프레이 에칭을 사용하여 제거될 수 있는 것을 설명하기 위한 도면.
도 2a 내지 2c는 메탈 필름의 노출된 표면의 스크래치가 스프레이 에칭을 사용하여 제거될 수 있는 것을 설명하기 위한 도면.
도 3a 및 3b는 본 발명의 일 실시예에 따라 플라즈마 처리가 수행되기 이전의 인쇄 회로 기판 상에서 노출된 패드 면과, 플라즈마 처리가 수행된 이후에 스프레이 에칭 공정이 수행된 때의 인쇄 회로 기판 상에서 노출된 패드 면의 현미경 사진.
도 4a 및 4b는 비교예에 따라 플라즈마 처리 공정이 수행되기 전의 인쇄 회로 기판 상에서 노출된 패드 면과, 플라즈마 처리가 수행된 이후에 스프레이 에칭 공정이 수행된 때의 인쇄 회로 기판 상에서 노출된 패드 면의 현미경 사진.
도 5는 인쇄 회로 기판의 패드 면의 구조를 설명하기 위한 도면.
도 6은 수지층을 통하여 노출되는 메탈 필름의 표면에 붙어있는 수지 이물질이 패드 면을 형성하는 것을 설명하기 위한 도면.
도 7은 노출된 표면이 에칭 유체 내에 담기더라도 메탈 필름의 노출된 표면에 붙어있는 수지 이물질이 제거되지 않는 것을 설명하기 위한 도면.
도 8은 스프레이 에칭을 수행하기 위한 장치 내에서의 공정을 보여주기 위한 도면.
먼저, 본 발명의 일 실시예에서, 플라즈마 처리 공정은 솔더 레지스트와 같은 수지에 의하여 형성되는 이질의 물질이 거칠어지도록 수행되며, 상기 이질의 물질은 솔더 레지스트층과 같은 수지층을 통하여 노출되는 구리 필름과 같은 메탈 필름의 표면에 붙어있는 것이다.
상기 플라즈마 처리 공정에서, 플라즈마는 O2, He 또는 Ar 가스를 이용하며, 약 100 내지 400W 범위의 출력이 사용된다.
게다가, 상기 플라즈마 처리 공정 동안에, 수지층을 통하여 노출되고 인쇄 회로 기판 상에 침착되는 메탈 필름의 표면과 같은 물체(object)의 플라즈마 조사는, 100 내지 500초의 기간, 좀 더 바람직하게는, 200 내지 300초의 기간 동안 감소된 압력 조건에서 수행된다. 플라즈마 조사 기간이 100초 미만이 될 때에는, 수지 이물질을 적당히 거칠어지게 하는 것이 어렵게 되는 경향이 있다. 반면에, 플라즈마 조사 기간이 300초를 초과하는 때에는, 수지 이물질을 적당히 거칠어지게 하는 것이 어렵게 되는 경향이 있고, 수지층 데미지가 증가하는 경향이 있다.
이것에 따르면, 상기 플라즈마 처리에 의하여 거칠어진 수지 이물질이 붙어있는 상기 메탈 필름의 노출된 표면을 에칭하기 위하여, 에칭 유체(fluid)가 노즐을 통하여 분사되어 상기 메탈 필름상에 뿌려지는 동안에는 스프레이 에칭 방법이 채용된다. 이러한 에칭 공정에서는, 상기 노즐을 통한 상기 에칭 유체의 분사를 위하여 설정되는 압력은 0.1 내지 0.3 MPa가 되며, 이로 인하여 상기 메탈 필름의 노출된 표면은 1 내지 3㎛ 범위의 깊이만큼 에칭될 수 있다.
상기의 스프레이 에칭 공정 동안, 상기 에칭 유체는 상기 수지층과 수지 이물질을 에칭하지 않고, 다만, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 에칭 유체가 분사되어 있는 메탈 필름(12)의 표면이 에칭된다. 즉, 상기 메탈 필름(12)의 표면은 부착된 수지 이물질(20)의 주변 에지를 따라서 에칭되고, 그 결과, 상기 수지 이물질에 의하여 접착력은 상당히 감소된다.
더욱이, 상기 에칭 유체가 상기의 거칠어진 수지 이물질(20)에 스며드는 동안에, 상기 수지 이물질(20)이 붙어있는 메탈 필름(12)의 표면이 에칭되기 때문에, 상기 수지 이물질(20)에 의하여 나타나는 점착력은 좀 더 감소된다.
