CN106019431B - 一种空间任意弯曲光束产生器的结构与制备方法 - Google Patents

一种空间任意弯曲光束产生器的结构与制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106019431B
CN106019431B CN201610533308.1A CN201610533308A CN106019431B CN 106019431 B CN106019431 B CN 106019431B CN 201610533308 A CN201610533308 A CN 201610533308A CN 106019431 B CN106019431 B CN 106019431B
Authority
CN
China
Prior art keywords
metal
sample
film
thickness
rectangular block
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610533308.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106019431A (zh
Inventor
张中月
李辉
王刚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shaanxi Normal University
Original Assignee
Shaanxi Normal University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shaanxi Normal University filed Critical Shaanxi Normal University
Priority to CN201610533308.1A priority Critical patent/CN106019431B/zh
Publication of CN106019431A publication Critical patent/CN106019431A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106019431B publication Critical patent/CN106019431B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/008—Surface plasmon devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

本发明涉及特殊光场调控技术，具体涉及一种空间任意弯曲光束产生器的结构与制备方法。所述结构为金属矩形块、二氧化硅、金属、二氧化硅的四层结构，所述四层结构的基底层为二氧化硅，基底层上蒸镀金属膜，金属膜上有两条缝隙，金属膜上面蒸镀二氧化硅膜，二氧化硅膜上表面有非周期金属矩形块；本发明的结构通过甩负胶，曝光、显影、定影，垂直蒸镀金属，垂直蒸镀二氧化硅，除胶，甩正胶，再次曝光、显影、定影，再次垂直蒸镀金属和再次除胶制备得到。本发明制备结构能够形成空间任意弯曲光束，且本发明的方法避免了在金属表面刻凹槽，实验设备要求相对低，易于重复使用。

Description

一种空间任意弯曲光束产生器的结构与制备方法
技术领域
本发明属于特殊光场调控技术，具体涉及一种空间任意弯曲光束产生器的结构与制备方法。
背景技术
表面等离极化激元（Surface Plasmon Polaritons, 简记为SPPs）是存在金属与介质表面的一种特殊电磁波，相比其他普通空间电磁波，它在金属表面衰减速度快，传播距离短，波长短，局域光场强，得到广泛应用。近年来随着研究的不断深入，对SPPs的调节与控制备受关注。
根据已公开的文献报道，研究者通过在金属层表面制备相位光栅，应用光栅产生金属表面弯曲等离激元束（Minovich A, Klein A E, Janunts N, et al. Generationand near-field imaging of Airy surface plasmons[J]. Physical Review Letters,2011, 107(11): 116802.）；通过在金属表面制备纳米孔洞阵列，应用孔洞间的布拉格衍射，产生表面弯曲等离激元束（Li L, Li T, Wang S M, et al. Plasmonic Airy beamgenerated by in-plane diffraction[J]. Physical Review Letters, 2011, 107(12):126804.）；也有通过在金属表面制备计算机全息相位掩膜光栅，应用光栅产生表面弯曲等离激元束（Epstein I, Arie A. Arbitrary bending plasmonic light waves[J].Physical Review Letters, 2014, 112(2): 023903.）。这些表面弯曲等离激元束都是由平面波锥形叠加形成的，具有无衍射、自弯曲和自修复等特性，因此在生物传感、光学捕获、左手材料、亚波长光学等方面有着潜在应用价值。但是这些表面弯曲等离激元束都是在金属表面（二维平面）产生的，衰减速度快，传播距离短，不易于控制及应用。
近期研究者在金属膜上制备单缝，再在金属表面制备35个非周期凹槽结构，应用单缝激发SPPs，通过金属表面凹槽结构转换为空间艾里光束（Guan C, Ding M, Shi J, etal. Experimental observation and analysis of all-fiber plasmonic double Airybeams[J]. Optics express, 2014, 22(15): 18365-18371.）。艾里光束是一种特殊弯曲光束，它的传播轨迹为抛物线y=cx2，c是常数，它在空间传播距离可达60 μm，相对空间艾里光束，空间任意弯曲光束的光束轨迹更加多样，在更多领域有着更多的潜在应用。且空间艾里光束在制备时需在金属表面制备凹槽结构，需要用到离子束刻蚀（FIB）仪器，实验设备要求高，成本大。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的问题，提供了一种空间任意弯曲光束产生器的结构与制备方法。
本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：
一种空间任意弯曲光束产生器的结构，所述结构为金属矩形块/二氧化硅/金属/二氧化硅的四层结构，所述四层结构的基底层为二氧化硅，基底层上蒸镀金属膜，金属膜上有两条缝隙，金属膜上面蒸镀二氧化硅膜，二氧化硅膜上表面有至少10个非周期金属矩形块，其中第一个非周期金属矩形块的宽度b 为130 nm，第二个至最后一个非周期金属矩形块的宽度L均为 200～400nm，所有非周期金属矩形块的高度H为40～120nm；二氧化硅膜的厚度d 为20～100nm。
优选地，所述结构二氧化硅膜的厚度d为60nm ，金属矩形块的宽度L为260nm ，金属矩形块的高度H为80nm。
优选地，所述非周期金属矩形块的位置由关系式决定，其中，为空间任意弯曲目标曲线对应的相位函数，为两缝隙激发的SPPs经过不同级数金属矩形块后的相位函数；两相邻金属矩形块之间的距离满足函数关系，其中n为金属矩形块级数，x为金属矩形块坐标位置。
优选地，所述结构基底层二氧化硅的厚度m 为1.1 mm，折射率n 为1.45。
优选地，所述基底上的蒸镀层金属膜的厚度h 为100 nm。
优选地，所述两条缝隙的缝宽w 为130 nm，两缝隙的间距c 为 100 nm。
优选地，所述金属为金或银。
优选地，所述结构用近场显微镜测量其光场强度分布。
一种上述任一种空间任意弯曲光束产生器的结构的制备方法，包括如下步骤：
S1：甩负胶：用甩胶机在清洗过的二氧化硅基底上甩500nm厚PMMA负胶，将甩胶后的基底放在150℃的热板上烘3min，再在PMMA负胶上甩20nm厚的导电胶，得到样品1；
S2：曝光、显影、定影：将步骤S1所述样品1用电子束曝光系统曝光，
然后放入去离子水中清洗，洗掉导电胶，再放入显影液、定影液中各浸泡60s，晾干，得到样品2；
S3：垂直蒸镀金属膜：将步骤S2所述样品2放入电子束真空蒸发镀膜机中垂直镀厚度h为100nm的金属膜，得到样品3；
S4：垂直蒸镀二氧化硅膜：在步骤S3所述的样品3上垂直镀厚度d为20～100nm的二氧化硅膜；完成镀膜以后，冷却仪器，充氮后取出，得到样品4；
S5:除胶：将步骤S4所述样品4浸泡在丙酮溶液浸泡3h，去胶剥离，吹干，得到样品5；
S6：甩正胶：用甩胶机在步骤S5所述样品5上再次甩300nm厚PMMA正胶；将甩胶后的样品5放在150℃的热板上烘3min后，然后在所述 PMMA正胶上甩20nm厚的导电胶，得到样品6；
S7：再次曝光、显影、定影：用电子束曝光系统在步骤S6所述样品6表面套刻图形，曝光完成后放入去离子水中清洗，洗掉导电胶，然后放入显影液、定影液中各浸泡60s，得到样品7；
S8：再次垂直蒸镀金属膜：将步骤S7所述样品7放入电子束真空蒸发镀膜机垂直镀高度H的金属80nm；完成镀膜以后，冷却仪器，充氮气后取出，得到样品8；
S9：再次除胶：将步骤S8所述样品8在丙酮溶液浸泡3h，去胶剥离，吹干，即得到本发明的空间任意弯曲光束产生器的结构。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
1.本发明制备的金属矩形块、二氧化硅、金属、二氧化硅四层结构，通过金属膜上的两缝隙激发表面等离极化激元(SPPs),沿金属膜上表面传播，通过特定位置的非周期金属矩形块散射到空间，形成空间任意弯曲光束。
2.本发明的方法通过在金属膜表面镀厚度为d的二氧化硅膜，避免了在金属表面刻凹槽，实验设备要求相对低，易于重复使用。
3.本发明结构产生空间任意弯曲光束，光束轨迹多样，应用广，在光学光纤，生物传感，光学捕获等方面有重要应用。
附图说明
图1是本发明的空间任意弯曲光束产生器的结构的主视图。
图2是本发明的结构用COMSOL数值软件模拟的不同弯曲光束光场强度分布图。
图3是弯曲光束（f(y) = -a2y2）在y = 30μm处截面谱线图。
图4是本发明的制备方法的流程图。
图5是本发明的结构中非周期金属矩形块位置关系曲线图。金属矩形块位置由关系式决定，其中，为空间任意弯曲目标曲线对应的相位函数，为两缝隙激发的SPPs经过不同级数金属矩形块后的相位函数；两相邻金属矩形块之间的距离满足函数关系，其中n为金属矩形块级数，x为金属矩形块坐标位置。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明做进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。
实施例1：
如图1所示的本发明的空间任意弯曲光束产生器的结构的主视图。所述结构的基底选取二氧化硅材料(折射率n = 1.45)，其厚度m = 1.1 mm；基底上的蒸镀层金属膜(金)，其厚度h = 200 nm；金属膜左侧有两条缝隙，其缝宽w = 130 nm，两缝隙间距c = 100 nm；金属膜上面的蒸镀层二氧化硅，其厚度d为60nm；二氧化硅膜上表面特定位置有21个非周期金属矩形块，其中第一个金属矩形块宽b = 130 nm，高H = 80 nm；后面20个金属矩形块宽L=260nm, 高H = 80 nm。
如图5所示的本发明的结构中非周期金属矩形块位置关系曲线图。金属矩形块位置由关系式决定，其中，为空间任意弯曲目标曲线对应的相位函数，为两缝隙激发的SPPs经过不同级数金属矩形块后的相位函数；两相邻金属矩形块之间的距离满足函数关系，其中n为金属矩形块级数，x为金属矩形块坐标位置。
如图4所示的本发明的任意弯曲光束产生器的结构的制备流程图，包括以下步骤：
S1：甩负胶：用甩胶机在清洗过的二氧化硅基底上甩500nm厚PMMA负胶，将甩胶后的基底放在150℃的热板上烘3min，再在PMMA负胶上甩20nm厚的导电胶，得到样品1；
S2：曝光、显影、定影：将步骤S1所述样品1用电子束曝光系统曝光，然后放入去离子水中清洗，洗掉导电胶，再放入显影液、定影液中各浸泡60s，晾干，得到样品2；
S3：垂直蒸镀金属膜：将步骤S2所述样品2放入电子束真空蒸发镀膜机中垂直镀厚度h为100nm的金属膜，得到样品3；
S4：垂直蒸镀二氧化硅膜：在步骤S3所述的样品3上垂直镀厚度d为20～100nm的二氧化硅膜；完成镀膜以后，冷却仪器，充氮后取出，得到样品4；
S5:除胶：将步骤S4所述样品4浸泡在丙酮溶液浸泡3h，去胶剥离，吹干，得到样品5；
S6：甩正胶：用甩胶机在步骤S5所述样品5上再次甩300nm厚PMMA正胶；将甩胶后的样品5放在150℃的热板上烘3min后，然后再在所述 PMMA正胶上甩20nm厚的导电胶，得到样品6；
S7：再次曝光、显影、定影：用电子束曝光系统在步骤S6所述样品6表面套刻图形，曝光完成后放入去离子水中清洗，洗掉导电胶，然后放入显影液、定影液中各浸泡60s，得到样品7；
S8：再次垂直蒸镀金属膜：将步骤S7所述样品7放入电子束真空蒸发镀膜机垂直镀高度H的金属80nm；完成镀膜以后，冷却仪器，充氮气后取出，得到样品8；
S9：再次除胶：将步骤S8所述样品8在丙酮溶液浸泡3h，去胶剥离，吹干，即得到本发明的空间任意弯曲光束产生器的结构。
本发明的空间任意弯曲光束产生器的结构，当特定波长的光波垂直于结构背面入射，金属膜上的两缝隙可激发表面等离极化激元(SPPs),沿金属膜上表面传播，通过特定位置的非周期金属矩形块散射到空间，形成空间弯曲光束。其中第一个金属矩形块，起到了增强金属表面SPPs传播的目的。
图2是用COMSOL数值软件模拟所设计结构的不同弯曲光束光场强度分布图；图中黑线表示其强度分布的拟合曲线f(y)： (a) f(y) = -a1y1.25，(b) f(y) = -a2y2，(c) f(y)= -a3y3，(d) f(y) = -a4y4，其中a1 = 0.03 ，a2 =0.005 ，a3 =0.0003和a4 =0.0004。
图3是弯曲光束（f(y) = -a2y2）在y = 30μm处截面谱线图；其中“single slit”谱线对应结构是金属膜上有单个缝隙，金属膜表面有20个非周期凹槽；“two slits andrectangle”谱线对应金属膜上有两条缝隙，且在距离缝隙上方d = 60 nm处有21个非周期金属矩形块，即本发明的结构。由图可见，本发明的结构，产生的弯曲光束强度较大。
实施例2：
实施例2的制备方法与实施例1相同，区别之处仅在于：二氧化硅基底上的蒸镀层金属膜为银，二氧化硅膜层上蒸镀的金属矩形块为银块。
实施例3：
实施例3的制备方法与实施例1相同，区别之处仅在于：金属膜上面的蒸镀层二氧化硅，其厚度d为20nm；二氧化硅膜上表面特定位置有10个非周期金属矩形块，其中第一个金属矩形块宽b = 130 nm，高H = 80 nm；后面9个金属矩形块宽L=200nm, 高H =40 nm。
实施例4：
实施例4的制备方法与实施例1相同，区别之处仅在于：金属膜上面的蒸镀层二氧化硅，其厚度d为100nm；二氧化硅膜上表面特定位置有21个非周期金属矩形块，其中第一个金属矩形块宽b = 130 nm，高H = 80 nm；后面20个金属矩形块宽L=400nm, 高H =120 nm。
本发明制备的金属矩形块/二氧化硅/金属/二氧化硅四层结构，通过金
属膜上的两缝隙激发表面等离极化激元(SPPs),沿金属膜上表面传播，通过特定位置的非周期金属矩形块散射到空间，形成空间任意弯曲光束；本发明的方法通过在金属膜表面镀厚度为d的二氧化硅膜，避免了在金属表面刻凹槽，实验设备要求相对低，易于重复使用；本发明结构产生空间任意弯曲光束，光束轨迹多样，应用广，在光学光纤，生物传感，光学捕获等方面有重要应用。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种空间任意弯曲光束产生器的结构，其特征在于：所述结构为金属矩形块、二氧化硅、金属、二氧化硅的四层结构，所述四层结构的基底层为二氧化硅，基底层上蒸镀金属膜，金属膜上有两条缝隙，金属膜上面蒸镀二氧化硅膜，二氧化硅膜上表面有至少10个非周期金属矩形块，其中第一个非周期金属矩形块的宽度b 为130 nm，第二个至最后一个非周期金属矩形块的宽度L均为 200～400nm，所有非周期金属矩形块的高度H为40～120nm；二氧化硅膜的厚度d 为20～100nm。
2.根据权利要求1所述的空间任意弯曲光束产生器的结构，其特征在于：所述结构二氧化硅膜的厚度d为60nm ，金属矩形块的宽度L为260nm ，金属矩形块的高度H为80nm。
3.根据权利要求1所述的空间任意弯曲光束产生器的结构，其特征在于：所述结构基底层二氧化硅的厚度m 为1.1 mm，折射率n 为1.45。
4.根据权利要求1所述的空间任意弯曲光束产生器的结构，其特征在于：所述基底上的蒸镀层金属膜的厚度h 为100 nm。
5.根据权利要求1所述的空间任意弯曲光束产生器的结构，其特征在于：所述两条缝隙的缝宽w 为130 nm，两缝隙的间距c 为 100 nm。
6.根据权利要求1所述的空间任意弯曲光束产生器的结构，其特征在于：所述金属为金或银。
7.根据权利要求1所述的空间任意弯曲光束产生器的结构，其特征
在于：所述结构用近场显微镜测量其光场强度分布。
8.一种权利要求1-7中任一种空间任意弯曲光束产生器的结构的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
S1：甩负胶：用甩胶机在清洗过的二氧化硅基底上甩500nm厚PMMA负胶，将甩胶后的基底放在150℃的热板上烘3min，再在PMMA负胶上甩20nm厚的导电胶，得到样品1；
S2：曝光、显影、定影：将步骤S1所述样品1用电子束曝光系统曝光，然后放入去离子水中清洗，洗掉导电胶，再放入显影液、定影液中各浸泡60s，晾干，得到样品2；
S3：垂直蒸镀金属膜：将步骤S2所述样品2放入电子束真空蒸发镀膜机中垂直镀厚度h为100nm的金属膜，得到样品3；
S4：垂直蒸镀二氧化硅膜：在步骤S3所述的样品3上垂直镀厚度d为20～100nm的二氧化硅膜；完成镀膜以后，冷却仪器，充氮后取出，得到样品4；
S5:除胶：将步骤S4所述样品4浸泡在丙酮溶液浸泡3h，去胶剥离，吹干，得到样品5；
S6：甩正胶：用甩胶机在步骤S5所述样品5上再次甩300nm厚PMMA正胶；将甩胶后的样品5放在150℃的热板上烘3min后，然后在所述 PMMA正胶上甩20nm厚的导电胶，得到样品6；
S7：再次曝光、显影、定影：用电子束曝光系统在步骤S6所述样品6表面套刻图形，曝光完成后放入去离子水中清洗，洗掉导电胶，然后放入显影液、定影液中各浸泡60s，得到样品7；
S8：再次垂直蒸镀金属膜：将步骤S7所述样品7放入电子束真空蒸发镀膜机垂直镀高度H的金属80nm；完成镀膜以后，冷却仪器，充氮气后取出，得到样品8；
S9：再次除胶：将步骤S8所述样品8在丙酮溶液浸泡3h，去胶剥离，吹干，即得到空间任意弯曲光束产生器的结构。
CN201610533308.1A 2016-07-08 2016-07-08 一种空间任意弯曲光束产生器的结构与制备方法 Active CN106019431B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610533308.1A CN106019431B (zh) 2016-07-08 2016-07-08 一种空间任意弯曲光束产生器的结构与制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610533308.1A CN106019431B (zh) 2016-07-08 2016-07-08 一种空间任意弯曲光束产生器的结构与制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106019431A CN106019431A (zh) 2016-10-12
CN106019431B true CN106019431B (zh) 2019-06-07

Family

ID=57109721

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610533308.1A Active CN106019431B (zh) 2016-07-08 2016-07-08 一种空间任意弯曲光束产生器的结构与制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106019431B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110031924B (zh) * 2019-04-28 2021-07-23 长春理工大学 一种用于实现可调谐表面等离激元分频的方法及系统
CN111766661A (zh) * 2020-06-28 2020-10-13 武汉邮电科学研究院有限公司 一种等离激元波导的制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103308486A (zh) * 2013-05-23 2013-09-18 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 基于表面等离子体的复合谐振腔红外光子吸收器件

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009105252A (ja) * 2007-10-24 2009-05-14 Cheil Industries Inc 微細パターンの製造方法および光学素子

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103308486A (zh) * 2013-05-23 2013-09-18 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 基于表面等离子体的复合谐振腔红外光子吸收器件

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
一种金属亚波长缝槽结构的高方向性辐射研究;彭若冰等;《光电工程》;20130731;第40卷(第7期);第22页第7行至最后一行
新型纳米光子周期性结构设计及其光传输特性研究;郑改革;《信息科技辑》;20121231(第7期);第4.5节和第4.6节

Also Published As

Publication number Publication date
CN106019431A (zh) 2016-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104495742B (zh) 基于扇贝效应表面等离子体激元耦合纳米阵列加工工艺
Yan et al. Design of high-performance plasmonic nanosensors by particle swarm optimization algorithm combined with machine learning
Fowlkes et al. Hierarchical nanoparticle ensembles synthesized by liquid phase directed self-assembly
CN106019431B (zh) 一种空间任意弯曲光束产生器的结构与制备方法
Bosman et al. Light splitting in nanoporous gold and silver
CN109848565A (zh) 基于等离子体纳米结构辅助的飞秒激光纳米加工方法及系统
CN107748410B (zh) 一种近远场集成平面光学调控器件及其设计和制备方法
Gao et al. Lithographically fabricated gold nanowire waveguides for plasmonic routers and logic gates
CN106443845A (zh) 一种同心环型拓扑超透镜及其结构获取方法、制作方法
CN102260870B (zh) 一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法
Trautmann et al. Plasmon response evaluation based on image-derived arbitrary nanostructures
Wang et al. Two-photon polymerization for fabrication of metalenses for diffraction-limited focusing and high-resolution imaging
CN102134055A (zh) 利用缝隙腐蚀成形金属纳米结构的制作方法
Word et al. Mode structure of planar optical antennas on dielectric substrates
US11506881B2 (en) Method of imaging an object and a sample holder for use in an optical microscope
CN110143566A (zh) 一种三维微纳折纸结构的制备方法
Gervinskas et al. Chiral plasmonic nanostructures: experimental and numerical tools
Jeon et al. Hierarchical nanostructures created by interference of high-order diffraction beams
Fomchenkov et al. Development of subwavelength diffractive optical elements manufacturing process for photonic devices
KR101205392B1 (ko) 대면적의 플라즈모닉 결정 구조 및 그 제조방법
EP1588382A2 (de) Sonde für ein optisches nahfeldmikroskop mit verbesserter streulichtunterdrückung und verfahren zu deren herstellung
Chen Metal/multilayer-dielectric coated grating for chirped pulse amplification laser system
CN110364820A (zh) 一种三维人工电磁材料的制备方法
Jefimovs et al. Inductive grid filters for rejection of infrared radiation
Das et al. Photonic hook propagation from eccentric microcylinder

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant