KR20090035569A - 길이가 긴 가요성 회로 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR20090035569A
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리차드 엘. 임켄
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쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니
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Abstract

긴 가요성 회로를 제조하는 방법이 개시된다. 긴 회로들 중 일부는 단일 포토이미징 마스크를 사용하여 제조될 수 있다. 이 방법에 의해 제조된 가요성 회로가 또한 개시된다.
가요성 회로, 포토이미지, 마스크, 패턴, 포토레지스트, 기판

Description

길이가 긴 가요성 회로 및 그 제조 방법{LONG LENGTH FLEXIBLE CIRCUITS AND METHOD OF MAKING SAME}
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2006년 8월 3일에 출원된 미국 가특허 출원 제60/821,366호의 우선권을 주장한다.
본 발명은 길이가 긴 가요성 회로 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
가요성 회로(flexible circuits)는 전형적으로 폴리에스테르(PET), 폴리이미드(PI), 또는 액정 중합체(LCP)와 같은 가요성 중합체 필름 상에 구리(Cu), 니켈(Ni), 주석(Sn), 은(Ag) 또는 금(Au)과 같은 적어도 하나의 금속 층으로 구성된다. 고성능 응용의 경우, 주요 금속 층은 통상 구리이고 필름 층은 폴리이미드이다.
가요성 회로의 제조는 인접 층에 치밀하게 접촉하는 여러 유전성 및 도전성 물질층의 생성을 포함한다. 이들 층 중 적어도 하나의 층은 그 층에 물질을 선택적으로 도입하거나 그로부터 물질을 제거함으로써 패터닝될 수 있다. 패턴은 포토리소그래픽 공정에 의해 생성될 수 있다. 예컨대, 포토레지스트 물질층은 패터닝될 층의 표면에 도포된다. 원하는 패턴 형태의 투명 및 불투명 영역을 갖는 포토 툴(phototool)이 포토레지스트를 자외선 광에 선택적으로 노출시키는데 사용된다. 광은 포토레지스트의 부분을 네거티브 포토레지스트의 경우에서와 같이 노출된 영역에서 가교결합 반응시키거나, 포지티브 포토레지스트의 경우에서와 같이 노출된 영역에서 중합체 구조를 파괴하도록 반응시킬 것이다. 포토레지스트의 원하는 부분은 적절한 용제에 의해 제거될 수 있다. 노출된 하부 영역은 서브트랙티브 처리(subtractive processing)의 경우에는 에칭될 수 있거나, 또는 애디티브 처리(additive processing)의 경우에는 추가될 수 있다. 어떤 경우에도 층은 패터닝된다.
포토리소그래픽 공정은 우수한 특징부의 분해능(feature resolution)을 갖는 가요성 회로의 생성을 가능하게 할 뿐만 아니라, 제조 공정의 높은 작업 처리(throughput)를 가능하게 한다. 서로 다른 패턴들이 서로 다른 층에 적용되는 경우, 포토툴은 포토레지스트 층 상에 정확하게 정렬되어야 한다. 포토툴은 이 포토리소그래픽 공정 동안에 포토툴이 포토레지스트와 접촉하여 배치될 때 클램핑 또는 진공에 의해 포토레지스트에 고정될 수 있다.
몇몇 가요성 회로 응용은 포토이미징 공정의 치수 능력을 초과하는 회로를 필요로 한다. 포토이미징 장비는 전형적으로 최대의 정의된 개구 크기, 예컨대, 30 ㎝(12 인치) × 30 ㎝(12 인치) 또는 46 ㎝(18 인치) × 61 ㎝(24 인치)를 갖는다. 즉, 노출될 수 있는 최대 단일 치수는 이들 포토이미징 툴에서 사용되는 패터닝 마스크의 크기에 의해 규정된다. 몇몇 디자인은 이 능력 이상의 치수를 필요로 할 수 있거나 또는 회로를 제조하기 위해서 포토이미징 영역의 보다 양호한 이용을 필요로 할 수 있다.
본 발명의 일 태양은 포토레지스트 층을 갖는 유전체 기판을 제공하는 단계와, 포토이미징 마스크를 통해 포토레지스트의 제1 부분을 UV 광에 노출시키는 단계와, 유전체 기판을 전진시키고 포토이미징 마스크를 통해 포토레지스트의 제2 부분을 UV 광에 노출시키는 단계를 포함하고, 포토레지스트의 제2 부분은 포토레지스트의 제1 부분과 중첩되고, 포토이미징 마스크는 회로의 정렬된 섹션들로 패터닝되는 방법을 제공한다.
본 발명의 다른 태양은 포토이미징 마스크의 주축에 대해 각을 이루어 배열된 복수의 회로 세그먼트를 포함하는 패턴을 갖는 포토이미징 마스크를 포함하는 용품을 제공한다.
본 발명의 한 가지 이점은, 다수의 포토이미징 마스크를 사용할 필요 없이, 별개의 종단 접속부 또는 중간 특징부를 갖는 긴 (예컨대, 포토이미징 마스크의 임의의 치수보다 긴) 가요성 회로를 제조할 수 있다는 것이다. 이는 이러한 회로를 보다 낮은 비용으로 생산할 수 있고 회로를 보다 작고 보다 정확하게 제어되는 특징부의 크기로 제조할 수 있게 한다.
본 발명의 다른 특징 및 이점은 다음의 도면, 상세한 설명 및 실시예로부터 명백할 것이다.
도 1은 본 발명과 함께 사용하기에 적합한 장비를 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 방법 실시예를 도시한 도면.
도 3A 및 도 3B는 본 발명의 포토이미징 마스크 실시예를 도시한 도면.
도 4는 도 3A의 포토이미징 마스크를 이용한 본 발명의 방법 실시예를 도시한 도면.
가요성 회로의 제조는 치밀하게 접촉하는 여러 유전성 및 도전성 물질층의 생성을 포함한다. 이들 층 중 적어도 하나는, 윈도우, 비아 등과 같은 유전체 필름에 회로 트레이스(trace) 또는 특징부를 형성하기 위해 그 층에 물질을 선택적으로 도입하거나 그로부터 물질을 제거함으로써, 패터닝될 수 있다. 패턴은 포토리소그래픽 공정에 의해 생성될 수 있다. 원하는 패턴의 이미지는 UV 광을 원하는 패턴을 갖는 포토툴을 통해 패터닝될 층과 접촉하는 적합한 수용체 물질, 예컨대 포토레지스트 상에 조사함으로써 생성된다.
포토툴은 크롬, 산화크롬 등과 같은 패터닝된 UV-불투명 물질이 표면 상에 있는 유리, 수정 등과 같은 UV-투명 기본 물질을 포함한다. UV-수용체 물질은 전형적으로 포토레지스트이다. 예컨대, 포토레지스트 물질층은 패터닝될 가요성 회로 층의 표면 상에 도포된다. 포토툴을 통과한 UV 광은 포토레지스트에 의해 흡수된다. 광은 포토레지스트의 노출된 부분을 네거티브 포토레지스트의 경우에서와 같이 가교결합 반응시키거나, 해중합 반응(depolymerization reaction)이 포지티브 포토레지스트의 경우에서와 같이 노출된 영역에서 중합체 구조를 파괴하도록 할 것이다. 다음으로, 포토레지스트의 원하는 부분은 적절한 용제에 의해 제거될 수 있 다. 가요성 회로는 미국 특허 제5,227,008호, 제6,177,357호, 또는 제6,403,211호에 설명된 것과 같은 종래 방법에 의해 처리될 수 있다. 예컨대, 노출된 하부 영역은 서브트랙티브 처리 또는 유전 패터닝의 경우에 에칭될 수 있거나, 또는 애디티브 처리의 경우에 물질이 추가될 수 있다.
가요성 회로는 전형적으로, 금속 스퍼터링, 레지스트 적층, 레지스트 노출, 레지스트 현상, 에칭 및 도금과 같은 여러 절차를 포함하는 애디티브 또는 서브트랙티브 공정, 또는 이 두 공정의 조합을 이용하여 제조된다. 이러한 절차의 시퀀스는 제조되는 특별한 회로에 대해 원하는 대로 변경될 수 있다.
적합한 서브트랙티브 공정에서, 유전체 기판이 먼저 제공된다. 유전체 기판은, 예컨대 약 10 ㎛ 내지 약 600 ㎛의 두께를 갖는 폴리에스테르, 폴리이미드, 액정 중합체, 염화 폴리비닐, 아크릴레이트, 폴리카보네이트, 또는 폴리올레핀으로 제조된 중합체 필름일 수 있다. 유전체 기판은 기판의 일면 또는 양면에 증착된 크롬, 니켈-크롬 또는 다른 도전성 금속의 선택적인 결합 층을 가지며, 주요 도전성 층(예컨대, 구리(Cu), 금(Au), 팔라듐 (Pd), 백금(Pt), 은(Ag), 주석(Sn) 및 그 합금)의 증착이 이어진다. 선택적으로, 증착된 도전성 금속 층(들)은 알려진 전기도금 또는 무전해 도금 공정에 의해 원하는 두께까지 추가로 도금될 수 있다. 대안적으로, 적합한 적층물은 접착제로 금속박을 기판에 접착시킴으로써 형성될 수 있다. 도전성 금속 층은 각종 포토리소그래피 방법, 예컨대 포토툴을 이용한 UV 노출과, LDI(레이저 다이렉트 이미지) 또는 다른 다이렉트 이미징 방법을 포함한 다수의 잘 알려진 방법에 의해 패터닝될 수 있다.
다음으로, 네거티브나 포지티브의 수성 또는 용제-처리가능 포토레지스트가 표준 적층 또는 코팅 기술을 이용하여 이 기판의 적어도 한 면 상에 적층 또는 코팅된다. 그 후, 포토레지스트는 마스크 또는 포토툴을 통해 적어도 한 면이 자외선 광 등에 노출된다. 네거티브 포토레지스트의 경우, 노출된 부분은 가교결합된 다음으로, 포토레지스트의 노출되지 않은 부분이 적절한 용제로 현상된다.
그 다음, 적절한 식각제를 이용하여 금속 및 결합 층의 노출된 부분이 에칭된다. 원하는 경우, 포토레지스트의 패턴을 적용, 가교결합 및 현상시킨 다음에 가교결합된 레지스트에 의해 덮이지 않은 유전체 기판의 부분들을 에칭함으로써 유전체 필름은 기판에 특징부를 형성하도록 에칭될 수 있다. 이는 원래의 얇은 도전성 금속 층의 일정한 영역을 노출시키거나 구멍을 통해 투명부(clean)를 생성한다. 그 후, 레지스트는 회로로부터 벗겨진다.
커버코팅(covercoat)이 필요한 경우, 공정의 다음 단계는 커버코팅을 회로의 적어도 한 면에 배치하는 단계를 포함한다. 커버코팅은 표준 코팅 또는 적층 기술을 이용하여 단일 단계 또는 두 개의 개별 단계로 하나 또는 두 표면에 도포될 수 있다. 커버코팅은 선택적 도금 영역을 생성하거나, 회로를 밀봉하거나, 또는 개구 또는 에지 경계를 생성함으로써 노출된 영역을 정의하는데 사용될 수 있다.
회로 부분을 형성하는 다른 가능한 방법은 세미-애디티브 도금(semi-additive plating) 및 다음의 전형적인 단계적 시퀀스를 이용한다.
유전체 기판은 결합 층으로 코팅될 수 있다. 얇은 제1 도전성 층이 증착된다. 유전체 기판 및 도전성 금속 층에 대한 증착 방법, 물질 및 두께는 이전에 설 명된 바와 같을 수 있다.
도전성 금속 층을 패터닝하는데 포토그래피가 사용되면, 수성 또는 용제 기반일 수 있고 네거티브 또는 포지티브 포토레지스트일 수 있는 포토레지스트가 이전에 설명된 바와 같이 표준 적층 기술을 이용하여 금속-코팅된 유전체 기판의 적어도 일 면 상에 도포, 노출 및 현상된다. 이어서, 원하는 회로 두께가 얻어질 때까지 표준 전기도금 또는 무전해 도금 방법을 이용하여 도전성 금속 층(들)의 노출된 부분이 더 도금될 수 있다.
다음으로, 레지스트의 가교결합된 노출된 부분이 적층물의 양면으로부터 벗겨진다. 후속하여, 원래의 얇은 제1 도전성 및 결합 층이 적합한 식각제로 노출된 부분에서 에칭된다. 그 후, 원하는 경우, 회로는 이전에 설명된 바와 같이 추가로 처리될 수 있다.
회로 부분을 형성하는 다른 가능한 방법은, 서브트랙티브-애디티브법이라고 하는 서브트랙티브 및 애디티브 도금과 다음의 전형적인 단계적 시퀀스의 조합을 이용한다.
유전체 기판은 선택적인 결합 층으로 코팅될 수 있다. 다음으로, 얇은 제1 도전성 층이 증착된다. 유전체 기판 및 도전성 금속 층에 대한 증착 방법, 물질 및 두께는 이전 단락에서 설명된 바와 같을 수 있다.
도전성 금속 층을 패터닝하는데 포토그래피가 사용되면, 네거티브 또는 포지티브 수성 또는 용제 처리가능 포토레지스트가 이전에 설명된 바와 같이 표준 적층 기술을 이용하여 금속-코팅된 유전체 기판의 적어도 한 면에 도포, 노출 및 현상된 다. 포토레지스트가 금속 층에 대한 원하는 패턴의 포지티브 패턴을 형성하면, 금속 및 결합 층의 노출된 부분이 적합한 식각제를 사용하여 에칭된다. 다음으로, 레지스트의 노출된 (가교결합된) 부분이 적층물의 양면으로부터 벗겨진다. 원하는 경우, 회로는 이전에 설명된 바와 같이 추가로 처리될 수 있다.
가요성 회로를 제조하는 롤 투 롤(roll-to-roll) 공정에서는, (공정 내의 여러 지점에서, 금속 층, 포토레지스트 층 및 다른 선택적인 층을 포함하는) 기판이 특정 기능을 수행하는 장비를 통해 이동함에 따라, 위에서 설명된 단계들 중 일부 또는 전부가 연속적으로 실행된다. 원하는 회로 패턴을 형성하기 위해 포토이미징가능 포토레지스트를 노출시키는 단계에 대하여, 기판은 도 1에 도시된 것과 같은 포토이미징 장비를 통해 단계적이고 반복적인 방식으로 전진된다.
도 1은 본 발명의 방법을 수행하는데 사용될 수 있는 장치의 구조를 도시한다. 기판 웨브(102)는 롤러(104) 상에 배치된다. 롤러(104)는 기판 웨브(102)를 감거나 풀어서 기판 웨브(102)의 표면의 서로 다른 영역이 노출되도록 한다. 기판 웨브(102)는 적어도 유전 층, 금속 층 및 포토레지스트 층을 포함한다.
광원(106)은 UV 광(108)을 생성한다. 마스크(112)는 전형적으로, 제조되어야 하는 회로의 패턴의 네거티브 또는 포지티브 이미지를 갖는 고정된 치수의 크롬-코팅된 유리 또는 아트워크(artwork) 필름이다. 마스크(112)는 UV 광(108)의 일부를 반사 또는 흡수하고, UV 광(108)의 일부를 기판 웨브(102)의 포토레지스트 층 상으로 투과시킨다.
기판 웨브(102)는 기판 웨브(102)의 일 부분이 마스크(112)에 의해 기판 웨 브(102) 쪽을 향하는 UV 광(108)의 일부에 노출되도록 위치된다. 롤러(104)는 기판 웨브 기판(102)을 감거나 풀어서, 기판 웨브(102)의 다른 부분들이 마스크(112)를 통해 기판 웨브(102) 쪽을 향하는 패터닝된 UV 광(108)에 노출된다. 따라서, 마스크(112)에 포함된 회로 패턴이 기판 웨브(102)의 노출된 포토레지스트에 생성된다. 이 노출이 일어난 후, 넓은 웨브(102)는 넓은 포토레지스트 웨브(102)의 인접 영역이 패터닝될 수 있도록 전진된다. 마스크(112)에서 패턴의 크기보다 긴 연속 회로를 제조하기 위해, 넓은 웨브(102)의 인접 섹션들에서 노출된 포토레지스트의 부분은 연속 패턴을 형성하기 위해 중첩된다. 회로 패턴에 더하여, 마스크(112)는 기점 마크 패턴(fiducial mark pattern)을 포함할 수 있다. 기점 마크 패턴은 회로 패턴 영역 외부에 있는 기판 웨브(112) 상의 포토레지스트의 일부가 UV 광(108)에 노출되도록 한다.
UV 광은 대부분의 건식 필름 포토레지스트에서 색상 변화 또는 잠재적인 이미지 특징부를 야기시킬 것이다. 광에 노출될 때, 이들 포토레지스트 내의 염료는 색을 변화시키는데, 전형적으로 검게 한다. 그 후, 이러한 색상 변화는 일본 토레이 엔지니어링(Toray Engineering)의 상품명 TE 3800-03로 입수 가능한 것과 같은 몇몇 포토이미징 장비에서 제공되는 광학 인식 및 정렬 메커니즘에 의해 검출될 수 있다. 대안적으로, 색상 변화 또는 잠재적인 이미징을 검출할 수 없는 포토이미징 장비의 경우, 기판 웨브(102)에는 포토이미징 공정 전에 레이저 가공, 펀칭, 또는 에칭되는 기점이 새겨질 수 있다. 그러나, 이러한 해결법은 이전의 포토이미징 노출로부터의 잠재적인 이미지 기점이 사용되는 광학 정렬 방법보다 덜 정확할 수 있 다.
따라서, 기판 웨브(102)가 기판 웨브(102) 상의 포토레지스트의 인접 섹션이 패터닝되도록 다음 위치로 전진함에 따라, 센서(120)는 포토레지스트에서 기점 마크를 감지하고 UV 광(108)에 대하여 기판 웨브(102)를 정렬시켜 연속 회로 패턴을 생성한다. 바람직하게, 기점을 사용하면, 바람직하지 않은 오프셋 또는 오정렬이 제거되어, 도체의 직선 에지에서 불연속이 초래될 수 있다.
본 발명의 일 태양에서, 도 2에 도시된 바와 같이, 웨브 하류 방향에 대해 각을 이루어 긴 회로 디자인을 배향함으로써, 여러 인접 섹션들로 구성된 긴 회로를 생성하기 위해 회로의 섹션들(204)을 중첩시키는 것이 가능하다. 도 2는 포토이미징 스테이션을 통해 이동할 때의 기판 웨브(202)를 도시한다. 도 2의 세그먼트 A는 포토이미징 마스크(212)를 통해 UV 광에 노출되는 기판 웨브(202)의 다음 섹션이다. 세그먼트 B는 포토이미징 마스크(212)로 덮이고, 마스크(212)를 통해 현재 UV 광에 노출되고 있다. 기판 웨브(202)의 세그먼트 C, D 및 E 상의 포토레지스트는 이미 포토이미징되어 있다. 결과적인 회로의 길이는 회로 패턴의 각도 알파(그 예가 도 4에서 식별됨)에 따라 좌우된다. 각은 0° 내지 90°일 수 있다. 대부분의 응용예에서, 가장 적합한 각은 약 25° 내지 약 65°일 것이다. 회로 패턴(216)은 별개의 헤드 및 테일 종단 접속부를 갖는 단일 완성 회로 패턴을 나타낸다. 도 2에서의 완성 회로 패턴은 204의 4개의 섹션들을 가로지른다. 단지 하나 또는 두 개의 별개의 섹션들, 예컨대, 헤드 및 테일 종단 접속부, 헤드 종단 접속부 및 중간 특징부, 또는 테일 종단 접속부만을 갖는 회로 패턴이 원하는 개수만큼 의 섹션들(204)에 걸칠 수 있으며, 따라서 원하는 만큼 길어질 수 있다. 중간 특징부는 회로의 길이를 따라 한 지점에서 종단 접속 연결부를 포함할 수 있다. 회로의 길이 및 폭은 또한 노출 세그먼트의 개수뿐만 아니라 회로를 수용할 수 있는 각도 범위에 영향을 줄 것이다. 도면들이 평행 배열된 선형 회로 섹션들을 도시하나, 회로 섹션들은 선형일 필요가 없고 섹션들은 평행하게 배열될 필요가 없다. 예컨대, 하나 이상의 회로 섹션들은 만곡되거나 각진 섹션들을 포함할 수 있고, 회로 섹션들은 원하는 회로가 형성되도록 하는 임의의 방식으로 배열될 수 있다.
회로가 섹션마다 다른 특징부를 갖고 있으면, 적절한 패턴이 기판 웨브 상의 포토레지스트의 특정 섹션에 형성되도록 마스크는 변경될 수 있다. 이는, 예컨대, 긴 회로가 별개의 종단 접속부 및/또는 중간 특징부를 가질 때 필요할 수 있다.
마스크의 변경은 생산 속도를 떨어뜨리기 때문에, 종단 접속부 및/또는 중간 특징부를 갖는 길이가 긴 회로를 제조하는데 사용될 수 있는 단일 마스크를 갖는 것이 바람직하다. 본 발명의 일 태양에 따라, 일 단부 또는 양 단부에서 종단 접속 특징부를 갖는 개구 크기보다 긴 회로를 제공하기 위해 단일 마스크를 사용하는 것이 가능하다.
도 3A는 다단계 노출된 회로를 제조하는데 적합한 포토이미징 마스크(112)의 특징부의 일부를 도시한다. 도 3A는 포토-노출 시 어두워지는 네거티브 포토레지스트를 패터닝하는데 사용될 수 있는 포토이미징 마스크(112)를 도시한다. 패턴 마스크는 세미-애디티브 방식으로 도금되고 이어서 원래 금속화된 표면의 노출된 부분을 제거하기 위해 에칭될 금속화된 기판 상에 포토레지스트를 패터닝하는데 적 합하다. 도 3A에서, 어두운 특징부는 마스크의 크롬이 덮인 부분을 나타낸다. 마스크(112) 상의 어두운 특징부 아래의 포토레지스트의 영역은 UV 광(108)에 노출되지 않을 것이고, 후속하여 이들 현상된 영역 아래의 금속화된 기판의 부분을 노출시키기 위해 현상될 것이다.
회로 패턴은, 도시된 바와 같이, 3개의 구성요소인, 헤드 종단 접속부(305)를 갖는 헤드 섹션(304), 중간 섹션(306) 및 테일 종단 접속부(309)를 갖는 테일 섹션(308)을 갖는다. 이들 섹션들은, 기판 웨브가 노출 기점(310)과 정렬 기점(312) 간의 거리만큼 단계별로 나아갈 때, 중첩되거나 연결된다. 노출 기점(310)은 크롬이 덮인 영역(310")에 의해 둘러싸인 투명 영역(즉, 크롬 없는 영역)(310')이다. 정렬 기점(312)은 크롬이 덮인 영역(312")에 의해 둘러싸인 크롬 없는 영역(312')이다. 노출 기점(310)은 정렬 기점(320)보다 크기가 작다. 노출이 일어날 때, UV 광은 잠재적인 이미지(311)를 형성하기 위해 노출 기점(310)에서 포토레지스트를 어둡게 한다. 기판 웨브가 전진되고 포토이미징될 다음 섹션이 광원(106) 및 마스크(112) 아래에 위치되면, 잠재적인 이미지(311)가 마스크(112)에서 정렬 기점(312) 내에 정렬되어 이는 정렬 기점(312)을 통해 광학적으로 인식될 수 있다. 마스크(112)에 정렬 기점(312)을 형성하는 투명 영역은 이전의 포토이미징 노출에 의해 생성된 잠재적인 이미지(311)의 비디오 캡처를 보장하기 위해 노출 기점(312)을 마스크(112)에 형성하는 투명 영역보다 크다. 단계 길이(314)는 각각의 포토이미징 단계들 사이에서 기판 웨브가 전진하는 거리이다. 화살표 A는 기판 웨브가 전진하는 방향을 나타낸다.
도 3B는 포토-노출시 어두워지는 네거티브 포토레지스트를 패터닝하는데 사용될 수 있는 포토이미징 마스크(112)의 대안 실시예를 도시한다. 패턴 마스크는 서브트랙티브 방식으로(subtractively) 에칭될 금속화된 기판 상에 포토레지스트를 패터닝하는데 적합하다. 도 3B에서, 어두운 특징부는 마스크의 크롬이 덮인 부분을 나타낸다. 마스크(112) 상의 어두운 특징부 아래의 포토레지스트의 영역은 UV 광(108)에 노출되지 않을 것이고, 후속하여 이들 현상된 영역 아래의 금속화된 기판의 부분을 노출시키기 위해 현상될 것이다. 노출 기점(310) 및 정렬 기점(312)은 각각 크롬 없는 영역(310', 312')을 갖고 있으나, 크롬이 덮인 영역을 필요로 하지 않는데, 이는 마스크(112)의 인접 영역들이 이미 크롬으로 덮여 있기 때문이다.
잠재적인 이미지(311)를 생성하는 대안으로서, 광학적으로 인식될 수 있는 다른 특징부가 마스크(112) 아래 기판 웨브를 정렬하는데 사용될 수 있다. 적합한 특징부는 예컨대 포토이미징 공정 전에 웨브의 특징부를 레이저 가공, 펀칭, 또는 에칭함으로써 사전 형성되는 특징부를 포함한다.
회로는 둘 이상의 섹션들로 구성될 수 있음을 이해해야 한다. 또한, 예시는 노출에 의해 생성되는 3개의 회로 섹션들(헤드, 중간 및 테일 섹션)만을 도시하나, 마스크는 많은 이러한 회로 섹션들(예컨대, 동일 개수의 헤드, 중간 및 테일 섹션)을 포함할 수 있다. 회로들은 (도시된 바와 같이) 선형일 필요가 없다.
도 4에 도시된 바와 같이, 도 3A에 도시된 바와 같은 각으로 긴 회로 디자인을 배향함으로써, 3개의 별개의 세그먼트로 구성된 긴 회로를 생성하기 위해 회로 의 섹션들을 중첩시키는 것이 가능하다. 도 4는 동일한 포토이미징 마스크를 통해 UV 광에 노출된 웨브(402)의 3개의 섹션들을 도시한다. 포토이미징은 3개의 중첩 섹션들(404)에 대해 행해졌다. 마스크는 인접 회로의 서로 다른 세그먼트를 생성하기 위해 패터닝되기 때문에, 각각의 회로는 별개의 상부, 중간 및 단부 특징부를 갖도록 제조될 수 있다.
본 발명의 다양한 변형 및 변경은 본 발명의 범주 및 사상으로부터 벗어남이 없이 당업자에게 명백할 것이며, 본 발명은 본 명세서에 나타낸 예시적인 실시 형태들로 부당하게 제한되지 않음을 이해하여야 한다.

Claims (24)

  1. 포토레지스트 층을 갖는 유전체 기판을 제공하는 단계와,
    포토이미징 마스크를 통해 포토레지스트의 제1 부분을 UV 광에 노출시키는 단계와,
    유전체 기판을 전진시키고 포토이미징 마스크를 통해 포토레지스트의 제2 부분을 UV 광에 노출시키는 단계를 포함하고, 포토레지스트의 제2 부분은 포토레지스트의 제1 부분과 중첩되고,
    포토이미징 마스크는 회로의 정렬된 섹션으로 패터닝되는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 유전체 기판을 두 번째로 전진시키는 단계와 포토이미징 마스크를 통해 포토레지스트의 제3 부분을 UV 광에 노출시키는 단계를 더 포함하고, 포토레지스트의 제3 부분은 포토레지스트의 제2 부분과 중첩되는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 회로 섹션은 0° 내지 90°의 각으로 정렬되는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 회로 섹션은 약 25° 내지 약 65°의 각으로 정렬되는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 적어도 하나의 정렬된 섹션은 종단 접속부 섹션인 방법.
  6. 제1항에 있어서, 적어도 하나의 정렬된 섹션은 중간 섹션인 방법.
  7. 제5항에 있어서, 종단 접속부 섹션은 헤드 섹션인 방법.
  8. 제5항에 있어서, 종단 접속부 섹션은 테일 섹션인 방법.
  9. 제1항에 있어서, 포토이미징 마스크는 회로의 헤드 및 테일 섹션으로 패터닝되어 완성된 회로 이미지가 제2 노출 후에 포토레지스트에 형성되는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 포토이미징 마스크는 중간 섹션으로 패터닝되고 완성된 회로 이미지는 제3 노출 후 포토레지스트에 형성되는 방법.
  11. 제1항에 있어서, 포토이미징 마스크는 기점 패턴을 더 포함하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 기점은 포토레지스트에서 잠재적인 이미지 형성 또는 색상 변화의 하나 또는 둘을 야기함으로써 형성되는 방법.
  13. 제11항에 있어서, 광학 인식 시스템은 잠재적인 이미지 기점을 검출하는데 사용되는 방법.
  14. 제11항에 있어서, 기점을 형성하는 방법은 레이저 가공, 펀칭 및 에칭으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 방법.
  15. 포토이미징 마스크의 주축에 대해 각을 이루어 배열된 복수의 회로 세그먼트를 포함하는 패턴을 갖는 포토이미징 마스크를 포함하는 용품.
  16. 제15항에 있어서, 각은 0°와 90° 사이인 용품.
  17. 제15항에 있어서, 각은 25°와 65° 사이인 용품.
  18. 제15항에 있어서, 회로 세그먼트는 회로의 헤드 섹션 및 테일 섹션을 포함하는 용품.
  19. 제18항에 있어서, 회로 세그먼트는 회로의 하나 이상의 중간 섹션을 추가로 포함하는 용품.
  20. 제15항에 있어서, 회로 세그먼트는 헤드 섹션, 중간 섹션 및 테일 섹션으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 별개의 섹션을 포함하는 용품.
  21. 제15항에 있어서, 패턴은 조합시 단일 완성 회로를 형성하는 별개의 헤드 및 테일 섹션을 포함하는 용품.
  22. 제21항에 있어서, 회로 세그먼트는 회로의 하나 이상의 별개의 중간 섹션을 추가로 포함하는 용품.
  23. 제15항에 있어서, 패턴은 기점 패턴을 추가로 포함하는 용품.
  24. 제23항에 있어서, 적어도 하나의 중간 섹션은 종단 접속부 지점을 포함하는 용품.
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