상기 수지 이물질(20)에 의하여 나타나는 점착력이 상당히 감소하기 때문에, 상기 수지 이물질(20)은, 상기 노즐을 통하여 상기 에칭 유체를 분사하기 위하여 채용된 압력을 이용하여, 상기 메탈 필름(12)의 표면으로부터 쉽게 제거될 수 있다.
상기 수지 이물질(20)이 제거된 이후에는, 상기 메탈 필름(12)의 노출된 표면에 대해서 필요에 따라 추가적인 에칭이 수행될 수 있으며, 상기 노출된 표면이 에칭 유체 내에 잠기도록 하는 딥 에칭(dip etching)을 사용할 수 있다.
그리고, 상기 스프레이 에칭 공정은, 예를 들어 도 8에 도시된 장치에 의하여 수행된다.
그러나, 상기 스프레이 에칭 공정 대신에 딥 에칭 등이 수행되는 경우에는, 플라즈마 처리에 의하여 거칠어진 수지 이물질(20)이 붙어있는 상기 메탈 필름(12)의 노출된 표면이 에칭 유체 내에 잠기는 경우에, 상기 수지 이물질은 제거될 수 없다. 이것은 아마도 상기 수지 이물질의 접착력이 감소되더라도, 상기 에칭 유체의 작은 양만이 상기의 거칠어진 수지 이물질에 스며들기 때문에, 상기 수지 이물질(20)이 붙어있는 상기 메탈 필름(12)의 표면은 적절히 에칭될 수 없다.
게다가, 상기 스프레이 에칭 방법이 채용되었을 때에는, 메탈 필름(12)의 상기의 노출된 표면에 대한 선택적 에칭이 가능해지고, 도 2a에 도시된 바와 같이, 메탈 필름(12)의 상기의 노출된 표면에 스크래치가 가해지더라도, 스크래치(22)가 제거된 평탄한 표면을 획득하기 위하여 상기의 선택적 에칭이 진행될 수 있다.
상기 스프레이 에칭 공정이 상기의 노출된 메탈 필름(12) 표면에 대하여 수행되는 동안에는, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 메탈 필름(12)의 노출된 표면 만이 선택적으로 에칭되는 반면에 상기 스크래치(22)의 내부 면은 에칭되지 않는다.
따라서, 스프레이 에칭이 사용되기 때문에, 도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 수지 이물질(20)과 스크래치(22)가 사라지게 되고, 상기 메탈 필름(12)의 노출된 표면은 평탄하게 된다.
그 결과, 균일한 보호 메탈층(16)이, 전기도금 또는 무전해도금을 사용하여, 상기 메탈 필름(12)의 평탄해진 노출된 표면 상에 침착될 수 있다.
(실시예)
실시예의 설명을 시작하면, 도 3a에 나타나는 바와 같이, 복수의 패드 면(12a)이 인쇄 회로 기판의 어느 일면 상에 배치된다. 이러한 패드 면(12a)으로서, 메탈 필름(12)이 전해 구리 도금을 사용하여 형성되며, 상기 메탈 필름은 이후 솔더 레지스트를 사용함으로써 형성되는 수지층(14)을 통하여 노출된다.
상기 패드 면(12a)의 일면 상의 흰 점선으로 둘러싸여진 위치에서, 도 3a에 도시된 바와 같이, 수지 이물질이 붙어있다.
상기 인쇄 회로 기판은 이후 300 Pa의 감소된 압력 조건 하에서 챔버 내에 놓여지고, O2 가스를 채용하고 300W의 출력을 갖는 플라즈마를 300초 동안 상기 패드 면(12a)을 조사하는 상기의 플라즈마 처리 공정이 수행된다.
그 다음, 상기 플라즈마 처리 공정을 수행하면서, 그 결과의 인쇄 회로 기판을 현미경을 이용하여 관찰하면, 상기 수지 이물질의 표면이 거칠어지고 스폰지와 같은 외관을 갖는 것이 보여질 수 있다. 그러나, 상기 수지층(14)의 표면은 조금 거칠어질 뿐이고, 전체적으로, 상기 수지층(14)의 상태는 상기 플라즈마 처리 공정이 수행되기 이전과 거의 동일하다.
