JPH07295231A - ステップアンドリピート露光方法及びそのマスク - Google Patents
ステップアンドリピート露光方法及びそのマスクInfo
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- JPH07295231A JPH07295231A JP6090261A JP9026194A JPH07295231A JP H07295231 A JPH07295231 A JP H07295231A JP 6090261 A JP6090261 A JP 6090261A JP 9026194 A JP9026194 A JP 9026194A JP H07295231 A JPH07295231 A JP H07295231A
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- basic pattern
- repeat
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- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基本パターンを感光体上に繰り返し露光し
て、感光体上に多数の基本パターンの像を形成するステ
ップアンドリピート露光方法において、リピート露光に
伴うレチクルパターンの境界線の継ぎ目が目立たない大
面積のマスクが得られる露光方法を得ること。 【構成】 基本パターンを、露光光束を透過しない複数
の要素図形と、露光光束を透過させる地部と、該地部を
囲む露光光束を透過しない周辺部とから構成し、かつ、
繰り返し露光の際に相重なる、この基本パターンの仮想
境界線を、周辺部と地部の実境界線の内側に設定して、
ステップ露光の境界部に二重露光領域が形成されるよう
にしたステップアンドリピート露光方法。
て、感光体上に多数の基本パターンの像を形成するステ
ップアンドリピート露光方法において、リピート露光に
伴うレチクルパターンの境界線の継ぎ目が目立たない大
面積のマスクが得られる露光方法を得ること。 【構成】 基本パターンを、露光光束を透過しない複数
の要素図形と、露光光束を透過させる地部と、該地部を
囲む露光光束を透過しない周辺部とから構成し、かつ、
繰り返し露光の際に相重なる、この基本パターンの仮想
境界線を、周辺部と地部の実境界線の内側に設定して、
ステップ露光の境界部に二重露光領域が形成されるよう
にしたステップアンドリピート露光方法。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、例えばカメラの焦点板のような
拡散板を製造する際に用いるステップアンドリピート露
光方法及びそのマスクに関する。
拡散板を製造する際に用いるステップアンドリピート露
光方法及びそのマスクに関する。
【０００２】
【従来技術及びその問題点】図１３は、ステップアンド
リピート露光方法を用いたマスク原板の製造方法の概念
図である。マスク基板（感光体）２１上に、Ｃｒメッキ
層２２を施し、その上からフォトレジスト層２３を塗布
し、このフォトレジスト層２３上に、基本パターン２４
の像２５を光学系２６により縮小投影露光する。この縮
小投影露光を繰り返すことにより、小面積の基本パター
ン２４の像２５が大面積のフォトレジスト層２３（感光
体２１）上に大面積化して形成される。露光されたフォ
トレジスト層２３’を現像処理して露光部分２３’ｂを
除去し、残存したフォトレジスト層２３’ａを介してエ
ッチング処理を施すことによって、基本パターン２４の
持つパターンが縮小転写されたＣｒマスク２２’が製造
される。このＣｒマスクを用いて、さらにレジストが塗
布された基板を露光、現像処理して、大面積の拡散板の
原版が作られる。この原版から電鋳技術によって拡散板
の成形型が作られる。
リピート露光方法を用いたマスク原板の製造方法の概念
図である。マスク基板（感光体）２１上に、Ｃｒメッキ
層２２を施し、その上からフォトレジスト層２３を塗布
し、このフォトレジスト層２３上に、基本パターン２４
の像２５を光学系２６により縮小投影露光する。この縮
小投影露光を繰り返すことにより、小面積の基本パター
ン２４の像２５が大面積のフォトレジスト層２３（感光
体２１）上に大面積化して形成される。露光されたフォ
トレジスト層２３’を現像処理して露光部分２３’ｂを
除去し、残存したフォトレジスト層２３’ａを介してエ
ッチング処理を施すことによって、基本パターン２４の
持つパターンが縮小転写されたＣｒマスク２２’が製造
される。このＣｒマスクを用いて、さらにレジストが塗
布された基板を露光、現像処理して、大面積の拡散板の
原版が作られる。この原版から電鋳技術によって拡散板
の成形型が作られる。
【０００３】このようなステップアンドリピート露光方
法は、リピートの精度の限界に起因して、ステップ露光
の境界線におけるレチクルパターンの継ぎ目の不自然さ
が、このＣｒマスク２２’、あるいはこれを用いて製造
された拡散板上で視認されてしまうという問題があっ
た。
法は、リピートの精度の限界に起因して、ステップ露光
の境界線におけるレチクルパターンの継ぎ目の不自然さ
が、このＣｒマスク２２’、あるいはこれを用いて製造
された拡散板上で視認されてしまうという問題があっ
た。
【０００４】このような問題点を解決するため、特開昭
59-208536 号や、同63-221329 号が提案されているが、
いずれもレチクルパターンの境界線における１μm オー
ダーの不一致は避けられず、さらに、後者にあっては、
ネガ型のフォトレジストには適用できないという問題が
あった。
59-208536 号や、同63-221329 号が提案されているが、
いずれもレチクルパターンの境界線における１μm オー
ダーの不一致は避けられず、さらに、後者にあっては、
ネガ型のフォトレジストには適用できないという問題が
あった。
【０００５】
【発明の目的】本発明は、ステップアンドリピート露光
方法において、リピート露光に伴うレチクルパターンの
境界線の継ぎ目が目立たない大面積のマスクが得られる
露光方法を得ることを目的とする。
方法において、リピート露光に伴うレチクルパターンの
境界線の継ぎ目が目立たない大面積のマスクが得られる
露光方法を得ることを目的とする。
【０００６】
【発明の概要】本発明は、ステップアンドリピート露光
方法において、基本パターンが、露光光束を透過しな
い複数の要素図形と、露光光束を透過させる地部と、該
地部を囲む露光光束を透過しない周辺部とからなってい
ること、基本パターンの要素図形のうち、地部と周辺
部の実境界線に掛かる要素図形は、繰り返し露光の際に
相重なる仮想境界線に対して同一の相対位置に配置され
ていること、及び、基本パターンの地部の幅をＷｂ、
仮想境界線間の距離によって規定される露光側でのステ
ップ幅をｗｓ、基本パターンを露光する際の投影倍率を
ｍ（密着露光またはプロキシミティ露光ではｍ＝１）と
したとき、Ｗｂ・｜ｍ｜＞ｗｓとしたこと、を特徴とし
ている。
方法において、基本パターンが、露光光束を透過しな
い複数の要素図形と、露光光束を透過させる地部と、該
地部を囲む露光光束を透過しない周辺部とからなってい
ること、基本パターンの要素図形のうち、地部と周辺
部の実境界線に掛かる要素図形は、繰り返し露光の際に
相重なる仮想境界線に対して同一の相対位置に配置され
ていること、及び、基本パターンの地部の幅をＷｂ、
仮想境界線間の距離によって規定される露光側でのステ
ップ幅をｗｓ、基本パターンを露光する際の投影倍率を
ｍ（密着露光またはプロキシミティ露光ではｍ＝１）と
したとき、Ｗｂ・｜ｍ｜＞ｗｓとしたこと、を特徴とし
ている。
【０００７】この方法によると、境界部分に（Ｗｂ・｜
ｍ｜−ｗｓ）の幅の二重露光領域が形成されるため、実
境界線の継ぎ目が目立たない。この二重露光領域の幅
は、 ０．１μm ＜Ｗｂ・｜ｍ｜−Ｗｓ＜Ｗｅ・｜ｍ｜／３μ
ｍ であることが好ましい。この二重露光領域が下限を越え
て狭いと、ステップアンドリピートの送りムラによって
未露光領域ができてしまうおそれがある。また、二重露
光領域が上限を越えて広いと、要素図形の回りの地部の
露光が多くなりすぎるために、現像後の要素図形がやせ
てしまう。
ｍ｜−ｗｓ）の幅の二重露光領域が形成されるため、実
境界線の継ぎ目が目立たない。この二重露光領域の幅
は、 ０．１μm ＜Ｗｂ・｜ｍ｜−Ｗｓ＜Ｗｅ・｜ｍ｜／３μ
ｍ であることが好ましい。この二重露光領域が下限を越え
て狭いと、ステップアンドリピートの送りムラによって
未露光領域ができてしまうおそれがある。また、二重露
光領域が上限を越えて広いと、要素図形の回りの地部の
露光が多くなりすぎるために、現像後の要素図形がやせ
てしまう。
【０００８】基本パターンの要素図形は、例えば、疑似
ランダムに配置することができる。また、感光体には、
ポジ型のフォトレジストが塗布されていることが好まし
い。
ランダムに配置することができる。また、感光体には、
ポジ型のフォトレジストが塗布されていることが好まし
い。
【０００９】本発明は、別の態様によると、基本パター
ンを、露光光束を透過しない複数の要素図形と、露光光
束を透過させる地部と、該地部を囲む露光光束を透過し
ない周辺部とから構成し、かつ、繰り返し露光の際に相
重なる、この基本パターンの仮想境界線を、周辺部と地
部との実境界線の内側に設定したことを特徴としてい
る。基本パターン上の要素図形のうち、実境界線に掛か
る要素図形は、仮想境界線に対して同一の相対位置に配
置されていることが好ましい。
ンを、露光光束を透過しない複数の要素図形と、露光光
束を透過させる地部と、該地部を囲む露光光束を透過し
ない周辺部とから構成し、かつ、繰り返し露光の際に相
重なる、この基本パターンの仮想境界線を、周辺部と地
部との実境界線の内側に設定したことを特徴としてい
る。基本パターン上の要素図形のうち、実境界線に掛か
る要素図形は、仮想境界線に対して同一の相対位置に配
置されていることが好ましい。
【００１０】また、本発明の基本パターンマスクは、基
本パターンが、露光光束を透過しない複数の要素図形
と、露光光束を透過させる地部と、該地部を囲む露光光
束を透過しない周辺部とからなることを特徴とする。
本パターンが、露光光束を透過しない複数の要素図形
と、露光光束を透過させる地部と、該地部を囲む露光光
束を透過しない周辺部とからなることを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施例】以下、図面について本発明を詳述す
る。図１は、本発明による基本パターンの第一の実施例
を示す。基本パターン１は、露光光束を透過しない複数
の円形の要素図形２と、露光光束を透過する地部３と、
地部３を囲む露光光束を透過しない正方形の周辺部４と
からなっている。直線９、１０、１１、１２は、地部３
と周辺部４との実境界線である。この基本パターン１
は、要素図形２の配置が疑似ランダムである。
る。図１は、本発明による基本パターンの第一の実施例
を示す。基本パターン１は、露光光束を透過しない複数
の円形の要素図形２と、露光光束を透過する地部３と、
地部３を囲む露光光束を透過しない正方形の周辺部４と
からなっている。直線９、１０、１１、１２は、地部３
と周辺部４との実境界線である。この基本パターン１
は、要素図形２の配置が疑似ランダムである。
【００１２】要素図形２と地部３と周辺部４の位置関係
は、実寸または相似的拡大または相似的縮小では可視化
できないので、図１においては、要素図形２の大きさ、
及び地部３と周辺部４の境界付近を地部の大きさに比し
て誇張して表現している。
は、実寸または相似的拡大または相似的縮小では可視化
できないので、図１においては、要素図形２の大きさ、
及び地部３と周辺部４の境界付近を地部の大きさに比し
て誇張して表現している。
【００１３】この基本パターン１には、実境界線９、１
０、１１、１２の内側にそれぞれ、仮想境界線５、６、
７、８が設定されている。これらの仮想境界線のうち、
５と６、及び７と８はそれぞれ、ステップアンドリピー
ト法によって繰り返し露光する際に、相重なるものであ
る。この仮想境界線は、説明のために仮想的に描いたも
のであり、基本パターン１上に実在するものではない。
０、１１、１２の内側にそれぞれ、仮想境界線５、６、
７、８が設定されている。これらの仮想境界線のうち、
５と６、及び７と８はそれぞれ、ステップアンドリピー
ト法によって繰り返し露光する際に、相重なるものであ
る。この仮想境界線は、説明のために仮想的に描いたも
のであり、基本パターン１上に実在するものではない。
【００１４】地部３と周辺部４の実境界線９、１０、１
１、１２に掛かる要素図形２は、仮想境界線５と６、７
と８においてそれぞれ同一の関係となるように描かれて
いる。例えば、仮想境界線５と６について言えば、要素
図形２ａの仮想境界線５に対する相対位置と、要素図形
２ｂの仮想境界線６に対する相対位置は、同一であり、
前後のステップ露光で完全に重なる。同様に、要素図形
２ｃの仮想境界線７に対する相対位置と、要素図形２ｄ
の仮想境界線８に対する相対位置は、同一である。この
他の要素図形についても、仮想境界線５、６、７、８に
ついて同一である。
１、１２に掛かる要素図形２は、仮想境界線５と６、７
と８においてそれぞれ同一の関係となるように描かれて
いる。例えば、仮想境界線５と６について言えば、要素
図形２ａの仮想境界線５に対する相対位置と、要素図形
２ｂの仮想境界線６に対する相対位置は、同一であり、
前後のステップ露光で完全に重なる。同様に、要素図形
２ｃの仮想境界線７に対する相対位置と、要素図形２ｄ
の仮想境界線８に対する相対位置は、同一である。この
他の要素図形についても、仮想境界線５、６、７、８に
ついて同一である。
【００１５】以上の基本パターン１において、実境界線
９と１０、同１１と１２の間隔をＷｂとし、仮想境界線
５と６、同７と８の間隔をＷｓとすると、Ｗｂ＞Ｗｓで
ある。この実施例では、Ｗｂは４０，０１０μm （４
０．０１０mm）であり、Ｗｓは、４０，０００μm （４
０．０００mm）に設定されている。投影倍率ｍは−１／
１０を予定している。また、要素図形２は、直径１０５
μm の円である。
９と１０、同１１と１２の間隔をＷｂとし、仮想境界線
５と６、同７と８の間隔をＷｓとすると、Ｗｂ＞Ｗｓで
ある。この実施例では、Ｗｂは４０，０１０μm （４
０．０１０mm）であり、Ｗｓは、４０，０００μm （４
０．０００mm）に設定されている。投影倍率ｍは−１／
１０を予定している。また、要素図形２は、直径１０５
μm の円である。
【００１６】このような基本パターン１は、銀塩乾板に
フォトプロッター等で描画して作成することができる。
フォトプロッター等で描画して作成することができる。
【００１７】以上の構成の基本パターン１を用いたステ
ップアンドリピート露光は、−１／１０（＝ｍ）に縮小
投影して、横方向、縦方向ともに４，０００μm （ｗ
ｓ）のステップ幅でマスク基板を移動させながら、露光
を繰り返す。この際、仮想境界線５と６、及び同７と８
が、前後の露光で一致させられる。図２は、このように
露光する工程の横方向への２ステップ分を模式的に示し
ている。仮想境界線６の１回目の露光による像６’と、
仮想境界線５の２回目の露光による像５”とは重なる。
実境界線１０による１回目の露光による像１０’と、実
境界線９の２回目の露光による像９”に挟まれた領域１
３は、二重露光される領域であり、本実施例では、１μ
m の幅を持つ。このように狭い幅の二重露光領域を発生
させることにより、リピート露光の精度の限界に起因す
るレチクル像の境界の未露光領域の発生を防ぎ、継ぎ目
を目立たなくすることができる。
ップアンドリピート露光は、−１／１０（＝ｍ）に縮小
投影して、横方向、縦方向ともに４，０００μm （ｗ
ｓ）のステップ幅でマスク基板を移動させながら、露光
を繰り返す。この際、仮想境界線５と６、及び同７と８
が、前後の露光で一致させられる。図２は、このように
露光する工程の横方向への２ステップ分を模式的に示し
ている。仮想境界線６の１回目の露光による像６’と、
仮想境界線５の２回目の露光による像５”とは重なる。
実境界線１０による１回目の露光による像１０’と、実
境界線９の２回目の露光による像９”に挟まれた領域１
３は、二重露光される領域であり、本実施例では、１μ
m の幅を持つ。このように狭い幅の二重露光領域を発生
させることにより、リピート露光の精度の限界に起因す
るレチクル像の境界の未露光領域の発生を防ぎ、継ぎ目
を目立たなくすることができる。
【００１８】このようなステップ露光を例えば、横方向
１０ステップ×縦方向１０ステップ繰り返すことによっ
て、最終的に４０，０００μm ×４０，０００μm （４
０mm×４０mm）の大面積の露光領域が得られる。露光さ
れたフォトレジスト層を現像処理し、残存したフォトレ
ジスト層を介してエッチング処理を施すことによって、
基本パターン１が大面積化されたパターンを持ったＣｒ
マスクを得る方法は従来技術と同様である。
１０ステップ×縦方向１０ステップ繰り返すことによっ
て、最終的に４０，０００μm ×４０，０００μm （４
０mm×４０mm）の大面積の露光領域が得られる。露光さ
れたフォトレジスト層を現像処理し、残存したフォトレ
ジスト層を介してエッチング処理を施すことによって、
基本パターン１が大面積化されたパターンを持ったＣｒ
マスクを得る方法は従来技術と同様である。
【００１９】本発明は、要素図形が円形や正多角形のよ
うな単純な形でない場合にも適用できる。図３は、本発
明による基本パターン１の第２の実施例を示し、不規則
な形をした要素図形２がランダムに配置されている。第
１の実施例と同様に、地部３と周辺部４の実境界線９、
１０、１１、１２に掛かる要素図形は、その仮想境界線
５と６、及び７と８に対して同一の相対位置となるよう
に、配置されている。例えば、仮想境界線５に対する要
素図形２ｅと、仮想境界線６に対する要素図形２ｆの相
対位置は、同一である。図３においては、要素図形の配
置、形、及び向きが疑似ランダムである。
うな単純な形でない場合にも適用できる。図３は、本発
明による基本パターン１の第２の実施例を示し、不規則
な形をした要素図形２がランダムに配置されている。第
１の実施例と同様に、地部３と周辺部４の実境界線９、
１０、１１、１２に掛かる要素図形は、その仮想境界線
５と６、及び７と８に対して同一の相対位置となるよう
に、配置されている。例えば、仮想境界線５に対する要
素図形２ｅと、仮想境界線６に対する要素図形２ｆの相
対位置は、同一である。図３においては、要素図形の配
置、形、及び向きが疑似ランダムである。
【００２０】次に、要素図形２を地部３の全体に偏りな
く配置し、かつ実境界線に掛かる要素図形を仮想境界線
に対して同一の相対位置に配置する方法について説明す
る。図４、図５に示すように、基本パターンを描画する
座標系を（ｘ，ｙ）とする。ステップアンドリピート法
のステップ幅をｗｓ、基本パターンの投影倍率をｍ（密
着露光またはプロキシミティ露光の場合はｍ＝１）、Ｗ
ｓ＝ｗｓ／｜ｍ｜として、（ｘ，ｙ）平面内の −Ｗｓ≦ｘ≦Ｗｓ −Ｗｓ≦ｙ≦Ｗｓ の範囲内で２次元の一様乱数を発生させ、要素図形を描
く中心座標を決定する。
く配置し、かつ実境界線に掛かる要素図形を仮想境界線
に対して同一の相対位置に配置する方法について説明す
る。図４、図５に示すように、基本パターンを描画する
座標系を（ｘ，ｙ）とする。ステップアンドリピート法
のステップ幅をｗｓ、基本パターンの投影倍率をｍ（密
着露光またはプロキシミティ露光の場合はｍ＝１）、Ｗ
ｓ＝ｗｓ／｜ｍ｜として、（ｘ，ｙ）平面内の −Ｗｓ≦ｘ≦Ｗｓ −Ｗｓ≦ｙ≦Ｗｓ の範囲内で２次元の一様乱数を発生させ、要素図形を描
く中心座標を決定する。
【００２１】この乱数により決定された要素図形の中心
座標（ｘｉ，ｙｉ）が第１象限内にあれば、 第２象限の（ｘｉ−Ｗｓ，ｙｉ ）の点、 第３象限の（ｘｉ−Ｗｓ，ｙｉ−Ｗｓ）の点、 第４象限の（ｘｉ ，ｙｉ−Ｗｓ）の点、 の４か所に同じ要素図形を配置する。
座標（ｘｉ，ｙｉ）が第１象限内にあれば、 第２象限の（ｘｉ−Ｗｓ，ｙｉ ）の点、 第３象限の（ｘｉ−Ｗｓ，ｙｉ−Ｗｓ）の点、 第４象限の（ｘｉ ，ｙｉ−Ｗｓ）の点、 の４か所に同じ要素図形を配置する。
【００２２】同様に、乱数により決定された要素図形の
中心座標（ｘｉ，ｙｉ）が第２象限内にあれば、 第１象限の（ｘｉ＋Ｗｓ，ｙｉ ）の点、 第３象限の（ｘｉ ，ｙｉ−Ｗｓ）の点、 第４象限の（ｘｉ＋Ｗｓ，ｙｉ−Ｗｓ）の点、 の４か所に同じ要素図形を配置する。
中心座標（ｘｉ，ｙｉ）が第２象限内にあれば、 第１象限の（ｘｉ＋Ｗｓ，ｙｉ ）の点、 第３象限の（ｘｉ ，ｙｉ−Ｗｓ）の点、 第４象限の（ｘｉ＋Ｗｓ，ｙｉ−Ｗｓ）の点、 の４か所に同じ要素図形を配置する。
【００２３】同様に、乱数により決定された要素図形の
中心座標（ｘｉ，ｙｉ）が第３象限内にあれば、 第１象限の（ｘｉ＋Ｗｓ，ｙｉ＋Ｗｓ）の点、 第２象限の（ｘｉ ，ｙｉ＋Ｗｓ）の点、 第４象限の（ｘｉ＋Ｗｓ，ｙｉ ）の点、 の４か所に同じ要素図形を配置する。
中心座標（ｘｉ，ｙｉ）が第３象限内にあれば、 第１象限の（ｘｉ＋Ｗｓ，ｙｉ＋Ｗｓ）の点、 第２象限の（ｘｉ ，ｙｉ＋Ｗｓ）の点、 第４象限の（ｘｉ＋Ｗｓ，ｙｉ ）の点、 の４か所に同じ要素図形を配置する。
【００２４】同様に、乱数により決定された要素図形の
中心座標（ｘｉ，ｙｉ）が第４象限内にあれば、 第１象限の（ｘｉ ，ｙｉ＋Ｗｓ）の点、 第２象限の（ｘｉ−Ｗｓ，ｙｉ＋Ｗｓ）の点、 第３象限の（ｘｉ−Ｗｓ，ｙｉ ）の点、 の４か所に同じ要素図形を配置する。
中心座標（ｘｉ，ｙｉ）が第４象限内にあれば、 第１象限の（ｘｉ ，ｙｉ＋Ｗｓ）の点、 第２象限の（ｘｉ−Ｗｓ，ｙｉ＋Ｗｓ）の点、 第３象限の（ｘｉ−Ｗｓ，ｙｉ ）の点、 の４か所に同じ要素図形を配置する。
【００２５】要素図形の形にも不規則性を導入したけれ
ば、予め複数の形の要素図形の組を登録しておき、登録
された要素図形の組から乱数により選択し、さらにもう
一つの乱数で要素図形の回転方向を決定すればよい。
ば、予め複数の形の要素図形の組を登録しておき、登録
された要素図形の組から乱数により選択し、さらにもう
一つの乱数で要素図形の回転方向を決定すればよい。
【００２６】このようにしてできた図形は、第１、２、
３、４象限とも同じものになり、これから、 −Ｗｂ／２≦ｘ≦Ｗｂ／２ −Ｗｂ／２≦ｙ≦Ｗｂ／２ の範囲を切り出して、基本パターンの要素図形と地部と
して使う。これによれば、境界部での連続性及び要素図
形密度の一様性も保証されている。
３、４象限とも同じものになり、これから、 −Ｗｂ／２≦ｘ≦Ｗｂ／２ −Ｗｂ／２≦ｙ≦Ｗｂ／２ の範囲を切り出して、基本パターンの要素図形と地部と
して使う。これによれば、境界部での連続性及び要素図
形密度の一様性も保証されている。
【００２７】図４、図５は、以上の工程を説明するもの
であり、例えば、第１象限に配置するように乱数で決め
られた要素図形２ｇは、同時に第２、３、４象限に２
ｈ、２ｉ、２ｊとして配置される。フォトプロッターで
描画する場合には、図４のように形成されたパターン
と、図５のような周辺部４のパターンを重ねて描画すれ
ば、所望の基本パターン１が得られる。
であり、例えば、第１象限に配置するように乱数で決め
られた要素図形２ｇは、同時に第２、３、４象限に２
ｈ、２ｉ、２ｊとして配置される。フォトプロッターで
描画する場合には、図４のように形成されたパターン
と、図５のような周辺部４のパターンを重ねて描画すれ
ば、所望の基本パターン１が得られる。
【００２８】以上の実施例では、基本パターンは正方形
であり、ステップアンドリピート法は、縦横の同一ステ
ップでなされる。しかし、基本パターンの形状には自由
度がある。図６ないし図９はその実施例を示すもので、
図６は長方形、図７は平行四辺形、図８は正六角形、図
９は不規則な形を示している。本発明では、これらの形
状の基本パターンも、原理的に使用できる。また、完全
に２次元周期的な要素図形の配列にも適用可能なことは
明らかである。図６ないし図９において、破線は、仮想
境界線ＩＢを示し、この仮想境界線ＩＢの外側の実線
が、地部３と周辺部４との実境界線ＲＢを示している。
であり、ステップアンドリピート法は、縦横の同一ステ
ップでなされる。しかし、基本パターンの形状には自由
度がある。図６ないし図９はその実施例を示すもので、
図６は長方形、図７は平行四辺形、図８は正六角形、図
９は不規則な形を示している。本発明では、これらの形
状の基本パターンも、原理的に使用できる。また、完全
に２次元周期的な要素図形の配列にも適用可能なことは
明らかである。図６ないし図９において、破線は、仮想
境界線ＩＢを示し、この仮想境界線ＩＢの外側の実線
が、地部３と周辺部４との実境界線ＲＢを示している。
【００２９】図１０ないし図１２は、要素図形２を地部
３の全体に偏りなく配置し、かつ実境界線に掛かる要素
図形を仮想境界線に対して同一の相対位置に配置する別
の方法を示す。
３の全体に偏りなく配置し、かつ実境界線に掛かる要素
図形を仮想境界線に対して同一の相対位置に配置する別
の方法を示す。
【００３０】図１０では、図４と同様に、基本パターン
を描画する座標系を（ｘ，ｙ）とする。ステップアンド
リピート法のステップ幅をｗｓ、基本パターンの投影倍
率をｍ（密着露光またはプロキシミティ露光の場合はｍ
＝１）、Ｗｓ＝ｗｓ／｜ｍ｜として、（ｘ，ｙ）平面内
の −Ｗｓ／２≦ｘ≦Ｗｓ／２ −Ｗｓ／２≦ｙ≦Ｗｓ／２ の範囲内で２次元の一様乱数を発生させ、要素図形を描
く中心座標を決定する。
を描画する座標系を（ｘ，ｙ）とする。ステップアンド
リピート法のステップ幅をｗｓ、基本パターンの投影倍
率をｍ（密着露光またはプロキシミティ露光の場合はｍ
＝１）、Ｗｓ＝ｗｓ／｜ｍ｜として、（ｘ，ｙ）平面内
の −Ｗｓ／２≦ｘ≦Ｗｓ／２ −Ｗｓ／２≦ｙ≦Ｗｓ／２ の範囲内で２次元の一様乱数を発生させ、要素図形を描
く中心座標を決定する。
【００３１】上記領域内に、仮想境界線５ないし８に接
しさせてその内外に適当な幅Ｗａの領域を設定し、仮想
境界線５と６の内側領域をそれぞれ帯状領域２８と２
７、同７と８の内側領域をそれぞれ帯状領域３０、２９
とする。そして、帯状領域２９と帯状領域２７、２８と
の交差領域をそれぞれ交差領域３１、３２とし、帯状領
域３０と帯状領域２８、２７との交差領域をそれぞれ交
差領域３３、３４とする。
しさせてその内外に適当な幅Ｗａの領域を設定し、仮想
境界線５と６の内側領域をそれぞれ帯状領域２８と２
７、同７と８の内側領域をそれぞれ帯状領域３０、２９
とする。そして、帯状領域２９と帯状領域２７、２８と
の交差領域をそれぞれ交差領域３１、３２とし、帯状領
域３０と帯状領域２８、２７との交差領域をそれぞれ交
差領域３３、３４とする。
【００３２】また仮想境界線５と６の外側領域は、帯状
領域２７ａ、２８ａ、同７と８の外側領域は帯状領域２
９ａ、３０ａとする。そして、帯状領域２９ａと帯状領
域２７、２８、２７ａ、２８ａとの交差領域をそれぞれ
交差領域３１ｃ、３２ａ、３１ｂ、３２ｂとし、帯状領
域３０ａと帯状領域２７、２８、２７ａ、２８ａとの交
差領域をそれぞれ交差領域３４ａ、３３ｃ、３４ｂ、３
３ｂとする。さらに、帯状領域２９と帯状領域２７ａ、
２８ａとの交差領域を３１ａ、３２ｃとし、帯状領域３
０と帯状領域２７ａ、２８ａとの交差領域を３４ｃ、３
３ａとする。
領域２７ａ、２８ａ、同７と８の外側領域は帯状領域２
９ａ、３０ａとする。そして、帯状領域２９ａと帯状領
域２７、２８、２７ａ、２８ａとの交差領域をそれぞれ
交差領域３１ｃ、３２ａ、３１ｂ、３２ｂとし、帯状領
域３０ａと帯状領域２７、２８、２７ａ、２８ａとの交
差領域をそれぞれ交差領域３４ａ、３３ｃ、３４ｂ、３
３ｂとする。さらに、帯状領域２９と帯状領域２７ａ、
２８ａとの交差領域を３１ａ、３２ｃとし、帯状領域３
０と帯状領域２７ａ、２８ａとの交差領域を３４ｃ、３
３ａとする。
【００３３】このように各領域を定めた上で、要素図形
の中心座標が帯状領域２７に落ちた場合には、帯状領域
２７ａにも、同一の相対位置に、要素図形を配置する。
同様に、要素図形の中心座標が、帯状領域２８に落ちた
場合には同２８ａにも、帯状領域２９に落ちた場合には
同２９ａにも、帯状領域３０に落ちた場合には同３０ａ
にも、要素図形を配置する。一方、要素図形の中心座標
が交差領域３１に落ちた場合には、同３１ａ、３１ｂ、
３１ｃにも、交差領域３２に落ちた場合には、同３２
ａ、３２ｂ、３２ｃにも、交差領域３３に落ちた場合に
は、同３３ａ、３３ｂ、３３ｃにも、交差領域３４に落
ちた場合には、同３４ａ、３４ｂ、３４ｃにも、同様に
要素図形を配置する。
の中心座標が帯状領域２７に落ちた場合には、帯状領域
２７ａにも、同一の相対位置に、要素図形を配置する。
同様に、要素図形の中心座標が、帯状領域２８に落ちた
場合には同２８ａにも、帯状領域２９に落ちた場合には
同２９ａにも、帯状領域３０に落ちた場合には同３０ａ
にも、要素図形を配置する。一方、要素図形の中心座標
が交差領域３１に落ちた場合には、同３１ａ、３１ｂ、
３１ｃにも、交差領域３２に落ちた場合には、同３２
ａ、３２ｂ、３２ｃにも、交差領域３３に落ちた場合に
は、同３３ａ、３３ｂ、３３ｃにも、交差領域３４に落
ちた場合には、同３４ａ、３４ｂ、３４ｃにも、同様に
要素図形を配置する。
【００３４】幅Ｗａは、要素図形の幅の最大値の１．５
倍程度をとれば十分である。
倍程度をとれば十分である。
【００３５】図１１は、以上の方法によって、一様乱数
で発生させた点を中心に要素図形として円を配置した場
合の模式図である。例えば、帯状領域２７に落ちた要素
図形２ｋに対しては帯状領域２７ａに同２ｓを、帯状領
域２９に落ちた２ｍに対しては帯状領域２９ａに２ｎ
を、交差領域３１に落ちた２ｏに対しては、交差領域３
１ａ、３１ｂ、３１ｃにそれぞれ、２ｐ、２ｑ、２ｒを
配置している。
で発生させた点を中心に要素図形として円を配置した場
合の模式図である。例えば、帯状領域２７に落ちた要素
図形２ｋに対しては帯状領域２７ａに同２ｓを、帯状領
域２９に落ちた２ｍに対しては帯状領域２９ａに２ｎ
を、交差領域３１に落ちた２ｏに対しては、交差領域３
１ａ、３１ｂ、３１ｃにそれぞれ、２ｐ、２ｑ、２ｒを
配置している。
【００３６】このようにして作ったパターンに周辺部４
を重ねると、図１２のような基本パターンができる。
を重ねると、図１２のような基本パターンができる。
【００３７】本発明に係る基本パターンは、マスク基板
（感光体）に塗布されるフォトレジストに、ネガ、ポジ
いずれの型を用いた場合でも、共通に使えるが、ネガ型
のフォトレジストは、一般にポジ型のフォトレジストに
比べて解像力が劣ると言われており、微細構造のマスク
をシャープに作成するには、ポジ型のフォトレジストを
使用するのが好ましい。
（感光体）に塗布されるフォトレジストに、ネガ、ポジ
いずれの型を用いた場合でも、共通に使えるが、ネガ型
のフォトレジストは、一般にポジ型のフォトレジストに
比べて解像力が劣ると言われており、微細構造のマスク
をシャープに作成するには、ポジ型のフォトレジストを
使用するのが好ましい。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、ステップアンドリピー
ト露光方法において、基本パターンの継ぎ目が目立たな
い大面積の原板を得ることができる。
ト露光方法において、基本パターンの継ぎ目が目立たな
い大面積の原板を得ることができる。
【図１】本発明方法に用いる基本パターンの第１の実施
例を示す模式平面図である。
例を示す模式平面図である。
【図２】基本パターンをステップアンドリピート法で繰
り返し露光する際の横方向への２ステップ分を示す平面
図である。
り返し露光する際の横方向への２ステップ分を示す平面
図である。
【図３】本発明方法に用いる基本パターンの第２の実施
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図４】基本パターンの要素図形の配置位置の決定方法
の一例を説明する図である。
の一例を説明する図である。
【図５】基本パターンの周辺部パターンを説明する図で
ある。
ある。
【図６】基本パターンの形状例を示す平面図である。
【図７】基本パターンの形状例を示す平面図である。
【図８】基本パターンの形状例を示す平面図である。
【図９】基本パターンの形状例を示す平面図である。
【図１０】基本パターンの要素図形の配置位置の決定方
法の他の例を説明する図である。
法の他の例を説明する図である。
【図１１】基本パターンの要素図形の配置例を説明する
図である。
図である。
【図１２】基本パターンの地部と要素図形に周辺部を重
ねてできた基本パターンの例を示す平面図である。
ねてできた基本パターンの例を示す平面図である。
【図１３】ステップアンドリピート露光方法の概念図で
ある。
ある。
１ 基本パターン ２ 要素図形 ３ 地部 ４ 周辺部 ５ ６ ７ ８ ＩＢ 仮想境界線 ９ １０ １１ １２ ＲＢ 実境界線 １３ 二重露光領域
【手続補正書】
【提出日】平成７年７月５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正内容】
Claims (6)
- 【請求項１】 小面積の基本パターンを大面積の感光体
上に繰り返し露光して、感光体上に多数の基本パターン
の像を形成するステップアンドリピート露光方法におい
て、 上記基本パターンは、露光光束を透過しない複数の要素
図形と、露光光束を透過させる地部と、該地部を囲む露
光光束を透過しない周辺部とからなっていること、 上記基本パターンの要素図形のうち、地部と周辺部の実
境界線に掛かる要素図形は、繰り返し露光の際に相重な
る仮想境界線に対して同一の相対位置に配置されている
こと、及び、 上記基本パターンの地部のステップ露光方向の幅をＷ
ｂ、上記仮想境界線間の距離によって規定される露光側
でのステップ幅をｗｓ、上記基本パターンを露光する際
の投影倍率をｍとしたとき、 Ｗｂ・｜ｍ｜＞ｗｓ であること、を特徴とするステップアンドリピート露光
方法。 - 【請求項２】 請求項１において、上記要素図形は、基
本パターン中に疑似ランダムに配置されているステップ
アンドリピート露光方法。 - 【請求項３】 請求項１または２において、要素図形の
平均の幅をＷｅとしたとき、 ０．１μm ＜Ｗｂ・｜ｍ｜−ｗｓ＜Ｗｅ・｜ｍ｜／３μ
ｍ であるステップアンドリピート露光方法。 - 【請求項４】 小面積の基本パターンを大面積の感光体
上に繰り返し露光して、感光体上に多数の基本パターン
の像を形成するステップアンドリピート露光法におい
て、 上記基本パターンを、露光光束を透過しない複数の要素
図形と、露光光束を透過させる地部と、該地部を囲む露
光光束を透過しない周辺部とから構成し、かつ、 繰り返し露光の際に相重なる、この基本パターンの仮想
境界線を、上記周辺部と地部との実境界線の内側に設定
し、繰り返し露光の境界部に二重露光領域を形成するこ
とを特徴とするステップアンドリピート露光方法。 - 【請求項５】 請求項４において、上記基本パターン上
の要素図形のうち、上記実境界線に掛かる要素図形は、
仮想境界線に対して同一の相対位置に配置されているス
テップアンドリピート露光方法。 - 【請求項６】 マスク上の小面積の基本パターンを大面
積の感光体上に繰り返し露光して、感光体上に多数の基
本パターンの像を形成するステップアンドリピート露光
方法に用いる該マスクにおいて、 上記基本パターンが、露光光束を透過しない複数の要素
図形と、露光光束を透過させる地部と、該地部を囲む露
光光束を透過しない周辺部とからなっていることを特徴
とするステップアンドリピート露光方法に用いるマス
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6090261A JPH07295231A (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | ステップアンドリピート露光方法及びそのマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6090261A JPH07295231A (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | ステップアンドリピート露光方法及びそのマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07295231A true JPH07295231A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=13993566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6090261A Pending JPH07295231A (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | ステップアンドリピート露光方法及びそのマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07295231A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100529657B1 (ko) * | 1999-06-09 | 2005-11-21 | 샤프 가부시키가이샤 | 액정 표시장치 및 그 제조방법 |
| EP1391920A3 (fr) * | 2002-08-06 | 2008-07-16 | Thales | Procédé de fabrication d'une matrice active, dispositifs de visualisation électro-optiques et masque correspondants |
| US7947429B2 (en) | 2006-08-03 | 2011-05-24 | 3M Innovative Properties Company | Long length flexible circuits and method of making same |
-
1994
- 1994-04-27 JP JP6090261A patent/JPH07295231A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100529657B1 (ko) * | 1999-06-09 | 2005-11-21 | 샤프 가부시키가이샤 | 액정 표시장치 및 그 제조방법 |
| EP1391920A3 (fr) * | 2002-08-06 | 2008-07-16 | Thales | Procédé de fabrication d'une matrice active, dispositifs de visualisation électro-optiques et masque correspondants |
| US7947429B2 (en) | 2006-08-03 | 2011-05-24 | 3M Innovative Properties Company | Long length flexible circuits and method of making same |
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