KR20090042136A - 미세 패턴의 제조 방법 및 광학 소자 - Google Patents
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- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
Abstract
Description
Claims (11)
- 투명 기재층(基體) 위에 가공 대상 층을 형성하는 공정;상기 가공 대상 층 위에 투명 유전체로 이루어진 레지스트층을 형성하고, 상기 레지스트층을 나노임프린트법에 의해 패터닝함으로써, 상기 레지스트층의 윗면에 볼록부와 오목부를 가진 패턴화 레지스트층을 작성하는 패턴화 레지스트층 형성공정; 및상기 패턴화 레지스트층의 볼록부 위에 금속층으로 이루어진 하드 마스크층을 형성하는 공정;상기 오목부의 바닥부에 남겨진 레지스트 잔사를 에칭해서 제거하여 그 하부의 가공 대상 층을 노출시키고, 상기 패턴화 레지스트 패턴층을 마스크로 해서 노출된 상기 가공 대상 층을 에칭하는 에칭공정을 포함하는 미세 패턴의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 가공대상층 에칭공정 후에, 상기 하드 마스크층과 상기 패턴화 레지스트층을 제거하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 가공 대상 층은 금속층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 에칭공정은 상기 레지스트 잔사와, 금속층으로 이루어진 상기 가공 대상 층에 형성된 자연 산화물막과, 상기 가공 대상 층을 순차 에칭하는 공정인 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 에칭공정에 있어서, 상기 레지스트 잔사의 에칭 가스로서 O2, CF4, CHF3, Ar, HCl, Cl2, BCl3, H2 및 N2 중 어느 하나를 포함하는 가스를 이용하고,상기 자연 산화물막의 에칭 가스로서 CF4, CHF3, Ar, HCl, Cl2, BCl3, H2 및 N2 중 어느 하나를 포함하는 가스를 이용하며,상기 금속층의 에칭 가스로서 CF4, CHF3, Ar, Cl2 및 N2 중 어느 하나를 포함하는 가스를 이용하고,가스압을 0.1 내지 10㎩로 하며,바이어스 전력을 10 내지 2000W로 하는 조건으로 건식 에칭하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 에칭공정에 있어서, 증착법에 의해 상기 패턴화 레지스트층의 윗면에 상기 하드 마스크층을 형성하고 나서 상기 가공 대상 층을 에칭하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 에칭공정에 있어서, 경사 증착법에 의해 상기 패턴화 레지스트층의 윗면에 상기 하드 마스크층을 형성하고 나서 상기 가공 대상 층을 에칭하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 에칭공정에 있어서, 상기 패턴화 레지스트층의 윗면에 있어서의 두께가 상기 오목부의 바닥부에 있어서의 두께보다도 두껍게 되도록, 상기 하드 마스크층을 스퍼터법에 의해 형성한 후, 습식 에칭을 행하여 상기 오목부 내의 상기 하드 마스크층만을 제거하고, 상기 패턴화 레지스트층의 윗면에 상기 하드 마스크층을 형성하고 나서 상기 가공 대상 층을 에칭하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 에칭공정에 있어서, 상기 오목부를 가진 상기 패턴화 레지스트층의 표면을 덮도록 하드 마스크 소재를 습식 코팅법에 의해 도포한 후, 애싱법 또는 연마법을 이용해서 상기 패턴화 레지스트층의 윗면을 노출시켜, 상기 오목부에 남은 하드 마스크 소재를 상기 하드 마스크층으로 해서, 상기 패턴화 레지스트층의 노출 부분을 에칭 제거하고 나서, 상기 패턴화 레지스트층의 잔류 부분을 마스크로 해서 상기 가공 대상 층을 에칭하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 제조 방법.
- 투명 기재층 위에 그리드 형상으로 형성되어서 이루어진 미세 패턴이 형성되어 있고,상기 미세 패턴은 금속층과, 상기 금속층 위에 적층된 투명 유전체층과, 상기 투명 유전체층 위에 형성된 별도의 금속층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 광학 소자.
- 제 10 항에 있어서,상기 투명 유전체층의 높이는 200㎚ 이상인 것을 특징으로 하는 광학 소자.
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