그 다음, 스프레이 에칭 공정 동안, 상기 인쇄 회로 기판 상에서 상기 패드 면(12a)을 형성하는 구리를 에칭하기 위하여 0.2 MPa 압력 하에서 노즐을 통하여 에칭 유체가 분사되고, 상기 에칭 유체가 상기 패드 면(12a) 상에 뿌려져서, 상기 패드 면(12a)의 표면층은 약 2㎛의 깊이로 에칭된다. 이러한 스프레이 에칭 공정을 위하여, 상기 노즐의 말단부와 상기 패드 면(12a) 사이는 약 100㎜ 거리가 된다.
이것에 따르면, 상기 스프레이 에칭 공정에 의하여 획득되는 결과를 평가하기 위하여, 상기 패드 면(12a)은 현미경을 사용하여 관찰되고, 도 3b에 도시된 바와 같이, 어느 하나의 패드 면(12a) 상에 흰 점선으로 둘러싸여진 지역 내에 위치하였던 상기 수지 이물질(20)은 완전히 제거되었다.
상기 수지 이물질(20)의 제거된 표면을 좀 더 평탄한 패드 면(12a)으로 제공하기 위하여, 인쇄 회로 기판이 에칭 유체 내에 잠기도록 하는 딥 에칭을 사용함으로써, 상기 패드 면(12a)의 추가 에칭이 수행될 수 있다.
전술한 실시예에서는, 처음에는 솔더 레지스트였던 수지 이물질이 제거되었다. 그러나, 플라즈마 처리 공정을 수행함으로써 표면이 거칠어질 수 있는 물질이라면, 솔더 레지스트가 아닌 유기물로 형성되는 임의의 수지 이물질도 전술한 실시예와 동일한 방법에 의하여 수행된 플라즈마 처리 공정 이후에 스프레이 에칭을 수행함으로써 제거될 수 있다.
(비교예)
이러한 예에서 채용된 인쇄 회로 기판 상에 도 4a에 도시된 구리로 이루어진 패드 면(12a,12a...)들은 솔더 레지스트로 형성된 수지층(14)을 통하여 노출되고, 도 4a에 도시된 바와 같은 흰 점선으로 둘러싸여진 위치에서 수지 이물질이 상기 패드 면(12a)중 어느 하나에 붙어있다. 본 실시예의 스프레이 에칭을 수행하는 것을 제외하고 전술한 방식과 동일하게 표면 처리 공정을 수행하여, 인쇄 회로 기판을 에칭 유체 내에 잠기게 하고, 이것에 의하여 상기 패드 면(12a)이 약 3㎛의 깊이로 에칭된다.
도 4b는 이러한 에칭 공정이 수행된 이후에 획득되는 상기 인쇄 회로 기판 상의 패드 면(12a)에 대한 현미경 사진을 나타내는 도면이다. 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 플라즈마 처리 공정 전의 인쇄 회로 기판의 패드 면(12a)에 붙어있던 도 4a에 도시된 수지 이물질은, 흰 점선으로 둘러싸여진 위치에서 제거되지 않는다.
Claims (10)
- 수지층을 통하여 노출되고, 수지 이물질이 붙어있는 메탈 필름의 표면을 준비하는 단계;상기 수지층에 실질적으로 데미지를 가하지 않으면서 상기 수지 이물질을 거칠게 하기 위하여, 상기 표면에 대한 플라즈마 처리 공정을 수행하는 단계; 및상기의 노출된 표면으로부터 상기 수지 이물질을 제거하기 위하여, 노즐을 통하여 분사되는 에칭 유체를 이용한 스프레이 에칭 방법을 사용함으로써 상기 메탈 필름의 노출된 전체 표면을 에칭하는 단계;를 포함하는 표면 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 메탈 필름은 인쇄 회로 기판의 적어도 일면 상에 침착되고,상기 수지층을 통하여 노출되는 상기 메탈 필름의 표면은 패드인 상기 회로 기판 상에서 외부 접속 단자가 형성되는 쪽과 동일한 쪽에 위치하는 표면 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 메탈 필름으로서 구리 필름이 침착되고,상기 스프레이 에칭 방법으로, 상기 구리 필름의 노출된 표면으로부터 옥사이드 필름을 제거하기 위한 소프트 에칭이 수행되는 표면 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 메탈 필름으로서, 도금을 이용한 메탈 도금 필름이 침착되는 표면 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 노즐을 통하여 상기 에칭 유체를 분사하기 위하여 설정된 압력은 0.1 내지 0.3 MPa 범위인 표면 처리 방법.
- 수지층을 통하여 노출되고, 스크래치가 형성되어 있는 메탈 필름의 표면을 준비하는 단계; 및상기의 노출된 표면으로부터 상기 스크래치를 제거하기 위하여, 노즐을 통하여 분사되는 에칭 유체를 이용한 스프레이 에칭 방법을 사용함으로써 상기 메탈 필름의 노출된 전체 표면을 에칭하는 단계;를 포함하는 표면 처리 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 메탈 필름은 인쇄 회로 기판의 적어도 일면 상에 침착되고,상기 수지층을 통하여 노출되는 상기 메탈 필름의 표면은 패드인 상기 회로 기판 상에서 외부 접속 단자가 형성되는 쪽과 동일한 쪽에 위치하는 표면 처리 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 메탈 필름으로서 구리 필름이 침착되고,상기 스프레이 에칭 방법으로, 상기 구리 필름의 노출된 표면으로부터 옥사이드 필름을 제거하기 위한 소프트 에칭이 수행되는 표면 처리 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 메탈 필름으로서, 도금을 이용한 메탈 도금 필름이 침착되는 표면 처리 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 노즐을 통하여 상기 에칭 유체를 분사하기 위하여 설정된 압력은 0.1 내지 0.3 MPa 범위인 표면 처리 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008045564A JP5139120B2 (ja) | 2008-02-27 | 2008-02-27 | 表面処理方法 |
JPJP-P-2008-045564 | 2008-02-27 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090092727A true KR20090092727A (ko) | 2009-09-01 |
Family
ID=40997297
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090016470A KR20090092727A (ko) | 2008-02-27 | 2009-02-26 | 표면 처리 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090212007A1 (ko) |
JP (1) | JP5139120B2 (ko) |
KR (1) | KR20090092727A (ko) |
TW (1) | TW200944089A (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20210359276A1 (en) * | 2018-09-06 | 2021-11-18 | Kaneka Corporation | Method for producing partition wall, image display device and method for producing same |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4597988A (en) * | 1983-06-06 | 1986-07-01 | Macdermid, Incorporated | Process for preparing printed circuit board thru-holes |
US5077176A (en) * | 1990-07-30 | 1991-12-31 | At&T Bell Laboratories | Pre-plate cleaning process |
US5197889A (en) * | 1992-02-03 | 1993-03-30 | Motorola, Inc. | Electrical contact for battery package or similar device |
JPH0637063A (ja) * | 1992-07-15 | 1994-02-10 | Yamaha Corp | 半導体装置の製法 |
JPH06168917A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Miyagi Oki Denki Kk | レジスト除去方法 |
JPH07321027A (ja) * | 1994-05-27 | 1995-12-08 | Canon Inc | レジスト層の除去方法及びそれを用いた除去装置 |
JPH0992960A (ja) * | 1995-09-26 | 1997-04-04 | Hitachi Chem Co Ltd | レジスト膜の剥離装置 |
US6445969B1 (en) * | 1997-01-27 | 2002-09-03 | Circuit Image Systems | Statistical process control integration systems and methods for monitoring manufacturing processes |
JP2002212779A (ja) * | 2001-01-10 | 2002-07-31 | Hitachi Ltd | 表面処理方法およびそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法と薄膜磁気ヘッド |
US6489240B1 (en) * | 2001-05-31 | 2002-12-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for forming copper interconnects |
JP2003017436A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP3987781B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2007-10-10 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板の製造方法 |
JP4323252B2 (ja) * | 2003-08-04 | 2009-09-02 | 住友精密工業株式会社 | レジスト除去装置 |
JP4761040B2 (ja) * | 2005-10-24 | 2011-08-31 | セイコーエプソン株式会社 | シリコンデバイスの製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法 |
-
2008
- 2008-02-27 JP JP2008045564A patent/JP5139120B2/ja active Active
-
2009
- 2009-02-23 TW TW098105614A patent/TW200944089A/zh unknown
- 2009-02-26 US US12/393,341 patent/US20090212007A1/en not_active Abandoned
- 2009-02-26 KR KR1020090016470A patent/KR20090092727A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009203507A (ja) | 2009-09-10 |
JP5139120B2 (ja) | 2013-02-06 |
US20090212007A1 (en) | 2009-08-27 |
TW200944089A (en) | 2009-10-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |