KR20090038870A - 반도체 공정 툴용 필터링 시스템 - Google Patents

반도체 공정 툴용 필터링 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20090038870A
KR20090038870A KR1020097000607A KR20097000607A KR20090038870A KR 20090038870 A KR20090038870 A KR 20090038870A KR 1020097000607 A KR1020097000607 A KR 1020097000607A KR 20097000607 A KR20097000607 A KR 20097000607A KR 20090038870 A KR20090038870 A KR 20090038870A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
filter layer
filtering system
flow path
gas flow
filter
Prior art date
Application number
KR1020097000607A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101249093B1 (ko
Inventor
아나톨리 그레이퍼
올레그 피. 키쉬코비치
Original Assignee
엔테그리스, 아이엔씨.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엔테그리스, 아이엔씨. filed Critical 엔테그리스, 아이엔씨.
Publication of KR20090038870A publication Critical patent/KR20090038870A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101249093B1 publication Critical patent/KR101249093B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/02—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography
    • B01D53/04—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography with stationary adsorbents
    • B01D53/0407—Constructional details of adsorbing systems
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/02—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography
    • B01D53/04—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography with stationary adsorbents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B01D46/0027—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours with additional separating or treating functions
    • B01D46/0036—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours with additional separating or treating functions by adsorption or absorption
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B01D46/56—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours with multiple filtering elements, characterised by their mutual disposition
    • B01D46/62—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours with multiple filtering elements, characterised by their mutual disposition connected in series
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J20/00—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof
    • B01J20/02—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof comprising inorganic material
    • B01J20/20—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof comprising inorganic material comprising free carbon; comprising carbon obtained by carbonising processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J20/00—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof
    • B01J20/28—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof characterised by their form or physical properties
    • B01J20/28014—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof characterised by their form or physical properties characterised by their form
    • B01J20/28033—Membrane, sheet, cloth, pad, lamellar or mat
    • B01J20/28035—Membrane, sheet, cloth, pad, lamellar or mat with more than one layer, e.g. laminates, separated sheets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J39/00—Cation exchange; Use of material as cation exchangers; Treatment of material for improving the cation exchange properties
    • B01J39/04—Processes using organic exchangers
    • B01J39/05—Processes using organic exchangers in the strongly acidic form
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2253/00—Adsorbents used in seperation treatment of gases and vapours
    • B01D2253/10—Inorganic adsorbents
    • B01D2253/102—Carbon
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2253/00—Adsorbents used in seperation treatment of gases and vapours
    • B01D2253/20—Organic adsorbents
    • B01D2253/206—Ion exchange resins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2257/00—Components to be removed
    • B01D2257/55—Compounds of silicon, phosphorus, germanium or arsenic
    • B01D2257/553—Compounds comprising hydrogen, e.g. silanes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2257/00—Components to be removed
    • B01D2257/55—Compounds of silicon, phosphorus, germanium or arsenic
    • B01D2257/556—Organic compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2257/00—Components to be removed
    • B01D2257/70—Organic compounds not provided for in groups B01D2257/00 - B01D2257/602
    • B01D2257/708—Volatile organic compounds V.O.C.'s
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2259/00—Type of treatment
    • B01D2259/40—Further details for adsorption processes and devices
    • B01D2259/402—Further details for adsorption processes and devices using two beds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2259/00—Type of treatment
    • B01D2259/40—Further details for adsorption processes and devices
    • B01D2259/414—Further details for adsorption processes and devices using different types of adsorbents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2259/00—Type of treatment
    • B01D2259/40—Further details for adsorption processes and devices
    • B01D2259/414—Further details for adsorption processes and devices using different types of adsorbents
    • B01D2259/4141—Further details for adsorption processes and devices using different types of adsorbents within a single bed
    • B01D2259/4145—Further details for adsorption processes and devices using different types of adsorbents within a single bed arranged in series
    • B01D2259/4148—Multiple layers positioned apart from each other
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49826—Assembling or joining

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Separation Of Gases By Adsorption (AREA)
  • Filtering Of Dispersed Particles In Gases (AREA)
  • Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
  • Filtering Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 공정 툴용 필터링 시스템을 제공한다. 한 실시 양태에서, 필터링 시스템은 반도체 공정 툴과 관련된다. 본 발명의 시스템은 기체 흐름 경로와 유체 소통하는 제1 및 제2 필터 층을 포함한다. 흐름 경로는 헥사메틸디실록산 및 트리메틸실라놀과 같은 휘발성 실리카 함유 화합물을 포함하는 기체 스트림이다. 기체 흐름 경로는 제1 및 제2 필터 층을 통과하여 반도체 공정 툴과 유체 소통한다. 필터링 시스템의 제1 필터 층은 기체 흐름 경로를 따라 제2 필터 층으로부터 업스트림인 것이 바람직하다. 제1 및 제2 필터 층의 매질은 주어진 오염물 농도에 기초하여 선택되고 배치된다. 본 발명은 또한 제1 및 제2 필터 층을 포함하는 시스템을 채용하는 반도체 공정 툴과 연계하여 헥사메틸디실록산 및 트리메틸실라놀을 함유하는 기체를 필터링하기 위한 방법을 제공한다.
필터링 시스템, 반도체 공정 툴

Description

반도체 공정 툴용 필터링 시스템{FILTERING SYSTEM FOR A SEMICONDUCTOR PROCESSING TOOL}
<관련 출원의 상호 참조>
본 출원은 2006년 7월 13일에 출원된 미국 특허 출원 제60/830,737호의 우선권을 주장하며, 그 내용은 참조로 본 명세서에 포함된다.
반도체 제조 설비 내에서 기체의 전체적인 품질에 관한 우려가 점점 커지고 있다. 일반적으로, 반도체 공정 툴(semiconductor processing tool)에 사용되는 공기로부터 수율을 감소시키는 오염물질을 제거하기 위한 많은 노력이 이루어지고 있다. 예를 들면, 오염물질은 피착물 형성을 통해 반도체 공정 툴의 성능을 저해할 수 있는, 기체에 존재하는 분자상 화합물로 간주된다. 리소그래피 툴과 함께, 툴의 구성요소들을 퍼어징하고 가동하기 위해 기체가 채용된다. 휘발성 실리카 함유 화합물과 같은 이 기체 내의 오염물질은 일반적으로 리소그래피 툴 광학기기에 손상을 입힐 수 있는 정도로 존재한다.
통상적으로, 헥사메틸디실록산 및 트리메틸실라놀과 같은 휘발성 실리카 함유 화합물은 예를 들면 분자 필름을 형성하는 프로젝션 렌즈와 같은 리소그래피 툴 광학기기에 들러붙는다. 이러한 분자 필름은 빛을 물리적으로 흡수하고 산란시켜 파면 특성을 왜곡시킬 수 있다. 왜곡될 때, 리소그래피 툴 이미지는 변형되거나 또는 잘못 만들어져, 레티클 위에 정밀한 회로 패턴이 형성되는 것을 방해한다. 분자 필름을 형성하는 것 외에, 오염물질은 또한 리소그래피 툴 광학기기의 성능을 저하시킬 수 있다. 예를 들면, 헥사메틸디실록산 및 트리메틸실라놀은 불가역적으로 프로젝션 렌즈의 성능을 저하시키고, 제조 수율을 감소시킬 수 있다.
헥사메틸디실록산 및 트리메틸실라놀과 같은 휘발성 실리카 함유 화합물과 같은 오염물질은 마이크로리소그래피 툴에서 특히 우려할 만하다. 다른 통상의 리소그래피 툴 오염물질은, 브롬화수소산, 질산, 황산, 인산 또는 염산과 같은 산, 수산화 테트라메틸 암모늄, 암모니아, 수산화암모늄, 트리메틸아민, 메틸피롤리돈, 트리에틸아민, 메틸아민 시클로헥실아민, 에탄올아민, 헥사메틸디실라잔, 디메틸아민, 디메틸아미노에탄올 또는 모르폴린과 같은 염기, 탄화수소 또는 실리콘과 같은 축합물(condensables), 및 붕산, 유기인산 또는 비산염과 같은 도판트를 포함한다.
반도체 공정 툴의 기체로부터 헥사메틸디실록산 및 트리메틸실라놀을 제거하는 것은 혼합된 화학흡착 및 물리흡착 매질을 특징으로 하는 필터링 소자에 의해 종종 수행된다. 예를 들면, 이러한 필터 소자는 활성탄과 혼합된 산성 양이온 교환 수지를 포함할 수 있다. 이 화학흡착 및 물리흡착 매질로 구성되는 필터 소자는 리소그래피 툴에 장착되거나 또는 이에 결합될 수 있다. 혼합된 매질을 갖는 필터 소자의 한 가지 결점은, 매질이 상이한 속도로 소진되어, 최적 미만의 필터 소자 대체가 요구된다는 점이다. 이러한 상이한 소진 속도는 오염물질의 농도와 유형을 달리함으로써도 악화될 수 있다.
본 발명은 반도체 공정 툴용 필터링 시스템을 제공한다. 바람직하게는, 본 발명의 시스템은 기체 스트림 또는 흐름 경로를 통해 반도체 공정 툴에 공급되는 유체를 필터링한다. 한 실시 양태에서, 본 시스템은 기체 흐름 경로 내에 존재하는 오염물질을 제거하는 제1 필터 층을 포함한다. 기체 흐름 경로는 제1 필터 층을 통과하며 반도체 공정 툴과 유체 소통(fluidly communicate)한다. 게다가, 본 시스템은 제1 필터 층으로부터 업스트림으로 통과하는, 기체 흐름 경로로부터 오염물질을 제거하는 제2 필터 층을 포함한다. 필터링 소자가 상이한 속도로 소진되는 혼합 매질을 갖는 본 발명의 시스템은 상술한 결점을 극복할 수 있다.
예를 들면, 더 높은 오염물 농도의 헥사메틸디실록산 또는 트리메틸실라놀을 포함하는 기체 흐름 경로에 마이크로리소그래피 툴이 도입될 수 있다. 상기 분자상 화합물은 종래의 필터 소자에서 혼합되는 화학흡착 매질과 물리흡착 매질을 상이한 속도로 소진시킬 수 있고, 그 결과 당해 매질은 조기에 대체된다. 제2 필터 층으로부터 업스트림으로 제1 필터 층을 포함하는 본 발명의 시스템을 가짐으로써, 화학흡착 및 물리흡착 매질들이 특정 오염물 농도에 기초하여 선택되고 배치될 수 있기 때문에 이러한 조기의 매질 대체는 극복될 수 있다.
본 발명의 시스템은 휘발성 실리카 함유 화합물과 같은 오염물질을 포함하는 기체 흐름 경로와 유체 소통하는 제1 및 제2 필터 층을 포함한다. 예를 들면, 헥사메틸디실록산 및 트리메틸실라놀과 같은 휘발성 실리카 함유 화합물은 기체 흐름 내에 존재할 수 있다. 한 실시 양태에서, 기체 흐름 경로 내의 헥사메틸디실록산의 오염물 농도는 트리메틸실라놀의 오염물 농도보다 더 높다. 트리메틸실라놀과 같은 다른 휘발성 실리카 함유 화합물에 비해 헥사메틸디실록산 오염물 농도가 더 높은 경우, 제1 및 제2 필터 층은 물리흡착 및 화학흡착 매질을 각각 포함한다.
헥사메틸디실록산과 같은 다른 휘발성 실리카 함유 화합물보다 트리메틸실라놀의 오염물 농도가 더 높은 기체 흐름의 경우, 본 발명의 시스템의 제1 및 제2 필터 층은 화학흡착 및 물리흡착 매질을 각각 포함한다. 화학흡착 매질은 트리메틸실라놀에 비해 더 높은 오염물 농도의 헥사메틸디실록산을 제거할 수 있는 것이 바람직하다. 게다가, 물리흡착 매질은 또한 헥사메틸디실록산보다 더 높은 오염물 농도의 트리메틸실라놀을 제거할 수 있다.
한 실시 양태에서, 본 발명의 시스템은 물리흡착 매질을 갖는 제1 필터 층을 포함한다. 예시적인 물리흡착 매질은 활성탄을 포함할 수 있다. 물리흡착 매질의 활성탄은 처리되지 않거나 또는 처리되고 과립화될 수 있다. 본 발명의 시스템은 또한 화학흡착 매질을 포함하는 제2 필터 층을 특징으로 한다. 예를 들면, 제2 필터 층의 화학흡착 매질은 양이온 교환 수지를 포함할 수 있다. 양이온 교환 수지는 하나 이상의 산성 관능기를 포함하는 디비닐 벤젠 스티렌 공중합체와 같은 공중합체를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 시스템의 또 다른 실시 양태는 화학흡착 매질을 갖는 제1 필터 층을 포함한다. 본 발명의 시스템은 또한 물리흡착 매질을 특징으로 하는 제2 필터 층을 포함한다. 기체 흐름 경로는 이 제1 및 제2 필터 층을 통과하여 반도체 공정 툴로 도입되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 기체 흐름 경로와 유체 소통하는 반도체 공정 툴은 리소그래피, 에칭, 피착 또는 주입 툴을 포함할 수 있다. 본 발명의 시스템은 이러한 반도체 공정 툴과 관련되어 툴 내에서 순환하는 기체를 필터링할 수 있다.
본 발명은 또한 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법을 제공한다. 한 실시 양태에서, 본 방법은 제1 및 제2 필터 층을 포함하는 시스템을 제공하는 단계를 포함한다. 본 방법은 또한 기체 흐름 경로를 이 시스템에 제공하는 단계를 포함한다. 예를 들면, 기체 경로는 헥사메틸디실록산 및 트리메틸실라놀과 같은 휘발성 실리카 함유 화합물을 포함하는 기체 스트림이다. 기체 흐름 경로 내에 존재하는 오염물질은 본 시스템의 제1 및 제2 필터 층에 의해 제거된다. 기체 흐름 경로는 또한 반도체 공정 툴 동작 시 채용된다. 본 발명의 방법은 또한 예를 들면 제1 필터 층에 앞서 제2 필터 층을 통해 오염물질을 제거하는 것과 같이 임의의 적합한 순서로 수행될 수 있다.
본 발명의 다른 특징 및 이점은 또한 첨부된 도면과 함께 이하의 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이며, 각 도면의 내용은 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 필터링 시스템을 나타내는 도면.
도 2는 본 발명의 시스템의 예시적인 필터 층을 나타내는 도면.
도 3은 본 발명의 시스템의 예시적인 필터 층들을 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 시스템의 예시적인 필터 층을 나타내는 도면.
도 5는 본 발명의 시스템의 예시적인 필터 층을 나타내는 도면.
도 6은 본 발명의 시스템의 필터 층의 예시적인 필터 부재를 나타내는 도면.
도 7은 본 발명의 시스템의 필터 층의 예시적인 필터 부재를 나타내는 도면.
도 8은 본 발명의 시스템의 필터 층의 예시적인 필터 부재를 나타내는 도면.
도 9는 본 발명의 시스템의 예시적인 필터 층을 나타내는 도면.
도 10은 본 발명의 방법을 나타내는 도면.
<정의>
다르게 기술되지 않는다면, 이하의 정의는 본 명세서에서 사용되는 용어들에 대한 의미와 예를 제공한다. 이러한 정의는 또한 당업자에 의해 고려될 수 있는 모든 의미를 포함하도록 의도된다.
용어들 "오염물 농도(contaminant concentration)" 또는 "농도" 및 그 파생어는 일반적으로 공기 또는 기체와 같은 유체에 존재하는 오염물질의 정도(level)를 지칭한다. 예를 들면, 오염물질의 정도는 기체 내에 존재하는 분자상 화합물들의 중량, 양(amount), 몰, 분량(quantity), 백분율, 농도 또는 그 조합에 기초할 수 있다.
<발명의 상세한 설명>
본 발명은 반도체 공정 툴용 필터링 시스템을 제공한다. 바람직한 실시 양태에서, 필터링 시스템은 반도체 공정 툴과 관련된다. 예를 들면, 필터링 시스템은 반도체 공정 툴에 장착되거나 또는 이에 결합되도록 배치될 수 있다. 본 발명의 시스템은 기체 흐름 경로와 유체 소통하는 제1 및 제2 필터 층을 포함한다. 기체 흐름 경로는 제1 및 제2 필터 층을 통과하여 반도체 공정 툴과 유체 소통한다. 제1 필터 층은 제2 필터 층으로부터 기체 흐름 경로를 따라 업스트림이다.
본 발명의 시스템의 제1 및 제2 필터 층의 매질은, 특정 오염물 농도가 주어지면 선택되고 배치된다. 다른 휘발성 실리카 함유 화합물과 비교하여 헥사메틸디실록산의 오염물 농도가 더 높은 경우, 제1 및 제2 필터 층은 각각 물리흡착 및 화학흡착 매질을 포함하는 것이 바람직하다. 다른 휘발성 실리카 함유 화합물과 비교하여 트리메틸실라놀의 오염물 농도가 더 높은 기체 흐름의 경우, 본 시스템의 제1 및 제2 필터 층은 각각 화학흡착 및 물리흡착 매질을 포함하는 것이 바람직하다.
화학흡착 매질은 트리메틸실라놀에 비해 더 높은 오염물 농도의 헥사메틸디실록산을 제거할 수 있다. 필터링 시스템의 필터 층에 대한 예시적인 화학흡착 매질은 화학적으로 산성인 공중합체와 같은 양이온 교환 수지이다. 또한, 물리흡착 매질은 헥사메틸디실록산보다 더 높은 농도의 트리메틸실라놀을 제거할 수 있다. 필터 층에 대한 물리흡착 매질은 처리되지 않거나 또는 처리될 수 있고 과립화될 수 있는 활성탄을 포함할 수 있다. 물리흡착 매질은 결합제 물질에 의해 함께 유지될 수 있는 블록 내에 형성될 수 있다. 예시적인 물리흡착 매질은 화학적으로 산성일 수 있으며 석탄과 같은 유기 원료로부터 얻을 수 있다.
일반적으로, 기체 스트림 내에 존재하는 트리메틸실라놀은 대기 조건 하에서의 헥사메틸디실록산의 가수분해 생성물인 것으로 간주된다. 화학적으로 산성인 매질의 존재 하에, 공기와 같은 유체 내의 습윤되고 기체 상태인 헥사메틸디실록산 및 트리메틸실라놀 오염물질은 평형을 이룬다. 예시적인 평형은 약 0.5 내지 0.9 인 헥사메틸디실록산 대 트리메틸실라놀의 비를 포함한다. 이러한 비는, 이들 오염물질 트리메틸실라놀 및 헥사메틸디실록산이 유사한 비율로 통상적인 혼합 활성탄 및 양이온 교환 수지 매질을 통해 전파됨에도 불구하고, 트리메틸실라놀이 헥사메틸디실록산보다 활성탄 매질을 통해 더 신속하게 전달됨을 증명하는 데에 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 필터링 시스템을 나타낸다. 도시된 바와 같이, 본 발명의 시스템 (2)는 유체 흐름 경로 또는 스트림 (4)를 포함한다. 유체 흐름 경로 (4)는 예를 들면 기체 스트림과 같은 기체 흐름 경로인 것이 바람직하다. 한 실시 양태에서, 기체 흐름 경로는 사실상 공기이다. 시스템 (2)의 유체 흐름 경로 (4)는 공기 및 휘발성 실리카 함유 화합물과 같은 오염물질을 포함할 수 있다. 휘발성 실리카 함유 화합물의 예로는 기체상 또는 증기상 헥사메틸디실록산 및 트리메틸실라놀을 포함한다. 유체 흐름 경로 (4)는 또한 예를 들면 먼지, 보풀, 제조 부스러기 등과 같은 미립자를 포함할 수 있다.
또한, 시스템의 유체 흐름 경로 (4)는 브롬화수소산, 질산, 황산, 인산 또는 염산과 같은 산, 수산화 테트라메틸 암모늄, 암모니아, 시클로헥실아민, 수산화물, 트리메틸아민, 메틸피롤리돈, 트리에틸아민, 메틸아민, 암모늄, 에탄올아민, 디메틸아민, 모르폴린, 헥사메틸디실라잔 또는 디메틸아미노에탄올과 같은 염기, 탄화수소 또는 실리콘과 같은 축합물, 및 붕산, 유기인산 또는 비산염과 같은 도판트를 포함할 수 있다. 도시된 바와 같이, 도 1의 시스템 (2)는 또한 제1 필터 층 (6)을 포함한다. 제1 필터 층 (6)은 유체 흐름 경로 (4)와 유체 소통한다.
한 실시 양태에서, 도 1의 유체 흐름 경로는 제1 필터 층 (6)을 통과한다. 도시된 바와 같이, 유체 흐름 경로는 또한 시스템 (2)의 제2 필터 층 (8)과도 유체 소통한다. 예를 들면, 유체 흐름 경로 (4)는 제2 필터 층 (8)을 통과한다. 도 1의 시스템 (2)의 제1 (6) 및 제2 필터 층 (8)은 유체 흐름 경로 (4)로부터 오염물질을 제거할 수 있다. 제1 및 제2 필터 층은 유체 흐름 경로 (4)를 통과하며, 그 안에 존재하는 특정 휘발성 실리카 함유 화합물을 제거하기 위한 상이한 매질들을 특징으로 한다.
제1 필터 층 (6)은 제2 필터 층 (8)로부터 유체 흐름 경로 (4)를 따라 업스트림이다. 한 실시 양태에서, 제1 필터 층은 트리메틸실라놀과 비교하여 유체 흐름 경로 (4) 내의 더 높은 오염물 농도의 헥사메틸디실록산을 제거하는 물리흡착 매질을 포함한다. 본 시스템의 제2 필터 층 (8)은 흐름 경로에 존재하는, 헥사메틸디실록산보다 더 높은 농도의 트리메틸실라놀을 제거하는 화학흡착 매질을 포함할 수 있다. 대안으로, 본 발명의 시스템은 화학흡착 및 물리흡착 매질을 각각 포함하는 제1 (6) 및 제2 필터 층 (8)을 포함할 수 있다.
본 시스템 (2)는 또한 유체 흐름 경로 (4)에서 미립자들을 제거하기 위한 제3 필터 층을 포함할 수 있다. 제3 필터 층은 유체 흐름 경로 (4)를 통과하는 미립자를 유체 흐름 경로 (4)로부터 제거하는 미립자 매질을 포함한다. 제3 필터 층은 제1 (6) 또는 제2 필터 층 (8)로부터 유체 흐름 경로 (4)를 따라 업스트림 또는 다운스트림으로 배치될 수 있다. 본 시스템 (2)의 제1 (6) 및 제2 필터 층 (8)은 각각 필터 부재를 포함할 수 있다. 본 발명의 시스템에 대한 예시적인 필터 부재는 복수의 필터 소자를 포함할 수 있다.
한 실시 양태에서, 제1 및 제2 필터 부재는 복수의 벌집형 또는 주름진 필터 소자를 포함할 수 있다. 도시된 바와 같이, 도 1의 시스템 (2)는 또한 반도체 공정 툴 (10)을 포함할 수 있다. 본 시스템 (2)의 유체 흐름 경로 (4)는 이 툴 (10)과 유체 소통하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 유체 흐름 경로 (4)는 반도체 청정실에 배치되어 있는 툴 (10)과 유체 소통할 수 있다. 제1 (6) 및 제2 필터 층 (8)은 예를 들면 반도체 공정 툴 (10)에 장착되거나 또는 그에 결합되도록 배치될 수 있다. 예를 들면, 필터 층들은 툴 내로 도입되어 그 안에서 순환하는 공기를 필터링할 수 있다.
반도체 공정 툴 (10)과 관련되는 제1 (6) 및 제2 필터 층 (8)은 유체 흐름 경로 (4)로부터 휘발성 실리카 함유 화합물과 같은 오염물질을 각각 제거할 수 있다. 제1 (6) 및 제2 필터 층 (8)은 툴 (10)과 유체 소통할 수 있는 유체 흐름 경로 (4)에서 오염물질을 제거하는 것이 바람직하다. 예시적인 반도체 공정 툴은 리소그래피, 에칭, 피착 또는 주입 툴을 포함한다. 반도체 청정실의 리소그래피 툴은 본 발명의 필터링 시스템을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 툴인 것이 바람직하다.
한 실시 양태에서, 제1 또는 제2 필터 층의 화학흡착 매질은 양이온 교환 수지를 포함한다. 제1 또는 제2 필터 층의 화학흡착 매질은 화학적으로 산성일 수 있다. 화학흡착 매질은 예를 들면 기체 스트림과 같은 유체 내에 존재하는 휘발성 실리카 함유 화합물과 같은 오염물질을 제거할 수 있다. 제1 또는 제2 필터 층의 화학흡착 매질은, 오염물질을 지니는 기체 흐름 경로가 그것을 통과할 수 있도록 유체 투과성이 있다. 본 발명의 시스템은 물리흡착 매질로부터 기체 흐름 경로를 따라 업스트림 또는 다운스트림으로 화학흡착 매질을 포함할 수 있다.
본 발명의 시스템의 제1 또는 제2 필터 층은 공기로 운반되는 오염물질에 결합할 수 있는 하나 이상의 양이온 교환 수지를 포함하는 부직포 복합 재료를 채용할 수 있다. 화학흡착 매질을 포함하는 예시적인 제1 또는 제2 필터 층과 이러한 필터 층들을 제조하기 위한 방법은 일반적으로 미국 특허 번호 제6,447,584호, 제6,740,147호, 제6,610,128호 및 제6,761,753호에 개시되어 있으며, 그 내용은 참조로 본 명세서에 포함된다. 필터 층은 또한 화학흡착 매질을 부직포 복합물 또는 캐리어 재료에 건식 도포하고, 그것을 가열하고 칼렌더링(calender)함으로써 제조될 수 있다.
예를 들면, 이러한 부직포 복합 재료는 폴리에스테르일 수 있다. 한 실시 양태에서, 화학흡착 매질은 산성 관능기를 포함하는 다공성 디비닐 벤젠 스티렌 공중합체이다. 예시적인 산성 관능기는 술폰산 및 카르복실산 관능기를 포함한다. 화학흡착 매질은 약 50 내지 400 Å 범위의 기공 크기를 특징으로 할 수 있다. 게다가, 매질의 표면적은 약 20 ㎡/g보다 클 수 있다. 예를 들면, 벤젠 스티렌 공중합체의 산성 관능기는 약 1 밀리당량/g 보다 큰 산도 수준(acidity level)을 특징으로 할 수 있다.
한 실시 양태에서, 제1 또는 제2 필터 층은 예를 들면 부직포, 섬유 매트릭스 또는 폴리에스테르 재료와 같은 재료 전체에 걸쳐 분산되어 있는 화학흡착 매질 입자를 포함할 수 있다. 필터 층의 화학흡착 매질 입자는 양이온 교환 수지를 포함할 수 있는 것이 바람직하다. 예를 들면, 이들 매질 입자는 화학적으로 산성일 수 있다. 이러한 매질 입자는 약 0.3 내지 1.2 ㎜의 예시적인 입도를 특징으로 할 수 있다. 게다가, 화학흡착 매질 입자는 예를 들면, 다공률과 평균 기공 직경이 각각 약 0.3 ㎖/g 및 250 Å일 수 있다.
본 발명의 시스템의 제1 또는 제2 필터 층의 화학흡착 매질은 공기 스트림 내의 기체상 또는 증기상 분자상 화합물을 제거하는 데에 특히 유용하다. 게다가, 화학흡착 매질은 예를 들면 미립자가 매질의 기공보다 크기가 큰 경우, 기체 스트림으로부터 미립자를 제거할 수 있다. 또 다른 실시 양태에서, 본 발명의 시스템의 제1 또는 제2 필터 층은 물리흡착 매질을 포함할 수 있다. 예시적인 물리흡착 매질은 활성탄이다. 활성탄은 일반적으로 미국 특허 번호 제5,607,647호 및 제5,582,865호에 개시되어 있으며, 그 내용은 참조로 본 명세서에 포함된다.
본 발명의 시스템의 제1 또는 제2 필터 층의 물리흡착 매질은 처리되지 않은 활성탄을 포함한다. 물리흡착 매질은, 대안으로는, 미국 특허 번호 제5,834,114호에 개시되어 있는 것과 같은 합성 탄소 재료를 포함할 수 있으며, 그 내용이 참조로 본 명세서에 포함된다. 예시적인 합성 탄소 재료는 또한 물리흡착 매질용 활성탄과 함께 사용될 수 있다. 한 실시 양태에서, 물리흡착 매질을 포함하는 필터 층은, 기체 스트림 내에 존재하는 휘발성 실리카 함유 화합물과 같은 오염물질을 제거할 수 있는, 처리되지 않았으며 과립화된 활성탄을 포함한다.
제1 또는 제2 필터 층의 물리흡착 매질은 오염물질을 지니는 기체 흐름 경로 가 그것을 통과할 수 있도록 유체 투과성이 있다. 본 발명의 시스템은 화학흡착 매질로부터 기체 흐름 경로를 따라 업스트림 또는 다운스트림으로 물리흡착 매질을 포함할 수 있다. 물리흡착 매질을 포함하는 제1 또는 제2 필터 층은, 기체 스트림과 같은 유체 내에 존재하는 헥사메틸디실록산과 비교하여 더 높은 오염물 농도의 트리메틸실라놀을 제거할 수 있는 것이 바람직하다. 제1 또는 제2 필터 층의 물리흡착 매질은 또한 예를 들면 미립자의 크기가 매질 기공의 크기보다 더 클 경우, 기체 스트림으로부터 미립자를 제거할 수 있다.
한 실시 양태에서, 본 발명의 시스템의 필터 층은 임의의 적합한 길이, 폭 또는 두께 치수를 특징으로 할 수 있다. 필터 층의 치수는 소정의 반도체 공정 툴에 사용하도록 선택되거나 또는 이에 사용하도록 알맞은 것이 바람직하다. 게다가, 필터 층은 또한 각각 필터 부재를 포함할 수 있다. 예를 들면, 필터 부재는 약 1인치의 주름 간격을 갖는 복수의 주름진 필터 소자를 포함할 수 있다. 필터 부재 주름 간격은 기체 스트림 내에 존재하는 오염물질의 농도와 유형에 좌우될 수 있다. 필터 층은 또한 비드형 매질(beaded media) 또는 입자를 포함하는 베드를 포함할 수 있다.
필터링 시스템은 또한 필터 층이 유지 보수 또는 대체를 언제 필요로 하는지를 알아내는 탐지 장치를 포함할 수 있다. 이러한 장치의 예시적인 유형은 일반적으로 미국 특허 번호 제6,207,460호, 제6,096,267호, 및 제6,296,806호에 개시되어 있으며, 그 내용은 참조로 본 명세서에 포함된다. 탐지 장치는 본 발명의 시스템의 기체 흐름 경로와 유체 소통하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 이 장치는 반도 체 공정 툴 내에서 순환하고 있는 오염물질과 미립자의 농도를 평가할 수 있다. 이 농도는, 휘발성 실리카 함유 화합물이 소정의 임계치를 초과했을 때 필터 층의 유지 보수 또는 대체에 관한 선택사항을 평가할 수 있도록 필터 층의 성능을 나타낼 수 있다.
본 발명의 시스템의 필터 층은 또한 필터 층의 성능을 평가하는 모니터링 디바이스와 유체 소통하기 위한 샘플링 포트를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 샘플링 포트는 제1 및 제2 필터 층 사이에 배치될 수 있다. 샘플링 포트로 유체 소통하는 모니터링 디바이스는 임의의 적합한 유형일 수 있다. 예시적인 디바이스로는 집선기(concentrator), 크로마토그래프, 분광계, 탐지기 또는 이들의 조합이 있다. 본 발명의 시스템의 필터 층은 미립자 또는 오염물질을 기체 스트림으로부터 부분적으로, 거의 또는 완전히 필터링할 수 있다.
게다가, 본 발명의 시스템의 필터 층은 임의의 적합한 구성 유형일 수 있다. 예를 들면, 필터 층은 매질 유지를 위한 스크린 또는 천공 재료를 갖는 금속 보관고(metal enclosure)와 같은 통상적인 트레이 및 랙 장치(tray and rack apparatus)를 포함할 수 있다. 상술한 바와 같이, 본 발명의 시스템의 필터 층은 벌집형 소자를 포함하거나 또는 형성할 수 있다. 예시적인 벌집형 소자는 또한 부분적으로 또는 완전히 채워진 벌집형 유형의 구조에 의해 유지되는 화학흡착 또는 물리흡착 매질을 포함할 수 있다. 한 실시 양태에서, 필터 층은 모노리식 다공성 구조 또는 벌집형 유형의 구조를 포함할 수 있다.
대안으로, 본 발명의 시스템의 제1 또는 제2 필터 층은 주름진 소자를 포함 하는 통상적인 공기 필터 내에 배치된 직포 또는 부직포 중합체 섬유의 매트일 수 있다. 도 2는 본 발명의 시스템의 예시적인 필터 층을 나타낸다. 도시된 바와 같이, 필터 층 (16)의 프레임 (14)의 양 표면에 주름진 소자 (12)가 노출되어 있다. 한 실시 양태에서, 필터 층 (16)은 통상적인 또는 변형된 적층 구조로 사용될 수 있다. 예를 들면, 필터 층은 이러한 적층 구성으로 기존의 필터 층들을 편리하게 대체하는 데에 적합한 치수를 특징으로 할 수 있다.
도 3은 본 발명의 시스템의 예시적인 제1 및 제2 필터 층을 나타낸다. 도시된 바와 같이, 제1 (18) 및 제2 필터 층 (20)은 서로 소통하도록 배치될 수 있다. 예를 들면, 제1 필터 층 (18)은 제2 필터 층 (20)의 표면 상에 배치될 수 있다. 제1 및 제2 필터 층은 또한 커버 시트를 포함할 수 있다. 도 3에서, 제2 필터 층 (20)은 커버 시트 (22)를 특징으로 한다. 커버 시트 (22)는 폴리에스테르 부직포 재료일 수 있다. 제1 및 제2 필터 층은 휘발성 실리카 함유 화합물과 같은 오염물질을 제거하기 위한 화학흡착 및 물리흡착 매질을 포함하는 것이 바람직하다.
도 4는 본 발명의 시스템의 예시적인 필터 층을 나타낸다. 도시된 바와 같이, 필터 층 (24)는 커버 시트 (26)을 포함한다. 한 실시 양태에서, 커버 시트는 폴리에스테르 부직포 재료를 포함한다. 필터 층 (24)는 화학흡착 및 물리흡착 매질을 포함하는 것이 바람직하다. 도 5는 또한 본 발명의 시스템의 예시적인 필터 층을 나타낸다. 도시된 바와 같이, 필터 층 (28)은 제1 (30) 및 제2 커버 시트 (32)를 포함한다. 필터 층 (28)은 또한 제1 커버 시트 (30) 상에 배치된 몸체부 ( (34)를 포함한다.
본 발명의 시스템의 필터 층의 예시적인 커버 시트는, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리프로필렌 또는 이들의 임의의 조합과 같은 필터링 또는 비필터링 부직포 재료를 포함할 수 있다. 예를 들면, 필터링 부직포 재료를 포함하는 커버 시트는 그것을 통과하는 기체 스트림 내에 존재하는 미립자를 제거할 수 있다. 커버 시트는 또한 벌집형 소자 또는 주름진 소자를 유지하는 데에 사용될 수 있다. 게다가, 커버 시트는, 예를 들면 술폰화 디비닐 벤젠 스티렌 공중합체를 포함하는 활성탄 또는 비드와 같은 소정의 매질을 유지할 수 있다. 필터 층의 커버 시트는 예를 들면 폴리에스테르 또는 폴리프로필렌과 같은 화학적으로 비활성인 재료를 포함할 수 있는 것이 바람직하다.
예를 들면, 본 발명의 시스템의 필터 층은 임의의 적합한 용기 또는 골격(framework)에 의해 유지될 수 있다. 이러한 용기 또는 골격은 또한 필터 층의 대체를 용이하게 하는 데에 유용하다. 상술한 바와 같이, 필터 층은 주름진 소자를 갖는 필터 부재를 포함할 수 있다. 주름진 소자는 필터 부재의 표면적을 증가시켜, 그것을 통과하는 기체 흐름 경로 내에 존재하는 미립자 또는 오염물질을 제거하는 것을 도울 수 있다. 도 6은 본 발명의 시스템의 필터 층의 예시적인 필터 부재를 나타낸다. 도시된 바와 같이, 필터 부재 (36)은 복수의 주름진 소자 (38)을 포함한다. 주름진 소자들 (38) 각각은 화학흡착 또는 물리흡착 매질을 포함한다.
도 7은 본 발명의 시스템의 필터 층의 예시적인 필터 부재를 나타낸다. 도시된 바와 같이, 필터 부재 (40)은 복수의 소자 (42)를 포함한다. 소자들 (42)는 아코디언 유형의 구조 (44) 내로 주름져 있는 것이 바람직하다. 구조 (44)는 기체 스트림이 통과하는 전면 (48)과 후면 (50)을 갖는 용기 (46)에서 유지될 수 있다. 게다가, 도 8은 본 발명의 시스템의 필터 층의 예시적인 필터 부재를 나타낸다. 도 8에서는 복수의 소자 (54)를 포함하는 필터 부재 (52)를 도시한다. 한 실시 양태에서, 소자들 (54)는 용기 (56) 내에서 순차적으로 주름이 잡혀 다단계 필터링을 위한 복수의 아코디언 유형의 구조 (58)을 제공한다.
한 실시 양태에서, 본 발명의 시스템의 필터 층은 이온 교환 수지를 포함할 수 있다. 이러한 이온 교환 수지는 약 300 ㎖/g 보다 높은 다공률을 특징으로 할 수 있다. 본 발명의 시스템의 필터 층의 교환 수지는 약 1.8 밀리당량/g의 화학적으로 산성인 사이트의 농도를 갖는 양이온 교환 수지일 수 있는 것이 바람직하다. 예를 들면, 필터 층의 교환 수지는 약 45 ㎡/g의 표면적을 포함할 수 있다. 필터 층의 예시적인 수지는 상표명 앰벌리스트(AMBERLYST)(미국 19106 펜실베니아주 필라델피아 인디펜던스 몰 웨스트, 100에 위치한 로옴 앤 하스 사)로 시판되고 있다.
본 발명의 시스템의 필터 층들은 비슷한 사용 기간에 걸쳐 소진하도록 제조될 수 있는 것이 바람직하다. 예를 들면, 본 발명은 유지 보수 또는 대체를 동시에 필요로 하는 필터 층들의 사용을 상정한다. 한 실시 양태에서, 화학흡착 매질을 포함하는 필터 층은 물리흡착 매질을 특징으로 하는 층보다 더 얇게 제조될 수 있는데, 이는 물리흡착 매질이 화학흡착 매질에 앞서 소진하는 경향이 있기 때문이다. 비슷한 사용 기간에 걸쳐 소진하는 필터 층들을 채용하는 필터링 시스템은 임의의 발생할 수 있는 중단 시간을 통합함으로써 소요 비용을 줄일 수 있다.
도 9는 본 발명의 시스템의 예시적인 필터 층을 나타낸다. 한 실시 양태에서, 필터 층 (62)는 고 표면적 필터 부재를 포함한다. 게다가, 필터 층 (62)는 화학흡착 또는 물리흡착 매질 및 결합제형 재료를 포함할 수 있다. 필터 층 (62)는 미국 특허 번호 제 5,204,055호, 제5,340,656호 및 제5,387,380호에 일반적으로 개시된 바대로 제조될 수 있으며, 그 내용은 참조로 본 명세서에 포함된다. 고 표면적 필터 부재를 포함하는 필터 층은 예를 들면 복합 재료 (64) 상에 배치된 매질을 포함하는 것이 바람직하다. 결합제형 재료는 또한 매질에 도입되어 그 결합을 도울 수 있다.
도 10은 본 발명의 방법을 나타낸다. 본 방법이 수행되어 반도체 공정 툴과 소통할 수 있는 공기를 포함하는 유체 흐름 경로와 같은 기체 스트림을 필터링한다. 도시된 바와 같이, 방법 (66)은 본 발명의 필터링 시스템이 제공되는 단계 (68)을 포함한다. 본 발명의 시스템은 제1 및 제2 필터 층을 포함하는 것이 바람직하다. 방법 (66)은 또한 유체 흐름 경로가 필터링 시스템에 제공되는 단계 (70)를 포함한다. 예를 들면, 유체 흐름 경로는 휘발성 실리카 함유 화합물과 같은 오염물질과 미립자를 포함하는 기체 스트림일 수 있다.
한 실시 양태에서, 방법 (66)은 유체 흐름 경로 내에 존재하는 오염물질들이 제1 필터 층에 의해 유체 흐름 경로로부터 제거되는 단계 (72)를 포함한다. 예를 들면, 흐름 경로는 헥사메틸디실록산 및 트리메틸실라놀과 같은 휘발성 실리카 함유 화합물을 포함하는 공기 스트림일 수 있다. 도시된 바와 같이, 도 10의 방법 (66)은 유체 흐름 경로 내에 존재하는 오염물질들이 제2 필터 층에 의해 유체 흐름 경로로부터 제거되는 단계 (74)를 포함한다. 제1 및 제2 필터 층은 화학흡착 매질과 물리흡착 매질을 각각 포함하는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 시스템의 제1 및 제2 필터 층의 매질들은 주어진 특정의 오염물 농도에 따라 선택되고 배치된다. 다른 휘발성 실리카 함유 화합물과 비교하여 헥사메틸디실록산 오염물 농도가 더 높은 경우, 제1 및 제2 필터 층은 각각 물리흡착 및 화학흡착 매질을 포함하는 것이 바람직하다. 다른 휘발성 실리카 함유 화합물보다 트리메틸실라놀 오염물 농도가 더 높은 유체 흐름 경로의 경우, 본 시스템의 제1 및 제2 필터 층은 각각 화학흡착 및 물리흡착 매질을 포함하는 것이 바람직하다.
도 10의 방법 (66)은 또한 유체 흐름 경로가 반도체 공정 툴에 도입되는 단계 (76)을 포함한다. 이 가공 툴은 반도체 청정실에 배치되는 것이 바람직하다. 상술한 바와 같이, 유체 흐름 경로는 이 툴과 유체 소통한다. 예를 들면, 유체 흐름 경로는 마이크로리소그래피 툴과 같은 리소그래피 툴과 유체 소통할 수 있다. 도 10의 방법 (66)은 또한 예를 들면 제1 필터 층에 앞서 제2 필터 층을 통해 오염물질을 제거하는 것과 같이, 임의의 적합한 순서로 수행될 수 있다.
본 발명이 바람직한 실시 양태와 함께 본 명세서에서 설명되었지만, 당업자들은 전술한 명세서의 내용을 읽은 후 본 명세서에 설명된 시스템 또는 방법에 대해 변경, 동등물의 대체 및 다른 유형의 변형을 행할 수 있다. 상술한 각각의 실시 양태는 또한 나머지 실시 양태들 중 임의의 것 또는 모든 양태들에 관하여 개시된 바와 같은 그러한 변동을 포함하거나 또는 도입할 수 있다. 따라서, 이에 관하 여 전매 특허증에 의해 허가되는 보호는 첨부된 특허청구범위 및 그것의 임의의 동등물에 포함된 정의에 의해서만 그 폭과 범위가 제한되고자 한다.

Claims (76)

  1. 오염물질을 포함하고 트리메틸실라놀보다 더 높은 오염물 농도의 헥사메틸디실록산을 포함하는 기체 흐름 경로와 유체 소통(fluidly communicate)하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템이며,
    기체 흐름 경로를 통과하는 오염물질들을 기체 흐름 경로로부터 제거하고, 트리메틸실라놀보다 더 높은 오염물 농도의 헥사메틸디실록산을 제거할 수 있는 제1 필터 층; 및
    기체 흐름 경로로부터 오염물질들을 제거하는 제2 필터 층
    을 포함하고, 기체 흐름 경로는 제1 필터 층으로부터 업스트림으로 제2 필터 층을 통과하는, 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 기체 흐름 경로가 공기를 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 제2 필터 층이 헥사메틸디실록산보다 더 높은 오염물 농도의 트리메틸실라놀을 제거할 수 있는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  4. 제1항에 있어서, 제1 필터 층이 물리흡착 매질을 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  5. 제4항에 있어서, 물리흡착 매질이 활성탄을 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  6. 제1항에 있어서, 제2 필터 층이 화학흡착 매질을 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  7. 제6항에 있어서, 화학흡착 매질이 양이온 교환 수지를 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  8. 제7항에 있어서, 양이온 교환 수지가 디비닐 벤젠 스티렌 공중합체를 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  9. 제8항에 있어서, 디비닐 벤젠 스티렌 공중합체가 산성 관능기를 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  10. 제9항에 있어서, 산성 관능기가 술폰산 관능기를 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  11. 제10항에 있어서, 산성 관능기가 카르복실산 관능기를 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  12. 제1항에 있어서, 제1 필터 층이 제1 필터 부재를 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  13. 제12항에 있어서, 제1 필터 부재가 벌집형 소자들을 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  14. 제12항에 있어서, 제1 필터 부재가 주름진 소자들을 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  15. 제1항에 있어서, 제2 필터 층이 제2 필터 부재를 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  16. 제15항에 있어서, 제2 필터 부재가 벌집형 소자들을 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  17. 제15항에 있어서, 제2 필터 부재가 주름진 소자들을 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  18. 제1항에 있어서, 반도체 공정 툴이 리소그래피 툴인 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  19. 제18항에 있어서, 리소그래피 툴이 마이크로리소그래피 툴인 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  20. 오염물질을 포함하고 헥사메틸디실록산보다 더 높은 오염물 농도의 트리메틸실라놀을 포함하는 기체 흐름 경로와 유체 소통하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템이며,
    기체 흐름 경로를 통과하는 오염물질들을 기체 흐름 경로로부터 제거하고, 헥사메틸디실록산보다 더 높은 오염물 농도의 트리메틸실라놀을 제거할 수 있는 제1 필터 층; 및
    기체 흐름 경로로부터 오염물질들을 제거하는 제2 필터 층
    을 포함하고, 기체 흐름 경로는 제1 필터 층으로부터 업스트림으로 제2 필터 층을 통과하는, 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  21. 제20항에 있어서, 기체 흐름 경로가 공기를 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  22. 제20항에 있어서, 제2 필터 층이 트리메틸실라놀보다 더 높은 오염물 농도의 헥사메틸디실록산을 제거할 수 있는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  23. 제20항에 있어서, 제1 필터 층이 화학흡착 매질을 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  24. 제23항에 있어서, 화학흡착 매질이 양이온 교환 수지를 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  25. 제24항에 있어서, 양이온 교환 수지가 디비닐 벤젠 스티렌 공중합체를 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  26. 제25항에 있어서, 디비닐 벤젠 스티렌 공중합체가 산성 관능기를 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  27. 제26항에 있어서, 산성 관능기가 술폰산 관능기를 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  28. 제27항에 있어서, 산성 관능기가 카르복실산 관능기를 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  29. 제20항에 있어서, 제2 필터 층이 물리흡착 매질을 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  30. 제29항에 있어서, 물리흡착 매질이 활성탄을 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  31. 제20항에 있어서, 제1 필터 층이 제1 필터 부재를 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  32. 제31항에 있어서, 제1 필터 부재가 벌집형 소자들을 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  33. 제31항에 있어서, 제1 필터 부재가 주름진 소자들을 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  34. 제20항에 있어서, 제2 필터 층이 제2 필터 부재를 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  35. 제34항에 있어서, 제2 필터 부재가 벌집형 소자들을 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  36. 제34항에 있어서, 제2 필터 부재가 주름진 소자들을 포함하는 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  37. 제20항에 있어서, 반도체 공정 툴이 리소그래피 툴인 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  38. 제37항에 있어서, 리소그래피 툴이 마이크로리소그래피 툴인 반도체 공정 툴용 필터링 시스템.
  39. 필터링 시스템을 제공하는 단계;
    기체 흐름 경로를 필터링 시스템에 제공하는 단계 - 기체 흐름은 더 높은 오염물 농도의 헥사메틸디실록산 또는 트리메틸실라놀을 포함함 -;
    필터링 시스템의 제1 필터 층을 통해 기체 흐름 경로로부터 더 높은 농도의 오염물질을 제거하는 단계; 및
    필터링 시스템의 제2 필터 층을 통해 기체 흐름 경로로부터 더 낮은 농도의 오염물질을 제거하는 단계
    를 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  40. 제39항에 있어서, 반도체 공정 툴의 동작 시 기체 흐름 경로를 채용하는 단 계를 더 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  41. 제39항에 있어서, 기체 흐름 경로를 통과하는 오염물질들을 기체 흐름 경로로부터 제거하고, 트리메틸실라놀보다 더 높은 오염물 농도의 헥사메틸디실록산을 제거하는 제1 필터 층; 및 기체 흐름 경로로부터 오염물질들을 제거하는 제2 필터 층을 나타내는 필터링 시스템을 제공하는 단계를 더 포함하고, 기체 흐름 경로가 제1 필터 층으로부터 업스트림으로 제2 필터 층을 통과하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  42. 제39항에 있어서, 공기 흐름을 필터링 시스템으로 흐르게 하는 단계를 더 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  43. 제39항에 있어서, 헥사메틸디실록산보다 더 높은 오염물 농도의 트리메틸실라놀을 제거하는 제2 필터 층으로 필터링하는 단계를 더 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  44. 제39항에 있어서, 물리흡착 매질을 포함하는 제1 필터 층으로 기체 흐름을 필터링하는 단계를 더 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  45. 제44항에 있어서, 활성탄을 포함하는 물리흡착 매질로 기체 흐름을 필터링하는 단계를 더 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  46. 제39항에 있어서, 화학흡착 매질을 포함하는 제2 필터 층으로 기체 흐름을 필터링하는 단계를 더 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  47. 제46항에 있어서, 양이온 교환 수지를 포함하는 화학흡착 매질을 제공하는 단계를 더 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  48. 제47항에 있어서, 디비닐 벤젠 스티렌 공중합체를 포함하는 양이온 교환 수지를 제공하는 단계를 더 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  49. 제39항에 있어서, 산성 관능기를 갖는 디비닐 벤젠 스티렌 공중합체를 포함하는 제2 필터로 필터링하는 단계를 더 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  50. 제49항에 있어서, 산성 관능기가 술폰산 관능기를 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  51. 제49항에 있어서, 산성 관능기가 카르복실산 관능기를 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  52. 제39항에 있어서, 제1 필터 층이 제1 필터 부재를 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  53. 제52항에 있어서, 제1 필터 부재가 벌집형 소자들을 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  54. 제52항에 있어서, 제1 필터 부재가 주름진 소자들을 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  55. 제39항에 있어서, 제2 필터 층이 제2 필터 부재를 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  56. 제55항에 있어서, 제2 필터 부재가 벌집형 소자들을 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  57. 제55항에 있어서, 제2 필터 부재가 주름진 소자들을 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  58. 제39항에 있어서, 반도체 공정 툴이 리소그래피 툴인, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  59. 제58항에 있어서, 리소그래피 툴이 마이크로리소그래피 툴인, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  60. 제39항에 있어서, 기체 흐름 경로를 통과하는 오염물질들을 기체 흐름 경로로부터 제거하고, 헥사메틸디실록산보다 더 높은 오염물 농도의 트리메틸실라놀을 제거하는 제1 필터 층; 및 기체 흐름 경로로부터 오염물질들을 제거하는 제2 필터 층을 제공하는 단계를 더 포함하고, 기체 흐름 경로가 제1 필터 층으로부터 업스트림으로 제2 필터 층을 통과하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  61. 제60항에 있어서, 기체 흐름 경로가 공기를 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  62. 제60항에 있어서, 제2 필터 층이 트리메틸실라놀보다 더 높은 오염물 농도의 헥사메틸디실록산을 제거할 수 있는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하 는 방법.
  63. 제60항에 있어서, 제1 필터 층이 화학흡착 매질을 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  64. 제60항에 있어서, 화학흡착 매질이 양이온 교환 수지를 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  65. 제64항에 있어서, 양이온 교환 수지가 디비닐 벤젠 스티렌 공중합체를 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  66. 제65항에 있어서, 디비닐 벤젠 스티렌 공중합체가 산성 관능기를 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  67. 제66항에 있어서, 산성 관능기가 술폰산 관능기를 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  68. 제66항에 있어서, 산성 관능기가 카르복실산 관능기를 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  69. 제60항에 있어서, 제2 필터 층이 물리흡착 매질을 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  70. 제69항에 있어서, 물리흡착 매질이 활성탄을 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  71. 제69항에 있어서, 제1 필터 층이 제1 필터 부재를 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  72. 제60항에 있어서, 제1 필터 부재가 벌집형 소자들을 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  73. 제69항에 있어서, 제1 필터 부재가 주름진 소자들을 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  74. 제60항에 있어서, 제2 필터 층이 제2 필터 부재를 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  75. 제74항에 있어서, 제2 필터 부재가 벌집형 소자들을 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
  76. 제60항에 있어서, 제2 필터 부재가 주름진 소자들을 포함하는, 반도체 공정 툴과 연계하여 기체를 필터링하는 방법.
KR1020097000607A 2006-07-13 2007-07-13 반도체 공정 툴용 필터링 시스템 KR101249093B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US83073706P 2006-07-13 2006-07-13
US60/830,737 2006-07-13
PCT/US2007/016011 WO2008008497A1 (en) 2006-07-13 2007-07-13 Filtering system for a semiconductor processing tool

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090038870A true KR20090038870A (ko) 2009-04-21
KR101249093B1 KR101249093B1 (ko) 2013-04-01

Family

ID=38704806

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097000607A KR101249093B1 (ko) 2006-07-13 2007-07-13 반도체 공정 툴용 필터링 시스템

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7922791B2 (ko)
EP (1) EP2040820B1 (ko)
JP (1) JP2009543678A (ko)
KR (1) KR101249093B1 (ko)
CN (2) CN101489649B (ko)
TW (1) TWI417130B (ko)
WO (1) WO2008008497A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230393522A1 (en) * 2022-06-03 2023-12-07 Fujifilm Business Innovation Corp. Minute-particle trapping device and image forming apparatus

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2406703A1 (en) 2000-05-05 2001-11-15 Extraction Systems, Inc. Filters employing both acidic polymers and physical-adsorption media
EP3119498B1 (en) 2014-03-19 2023-05-31 Entegris, Inc. Filter stack and method for replacing filters in a filter stack
TWI695017B (zh) * 2018-11-12 2020-06-01 濾能股份有限公司 羧酸聚合物作為氣態醇類去除材料的用途以及用於去除氣態醇類的濾網結構
WO2023192620A1 (en) * 2022-03-31 2023-10-05 Entegris, Inc. Photocatalytic airborne molecular contamination removal system enhanced with passive adsorption

Family Cites Families (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3019127A (en) 1957-10-07 1962-01-30 American Air Filter Co Filtering medium and method of making the same
NL241315A (ko) 1958-07-18
US3409691A (en) 1966-02-01 1968-11-05 Dow Chemical Co Porous cation exchange resins as selective sorbents in organic systems
US3607706A (en) 1967-08-04 1971-09-21 Ionics Method of making stable laminated cation-exchange membranes
USRE29410E (en) 1970-05-23 1977-09-20 C. Weinberger & Co., Ltd. Process for manufacturing of deodorizing air filters
GB1373388A (en) 1970-12-24 1974-11-13 Teijin Ltd Thermoplastic polymer fibres
JPS568901Y2 (ko) 1975-07-23 1981-02-26
US4135896A (en) 1975-12-11 1979-01-23 Cvi Corporation Gas purifier having rechargeable adsorber filter with removeable rechargeable sample canister
US4055075A (en) 1976-04-08 1977-10-25 Flanders Filters, Inc. Method and apparatus for the leak testing of filters
JPS5414478A (en) 1977-07-04 1979-02-02 Kurashiki Boseki Kk Method of uniformly pushing powdery substance to porous material
US4313832A (en) 1980-06-12 1982-02-02 Rohm And Haas Company Method for treatment of aqueous solutions with ion exchange fibers
US4322230A (en) 1980-09-08 1982-03-30 Donaldson Company, Inc. Unitized gas-particulate filter and housing
IT1179369B (it) 1984-05-15 1987-09-16 Ital Idee Srl Gruppo filtrante multiplo, particolarmente per impianti di aerazione e condizionamento per autoveicoli e ambienti chiusi, munito di mezzi di controllo dell'efficienza
US5133864A (en) 1985-09-16 1992-07-28 The Dow Chemical Company Filters employing particulate porous polymers
JPS63119233A (ja) 1986-11-07 1988-05-23 Hitachi Ltd Ｘ線転写装置
AU598606B2 (en) 1986-11-27 1990-06-28 Unitika Ltd. Adsorptive fiber sheet
US4760423A (en) 1987-03-12 1988-07-26 Savin Corporation Apparatus and method for reducing hydrocarbon emissions from a liquid-based electrophotographic copying machine
US5143552A (en) 1988-03-09 1992-09-01 Tokyo Electron Limited Coating equipment
EP0335034A1 (en) 1988-03-30 1989-10-04 Uop An integrated process for the removal of sulfur compounds from fluid streams
DE3813563C2 (de) 1988-04-22 2002-01-17 Mhb Filtration Gmbh & Co Kg Adsorptionsfilter mit hoher Luftdurchlässigkeit
US5023654A (en) 1988-10-31 1991-06-11 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Thermal fixing device for image recording apparatus
JP2736662B2 (ja) 1988-11-04 1998-04-02 東芝セラミックス株式会社 半導体ウェーハの曇防止装置
US5626820A (en) 1988-12-12 1997-05-06 Kinkead; Devon A. Clean room air filtering
US5582865A (en) 1988-12-12 1996-12-10 Extraction Systems, Inc. Non-woven filter composite
IT1229757B (it) 1989-05-18 1991-09-10 Fabrizio Mariani Filtro per la bonifica dell'aria, particolarmente studiato per uffici, abitazioni e ambienti industriali.
JP2954236B2 (ja) 1989-07-05 1999-09-27 保夫 横井 エアーフィルターの製造方法
US4946480A (en) 1989-09-27 1990-08-07 Hauville Francois P Filter apparatus with improved filtration and saturation level detector
US5130743A (en) 1989-10-23 1992-07-14 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Image forming apparatus having means for indicating timing of heat-fixing filter
US5204055A (en) 1989-12-08 1993-04-20 Massachusetts Institute Of Technology Three-dimensional printing techniques
US5387380A (en) 1989-12-08 1995-02-07 Massachusetts Institute Of Technology Three-dimensional printing techniques
US5219464A (en) 1990-10-09 1993-06-15 Tokyo Electron Limited Clean air apparatus
US5181819A (en) 1990-10-09 1993-01-26 Tokyo Electron Sagami Limited Apparatus for processing semiconductors
US5328758A (en) 1991-10-11 1994-07-12 Minnesota Mining And Manufacturing Company Particle-loaded nonwoven fibrous article for separations and purifications
US5166530A (en) 1991-12-20 1992-11-24 General Signal Corporation Illuminator for microlithographic integrated circuit manufacture
US5200554A (en) 1992-01-21 1993-04-06 Nasman Jan Anders H Bisphosphonic acid derivatives and their use
US5430303A (en) 1992-07-01 1995-07-04 Nikon Corporation Exposure apparatus
US5306321A (en) 1992-07-07 1994-04-26 Donaldson Company, Inc. Layered air filter medium having improved efficiency and pleatability
JPH0763578B2 (ja) 1992-08-04 1995-07-12 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 環状アルキレンカーボネートの洗気による削減方法
JPH0663333A (ja) 1992-08-21 1994-03-08 Sumitomo Chem Co Ltd 空気浄化システム
JP3238495B2 (ja) 1992-11-02 2001-12-17 日本原子力研究所 クリーンルーム内の微量汚染空気の浄化方法
JPH06198123A (ja) 1992-11-05 1994-07-19 Toshiba Eng & Constr Co Ltd 気体の清浄化方法および気体ろ過用フィルタ
JP2818693B2 (ja) 1992-11-18 1998-10-30 ヘキスト・セラニーズ・コーポレーション 固定された粒子物質を含有する繊維状構造物およびその製造方法
US5399377A (en) 1992-12-31 1995-03-21 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Borazine oligomers and composite materials including boron nitride and methods of making the same
US5290345A (en) 1993-01-13 1994-03-01 Donaldson Company, Inc. Refillable gas adsorption bed assembly and counterflow adsorber module
DE69424569T2 (de) 1993-01-25 2001-01-18 Daikin Industries, Ltd. Poröser Film aus Polytetrafluoroethylen
US5514196A (en) 1993-02-04 1996-05-07 Tokyo Electron Limited Air cleaning apparatus
JP3334929B2 (ja) 1993-02-04 2002-10-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
KR100242530B1 (ko) 1993-05-18 2000-02-01 히가시 데쓰로 필터장치
US5647356A (en) 1993-07-28 1997-07-15 Donaldson Company, Inc. Respirator cartridge with sealing fit test structure and method of use
JP3448670B2 (ja) 1993-09-02 2003-09-22 株式会社ニコン 露光装置及び素子製造方法
US5772738A (en) 1993-11-30 1998-06-30 Purex Co., Ltd. Multifunctional air filter and air-circulating clean unit with the same incorporated therein
US5607647A (en) 1993-12-02 1997-03-04 Extraction Systems, Inc. Air filtering within clean environments
US5462485A (en) 1993-12-03 1995-10-31 Extraction Systems, Inc. Controlling air quality
DE4407149B4 (de) 1994-03-04 2006-06-29 Mhb Filtration Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung einer mehrlagigen Adsorptionsfilterschicht
SE515506C2 (sv) 1994-06-17 2001-08-20 Mhb Filtration Gmbh & Co Kg Luktfilter för ventilationsutloppshuvar
SE509743C2 (sv) 1994-06-17 1999-03-01 Bluecher Hasso Von Adsorptionsfilterskikt
JPH0824534A (ja) 1994-07-18 1996-01-30 Ebara Corp 再生可能な空気清浄用イオン交換フィルタユニット及びそれを用いる空気清浄方法
US5685895A (en) 1994-08-10 1997-11-11 Nikon Corporation Air cleaning apparatus used for an exposure apparatus
US5675752A (en) 1994-09-15 1997-10-07 Sony Corporation Interactive applications generator for an interactive presentation environment
TW288051B (ko) 1994-11-22 1996-10-11 Ebara Corp
JPH08168628A (ja) 1994-11-29 1996-07-02 Piyuaretsukusu:Kk 多機能エアフィルター及び該フィルターが組込まれた空気循環式クリーンユニット
US5856198A (en) 1994-12-28 1999-01-05 Extraction Systems, Inc. Performance monitoring of gas-phase air filters
SE9501369D0 (sv) 1995-04-12 1995-04-12 Curt Lindhe Konsult & Foervalt Multiple filter unit
JP3346680B2 (ja) 1995-05-11 2002-11-18 株式会社西部技研 湿気交換用吸着体
US5833726A (en) 1995-05-26 1998-11-10 Extraction System, Inc. Storing substrates between process steps within a processing facility
US5834114A (en) 1995-05-31 1998-11-10 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Coated absorbent fibers
KR100197335B1 (ko) * 1995-12-22 1999-06-15 윤종용 반도체 장치의 가스 세정기 및 이를 이용한 필터링법
KR100197900B1 (ko) 1996-07-24 1999-06-15 윤종용 반도체 청정실용의 공기조화시스템
US5743927A (en) 1996-07-31 1998-04-28 Donaldson Company, Inc. Air filter element; assembly; and, method
JPH10165730A (ja) 1996-12-16 1998-06-23 Takasago Thermal Eng Co Ltd ガス状不純物吸着フィルタ
US6096267A (en) 1997-02-28 2000-08-01 Extraction Systems, Inc. System for detecting base contaminants in air
US5928792A (en) 1997-05-01 1999-07-27 Millipore Corporation Process for making surface modified porous membrane with perfluorocarbon copolymer
US6033573A (en) 1997-05-29 2000-03-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Agriculture Activated nutshell carbons from agricultural waste
US5964927A (en) 1997-07-11 1999-10-12 Donaldson Company, Inc. Adsorption apparatus
US6056805A (en) 1997-08-15 2000-05-02 Guardian Environmental Technologies, Inc. Method and apparatus for the absorption of non-polar organic molecules on hydrocarbon block copolymers
US6068685A (en) 1997-10-15 2000-05-30 Saes Pure Gas, Inc. Semiconductor manufacturing system with getter safety device
US6013821A (en) * 1998-06-25 2000-01-11 Abbott Laboratories Removal of silylated compounds from solvent and gas waste streams
US6352579B1 (en) 1998-08-05 2002-03-05 Toray Industries, Inc. Chemical filter unit and gas purification system
ATE258460T1 (de) 1998-08-20 2004-02-15 Extraction Systems Inc Filter das poröse stark saure polymere enthält
DE19844167A1 (de) 1998-09-25 2000-04-06 Ticona Gmbh Aktivkohlefilter
AU1324700A (en) 1998-11-03 2000-05-22 Donaldson Company Inc. Gas chemical filter having compression mechanism; and methods
DE19859788C1 (de) 1998-12-23 2000-03-23 Draeger Sicherheitstech Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Anzeige der Erschöpfung eines Gasfilters
US6207460B1 (en) 1999-01-14 2001-03-27 Extraction Systems, Inc. Detection of base contaminants in gas samples
CA2406703A1 (en) * 2000-05-05 2001-11-15 Extraction Systems, Inc. Filters employing both acidic polymers and physical-adsorption media
US7540901B2 (en) 2000-05-05 2009-06-02 Entegris, Inc. Filters employing both acidic polymers and physical-adsorption media
JP2001317000A (ja) * 2000-05-08 2001-11-16 Osaka Gas Co Ltd 活性炭含有紙およびエアフィルター
KR100797202B1 (ko) 2000-06-23 2008-01-23 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 손상된 실리카 유전 필름에 소수성을 부여하는 방법 및 손상된 실리카 유전 필름 처리 방법
US6533847B2 (en) 2001-02-13 2003-03-18 Donaldson Company, Inc. Adsorption apparatus
US7264648B1 (en) * 2003-06-19 2007-09-04 Applied Filter Technology, Inc. Removing siloxanes from a gas using a segmented filtration system customized to the gas composition
US7132011B2 (en) * 2003-09-02 2006-11-07 Entegris, Inc. Reactive gas filter
KR200446239Y1 (ko) 2009-02-24 2009-10-09 (주)에스티에스테크놀로지 반도체 산업용 가스 여과필터

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230393522A1 (en) * 2022-06-03 2023-12-07 Fujifilm Business Innovation Corp. Minute-particle trapping device and image forming apparatus
US11966195B2 (en) * 2022-06-03 2024-04-23 Fujifilm Business Innovation Corp. Minute-particle trapping device and image forming apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
CN101489649B (zh) 2013-09-11
EP2040820B1 (en) 2019-03-27
US7922791B2 (en) 2011-04-12
TWI417130B (zh) 2013-12-01
EP2040820A1 (en) 2009-04-01
WO2008008497A1 (en) 2008-01-17
WO2008008497A9 (en) 2008-05-02
US20090320681A1 (en) 2009-12-31
KR101249093B1 (ko) 2013-04-01
JP2009543678A (ja) 2009-12-10
CN101489649A (zh) 2009-07-22
CN102698560A (zh) 2012-10-03
TW200815091A (en) 2008-04-01
CN102698560B (zh) 2015-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5607647A (en) Air filtering within clean environments
KR100639280B1 (ko) 다공성의 강산성 중합체를 채용한 필터
TWI515035B (zh) 可再生皺褶式過濾器媒介
JP5269586B2 (ja) 制御環境を有するレチクルｓｍｉｆポッド
JP5595627B2 (ja) 酸性ポリマーと物理吸着媒体の両方を使用するフィルター
KR101249093B1 (ko) 반도체 공정 툴용 필터링 시스템
US7540901B2 (en) Filters employing both acidic polymers and physical-adsorption media
TWI674141B (zh) 流體化顆粒狀吸收床過濾器
EP3400086B1 (en) Styrene-acrylonitrile fine fibers, filter media, recirculation filters, and methods
JP4369629B2 (ja) ケミカルフィルタ用濾材およびケミカルフィルタユニット
JP3981386B2 (ja) 基材又は基板表面の汚染を防止する方法及び装置
JP3552140B2 (ja) 気体の清浄化方法及びその装置
JPH078752A (ja) 清浄気体の調製方法および調製装置
JPH06285318A (ja) 濾紙とこれを利用したエアーフィルタ
EP1402943B1 (en) Filters employing porous strongly acidic polymers
EP4422778A1 (en) Chemical filter assemblies
TW201929937A (zh) 使用功能性材料的空氣分子污染酸去除過濾器
JP2006066929A (ja) 基材又は基板表面の汚染を防止する方法及び装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180226

Year of fee payment: 6